CN115373232B - 晶圆去胶设备和方法 - Google Patents

晶圆去胶设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115373232B
CN115373232B CN202211299044.XA CN202211299044A CN115373232B CN 115373232 B CN115373232 B CN 115373232B CN 202211299044 A CN202211299044 A CN 202211299044A CN 115373232 B CN115373232 B CN 115373232B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cavity
wafer
photoresist removing
photoresist
filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211299044.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN115373232A (zh
Inventor
戴建波
孙文彬
杜马峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co ltd
Original Assignee
Advanced Materials Technology and Engineering Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Materials Technology and Engineering Inc filed Critical Advanced Materials Technology and Engineering Inc
Priority to CN202211299044.XA priority Critical patent/CN115373232B/zh
Publication of CN115373232A publication Critical patent/CN115373232A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115373232B publication Critical patent/CN115373232B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/10—Particle separators, e.g. dust precipitators, using filter plates, sheets or pads having plane surfaces
    • B01D46/106—Ring-shaped filtering elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
    • B01D46/24—Particle separators, e.g. dust precipitators, using rigid hollow filter bodies
    • B01D46/2403—Particle separators, e.g. dust precipitators, using rigid hollow filter bodies characterised by the physical shape or structure of the filtering element
    • B01D46/2411—Filter cartridges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3342—Resist stripping
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明提供一种晶圆去胶设备和方法，涉及半导体技术领域。晶圆去胶设备包括去胶腔体和过滤结构，去胶腔体包括从上至下依次连通的电离腔体、承载腔体和排气腔体，电离腔体用于将输入的气体电离、产生等离子体，对承载腔体中的晶圆去胶，排气腔体的底部开设有抽气孔，以抽走去胶腔体内的气体和颗粒，排气腔体的侧壁上开设有进气孔，实现对去胶腔体破真空；过滤结构安装在去胶腔体内、且位于晶圆与进气孔之间，过滤结构上的过滤孔靠近晶圆的开口大于靠近进气孔的开口，在去胶腔体破真空的过程中，位于过滤孔远离晶圆一侧的颗粒不容易进入到过滤孔的小口，减少颗粒随气流再回到过滤孔靠近晶圆的一侧，避免颗粒随气流回到晶圆上，减少对晶圆的污染。

Description

晶圆去胶设备和方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种晶圆去胶设备和方法。
背景技术
在晶圆的制造过程中，经过刻蚀或者离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为保护层，因此可以将光刻胶从硅片的表面除去，这一步骤简称为去胶。
去胶的方法包括湿法去胶和干法去胶。干法去胶则是利用等离子体将光刻胶去除。以使用氧等离子为例，晶圆上的光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态的CO、CO2和H2O可以由真空系统抽走。同时，去胶过程还会产生一些可能会对晶圆造成污染的颗粒，在抽真空之后，这些颗粒会沉积在腔体的底部，在打开腔体取走晶圆之前，需要向腔体内充入氮气实现破真空，但是，在充入氮气的过程中，容易造成颗粒随气流回到晶圆上，甚至对晶圆造成污染。
发明内容
本发明的目的包括提供了一种晶圆去胶设备和方法，其能够防止破真空过程中，污染颗粒随气流回到晶圆上，减少对晶圆的污染。
本发明的实施例可以这样实现：
第一方面，本发明提供一种晶圆去胶设备，晶圆去胶设备包括：
去胶腔体，包括从上至下依次连通的电离腔体、承载腔体和排气腔体，承载腔体用于承载待去胶的晶圆，电离腔体用于将输入的气体电离、产生等离子体，等离子体用于对晶圆去胶，排气腔体的底部开设有抽气孔，抽气孔用于抽走去胶腔体内的气体和颗粒，排气腔体的侧壁上开设有进气孔，进气孔用于通入气体、对去胶腔体破真空；
过滤结构，安装在去胶腔体内、且位于晶圆与进气孔之间，过滤结构上开设有过滤孔，过滤孔靠近晶圆的开口大于靠近进气孔的开口。
本实施例提供的晶圆去胶设备的有益效果包括：
增设有过滤结构，且过滤结构上的过滤孔靠近晶圆的开口大于靠近进气孔的开口，这样，在等离子体去胶的过程中，位于晶圆一侧的气体和颗粒可以顺利的进入过滤孔的大口、并从过滤孔的小口排出，进而从排气腔体排出；在对去胶腔体破真空的过程中，位于过滤孔远离晶圆一侧的颗粒不容易进入到过滤孔的小口，从而减少颗粒随气流再回到过滤孔靠近晶圆的一侧，也就避免颗粒随气流回到晶圆上，减少对晶圆的污染。
在可选的实施方式中，晶圆去胶设备还包括：
加热盘，安装在承载腔体内，加热盘用于承载晶圆，过滤结构连接在加热盘的外表面与承载腔体的内表面之间。
这样，过滤结构所需的结构形式简单、安装方便，对通过承载腔体的气流能够完全过滤。
在可选的实施方式中，过滤结构为桶状结构，桶状结构的上端连接到加热盘的底面，桶状结构的下端连接到承载腔体的底壁上，过滤孔开设在桶状结构的侧壁上。
这样，过滤结构能够作为加热盘的支撑结构，简化设备的结构形式。
在可选的实施方式中，过滤孔为梯形孔，梯形孔位于桶状结构外表面的开口大于位于桶状结构内表面的开口。
这样，过滤孔的形式简单，制造方便。
在可选的实施方式中，过滤孔与承载腔体的底壁的距离大于过滤孔与加热盘的底面的距离。
这样，承载腔体的底壁上一般沉积有污染颗粒，过滤孔靠近加热盘、远离承载腔体的底壁，破真空过程中，经过过滤孔的气体也与承载腔体底壁上的颗粒较远，减少颗粒随气流流动的可能性。
在可选的实施方式中，过滤孔的下边缘的延长线与承载腔体的侧壁相交、且位于承载腔体的底壁上方。
这样，在破真空过程中，过滤孔对经过它的气体会向承载腔体的侧壁导向，减少气体吹向承载腔体底壁的量和速度，减少颗粒随气流流动的可能性。
在可选的实施方式中，过滤结构为环状结构，环状结构的内侧连接到加热盘的外周面上，环状结构的外侧连接到承载腔体的侧壁上。
这样，过滤结构对颗粒从承载腔体进入排气腔体的阻碍较小，有利于更大程度的排出去胶腔体内的颗粒，也能防止过滤结构下方的颗粒再回到过滤结构的上方。
在可选的实施方式中，环状结构的两侧到过滤孔的部位呈逐渐下沉的形式。
这样，过滤结构能够引导气体和颗粒通过过滤孔，提高气体和颗粒的排出效率，同时对随气流返回的颗粒的阻碍效果更明显。
在可选的实施方式中，承载腔体的底壁开设有与排气腔体连通的透气孔，过滤结构安装在透气孔内。
这样，过滤结构形状尺寸较小，成本较低，而且对排出气体和颗粒的阻碍较小。
在可选的实施方式中，过滤结构的边缘到过滤孔的部位呈逐渐下沉的形式。
这样，过滤结构能够引导气体和颗粒通过过滤孔，提高气体和颗粒的排出效率，同时对随气流返回的颗粒的阻碍效果更明显。
在可选的实施方式中，承载腔体的侧壁与底壁的交界处设置有弧形导流结构，排气腔体的侧壁与底壁的交界处设置有弧形导流结构。
在可选的实施方式中，晶圆去胶设备还包括与进气孔连通的第一充气支路和第二充气支路，第一充气支路的充气速度大于第二充气支路的充气速度。
这样，可以先利用第二充气支路对去胶腔体慢速破真空，可以防止大量的颗粒随气流逆流，在去胶腔体与大气环境压差较小时，再利用第一充气支路对去胶腔体快速破真空，因为压差较小也不会使大量颗粒随气流逆流，减少颗粒污染晶圆的可能性。
在可选的实施方式中，第一充气支路上安装有高速阀，第二充气支路上安装有低速阀和流量调节阀。
第二方面，本发明提供一种晶圆去胶方法，晶圆去胶方法采用前述实施方式的晶圆去胶设备，晶圆去胶方法包括：
利用电离腔体用于将输入的气体电离、产生等离子体，对晶圆去胶；
对抽气孔抽气，抽走去胶腔体内的气体和颗粒；
对进气孔充气，使去胶腔体破真空；
打开去胶腔体，取走晶圆。
在可选的实施方式中，对进气孔充气，使去胶腔体破真空的步骤包括：
采用第一充气速度对进气孔充气，直到去胶腔体与大气环境的压差达到预设值；
采用第二充气速度对进气孔充气，直到去胶腔体与大气环境的压力相等；
其中，第二充气速度大于第一充气速度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明第一实施例提供的晶圆去胶设备的结构示意图；
图2为本发明第一实施例提供的晶圆去胶设备去胶状态下的结构示意图；
图3为本发明第一实施例提供的晶圆去胶设备破真空状态下的结构示意图；
图4为本发明第二实施例提供的晶圆去胶设备的结构示意图；
图5为本发明第三实施例提供的晶圆去胶设备的结构示意图；
图6为阀流量与颗粒流动的关系。
图标：100-晶圆去胶设备；1-去胶腔体；11-电离腔体；111-等离子发生器；12-承载腔体；121-透气孔；13-排气腔体；131-抽气孔；132-进气孔；2-过滤结构；21-过滤孔；3-加热盘；4-弧形导流结构；5-第一充气支路；51-高速阀；6-第二充气支路；61-低速阀；62-流量调节阀；200-晶圆。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，若出现术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明的实施例中的特征可以相互结合。
第一实施例
请参考图1，本实施例提供了一种晶圆去胶设备100，晶圆去胶设备100包括去胶腔体1、过滤结构2、加热盘3、弧形导流结构4、第一充气支路5和第二充气支路6。
去胶腔体1包括从上至下依次连通的电离腔体11、承载腔体12和排气腔体13，加热盘3安装在承载腔体12内，加热盘3用于承载待去胶的晶圆200，电离腔体11包括等离子发生器111，电离腔体11用于将输入的气体电离、产生等离子体，等离子体用于对晶圆200去胶，排气腔体13的底部开设有抽气孔131，抽气孔131用于连接抽气泵，通过抽气孔131可以抽走去胶腔体1内的气体和颗粒，排气腔体13的侧壁上开设有进气孔132，第一充气支路5和第二充气支路6均连接到进气孔132，通过第一充气支路5和第二充气支路6可以向进气孔132通入气体、对去胶腔体1破真空，通入的气体可以是氮气。具体的，第一充气支路5上安装有高速阀51，第二充气支路6上安装有低速阀61和流量调节阀62。
过滤结构2安装在去胶腔体1内、且位于晶圆200与进气孔132之间，优选地，过滤结构2连接在加热盘3的外表面与承载腔体12的内表面之间。这样，过滤结构2所需的结构形式简单、安装方便，对通过承载腔体12的气流能够完全过滤。
本实施例中，过滤结构2为桶状结构，桶状结构的上端连接到加热盘3的底面，桶状结构的下端连接到承载腔体12的底壁上，过滤孔21开设在桶状结构的侧壁上。这样，过滤结构2能够作为加热盘3的支撑结构，简化设备的结构形式。或者说，也可以将对加热盘3的支撑结构上开设过滤孔21，形成本实施例中的过滤结构2。
过滤结构2上开设有过滤孔21，过滤孔21靠近晶圆200的开口大于靠近进气孔132的开口。这样，在等离子体去胶的过程中，位于晶圆200一侧的气体和颗粒可以顺利的进入过滤孔21的大口、并从过滤孔21的小口排出，进而从排气腔体13排出；在对去胶腔体1破真空的过程中，位于过滤孔21远离晶圆200一侧的颗粒不容易进入到过滤孔21的小口，从而减少颗粒随气流再回到过滤孔21靠近晶圆200的一侧，也就避免颗粒随气流回到晶圆200上，减少对晶圆200的污染。
优选地，过滤孔21为梯形孔，梯形孔位于桶状结构外表面的开口大于位于桶状结构内表面的开口。这样，过滤孔21的形式简单，制造方便。
请查阅图2，图2中箭头表示流体的流动方向，晶圆去胶设备100在去胶状态下的工作过程：
首先，进入电离腔体11的气体电离、产生等离子体和自由基，等离子体和自由基与晶圆200上的光刻胶发生化学反应，达到去除晶圆200上光刻胶的效果，会产生气体和颗粒，这里的气体包括CO、CO2和H2O；接着，气体和大部分颗粒会经过过滤结构2的过滤孔21进入到排气腔体13内，并通过排气腔体13底部的抽气孔131排出去胶腔体1。此时，也会有一些颗粒未能通过过滤孔21，而沉积在承载腔体12的底部，也可能会有一些颗粒会沉积在排气腔体13的底部。
在晶圆200去胶的过程中，因为过滤结构2上的过滤孔21靠近晶圆200的开口大于靠近进气孔132的开口，位于晶圆200一侧的气体和颗粒可以顺利的进入过滤孔21的大口、并从过滤孔21的小口排出，进而从排气腔体13排出。
请查阅图3，图3中箭头表示流体的流动方向，晶圆去胶设备100在破真空状态下的工作过程：
在晶圆200去胶完成后，由于去胶腔体1内呈负压状态，需要先将去胶腔体1内充入气体至大气压力，才能打开去胶腔体1、取出晶圆200。这里充入的气体可以是氮气。
因此，首先，打开第二充气支路6上的低速阀61和流量调节阀62，这里低速阀61和流量调节阀62的Cv值为0.03，对去胶腔体1内慢速充气，实现慢速破真空，可以防止大量的颗粒随气流逆流，在去胶腔体1与大气环境压差较小时，也可以是预定时间（可以是4s）后，再打开第一充气支路5上的高速阀51，这里高速阀51的Cv值为0.27，对去胶腔体1内快速充气，实现快速破真空，因为压差较小也不会使大量颗粒随气流逆流，减少颗粒污染晶圆200的可能性，还能提高破真空的效率；最后，直到去胶腔体1与大气环境的压力相等，再打开去胶腔体1取出晶圆200。
请查阅图6，低速阀61和流量调节阀62的Cv值为0.03，高速阀51的Cv值为0.27，对应的颗粒随时间流动的量，从图6可知，在阀的Cv值为0.03的情况下，只有极少的颗粒会随气流流动，也就可以知道，本实施例中启用第一充气支路5的过程中，不会造成明显的颗粒逆流。
在破真空的过程中，因为过滤结构2上的过滤孔21靠近晶圆200的开口大于靠近进气孔132的开口，位于过滤孔21远离晶圆200一侧的颗粒不容易进入到过滤孔21的小口，从而减少颗粒随气流再回到过滤孔21靠近晶圆200的一侧，也就避免颗粒随气流回到晶圆200上，减少对晶圆200的污染。
请查阅图1至图3，过滤孔21与承载腔体12的底壁的距离大于过滤孔21与加热盘3的底面的距离。这样，承载腔体12的底壁上一般沉积有污染颗粒，过滤孔21靠近加热盘3、远离承载腔体12的底壁，破真空过程中，经过过滤孔21的气体也与承载腔体12底壁上的颗粒较远，减少颗粒随气流流动的可能性。
过滤孔21的下边缘的延长线与承载腔体12的侧壁相交于O点（请参阅图3）、且位于承载腔体12的底壁上方。这样，在破真空过程中，过滤孔21对经过它的气体会向承载腔体12的侧壁导向，减少气体吹向承载腔体12底壁的量和速度，减少颗粒随气流流动的可能性。
承载腔体12的侧壁与底壁的交界处设置有弧形导流结构4，排气腔体13的侧壁与底壁的交界处设置有弧形导流结构4。在晶圆200去胶的过程中，弧形导流结构4可以引导颗粒穿过过滤孔21、并排出排气腔体13，减少颗粒在承载腔体12底部和排气腔体13底部沉积的量。
本实施例中，过滤孔21优选为等腰梯形，在其它实施例中，过滤孔21还可以是直角梯形，过滤孔21的下边缘为水平设置，过滤孔21还可以是其它不规则的孔，优选为过滤孔21的下边缘向下倾斜角度小于过滤孔21的上边缘向上倾斜的角度。
第二实施例
请查阅图4，本实施例提供一种晶圆去胶设备100，其与第一实施例中的结构相似，不同之处在于，过滤结构2的安装位置和结构形式不同。
过滤结构2为环状结构，环状结构的内侧连接到加热盘3的外周面上，环状结构的外侧连接到承载腔体12的侧壁上。这样，过滤结构2对颗粒从承载腔体12进入排气腔体13的阻碍较小，有利于更大程度的排出去胶腔体1内的颗粒，也能防止过滤结构2下方的颗粒再回到过滤结构2的上方。
环状结构的两侧到过滤孔21的部位呈逐渐下沉的形式。这样，过滤结构2能够引导气体和颗粒通过过滤孔21，提高气体和颗粒的排出效率，同时对随气流返回的颗粒的阻碍效果更明显。
第三实施例
请查阅图5，本实施例提供一种晶圆去胶设备100，其与第一实施例中的结构相似，不同之处在于，过滤结构2的安装位置和结构形式不同。
承载腔体12的底壁开设有与排气腔体13连通的透气孔121，过滤结构2安装在透气孔121内。这样，过滤结构2形状尺寸较小，成本较低，而且对排出气体和颗粒的阻碍较小。
过滤结构2的边缘到过滤孔21的部位呈逐渐下沉的形式。这样，过滤结构2能够引导气体和颗粒通过过滤孔21，提高气体和颗粒的排出效率，同时对随气流返回的颗粒的阻碍效果更明显。
在第二实施例和第三实施例中，过滤结构2不再作为加热盘3的支撑结构，加热盘3可以采用常规的支撑方式安装在承载腔体12内。
可以理解的是，第一实施例至第三实施例提供的晶圆去胶设备100可以相互结合，主要是过滤结构2可以结合使用，例如将第一实施例至第三实施例中的多种过滤结构2结合使用在一个晶圆去胶设备100中，这样，晶圆去胶设备100防止颗粒逆流的效果更佳，更加适用于会产生微小颗粒的晶圆200去胶的场景。
第四实施例
本实施例提供一种晶圆去胶方法，晶圆去胶方法采用第一实施例至第三实施例中任一种晶圆去胶设备100，晶圆去胶方法包括一下步骤：
步骤1：利用电离腔体11用于将输入的气体电离、产生等离子体，对晶圆200去胶。
步骤2：对抽气孔131抽气，抽走去胶腔体1内的气体和颗粒。
步骤3：对进气孔132充气，使去胶腔体1破真空。其中，先采用第一充气速度对进气孔132充气，直到去胶腔体1与大气环境的压差达到预设值；再采用第二充气速度对进气孔132充气，直到去胶腔体1与大气环境的压力相等；而且，第二充气速度大于第一充气速度。
步骤4：打开去胶腔体1，取走晶圆200。
本发明实施例提供的晶圆去胶设备100和方法的有益效果包括：
1.增设有过滤结构2，且过滤结构2上的过滤孔21靠近晶圆200的开口大于靠近进气孔132的开口，这样，在等离子体去胶的过程中，位于晶圆200一侧的气体和颗粒可以顺利的进入过滤孔21的大口、并从过滤孔21的小口排出，进而从排气腔体13排出；在对去胶腔体1破真空的过程中，位于过滤孔21远离晶圆200一侧的颗粒不容易进入到过滤孔21的小口，从而减少颗粒随气流再回到过滤孔21靠近晶圆200的一侧，也就避免颗粒随气流回到晶圆200上，减少对晶圆200的污染；
2.设置有第一充气支路5和第二充气支路6，先对去胶腔体1进行慢速破真空，再进行快速破真空，可以防止大量的颗粒随气流逆流，减少颗粒污染晶圆200的可能性，提升良率。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种晶圆去胶设备，其特征在于，所述晶圆去胶设备包括：
去胶腔体（1），包括从上至下依次连通的电离腔体（11）、承载腔体（12）和排气腔体（13），所述承载腔体（12）用于承载待去胶的晶圆（200），所述电离腔体（11）用于将输入的气体电离、产生等离子体，所述等离子体用于对所述晶圆（200）去胶，所述排气腔体（13）的底部开设有抽气孔（131），所述抽气孔（131）用于抽走所述去胶腔体（1）内的气体和颗粒，所述排气腔体（13）的侧壁上开设有进气孔（132），所述进气孔（132）用于通入气体、对所述去胶腔体（1）破真空，所述承载腔体（12）的侧壁与底壁的交界处设置有弧形导流结构（4），所述排气腔体（13）的侧壁与底壁的交界处设置有弧形导流结构（4）；
加热盘（3），安装在所述承载腔体（12）内，所述加热盘（3）用于承载所述晶圆（200）；
过滤结构（2），安装在所述去胶腔体（1）内、且位于所述晶圆（200）与所述进气孔（132）之间，所述过滤结构（2）上开设有过滤孔（21），所述过滤孔（21）靠近所述晶圆（200）的开口大于靠近所述进气孔（132）的开口，所述过滤结构（2）连接在所述加热盘（3）的外表面与所述承载腔体（12）的内表面之间，所述过滤结构（2）为桶状结构，所述桶状结构的上端连接到所述加热盘（3）的底面，所述桶状结构的下端连接到所述承载腔体（12）的底壁上，所述过滤孔（21）开设在所述桶状结构的侧壁上，所述过滤孔（21）与所述承载腔体（12）的底壁的距离大于所述过滤孔（21）与所述加热盘（3）的底面的距离，所述过滤孔（21）的下边缘的延长线与所述承载腔体（12）的侧壁相交、且位于所述承载腔体（12）的底壁上方；
所述晶圆去胶设备还包括与所述进气孔（132）连通的第一充气支路（5）和第二充气支路（6），所述第一充气支路（5）的充气速度大于所述第二充气支路（6）的充气速度，所述第一充气支路（5）上安装有高速阀（51），所述第二充气支路（6）上安装有低速阀（61）和流量调节阀（62）；
在对所述去胶腔体（1）破真空的过程中，首先，打开所述第二充气支路（6）上的所述低速阀（61）和所述流量调节阀（62），所述低速阀（61）和所述流量调节阀（62）的Cv值为0.03，再打开所述第一充气支路（5）上的所述高速阀（51），对所述去胶腔体（1）内快速充气，实现对所述去胶腔体（1）破真空。
2.根据权利要求1所述的晶圆去胶设备，其特征在于，所述过滤孔（21）为梯形孔，所述梯形孔位于所述桶状结构外表面的开口大于位于所述桶状结构内表面的开口。
3.一种晶圆去胶方法，其特征在于，所述晶圆去胶方法采用权利要求1所述的晶圆去胶设备，所述晶圆去胶方法包括：
利用所述电离腔体（11）用于将输入的气体电离、产生等离子体，对所述晶圆（200）去胶；
对所述抽气孔（131）抽气，抽走所述去胶腔体（1）内的气体和颗粒；
对所述进气孔（132）充气，使所述去胶腔体（1）破真空；
打开所述去胶腔体（1），取走所述晶圆（200）。
4.根据权利要求3所述的晶圆去胶方法，其特征在于，所述对所述进气孔（132）充气，使所述去胶腔体（1）破真空的步骤包括：
采用第一充气速度对所述进气孔（132）充气，直到所述去胶腔体（1）与大气环境的压差达到预设值；
采用第二充气速度对所述进气孔（132）充气，直到所述去胶腔体（1）与大气环境的压力相等；
其中，所述第二充气速度大于所述第一充气速度。
CN202211299044.XA 2022-10-24 2022-10-24 晶圆去胶设备和方法 Active CN115373232B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211299044.XA CN115373232B (zh) 2022-10-24 2022-10-24 晶圆去胶设备和方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211299044.XA CN115373232B (zh) 2022-10-24 2022-10-24 晶圆去胶设备和方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115373232A CN115373232A (zh) 2022-11-22
CN115373232B true CN115373232B (zh) 2023-04-21

Family

ID=84074376

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211299044.XA Active CN115373232B (zh) 2022-10-24 2022-10-24 晶圆去胶设备和方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115373232B (zh)

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100405085C (zh) * 2004-06-28 2008-07-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 光学组件的制造方法及装置
CN100466164C (zh) * 2005-12-08 2009-03-04 北京圆合电子技术有限责任公司 一种真空腔室的充气系统
KR100988169B1 (ko) * 2006-04-04 2010-10-18 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
KR100986961B1 (ko) * 2008-06-03 2010-10-11 주식회사 테스 반도체 제조 장치
CN104979237B (zh) * 2014-04-11 2018-03-09 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体加工设备
CN106298581B (zh) * 2015-05-13 2020-10-13 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 光辐射加热刻蚀装置及方法
CN105296924B (zh) * 2015-11-18 2017-10-03 清华大学 高c轴取向氮化铝薄膜及其制备方法与应用
CN111123665A (zh) * 2019-12-27 2020-05-08 常州工学院 一种声表面波器件等离子去胶方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115373232A (zh) 2022-11-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9159606B1 (en) Metal air gap
CN105695936B (zh) 预清洗腔室及等离子体加工设备
CN1288711C (zh) 扩散器和快速循环腔室
CN100587904C (zh) 反应腔室内衬及包含该内衬的反应腔室
CN109962000B (zh) 一种可减少污染颗粒的等离子体处理装置及其方法
JP2012515453A (ja) 多孔質シリコン電解エッチングシステム及び方法
US20220356567A1 (en) Vacuum Systems in Semiconductor Fabrication Facilities
CN111863580B (zh) 基板处理装置
JP2015119042A (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、および記録媒体
CN2775992Y (zh) 电感耦合等离子体装置
CN115373232B (zh) 晶圆去胶设备和方法
KR102546756B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR100567433B1 (ko) 반도체제조장비의 오염가스 배출 장치
KR101010312B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 압력 조절 방법
KR102037902B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
CN114025863A (zh) 真空前级管道中用于颗粒收集的高效率捕捉器
JP2011032127A (ja) 単結晶引上装置の排気集塵装置
CN116666256A (zh) 基板蚀刻处理装置及基板边缘的蚀刻控制方法
KR102036431B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN210223990U (zh) 一种静电吸盘组件及等离子体蚀刻设备
KR101570167B1 (ko) 기판 처리 장치
CN114023687A (zh) 一种用于探测器的干法刻蚀装置
KR20100046793A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
JPH11333215A (ja) ろ過フィルターのエアーロック防止装置
KR101934984B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 214000 Guanshan Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee after: Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Address before: 214000 Guanshan Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province

Patentee before: WUXI YIWEN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: Wafer debonding equipment and methods

Effective date of registration: 20231031

Granted publication date: 20230421

Pledgee: Bank of Suzhou Limited by Share Ltd. Wuxi branch

Pledgor: Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980063453

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20231218

Granted publication date: 20230421

Pledgee: Bank of Suzhou Limited by Share Ltd. Wuxi branch

Pledgor: Wuxi Yiwen Microelectronics Technology Co.,Ltd.

Registration number: Y2023980063453