CN104956555A - 半导体激光器装置 - Google Patents

半导体激光器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104956555A
CN104956555A CN201480006900.5A CN201480006900A CN104956555A CN 104956555 A CN104956555 A CN 104956555A CN 201480006900 A CN201480006900 A CN 201480006900A CN 104956555 A CN104956555 A CN 104956555A
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor laser
light
laser array
collector lens
array
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480006900.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104956555B (zh
Inventor
吉野雅也
绀谷亘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of CN104956555A publication Critical patent/CN104956555A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104956555B publication Critical patent/CN104956555B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/30—Collimators
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4206—Optical features
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4212—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element being a coupling medium interposed therebetween, e.g. epoxy resin, refractive index matching material, index grease, matching liquid or gel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4214—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms the intermediate optical element having redirecting reflective means, e.g. mirrors, prisms for deflecting the radiation from horizontal to down- or upward direction toward a device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4296—Coupling light guides with opto-electronic elements coupling with sources of high radiant energy, e.g. high power lasers, high temperature light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4043—Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405—Two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures
    • H01S5/4056—Edge-emitting structures emitting light in more than one direction

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种半导体激光器装置，即使在来自多个半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同的情况下，也能够使来自这些多个半导体激光器阵列的光高效地入射到光纤，因此能够得到高光输出。本发明的半导体激光器装置中设置有来自多个半导体激光器阵列的光经由准直构件而入射的聚光透镜、以及来自聚光透镜的光所入射的光纤，其特征在于，在聚光透镜的光入射面上由来自多个半导体激光器阵列的各光形成光入射列，多个半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的、来自半导体激光器阵列的光到达聚光透镜为止的光路的长度即聚光透镜入射光路长度相对不同，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光入射到光入射列中除了最外侧以外的位置。

Description

半导体激光器装置
技术领域
本发明涉及一种半导体激光器装置，更详细地说，例如涉及来自多个半导体激光器阵列的激光入射到光纤的结构的半导体激光器装置。
背景技术
以往，作为半导体激光器装置的一种，周知有以下结构，将具有直线状排列的多个发光部的半导体激光器阵列作为激光光源，来自该半导体激光器阵列的激光被光纤导光而向外部射出(例如，参照专利文献1)。
在这种半导体激光器装置中，根据高输出化的要求，为了增大每一根光纤的光输出，提出了如下方案，即对1根光纤使用多个半导体激光器阵列，使来自这些多个半导体激光器阵列的激光尽可能密，并经由聚光透镜入射到光纤(例如，参照专利文献1)。
具体地说，例如如图8所示，周知有多个半导体激光器阵列11a～11f在半导体激光器阵列11a～11f的快轴方向上直线状排列地层叠配置而成的半导体激光器装置。
在该半导体激光器装置中，在多个半导体激光器阵列11a～11f的光射出方向前方(图8中的右方)，设置有聚光透镜19。此外，多个半导体激光器阵列11a～11f各自与聚光透镜19之间的接近该半导体激光器阵列11a～11f的位置，配置有由慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b构成的准直构件。
在图8中，80是散热器，15是用于保持光纤14的光纤保持构件。
在这种半导体激光器装置中，半导体激光器阵列间的间隔狭小，因此无法得到足够的排热性，多个半导体激光器阵列11a～11f都成为高温。并且，半导体激光器阵列11a～11f一般情况下随着温度升高，输出下降，且可靠性降低。因此，半导体激光器装置存在无法得到足够的输出及可靠性的问题。
并且，作为半导体激光器装置，如图9所示，提出了多个半导体激光器阵列11a～11f在散热器50的表面上在快轴方向上以阶梯状排列地层叠配置而成的结构(例如，参照专利文献2)。
在这种半导体激光器装置中，能够设置成将彼此相邻的半导体激光器阵列大幅分离的状态，因此能够抑制多个半导体激光器阵列11a～11f都成为高温。
但是，在这种半导体激光器装置中，无法有效利用来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光的问题很明显。该问题是作为激光光源没有使用发光部为1个的单管半导体元件，而是使用了半导体激光器阵列而引起的。
具体说明的话，半导体激光器阵列11a～11f中，多个发光部直线状排列，发光部间的间隔一般狭小到数十μm～一百数十μm左右，因此难以通过准直在慢轴方向上得到足够的平行状态。因此，通过准直构件得到的准直光一般在慢轴方向上具有数mrad～数十mrad的扩展。另外，在单管半导体元件中，将准直光看做大致平行光。因此，随着半导体激光器阵列11a～11f与聚光透镜19之间的距离变长，聚光透镜19的配置位置处激光的慢轴方向的光线宽度(以下，还称为“慢轴方向光线宽度”)增大。在此，入射到聚光透镜19入射的激光(准直光)的慢轴方向光线宽度w1如下述的数式(1)所示，是在从准直构件射出的准直光的慢轴方向光线宽度w0上加上准直光的发散角θ与准直光到达聚光透镜19为止的传播距离L之积而求得的值。并且，慢轴方向光线宽度大的激光的一部分不入射到聚光透镜19或光纤14，产生所谓的渐晕现象而损失，不会从光纤14向外部射出。因此，在半导体激光器装置中，光纤耦合效率减小。在此，“光纤耦合效率”是指，表示来自构成激光光源的多个半导体激光器阵列的激光中入射到光纤的激光的比例(强度)的值。
数式(1)：
w1＝w0+θ·L
并且，来自与聚光透镜19之间的分离距离最长的半导体激光器阵列11a的激光(以下，还称为“最长激光”)与来自其他半导体激光器阵列11b～11f的激光相比，聚光透镜19的配置位置处的慢轴方向光线宽度大。此外，最长激光经过聚光透镜19的光入射面19a上的周缘侧。即，如图10所示，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光在光入射面19a上并列地排列而入射，因此在来自该多个半导体激光器阵列11a～11f的激光的光入射列31中，最长激光入射到最外侧。在此，光入射列31是来自多个半导体激光器阵列11a～11f的各激光并列地排列而投影到光入射面19a上而形成的。在该光入射列31中，来自半导体激光器阵列11a～11f的激光所形成的大致矩形状的光入射区域31a～31f并列地排列。其结果，慢轴方向光线宽度最大的最长激光入射到光纤14的由圆形状的一端面14a构成的光入射面的最靠周缘侧，因此其一部分容易不入射到光纤14而是损失。
在图9中，La～Lf分别表示来自半导体激光器阵列11a～11f的激光的光路。
此外，在图10中，箭头F表示半导体激光器阵列11a～11f的快轴方向，此外箭头S表示半导体激光器阵列11a～11f的慢轴方向。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利第5617492号说明书
专利文献2：日本特开2007-142439号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于以上情况而做出的，其目的在于提供一种半导体激光器装置，即使在来自多个半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同的情况下，也能够使来自这些多个半导体激光器阵列的光高效地入射到光纤，因此能够得到高光输出。
用于解决课题的方案
本发明的一种半导体激光器装置，具备多个半导体激光器阵列，该半导体激光器阵列具有直线状排列的多个发光部，在该半导体激光器装置中设置有：聚光透镜，来自该多个半导体激光器阵列的光经由准直构件入射到该聚光透镜；和光纤，来自该聚光透镜的光从该光纤的由大致圆形状的端面构成的光入射面入射到该光纤，上述半导体激光器装置的特征在于，在上述聚光透镜上，来自上述多个半导体激光器阵列的各光并列地排列而投影到该聚光透镜的光入射面，从而形成光入射列，上述多个半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的、来自该半导体激光器阵列的光到达上述聚光透镜为止的光路的长度即聚光透镜入射光路长度相对不同，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光入射到上述聚光透镜的光入射面上的光入射列中的除了最外侧以外的位置。
在本发明的半导体激光器装置中，优选的是，上述聚光透镜入射光路长度彼此不同的半导体激光器阵列中，来自聚光透镜入射光路长度长的半导体激光器阵列的光与来自聚光透镜入射光路长度短的半导体激光器阵列的光相比，更向上述聚光透镜的光入射面上的光入射列的中央侧入射。
在本发明的半导体激光器装置中，优选的是，具备3个以上的上述半导体激光器阵列，来自上述3个以上的半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光与来自其他半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的光相比，更向上述聚光透镜的光入射面上的光入射列的中央侧入射。
在本发明的半导体激光器装置中，优选的是，上述多个半导体激光器阵列被设置在以阶梯状具有多个元件设置面的阶梯状设置面上的该多个元件设置面各自上，从而成为上述聚光透镜入射光路长度彼此不同的状态。
在上述本发明的半导体激光器装置中，优选的是，上述阶梯状设置面由散热器的表面形成。
此外，在上述本发明的半导体激光器装置中，优选的是，上述半导体激光器阵列被设置在对置配置的两个阶梯状设置面中的多个元件设置面各自上，在这两个阶梯状设置面之间配置有折转镜，由该折转镜折转的来自多个半导体激光器阵列的光入射到上述聚光透镜。
发明效果
在本发明的半导体激光器装置中，即使在来自多个半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同的情况下，聚光透镜入射光路长度最长的光在聚光透镜的光入射面上的入射位置得到控制。因此，能够使聚光透镜入射光路长度最长的光即慢轴方向的光线宽度最大的光入射到聚光透镜的光入射面的中央侧，进一步能够使其入射到光纤的大致圆形状的光入射面的中心侧。由此，能够抑制在聚光透镜及光纤各自上发生渐晕现象，因此光纤耦合效率增大。
因此，根据本发明的半导体激光器装置，能够使来自多个半导体激光器阵列的光高效地入射到光纤，因此能够得到高光输出。
附图说明
图1是表示本发明的半导体激光器装置的结构的一例的概要的说明图。
图2是从与多个发光部排列的方向垂直的方向表示本发明的半导体激光器装置中准直构件配置在接近半导体激光器阵列的接近位置处的情况下，激光从半导体激光器阵列的发光部朝向准直构件射出的状态的说明用投影图。
图3是从与多个发光部排列的方向垂直的方向表示本发明的半导体激光器装置中准直构件配置在大幅远离半导体激光器阵列的远方位置处的情况下，激光从半导体激光器阵列的发光部朝向准直构件射出的状态的说明用投影图。
图4是表示图1的半导体激光器装置中的聚光透镜的光入射面上所形成的光入射列的说明图。
图5是表示本发明的半导体激光器装置的结构的其他例子的概要的说明图。
图6是从该图5中的上方表示图5的半导体激光器装置的说明用投影图。
图7是表示本发明的半导体激光器装置的结构的其他例子的概要的说明图。
图8是表示现有的半导体激光器装置的结构的一例的概要的说明图。
图9是表示现有的半导体激光器装置的结构的其他例子的概要的说明图。
图10是表示图9的半导体激光器装置中的聚光透镜的光入射面上所形成的光入射列的说明图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。
(第1实施方式)
图1是表示本发明的半导体激光器装置的结构的一例的概要的说明图。
该半导体激光器装置10作为激光光源而具备具有直线状排列的多个发光部的多个半导体激光器阵列11a～11f，具有来自这些多个半导体激光器阵列11a～11f的激光经由光纤14向外部射出的结构。
多个半导体激光器阵列11a～11f在例如由铜及铝等金属构成的散热器20的上表面(图1中的上表面)上配设成，半导体激光器阵列11a～11c和半导体激光器阵列11d～11f分别对置。在该多个半导体激光器阵列11a～11f各自与散热器20之间，夹设有例如由铜钨(CuW)、氮化铝(AlN)等构成的子基板(Submount)构件(省略图示)。
此外，在半导体激光器装置10中设置有使来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光弯曲成向同一方向行进的例如由三棱镜构成的折转镜18、以及对由该折转镜18弯曲的激光进行聚光的聚光透镜19。
此外，光纤14的圆形状的一端面14a为光入射面，圆形状的另一端面14b为光射出面，且光纤14被配置成由聚光透镜19聚光的激光向光入射面(一端面14a)入射。
在该图的例子中，聚光透镜19具有大致圆板形状的外观形状。
此外，在图1中，La～Lf分别表示来自半导体激光器阵列11a～11f的激光的光路。
此外，在来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光到达折转镜18为止的光路上，与各半导体激光器阵列11a～11f对应地设置有用于对来自该半导体激光器阵列11a～11f的激光进行准直的准直构件。该准直构件由慢轴用准直透镜阵列17a和快轴用准直透镜阵列17b构成。
慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b分别具有与半导体激光器阵列11a～11f中的多个发光部分别对应的透镜单元。即，慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b分别具有直线状排列的多个透镜单元。
此外，准直构件配置在接近半导体激光器阵列11a～11f的位置。
通过将准直构件配置在接近半导体激光器阵列11a～11f的位置，能够使来自半导体激光器阵列11a～11f的激光高效地入射到准直构件。但是，另一方面，通过准直构件准直后的激光(准直光)在慢轴方向上具有数十mrad的扩展。
在此，用图2及图3具体说明通过将准直构件配置在接近半导体激光器阵列11a～11f的位置而能够使来自半导体激光器阵列11a～11f的激光高效地入射到准直构件的原因、以及基于准直构件的准直光具有扩展的原因。
图2及图3是从与多个发光部13的排列方向垂直的方向表示从半导体激光器阵列11的发光部13朝向准直构件射出激光的状态的说明用投影图。具体地说，图2是准直构件配置在接近半导体激光器阵列11的接近位置上的情况的说明用示意图，图3是表示准直构件配置在大幅远离半导体激光器阵列11的远方位置上的情况的说明用示意图。
作为激光光源而使用单管半导体元件的情况下，由于该单管半导体元件的发光部为1个，因此基于准直构件(准直透镜)的准直光成为大致平行光。
但是，在半导体激光器阵列11中，多个发光部13的间隔一般为数十μm～百数十μm左右(具体地说，多个发光部13的间隔为0.5mm左右或其以下)。因此，在准直构件中，具体地说在准直透镜阵列16中，构成该准直透镜阵列16的各透镜单元16a的大小(半导体激光器阵列11中的多个发光部13的排列方向上的长度)受到制约。因此，难以通过准直透镜阵列16的准直来在慢轴方向上得到充分的平行状态，因此准直光一般在慢轴方向上具有数mrad～数十mrad的扩展。并且，由于各透镜单元16a的大小受到限制，且所得到的准直光有扩展，因此从准直透镜阵列16的激光的入射效率的观点考虑，半导体激光器阵列11与准直透镜阵列16的分离距离受到制约。
具体说明的话，如图2所示，在将准直透镜阵列16配置在半导体激光器阵列11的接近位置处的情况下，透镜单元16a的焦距成为近似于发光部13的宽度(多个发光部13的排列方向上的长度)的值，因此发光部13不能看作是点光源。因此，在发光部13中，来自端部13b的激光L2与来自中心部13a的激光L1所成的角(发散角)θ1为数十mrad的大小。
另一方面，如图3所示，在将准直透镜阵列16配置在半导体激光器阵列11的远方位置处的情况下，与配置在接近位置处的情况相比，透镜单元16a的焦距变长。因此，来自端部13b的激光L2与来自中心部13a的激光L1所成的角(发散角)θ2小于配置在接近位置处的情况的发散角θ1。但是，来自发光部13的激光的一部分L11超出与该发光部13对应的透镜单元16a的光入射面，不入射而损失。
这样，若将准直透镜阵列16配置在半导体激光器阵列11的接近位置处，则能够使来自半导体激光器阵列11的激光高效地入射到准直透镜阵列16，但另一方面，基于准直透镜阵列16的准直光在慢轴方向上具有数十mrad的扩展。
在图2及图3中，用实线表示来自发光部13的中心部13a的激光，用虚线表示来自端部13b的激光。
多个半导体激光器阵列11a～11f分别具有矩形平板状的外观形状，具有直线状排列的多个发光部的一面12为光射出面。在该光射出面(一面12)上，多个发光部在长边方向(图1中的与纸面垂直的方向)上以特定的间隔(例如0.5mm左右或其以下等间隔)排列。
此外，这些多个半导体激光器阵列11a～11f优选的是，多个发光部所排列的方向上的长度相同。
在该图的例子中，多个半导体激光器阵列11a～11f具有相同的规格。
半导体激光器阵列11a～11f既可以是阵列型半导体激光器元件，也可以是多个单管半导体元件配置成以0.5mm左右或其以下的间隔直线状排列而成的结构。
散热器20具有长方体状的外观形状，在上表面形成有槽21。该槽21在散热器20的上表面上的短边方向(与图1的纸面垂直的方向)上直线状延伸，截面形状为大致梯形状。在该槽21中，彼此对置的侧面23、24在随着朝向底面26而彼此接近的方向上倾斜为阶梯状。并且，由散热器20的上表面上的槽21的一侧的周缘面21a及与该周缘面21a连续的槽21的侧面23构成用于配置半导体激光器阵列11a～11c的阶梯状设置面(以下，还称为“第1阶梯状设置面”)27。此外，由散热器20的上表面上的槽21的另一侧的周缘面21b及与该周缘面21b连续的槽21的侧面24构成用于配置半导体激光器阵列11d～11f的阶梯状设置面(以下，还称为“第2阶梯状设置面”)28。
在该图的例子中，侧面23是具有两个台阶面(Step surface)23a、23b的2级阶梯形状，上述两个台阶面23a、23b为矩形状且与周缘面21a及底面26平行。此外，侧面24具有与侧面23同样的结构。即，侧面24是具有两个台阶面24a、24b的2级阶梯形状，上述两个台阶面24a、24b为矩形状且与周缘面21b及底面26平行。此外，对置配置的第1阶梯状设置面27及第2阶梯状设置面28相对于聚光透镜19的光轴而镜面对称。
在阶梯状设置面27、28各自上，一级的高度从激光利用性的观点考虑，根据来自半导体激光器阵列11a～11f的激光或通过准直构件准直后激光(准直光)的快轴方向上的光线宽度而适当确定。在此，阶梯状设置面27、28各自的一级的高度在第1阶梯状设置面27中是指，周缘面21a与台阶面23a的位置水平之差、及台阶面23a与台阶面23b的位置水平之差。此外，在第2阶梯状设置面28中是指，周缘面21b与台阶面24a的位置水平之差、及台阶面24a与台阶面24b的位置水平之差。
此外，从排热性的观点考虑，周缘面21a、21b及台阶面23a、23b、24a、24b优选为能够与半导体激光器阵列11a～11f的下表面(图1中的下表面)的整个区域接触的大小。
在散热器20中，周缘面21a、21b及台阶面23a、23b、24a、24b分别为元件设置面。在这些多个元件设置面上，分别配置有1个半导体激光器阵列。具体地说，在第1阶梯状设置面27中的元件设置面上，半导体激光器阵列11a～11c以在快轴方向上排列成阶梯状的方式层叠配置。此外，在第2阶梯状设置面28中的元件设置面上，半导体激光器阵列11d～11f以在快轴方向上排列成阶梯状的方式层叠配置。
并且，半导体激光器阵列11a～11c和半导体激光器阵列11d～11f分别配置成光射出面(一面12)对置。
此外，在底面26上配置有折转镜18。该折转镜18被设置成，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光(准直光)入射到该折转镜18，并且由该折转镜18反射而以直角弯曲的激光入射到聚光透镜19。
在该图的例子中，多个半导体激光器阵列11a～11f分别被配置成，光射出面(一面12)位于周缘面21a、21b的外缘22a、22b上或台阶面23a、23b、24a、24b的外缘25a～25d上。此外，与各半导体激光器阵列11a～11f对应的准直构件被配置在与配置有所对应的半导体激光器阵列11a～11f的周缘面或台阶面相比低1级的台阶面或底面26的上方。
此外，折转镜18配置在槽21的中央部分，在该折转镜18的光射出方向(图1中的上方)的附近，配置有聚光镜19，并且在该聚光镜19的焦点位置配置有光纤14的光入射面(一端面14a)。
通过如上所述将多个半导体激光器阵列11a～11f配置在阶梯状设置面27、28的各元件设置面上，来自该多个半导体激光器阵列11a～11c的激光到达聚光透镜19为止的光路的长度(聚光透镜入射光路长度)得到控制。
即，通过将半导体激光器阵列11a～11c配置在第1阶梯状设置面27的各元件设置面上，成为来自这些半导体激光器阵列11a～11c的激光的聚光透镜入射光路长度相对不同的状态。此外，通过将半导体激光器阵列11d～11f配置在第2阶梯状设置面28的各元件设置面上，成为来自这些半导体激光器阵列11d～11f的激光的聚光透镜入射光路长度相对不同的状态。
具体地说，来自半导体激光器阵列11a的激光、来自半导体激光器阵列11b的激光及来自半导体激光器阵列11c的激光的聚光透镜入射光路长度依次变长。此外，来自半导体激光器阵列11d的激光、来自半导体激光器阵列11e的激光及来自半导体激光器阵列11f的激光的聚光透镜入射光路长度依次变长。
在该图的例子中，来自对置配置的半导体激光器阵列的激光的聚光透镜入射光路长度相同。即，半导体激光器阵列11a所涉及的聚光透镜入射光路长度与半导体激光器阵列11d所涉及的聚光透镜入射光路长度相同，半导体激光器阵列11b所涉及的聚光透镜入射光路长度与半导体激光器阵列11e所涉及的聚光透镜入射光路长度相同。此外，半导体激光器阵列11c所涉及的聚光透镜入射光路长度与半导体激光器阵列11f所涉及的聚光透镜入射光路长度相同。
此外，通过在第1阶梯状设置面27与第2阶梯状设置面28之间配置折转镜18，并列地排列而入射到聚光透镜19的光入射面19a的来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光的入射位置得到控制。即，如图4所示，成为以下状态，光入射面19a上所形成的光入射列31中、来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11a、11d的激光入射到除了最外侧以外的位置的状态。
在此，光入射列31是来自多个半导体激光器阵列11a～11f的各激光并列地排列而投影到光入射面19a上而形成的。在该光入射列31中，来自半导体激光器阵列11a～11f的激光引起的大致矩形状的光入射区域31a～31f并列地排列。多个光入射区域31a～31f在这些光入射区域31a～31f排列的方向(图4中的上下方向，以下还称为“光入射列并列方向”)上的尺寸相同，与光入射列并列方向垂直的方向(图4中的左右方向)的尺寸(以下，还称为“入射区域宽度”)不同。该光入射区域宽度取决于激光的慢轴方向的光线宽度(慢轴方向光线宽度)，因此随着聚光透镜入射光路长度变长而变大。
具体地说，来自第1阶梯状设置面27上所配置的半导体激光器阵列11a～11c的激光在光入射列31中按照来自半导体激光器阵列11a的激光、来自半导体激光器阵列11b的激光及来自半导体激光器阵列11c的激光的顺序入射到中心侧。即，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11a的激光入射到最接近光入射面19a的中心部的位置(中心附近位置)，而来自聚光透镜入射光路长度最短的半导体激光器阵列11c的激光入射到最远离光入射面19a的中心部的位置(周缘侧位置)。此外，来自第2阶梯状设置面28上所配置的半导体激光器阵列11d～11f的激光在光入射列31中按照来自半导体激光器阵列11d的激光、来自半导体激光器阵列11e的激光及来自半导体激光器阵列11f的激光的顺序入射到中心侧。即，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11d的激光入射到最接近光入射面19a的中心部的位置(中心附近位置)，而来自聚光透镜入射光路长度最短的半导体激光器阵列11f的激光入射到最远离光入射面19a的中心部的位置(周缘侧位置)。
在该图的例子中，来自对置配置的半导体激光器阵列的激光在光入射面19a上的入射位置相对于该光入射面19a的中心部而对称。并且，光入射列31是其中心部位于光入射面19a的中心部上、并且相对于该光入射列31的中心部即光入射面19a的中心部而言在光入射列并列方向及与该光入射列并列方向垂直的方向上对称的形状。
光纤14具有圆筒状的芯部分、以及设置在该芯部分的周面上的包覆部分，在光入射面(一端面14a)上，通过芯部分形成圆形状的有效捕获区域。
作为光纤14，例如使用石英光纤等。
在图示的例子中，在光纤14的一端面侧的端部，安装有具有与光纤14的外径适合的内径的圆筒状的光纤保持构件15。
在以上半导体激光器装置10中，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光通过准直构件(慢轴用准直透镜17a及快轴用准直透镜17b)而被准直。之后，通过该准直构件而准直的激光由折转镜18朝向聚光透镜19反射。并且，通过折转镜18反射的激光通过聚光透镜19而被聚光，入射到光纤14的光入射面(一端面14a)。这样，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光入射到光纤14的光入射面上的有效捕获区域，被该光纤14导光而从光射出面(另一端面14b)向外部射出，例如被用作投影装置的光源光。
并且，在半导体激光器装置10中，多个半导体激光器阵列11a～11f在散热器20的表面(阶梯状设置面27、28)上在快轴方向上层叠配置成阶梯状。因此，成为彼此相邻的半导体激光器阵列大幅分离的状态，因此能够得到高排热性。其结果，多个半导体激光器阵列11a～11f分别能够得到高可靠性及高输出。
此外，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光在聚光透镜19的圆形状的光入射面19a上，越是聚光透镜入射光路长度长的激光，越是入射到接近光入射面19a的中心部的位置来形成光入射列31。即，以慢轴方向光线宽度较大的激光接近光入射面19a的中心部、慢轴方向光线宽度较小的激光接近光入射面19a的周缘部的方式并列地排列而投影来形成光入射列31。并且，光入射列31的整体形状近似于直径比光入射面19a小的圆形状。因此，能够使来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光经由准直构件高效地入射到圆形状的光入射面19a。此外，能够使从聚光透镜19射出的激光高效地入射到光纤14的圆形状的有效捕获区域。其结果，能够抑制在聚光透镜19及光纤14各自上发生渐晕现象，因此光纤耦合效率增大。
因此，根据半导体激光器装置10，能够得到高光输出。
此外，在半导体激光器装置10中，光入射列31相对于光入射面19a的中心部，在光入射并列方向及与该光入射列并列方向垂直的方向上呈对称的形状，因此光入射列31整体成为更近似于圆形状的形状。因此，从聚光透镜19射出并入射到光纤14的有效捕获区域的激光具有均匀性。其结果，从光纤14的光射出面射出的激光具有高均匀性。
此外，在半导体激光器装置10中，多个半导体激光器阵列11a～11f使用共同的散热器20，因此能够将用于冷却这些多个半导体激光器阵列11a～11f的冷却机构设置成简易的结构。因此，能够将半导体激光器装置10设置成简易的结构。
(第2实施方式)
图5是表示本发明的半导体激光器装置的结构的其他例子的概要的说明图，图6是从该图5的上方表示图5的半导体激光器装置的说明用投影图。
该半导体激光器装置40具有将来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光经由光纤14向外部射出的结构。
在半导体激光器装置40中，多个半导体激光器阵列11a～11f在散热器50的表面上被配置成，光射出面(一面12)朝向同一方向(图5及图6中的右方)。在这些多个半导体激光器阵列11a～11f各自与散热器50之间，夹设有子基板构件(省略图示)。
此外，在半导体激光器装置40中，与多个半导体激光器阵列11a～11f分别对应地设置有准直构件(具体地说，慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b)。此外，用于将通过这些多个准直构件准直后的激光聚光的聚光透镜19被设置成与半导体激光器阵列11d～11f的光射出面(一面12)对置。此外，在多个准直构件的光射出前方(图5及图6中的右方)，设置有用于使来自多个半导体激光器阵列11a～11c的激光(准直光)弯曲的光弯曲机构。该光弯曲机构由第1折转镜42和第2折转镜43构成，这些第1折转镜42及第2折转镜43例如由三棱镜构成。
此外，在该半导体激光器装置40中，半导体激光器阵列11a～11f、准直构件(慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b)、光纤14及聚光透镜19具有与图1的半导体激光器装置10中的各构件同样的结构。
此外，散热器50具有1个阶梯状设置面56，该阶梯状设置面56上的各元件设置面设置成能够配置2个半导体激光器阵列的大小，除此以外具有与图1的半导体激光器装置10的散热器20同样的结构。
在图5及图6中，La～Lf分别表示来自半导体激光器阵列11a～11f的激光的光路。此外，在图6中，只表示来自半导体激光器阵列11c的激光的光路。
该散热器50的外观形状为大致四棱台状，4个侧面中的1个侧面52随着从上表面51a朝向下表面51b而远离对置的侧面57的方向上倾斜成阶梯状，其他4个侧面与上表面51a及下表面51b垂直。并且，由上表面51a及侧面52构成用于配置半导体激光器阵列11a～11f的阶梯状设置面56。
在该图的例子中，侧面52是具有3个台阶面52a～52c的3级阶梯形状，上述3个台阶面52a～52c分别为矩形状且与上表面51a及下表面51b平行。
在阶梯状设置面56上，上表面51a及台阶面52a、52b是能够配置2个半导体激光器阵列的大小。此外，从排热性的观点考虑，上表面51a及台阶面52a、52b优选为能够与2个半导体激光器阵列的下表面(图6中的下表面)的整个区域接触、且能够将这2个半导体激光器阵列设置成充分分离的状态的大小。在此，2个半导体激光器阵列之间的分离距离为例如2mm。
在散热器50中，上表面51a及台阶面52a、52b分别为元件设置面。在这些多个元件设置面上，分别配置有2个半导体激光器阵列。并且，半导体激光器阵列11a～11c在散热器50的一侧(图6中的下侧)以在快轴方向上排列成阶梯状的方式层叠配置。此外，半导体激光器阵列11d～11f在散热器50的另一侧(图6中的上侧)以在快轴方向上排列成阶梯状的方式层叠配置。
此外，在各元件设置面上，半导体激光器阵列11a～11f被设置成，光射出面(一面12)沿着上表面51a中与侧面52之间的边界所涉及的外缘53、或台阶面中与下一级的台阶面之间的边界所涉及的外缘54a、54b延伸。
在该图的例子中，半导体激光器阵列11a～11f分别被配置成，光射出面(一面12)位于上表面51a的外缘53或台阶面52a、52b的外缘54a、54b上。此外，与各半导体激光器阵列11a～11f对应的准直构件被配置在与配置有所对应的半导体激光器阵列11a～11f的上表面51a或台阶面相比低1级的台阶面的上方。
光弯曲机构被设置在来自半导体激光器阵列11a～11c的激光经由准直构件入射到该光弯曲机构、从该光弯曲机构射出的激光入射到聚光透镜19、且来自半导体激光器阵列11d～11f的激光不会入射到该光弯曲机构的位置。
在该光弯曲机构中，第1折转镜42和第2折转镜43被配置成，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光依次经过第1折转镜42及第2折转镜43入射到聚光透镜19。即，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光首先入射到第1折转镜42而弯曲并射出之后，入射到第2折转镜43，通过该第2折转镜43弯曲并射出后入射到聚光透镜19。
这样，将半导体激光器阵列11a～11c及半导体激光器阵列11d～11f分别层叠配置成阶梯状，并且使来自半导体激光器阵列11a～11c的激光的光路通过光弯曲机构弯曲，从而来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光的聚光透镜入射光路长度、及入射面19a上的入射位置得到控制。
具体地说，通过将半导体激光器阵列11a～11c配置在阶梯状设置面56上的各元件设置面上，并且通过光弯曲机构来弯曲该半导体激光器阵列11a～11c的激光的各光路，来自半导体激光器阵列11a的激光、来自半导体激光器阵列11b的激光及来自半导体激光器阵列11c的激光的聚光透镜入射光路长度依次变长。此外，通过将半导体激光器阵列11d～11f配置在阶梯状设置面56上的各元件设置面上，来自半导体激光器阵列11d的激光、来自半导体激光器阵列11e的激光及来自半导体激光器阵列11f的激光的聚光透镜入射光路长度依次变长。并且，来自半导体激光器阵列11a～11f的激光成为聚光透镜入射光路长度相对不同的状态，来自半导体激光器阵列11a的激光具有最长的聚光透镜入射光路长度。
并且，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光在光入射面19a上所形成的光入射列中按照来自半导体激光器阵列11a的激光、来自半导体激光器阵列11b的激光及来自半导体激光器阵列11c的激光的顺序入射到中心侧。即，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11a的激光入射到最接近光入射面19a的中心部的位置(中心附近位置)，而来自聚光透镜入射光路长度最短的半导体激光器阵列11c的激光入射到最远离光入射面19a的中心部的位置(周缘侧位置)。此外，来自半导体激光器阵列11d～11f的激光在光入射面19a上所形成的光入射列中按照来自半导体激光器阵列11d的激光、来自半导体激光器阵列11e的激光及来自半导体激光器阵列11f的激光的顺序入射到中心侧。即，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11d的激光入射到最接近光入射面19a的中心部的位置(中心附近位置)，而来自聚光透镜入射光路长度最短的半导体激光器阵列11f的激光入射到最远离光入射面19a的中心部的位置(周缘侧位置)。因此，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11a的激光与来自半导体激光器阵列11b、11c、11e、11f的激光相比，入射到聚光透镜19上的光入射列的中心侧。
在该图的例子中，来自同一元件设置面上所配置的激光器阵列的激光在光入射面19a上的入射位置相对于该光入射面19a的中心部而对称。并且，形成在光入射面19a上的光入射列是其中心部位于光入射面19a的中心部上、且相对于该光入射列的中心部即光入射面19a的中心部而言在与光入射列并列方向垂直的方向上对称的形状。
在以上半导体激光器装置40中，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光通过准直构件(慢轴用准直透镜17a及快轴用准直透镜17b)而被准直。之后，通过该准直构件而准直的来自半导体激光器阵列11d～11f的激光朝向聚光透镜19。另一方面，通过准直构件准直的来自半导体激光器阵列11a～11c的激光通过光弯曲机构弯曲成朝向聚光透镜19。并且，来自半导体激光器阵列11a～11f的激光(准直光)通过聚光透镜19被聚光，入射到光纤14的光入射面(一端面14a)。这样，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光入射到光纤14的光入射面上的有效捕获区域，被该光纤14导光而从光射出面(另一端面14b)向外部射出，例如被用作投影装置的光源光。
并且，在该半导体激光器装置40中，半导体激光器阵列11a～11c及半导体激光器阵列11d～11f在散热器50的表面(阶梯状设置面56)上分别在快轴方向上层叠配置成阶梯状。因此，成为彼此相邻的半导体激光器阵列大幅分离的状态，因此能够得到高排热性。其结果，多个半导体激光器阵列11a～11f分别能够得到高可靠性及高输出。
此外，在聚光透镜19的圆形状的光入射面19a上，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光中，越是聚光透镜入射光路长度长的激光，越是入射到接近光入射面19a的中心部的位置。另一方面，来自半导体激光器阵列11d～11f的激光中，越是聚光透镜入射光路长度长的激光，越是入射到接近光入射面19a的中心部的位置。这样，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光、及半导体激光器阵列11d～11f中，分别以慢轴方向光线宽度较大的激光接近光入射面19a的中心部、慢轴方向光线宽度较小的激光接近光入射面19a的周缘部的方式并列地排列而投影来形成光入射列。并且，光入射列的整体形状近似于直径比光入射面19a小的圆形状。因此，能够使来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光经由准直构件高效地入射到圆形状的光入射面19a。此外，能够使从聚光透镜19射出的激光高效地入射到光纤14的圆形状的有效捕获区域。其结果，能够抑制在聚光透镜19及光纤14各自上发生渐晕现象，因此光纤耦合效率增大。
因此，根据半导体激光器装置40，能够得到高光输出。
此外，在半导体激光器装置40中，光入射面19a上所形成的光入射列相对于该光入射列的中心部，呈在光入射并列方向上大致对称且在与光入射列并列方向垂直的方向上对称的形状，因此光入射列整体成为更近似于圆形状的形状。因此，从聚光透镜19射出并入射到光纤14的有效捕获区域的激光具有均匀性。其结果，从光纤14的光射出面射出的激光具有高均匀性。
此外，在半导体激光器装置40中，多个半导体激光器阵列11a～11f使用共同的散热器50，因此能够将用于冷却这些多个半导体激光器阵列11a～11f的冷却机构设置成简易的结构。因此，能够将半导体激光器装置40设置成简易的结构。
(第3实施方式)
图7是表示本发明的半导体激光器装置的结构的其他例子的概要的说明图。
该半导体激光器装置60具有来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光经由光纤14向外部射出的结构。
在半导体激光器装置60中，多个半导体激光器阵列11a～11f被配置成，光射出面(一面12)朝向同一方向(图7中的右方)。此外，这些多个半导体激光器阵列11a～11f在两个散热器50、50的表面上配置成在与该散热器50、50之间夹设有子基板构件的状态，这两个散热器50、50被配置成，构成阶梯状设置面56、56的元件设置面对置。
此外，在半导体激光器装置60中，与多个半导体激光器阵列11a～11f分别对应地设置有准直构件(具体地说，慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b)。此外，用于将通过这些多个准直构件准直后的激光聚光的聚光透镜19被设置成与多个半导体激光器阵列11a～11f的光射出面(一面12)对置。
此外，在该半导体激光器装置60中，半导体激光器阵列11a～11f、准直构件(慢轴用准直透镜阵列17a及快轴用准直透镜阵列17b)、光纤14及聚光透镜19具有与图1的半导体激光器装置10中的各构成构件同样的结构。
两个散热器50、50分别设置成阶梯状设置面56上的各元件设置面能够配置1个半导体激光器阵列的大小，除此以外具有与图5及图6的半导体激光器装置40的散热器50同样的结构。
在该半导体激光器装置60中，两个散热器50、50具有相同的结构，并且以阶梯状设置面56、56彼此对置、且构成该阶梯状设置面56、56的各元件设置面对置的方式，相对于聚光透镜19的光轴而言镜面对称地配置。
在两个散热器50、50中，分别在构成阶梯状设置面56的各元件设置面上，配置有1个半导体激光器阵列。并且，半导体激光器阵列11a～11c在一个(图7中下方)散热器50上以在快轴方向上排列成阶梯状的方式层叠配置。此外，半导体激光器阵列11d～11f在另一个(图7中上方)散热器50上以在快轴方向上排列成阶梯状的方式层叠配置。这样，半导体激光器阵列11a～11f以相对于聚光透镜19的光轴而言呈镜面对称的方式在快轴方向上层叠配置成V字状。
此外，在各元件设置面上，半导体激光器阵列11a～11f被设置成，光射出面(一面12)沿着上表面51a中与侧面52之间的边界所涉及的外缘53、或台阶面中与下一级的台阶面之间的边界所涉及的外缘54a、54b延伸。
在该图的例子中，多个半导体激光器阵列11a～11f分别被配置成，光射出面(一面12)位于上表面51a的外缘53上或台阶面52a、52b的外缘54a、54b上。此外，与各半导体激光器阵列11a～11f对应的准直构件被配置在与配置有所对应的半导体激光器阵列11a～11f的上表面51a或台阶面相比低1级的台阶面的上方。
在两个散热器50、50上，上表面51a及台阶面52a、52b与图1的半导体激光器装置10中的元件设置面同样，从排热性的观点考虑，分别优选为能够与半导体激光器阵列11a～11f的下表面(图7中的下表面)的整个区域接触的大小。
这样，将多个半导体激光器阵列11a～11f以相对于聚光透镜19的光轴而言呈镜面对称的方式在快轴方向上层叠配置成V字状，从而来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光的聚光透镜入射光路长度、及光入射面19a上的光入射位置得到控制。
具体地说，半导体激光器阵列11a～11c被配置在一个散热器50的阶梯状设置面56上的各元件设置面上，从而来自半导体激光器阵列11a的激光、来自半导体激光器阵列11b的激光及来自半导体激光器阵列11c的激光的聚光透镜入射光路长度依次变长。此外，半导体激光器阵列11d～11f被配置在另一个散热器50的阶梯状设置面56上的各元件设置面上，从而来自半导体激光器阵列11d的激光、来自半导体激光器阵列11e的激光及来自半导体激光器阵列11f的激光的聚光透镜入射光路长度依次变长。并且，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光及来自半导体激光器阵列11d～11f的激光分别成为聚光透镜入射光路长度相对不同的状态。
并且，来自半导体激光器阵列11a～11c的激光在光入射面19a上按照来自半导体激光器阵列11a的激光、来自半导体激光器阵列11b的激光及来自半导体激光器阵列11c的激光的顺序入射到中心侧。即，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11a的激光入射到最接近光入射面19a的中心部的位置(中心附近位置)，而来自聚光透镜入射光路长度最短的半导体激光器阵列11c的激光入射到最远离光入射面19a的中心部的位置(周缘侧位置)。此外，来自半导体激光器阵列11d～11f的激光在光入射面19a上按照来自半导体激光器阵列11d的激光、来自半导体激光器阵列11e的激光及来自半导体激光器阵列11f的激光的顺序入射到中心侧。即，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列11d的激光入射到最接近光入射面19a的中心部的位置(中心附近位置)，而来自聚光透镜入射光路长度最短的半导体激光器阵列11f的激光入射到最远离光入射面19a的中心部的位置(周缘侧位置)。
在该图的例子中，来自对置配置的半导体激光器阵列的激光的聚光透镜入射光路长度相同。即，半导体激光器阵列11a的聚光透镜入射光路长度与半导体激光器阵列11d的聚光透镜入射光路长度相同，半导体激光器阵列11b的聚光透镜入射光路长度与半导体激光器阵列11e的聚光透镜入射光路长度相同。此外，半导体激光器阵列11c的聚光透镜入射光路长度与半导体激光器阵列11f的聚光透镜入射光路长度相同。
此外，来自对置配置的半导体激光器阵列的激光在光入射面19a上的入射位置相对于该光入射面19a的中心部而言对称。并且，光入射面19a上所形成的光入射列是其中心部位于光入射面19a的中心部上、且相对于该光入射列的中心部即光入射面19a的中心部而言在光入射列并列方向及与该光入射列并列方向垂直的方向上对称的形状。
在以上半导体激光器装置60中，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光通过准直构件(慢轴用准直透镜17a及快轴用准直透镜17b)而被准直。之后，通过该准直构件而准直的激光通过聚光透镜19被聚光，入射到光纤14的光入射面(一端面14a)。这样，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光入射到光纤14的光入射面的有效捕获区域，被该光纤14导光而从光射出面(另一端面14b)向外部射出，例如被用作投影装置的光源光。
并且，在该半导体激光器装置60中，多个半导体激光器阵列11a～11f在两个散热器50、50的表面(阶梯状设置面56、56)上在快轴方向上层叠配置成V字状，因此成为彼此相邻的半导体激光器阵列大幅分离的状态，因此能够得到高排热性。其结果，多个半导体激光器阵列11a～11f分别能够得到高可靠性及高输出。
此外，来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光在聚光透镜19的圆形状的光入射面19a上，越是聚光透镜入射光路长度长的激光，越是入射到接近光入射面19a的中心部的位置来形成光入射列。即，以慢轴方向光线宽度较大的激光接近光入射面19a的中心部、慢轴方向光线宽度较小的激光接近光入射面19a的周缘部的方式并列地排列而投影来形成光入射列。并且，光入射列的整体形状近似于直径比光入射面19a小的圆形状。因此，能够使来自多个半导体激光器阵列11a～11f的激光经由准直构件高效地入射到圆形状的光入射面19a。此外，能够使从聚光透镜19射出的激光高效地入射到光纤14的圆形状的有效捕获区域。其结果，能够抑制在聚光透镜19及光纤14各自上发生渐晕现象，因此光纤耦合效率增大。
因此，根据半导体激光器装置60，能够得到高光输出。
此外，在半导体激光器装置60中，光入射面19a上所形成的光入射列相对于该光入射列的中心部，呈在光入射区域排列的方向及与该光入射区域排列的方向垂直的方向上对称的形状，因此光入射列整体成为近似于圆形状的形状。因此，从聚光透镜19射出并入射到光纤14的有效捕获区域的激光具有均匀性。其结果，从光纤14的光射出面射出的激光具有高均匀性。
本发明的半导体激光器装置不限定于上述实施方式，只要多个半导体激光器阵列中来自至少1个半导体激光器阵列的激光的聚光透镜入射光路长度相对不同，且来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的激光入射到聚光透镜的光入射面上所形成的光入射列中除了最外侧以外的位置即可。
例如，在第1实施方式及第3实施方式中，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的激光入射到聚光透镜上的光入射列中除了最外侧以外的位置即可。因此，来自其他半导体激光器阵列的激光入射到该光入射列的任何位置都可以。
此外，在第2实施方式中，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的激光与来自其他半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的激光相比，入射到聚光透镜上的光入射列的中央侧的位置即可。因此，存在与来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的激光相比入射到聚光透镜上的光入射列的中央侧的位置的激光也可以。
此外，半导体激光器装置不限定于第1实施方式、第2实施方式及第3实施方式，也可以具有通过以往公知的各种光学构件的控制而得到聚光透镜的光入射面上所形成的光入射列、或来自多个半导体激光器阵列的激光的聚光透镜入射光路长度的结构。
以下，说明为了确认本发明的作用效果而进行的实验例。
〔实验例1〕
首先，根据图1制作散热器的表面上对置地形成的两个阶梯状设置面上的各元件设置面上配置具有同一规格的8个半导体激光器阵列而成的结构的半导体激光器装置(以下，还称为“半导体激光器装置(1)”)。
在半导体激光器装置(1)中，在两个阶梯状设置面上分别等间隔地配置4个半导体激光器阵列。上述4个半导体激光器阵列的配置间隔中，半导体激光器阵列的光轴方向的间隔为15mm，与该光轴垂直的方向的间隔为1mm。此外，最短的聚光透镜入射光路长度为150mm。
8个半导体激光器阵列的半导体激光器阵列长度(多个发光部排列的方向的长度)为4mm。聚光透镜的焦距为20mm。光纤的芯直径为0.8mm，数值孔径(NA)为0.22。
此外，在该半导体激光器装置(1)中，从准直构件射出的激光的波长为640nm，此外其光线尺寸为，快轴方向的长度(快轴方向的光线宽度)为0.8mm，慢轴方向的长度(慢轴方向的光线宽度)为4mm，快轴方向的发散角半值宽为2mrad，慢轴方向的发散角半值宽为50mrad。
对该半导体激光器装置(1)确认了光纤耦合效率的结果为98％。
接着，根据图9的结构制作具有同一规格的8个半导体激光器阵列配置在散热器的表面上所形成的阶梯状设置面的各元件设置面上而成的结构的半导体激光器装置(以下，还称为“比较用半导体激光器装置(1)”)。
比较用半导体激光器装置(1)中，散热器具有1个阶梯状设置面，在这1个阶梯状设置面的各元件设置面上层叠配置有8个半导体激光器阵列以外，具有与半导体激光器装置(1)相同的结构。
对该比较用半导体激光器装置(1)确认了光纤耦合效率的结果为92％。
符号说明
10  半导体激光器装置
11、11a～11f  半导体激光器阵列
12  一面
13  发光部
13a  中心部
13b  端部
14  光纤
14a  一端面
14b  另一端面
15  光纤保持构件
16  准直透镜阵列
16a  透镜单元
17a  慢轴用准直透镜阵列
17b  快轴用准直透镜阵列
18  折转镜
19  聚光透镜
19a  光入射面
20  散热器
21  槽
21a、21b  周缘面
22a、22b  外缘
23  侧面
23a、23b  台阶面
24  侧面
24a、24b  台阶面
25a～25d  外缘
26  底面
27  第1阶梯状设置面
28  第2阶梯状设置面
31  光入射列
31a～31f  光入射区域
40  半导体激光器装置
42  第1折转镜
43  第2折转镜
50  散热器
51a  上表面
51b  下表面
52  侧面
52a～52c  台阶面
53、54a、54b  外缘
56  阶梯状设置面
57  侧面
60  半导体激光器装置
80  散热器

Claims (6)

1.一种半导体激光器装置，具备多个半导体激光器阵列，该半导体激光器阵列具有直线状排列的多个发光部，在该半导体激光器装置中设置有：聚光透镜，来自该多个半导体激光器阵列的光经由准直构件入射到该聚光透镜；和光纤，来自该聚光透镜的光从该光纤的由大致圆形状的端面构成的光入射面入射到该光纤，
上述半导体激光器装置的特征在于，
在上述聚光透镜上，来自上述多个半导体激光器阵列的各光并列地排列而投影到该聚光透镜的光入射面，从而形成光入射列，
上述多个半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的、来自该半导体激光器阵列的光到达上述聚光透镜为止的光路的长度即聚光透镜入射光路长度相对不同，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光入射到上述聚光透镜的光入射面上的光入射列中的除了最外侧以外的位置。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
上述聚光透镜入射光路长度彼此不同的半导体激光器阵列中，来自聚光透镜入射光路长度长的半导体激光器阵列的光与来自聚光透镜入射光路长度短的半导体激光器阵列的光相比，更向上述聚光透镜的光入射面上的光入射列的中央侧入射。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，
具备3个以上的上述半导体激光器阵列，来自上述3个以上的半导体激光器阵列的光的聚光透镜入射光路长度不同，来自聚光透镜入射光路长度最长的半导体激光器阵列的光与来自其他半导体激光器阵列中的至少1个半导体激光器阵列的光相比，更向上述聚光透镜的光入射面上的光入射列的中央侧入射。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光器装置，其特征在于，
上述多个半导体激光器阵列被设置在以阶梯状具有多个元件设置面的阶梯状设置面上的该多个元件设置面各自上，从而成为上述聚光透镜入射光路长度彼此不同的状态。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器装置，其特征在于，
上述阶梯状设置面由散热器的表面形成。
6.根据权利要求4或5所述的半导体激光器装置，其特征在于，
上述半导体激光器阵列被设置在对置配置的两个阶梯状设置面中的多个元件设置面各自上，在这两个阶梯状设置面之间配置有折转镜，由该折转镜折转的来自多个半导体激光器阵列的光入射到上述聚光透镜。
CN201480006900.5A 2013-03-13 2014-03-12 半导体激光器装置 Expired - Fee Related CN104956555B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013049772A JP5920254B2 (ja) 2013-03-13 2013-03-13 半導体レーザ装置
JP2013-049772 2013-03-13
PCT/JP2014/056418 WO2014142147A1 (ja) 2013-03-13 2014-03-12 半導体レーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104956555A true CN104956555A (zh) 2015-09-30
CN104956555B CN104956555B (zh) 2017-12-26

Family

ID=51536798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480006900.5A Expired - Fee Related CN104956555B (zh) 2013-03-13 2014-03-12 半导体激光器装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9484710B2 (zh)
JP (1) JP5920254B2 (zh)
CN (1) CN104956555B (zh)
WO (1) WO2014142147A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105207054A (zh) * 2015-10-14 2015-12-30 苏州大学 新型多单管半导体激光器光纤耦合模块
CN105207058A (zh) * 2015-10-10 2015-12-30 杭州虹视科技有限公司 白光激光模组、激光显示系统和激光投影系统
CN105449523A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 长春理工大学 多对具有各自分光镜阶梯排布单管合束半导体激光器
CN105449513A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 长春理工大学 多对各具有分光镜组阶梯排布单管合束半导体激光器
CN105449524A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 长春理工大学 多对共用多组分光镜平面排布单管合束半导体激光器
CN108463929A (zh) * 2016-01-14 2018-08-28 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块、半导体激光器模块的制造方法
CN109154704A (zh) * 2016-05-23 2019-01-04 奥林巴斯株式会社 光信号发送组件
CN109212679A (zh) * 2017-07-04 2019-01-15 株式会社岛津制作所 光耦合模块
WO2021052513A1 (zh) * 2019-09-20 2021-03-25 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器
CN112952549A (zh) * 2021-03-17 2021-06-11 深圳市星汉激光科技股份有限公司 一种半导体激光耦合系统

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6189638B2 (ja) * 2013-05-24 2017-08-30 シャープ株式会社 光学系
KR101611748B1 (ko) 2014-11-05 2016-04-11 한국광기술원 반도체 광원모듈
JP6132995B2 (ja) * 2015-05-27 2017-05-24 三菱電機株式会社 レーザモジュールおよびレーザ加工装置
CN105406353B (zh) * 2015-12-11 2018-06-19 长春理工大学 基于光栅等腰三棱镜的多单管合束半导体激光器
CN106443906A (zh) * 2016-09-22 2017-02-22 苏州长光华芯光电技术有限公司 基于宏通道冷却的激光列阵光纤耦合装置及其耦合方法
IT201600108735A1 (it) * 2016-10-27 2018-04-27 Opi Photonics S R L Modulo ottico multiemettitore con dissipazione termica migliorata
JPWO2020017214A1 (ja) * 2018-07-20 2021-07-15 パナソニック株式会社 発光装置、光学装置及び波長合成方法
WO2020203326A1 (ja) * 2019-04-04 2020-10-08 株式会社アマダホールディングス レーザダイオード装置
DE102019110189A1 (de) * 2019-04-17 2020-10-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaser und materialbearbeitungsverfahren mit einem halbleiterlaser
JP2021132150A (ja) * 2020-02-20 2021-09-09 三菱電機株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5418880A (en) * 1994-07-29 1995-05-23 Polaroid Corporation High-power optical fiber amplifier or laser device
JP2000251308A (ja) * 1999-02-24 2000-09-14 Sony Corp 集積光学素子及び光学ヘッド並びに記録及び／又は再生装置
JP2003103389A (ja) * 2001-09-27 2003-04-08 Toyoda Mach Works Ltd 半導体レーザ集光装置
JP2004179607A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー装置
JP2005300954A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Ricoh Co Ltd 双方向光通信装置
JP2007286481A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Jtekt Corp 分割合波ユニット及び半導体レーザ集光装置
CN101324321A (zh) * 2007-06-12 2008-12-17 Jds尤尼弗思公司 光源
JP2009204871A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置および投写型映像表示装置
CN101833150A (zh) * 2010-05-18 2010-09-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块
US20120019909A1 (en) * 2009-03-26 2012-01-26 Ding-Rong Qian Beam Shaping Device for Focusing Light Beams from Semiconductor Laser
JP2012118129A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置及び投写型映像表示装置
CN102540472A (zh) * 2011-11-22 2012-07-04 北京凯普林光电科技有限公司 一种将多路分立半导体激光耦合入单根光纤的耦合系统

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130042049A (ko) * 2004-07-14 2013-04-25 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 감광성 조성물, 패턴형성재료, 감광성 적층체, 및 패턴형성장치 및 패턴형성방법
JP5479924B2 (ja) * 2010-01-27 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5418880A (en) * 1994-07-29 1995-05-23 Polaroid Corporation High-power optical fiber amplifier or laser device
JP2000251308A (ja) * 1999-02-24 2000-09-14 Sony Corp 集積光学素子及び光学ヘッド並びに記録及び／又は再生装置
JP2003103389A (ja) * 2001-09-27 2003-04-08 Toyoda Mach Works Ltd 半導体レーザ集光装置
JP2004179607A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Fuji Photo Film Co Ltd レーザー装置
JP2005300954A (ja) * 2004-04-13 2005-10-27 Ricoh Co Ltd 双方向光通信装置
JP2007286481A (ja) * 2006-04-19 2007-11-01 Jtekt Corp 分割合波ユニット及び半導体レーザ集光装置
CN101324321A (zh) * 2007-06-12 2008-12-17 Jds尤尼弗思公司 光源
JP2009204871A (ja) * 2008-02-27 2009-09-10 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置および投写型映像表示装置
US20120019909A1 (en) * 2009-03-26 2012-01-26 Ding-Rong Qian Beam Shaping Device for Focusing Light Beams from Semiconductor Laser
CN101833150A (zh) * 2010-05-18 2010-09-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种大功率半导体激光器光纤耦合模块
JP2012118129A (ja) * 2010-11-29 2012-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 照明装置及び投写型映像表示装置
CN102540472A (zh) * 2011-11-22 2012-07-04 北京凯普林光电科技有限公司 一种将多路分立半导体激光耦合入单根光纤的耦合系统

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105207058A (zh) * 2015-10-10 2015-12-30 杭州虹视科技有限公司 白光激光模组、激光显示系统和激光投影系统
CN105207054A (zh) * 2015-10-14 2015-12-30 苏州大学 新型多单管半导体激光器光纤耦合模块
CN105207054B (zh) * 2015-10-14 2018-01-02 苏州大学 多单管半导体激光器光纤耦合模块
CN105449523A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 长春理工大学 多对具有各自分光镜阶梯排布单管合束半导体激光器
CN105449513A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 长春理工大学 多对各具有分光镜组阶梯排布单管合束半导体激光器
CN105449524A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 长春理工大学 多对共用多组分光镜平面排布单管合束半导体激光器
CN108463929A (zh) * 2016-01-14 2018-08-28 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块、半导体激光器模块的制造方法
CN108463929B (zh) * 2016-01-14 2020-10-30 古河电气工业株式会社 半导体激光器模块、半导体激光器模块的制造方法
CN109154704A (zh) * 2016-05-23 2019-01-04 奥林巴斯株式会社 光信号发送组件
US11058285B2 (en) 2016-05-23 2021-07-13 Olympus Corporation Optical signal transmission module
CN109212679A (zh) * 2017-07-04 2019-01-15 株式会社岛津制作所 光耦合模块
WO2021052513A1 (zh) * 2019-09-20 2021-03-25 青岛海信激光显示股份有限公司 激光器
CN112952549A (zh) * 2021-03-17 2021-06-11 深圳市星汉激光科技股份有限公司 一种半导体激光耦合系统

Also Published As

Publication number Publication date
US9484710B2 (en) 2016-11-01
US20150380894A1 (en) 2015-12-31
CN104956555B (zh) 2017-12-26
JP2014175626A (ja) 2014-09-22
WO2014142147A1 (ja) 2014-09-18
JP5920254B2 (ja) 2016-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104956555A (zh) 半导体激光器装置
CN204885804U (zh) 一种窄线宽合束模块及具有该模块的多波长拉曼激光器
US6778732B1 (en) Generation of high-power, high brightness optical beams by optical cutting and beam-shaping of diode lasers
US6680800B1 (en) Device for symmetrizing the radiation emitted by linear optical transmitters
KR101616635B1 (ko) 레이저 합성 광학 장치
EP3147701B1 (en) Light source module and projection device
US9846353B2 (en) Projection device combining and modifing light beam cross sectional dimensions
US9917423B2 (en) Laser beam combination system
JP6157194B2 (ja) レーザ装置および光ビームの波長結合方法
US6765725B1 (en) Fiber pigtailed high power laser diode module with high brightness
JP6289640B2 (ja) 半導体レーザ装置
CN102208753A (zh) 多波长联合外腔半导体激光器
CN105759411A (zh) 光纤耦合激光器、光纤耦合激光器系统及其优化方法
CN105071196A (zh) 一种窄线宽合束模块及具有该模块的多波长拉曼激光器
US9124065B2 (en) System and method for wavelength beam combination on a single laser emitter
CN104297910A (zh) 多波长复合光束分光接收装置
JP2015072955A (ja) スペクトルビーム結合ファイバレーザ装置
CN103078253A (zh) 一种窄光谱高功率半导体激光器耦合装置及方法
WO2015145608A1 (ja) レーザ装置
US11675144B2 (en) Laser module
CN106461923A (zh) 具有二极管激光条平面阵列的光源
WO2018051450A1 (ja) レーザ装置
CN115224588A (zh) 一种基于vcsel阵列的激光雷达光学系统
CN104682196A (zh) 一种直接半导体激光器
CN103676186A (zh) 激光二极管布局系统和方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171226

Termination date: 20210312

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee