CN104950587B - 曝光装置与曝光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种曝光装置与曝光方法,在曝光台上添加设有基板对准系统和调焦系统的测量主基板以及设有曝光系统驱动器、曝光系统组和光源的曝光主基板,基于脉冲光同步的虚拟掩模成像技术,解决了困扰无掩模光刻的分辨率与产率矛盾,在高分辨率的情况下实现高产能;将扫描与步进运动分离到不同的执行机构,节省了步进时间,使产率得到优化,同时节省了整机的空间尺寸;提出了流水线模式的光刻机架构,充分发挥无掩模光刻的灵活性,实现边测量边曝光,将调平、对准时间从光刻生产中分离出去,提高产能。
Description
技术领域
本发明集成电路制造领域,尤其涉及一种曝光装置与曝光方法。
背景技术
投影曝光装置能够将掩模版上的电路图形经过投影物镜等光学系统以一定放大或缩小的倍率投影于涂有感光胶的基板上。目前投影曝光装置已广泛应用于集成电路的制造,并且近年来应用范围扩展到平板显示、印刷电路板制造等领域。
随着市场对半导体产品需求量的不断增大和生产商对其价格竞争力的不断追求,初始加工的硅片、平板显示基板和PCB基板的尺寸不断增大。在晶圆制造领域,450mm设备的需求已经提上具体日程,要求450mm曝光设备具有300mm设备相当甚至更高的产能,掩模成本在IC制造中,单套掩模板价格可达上千万美金,与曝光设备几乎等价;在平板显示领域,普遍采用扫描投影式曝光装置,为了保持、甚至提高产率,掩模的尺寸随基板世代的提升而增大,掩模的管理和维护成本不断上升,同时对掩模台、掩模传输、框架提出了更高的要求。在PCB领域,随着基板大小的增加,无法再使用接近接触式光刻设备进行图形加工;另外,由于PCB产品的附加值较小,采用类似平板显示的扫描投影曝光装置会导致成本增加。因此,具备一定产能的无掩模曝光装置能够满足目前的微纳制造发展趋势。
无掩模光刻能有效地降低光刻系统的复杂度(无需掩模台、掩模传输、框架结构简单)和掩模的加工、维护成本,是进行大尺寸基板光刻的发展趋势之一,而基于空间光调制器(Spatial Light Modulator,以下简称SLM)的无掩模光刻方法因其制作灵活、可靠性高和产率较客观等优势越来越多地被用来制作印刷电路板(PCB)、薄膜液晶面板(TFT)、微机电系统(MEMS)。
US7612865、US7253882、US20090086182、US2008258069分别公开了用于PCB加工的无掩模光刻设备,其特点为:汞灯或激光二极管(Laser Diode,以下简称LD)出射的紫外光经照明系统后入射到数字微镜阵列(Digital Micromirror Device,以下简称DMD)表面,DMD生成待曝光的图形,经过投影物镜成像到涂胶基板表面,基板做扫描运动,DMD不断地改变图形,从而得到完整的待曝光图形。
然而,以上各系统存在一个很大的缺陷。在无掩模曝光系统中,微反射镜阵列(如DMD)所生成的图形是离散的,而基板却在做连续扫描。每幅曝光图形由SLM生成后会保持一段时间,该时间为SLM的显示周期(或称为frame rate),以DMD为例,目前其最大刷新率为32K fps,即31.25μs,若采用汞灯或LD等连续光源,假设基板以0.5m/s的速度做扫描运动,则相当于产生了0.5m/s×31.25μs=15.625μm的衰退(fading)。这一缺陷极大的限制了无掩模光刻的应用,使之不能进行高分辨率图形的曝光,或者只能在很慢的扫描速度下进行曝光,极大影响产率。
此外,传统曝光设备的工作流程包含了上片、测量、曝光的过程,尽管双台结构问世使上片、测量的时间不影响设备产率,但却增加了对设备空间的需求,随着晶圆和基板尺寸的越来越大,双台结构所占用的空间也会逐渐使设备用户难以负担。
从以上背景可以看出,对基于SLM的无掩模光刻系统而言,需要考虑在保证无掩模光刻系统分辨率的情况下,提高其产率的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种曝光装置与曝光方法,能够解决无掩模光刻产率与分辨率的矛盾,有效提升扫描速度,提高产率。
为了实现上述目的,本发明提出了一种曝光装置,用于对设有标记的基板进行曝光处理,所述装置包括:
曝光台,所述曝光台的表面设有基板台和基板台驱动机构,所述基板台驱动机构用于驱动所述基板台沿扫描方向移动,所述基板固定于所述基板台上;
测量主基板,所述测量主基板设有基板对准系统和调焦系统,所述测量主基板固定于所述曝光台的表面,并沿步进方向横跨于所述基板台驱动机构的上方,所述步进方向与扫描方向垂直;
曝光主基板,所述曝光主基板设有曝光系统组和光源,所述曝光主基板固定于所述曝光台的表面,并沿步进方向横跨于所述基板台驱动机构的上方。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述曝光系统组包括多个曝光单元。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述曝光单元沿步进方向交错排列并且刚性连接,所述光源为激光器,所述曝光单元包括多个微反射镜阵列DMD、物镜组和多个分光镜和/或反射镜,用于将激光器发出的光线通过微反射镜阵列DMD、分光镜和/或反射镜和物镜组投影至所述基板的表面。
进一步的,在所述的曝光装置中,每个所述曝光单元均设有调焦驱动器。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述曝光主基板设有曝光系统驱动器,用于驱动所述曝光系统组在步进方向上移动。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述调焦系统采用多个调焦探测器。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述基板对准系统和调焦系统沿扫描方向位于所述测量主基板两侧。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述物镜组包括两排物镜组并沿扫描方向位于所述曝光主基板两侧。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述基板台设有基准板,所述基准板上沿步进方向设有多个图像对准传感器。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述基板台设有运动轴,用于驱动所述基板台沿步进方向步进。
进一步的,在所述的曝光装置中,所述曝光台底部设有多个减震器。
进一步的,本发明还提出了一种曝光方法,采用如上文中任意一种所述的曝光装置,所述方法包括步骤:
离线加载掩模或无掩模图形数据;
将所述基板加载至基板台上;
基板台沿扫描方向移动到测量主基板下方,由调焦系统对所述基板进行表面测量,由基板对准系统对所述基板进行基板对准;
基板台沿扫描方向继续移动到曝光系统组下方,由所述曝光系统组对所述基板进行图形对准、离焦补偿和扫描曝光。
进一步的,在所述的曝光方法中,所述光源为激光器,所述曝光装置包括多个曝光单元,所述曝光单元包括多个微反射镜阵列DMD、第一排物镜组和第二排物镜组,所述调焦系统对所述基板进行表面测量以及由所述曝光系统组对所述基板进行离焦补偿的步骤包括:
当所述基板台驱动机构将所述基板传输至所述调焦系统下方时,由所述调焦系统测量所述基板表面的高度信息;
当所述基板台驱动机构将所述基板传输至所述第一排物镜组视场区域时,由所述高度信息得出当前在所述第一排物镜组视场区域中所述基板的离焦量;
将所述离焦量反馈至所述调焦驱动器,由所述调焦驱动器调节第一排物镜组的像面位置对所述基板的离焦进行补偿;
当所述基板台驱动机构将所述基板传输至所述第二排物镜组视场区域时,由所述高度信息得出当前在所述第二排物镜组视场区域中所述基板的离焦量;
将所述离焦量反馈至所述调焦驱动器,由所述调焦驱动器调节第二排物镜组的像面位置对所述基板的离焦进行补偿。
进一步的,在所述的曝光方法中,所述基板台设有基准板,由所述基板对准系统获取所述基准板和基板标记的位置,获得所述基准台与基板的相对位置关系,获得所述基板的栅格的参数。
进一步的,在所述的曝光方法中,在获得所述基板的栅格的参数后,由图形处理系统通过变换所述微反射镜阵列DMD的图形进行补偿。
进一步的,在所述的曝光方法中,所述基准板上设有多个图像对准传感器,所述基板通过第一排物镜组和第二排物镜组先后成像有标识,所述标识由所述图像对准传感器获取,获得所述第一排物镜组和第二排物镜组的参数。
进一步的,在所述的曝光方法中,在获得所述第一排物镜组和第二排物镜组的参数后,对所述微反射镜阵列DMD的图形进行修正补偿。
进一步的,在所述的曝光方法中,所述曝光系统组包括曝光系统驱动器,在所述基板上形成掩膜图像的步骤包括:
当所述第一排物镜组完成图形对准后,所述第一排物镜组对应的曝光系统组即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列DMD的图形,配合所述光源发送脉冲以及基板台驱动机构之间的同步,进行扫描曝光;
当所述第二排物镜组完成图形对准后,所述第二排物镜组对应的曝光系统组即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列DMD的图形,配合所述光源发送脉冲以及基板台驱动机构之间的同步,进行扫描曝光;
所述基板台完成一次扫描并开始减速时,曝光系统组由所述曝光系统驱动器驱动整体沿步进方向步进,此时所述基板台完成反向加速,并沿反方向扫描所述基板,重复执行上述过程,直至将所述基板曝光完成。
进一步的,在所述的曝光方法中,所述基台板上设有一沿步进方向的运动轴。
进一步的,在所述的曝光方法中,在所述基板上形成掩膜图像的步骤包括:
当所述第一排物镜组完成图形对准后,所述第一排物镜组对应的曝光系统组即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列DMD的图形,配合所述光源发送脉冲以及基板台运动之间的同步,进行扫描曝光;
当所述第二排物镜组完成图形对准后,所述第二排物镜组对应的曝光系统组即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列DMD的图形,配合所述光源发送脉冲以及基板台运动之间的同步,进行扫描曝光;
所述基板台完成一次扫描并开始减速时,所述基板由所述运动轴带动整体沿步进方向步进,同时所述基板台完成反向加速,并沿反方向扫描所述基板,重复执行上述过程,直至将所述基板曝光完成。
与现有技术相比,本发明的有益效果主要体现在:在曝光台上添加设有基板对准系统和调焦系统的测量主基板以及设有曝光系统驱动器、曝光系统组和光源的曝光主基板,基于脉冲光同步的虚拟掩模成像技术,解决了困扰无掩模光刻的分辨率与产率矛盾,在高分辨率的情况下实现高产能;将扫描与步进运动分离到不同的执行机构,节省了步进时间,使产率得到优化,同时节省了整机的空间尺寸;提出了流水线模式的光刻机架构,充分发挥无掩模光刻的灵活性,实现边测量边曝光,将调平、对准时间从光刻生产中分离出去,提高产能。
附图说明
图1为本发明一实施例中曝光装置的结构示意图;
图2为本发明一实施例中曝光装置的俯视图;
图3为本发明一实施例中光源和曝光系统组的俯视图;
图4为本发明一实施例中光源和曝光系统组的结构示意图;
图5为本发明一实施例中基板的扫描步进示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的曝光装置与曝光方法进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1和图2,在本实施例中,提出了一种曝光装置,用于对设有基板标记110的基板100进行曝光处理,所述装置包括:
曝光台200,所述曝光台200的表面设有基板台210和基板台驱动机构220,所述基板台驱动机构220用于驱动所述基板台210沿扫描方向y移动,所述基板台210沿步进方向x设有基准板211,所述基板100固定于所述基板台210上;
测量主基板300,所述测量主基板300设有基板对准系统310和调焦系统320,所述测量主基板300固定于所述曝光台200的表面,并横跨于所述基板台驱动机构220的上方,所述步进方向x与扫描方向y垂直;
曝光主基板400,所述曝光主基板400设有曝光系统驱动器420、曝光系统组430和光源410,所述曝光主基板400固定于所述曝光台200的表面,并沿步进方向横跨于所述基板台驱动机构220的上方,所述曝光系统驱动器420用于驱动所述曝光系统组在步进方向上移动。可替代地,为了使得曝光系统组和基板台之间沿步进方向发生相对步进运动,也可不设置曝光系统驱动器420,只需要在所述基板台210设运动轴(图未示出),驱动所述基板台210沿步进方向x步进即可;以及
控制系统(图未示出),所述控制系统包括图形处理系统和同步控制系统,所述控制系统与所述曝光系统组430相连。
在本实施例中,所述光源410为激光器,其工作频率12KHz,单台功率32W,激光器至少为1台,根据产率及曝光基板100大小可增加激光器的配置,如对于5.5代产品,配置1台激光器,对于8.5代产品,可配置3台激光器。
请参考图3和图4,在本实施例中,所述曝光系统组430包括多个曝光单元411,所述曝光单元411交错排列并且刚性连接,各曝光单元411之间存在刚性连接是为了可整体由所述曝光系统驱动在步进方向x方向进行步进;所述曝光单元411的个数可以根据实际需求来决定,例如对于5.5代产品,只需配置15个曝光单元411,对于8.5代产品,可配置33个曝光单元411;每个曝光单元411大小约100mm×100mm×350mm(宽×长×高)。
所述曝光单元411可采用掩膜曝光,也可以采用无掩膜曝光。优选地,所述曝光单元411采用空间光调制器SLM。本实施例中的空间光调制器SLM优选为多个微反射镜阵列DMD412。所述曝光单元411包括微反射镜阵列DMD412、物镜和分光镜413,用于将光源410发出的光线通过微反射镜阵列DMD412、分光镜413和物镜投影至所述基板100的表面。
在本实施例中,所述曝光组430还包括一个反射镜414。所述物镜中均包括照明镜组、成像镜组等,能够将微反射镜阵列DMD412的调制图形投影至所述基板100的表面,每一个所述物镜均设有调焦驱动器(图未示出),所述调焦驱动器是压电陶瓷、直线电机或步进电机,用于调节所述物镜的像面位置。
在本实施例中,所述基板对准系统310和调焦系统320沿扫描方向y位于所述测量主基板300两侧;所有曝光单元411的物镜共同组成两排物镜组,所述两排物镜组沿扫描方向y位于所述曝光主基板400两侧。
在本实施例中,所述调焦系统320采用调焦探测器,所述调焦探测器的个数至少为3个,可根据所述基板100的尺寸和垂向控制精度要求进行配置,如对于5.5代需要6个,对于8.5代需要10个。所述基板对准系统310采用3个以上基板对准传感器。
在本实施例中,所述基板台驱动机构220可承载所述基板台210带动所述基板100沿扫描方向y方向运动,同时可旋转进行微调,所述基板台210的最大扫描运动速度需达到1m/s,在扫描方向y方向运动的测量可以由线性双频(Linear HeterodyneInterferometer)激光干涉仪完成,也可以由光栅尺来完成。
在本实施例中,所述图形处理系统用于将掩模图形进行离线拆分,并存储在所述图形处理系统的大容量硬盘中,便于后续使用。
在本实施例中,所述同步控制系统用于控制所述光源410、基板台210、微反射镜阵列DMD412的数据刷新这三者之间的同步动作。
所述基板对准系统310采用离轴CCD实现,安装于所述测量主基板300上,可根据基板100尺寸和基板100对准精度要求进行配置,如对于5.5代需要6个,对于8.5代需要10个。
所述基准板211上设有多个图像对准传感器230,优选地,所述图像对准传感器230与所述曝光单元411的个数也即物镜的个数相同,一一对应。
在本实施例中,所述曝光台200为大理石台,所述曝光台200底部设有多个减震器500,所述减震器500的个数可以根据实际需要来决定。
在本实施例中,还提出了一种曝光方法,采用如上文所述的曝光装置,所述方法包括步骤:
S1:离线加载掩模或无掩模图形数据,当加载无掩模图形数据时,由所述图形处理系统进行离线拆分,得到框架(frame)数据并存储;
S2:将所述基板100加载至基板台210上;
S3:基板台210沿扫描方向y移动到所述测量主基板300下方,由所述调焦系统320对所述基板100进行表面测量,由所述基板对准系统310对所述基板100进行基板对准;
S4:基板台100沿扫描方向继续移动到所述曝光系统组430下方,由所述曝光系统组430对所述基板100进行图形对准、离焦补偿和扫描曝光。
在本实施例中,所述曝光系统组430中的物镜组具体包括第一排物镜组431和第二排物镜组432,所述调焦系统320对所述基板100进行表面测量、由所述曝光系统组430对所述基板100进行离焦补偿的步骤包括:
当所述基板台驱动机构220将所述基板100传输至所述调焦系统320下方时,由所述调焦系统320测量所述基板100表面的高度信息;
当所述基板台驱动机构220将所述基板100传输至所述第一排物镜组431的视场区域时,由所述高度信息得出当前在所述第一排物镜组310视场区域中所述基板100的离焦量;
将所述离焦量反馈至所述调焦驱动器,由所述调焦驱动器调节第一排物镜组431的像面位置,从而对所述基板100的离焦进行补偿;
当所述基板台驱动机构220将所述基板100传输至所述第二排物镜组432视场区域时,由所述高度信息得出当前在所述第二排物镜组432视场区域中所述基板100的离焦量;
将所述离焦量反馈至所述调焦驱动器,由所述调焦驱动器调节第二排物镜组432的像面位置,从而对所述基板100的离焦进行补偿。
综上,持续根据调焦系统320至第一排物镜组431和第二排物镜组432视场的两个滑动窗口之间的基板100高度信息,更新调焦驱动器调节量,以保证图像对准与曝光时,使所述基板100的表面处于最佳焦面的状态,这样处理基板100的优势是无需全局调平时间,高度信息测量与曝光焦面调节几乎同时进行。
在本实施例中,由所述基板对准系统310对所述基板100进行基板100对准的步骤具体为,由所述基板对准系统310获取所述基准板211和基板标记110的位置,获得所述基准台210与基板100的相对位置关系,获得所述基板100的栅格的参数,如平移、旋转、倍率、非正交等量,由所述图形处理系统通过所述微反射镜阵列DMD412图形的变换进行补偿。
在本实施例中,由所述曝光系统组430对所述基板100进行图形对准具体为,所述基准板211上设有多个图像对准传感器230,所述基板100通过第一排物镜组431和第二排物镜组432先后成像有标识(图未示出,标识位于所述图像对准传感器230下),所述标识由所述图像对准传感器230获取,获得所述第一排物镜组431和第二排物镜组432的参数,确定镜头当前的平移、旋转、倍率等参数,进一步对所述微反射镜阵列DMD412的图形进行修正补偿。
在本实施例中,由所述曝光系统组430对所述基板100进行扫描曝光的步骤包括:
当所述第一排物镜组431完成图形对准后,所述第一排物镜组431对应的曝光系统组430即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列DMD412的图形,配合所述光源410发送脉冲以及基板台驱动机构220之间的同步,进行扫描曝光;
当所述第二排物镜组432完成图形对准后,所述第二排物镜组432对应的曝光系统组430即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列DMD412的图形,配合所述光源410发送脉冲以及基板台210运动之间的同步,进行扫描曝光;
所述基板台210完成一次扫描并开始减速时,曝光系统组430由所述曝光系统驱动器420驱动整体沿步进方向x方向进行步进,此时所述基板台210完成反向加速,并沿反方向扫描所述基板100;
重复执行S3、S4等上述过程,基板100上各图形依次进行形貌测量、栅格测量和曝光等流水线操作,直至将所述基板100曝光完成。
对于5.5代基板,需步进18次,对于8.5代基板,需步进14次,如图5所示。为保证拼接质量,每个SLM的视场432存在一个倾角,两次扫描的视场432存在一定的交叠,从而保证拼接区成像质量;在本实施例中,由微反射镜阵列DMD412可对调制区域任意定义,因此视场432可以是梯形、四边形等其他形式,只要在拼接区域内,任意一个基板100面上的点经过的微反射镜阵列DMD412调制区域长度相等即可。
在本实施例的其他实施例中,所述基台板210上设有一沿步进方向x方向的运动轴,可以使所述曝光系统组430不动,在所述基板台210完成一次扫描并开始减速时,所述基板100由所述运动轴带动整体沿步进方向x方向步进,同时所述基板台210完成反向加速,并沿反方向扫描所述基板100,重复执行上述过程,直至将所述基板100曝光完成即可。
综上,在本发明实施例提供的曝光装置与曝光方法中,在曝光台上添加设有基板对准系统和调焦系统的测量主基板以及设有曝光系统驱动器、曝光系统组和光源的曝光主基板,基于脉冲光同步的虚拟掩模成像技术,解决了困扰无掩模光刻的分辨率与产率矛盾,在高分辨率的情况下实现高产能;将扫描与步进运动分离到不同的执行机构,节省了步进时间,使产率得到优化,同时节省了整机的空间尺寸;提出了流水线模式的光刻机架构,充分发挥无掩模光刻的灵活性,实现边测量边曝光,将调平、对准时间从光刻生产中分离出去,提高产能;采用了小型化可驱动的成像单元设计以及测量主基板、曝光主基板的双重主基板架构,可进一步扩展至更高的世代产品,技术具有良好的沿用性。
上述仅为本发明的优选实施例而已,并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员,在不脱离本发明的技术方案的范围内,对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动,均属未脱离本发明的技术方案的内容,仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (19)
1.一种曝光装置,用于对设有标记的基板进行曝光处理,所述装置包括:
曝光台,所述曝光台的表面设有基板台和基板台驱动机构,所述基板台驱动机构用于驱动所述基板台沿扫描方向移动,所述基板固定于所述基板台上,所述基板台沿步进方向设有基准板;
测量主基板,所述测量主基板设有基板对准系统和调焦系统,所述测量主基板固定于所述曝光台的表面,并沿步进方向横跨于所述基板台驱动机构的上方,所述步进方向与扫描方向垂直,所述基板对准系统获取所述基准板和基板标记的位置,获得所述基板台与基板的相对位置关系,获得所述基板的栅格的参数;
曝光主基板,所述曝光主基板设有曝光系统组和光源,所述曝光主基板固定于所述曝光台的表面,并沿步进方向横跨于所述基板台驱动机构的上方,所述曝光系统组和基板台之间可沿步进方向发生相对运动。
2.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,所述曝光系统组包括两个以上曝光单元。
3.如权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,所述曝光单元沿步进方向交错排列并且刚性连接,所述光源为激光器,所述曝光单元包括微反射镜阵列、物镜和分光镜,用于将激光器发出的光线通过分光镜、微反射镜阵列和物镜投影至所述基板的表面。
4.如权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,每个所述曝光单元均设有调焦驱动器。
5.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,所述曝光主基板设有曝光系统驱动器,用于驱动所述曝光系统组在步进方向上移动。
6.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,所述调焦系统采用至少3个调焦探测器,所述基板对准系统采用至少3个基板对准传感器。
7.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,所述基板对准系统和调焦系统沿扫描方向位于所述测量主基板两侧。
8.如权利要求3所述的曝光装置,其特征在于,所有曝光单元的所述物镜构成两排物镜组,所述两排物镜组沿扫描方向位于所述曝光主基板两侧。
9.如权利要求3所述的曝光装置,其特征在于,所述基准板上沿步进方向设有多个图像对准传感器,所述图像对准传感器的数量与所述物镜的数量相同。
10.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,所述基板台设有运动轴,用于驱动所述基板台沿步进方向步进。
11.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,所述曝光台底部设有多个减震器。
12.一种曝光方法,采用如权利要求1所述的曝光装置,所述方法包括步骤:
离线加载掩模或无掩模图形数据;
将所述基板加载至基板台上;
基板台沿扫描方向移动到测量主基板下方,由调焦系统对所述基板进行表面测量,由基板对准系统对所述基板进行基板对准;
基板台沿扫描方向继续移动到曝光系统组下方,由所述曝光系统组对所述基板进行图形对准、离焦补偿和扫描曝光;
重复执行上述过程,直至将所述基板曝光完成。
13.如权利要求12所述的曝光方法,其特征在于,所述光源为激光器,所述曝光装置包括多个分光镜、多个微反射镜阵列、第一排物镜组、第二排物镜组和调焦驱动器。
14.如权利要求13所述的曝光方法,其特征在于,所述调焦系统对所述基板进行表面测量以及由所述曝光系统组对所述基板进行离焦补偿的步骤包括:
当所述基板台驱动机构将所述基板传输至所述调焦系统下方时,由所述调焦系统测量所述基板表面的高度信息;
当所述基板台驱动机构将所述基板传输至所述第一排物镜组视场区域时,由所述高度信息得出当前在所述第一排物镜组视场区域中所述基板的离焦量;
将所述离焦量反馈至所述调焦驱动器,由所述调焦驱动器调节第一排物镜组的像面位置从而对所述基板的离焦进行补偿;
当所述基板台驱动机构将所述基板传输至所述第二排物镜组视场区域时,由所述高度信息得出当前在所述第二排物镜组视场区域中所述基板的离焦量;
将所述离焦量反馈至所述调焦驱动器,由所述调焦驱动器调节第二排物镜组的像面位置从而对所述基板的离焦进行补偿,使所述基板的表面处于最佳焦面的状态。
15.如权利要求13所述的曝光方法,其特征在于,所述基板台设有基准板,所述由基板对准系统对所述基板进行基板对准具体为由所述基板对准系统获取所述基准板和基板标记的位置,获得所述基板台与基板的相对位置关系,获得所述基板的栅格的参数。
16.如权利要求15所述的曝光方法,其特征在于,在获得所述基板的栅格的参数后,由图形处理系统通过变换所述微反射镜阵列的图形进行补偿。
17.如权利要求16所述的曝光方法,其特征在于,所述基准板上设有多个图像对准传感器,所述由所述曝光系统组对所述基板进行图形对准的具体为所述基板通过第一排物镜组和第二排物镜组先后成像有标识,所述标识由所述图像对准传感器获取,获得所述第一排物镜组和第二排物镜组的参数。
18.如权利要求17所述的曝光方法,其特征在于,在获得所述第一排物镜组和第二排物镜组的参数后,对所述微反射镜阵列的图形进行修正补偿。
19.如权利要求13所述的曝光方法,其特征在于,所述由所述曝光系统组对所述基板进行扫描曝光的步骤包括:
当所述第一排物镜组完成图形对准后,所述第一排物镜组对应的曝光系统组即按照时序刷新所述微反射镜阵列的图形,配合所述激光器发送脉冲以及基板台驱动机构之间的同步,进行扫描曝光;
当所述第二排物镜组完成图形对准后,所述第二排物镜组对应的曝光系统组即开始按照时序刷新所述微反射镜阵列的图形,配合所述激光器发送脉冲以及基板台驱动机构之间的同步,进行扫描曝光;
所述基板台完成一次扫描并开始减速时,曝光系统组和基板台之间沿步进方向发生相对步进运动,此时所述基板台完成反向加速,并沿反方向扫描所述基板。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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---|---|---|---|---|
CN1550875A (zh) * | 2003-05-07 | 2004-12-01 | 富士胶片株式会社 | 投影曝光装置 |
CN1677240A (zh) * | 2004-03-29 | 2005-10-05 | 富士胶片株式会社 | 曝光装置 |
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