CN102117015A - 采用数字相移的无掩模光刻方法和装置 - Google Patents

采用数字相移的无掩模光刻方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN102117015A
CN102117015A CN2009102479359A CN200910247935A CN102117015A CN 102117015 A CN102117015 A CN 102117015A CN 2009102479359 A CN2009102479359 A CN 2009102479359A CN 200910247935 A CN200910247935 A CN 200910247935A CN 102117015 A CN102117015 A CN 102117015A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub pattern
light modulator
spatial light
beam splitter
light beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009102479359A
Other languages
English (en)
Inventor
周成刚
程谟嵩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Academy Of Science & Technology
Original Assignee
Shanghai Academy Of Science & Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Academy Of Science & Technology filed Critical Shanghai Academy Of Science & Technology
Priority to CN2009102479359A priority Critical patent/CN102117015A/zh
Publication of CN102117015A publication Critical patent/CN102117015A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

本发明涉及一种采用数字相移的无掩模光刻装置和方法,该装置包括照明系统、分束器、第一空间光调制器和一第二空间光调制器、以及投影光学系统。分束器将照明系统提供的照明光分成第一光束和第二光束,分别投向第一空间光调制器和第二空间光调制器。第一空间光调制器和第二空间光调制器分别将第一光束和第二光束调制成所需要形成的曝光图案的相互交错的第一子图案和第二子图案,再经分束器投射至投影光学系统。投影光学系统将第一光束和第二光束投影至一光刻对象,以在光刻对象上组合形成所述曝光图案,其中投射到光刻对象的第一子图案和第二子图案的相邻结构的相位差为180度。

Description

采用数字相移的无掩模光刻方法和装置
技术领域
本发明涉及一种涉及增强光刻分辨率方法,特别是使用空间光调制器的无掩模光刻机的相移掩模分辨率增强方法及其装置。
背景技术
光刻技术是用于在衬底表面印刷具有特征的构图,这样的衬底可包括用于制造平面显示器(例如液晶显示器)、半导体器件、各种集成电路、电路板、生物芯片、微机械电子芯片、光电子器件芯片等的基片。经常使用的基片是表面涂有感光介质的半导体晶圆或玻璃基片。
在光刻期间,芯片放置在芯片台上,通过曝光光学装置,将图像投射到芯片表面,所投射的图像引起涂覆在芯片表面的感光层(例如光刻胶层)的特征变化。
投影式光刻系统中,为了在芯片上制造器件,需要多个分划板(又称为掩模)。随着特征尺寸的减小以及对于较小特征尺寸的精确公差需求等原因,这些分划板对于生产而言成本很高,并且耗时很长,从而使利用分划板的投影式光刻系统制造成本越来越昂贵。
为克服上述这些缺陷,出现了无掩模光刻系统,其相对于使用分划板的光刻系统,在成本和灵活性上提供了很多益处。一种无掩模光刻系统使用空间光调制器(SLM)来代替分划板,空间光调制器(SLM)包括数字微镜装置(DMD)、液晶显示器(LCD)和光栅阀(GLV)等。SLM包括一个可以独立寻址和控制的像素阵列,每个像素可以处在ON或OFF的状态,以代替分划板形成所需的图案。
对于无掩模光刻系统来说,由于对象特征尺寸的持续缩小,存在提高分辨率的需求。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种无掩模光刻方法和装置,采用数字相移的方式来提高系统的光刻分辨率。
本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提出一种采用数字相移的无掩模光刻装置,包括照明系统、分束器、第一空间光调制器和一第二空间光调制器、以及投影光学系统。照明系统用以提供照明光。分束器将照明光分成第一光束和第二光束,分别投向第一空间光调制器和第二空间光调制器。第一空间光调制器将第一光束调制成所需要形成的曝光图案的第一子图案,再经分束器投射至一投影光学系统。第二空间光调制器将第二光束调制成所需要形成的曝光图案的第子图案,再经分束器投射至投影光学系统,其中第一子图案和第二子图案交错。投影光学系统将第一光束和第二光束投影至一光刻对象,以在光刻对象上组合形成所述曝光图案,其中投射到光刻对象的第一子图案和第二子图案的相邻结构的相位差为180度。
在本发明的一实施例中,上述装置还包括曝光控制系统用以控制照明系统的照明光。
在本发明的一实施例中,上述装置还包括第一光学装置,设置在分束器和第一空间光调制器之间。
在本发明的一实施例中,上述装置还包括第二光学装置,设置在分束器和第二空间光调制器之间。
在本发明的一实施例中,上述装置还包括:扫描平台,用以承载光刻对象;以及扫描控制系统,用以移动扫描平台,以转换曝光场。
本发明另提供一种采用上述装置的无掩模光刻方法,包括以下步骤:首先,将所需要形成的曝光图案按相位分解成第一子图案和第二子图案,分别输入第一空间光调制器和第二空间光调制器,其中第一子图案和第二子图案交错;其次,分别在第一空间光调制器和第二空间光调制器上控制像素点,以形成表示第一子图案和第二子图案的光束,之后确保投射到光刻对象的第一子图案和第二子图案的相邻结构的相位差为180度。
本发明的上述技术方案,由于在无掩模光刻系统中使用相移技术,使两个相邻结构的电磁场变得彼此异相,因为光的强度与电磁场振幅的矢量和的平方成正比,所以相移的使用增大了在两个相邻结构之间存在最小强度点的可能性,使得可以区分彼此。由此,系统从整体上大大提高了成像的对比度,增强了光刻的分辨率。
附图说明
为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂,以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明,其中:
图1是本发明一实施例的无掩模光刻系统示意图。
图2是根据本发明一实施例的曝光图案示意图。
图3是图1所示系统的一空间光调制器所形成的图案。
图4是图1所示系统的另一空间光调制器所形成的图案。
图5是图1所示系统的两组空间光调制器通过投影系统组合而成的图案。
具体实施方式
图1是本发明一实施例的无掩模光刻系统示意图。请参照图1所示,本实施例的光掩模光刻系统包括曝光控制系统10、照明系统20、分束器30、投影光学系统40、扫描平台50、扫描控制系统60、第一光学装置70、第一空间光调制器80、第一控制器90、第二光学装置100、第二空间光调制器110、第二控制器120。
曝光控制系统10用来控制照明系统20的照明光。
第一光学装置70和第二光学装置100是透镜的组合,分别设置在分束器30与第一空间光调制器80之间、分束器30与第二空间光调制器110之间、按需要起到导引光束、扩束等作用。
第一空间光调制器80和第二空间光调制器110分别在第一控制器90和第二控制器120的控制下对入射光进行调制,以产生所需的图案。根据本发明的实施例,将所需要形成的曝光图案(参照图2所示)按相位分解成第一子图案(图2中白色部分)和第二子图案(图2中阴影部分),这两个子图案是相互交错,交错的单位可为图案的最小特征尺寸。第一子图案和第二子图案可分别输入第一控制器90和第二控制器120,据此控制第一空间光调制器和第二空间光调制器上的各个像素点,以形成表示第一子图案(参照图3所示)和第二子图案(参照图4所示)的光束。
应当注意,需要确保投射到光刻对象200上的第一子图案和第二子图案的相邻结构的波前相位差为180度。
扫描平台50用以承载光刻对象200,例如半导体晶圆或玻璃基片。扫描控制系统60可移动扫描平台50以转换曝光场。
在本发明的实施例中,光刻所使用的光包括但不限于,可见光、红外光、紫外光、射线等。
在图1所示的无掩模光刻系统中,照明系统20在曝光控制系统10的控制下,将照明光通过分束器30分成第一光束和第二光束。第一光束通过第一光学装置70投向第一空间光调制器80,第二光束通过光学装置100投向第二空间光调制器110。第一空间光调制器80在第一控制器90的控制下将入射光调制后形成图3所示的第一子图案后投射出去,再经过分束器30和投影光学系统40投影到光刻对象200上;第二空间光调制器110在第二控制器120的控制下将入射光调制后形成图4所示的第二子图案投射出去,经过分束器30和投影光学系统40投影到光刻对象200上。并且,经由第一空间光调制器80和经由第二空间光调制器110投影到光刻对象200上的图案的相邻结构相互之间相差为180度,共同组合成图5所示的图案进行曝光。
曝光结束后,扫描控制系统60控制扫描平台50带动光刻对象200移植下一曝光场,进行下一场的曝光。
上述系统采用相移技术,对光波相位的调制来改善成像对比度,以增强光刻分辨率。由于衍射的存在,两个相邻特征的电磁场分布归并到一起,使得很难区分一个特征结构和另一个特征结构。通过使用相移技术,使两个相邻结构的电磁场变得彼此异相,因为光的强度与电磁场振幅的矢量和的平方成正比,所以相移的使用增大了在两个相邻结构之间存在最小强度点的可能性,使得可以区分彼此。由此,系统从整体上大大提高了成像的对比度,增强了光刻的分辨率。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上,然其并非用以限定本发明,任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的修改和完善,因此本发明的保护范围当以权利要求书所界定的为准。

Claims (6)

1.一种采用数字相移的无掩模光刻装置,包括:
照明系统,用以提供照明光;
分束器,将所述照明光分成第一光束和第二光束,分别投向一第一空间光调制器和一第二空间光调制器;
所述第一空间光调制器,将第一光束调制成所需要形成的曝光图案的第一子图案,且经所述分束器投射至一投影光学系统;
所述第二空间光调制器,将第二光束调制成所需要形成的曝光图案的第二子图案,且经所述分束器投射至一投影光学系统,其中第一子图案和第二子图案交错;
投影光学系统,将所述第一光束和第二光束投影至一光刻对象,以在光刻对象上组合形成所述曝光图案,其中投射到光刻对象的第一子图案和第二子图案的相邻结构的相位差为180度。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
曝光控制系统,用以控制所述照明系统的照明光。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
第一光学装置,设置在所述分束器和所述第一空间光调制器之间。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
第二光学装置,设置在所述分束器和所述第二空间光调制器之间。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:
扫描平台,用以承载所述光刻对象;以及
扫描控制系统,用以移动所述扫描平台,以转换曝光场。
6.一种采用如权利要求1-5任一项所述的装置的无掩模光刻方法,包括:
将所需要形成的曝光图案按相位分解成第一子图案和第二子图案,分别输入第一空间光调制器和第二空间光调制器,其中第一子图案和第二子图案交错;
分别在第一空间光调制器和第二空间光调制器上控制像素点,以形成表示第一子图案和第二子图案的光束;以及
确保投射到光刻对象的第一子图案和第二子图案的相邻结构的相位差为180度。
CN2009102479359A 2009-12-31 2009-12-31 采用数字相移的无掩模光刻方法和装置 Pending CN102117015A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009102479359A CN102117015A (zh) 2009-12-31 2009-12-31 采用数字相移的无掩模光刻方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009102479359A CN102117015A (zh) 2009-12-31 2009-12-31 采用数字相移的无掩模光刻方法和装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102117015A true CN102117015A (zh) 2011-07-06

Family

ID=44215831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009102479359A Pending CN102117015A (zh) 2009-12-31 2009-12-31 采用数字相移的无掩模光刻方法和装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102117015A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104820345A (zh) * 2015-05-23 2015-08-05 南昌航空大学 一种基于亚像素调制提高数字光刻分辨力的方法
CN110235060A (zh) * 2017-01-20 2019-09-13 应用材料公司 具有防闪耀dmd的分辨率增强的数字光刻

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104820345A (zh) * 2015-05-23 2015-08-05 南昌航空大学 一种基于亚像素调制提高数字光刻分辨力的方法
CN110235060A (zh) * 2017-01-20 2019-09-13 应用材料公司 具有防闪耀dmd的分辨率增强的数字光刻
CN110235060B (zh) * 2017-01-20 2021-12-07 应用材料公司 具有防闪耀dmd的分辨率增强的数字光刻

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100756085B1 (ko) 물체 상에 그레이 스케일을 생성하는 방법 및 마스크리스 리소그래피 시스템
US6515734B1 (en) Exposure apparatus
CN1837960B (zh) 光刻设备以及装置制造方法
JP7023601B2 (ja) ダイレクトイメージング露光装置及びダイレクトイメージング露光方法
US9116436B2 (en) Maskless exposure apparatus including spatial filter having phase shifter pattern and exposure method
CN100492176C (zh) 数字光刻技术的相位控制和补偿方法
KR20100030999A (ko) 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 정렬 오차의 보상 방법
CN104950587A (zh) 曝光装置与曝光方法
JP2017134408A (ja) 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2006295167A (ja) 複数のパターン形成デバイスを利用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2003084444A (ja) 多重露光描画方法及び多重露光描画装置
KR101720595B1 (ko) Dmd 기반의 노광 장치에서 이용가능한 래스터 이미지 생성 방법 및 장치, 및 래스터 이미지 생성 방법을 실행하기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
CN101261441A (zh) 一种无掩膜光刻系统中曝光图形临近效应校正方法
JP2006245556A (ja) 描画装置及び描画方法
US7564535B2 (en) Seamless exposure with projection system comprises array of micromirrors with predefined reflectivity variations
CN110597018B (zh) 一种基于等分因子的直写式光刻机曝光方法
KR101653213B1 (ko) 디지털 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 디지털 노광 장치
CN102117015A (zh) 采用数字相移的无掩模光刻方法和装置
Owa Review of optical direct-write technology for semiconductor manufacturing
KR100946247B1 (ko) 빔 이동에 의해 다중 노광을 수행하는 다중 노광시스템
KR101437692B1 (ko) 복수의 공간광변조기를 이용한 마스크리스 노광장치 및이를 이용한 패턴 형성 방법
JP5327715B2 (ja) 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2006251207A (ja) 画像記録システム、画像記録方法、変換装置および変換方法
JP2008064989A (ja) 露光方法
KR100946248B1 (ko) 회절광학소자에 의해 형성된 다중 빔을 이용하여 다중노광을 수행하는 다중 노광시스템

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned

Effective date of abandoning: 20110706

C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned