JP2006295167A - 複数のパターン形成デバイスを利用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】照明システムと、パターン形成システムと、投影システムと、組合せシステムとを備えるリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】照明システムは、放射のビームを供給する。パターン形成システムは、ビームにパターン形成する。パターン形成システムは、ビームの当該の部分によって照明されるように構成された少なくとも2つの個別に制御可能な要素のアレイを備え、各アレイが、ビームの当該の部分にパターン形成する。組合せシステムは、パターン形成部分を組み合わせてパターン形成ビームにする。投影システムは、パターン形成ビームを基板の目標部分に投影する。
【選択図】図4

Description

本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを加える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路(IC)、フラット・パネル・ディスプレイ、及び精密な構造を含む他のデバイスの製造で使用することができる。従来のリソグラフィ装置では、パターン形成手段(或いは、マスク又はレチクルと呼ぶ)を使用して、IC(又は他のデバイス)の個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、感放射線材料(例えばレジスト)の層を有する基板(例えばシリコン・ウェーハ又はガラス・プレート)上の目標部分(例えば1つ又は複数のダイの一部を備える)に像形成することができる。
パターン形成デバイスは、マスクの代わりに、回路パターンを生成する個別に制御可能な要素のアレイを備えることもできる。各個別に制御可能な要素は、例えば、反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するように構成された回折デバイスを備えることができる。適切な空間フィルタを使用して、非回折光を反射ビームからフィルタ除去することができ、回折光のみを残して基板に到達させる。
一般に、単一の基板が、網の目状の隣接する目標部分を含み、目標部分は連続的に露光される。知られているリソグラフィ装置のタイプは、目標部分に全パターンを一度に露光することによって各目標部分が照射されるステッパと、ビームによって所与の方向(「走査」方向)でパターンを走査し、それと同期して、この方向と平行又は逆平行に基板を走査することによって各目標部分が照射されるスキャナとを含む。
個別に制御可能な要素のアレイは、アレイの表面の高い割合が、光を選択的に反射、回折、又は透過する部分を備える場合に、「高密度」であるとみなすことができる。或いは、個別に制御可能な要素のアレイは、アレイの表面のかなりの割合が、光を選択的に反射、回折、又は透過しない他の構造、例えば駆動電子回路を備える場合に、「低密度」であるとみなすことができる。
低密度の回折アレイ、例えばSilicon Light Machines(Sunnyvale,CA)からのグレーティング・ライト・バルブ(GLV)は、複数のセル(例えば、約256×1のセル、又は256×256のセルのアレイ)を備えることができる。各セルは、複数の反射リボンを備えることができ、これらのリボンを互いに対して変形させて、回折格子を形成することができる。例えば、交互のリボンの高さは、セル内部の駆動電子回路によって制御することができる。リボン及び駆動電子回路(例えば、駆動電子回路としてCMOS、リボンとしてMEMS)の構成に関わる異なる製造技法により、駆動電子回路の上にリボンを製造することができない場合がある。したがって、駆動電子回路は、最大で各セルの面積の約70%以上まで形成することができる。
多数の個別に制御可能な要素を有するアレイ、特に回折要素を有するアレイでは、アレイの総面積(或いは、ダイ・サイズ又はチップ・サイズと呼ぶ)が非常に大きくなる場合がある。低密度のアレイ内に大きな回折要素を有するアレイを製造することは、リソグラフィの要件があまり厳格でないため比較的容易である。やはりこれも、アレイの総表面積を増大する。
アレイ内のセルがより多いと、リソグラフィ装置の各走査において露光することができる基板の表面積がより大きいので、リソグラフィ・スループットをより大きくすることが可能となる。或いは、より多数のセルを有するアレイは、基板の単一の領域を露光するときにより大きな解像度を有するように設計することができる。これらの因子はどちらも、リソグラフィ装置に関するより大きな実効画素スループットをもたらすことができる。したがって、各リソグラフィ装置に関して、アレイ内のセルの数を増加することがより望まれる。
しかし、要素のアレイの表面積を増大することに関わる問題が存在する場合がある。アレイの表面積が大きければ大きいほど、アレイが欠陥を含んで、そのアレイが使用できないものとなる確率が高くなる。致命的な欠陥を含むアレイの確率は、単位面積当たりの欠陥の数の関数として、アレイの表面積と共に指数関数的に増加する。
さらに、大きなアレイを製造するために、アレイ全体を1回のパスで露光することができない場合があり、アレイの異なる部分を製造するために数回の個別の露光を使用する必要が生じる。アレイに関する回路全てを露光するために複数の光学領域又はタイルを一体にステッチする必要がある。これらの追加の加工ステップは、個別に制御可能な要素のアレイを製造するときに、より低いスループット及び(より多数のマスクにより、且つ低下したスループットの結果として)追加のコストをもたらす場合がある。さらに、複数の光学領域を一体にステッチするときに誤差がもたらされる可能性があり、正しく機能するアレイの歩留まりを低下させる。歩留まりの低下も、大きな個別に制御可能な要素のアレイを製造するコストを増加する。
したがって、多数のセルを有する大きなセル・サイズで低密度のアレイと、コスト、製造スループット、及び歩留まりとに関する相反する要件の間でのかねあいを図らなければならない。
したがって、実効の個別に制御可能な要素のアレイのサイズが、より効率良く、且つ効果的に増大されるシステム及び方法が求められている。
本発明の一実施例によれば、照明システムと、パターン形成システムと、投影システムと、組合せシステムとを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、放射のビームを供給する。パターン形成システムは、ビームにパターン形成する。パターン形成システムは、ビームの当該の部分によって照明されるように構成された少なくとも2つの個別に制御可能な要素のアレイを備え、各アレイが、ビームの当該の部分にパターン形成する。組合せシステムは、パターン形成部分を組み合わせてパターン形成ビームにする。投影システムは、パターン形成ビームを基板の目標部分に投影する。
一実施例では、2つ以上のより小さな個別に制御可能な要素のアレイを使用し、それらが効果的に生成するパターン形成サブビームを光学的にステッチすることによって、より大きな合成アレイを作成することができる。この実効のアレイは、それぞれのより小さなアレイと比較して大きな表面積を有する。さらに、合成アレイは、それぞれのより小さなアレイよりも大きなスループットを提供することができ、リソグラフィ機械のコストを低減し、且つその動作をより効率の良いものにする。一実施例では、これにより、リソグラフィ装置を、同じ実効サイズの単一のアレイを使用するリソグラフィ装置よりも低コストで製造することができる。これは、より小さな個別に制御可能な要素のアレイの指数関数的に高くなる歩留まりによる。
一実施例では、装置がさらに、ビームを複数の部分に分割し、各部分をアレイの当該の1つに方向付けるビーム分割システムを備えることができる。
一実施例では、組合せシステムと分割システムとが、共通の構成要素(例えば、プリズム、レンズ、ミラー、その他の反射器などの光学構成要素)のシステムを備える。これは、装置内の構成要素の総数を減少し、装置の全体のサイズ/フットプリントを低減することができる。
一実施例では、組合せシステムと分割システムとが、プリズムなどの共通要素(それらを共通デバイスとして説明することもできる)を備え、この共通要素は、ビームを複数の部分に分割してパターン形成システムに方向付け、且つパターン形成システムからの対応する複数のパターン形成部分を組み合わせてパターン形成ビームにするように構成される。
一実施例では、組合せシステムと分割システムとが、複数のそのような共通要素を共有することができ、各共通要素が、ビームの少なくとも一部分を複数の部分に分割してパターン形成システムに方向付け、且つパターン形成システムからの対応する複数のパターン形成部分を組み合わせてパターン形成ビームにするように構成される。
一実施例では、組合せシステムが、分岐ネットワークとして構成された複数のビーム組合せ要素(例えばプリズム)を備えることができ、このネットワークは、要素のアレイからパターン形成ビーム部分を受け取り、パターン形成部分を組合せ、パターン形成ビームを出力するように構成される。
一実施例では、ビーム分割システムが、プリズムなどの単一のビーム組合せ要素、又は複数のそのようなデバイスを備えることができる。いくつかの実施例では、分割システムが、分岐ネットワークとして構成された複数のビーム分割要素を備え、このネットワークは、ビームを受け取り、ビームを複数の部分に分割し、各部分を前記アレイの当該の1つに方向付けるように構成される。
投影システムは、パターン形成ビームを受け取り、パターン形成ビームを、複数の放射スポットとして基板の目標部分に合焦するように構成されたレンズのアレイを備えることができる。
別法として、投影システムは、複数のレンズ・アレイを備えることができ、各レンズ・アレイが、パターン形成ビームの当該の部分を受け取り、その部分を、対応する複数の放射スポットとして基板の目標部分に合焦するように構成される。
様々な実施例において、組合せシステムは、ビームの少なくとも2つの部分の断面に与えられたパターンが、パターン形成された投影内で互いに隣接するように、パターン形成ビーム内で互いに離隔されるように、又はパターン形成ビーム内で互いに重なり合うように構成することができる。
本発明を具体化する装置を用いて多様な基板を加工することができることを理解されたい。例えば、基板は、FPD(フラット・パネル・ディスプレイ)基板、LCD(液晶ディスプレイ)基板、IC(集積回路)基板、又はIC用のウェーハであってよい。他の基板を使用することもできる。
装置は、実質的に剛性の基板を加工することに限定されない。例えば、基板が可撓性であってもよい。可撓性ガラス又はプラスチック基板を使用することができる。いくつかの実施例では、基板は、FPD(それ自体、可撓性であってもよい)用の可撓性基板である。
本発明の一実施例によれば、以下のステップを含むデバイス製造方法が提供される。基板を提供するステップ。照明システムを使用して、放射のビームを提供するステップ。パターン形成システムを使用して、ビームの断面にパターンを与えるステップ。パターン形成された放射ビームを基板の目標部分に投影するステップ。パターン形成システムは、少なくとも2つの個別に制御可能な要素のアレイを備える。各アレイを、ビームの当該の部分によって照明するステップ。各アレイを使用して、当該のビーム部分の断面にパターンを与えるステップ。組合せシステムを使用して、パターン形成部分を組み合わせてパターン形成ビームにするステップ。
この方法はさらに、ビーム分割システムを使用して、ビームを複数の部分に分割し、各部分をアレイの当該の1つに方向付けるステップを含むことができる。
組合せシステム及び/又は分割システムは、1つ又は複数のプリズムを備えることができるが、他の形態のビーム方向付け/反射素子又は構成要素を本発明の実施例において使用することもできることを理解されたい。
また、プリズムは、間に狭い頂点領域を有する(ビームをスプリットするための、且つ/又はビーム部分を組み合わせるための)2つの反射面を提供する1つの好都合な形態にすぎないことを理解されたい。別法として、例えば狭い頂点領域が必要とされない重ね合わせのないアレイを用いる実施例では、この機能を1対のミラーによって実施することができる。
本発明のさらなる実施例、特徴、及び利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作を、添付図面を参照して以下に詳細に説明する。
本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を成す添付図面は、本発明の1つ又は複数の実施例を例示し、さらに、本記述と共に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用することができるようにする役割のものである。
次に、本発明を添付図面を参照して説明する。図面中、同様の参照番号は、同一、又は機能的に同様の要素を示す場合がある。さらに、参照番号の左端の桁は、その参照番号が最初に現れる図面を識別する場合がある。
本明細書で使用する用語「ディスプレイ」は、剛性及び可撓性のディスプレイ及びディスプレイ・デバイスを包含するものと理解されたい。
本明細書で採用する用語「個別に制御可能な要素のアレイ」は、基板の目標部分に所望のパターンを作成することができるように、パターン形成された断面を入射放射ビームに与えるために使用することができる任意の手段を表すものと広く解釈すべきである。用語「光弁」及び「空間光変調器」(SLM)をこの文脈で使用することもできる。そのようなパターン形成手段の例を以下で論じる。
プログラム可能ミラー・アレイは、粘弾性制御層及び反射面を有するマトリックス・アドレス指定可能表面を備えることができる。そのような装置の基本原理は、例えば、反射面のアドレス指定された領域が入射光を回折光として反射し、アドレス指定されていない領域が入射光を非回折光として反射するというものである。適切な空間フィルタを使用して、非回折光を反射ビームからフィルタ除去することができ、回折光のみを残して基板に到達させる。このようにして、ビームは、マトリックス・アドレス指定可能表面のアドレス指定パターンに従ってパターン形成される。
代替方法として、フィルタが回折光をフィルタ除去し、非回折光を残して基板に到達させることもできることを理解されたい。
これに対応する様式で、回折光学マイクロ電子機械システム(MEMS)デバイスのアレイを使用することもできる。各回折光学MEMSデバイスは、複数の反射リボンから構成され、これらのリボンを互いに対して変形させて、入射光を回折光として反射する格子を形成することができる。
プログラム可能ミラー・アレイのさらなる代替実施例は、小さなミラーのマトリックス配列を採用し、これらのミラーはそれぞれ、適切な局部電界を印加することによって、又は圧電作動手段を採用することによって、軸の周りで個別に傾けることができる。ここでもやはり、ミラーはマトリックス・アドレス指定可能であり、したがって、アドレス指定されたミラーが、アドレス指定されていないミラーとは異なる方向に入射放射ビームを反射する。このようにして、反射ビームは、マトリックス・アドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン形成される。必要なマトリックス・アドレス指定は、適切な電子的手段を使用して行うことができる。ここで上述したどちらの状況でも、個別に制御可能な要素のアレイは、1つ又は複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えることができる。本明細書で言及するミラー・アレイについて、例えば、参照として本明細書に組み込む米国特許第5296891号及び第5523193号、並びにPCT特許出願WO98/38597号及びWO98/33096号からより多くの情報を得ることができる。
プログラム可能LCDアレイを使用することもできる。そのような構成の一実施例は、参照として本明細書に組み込む米国特許第5229872号に与えられている。
フィーチャの事前バイアス、光近接効果補正フィーチャ、位相変化技法、及び複数回露光技法が使用される際、例えば、個別に制御可能な要素のアレイ上に「表示」されるパターンは、基板の層に、又は基板上に最終的に転写されるパターンとは実質的に異なる場合があることを理解されたい。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンは、個別に制御可能な要素のアレイ上に任意の一時点に形成されているパターンに対応しない場合がある。これは、基板の各部分に形成される最終的なパターンが所与の時間又は所与の回数の露光を経て構築され、その間に個別に制御可能な要素のアレイ上のパターン及び/又は基板の相対位置が変化する構成において当てはまる場合がある。
本明細書では、ICの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及する場合があるが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が、集積光システム、磁区メモリ用の誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ・デバイス及び非流体デバイスなどの製造といった別の用途を有する場合もあることを理解すべきである。そのような別の用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」又は「ダイ」の使用を、それぞれより一般的な用語「基板」又は「目標部分」と同義と考えることができることを当業者は理解されよう。
本明細書で言及する基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック(典型的には、レジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール)、又は測定ツール若しくは検査ツールで加工することができる。該当する場合には、本明細書の開示を、そのような基板加工ツール、及びその他の基板加工ツールに適用することができる。さらに、例えば多層ICを作成するために基板を複数回加工することもでき、したがって、本明細書で使用する用語「基板」は、複数の加工層をすでに含む基板を表す場合もある。
本明細書で使用する用語「放射」及び「ビーム」は、紫外(UV)放射(例えば、波長が365、248、193、157、又は126nm)及び極端紫外(EUV)放射(例えば、波長が5〜20nmの範囲内)、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。
本明細書で使用する用語「投影システム」は、例えば、使用される露光放射、又は浸液の使用や真空の使用など他の因子に適するように、屈折光学システム、反射光学システム、及び反射屈折光学システムを含めた様々なタイプの投影システムを包含するものと広く解釈すべきである。本明細書における用語「レンズ」の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義と考えることができる。
また、照明システムは、放射のビームを方向付ける、成形する、又は制御するための屈折、反射、及び反射屈折光学構成要素を含めた様々なタイプの光学構成要素を包含する場合があり、以下、そのような構成要素を総称して、又は個々に「レンズ」と呼ぶ場合もある。
リソグラフィ装置は、2つ(デュアル・ステージ)以上の基板テーブル(及び/又は2つ以上のマスク・テーブル)を有するタイプのものにすることができる。そのような「マルチ・ステージ」の機械では、追加のテーブルを並行して使用することができ、或いは、1つ又は複数のテーブルで準備ステップを行い、1つ又は複数の他のテーブルを露光用に使用することができる。
また、リソグラフィ装置は、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水の中に基板を液浸し、それにより投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するタイプのものにすることもできる。浸液は、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの第1の要素との間に適用することもできる。液浸技法は、投影システムの開口数を高める技術分野でよく知られている。
上では、光リソグラフィの文脈での本発明の実施例の使用に特に言及してきたが、本発明は、他の用途、例えばインプリント・リソグラフィで使用することもでき、文脈が許す限り光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリント・リソグラフィでは、パターン形成デバイスでのトポグラフィが、基板上に作成されるパターンを画定する。パターン形成デバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジストの層にプレスすることができ、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せを加えることによって硬化される。レジストが硬化した後に、パターン形成デバイスがレジストから外され、レジストにパターンが残る。
別の実施例では、本発明は、上で開示した方法を記述する機械可読命令の1つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、又は内部にそのようなコンピュータ・プログラムが記憶されたデータ記憶媒体(例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク)の形を取ることができる。
「実施例」
図1に、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置100を図式的に示す。装置100は、少なくとも、放射システム102と、個別に制御可能な要素のアレイ104(例えばコントラスト・デバイス又はパターン形成デバイス)と、物体テーブル106(例えば基板テーブル)と、投影システム(「レンズ」)108とを含む。
放射システム102は、放射(例えばUV放射)の投影ビーム110を供給するために使用することができ、この特定の場合には放射源112も備える。
個別に制御可能な要素のアレイ104(例えば、プログラム可能ミラー・アレイ)は、ビーム110にパターンを付与するために使用することができる。パターン形成システムの構成は、図4及び5を参照してより詳細に述べる。一般に、個別に制御可能な要素のアレイ104の位置は、投影システム108に対して固定することができる。しかし、代替構成では、個別に制御可能な要素のアレイ104を、投影システム108に対してアレイを正確に位置決めするための位置決めデバイス(図示せず)に接続することができる。本明細書で述べる際、個別に制御可能な要素104は反射型のものである(例えば、反射性の個別に制御可能な要素のアレイを有する)。
物体テーブル106には、基板114(例えばレジスト被覆シリコン・ウェーハ又はガラス基板)を保持するための基板ホルダ(特に図示せず)を設けることができ、物体テーブル106は、投影システム108に対して基板114を位置決めするための位置決めデバイス116に接続することができる。
投影システム108(例えば、水晶及び/又はCaFレンズ・システム、又はそのような材料からなるレンズ要素を備える反射屈折システム、或いはミラー・システム)は、ビーム・スプリッタ118から受け取られたパターン形成ビームを基板114の目標部分120(例えば、1つ又は複数のダイ)に投影するために使用することができる。投影システム108は、個別に制御可能な要素のアレイ104の像を基板114に投影することができる。別法として、投影システム108は、二次放射源の像を投影することができ、その際、個別に制御可能な要素のアレイ104の要素はシャッターとして働く。また、投影システム108は、二次放射源を形成するために、且つマイクロスポットを基板114に投影するために、マイクロ・レンズ・アレイ(MLA)を備える場合もある。
放射源112(例えば、画素格子像形成モードでの3倍周波数(frequency tripled)Nd:YAGレーザ、又は他のモードでのエキシマ・レーザ)は、放射のビーム122を発生することができる。ビーム122は、直接、又は例えばビーム拡大器などの調整デバイス126を通過した後に、照明システム(照明器)124内に供給される。
一実施例では、装置100が画素格子像形成モードで動作するとき、照明器124は、ビーム122のスポット・サイズを調節するためにズームを設定するための調節デバイス128を備えることができる。さらに、照明器124は通常、スポット生成器130及び集光器132など様々な他の構成要素を含む。例えば、スポット生成器130は、屈折又は回折格子、セグメント化されたミラー・アレイ、導波管などであってよく、しかしそれらに限定されない。このようにすると、個別に制御可能な要素のアレイ104に当たるビーム110が、その断面で所望のズーム、スポット・サイズ、一様性、及び強度分布を有する。
別の実施例では、装置100が他のモードで動作するとき、照明124は、ビーム122の強度分布の外側及び/又は内側半径範囲(一般に、それぞれσ−outer及びσ−innerと呼ばれる)を設定するための調節デバイス128を備えることができる。さらに、照明器124は通常、様々な他の構成要素を含む。この実施例では、上述した実施例と比較して、要素130が積分器130であってよく、要素132が集光器132であってよい。このようにすると、個別に制御可能な要素のアレイ104に当たるビーム110が、その断面で所望の一様性及び強度分布を有する。
図1に関して、放射源112がリソグラフィ投影装置100のハウジング内部にある場合もあることに留意すべきである。代替実施例では、放射源112がリソグラフィ投影装置100から離れていてよい。この場合、放射ビーム122は、(例えば、適切な方向付けミラーを用いて)装置100内に方向付けられる。これらの態様のどちらも、本発明の範囲内で企図されていることを理解されたい。
その後、ビーム110は、ビーム・スプリッタ118を使用して方向付けられた後に、個別に制御可能な要素のアレイ104を通る。個別に制御可能な要素のアレイ104によって反射された後、ビーム110は投影システム108を通過し、投影システム108が、ビーム110を基板114の目標部分120に合焦する。
位置決めデバイス116(及び任意選択で、ビーム・スプリッタ140を通った干渉ビーム138を受け取るベース・プレート136上の干渉測定デバイス134)を用いて、ビーム110の経路内に様々な目標部分120が位置決めされるように基板テーブル106を移動させることができる。使用できる場合には、個別に制御可能な要素のアレイ104用の位置決めデバイス(図示せず)を使用して、例えば走査中に、ビーム110の経路に対する個別に制御可能な要素のアレイ104の位置を補正することができる。一般に、物体テーブル106の移動は、図1には明示していない長行程モジュール(粗い位置決め)及び短行程モジュール(精密な位置決め)を用いて実現される。個別に制御可能な要素のアレイ104を位置決めするために同様のシステムを使用することもできる。別法として/追加として、ビーム110を移動可能にし、物体テーブル106及び/又は個別に制御可能な要素のアレイ104が固定位置を有するようにして、必要な相対移動を提供することもできることを理解されたい。
この実施例の代替構成では、基板テーブル106を固定し、基板114が基板テーブル106の上を移動可能であるようにすることができる。このようにされる場合、基板テーブル106は、平坦な最上面に複数の開口を設けられ、その開口を通して気体が供給されて、基板114を支持することが可能な気体クッションを提供する。これは従来、空気軸受構成と呼ばれている。基板114は、ビーム110の経路に対して基板114を位置決めすることが可能な1つ又は複数のアクチュエータ(図示せず)を使用して、基板テーブル106の上を移動される。別法として、基板114は、開口を通るガスの通過を選択的に開始又は停止することによって、基板テーブル106の上を移動させることができる。
本明細書では、本発明によるリソグラフィ装置100を、基板上のレジストを露光するためのものとして説明するが、本発明がこの使用法に限定されず、レジストレス・リソグラフィにおける使用の際には、パターン形成ビーム110を投影するために装置100を使用することができることを理解されたい。
図示の装置100は、複数のモードで使用することができる。
1.ステップ・モード。個別に制御可能な要素のアレイ104上の全パターンが一度に(すなわち、ただ1回の「フラッシュ」で)目標部分120に投影される。次いで、パターン形成ビーム110によって異なる目標部分120が照射されるように、基板テーブル106がx及び/又はy方向で別の位置に移動される。
2.走査モード。ステップ・モードと同様であり、ただし、所与の目標部分120がただ1回の「フラッシュ」で露光されない。そうではなく、個別に制御可能な要素のアレイ104が所与の方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に速度vで移動可能であり、それにより、パターン形成ビーム110が、個別に制御可能な要素のアレイ104の上を走査するようになる。これと並行して、基板テーブル106が、速度V=Mvで同じ方向又は反対方向に同時に移動される。ここで、Mは投影システム108の倍率である。このようにすると、解像度を損なうことなく比較的大きな目標部分120を露光することができる。
3.パルス・モード。個別に制御可能な要素のアレイ104が本質的に静止して保たれ、パルス放射システム102を使用して全パターンが基板114の目標部分120に投影される。基板テーブル106が本質的に一定の速度で移動され、それにより、パターン形成ビーム110が、基板106を横切ってラインを走査するようになる。個別に制御可能な要素のアレイ104上のパターンは、放射システム102のパルスの合間に必要に応じて更新され、パルスは、連続する目標部分120が基板114上の要求された位置で露光されるようにタイミングを取られる。その結果、パターン形成ビーム110が基板114を横切って走査して、基板114のストリップに関する全パターンを露光することができる。ライン毎に基板114全体が露光されるまでこのプロセスが繰り返される。
4.連続スキャン・モード。パルス・モードと同様であり、ただし、実質的に一定の放射システム102が使用され、パターン形成ビーム110が基板114を横切って走査して基板を露光するときに、個別に制御可能な要素のアレイ104上のパターンが更新される。
5.画素格子像形成モード。基板114に形成されるパターンは、アレイ104上に方向付けられたスポット生成器130によって形成されるスポットを後で露光することによって実現される。露光されるスポットは、実質的に同一の形状を有する。基板114上で、スポットは、実質的に格子の形で印刷される。一実施例では、スポット・サイズは、印刷される画素格子のピッチよりも大きく、しかし露光スポット格子よりもはるかに小さい。印刷されるスポットの強度を変えることによって、パターンが実現される。露光フラッシュの合間に、スポットにわたる強度分布が変えられる。
上述した使用モードの組合せ及び/又は変形形態、或いは全く異なる使用モードを採用することもできる。
図2は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す。これは、パターン形成デバイス2を含む、本発明の理解のために有用なリソグラフィ装置の一部分を例示する。照明システム(図示せず)からのビームPBが、ビーム・スプリッタ1に入射する。ビーム・スプリッタ1は、ビームの半分を構成要素2に向けて上方へ反射し、半分をビーム・スプリッタ1を通過させることによって、ビームをほぼ半分にスプリットするように構成される。透過光と反射光との割合は50%から変えることができ、それにより構成要素2に入射するビームの強度の割合が変わる場合があることを理解されたい。しかし、この実施例、及び実際に本発明のいくつかの実施例では、ビームは、ビーム・スプリッタを2回通過するように、すなわち1回は反射され、1回は透過されるように構成される。反射/透過比がほぼ1:1となるように構成することにより、第2の通過後にビーム・スプリッタ1から出るビームの割合が最大化される。
構成要素2は、個別に制御可能な要素のアレイである。個別に制御可能な要素のアレイ2は、ビームを選択的に反射して(或いは別法として、回折又は透過して)ビーム・スプリッタ1に向けて戻すように構成されている。アレイ2は、ビームの断面にパターンを与える。ここでパターン形成されたビームは、再びビーム・スプリッタ1を通過する(ビームのいくらかは、照明システムに向けて反射されて戻される)。パターン形成ビーム3は、投影システム(図示せず)の一部を成すレンズ4を通過し、アパーチャ5に向けて合焦される。
図2は、鏡面又はON状態での個別に制御可能な要素のアレイを示す。ON状態では、全ての入射ビームPBが、アパーチャ5を通過するように反射される。アレイ2が生成するように構成されたパターンによっては、パターン形成ビーム3の一部分がアパーチャ5を通過し、一部分が、アパーチャ5の周囲6に入射して吸収される、又は反射除去されることを理解されたい。周囲6に入射するパターン形成ビームの部分は、リソグラフィ装置内でさらなる役割を果たさない。別法として、ビームは、ミラーがOFF位置にあるときにアパーチャを通り、ミラーがON位置にあるときにアパーチャによって遮られるようにすることができる。これにより、「非活性」面からの鏡面反射光を基板に到達させず、基板上でいわゆる「フレア」強度を生み出さないようにすることができる。
図3は、本発明の一実施例による、代替構成での図2のリソグラフィ装置の一部を示す。図3では、個別に制御可能な要素のアレイ2がOFF状態である。パターン形成ビーム3全てが、アパーチャ5の周囲6に入射し、それによりビームは基板の表面に入射しない。
一実施例では、個別に制御可能な要素のアレイの表面領域のサイズを増大するとき、複数の別々のより小さな個別に制御可能な要素のアレイによって断面にパターンを与えられたいくつかのサブビームを光学的にステッチすることが実施される。
図4及び5は、本発明の実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す。
図4の実施例では、ビームPBは、ビーム・スプリッタ1によってパターン形成システム(図示せず)に向けて反射される。しかし、単一の個別に制御可能な要素のアレイに入射するのではなく、反射されたビームは、ビーム分割器10に入射する。この実施例におけるビーム分割器10は、ビームPBを2つの部分にスプリットするように構成されたプリズムである。
ビームPBの2つの部分は、ビーム分割器10によって別個に反射され、それによりそれらの部分は、パターン形成システムを構成する2つの個別に制御可能な要素のアレイ11、12に別個に入射して、アレイを照明する。2つの要素のアレイ11、12は、図2に示されるアレイ2と同じ一般タイプのものであってよく、或いは、上述した任意の他のタイプのものであってもよい。したがって、各要素のアレイ11、12は、ビームPBの当該の部分にパターン形成する。すなわち、各アレイが、断面にパターンを与えられた当該の反射サブビーム13、14を生成する。サブビーム13、14は、ビーム分割器10によってビーム・スプリッタ1に向けて反射されて戻される。したがって、ビーム分割器10は、組合せ手段(すなわち組合せシステム)を構成する。組合せ手段は、2つのサブビーム13、14を光学的にステッチして単一のパターン形成ビーム3に戻す働きをする。パターン形成ビーム3は、図2に関して説明したように、続いてビーム・スプリッタ1、レンズ4、及びアパーチャ5を通る。
個別に制御可能な要素のアレイ11、12は、2倍の数の要素を有する単一の合成アレイ(或いは、任意の関連の駆動電子回路と共にセルと呼ぶ)を形成するように効果的に組み合わさる。この実施例では、2つのサブビーム13、14は、それらの断面に与えられたパターンがパターン形成ビーム3内で隣接するように組み合わされる。これは、リソグラフィ装置によって一度に露光することができる基板Wの領域を増大するという利点を有する。
次に図5を参照すると、この実施例では、第1のビーム分割器10によって反射されたビームPBの部分が、さらに、ビーム分割器10と同じ一般タイプの追加のビーム分割器20、21によってより小さな部分に分割される。これにより、ビームの4つの部分が、4つの個別に制御可能な要素のアレイ22〜25に入射し、それらのアレイを別個に照明する。4つのアレイは、断面に与えられたパターンをそれぞれが有する4つのサブビーム26〜29を生成する。この実施例では、3つのビーム分割器10、20、21が全て、パターン形成ビーム3を再構成するための組合せ手段を備える。
一実施例では、パターン形成ビーム3の断面に与えられるパターンは、各サブビームの断面に与えられるパターンに対応するいくつかの隣接するパターンを備える。これらは、各ビーム分割器10、20、21の頂点30、31、32に沿って、効果的に一体に「ステッチ」される。したがって、各ビーム分割器の頂点は、接合部を備える。接合部に入射するビームPBの部分、及び接合部に入射する各サブビームの部分が、所望のビーム経路から外れるように反射される場合があることが容易に分かる。これは、接合部に沿った「合わせ目(seam)」を効果的に有する劣化された合成パターン形成ビーム3をもたらす場合がある。典型的には、各プリズムの頂点は、90°となるように構成され、しかし他の角度を使用することもできる。
図6は、本発明の一実施例による個別に制御可能な要素のアレイを示す。上述したように、個別に制御可能な要素のアレイ、特に回折要素は、低密度である場合がある。図6は、低密度の個別に制御可能な要素のアレイの一実施例を例示する。各セル40が、光学活性部分41(1つ又は複数の個別に制御可能な要素、例えばアレイの回折部分)と、光学非活性部分42(例えば駆動電子回路)とを備える。セル40は、列を成すように構成され、それによりアレイは、交じり合う光学活性ストライプ43と光学非活性ストライプ44とを備える。そのようなアレイから反射されるサブビームに与えられるパターンは、光学非活性ストライプ44に対応する冗長ストライプを備える。一実施例では、そのような低密度のアレイを使用するリソグラフィ装置に関するパターン形成ビーム3の劣化は、各ビーム分割器の接合部に入射するサブビームの部分が光学非活性ストライプ44に対応するようにアレイを注意深く位置合わせすることによって回避することができる。各接合部の幅が光学非活性ストライプ44の幅よりも狭い限り、所望のパターンは失われない。
一実施例では、パターン形成ビームが、各個別に制御可能な要素のアレイによって生成される個別にパターン形成されたサブビームの合成である。各サブビームの断面が、ビームレットのアレイを構成するとみなすことができる。各ビームレットは、個別に制御可能な要素のアレイ内部のただ1つの、又は1グループの個別に制御可能な要素に対応する。
様々な実施例において、投影システムPLは、レンズのアレイ(或いは、マイクロ・レンズ・アレイ(MLA)と呼ぶ)を含む。パターン形成ビーム内の各ビームレットは、レンズのアレイ内部の単一のレンズに入射するように構成することができ、それにより各ビームレットは、基板の目標部分に当該の放射スポットを形成するように別個に合焦される。
図7、8、9、及び10は、本発明の様々な実施例によるビームの断面に与えられるパターンを示す。これらの図は、合成パターン形成ビーム内の1対のサブビームの断面に与えられるパターンに関するいくつかの代替構成を例示する。これらの例示構成は単なる例であり、本発明のリソグラフィ装置及び方法に従って、サブビームを一体に光学的にステッチするための他の代替構成を使用することもできることを理解されたい。
明瞭にするために、ボックス50が、各パターン形成サブビームを表す。さらに、各パターン形成サブビームは、ビームレット51の7×7アレイとして示されているが、ビームレット51のアレイに対応する個別に制御可能な要素のアレイがはるかに大きい場合があることを理解されたい。さらに、図7〜10に示される代替構成を組み合わせて使用することができ、それにより合成パターン形成ビームは、複数のパターン形成サブビームを備える場合があり、サブビームの各対が様々な空間構成を有する。また、図7〜10におけるパターンが、本発明の様々な実施例において基板の目標部分に投影することができる放射スポットのパターンを表すことも明らかであろう。
図7は、パターン形成ビーム内で隣接するように構成された2つのパターン形成サブビーム50を示す。したがって、ビームレット51は、連続する規則的なアレイを形成するように効果的に組み合わさる。この構成は、実効の個別に制御可能な要素のアレイの総面積を増大するために特に有利である場合があり、それにより基板のより大きな表面積を一度に露光することができる。アレイの正確な位置合わせは、要素のアレイとビーム分割器/組合せ手段(ビーム分割及び組合せシステムと呼ぶこともできる)との正確な位置合わせによって実現することができる。上述したように、ビームレットの2つのアレイの間に接合部又は合わせ目が存在する場合がある(図7には明示されていない)。しかし、要素のアレイが低密度である場合、要素のアレイの光学活性部分が合わせ目と一致しないので、合わせ目がパターン形成ビームの精度に影響を及ぼさないことを保証することが可能である。
図8は、パターン形成ビーム内で離隔されるように構成された2つのパターン形成サブビームを示す。これは、高密度の要素のアレイに関して望ましい場合があり、光学活性部分から反射された光が、ビーム分割器の接合部で失われない。図8は、ピッチ長さ(アレイ内部の1対のビームレット間の平均距離)の整数倍だけX方向で互いから離隔された2つのパターン形成サブビーム50を示す。Y方向では、ビームレットのアレイ50は、ピッチ長さの分数倍だけオフセットされている。このようにすることによって、パターン形成ビームが織り交ぜられ、それにより、基板を露光するために使用されるとき、特に走査モード・リソグラフィ装置に関して、露光されるパターンの解像度の増加が実現される。ビームレットのアレイ50は、X方向とY方向の一方又は両方でピッチ長さの整数倍だけ離隔することができ、またX方向とY方向の一方又は両方でピッチ長さの分数倍だけオフセットすることもできることを理解されたい。離隔の度合いによっては、各ビームレットのアレイ50を同一又は別個のレンズのアレイによって基板上に像形成することができる。すなわち、パターン形成ビーム全体を、単一の共通のMLAによって目標基板上に投影することができ、又は別法として投影システムが複数の別個のMLAを備えることができ、各MLAが、パターン形成ビームの当該の部分(パターン形成システムの要素のアレイの1つに対応する部分)を投影する。
図9は、部分的に重なり合うように構成された2つのビームレットのアレイ50を示す。図8と同様に、この2つのアレイも、この実施例ではX方向とY方向の両方でオフセットされる。図9の構成は、パターン形成ビームの解像度を高めることを可能にすることができる。図9の構成を実現するには、図4及び5に示されるビーム分割器/組合せデバイスに対する修正が必要となる場合があることを理解されたい。
図10は、実質的に完全に重なり合うように構成された2つのビームレットのアレイ50を示す。ビームレットのアレイを実質的に完全に重ね合わせる利点は、第1のアレイ内の非活性画素を、第2のアレイを使用することによって補償することができ、且つその逆を行うこともできる(すなわち、第1のアレイを使用して、第2のアレイ内の非活性画素に関する非活性画素補償を提供することができる)ことである。
図7〜10の任意のものに関して、パターン形成ビーム内のビームレット51を合焦するために、別個のレンズのアレイを使用することができる。別法として、単一のレンズのアレイを使用することもできる。後者の選択肢に関しては、レンズのアレイ内のレンズのピッチが、様々なパターン形成サブビームをオフセットすることができる度合いを制限する場合がある。
一実施例では、各個別に制御可能な要素のアレイがビームPBによって照明されるとき、アレイの光学非活性部分の像形成を回避するために、光学活性部分のみが照明されるようにビームにパターン形成することができる。このビームは、光学活性部分に合焦されると考えることができる。
様々な実施例において、照明システムILによって供給され、個別に制御可能な要素のアレイを照明するために使用されるビームPBは、テレセントリック又はコリメート・ビームであってよい。別法として、各要素のアレイに合焦されるビームは、わずかな角度をもって到達するように構成することができる。
様々な実施例において、ビームが2つ以上の部分に分割されるたびに、それらの部分がほぼ均等であってよく、或いは、前記又は各ビーム分割器が、ビームを不均等な部分にスプリットすることができる。各ビーム分割器がビームをスプリットする部分の数は、プリズム又は他のデバイスの幾何形状に依存する。例えば、4面のピラミッド・プリズムを有することによって、ビーム分割器はビームを4つの部分にスプリットすることができる。ビーム分割器は、別法として、例えば1つ又は複数のミラーを備えることができる。別法として、ビーム分割器は、当技術分野で知られている任意の他の適切な光学デバイスを備えることができる。
一実施例では、合成パターン形成ビームを組み立てるための組合せシステムが、ビーム分割システムを備えることができる。ビーム分割システムと組合せシステムとが、1つ又は複数の光学構成要素(素子)を共有することができ、或いは互いに完全に別々であってもよいことは明らかであろう。
様々な実施例において、各個別に制御可能な要素のアレイは、回折又は反射要素のアレイを備えることができる。別法として、各アレイは、透過アレイとして働くことができる。各サブビームの断面に与えられるパターンは、対応する要素のアレイ内部の各要素の状態に応じて変わる。各要素の状態は、要素に供給される、又は要素に関連付けられた駆動電子回路によって生成される制御信号に応じて変わる場合がある。
図4及び5では、ビーム組合せ/分割要素がプリズムであるが、代替実施例では、異なるタイプの要素、例えばミラーを使用することができることは明らかであろう。
結論
本発明の様々な実施例を上述してきたが、それらは単に例として提示されたものであり、限定するものではないことを理解されたい。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、それらに様々な形態及び詳細の変更を加えることができることは当業者に明らかであろう。したがって、本発明の外延及び範囲は、上述した例示実施例の任意のものによって限定されるべきではなく、頭記の特許請求の範囲及びその等価箇所に従ってのみ定義されるべきである。
「課題を解決するための手段」の節及び「要約書」ではなく、「実施例」の節は、特許請求の範囲を解釈するために使用される意図のものと理解されたい。「課題を解決するための手段」の節及び「要約書」は、本発明者によって企図された本発明の例示実施例の1つ又は複数を記載しており、しかしその全てを記載しているわけではない場合があり、したがって本発明及び頭記の特許請求の範囲を限定する意図のものでは決してない。
本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。 本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す図である。 本発明の一実施例による、代替構成での図2のリソグラフィ装置の一部を示す図である。 本発明の実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す図である。 本発明の実施例によるリソグラフィ装置の一部を示す図である。 本発明の一実施例による個別に制御可能な要素のアレイを示す図である。 本発明の様々な実施例によるビームの断面に与えられるパターンを示す図である。 本発明の様々な実施例によるビームの断面に与えられるパターンを示す図である。 本発明の様々な実施例によるビームの断面に与えられるパターンを示す図である。 本発明の様々な実施例によるビームの断面に与えられるパターンを示す図である。
符号の説明
1 ビーム・スプリッタ
2 パターン形成デバイス
3 パターン形成ビーム
4 レンズ
5 アパーチャ
6 周囲
10、20、21 ビーム分割器
11、12 要素のアレイ
13、14 反射サブビーム
30、31、32 頂点
40 セル
41 光学活性部分
42 光学非活性部分
43 光学活性ストライプ
44 光学非活性ストライプ
51 ビームレット

Claims (28)

  1. 放射のビームを供給する照明システムと、
    前記ビームの当該の部分によって照明されるように構成された少なくとも2つの個別に制御可能な要素のアレイを備えるパターン形成システムであって、前記アレイがそれぞれ、前記ビームの前記当該の部分にパターン形成するパターン形成システムと、
    前記パターン形成された部分を組み合わせてパターン形成ビームにする組合せシステムと、
    前記パターン形成ビームを基板の目標部分に投影する投影システムと
    を備えるリソグラフィ装置。
  2. さらに、前記ビームを複数の部分に分割して、各部分を前記アレイの当該の1つに方向付けるビーム分割システムを備える請求項1に記載の装置。
  3. 前記組合せシステムと分割システムとが、共通のビーム方向付け構成要素のシステムを備える請求項2に記載の装置。
  4. 前記組合せシステムと分割システムとが共通要素を備え、前記共通要素が、前記ビームを複数の部分に分割して前記パターン形成システムに方向付け、且つ前記パターン形成システムからの対応する複数のパターン形成部分を組み合わせて前記パターン形成ビームにするように構成された請求項2に記載の装置。
  5. 前記共通要素がプリズムを備える請求項4に記載の装置。
  6. 前記組合せシステムと分割システムとが複数の共通要素を備え、前記複数の共通要素の各共通要素が、前記ビームの少なくとも一部分を複数の部分に分割して前記パターン形成システムに方向付け、且つ前記パターン形成システムからの対応する複数のパターン形成部分を組み合わせて前記パターン形成ビームにするように構成された請求項2に記載の装置。
  7. 各共通要素がプリズムを備える請求項6に記載の装置。
  8. 前記分割システムが、少なくとも1つのプリズムを備える請求項2に記載の装置。
  9. 前記分割システムが、
    分岐ネットワークとして構成された複数のビーム分割要素を備え、前記分岐ネットワークが、前記ビームを受け取り、前記ビームを複数の部分に分割し、各部分を前記アレイの当該の1つに方向付けるように構成された請求項2に記載の装置。
  10. 各ビーム分割要素がプリズムを備える請求項9に記載の装置。
  11. 前記組合せシステムが、少なくとも1つのプリズムを備える請求項1に記載の装置。
  12. 前記組合せシステムが、
    分岐ネットワークとして構成された複数のビーム組合せ要素を備え、前記分岐ネットワークが、前記要素のアレイから前記パターン形成ビーム部分を受け取り、前記パターン形成部分を組合せ、前記パターン形成ビームを出力するように構成された請求項1に記載の装置。
  13. 各ビーム組合せ要素がプリズムを備える請求項12に記載の装置。
  14. 前記投影システムが、
    前記パターン形成ビームを受け取り、前記パターン形成ビームを、複数の放射スポットとして基板の前記目標部分に合焦するように構成されたレンズのアレイ
    を備える請求項1に記載の装置。
  15. 前記投影システムが、
    複数のレンズ・アレイを備え、前記複数のレンズ・アレイの各レンズ・アレイが、前記パターン形成ビームの当該の部分を受け取り、その部分を、対応する複数の放射スポットとして基板の前記目標部分に合焦するように構成された請求項1に記載の装置。
  16. 前記組合せシステムが、前記ビームの少なくとも2つの部分に与えられた前記パターンが前記パターン形成ビーム内で互いに隣接するように構成された請求項1に記載の装置。
  17. 前記組合せシステムが、前記ビームの少なくとも2つの部分に与えられた前記パターンが前記パターン形成ビーム内で互いに離隔されるように構成された請求項1に記載の装置。
  18. 前記組合せシステムが、前記ビームの少なくとも2つの部分に与えられた前記パターンが前記パターン形成ビーム内で互いに重なり合うように構成された請求項1に記載の装置。
  19. 前記基板がFPD基板である請求項1に記載の装置。
  20. 前記基板がLCD基板である請求項1に記載の装置。
  21. 前記基板がIC基板である請求項1に記載の装置。
  22. 前記基板がIC用のウェーハである請求項1に記載の装置。
  23. 放射のビームの第1及び第2の部分に、第1及び第2の対応する個別に制御可能な要素のアレイを使用してパターン形成するステップと、
    前記パターン形成部分を組み合わせてパターン形成ビームにするステップと、
    前記パターン形成ビームを基板の目標部分に投影するステップと
    を含むデバイス製造方法。
  24. さらに、
    前記ビームを複数の部分に分割するステップと、
    各部分を、前記第1及び第2の対応するアレイの当該の1つに方向付けるステップと
    を含む請求項23に記載の方法。
  25. 請求項23に記載の方法を使用して製造されるデバイス。
  26. 請求項23に記載の方法を使用して製造されるFPD。
  27. 請求項23に記載の方法を使用して製造されるLCD。
  28. 請求項23に記載の方法を使用して製造されるIC。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034412A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Canon Inc パターンを有する構造体の製造方法
JP2012084886A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Kla-Tencor Corp パターンの生成装置および生成方法
KR101509553B1 (ko) 2007-11-08 2015-04-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영 장치 및 섭동 인자들을 보상하는 방법
JP2017507359A (ja) * 2014-02-19 2017-03-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光系の照明系及びそのような照明系を作動させる方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729263B1 (ko) * 2005-07-14 2007-06-15 삼성전자주식회사 기판 노광 장치
EP1990828A4 (en) * 2006-02-16 2010-09-15 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND METHOD FOR PRODUCING COMPONENTS
US8982322B2 (en) * 2006-03-17 2015-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US9081297B2 (en) 2012-05-01 2015-07-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus having dual reticle edge masking assemblies and method of use
WO2023285025A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-19 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for tiling a substrate with oddly-shaped patterns

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
ATE123885T1 (de) 1990-05-02 1995-06-15 Fraunhofer Ges Forschung Belichtungsvorrichtung.
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US6219015B1 (en) 1992-04-28 2001-04-17 The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images
JP3224041B2 (ja) 1992-07-29 2001-10-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置
US5729331A (en) 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
JP3339149B2 (ja) 1993-12-08 2002-10-28 株式会社ニコン 走査型露光装置ならびに露光方法
US5677703A (en) 1995-01-06 1997-10-14 Texas Instruments Incorporated Data loading circuit for digital micro-mirror device
US5530482A (en) 1995-03-21 1996-06-25 Texas Instruments Incorporated Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels
US6133986A (en) 1996-02-28 2000-10-17 Johnson; Kenneth C. Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JPH1032156A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Mitsubishi Electric Corp 位相シフトマスクを用いた露光装置およびパターン形成方法
ATE216091T1 (de) 1997-01-29 2002-04-15 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl
US6177980B1 (en) 1997-02-20 2001-01-23 Kenneth C. Johnson High-throughput, maskless lithography system
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
US5982553A (en) 1997-03-20 1999-11-09 Silicon Light Machines Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array
SE9800665D0 (sv) 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
KR100827874B1 (ko) 2000-05-22 2008-05-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법
US6407766B1 (en) * 2000-07-18 2002-06-18 Eastman Kodak Company Method and apparatus for printing to a photosensitive media using multiple spatial light modulators
WO2002069049A2 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Asml Us, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
EP1255162A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-06 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP3563384B2 (ja) 2001-11-08 2004-09-08 大日本スクリーン製造株式会社 画像記録装置
US6618185B2 (en) * 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method
TWI298825B (en) 2002-06-12 2008-07-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6870554B2 (en) 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
EP1482373A1 (en) 2003-05-30 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7116403B2 (en) * 2004-06-28 2006-10-03 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034412A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Canon Inc パターンを有する構造体の製造方法
KR101509553B1 (ko) 2007-11-08 2015-04-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영 장치 및 섭동 인자들을 보상하는 방법
JP2012084886A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Kla-Tencor Corp パターンの生成装置および生成方法
JP2017507359A (ja) * 2014-02-19 2017-03-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光系の照明系及びそのような照明系を作動させる方法
US9977334B2 (en) 2014-02-19 2018-05-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Lighting system of a microlithographic projection exposure system and method for operating such a lighting system

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