CN104934470B - 一种igbt芯片及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术,具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂,避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程,同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用Spacer结构,可以避免套刻误差,确保元胞沟道的一致性,改善器件的动态特性,同时可以再省一道光刻版。本发明的工艺流程为:栅氧化→低压化学气相淀积→多晶硅注入→多晶硅光刻→多晶硅刻蚀→P阱区注入→N+注入→P+注入。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中,至少减少了两次光刻,大大减少了工艺步骤,节约了器件制造的工艺成本。
Description
技术领域
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术,具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。
背景技术
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种发展十分迅速的功率半导体器件。IGBT综合MOS和BJT的优点于一身,它既具有MOS输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度快、开关损耗小的优点,又具有BJT电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。
从IGBT的结构来看,IGBT内部的PNP管和NPN管组成了一个寄生的晶闸管结构,寄生晶闸管的开通将会导致IGBT的栅极失去控制能力,即IGBT发生闩锁。在进行IGBT器件设计时,应当优化设计避免IGBT发生闩锁。
完整的IGBT芯片结构由元胞区、终端区、焊盘区构成。IGBT元胞尺寸缩小和电流密度提高受到光刻次数和光刻套准的限制,所以,优化IGBT的制造工艺,减少光刻次数及光刻板的数量,对节省IGBT制造成本、提高IGBT制造成品率有很大作用。
IGBT寄生晶闸管闩锁通常发生在电流密度大、芯片温度高时。IGBT发生寄生晶闸管闩锁失效后,集电极电流会急剧增加,栅极失去控制能力,电子流不再通过沟道流通,而是通过P-阱区流入N-耐压区,从N+源区注入的载流子能够减小IGBT的输出电阻,从而可能会出现IGBT在闩锁后电流增大而电压减小的类似负阻现象产生。为了抑制闩锁效应,本申请采用深P阱注入、沟槽发射极接触、同时在背面添加N型缓冲层的方法来抑制寄生晶闸管闩锁失效。
传统的IGBT工艺流程中,从多晶硅栅的形成到P+区的形成通常需要栅氧化→LPCVD(低压化学气相淀积)→多晶硅注入→多晶硅光刻→多晶硅刻蚀→P-well光刻→P-well注入→N+光刻→N+注入→P+光刻→P+注入十一步工艺步骤。通过对多晶硅栅进行掺杂可以减小多晶硅栅的电阻,调整多晶硅的功函数,优化器件的阈值电压。传统工艺制作多晶硅栅的流程繁琐。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明的目的是提供一种IGBT芯片及其制造方法,本发明中在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂,避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程,同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用Spacer结构,可以避免套刻误差,确保元胞沟道的一致性,改善器件的动态特性,同时可以再省一道光刻版。
本发明的目的是采用下述技术方案实现的:
本发明提供一种IGBT芯片,所述IGBT芯片包括元胞区a、终端区b和焊盘区c;焊盘区c位于元胞区a中心、终端区b位于元胞区a周围,包围元胞区a;所述元胞区a、终端区b和焊盘区c均包括N型衬底10、设置在N型衬底10表面并行排列的场氧化层11和栅氧化层21、在场氧化层11和栅氧化层21的表面覆盖有多晶硅层22、在所述多晶硅层22的表面覆盖有层间介质ILD61;
层间介质ILD61的材料为硼磷硅玻璃BPSG,直接淀积在多晶硅层22的表面;
其改进之处在于,在层间介质ILD61的表面覆盖有金属电极81;所述金属电极81包括沟槽形状的沟槽发射极;金属电极81上覆盖有钝化层91;
在焊盘区c上,N型衬底10上设有焊盘区P环33,在焊盘区P环33上设有与金属电极8连接的P+区52,在P+区52上设有与金属电极8连接的N区41,所述栅氧化层21与金属电极8之间形成Spacer结构;
所述元胞区a的P-阱区31对称设置在N型衬底10上,在P-阱区31上设有与金属电极8连接的P+区52,在P+区52上设有与金属电极8连接的N+区41,所述栅氧化层21与金属电极8之间形成Spacer结构;
所述终端区b的耐压环(32)对称设置在N型衬底10上,在耐压环32上设有与金属电极8连接的P+区52,在P+区52上设有与金属电极8连接的N+区41。
进一步地,所述元胞区a的金属电极81连续的覆盖在层间介质ILD61上,所述终端区b的金属电极81分为间隔的三段覆盖在层间介质ILD61上,所述焊盘区c的金属电极81分为间隔的两段覆盖在层间介质ILD61上;
所述元胞区a的钝化层91连续的覆盖在金属电极81上,与金属电极81的形状相同;所述终端区b的钝化层91连续的覆盖在金属电极81上和间隔区域,与金属电极81上和间隔区域形成的形状相同;所述焊盘区c的钝化层91覆盖在金属电极81的沟槽发射极与间隔处,与沟槽发射极和间隔处形成的形状相同。
进一步地,所述场氧化层11的厚度为1.2μm、栅氧化层21的厚度为120nm、多晶硅层22的厚度为700nm、层间介质ILD61的厚度为1μm、沟槽形状的金属电极81的厚度为0.35μm、P阱区31的结深为5μm、P+区52的结深4μm为和N+区41的结深为0.5μm。
进一步地,在多晶硅层22的表面引出有栅极电极;在N型衬底10的背面(N型衬底的背面即硅片下表面)设有集电极电极。
本发明还提供一种IGBT芯片的制造方法,其改进之处在于,所述方法包括下述步骤:
<1>选N型单晶硅作N型衬底10,生长场氧化层11,并在场氧化层11上涂上第一光刻胶,然后进行场氧光刻,去除掉多余的场氧化层11;
<2>在N型衬底10上以1050℃热氧化的方式生成栅氧化层21,以低压化学气相淀积LPCVD的方法生长一层多晶硅层22,在多晶硅层22上涂上第二光刻胶23;
<3>分别以光刻、干法刻蚀的方法去除光刻胶没有覆盖区域的栅氧化层21和多晶硅层22,形成P-阱区窗口;通过P-阱区窗口对N型衬底10注入离子硼,接着进行退火、推结处理,形成P-阱区31;
<4>对整个N型衬底10正面离子注入磷,作退火、推结处理后形成N+区41,同时多晶硅层22中注入N型杂质磷;
<5>在N+区41的窗口处淀积二氧化硅随后进行湿法刻蚀,形成Spacer结构51;对整个N型衬底10正面离子注入硼,作退火、推结处理后形成位于中间的P+区52,同时多晶硅层22中注入P型杂质硼;
<6>淀积层间介质ILD61,在层间介质ILD61的预定位置涂上第三光刻胶62,预留出发射极窗口;
<7>光刻形成沟槽发射极窗口71;
<8>溅射金属电极,光刻掉预定位置上的金属电极81,在金属电极81上涂上第四光刻胶82;在金属电极81上涂上第四光刻胶82,光刻掉预定位置上的金属电极81;
<9>以低压化学气相淀积的方法生长钝化层91,并在钝化层91涂上第五光刻胶92,光刻压焊点,光刻钝化层;
<10>对N型衬底10进行背面减薄,根据IGBT芯片耐压要求减薄到相应厚度(600VIGBT对应厚度约为70-80μm)后进行背面离子注入磷形成N+缓冲层;
<11>N型衬底10背面离子注入硼形成高掺杂浅P+集电区;
<12>N型衬底10背面金属化制作集电极。
进一步地,所述步骤<5>中,在离子注入形成N+区41和P+区52的同时对多晶硅层22进行掺入N型杂质和P型杂质。
进一步地,所述步骤<9>中,钝化层91包括Si3N4和SiO2。
与现有技术比,本发明达到的有益效果是:
1、本发明中在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅层进行掺杂,避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程,同时可以减少一道光刻版。元胞结构中采用Spacer结构,可以避免套刻误差,确保元胞沟道的一致性,改善器件的动态特性,同时可以再省一道光刻版。
2、本发明的工艺流程为:栅氧化→LPCVD(低压化学气相淀积)→多晶硅注入→多晶硅光刻→多晶硅刻蚀→P-阱注入→N+注入→P+注入。从多晶硅栅的形成到P+区形成的工艺流程中,至少减少了两次光刻,大大减少了工艺步骤,节约了器件制造的工艺成本。
3、采用沟槽金属电极,可以有效缩短IGBT中载流子输运路程,减小扩展电阻Rb,降低IGBT寄生晶闸管闩锁失效的风险,同时节省一道光刻版。
4、元胞区采用Spacer结构,利用一套光刻版注入P和N型区,可以避免套刻误差,确保元胞沟道的一致性,同时节省一道光刻板。
5、本发明中整个IGBT工艺流程只有五次光刻,分别为有源区光刻、多晶硅栅光刻、发射极光刻、金属电极光刻、钝化层光刻,减少光刻板,节省成本。
附图说明
图1是本发明提供的元胞区a有源区光刻结构图;
图2是本发明提供的终端区b有源区光刻结构图;
图3是本发明提供的焊盘区c有源区光刻结构图;
图4是本发明提供的元胞区a多晶硅光刻结构图;
图5是本发明提供的终端区b多晶硅光刻结构图;
图6是本发明提供的焊盘区c多晶硅光刻结构图;
图7是本发明提供的元胞区a的P-注入结构图;
图8是本发明提供的终端区b的P-注入结构图;
图9是本发明提供的焊盘区c的P-注入结构图;
图10是本发明提供的元胞区a的N+注入结构图;
图11是本发明提供的终端区b的N+注入结构图;
图12是本发明提供的焊盘区c的N+注入结构图;
图13是本发明提供的元胞区a的P+注入结构图;
图14是本发明提供的终端区b的P+注入结构图;
图15是本发明提供的焊盘区c的P+注入结构图;
图16是本发明提供的元胞区a的BPSG淀积结构图;
图17是本发明提供的终端区b的BPSG淀积结构图;
图18是本发明提供的焊盘区c的BPSG淀积结构图;
图19是本发明提供的元胞区a的沟槽发射极光刻结构图;
图20是本发明提供的终端区b的沟槽发射极光刻结构图;
图21是本发明提供的焊盘区c的沟槽发射极光刻结构图;
图22是本发明提供的元胞区a的金属电极光刻结构图;
图23是本发明提供的终端区b的金属电极光刻结构图;
图24是本发明提供的焊盘区c的金属电极光刻结构图;
图25是本发明提供的元胞区a的钝化层光刻结构图;
图26是本发明提供的终端区b的钝化层光刻结构图;
图27是本发明提供的焊盘区c的钝化层光刻结构图;
图28是本发明提供的元胞区a光刻钝化层后形成最终的IGBT正面工艺器件结构图;
图29是本发明提供的终端区b光刻钝化层后形成最终的IGBT正面工艺器件结构图;
图30是本发明提供的焊盘区c光刻钝化层后形成最终的IGBT正面工艺器件结构图;
其中:10为N型衬底,11为场氧化层,12为第一光刻胶,21为栅氧化层,22为多晶硅层,23为第二光刻胶,31为P阱区,32为耐压环,33为焊盘区P环,41为N+区,51为Spacer结构,52为P+区,61为ILD(材料为BPSG),62为第三光刻胶,71为发射极窗口,81为金属电极,82为第四光刻胶,91为钝化层(Si3N4和SiO2),92为第五光刻胶。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
本发明提供一种IGBT芯片,所述IGBT芯片包括元胞区a、终端区b和焊盘区c;焊盘区c位于元胞区a中心、终端区b位于元胞区a周围,用于包围元胞区a;所述元胞区a、终端区b和焊盘区c均包括N型衬底10、设置在N型衬底10表面并行排列的场氧化层11和栅氧化层21、在场氧化层11和栅氧化层21的表面覆盖有多晶硅层22、在所述多晶硅层22的表面覆盖有层间介质ILD61;层间介质(ILD)的材料为硼磷硅玻璃(BPSG)。
在层间介质ILD61的表面覆盖有金属电极81;所述金属电极81包括沟槽形状的沟槽发射极;金属电极81上覆盖有钝化层91;
在焊盘区c上,N型衬底10上设有焊盘区P环33,在焊盘区P环33上设有与金属电极8连接的P+区52,在P+区52上设有与金属电极8连接的N区41,所述栅氧化层21与金属电极8之间形成Spacer结构;
所述元胞区a的P-阱区31对称设置在N型衬底10上,在P-阱区31上设有与金属电极8连接的P+区52,在P+区52上设有与金属电极8连接的N+区41,所述栅氧化层21与金属电极8之间形成Spacer结构;
所述终端区b的耐压环32对称设置在N型衬底10上,在耐压环32上设有与金属电极8连接的P+区52,在P+区52上设有与金属电极8连接的N+区41。
元胞区a的金属电极81连续的覆盖在层间介质ILD61上,所述终端区b的金属电极81分为间隔的三段覆盖在层间介质ILD61上,所述焊盘区c的金属电极81分为间隔的两段覆盖在层间介质ILD61上;
所述元胞区a的钝化层91连续的覆盖在金属电极81上,与金属电极81的形状相同;所述终端区b的钝化层91连续的覆盖在金属电极81上和间隔区域,与金属电极81上和间隔区域形成的形状相同;所述焊盘区c的钝化层91覆盖在金属电极81的沟槽发射极与间隔处,与沟槽发射极和间隔处形成的形状相同。
场氧化层11的厚度为1.2μm、栅氧化层21的厚度为120nm、多晶硅层22的厚度为700nm、层间介质ILD61的厚度为1μm、沟槽形状的金属电极81的厚度为0.35μm、P阱区31的结深为5μm、P+区52的结深4μm为和N+区41的结深为0.5μm。
在多晶硅层22的表面引出有栅极电极;在N型衬底10的背面(各图中硅片下表面)设有集电极电极。
本发明还提供IGBT芯片的制造方法,包括下述步骤:
<1>选N型单晶硅作N型衬底10,生长场氧化层11,并在场氧化层11上涂上第一光刻胶,然后进行场氧光刻,去除掉多余的场氧化层11;如图1-3所示。
<2>在N型衬底10上以1050℃热氧化的方式生成栅氧化层21,以低压化学气相淀积LPCVD的方法生长一层多晶硅层22,在多晶硅层22上涂上第二光刻胶23;如图4-6所示。
<3>分别以光刻、干法刻蚀的方法去除光刻胶没有覆盖区域的栅氧化层21和多晶硅层22,形成P-阱区窗口;通过P-阱区窗口对N型衬底10注入离子硼,接着进行退火、推结处理,形成P-阱区31;如图7-8所示。
<4>对整个N型衬底10正面离子注入磷,作退火、推结处理后形成N+区41,同时多晶硅层22中注入N型杂质磷;如图10-12所示。
<5>在N+区41的窗口处淀积二氧化硅随后进行湿法刻蚀,形成Spacer结构51;对整个N型衬底10正面离子注入硼,作退火、推结处理后形成位于中间的P+区52,同时多晶硅层22中注入P型杂质硼;如图13-15所示。
<6>淀积层间介质ILD61,在层间介质ILD61的预定位置涂上第三光刻胶62,预留出发射极窗口;如图16-18所示。
<7>光刻形成沟槽发射极窗口71;如图19-21所示。
<8>溅射金属电极,光刻掉预定位置上的金属电极81,在金属电极81上涂上第四光刻胶82;如图22-24所示。
<9>以低压化学气相淀积的方法生长钝化层91,并在钝化层91涂上第五光刻胶92,光刻压焊点;如图25-27所示。
<10>对N型衬底10进行背面减薄,根据器件耐压要求减薄到相应厚度(600V IGBT对应厚度约为70-80μm)后进行背面离子注入磷形成N+缓冲层;
<11>N型衬底10背面离子注入硼形成高掺杂浅P+集电区;
<12>N型衬底10背面金属化制作集电极,如图28-30所示。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其限制,尽管参照上述实施例对本发明进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换,而未脱离本发明精神和范围的任何修改或者等同替换,其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
Claims (7)
1.一种IGBT芯片,所述IGBT芯片包括元胞区a、终端区b和焊盘区c;焊盘区c位于元胞区a中心、终端区b位于元胞区a周围,包围元胞区a;所述元胞区a、终端区b和焊盘区c均包括N型衬底(10)、设置在N型衬底(10)表面并行排列的场氧化层(11)和栅氧化层(21)、在场氧化层(11)和栅氧化层(21)的表面覆盖有多晶硅层(22)、在所述多晶硅层(22)的表面覆盖有层间介质ILD(61);
层间介质ILD(61)的材料为硼磷硅玻璃BPSG,直接淀积在多晶硅层(22)的表面;
其特征在于,在层间介质ILD(61)的表面覆盖有金属电极(81);所述金属电极(81)包括沟槽形状的沟槽发射极;金属电极(81)上覆盖有钝化层(91);
在焊盘区c上,N型衬底(10)上设有焊盘区P环(33),在焊盘区P环(33)上设有与金属电极(81)连接的P+区(52),在P+区(52)上设有与金属电极(81)连接的N+区(41),所述栅氧化层(21)与金属电极(81)之间形成Spacer结构;
所述元胞区a的P-阱区(31)对称设置在N型衬底(10)上,在P-阱区(31)上设有与金属电极(81)连接的P+区(52),在P+区(52)上设有与金属电极(81)连接的N+区(41),所述栅氧化层(21)与金属电极(81)之间形成Spacer结构;
所述终端区b的耐压环(32)对称设置在N型衬底(10)上,在耐压环(32)上设有与金属电极(81)连接的P+区(52),在P+区(52)上设有与金属电极(81)连接的N+区(41)。
2.如权利要求1所述的IGBT芯片,其特征在于,所述元胞区a的金属电极(81)连续的覆盖在层间介质ILD(61)上,所述终端区b的金属电极(81)分为间隔的三段覆盖在层间介质ILD(61)上,所述焊盘区c的金属电极(81)分为间隔的两段覆盖在层间介质ILD(61)上;
所述元胞区a的钝化层(91)连续的覆盖在金属电极(81)上,与金属电极(81)的形状相同;所述终端区b的钝化层(91)连续的覆盖在金属电极(81)上和间隔区域,与金属电极(81)上和间隔区域形成的形状相同;所述焊盘区c的钝化层(91)覆盖在金属电极(81)的沟槽发射极与间隔处,与沟槽发射极和间隔处形成的形状相同。
3.如权利要求1所述的IGBT芯片,其特征在于,所述场氧化层(11)的厚度为1.2μm、栅氧化层(21)的厚度为120nm、多晶硅层(22)的厚度为700nm、层间介质ILD(61)的厚度为1μm、沟槽形状的金属电极(81)的厚度为0.35μm、P-阱区(31)的结深为5μm、P+区(52)的结深为4μm和N+区的结深为0.5μm。
4.如权利要求1所述的IGBT芯片,其特征在于,在多晶硅层(22)的表面引出有栅极电极;在N型衬底(10)的背面设有集电极电极。
5.一种IGBT芯片的制造方法,其特征在于,所述方法包括下述步骤:
<1>选N型单晶硅作N型衬底(10),生长场氧化层(11),并在场氧化层(11)上涂上第一光刻胶,然后进行场氧光刻,去除掉多余的场氧化层(11);
<2>在N型衬底(10)上以1050℃热氧化的方式生成栅氧化层(21),以低压化学气相淀积LPCVD的方法生长一层多晶硅层(22),在多晶硅层(22)上涂上第二光刻胶(23);
<3>分别以光刻、干法刻蚀的方法去除光刻胶没有覆盖区域的栅氧化层(21)和多晶硅层(22),形成P-阱区窗口;通过P-阱区窗口对N型衬底(10)注入离子硼,接着进行退火、推结处理,形成P-阱区(31);
<4>对整个N型衬底(10)正面离子注入磷,作退火、推结处理后形成N+区(41),同时多晶硅层(22)中注入N型杂质磷;
<5>在N+区(41)的窗口处淀积二氧化硅随后进行湿法刻蚀,形成Spacer结构(51);对整个N型衬底(10)正面离子注入硼,作退火、推结处理后形成位于中间的P+区(52),同时多晶硅层(22)中注入P型杂质硼;
<6>淀积层间介质ILD(61),在层间介质ILD(61)的预定位置涂上第三光刻胶(62),预留出发射极窗口;
<7>光刻形成沟槽发射极窗口(71);
<8>溅射金属电极,光刻掉预定位置上的金属电极(81),在金属电极(81)上涂上第四光刻胶(82);
<9>以低压化学气相淀积的方法生长钝化层(91),并在钝化层(91)涂上第五光刻胶(92),光刻压焊点,光刻钝化层;
<10>对N型衬底(10)进行背面减薄,根据IGBT芯片耐压要求减薄到相应厚度后进行背面离子注入磷形成N+缓冲层;
<11>N型衬底(10)背面离子注入硼形成高掺杂浅P+集电区;
<12>N型衬底(10)背面金属化制作集电极。
6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述步骤<5>中,在离子注入形成N+区(41)和P+区(52)的同时对多晶硅层(22)进行掺入N型杂质和P型杂质。
7.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述步骤<9>中,钝化层(91)包括Si3N4和SiO2。
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