CN104871429A - 可调谐宽带激励放大器 - Google Patents

可调谐宽带激励放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN104871429A
CN104871429A CN201380065858.XA CN201380065858A CN104871429A CN 104871429 A CN104871429 A CN 104871429A CN 201380065858 A CN201380065858 A CN 201380065858A CN 104871429 A CN104871429 A CN 104871429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
band
frequency band
frequency
capacitor
amplification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380065858.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104871429B (zh
Inventor
H·冯
V·V·帕尼卡什
J·G·衫卡拉那拉亚南
B·S·阿苏里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qualcomm Inc
Original Assignee
Qualcomm Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qualcomm Inc filed Critical Qualcomm Inc
Publication of CN104871429A publication Critical patent/CN104871429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104871429B publication Critical patent/CN104871429B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G9/00—Combinations of two or more types of control, e.g. gain control and tone control
    • H03G9/20—Combinations of two or more types of control, e.g. gain control and tone control in frequency-selective amplifiers
    • H03G9/24—Combinations of two or more types of control, e.g. gain control and tone control in frequency-selective amplifiers having semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/42—Modifications of amplifiers to extend the bandwidth
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/06—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/36—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier comprising means for increasing the bandwidth
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/378—A variable capacitor being added in the output circuit, e.g. collector, drain, of an amplifier stage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387—A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/39—Different band amplifiers are coupled in parallel to broadband the whole amplifying circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/391—Indexing scheme relating to amplifiers the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/534—Transformer coupled at the input of an amplifier

Abstract

公开了一种可调谐宽带激励放大器。在一示例性实施例中，一种装置包括选择性地连接在放大器的输出端和电路接地之间的第一频带选择电路。第一频带选择电路被配置成将放大频带从第一频带调整到第二频带。该装置还包括第一谐波减少电路，第一谐波减少电路选择性地连接在第一频带选择电路和电路接地之间且被配置成在放大频带被设置成第一频带时减少与第一频带相关联的二次谐波频率。

Description

可调谐宽带激励放大器
根据35U.S.C.§119的优先权要求
本专利申请要求于2012年12月17日提交且被转让给本申请受让人并因而被明确援引纳入于此的题为“Tunable Wideband Driver Amplifier(可调谐宽带激励放大器)”的美国临时专利申请No.61/738,251的优先权权益。
背景
领域
本申请一般涉及模拟前端的操作和设计，并且尤其涉及在模拟前端中使用的激励放大器的操作和设计。
背景技术
无线设备变得日益复杂，从而导致越来越多的电路系统被纳入到越来越小的芯片和电路板上。例如，无线设备中使用的常规发射机可包括多个激励放大器(DA)以分别放大低频带和高频带两者中的信号。具有用于指定频带的专用DA可实现期望的放大目标；然而，这样的实现也可能具有若干缺点。例如，利用多个DA可造成管芯面积要求方面的成本增加。此外，发射机中的其他电路系统(诸如上变频器)可能需要被修改以支持多个DA配置，从而增加了发射机的复杂度。
因此，需要被配置成降低无线设备中的管芯面积和发射机设计复杂度的高效宽带激励放大器。
附图简述
通过参照以下结合附图考虑的描述，本文中所描述的以上方面将变得更易于明了，在附图中：
图1示出了在设备中使用的包括可调谐宽带激励放大器的示例性实施例的发射机；
图2示出了图1中所示的可调谐宽带激励放大器的详细示例性实施例；
图3示出了解说图2所示的激励放大器的输出的宽带频率范围的频率标绘；
图4示出了用于无线设备中的宽带放大的方法的示例性实施例；以及
图5示出了可调谐宽带激励放大器设备的示例性实施例。
详细描述
下面结合附图阐述的详细描述旨在作为对本发明的示例性实施例的描述，而非旨在代表可在其中实践本发明的仅有实施例。贯穿本描述使用的术语“示例性”意指“用作示例、实例或解说”，并且不应一定解释成优于或胜于其他示例性实施例。本详细描述包括具体细节以提供对本发明的示例性实施例的透彻理解。对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践本发明的示例性实施例。在一些实例中，公知的结构和设备以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性实施例的新颖性。
图1示出在设备中使用的包括新颖的可调谐宽带DA 106的示例性实施例的发射机100。发射机100包括基带处理器102，其将待传送的基带数据输出给上变频器104。上变频器104将基带数据上变频成射频(RF)信号，并将此RF信号输入到可调谐宽带DA 106。可调谐DA 106被配置成提供在被划分成两个可选频带的宽频率范围(即，800Mhz到2.4GHz)上的放大。可调谐DA 106从基带处理器102接收频带选择信号110。频带选择信号110选择这两个可选频带中将在其上提供放大的一个频带。可调谐DA 106还从基带处理器102接收陷阱启用信号112。陷阱启用信号112启用或禁用为经放大输出提供对二次谐波和更高频率的衰减的陷阱电路。可调谐DA 106的经放大输出随后被输入到功率放大器(PA)108，在此RF信号被进一步放大以供传输。在各示例性实施例中，可调谐DA 106提供宽频率范围上的放大且被配置成在与利用多个放大器的常规DA配置相比时将管芯面积减小一半。
图2示出了图1中所示的可调谐宽带激励放大器106的详细示例性实施例。上变频器104向平衡-不平衡转换器202输出差分信号，平衡-不平衡转换器202将该差分信号转换成单端信号。该单端信号被输入到DA 106的晶体管204。晶体管204与晶体管206一起操作来放大单端信号以在晶体管206的漏极端208处生成经放大输出信号(DA输出)。应当注意，虽然晶体管204、206被配置成共源共栅对，但放大器106可以利用任何合适的晶体管配置。
在一示例性实施例中，第一频带选择电路238操作用于将放大器的放大频带设置成第一频带。第一频带(在本文中也被称为低频带)具有表示为(fLB)的中心频率。第一频带选择电路238包括电感器L低210和可变电容器212。电感器L低210连接在漏极端208和供电电压(VDD)之间。可变电容器212连接在漏极端208和电路接地之间。在一示例性实施例中，电感器L低210具有大电感值(即，4nH)且可变电容器212具有可调谐电容范围(即，1-10pf)。电感器L低210和可变电容器212组合来设置DA 106的第一工作频带。在一示例性实施例中，电感器L低210和可变电容器212被配置成从800MHz到1.4GHz地调谐第一频带的中心频率(fLB)。
当在第一工作频带中操作时，低频带陷阱电路230操作用于为经放大DA输出信号提供二次谐波频率减少。低频带陷阱电路230包括连接在电感器L高222和晶体管234的漏极端之间的可变电容器232。电感器L高222还连接到漏极端208。在一示例性实施例中，电容器232具有在范围1-6pf中的可调谐电容值，且电感器L高222具有2nH的电感值。晶体管234具有连接到电路接地的源极端和由低频带(LB)陷阱启用信号236控制的栅极端。例如，在LB陷阱启用信号236处于“高电压”或“启用”状态时，晶体管234导通，使得电容器232耦合到电路接地。在LB陷阱启用信号236处于“低电压”或“禁用”状态时，晶体管234截止，使得电容器232从电路接地解耦合。在一示例性实施例中，图1所示的陷阱启用信号112包括LB陷阱启用信号236且由基带处理器102或该设备处的某一其他实体生成。
在LB陷阱启用信号236启用(或导通)晶体管234使得电容器232耦合到电路接地时，当在低工作频带中时，电感器L高222与电容器232的组合操作用于形成低频带陷阱电路以便为经放大DA输出信号提供二次谐波频率减少。例如，在低频带陷阱电路230被启用时，在低频带中心频率(fLB)的二次谐波频率(2fLB)处及以上的DA输出频率被减少或衰减。
在一示例性实施例中，第二频带选择电路220操作用于将DA 106的放大频带设置成第二频带。第二频带(在本文中也被称为高频带)具有表示为(fHB)的中心频率。第二频带选择电路220包括低频带陷阱电路230。在一示例性实施例中，第二频带选择电路220还包括与电容器224串联连接的电感器L高222。例如，在一示例性实施例中，电容器224具有固定电容值10pf。电容器224进一步连接到晶体管226的漏极端，晶体管226还具有连接到电路接地的源极端。晶体管226具有连接到高频带(HB)启用信号228并由该信号228控制的栅极端。例如，在HB启用信号228处于“高电压”或“启用”状态时，晶体管226导通，使得电容器224耦合到电路接地。在HB启用信号228处于“低电压”或“禁用”状态时，晶体管226截止，使得电容器224从电路接地解耦合。在一示例性实施例中，图1所示的频带选择信号110包括HB启用信号228且由基带处理器102或该设备处的某一其他实体生成。
在一示例性实施例中，在HB启用信号228和LB陷阱启用信号236两者都被设置成启用状态时，晶体管226和234被启用(即，导通)，使得电容器224和232耦合到电路接地。这一配置组合电容器224和232的电容值，以取决于电容器232的调谐来创建10-16pf的组合电容值。这一组合的电容与电感器L高222、电感器L低210以及电容器212相结合地操作用于将DA 106的放大频带调整成第二(或高)频带。在一示例性实施例中，第二频带选择电路220被配置成从1.4GHz到2.4GHz地调谐第二频带的中心频率(fHB)。
包括可调谐电容器216和电感器218的储能电路214连接在晶体管204的源极端240和电路接地之间。在DA 106的放大频带被设置成第二(或高)频带时，储能电路214操作用于提供二次谐波减少。在一示例性实施例中，电感器218具有0.25nH的电感值且可调谐电容器216具有在范围0.5-4pf中的电容值。例如，储能电路214操作使得在高频带中心频率(fHB)的二次谐波(2fHB)处及以上的DA输出频率被减少或衰减。例如，储能电路214在高频带的高次谐波频率(即，二次谐波(2fHB)和更高频率)处呈现高阻抗以抑制此类频率的生成。在基频(fHB)处，储能214将显示相当低的阻抗且对共源级的增益具有较小影响。此外，在低频带处，电感器218将具有很小影响且可调谐电容器216可被禁用或关闭。
在各示例性实施例中，电感器L低210、L高222、以及可变电容器212、216和232的值可在制造期间、安装期间、或操作期间被设置。在一示例性实施例中，电感器L低210和L高222的值在制造时确定且可变电容器212、216和232的值在操作期间由基带处理器102确定。例如，在一示例性实施例中，从基带处理器102输出的频带选择信号110包括启用、禁用、以及选择可变电容器212、216和232的电容值的控制信号(图2中未示出)。
在宽带DA 106的操作期间，启用信号228和236被用来将DA 106的放大频带设置成第一(低)或第二(高)频带。对于每一频带，二次谐波减少被自动启用或可以选择性地被启用以减少或衰减在所选频带的中心频率的二次谐波频率处及以上的输出频率。以下提供对宽带激励放大器106的操作的更详细描述。
图3示出解说激励放大器106的DA输出的宽频率范围(即，800MHz-2.4GHz)上的放大的频率标绘300。标绘300示出具有可调谐基频(fLB)的低频带上的放大。在低频带中的操作是根据第一(或低)频带选择电路238的操作来确定的。标绘300还示出了LB陷阱电路230所提供的在低频带频率的二次谐波(2fLB)处的二次谐波衰减(LB陷波)。
标绘300还示出了具有可调谐基频(fHB)的高频带上的放大。在高频带中的操作是根据第二(或高)频带选择电路220的操作来确定的。标绘300示出了高频带二次谐波陷阱电路214所提供的在高频带频率的二次谐波(2fHB)处的二次谐波衰减(HB陷波)。
图4示出了用于无线设备中的宽带放大的方法400的示例性实施例。例如，方法400适于与图2中所示的激励放大器106一起使用。
在框402，作出判断以确定是否选择了低频带中的放大。例如，基带处理器102输出HB启用信号228以设置放大频带。如果HB启用信号228被禁用，则低频带中的放大被选择。如果HB启用信号228被启用，则高频带中的放大被选择。如果低频带中的放大被选择，则该方法进至框404。如果高频带中的放大被选择，则该方法进至框410。
在框404，低频带中的放大被启用。在一示例性实施例中，HB启用信号228被设置成禁用状态，使得晶体管226被禁用，从而将电容器224与电路接地解耦合。结果，包括电感器L低210和电容器212的低频带选择电路238设置低频带中用于放大的可调谐中心频率(fLB)。在一示例性实施例中，电感器L低210和可变电容器212被配置成从800MHz到1.4GHz地调谐第一(低)频带的中心频率(fLB)。
在框406，作出与低频带陷波滤波器是否被启用有关的确定。例如，基带处理器102输出被用来确定低频带陷波滤波器是否被启用的LB陷阱启用信号236。如果LB陷阱启用信号236被禁用，则低频带陷波滤波器被禁用且该方法结束。如果LB陷阱启用信号236被启用，则低频带陷波滤波器被启用且该方法进至框408。
在框408，启用低频带陷波。在一示例性实施例中，LB陷阱启用信号236操作用于启用低频带陷阱电路230，使得晶体管234将电容器232耦合到电路接地。电感器L高222和电容器232的组合操作用于提供低频带陷阱以减少或衰减在低频带二次谐波频率(2fLB)处及以上的频率。
在框410，启用高频带放大。在一示例性实施例中，HB启用信号228被设置成启用状态，使得晶体管226被启用，从而将电容器224耦合到电路接地。结果，第二频带选择电路220被启用。另外，LB陷阱电路230被LB陷阱启用信号236启用。电感器L高222、电容器224、以及电容器232的组合操作用于将放大器106的放大频带推动或调整到高频带。例如，中心频率被调谐到(fHB)以提供高频带中的放大。
在框412，启用高频带陷波滤波器。在一示例性实施例中，包括电感器218和电容器216的组合的储能电路214操作用于提供高频带陷阱以减少或衰减在高频带二次谐波频率(2fHB)处及以上的频率。
因而，方法400提供与常规放大器相比减小了所需管芯面积的无线设备中的宽带放大。应当注意，方法400的操作可被本领域技术人员重新安排、修改、或改变，使得其他等效方法是可能的。
图5示出了宽带激励放大器设备500的示例性实施例。例如，设备500适于与图2中所示的激励放大器106一起使用。在一方面，设备500由配置成提供如本文所描述的功能的一个或多个模块来实现。例如，在一方面，每个模块包括硬件和/或执行软件的硬件。
设备500包括第一模块，第一模块包括用于将放大器的放大频带从第一频带调整到第二频带的装置(502)，该用于调整的装置选择性地连接在放大器的输出端与电路接地之间，在一方面，该用于调整的装置包括第二频带选择电路220。
设备500包括第二模块，第二模块包括用于在放大频带被设置成第一频带时减少第一频带中的二次谐波频率的装置(504)，该用于减少的装置连接在该用于调整的装置与电路接地之间，在一方面，该用于减少的装置包括第一谐波减少电路230。
本领域技术人员将理解，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示或处理。例如，贯穿上面描述始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。还应注意晶体管的类型和技术可被替换、重新安排或以其他方式修改以达成相同的结果。例如，可以把示为利用PMOS晶体管的电路修改为使用NMOS晶体管，反之亦然。由此，本文中所公开的放大器可以使用各种晶体管类型和技术来实现，并且不受限于附图中所示的这些晶体管类型和技术。例如，可以使用诸如BJT、GaAs、MOSFET之类的晶体管类型或任何其他的晶体管技术。
本领域技术人员将进一步领会，结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑框、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性，但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的示例性实施例的范围。
结合本文所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、和电路可用设计成执行本文所描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或其任何组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替换方案中，该处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合，例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或多个微处理器、或任何其他此类配置。
结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或两者的组合来实现。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质被耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读和写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在用户终端中。替换地，处理器和存储介质可作为分立组件驻留在用户终端中。
在一个或多个示例性实施例中，所描述的功能可在硬件、软件、固件或其任何组合中实现。如果在软件中实现，则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括非瞬态计算机存储介质和通信介质两者，其包括促成计算机程序从一地到另一地的转移的任何介质。非瞬态存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定，这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其他光盘存储、磁盘存储或其他磁存储设备、或能被用来携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其他介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如，如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其他远程源传送而来，则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟，其中盘(disk)往往以磁的方式再现数据，而碟(disc)用激光以光学方式再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
提供了对所公开的示例性实施例的描述是为了使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本发明。对这些示例性实施例的各种修改对于本领域技术人员将是显而易见的，并且本文中定义的一般原理可被应用于其他实施例而不会脱离本发明的精神或范围。因此，本发明并非意在被限定于本文中所示出的示例性实施例，而是应当被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广义的范围。

Claims (20)

1.一种装置，包括：
第一频带选择电路，所述第一频带选择电路选择性地连接在放大器的输出端和电路接地之间且被配置成将放大频带从第一频带调整到第二频带；以及
第一谐波减少电路，所述第一谐波减少电路选择性地连接在所述第一频带选择电路和所述电路接地之间且被配置成在所述放大频带被设置成所述第一频带时减少与所述第一频带相关联的二次谐波频率。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括第二频带选择电路，所述第二频带选择电路被配置成将所述放大频带设置成所述第一频带，所述第二频带选择电路包括：
第一电感器，所述第一电感器连接在所述输出端与供电电压之间；以及
第一电容器，所述第一电容器连接在所述输出端与所述电路接地之间。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一频带选择电路包括：
连接到所述输出端的第一电感器；
连接到所述第一电感器的第一电容器；以及
开关，所述开关被配置成将所述第一电容器选择性地连接到所述电路接地以将所述放大频带设置成所述第二频带。
4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一谐波减少电路包括：
连接到所述第一电感器的第二电容器；以及
开关，所述开关被配置成将所述第二电容器选择性地连接到所述电路接地以在所述放大频带被设置成所述第一频带时使所述第一频带中的二次谐波频率能够减少并且在所述放大频带被设置成所述第二频带时调谐所述第二频带的中心频率。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述放大器包括第一和第二晶体管且所述输出端连接到所述第一晶体管的漏极端。
6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括第二谐波减少电路，所述第二谐波减少电路耦合到所述第二晶体管的源极端且被配置成在所述放大频带被设置成所述第二频带时减少二次谐波频率。
7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第二谐波减少电路包括：
连接在所述第二晶体管的源极端与所述电路接地之间的电感器；以及
连接在所述第二晶体管的源极端与所述电路接地之间的电容器。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一频带具有在频率上低于所述第二频带的第二中心频率的第一中心频率。
9.一种设备，包括：
用于将放大器的放大频带从第一频带调整到第二频带的装置，所述用于调整的装置选择性地连接在所述放大器的输出端与电路接地之间；以及
用于在所述放大频带被设置成所述第一频带时减少所述第一频带中的二次谐波频率的装置，所述用于减少的装置连接在所述用于调整的装置与所述电路接地之间。
10.如权利要求9所述的设备，其特征在于，还包括用于将所述放大器的放大频带设置成所述第一频带的装置，所述用于设置的装置包括：
第一电感器，所述第一电感器连接在所述输出端与供电电压之间；以及
第一电容器，所述第一电容器连接在所述输出端与所述电路接地之间。
11.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述用于调整的装置包括：
连接到所述输出端的第一电感器；
连接到所述第一电感器的第一电容器；以及
开关，所述开关被配置成将所述第一电容器选择性地连接到所述电路接地以将所述放大频带设置成所述第二频带。
12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述用于减少的装置包括：
连接到所述第一电感器的第二电容器；以及
开关，所述开关被配置成将所述第二电容器选择性地连接到所述电路接地以在所述放大频带被设置成所述第一频带时使所述第一频带中的二次谐波频率能够减少并且在所述放大频带被设置成所述第二频带时调谐所述第二频带的中心频率。
13.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述放大器包括第一和第二晶体管且所述输出端连接到所述第一晶体管的漏极端。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，还包括用于陷波的装置，所述用于陷波的装置连接到所述第二晶体管的源极端且被配置成在所述放大频带被设置成所述第二频带时减少二次谐波频率。
15.如权利要求14所述的设备，其特征在于，所述用于陷波的装置包括：
连接在所述第二晶体管的源极端与所述电路接地之间的电感器；以及
连接在所述第二晶体管的源极端与所述电路接地之间的电容器。
16.如权利要求9所述的设备，其特征在于，所述第一频带具有在频率上低于所述第二频带的第二中心频率的第一中心频率。
17.一种方法，包括：
确定放大器的放大频带要被设置成低频带还是高频带；
在所述放大频带要被设置成所述低频带的情况下，启用第一频带选择电路并禁用第二频带选择电路；以及
在所述放大频带要被设置成所述高频带的情况下，启用所述第一频带选择电路并启用所述第二频带选择电路。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在所述放大频带要被设置成所述低频带的情况下，确定低频带陷阱电路是否要被启用；
在所述低频带陷阱电路要被启用的情况下，启用所述低频带陷阱电路以减少与所述低频带相关联的二次谐波频率。
19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括在所述放大频带要被设置成所述高频带的情况下，启用高频带陷阱电路以减少与所述高频带相关联的二次谐波频率。
20.如权利要求17所述的设备，其特征在于，所述低频带具有在频率上低于所述高频带的第二中心频率的第一中心频率。
CN201380065858.XA 2012-12-17 2013-12-17 可调谐宽带激励放大器 Active CN104871429B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261738251P 2012-12-17 2012-12-17
US61/738,251 2012-12-17
US13/775,026 US9035703B2 (en) 2012-12-17 2013-02-22 Tunable wide band driver amplifier
US13/775,026 2013-02-22
PCT/US2013/075880 WO2014100046A1 (en) 2012-12-17 2013-12-17 Tunable wide band driver amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104871429A true CN104871429A (zh) 2015-08-26
CN104871429B CN104871429B (zh) 2018-01-12

Family

ID=50930200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380065858.XA Active CN104871429B (zh) 2012-12-17 2013-12-17 可调谐宽带激励放大器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9035703B2 (zh)
EP (1) EP2932594B1 (zh)
JP (1) JP6030248B2 (zh)
CN (1) CN104871429B (zh)
WO (1) WO2014100046A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8949455B2 (en) 2005-11-21 2015-02-03 Oracle International Corporation Path-caching mechanism to improve performance of path-related operations in a repository
US9673853B2 (en) * 2014-08-21 2017-06-06 Skyworks Solutions, Inc. Cascode power amplifier with voltage limiter
US9589916B2 (en) * 2015-02-10 2017-03-07 Infineon Technologies Ag Inductively coupled transformer with tunable impedance match network
US10187023B2 (en) * 2015-02-15 2019-01-22 Skyworks Solutions, Inc. Power amplifier with cascode switching or splitting functionality
US20160301369A1 (en) * 2015-04-10 2016-10-13 Ferfics Limited Band optimised rf switch low noise amplifier
US9941849B1 (en) * 2017-02-10 2018-04-10 Psemi Corporation Programmable optimized band switching LNA for operation in multiple narrow-band frequency ranges
US10038418B1 (en) 2017-04-04 2018-07-31 Psemi Corporation Optimized multi gain LNA enabling low current and high linearity including highly linear active bypass
US11881828B2 (en) 2017-04-04 2024-01-23 Psemi Corporation Tunable effective inductance for multi-gain LNA with inductive source degeneration
US10601376B2 (en) * 2018-03-19 2020-03-24 Psemi Corporation Input third order intercept point in low noise amplifier with degeneration tank circuit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1249079A (zh) * 1997-02-25 2000-03-29 艾利森电话股份有限公司 用于远程通信的设备和方法
US6081694A (en) * 1997-10-21 2000-06-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mobile telephone transmitter with internal auxiliary matching circuit
US20080290947A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Dawe Geoffrey C Reconfigurable tunable rf power amplifier
US20120087282A1 (en) * 2009-07-02 2012-04-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication high-frequency circuit and wireless communication apparatus
CN102792599A (zh) * 2009-06-03 2012-11-21 高通股份有限公司 用于功率放大器的可调谐匹配电路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3039749B2 (ja) * 1994-03-18 2000-05-08 株式会社富士通ゼネラル パラボラアンテナ装置
JPH07263980A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP3160525B2 (ja) * 1996-03-26 2001-04-25 株式会社ヨコオ トランジスタ増幅回路
US7202734B1 (en) * 1999-07-06 2007-04-10 Frederick Herbert Raab Electronically tuned power amplifier
US6650185B1 (en) 2002-04-26 2003-11-18 Motorola, Inc Frequency selective distributed amplifier
US6806767B2 (en) * 2002-07-09 2004-10-19 Anadigics, Inc. Power amplifier with load switching circuit
US7173505B2 (en) 2003-10-23 2007-02-06 Broadcom Corporation Tuning RF circuits using switched inductors provided in a monolithic integrated circuit
JP2007110685A (ja) * 2005-09-16 2007-04-26 Oki Electric Ind Co Ltd 受信装置およびその妨害信号減衰方法
WO2007099622A1 (ja) * 2006-03-01 2007-09-07 Fujitsu Limited 増幅回路
JP4485487B2 (ja) 2006-05-11 2010-06-23 シャープ株式会社 電力増幅器
KR20080007861A (ko) * 2006-07-18 2008-01-23 (주)네오팜 유류 분해능을 갖는 신규 미생물 및 유류 오염 토양의생물학적 복원 방법
US7949322B2 (en) 2007-03-09 2011-05-24 Qualcomm, Incorporated Frequency selective amplifier with wide-band impedance and noise matching
CN101669281B (zh) * 2007-04-20 2012-03-21 富士通株式会社 放大装置以及多赫尔蒂放大电路的控制方法
US8228123B2 (en) 2007-08-29 2012-07-24 Nxp B.V. Integrated Doherty amplifier
US8629725B2 (en) * 2010-12-05 2014-01-14 Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. Power amplifier having a nonlinear output capacitance equalization

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1249079A (zh) * 1997-02-25 2000-03-29 艾利森电话股份有限公司 用于远程通信的设备和方法
US6081694A (en) * 1997-10-21 2000-06-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Mobile telephone transmitter with internal auxiliary matching circuit
US20080290947A1 (en) * 2007-05-24 2008-11-27 Dawe Geoffrey C Reconfigurable tunable rf power amplifier
CN102792599A (zh) * 2009-06-03 2012-11-21 高通股份有限公司 用于功率放大器的可调谐匹配电路
US20120087282A1 (en) * 2009-07-02 2012-04-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wireless communication high-frequency circuit and wireless communication apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP2932594B1 (en) 2019-07-03
JP6030248B2 (ja) 2016-11-24
JP2016500499A (ja) 2016-01-12
CN104871429B (zh) 2018-01-12
EP2932594A1 (en) 2015-10-21
US20140167864A1 (en) 2014-06-19
US9035703B2 (en) 2015-05-19
WO2014100046A1 (en) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104871429A (zh) 可调谐宽带激励放大器
CN102208899B (zh) 功率放大器
EP2262107B1 (en) Inverse class F amplifier and method
CN105191120A (zh) 自适应功率放大器
CN104541405A (zh) 前端并联谐振开关
KR101649550B1 (ko) 스위칭가능한 공통 게이트 이득 버퍼를 갖춘 증폭기
US9130535B2 (en) Driver amplifier with asymmetrical T-coil matching network
TW201014161A (en) Driver amplifier having a programmable output impedance adjustment circuit
US8494455B2 (en) Methods and apparatus for a resonant transmit/receive switch with transformer gate/source coupling
EP2430749B1 (en) Switchable input pair operational amplifiers
CN103534940A (zh) 正反馈共栅极低噪声放大器
CN107306118B (zh) 功率放大模块
US8374196B2 (en) Methods and apparatus for a switchable balun for combined Bluetooth® and WLAN operation
CN106797203A (zh) 用于降低功率放大器中电源灵敏度的电路和方法
EP3084958B1 (en) Tunable loadline
WO2015031199A1 (en) Combination nmos/pmos power amplifier
CN103999359B (zh) 毫米波功率放大器
US9106198B2 (en) High power tunable capacitor
CN116325488A (zh) 宽带低功耗有源隔离器
CN105493284A (zh) 具有改善的线性度的金属氧化物半导体(mos)电容器
Abdullah et al. A Wideband 6.9–17.7 GHz CMOS low-noise amplifier with a gain flattening technique
WO2013003821A1 (en) Amplifier with high power supply noise rejection
JP2006148443A (ja) 高周波増幅器
KR20130052184A (ko) 트랜지스터 증폭회로 및 이를 적용한 전력 증폭기

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant