CN104867978A - 半导体装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及半导体装置及其制造方法，根据本发明能够提高半导体装置的电特性。半导体装置是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，具备半导体基板；第一N型半导体层，其层叠在上述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在上述第一N型半导体层上；第二N型半导体层，其层叠在上述P型半导体层上；以及槽部，其贯通上述第二N型半导体层和上述P型半导体层到达上述第一N型半导体层，上述槽部的长边方向是相对于[11－20]轴垂直偏±15°以下，上述槽部的侧壁具备与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸。

Description

半导体装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置。
背景技术
以往，已知在半导体装置中，通过在干式蚀刻后实施湿式蚀刻，来抑制漏电电流，提高半导体装置的电特性的方法(例如，专利文献1、2)。
专利文献1：日本特开2010－62381号公报
专利文献2：日本特开2010－40697号公报
但是，在这些方法中，仅通过湿式蚀刻除去由于干式蚀刻所产生的损伤层，作为用于提高电特性的方法并不充分。因此，期望进一步提高电特性的方法。另外，在以往的半导体装置中，期望提高其小型化、省资源化、制造的容易化、制造的精确度、作业性等。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而提出的，能够作为以下的方式实现。
(1)根据本发明的一方式，提供使用了六方晶系的半导体的半导体装置。该半导体装置是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，具备：半导体基板；第一N型半导体层，其层叠在上述半导体基板上；P型半导体层，其层叠在上述第一N型半导体层上；第二N型半导体层，其层叠在上述P型半导体层上；以及槽部，其贯通上述第二N型半导体层和上述P型半导体层到达上述第一N型半导体层；上述槽部的长边方向是相对于[11－20]轴垂直±15°以下，上述槽部的侧壁具备与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸。根据该方式，与在槽部的侧壁没有凹凸的情况相比较，槽部的侧壁的表面积增加。其结果，能够提高半导体装置的电特性。例如，在半导体装置为纵型MOSFET的情况下，能够使半导体元件的每一个元件的源极-漏极间的电流密度提高。
(2)在上述方式的半导体装置中，也可以还具备经由绝缘膜在上述槽部形成的电极。根据该方式，在经由绝缘膜形成有电极的槽部，能够提高电特性。
(3)在上述方式的半导体装置中，也可以上述半导体装置为MOSFET。根据该方式，能够进一步提高半导体装置的电特性。
(4)在上述方式的半导体装置中，也可以上述凹凸的与[0001]轴垂直的一边的长度在10nm以上200nm以下。根据该方式，能够抑制制造成本，并且能够不进行过度的蚀刻，而提高半导体装置的电特性。
(5)在上述方式的半导体装置中，也可以上述槽部的侧壁的表面积与没有上述凹凸的槽部的侧壁的表面积相比较在1.1倍以上。根据该方式，作为结果，能够提高半导体装置的电特性。
(6)在上述方式的半导体装置中，也可以上述槽部的侧壁与上述槽部的底面的角度为90°至95°。根据该方式，能够抑制槽部的底面的电场集中。其结果，能够提高半导体装置的耐压。
(7)在上述方式的半导体装置中，也可以上述槽部的侧壁的凹凸的厚度在单元间距的5％以下。根据该方式，能够抑制凹凸在半导体装置所占的比例，所以能够实现半导体装置的微细化。
(8)在上述方式的半导体装置中，也可以上述半导体主要由氮化镓形成。
(9)根据本发明的一方式，提供使用了六方晶系的半导体的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：准备具备层叠在半导体基板上的第一N型半导体层、层叠在上述第一N型半导体层上的P型半导体层、以及层叠在上述P型半导体层上的第二N型半导体层的半导体装置的中间产品的工序；在上述第二N型半导体层上利用光致抗蚀剂进行图案化的工序，在该工序中，以图案的长边方向相对于[11－20]轴垂直±15°以下的方式进行图案化；在进行了上述图案化的工序之后，通过干式蚀刻形成贯通上述第二N型半导体层和上述P型半导体层到达上述第一N型半导体层的槽部的工序；以及在形成了上述槽部之后，通过湿式蚀刻，在上述槽部的侧壁形成凹凸的工序。根据该方式，能够提高半导体装置的电特性。
上述的本发明的各方式具有的多个构成要素并非全部必需，为了解决上述的课题的一部分或者全部，或者，为了实现本说明书所记载的效果的一部分或者全部，能够适当地对上述多个构成要素的一部分的构成要素进行变更、删除、与新的其他的构成要素的替换、限定内容的一部分的删除。另外，为了解决上述的课题的一部分或者全部，或者，为了实现本说明书所记载的效果的一部分或者全部，也能够将上述的本发明的一方式所包含的技术特征的一部分或者全部与上述的本发明的其他的方式所包含的技术特征的一部分或者全部组合，作为本发明的独立的一方式。
本发明也能够以半导体装置及其制造方法以外的各种方式实现。例如，本申请发明能够以安装了上述方式的半导体装置的电气设备、制造上述方式的半导体装置的制造装置等方式实现。
根据该方式，与在槽部的侧壁没有凹凸的情况相比较，槽部的侧壁的表面积增加。其结果，能够提高半导体装置的电特性。例如，在半导体装置为纵型MOSFET的情况下，能够使半导体元件的每一个元件的源极-漏极间的电流密度提高。
附图说明
图1是示意地表示第一实施方式中的半导体装置10的结构的剖视图。
图2是表示半导体装置10的制造方法的工序图。
图3是表示半导体装置10的中间产品的剖视图。
图4是表示具备凹部182和凹部186的半导体装置10的中间产品的剖视图。
图5是表示层叠了光致抗蚀剂和绝缘膜的半导体装置10的中间产品的剖视图。
图6是表示N型半导体层140的一部分露出的半导体装置10的中间产品的剖视图。
图7是表示干式蚀刻后的半导体装置10的中间产品的剖视图。
图8是表示湿式蚀刻前后的半导体装置10的中间产品的示意图。
图9是放大示出槽部184的侧壁185的示意图。
图10是表示除去了绝缘膜的中间产品的剖视图。
图11是表示形成有电极230和电极240的中间产品的剖视图。
图12是表示在侧壁185具备凹凸的半导体装置、和在侧壁185不具备凹凸的半导体装置的Id－Vg测定中将不具备凹凸的半导体装置的Id的平均值设为1的情况下的Id之比的图。
图13是表示作为体电极的电极230和作为源电极的电极440在一部分重合的半导体装置20的图。
附图标记的说明：10…半导体装置，20…半导体装置，110…基板，182…凹部，184…槽部，185…侧壁，186…凹部，210…电极，230…电极，240…电极，250…电极，300…绝缘膜，340…绝缘膜，400…光致抗蚀剂，440…电极，C…距离。
具体实施方式
A.第一实施方式：
A1.半导体装置10的结构：
图1是示意地表示第一实施方式中的半导体装置10的结构的剖视图。半导体装置10是使用氮化镓(GaN)形成的GaN系的半导体装置。在本实施方式中，半导体装置10是沟槽栅型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)，使用于电力控制，也称为功率器件。
半导体装置10具备基板110、N型半导体层120、P型半导体层130、N型半导体层140、电极210、230、240、250、以及绝缘膜340。半导体装置10是NPN型的半导体装置，具有N型半导体层120、P型半导体层130、以及N型半导体层140依次接合的结构。此外，“基板110”也称为“半导体基板110”，“N型半导体层120”也称为“第一N型半导体层120”，“N型半导体层140”也称为“第二N型半导体层140”。
半导体装置10的N型半导体层120、P型半导体层130、以及N型半导体层140是通过有机金属气相生长法(MOCVD：Metal OrganicChemical Vapor Deposition)的晶体生长而形成的半导体层。在半导体装置10，通过干式蚀刻，形成有凹部182、槽部184、以及凹部186。
图1图示有相互正交的XYZ轴。图1的XYZ轴中，X轴是沿N型半导体层120针对基板110层叠的层叠方向的轴。沿X轴的X轴方向中，+X轴方向是从基板110朝向N型半导体层120的方向，－X轴方向是与+X轴方向对置的方向。图1的XYZ轴中，Y轴以及Z轴是与X轴正交并且彼此正交的轴。沿Y轴的Y轴方向中，+Y轴方向是从图1的纸面左方朝向纸面右方的方向，－Y轴方向是与+Y轴方向对置的方向。沿Z轴的Z轴方向中，+Z轴方向是从图1的纸面近前朝向纸面里面的方向，－Z轴方向是与+Z轴方向对置的方向。在本实施方式中，X轴是[0001]轴，Y轴是[11－20]轴，Z轴是[1－100]轴。
半导体装置10的基板110是沿由Y轴以及Z轴规定的面方向扩展的半导体层。在本实施方式中，基板110主要由氮化镓(GaN)形成，且以比N型半导体层120高的浓度含有锗(Ge)、氧(O)、硅(Si)等N型杂质作为施主。此外，所谓的主要由氮化镓(GaN)形成是指，在摩尔分数中，含有氮化镓(GaN)90％以上。
半导体装置10的N型半导体层120是层叠在基板110的+X轴方向侧且沿由Y轴以及Z轴规定的面方向扩展的半导体层。N型半导体层120主要由氮化镓(GaN)形成，并且以比N型半导体层140低的浓度含有硅(Si)作为施主。N型半导体层120也称为“n-－GaN”。
半导体装置10的P型半导体层130是层叠在N型半导体层120的+X轴方向侧且沿由Y轴以及Z轴规定的面方向扩展的半导体层。P型半导体层130主要由氮化镓(GaN)形成，并含有镁(Mg)作为P型杂质。P型半导体层130也称为“p－GaN”。
半导体装置10的N型半导体层140是层叠在P型半导体层130的+X轴方向侧且沿由Y轴以及Z轴规定的面方向扩展的半导体层。N型半导体层140主要由氮化镓(GaN)形成，且以比N型半导体层120高的浓度含有硅(Si)作为施主。N型半导体层140也称为“n+－GaN”。
半导体装置10的凹部182是通过干式蚀刻形成且P型半导体层130从N型半导体层140的+X轴方向侧露出的部位。凹部182也称为凹槽(recess)。
半导体装置10的槽部184是通过干式蚀刻形成且从N型半导体层140的+X轴方向侧贯通P型半导体层130并凹下至N型半导体层120的部位。槽部184也称为沟槽(trench)。在本实施方式中，槽部184位于凹部182的+Y轴方向侧。
在槽部184的表面，到N型半导体层140的+X轴方向侧形成有绝缘膜340。在本实施方式中，绝缘膜340由二氧化硅(SiO2)形成。
半导体装置10的凹部186是通过干式蚀刻形成且从N型半导体层140的+X轴方向侧贯通P型半导体层130并凹下至N型半导体层120的部位。凹部186是为了分离半导体元件而设置的区域。在本实施方式中，凹部186位于槽部184的－Y轴方向侧。
半导体装置10的电极210是形成在基板110的－X轴方向侧的漏电极。在本实施方式中，电极210通过在由钛(Ti)形成的层上层叠由铝(Al)形成的层之后进行烧制来形成。
半导体装置10的电极230是形成在凹部182的内侧露出的P型半导体层130的体电极。在本实施方式中，电极230通过层叠由钯(Pd)形成的层之后进行烧制来形成。
半导体装置10的电极240是形成在凹部182与槽部184之间的N型半导体140的+X轴方向侧的源电极。在本实施方式中，电极240通过在由钛(Ti)形成的层上层叠由铝(Al)形成的层之后进行烧制来形成。
半导体装置10的电极250是形成在槽部184中的绝缘膜340上的栅电极。在本实施方式中，电极250由铝(Al)形成。
槽部184的侧壁185具备凹凸。该凹凸通过后面详述的制造工序形成。该凹凸是与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸，沿X方向延伸。通过具备该凹凸，侧壁185的每一单位面积的表面积增加。因此，能够提高半导体装置的电特性。换言之，能够提高半导体装置的每一个元件的源电极-漏电极间的电流密度。
A2.半导体装置10的制造方法：
图2是表示半导体装置10的制造方法的工序图。制造半导体装置10时，首先，制造者在基板110上依次形成N型半导体层120、P型半导体层130、以及N型半导体层140(工序P110)。由此，制造者得到在基板110上形成有各半导体层的半导体装置10的中间产品。换言之，制造者通过工序P110，准备半导体装置10的中间产品。此外，所谓的中间产品是指制造过程中的半导体装置。
图3是表示半导体装置10的中间产品的剖视图。在本实施方式中，制造者使用有机金属气相生长法(MOCVD)，在基板110上形成各半导体层。
形成了各半导体层之后，制造者在半导体装置10的中间产品形成从N型半导体层140达到P型半导体层130的凹部182、和从N型半导体层140达到N型半导体层120的凹部186(工序P115)。
图4是表示具备凹部182和凹部186的半导体装置10的中间产品的剖视图。作为凹部182和凹部186的形成方法，首先层叠成为掩模的绝缘膜，之后利用光致抗蚀剂进行图案化。此时，凹部182以及凹部186的图案的长边方向也可以不与[11－20]轴垂直。其后，通过进行蚀刻，制造者形成凹部182和凹部186。在本实施方式中，作为蚀刻，采用干式蚀刻。此外，干式蚀刻之后，为了除去由于蚀刻带来的损伤层，也可以进行湿式蚀刻。
接下来，制造者为了在半导体装置10的中间产品形成从N型半导体层140达到N型半导体层120的槽部184，首先，在中间产品的表面(+X方向的面)层叠成为掩模的绝缘膜300，之后在光致抗蚀剂400进行图案化(工序P120)。此时，以图案的长边方向以与[11－20]轴垂直±15°以下的方式进行图案化。图案的长边方向是图中Z轴方向。此外，该控制例如，能够基于基板110的定向平面(orientation flat)进行。
图5是表示层叠了光致抗蚀剂400和绝缘膜300的半导体装置10的中间产品的剖视图。
接下来，制造者沿光致抗蚀剂400的图案对绝缘膜300进行蚀刻，其后，剥离光致抗蚀剂400(工序P125)。蚀刻方法能够采用干式蚀刻或湿式蚀刻的至少一个。
图6是表示N型半导体层140的一部分露出的半导体装置10的中间产品的剖视图。由此，能够仅在形成有槽部184的部分进行其后进行的干式蚀刻。
其后，制造者通过进行干式蚀刻，形成槽部184(工序P130)。作为本实施方式中的干式蚀刻的条件，例如，能够例示等离子体生成电力为100W，偏置电力为45W，SiCl4/Cl2气体流量比为0.1这样的条件。此外，本发明并不限定于该条件。例如，蚀刻气体也可以使用Cl2和BCl3。
图7是表示干式蚀刻后的半导体装置10的中间产品的剖视图。干式蚀刻以上述槽部的侧壁相对于[11－20]轴在75°以上105°以下的方式进行。从电特性的提高的观点来看，优选上述槽部的侧壁相对于[11－20]轴在80°以上100°以下，进一步优选在85°以上95°以下，更优选在88°以上92°以下。
接下来，制造者通过进行湿式蚀刻，在槽部184的侧壁185形成凹凸(工序P135)。作为本实施方式中的湿式蚀刻的条件，例如，能够例示溶液为22％TMAH(Tetra-methyl-ammonium hydroxide：四甲基氢氧化铵)，温度为85℃，时间为30分这样的条件。此外，本发明并不限定于该条件。
图8是表示湿式蚀刻前后的半导体装置10的中间产品的示意图。本图在从+X方向示出半导体装置10的中间产品这一点与图7等图不同。图8的左侧的图示出了湿式蚀刻前的中间产品，图8的右侧的图示出了湿式蚀刻后的中间产品。如图8所示，通过湿式蚀刻在侧壁185形成凹凸。作为产生凹凸的原因，由于(11－20)面是蚀刻的行进比较容易的面，所以推断由于湿式蚀刻而(11－20)面以外的面露出这样的现象。
图9是放大示出槽部184的侧壁185的示意图。如图9所示，将槽部184的长边方向的宽度设为宽度t，将槽部184的厚度方向设为厚度S，并将凹凸的一边的长度设为长度r。
作为长度r的下限，优选在10nm以上，进一步优选在20nm以上，更优选在30nm以上。通过使长度r的下限为该范围，与在槽部184的侧壁185没有凹凸的情况相比较，电流量优越地增加。另一方面，作为长度r的上限，优选在200nm以下，进一步优选在100nm以下，更优选在70nm以下。通过使长度r的上限为该范围，进行湿式蚀刻的部分可以较少。
另外，厚度S优选在半导体元件的单元间距的5％以下。由此，能够使半导体元件的设计微细化。此外，“厚度S”表示凹凸的最高部与最低部的差。在本实施方式中，所谓的“单元间距”是指相邻的半导体元件间的距离。单元间距例如，能够以图8的距离C图示。此外，厚度S作为最大值优选在半导体元件的单元间距的5％以下，厚度S也可以未必均匀。
图10是表示除去了绝缘膜300的中间产品的剖视图。在该状态中，在槽部184的侧壁185有形成凹凸。相对于湿式蚀刻后的槽部184的底面的侧壁185的角度θ优选为90°～95°。通过成为该范围，能够抑制电场集中所引起的耐压降低，并且，能够充分地除去干式蚀刻所带来的损伤层。
接下来，制造者在半导体装置10的中间产品的整个面上堆积绝缘膜340，并在形成电极230和电极240的部分形成接触孔。其后，制造者形成电极230和电极240(工序P140)。
图11是表示形成有电极230和电极240的中间产品的剖视图。
电极230、240的形成后，制造者进行用于减少各电极的接触电阻的热处理(工序P145)。其后，制造者在层叠了绝缘膜340的槽部184形成电极250(工序P150)。
最后，制造者在半导体装置10的中间产品的－X侧形成电极210(工序P155)。通过这些工序，图1所示的半导体装置10完成。
B.性能评价：
图12是表示在侧壁185具备凹凸的半导体装置、和在侧壁185不具备凹凸的半导体装置的Id－Vg测定中将不具备凹凸的半导体装置的Id的平均值设为1的情况下的Id之比的图。本图示出了将在槽部184的侧壁185不具备凹凸的半导体装置的Id－Vg的值设为1的情况下的相对值。作为测定方法，使用了测定对电极210以及电极250施加了确定的电压的情况下的流通电极250的电流值的方法。此外，在侧壁不具备凹凸的半导体装置与侧壁平坦的半导体装置同义。
在槽部184具备凹凸的半导体装置是利用上述制造方法制造出的半导体装置10。另一方面，在槽部184不具备凹凸的半导体装置除了在通过干式蚀刻形成槽部184时，使作为侧壁185露出的面成为(1－100)面以外，通过与半导体装置10相同的制造方法制造。n数为8。
图12所示的结果示出了在槽部184的侧壁185具备凹凸的半导体装置与在槽部184的侧壁185不具备凹凸的半导体装置相比较，流过电极250的电流较大。具体而言，示出了在槽部184的侧壁185具备凹凸的半导体装置与在槽部184的侧壁185不具备凹凸的半导体装置相比较，流过电极250的电流大1.1倍。作为流过电极250的电流大1.1倍的重要因素，具备凹凸的侧壁185的表面积是不具备凹凸的侧壁185的表面积的1.1倍大是原因，即、MOSFET中的栅极宽度较大是原因。
C.变形例：
该发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够在各种方式实施，例如也能够进行下面那样的变形。
C1.变形例1：
在本实施方式中，作为基板和N型半导体层的至少一方所包含的施主，使用硅(Si)，但本发明并不限于此。作为施主，也可以使用锗(Ge)、氧(O)。
C2.变形例2：
在本实施方式中，作为P型半导体层所包含的受主，使用镁(Mg)，但本发明并不限于此。作为受主，也可以使用锌(Zn)、碳(C)。
C3.变形例3：
在本实施方式中，半导体使用作为六方晶系的半导体的氮化镓。但是，本发明并不限于此。作为半导体，也可以使用其他的六方晶系的半导体。
C4.变形例4：
在本实施方式中，作为体电极的电极230由钯(Pd)形成。但是，本发明并不限于此。电极230也可以由其他的材料形成，也可以是多层的结构。例如，电极230也可以是包含镍(Ni)、白金(Pt)、钴(Co)等导电性材料的至少一个的电极，也可以是镍(Ni)/钯(Pd)结构、白金(Pt)/钯(Pd)结构(钯在半导体基板侧)那样的双层结构。
C5.变形例5：
在本实施方式中，作为栅电极的电极250由铝(Al)形成。但是，本发明并不限于此。电极250也可以使用多晶硅。另外，电极250也可以由其他的材料形成，也可以是多层的结构。例如，电极250也可以是金(Au)/镍(Ni)结构、铝(Al)/钛(Ti)结构、铝(Al)/氮化钛(TiN)结构(镍、钛、氮化钛分别在栅极绝缘膜侧)那样的双层结构，也可以是氮化钛(TiN)/铝(Al)/氮化钛(TiN)结构那样的三层结构。
C6.变形例6：
在本实施方式中，槽部的侧壁的表面积与没有凹凸的槽部的表面积相比较为1.1倍。但是，本发明并不限于此。槽部的侧壁的表面积与没有凹凸的槽部的表面积相比较在1.01倍以上即可，优选在1.1倍以上。
C7.变形例7：
在本实施方式中，半导体装置10使用MOSFET。但是，本发明并不限于此。换言之，半导体装置10使用半导体即可。作为MOSFET以外的半导体，能够列举IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等具有沟槽栅的半导体。
C8.变形例8：
在本实施方式中，作为体电极的电极230和作为源电极的电极240以不重合的方式形成。但是，本发明并不限于此。也可以电极230和电极240至少在一部分重合的方式形成。
图13是表示作为体电极的电极230和作为源电极的电极440在一部分重合的半导体装置20的图。半导体装置10和半导体装置20虽然源电极的形状不同，但除此之外相同。由此，不需要在电极230和电极440之间设置缝隙，所以能够缩短电极230和电极440的整体长度。
本发明并不限定于上述的实施方式、变形例，在不脱离其主旨的范围内能够以各种结构实现。例如，与发明内容所记载的各方式中的技术特征对应的实施方式、变形例中的技术特征为了解决上述课题的一部分或者全部，活着，为了实现上述效果的一部分或者全部，能够适当地进行替换、组合。另外，若该技术特征在本说明书中并未作为必需的特征进行说明，则能够适当地删除。

Claims (9)

1.一种半导体装置，是使用了六方晶系的半导体的半导体装置，所述半导体装置的特征在于，具备：
半导体基板；
第一N型半导体层，其层叠在所述半导体基板上；
P型半导体层，其层叠在所述第一N型半导体层上；
第二N型半导体层，其层叠在所述P型半导体层上；以及
槽部，其贯通所述第二N型半导体层和所述P型半导体层到达所述第一N型半导体层，
所述槽部的长边方向是相对于[11－20]轴垂直±15°以下，所述槽部的侧壁具备与[0001]轴垂直的条纹状的凹凸。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具备经由绝缘膜在所述槽部形成的电极。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置是MOSFET。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述凹凸的与[0001]轴垂直的一边的长度在10nm以上200nm以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽部的侧壁的表面积与没有所述凹凸的槽部的侧壁的表面积相比较在1.1倍以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽部的侧壁与所述槽部的底面的角度为90°至95°。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述槽部的侧壁的凹凸的厚度在单元间距的5％以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体主要由氮化镓形成。
9.一种半导体装置的制造方法其特征在于，
其为使用了六方晶系的半导体的半导体装置的制造方法，具备：
准备具备层叠在半导体基板上的第一N型半导体层、层叠在所述第一N型半导体层上的P型半导体层、以及层叠在所述P型半导体层上的第二N型半导体层的半导体装置的中间产品的工序；
在所述第二N型半导体层上利用光致抗蚀剂进行图案化的工序，在该工序中，以图案的长边方向相对于[11－20]轴垂直±15°以下的方式进行图案化；
在进行了所述图案化的工序之后，通过干式蚀刻形成贯通所述第二N型半导体层和所述P型半导体层到达所述第一N型半导体层的槽部的工序；以及
在形成了所述槽部之后，通过湿式蚀刻，在所述槽部的侧壁形成凹凸的工序。
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