CN104836619A - 一种光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种光器件，涉及光通信领域，能够满足高频信号传输的阻抗匹配要求。该光器件，包括：第一基板、第二基板和转接板；第一基板的上表面设置有第一导电通路，第一基板的下表面设置有第二导电通路；第二基板的上表面设置有第三导电通路；转接板上设置有微带线结构，微带线结构包括设置在转接板上表面的转接线路；第二基板的上表面与第一基板的下表面相对，其中第二导电通路与第三导电通路贴合，转接板设置于第二基板上表面的上方，并位于第三导电通路之间；转接线路的一端通过打线与第一导电通路电连接，转接线路的另一端通过打线与光器件的内部元件连接。本发明的实施例用于光器件制造。

Description

一种光器件
技术领域
本发明涉及光通信领域，尤其涉及一种光器件。
背景技术
光通信领域的光模块和光器件的发展非常迅速，随着国内大量的FTTH(Fiber To The Home，光纤直接到家庭)和3G/4G网络建设，使得对光模块和光器件的需求越来越大。因此开发速率高，传输远，小型化，低功耗的光模块和光器件成为设备商和器件商的关注重点。
其中，为了适应光器件的小型化发展，通常将封装的激光器及其他电器件用作光器件，封装于内部的激光器及其他电器件连接外界的PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)电路板，以向激光器及其他电器件供电。其中，由于外界的PCB电路板通过PCB板与激光器及其他元件之间的导电通路为激光器及其他元件供电，因此各个导电通路的阻抗匹配设计对输入激光器的高频信号影响较大。
发明内容
本发明的实施例提供一种光器件，能够满足高频信号传输的阻抗匹配要求。
提供一种光器件，其特征在于，包括：第一基板、第二基板和转接板；
所述第一基板的上表面设置有第一导电通路，所述第一基板的下表面设置有第二导电通路；
所述第二基板的上表面设置有第三导电通路；
所述转接板上设置有微带线结构，所述微带线结构包括设置在所述转接板上表面的转接线路；
所述第二基板的上表面与所述第一基板的下表面相对，其中所述第二导电通路与所述第三导电通路贴合，所述转接板设置于所述第二基板上表面的上方，并位于所述第三导电通路之间；
所述转接线路的一端通过打线与所述第一导电通路电连接，所述转接线路的另一端通过打线与所述光器件的内部元件连接。
上述提供的光器件，包括第一基板、第二基板和转接板，为适应打线仅能在基板的单侧面实现的要求，所有需要打线的导电通路第一导电通路、第三导电通路和转接线路均设置于载体基板的同一侧，其中，第三导电通路通过贴合第二导电通路实现中转连接；每一条第三导电通路的信号输出端通过打线与光器件内封装的元件电连接，因此第三导电通路的信号输出端需要暴露于第一基板的一侧，从而增加了第一导电通路与连接的元件之间的打线距离，因而将转接板设置于第二基板上表面的上方，并位于第三导电通路之间，以实现第一导电通路和元件的连接通过转接板上的转接线路进行转接，由于转接板上设置有微带线结构，并且微带线结构包括设置在所述转接板上表面的转接线路，而微带线结构使得在转接线路传输的高频信号的特性阻抗可控，因此可以在本发明的实施例中可以通过设定转接线路与所述第一导电通路满足预定的阻抗匹配，从而相当于缩短了第一导电通路与连接的元件之间的打线长度，进而避免了打线长度过长造成的传输路径与高频信号的阻抗不匹配，从而满足高频信号传输的阻抗匹配要求。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的一种光器件的外部结构示意图；
图2为本发明的实施例提供一种光器件的内部结构示意图；
图3为本发明的实施例提供的如图2所示的光器件的局部结构示意图一；
图4为本发明的实施例提供的如图2所示的光器件的局部结构示意图二；
图5为本发明的实施例提供的如图2所示的光器件的局部结构示意图三；
图6为本发明的实施例提供的如图2所示的光器件的转接板的结构示意；
图7为本发明的实施例提供的如图2所示的光器件的第一基板和第二基板的截面结构示意；
图8为本发明的另一实施例提供的如图2所示的光器件的局部结构示意图；
图9为本发明的实施例提供的第一基板上的第一微带线结构的结构示意图；
图10为本发明的实施例提供的如图9所示的第一微带线结构的A-A’截面结构示意图；
图11为本发明的实施例提供的一种转接板上的微带线结构的结构示意图；
图12为本发明的实施例提供的如图11所示的转接板上的微带线结构的B-B’截面结构示意图；
图13为本发明的实施例提供的第一基板上的第二微带线结构的结构示意图；
图14为本发明的实施例提供的如图13所示的第二微带线结构的C-C’截面结构示意图；
图15为本发明的另一实施例提供的一种转接板上的微带线结构的结构示意图；
图16为本发明的实施例提供的如图15所示的转接板上的微带线结构的D-D’截面结构示意图；
附图标记：
光纤适配器-101；
腔体-102；
管脚-103、104；
激光器-105；
激光器的阳极-105a；
热沉-106；
第一微带线结构-200；
第一基板-201；
第二基板-202；
转接板-203；
第一导电通路-204(204a、204b、204c、204d、204e、204f、204g)；
第二导电通路-205；
第三导电通路-206；
转接线路-207(207a、207b、207c、207d、207e、207f、207g)；
转接板上的微带线结构-300；
第一导电层-301；
过孔-302、304；
第二导电层-303；
第二微带线结构-400。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，此外，本发明的实施例中内端和外端均是按照信号在传输通路中的方向进行定义，即按照信号在传输通路的方向，定义信号输入的一端为传输通路的外端或者信号输入端，定义信号输出的一端为内端或者信号输出端，当然也可以按照原则定义其他名称，因此不能理解为对本发明的限制。
在光通信领域的光模块和光器件的发展非常迅速，系统运营商对光模块和光器件要求也越来越高。具体表现在以下几个方面：传输速率，从1.25G，2.5G，10G，40G，到100G或更高；传输距离，从2km，10km，40km，到80km或更远；小型化，光模块从GBIC(英文：GigabitInterface Converter，千兆位电信号转换接口)，XENPAK(英文：10Gigabit EtherNet Transceiver PAcKage，万兆以太网接口收发器集合封装光模块)，X2(XENPAK演进的一种10G光模块)，XFP(英文：10Gigabit Small Form Factor Pluggable，10G比特每秒的小型可热插拔光模块)到SFP+(英文：Small Form-factor Pluggables，小型可热插拔光模块)；相应的，光器件从Butterfly(蝶形)到XMD(英文：10Gbit/s Miniature Device，10G比特每秒的微型器件)。本发明的实施例中提供的光器件为采用XMD封装方式的光器件，当然本发明提供的光器件不限于采用XMD封装方式的光器件。
如图1所示本发明的实施例提供的光器件的封装结构通常包括：光纤适配器101、腔体102，激光器及其他元件(图1中未示出)封装于腔体中，激光器发出的光通过光纤适配器101进入光纤，光器件通过管脚(103和104)与供电的PCB(英文：Printed Circuit Board，印制电路板)电路板连接，以固定光器件并向激光器及其他元件供电。
其中，光器件内部的激光器及其他元件通过设置在腔体102中的转接组件与管脚(103和104)电连接，具体的参照图2、3、4、5、6、7所示，腔体102中设置有第一基板201、参照图3、4所示，第一基板201的上表面设置有第一导电通路204，第一导电通路204的外端设置有管脚103，第一导电通路204的内端可通过打线方式连接腔体102内的元件。
由于光器件内部需要供电的元件较多，因此需要在第一基板201的上表面设置多条第一导电通路204，为保证每一条导电通路之间具有足够的隔离间距，在同一基板的同一表面上设置多条导电通路需要占用的宽度比较大，从而影响光器件的整体宽度，不利于光器件的小型化，因而第一基板201的下表面设置有第二导电通路205，其中第二导电通路205的外端设置有管脚104；但是由于打线仅能在基板的单侧面实现，因此腔体102中还设置有第二基板202，第二基板202的上表面设置有第三导电通路206，参照图3、4、7所示，第二基板202的上表面与第一基板201的下表面相对，其中第二导电通路205与第三导电通路206贴合，第三导电通路206的内端可以通过打线方式连接腔体102内的元件；具体的，每一条第二导电通路205的内端与一条第三导电通路206的外端贴合，由于每一条第三导电通路的信号输出端通过打线与光器件内封装的元件电连接，因此第三导电通路的内端需要暴露于第一基板的一侧；而第二导电通路205的外端需要设置管脚104，因此每一条第二导电通路205的外端暴露于第二基板202的一侧。
由于第二导电通路205与第三导电通路206为贴合电连接，对位精度较低，不易保证导电通路的阻抗匹配，因此通常用于直流信号的传输，而采用第一导电通路204用作激光器的高频信号传输，但是由于第三导电通路206的内端需要暴露于第一基板的一侧，从而增加了第一导电通路204与连接的元件之间的打线距离，而打线的形状状态致使其呈现一定的电感特性，从而会导致信号传输通道的阻抗不匹配，为解决打线长度过长造成的传输路径与高频信号的阻抗不匹配的问题，腔体102中还设置有转接板203，参照图6所示，转接板203上设置有微带线结构，转接板203上的微带线结构包括设置在转接板203上表面的转接线路207。参照图2、3、4所示，转接线路207的一端通过打线与第一导电通路204电连接，转接线路207的另一端通过打线与光器件的内部元件连接，管脚204通过第一导电通路204与转接线路207向光器件的激光器输入高频信号。转接板203上的微带线结构包括的转接线路使得传输的高频信号的特性阻抗可控，良好的解决了打线长度过长造成的传输路径与高频信号的阻抗不匹配的问题。
上述提供的光器件，包括第一基板、第二基板和转接板，为适应打线仅能在基板的单侧面实现的要求，所有需要打线的导电通路第一导电通路、第三导电通路和转接线路均设置于载体基板的同一侧，其中，第三导电通路通过贴合第二导电通路实现中转连接；每一条第三导电通路的信号输出端通过打线与光器件内封装的元件电连接，因此第三导电通路的信号输出端需要暴露于第一基板的一侧，从而增加了第一导电通路与连接的元件之间的打线距离，因而将转接板设置于第二基板上表面的上方，并位于第三导电通路之间，以实现第一导电通路和元件的连接通过转接板上的转接线路进行转接，由于转接板上设置有微带线结构，并且转接板上的微带线结构包括设置在转接板上表面的转接线路，而微带线结构使得在转接线路传输的高频信号的特性阻抗可控，因此可以在本发明的实施例中可以通过设定转接线路与第一导电通路满足预定的阻抗匹配，从而相当于缩短了第一导电通路与连接的元件之间的打线长度，进而避免了打线长度过长造成的传输路径与高频信号的阻抗不匹配，从而满足高频信号传输的阻抗匹配要求。
参照图2所示，由于第一基板201和第二基板201安装在光器件的腔体102的一端，而图3所示的第一基板201上导电通路两端的边缘均为齐平的结构，因此造成第一基板201和第二基板202在与腔体102交界的位置形成台阶形缺口，因此在封装过程中不易将腔体102完全封闭；为了在封装过程中将腔体102完全封闭，参照图8所示，第一基板201上包括缺口，缺口两侧的突出边缘与第二基板202对齐；转接板203位于缺口中。参照上述结构，每一条第三导电通路206的内端暴露于缺口中，第一基板上缺口两侧的突出边缘与第二基板202对齐，以利用缺口两侧的突出边缘将腔体102完全封闭。
此外参照图2所示，以对激光器的封装为例进行说明，附图2进一步示出了，激光器105、热沉106，其中激光器105的阴极贴合于热沉表面的导电层，激光器的阳极105a位于激光器105的上表面，热沉上表面还贴附有其他电器件，如：热敏电阻、MPD(英文全称：monitorphotodiode，背光探测二极管)、TEC等，为了便于金线的打线，尽量降低打线的长度，热沉106的上表面与第二基板202的上表面处于同一平面或接近同一平面。
此外，类似于激光器的元件需要通过高频信号驱动，而高频信号的传输要求传输线路到达所需的阻抗匹配要求，以保证高频信号能完全传输负载点(如图2中激光器的阳极105a)，而不会在传输线路中形成反射，从而提高高频信号的信号质量。参照图7所示，由于每一条第二导电通路205的一端与一条第三导电通路206的一端贴合，受到工艺精度的限制，第二导电通路205与第三导电通路206并不能保证完全正对贴合，而当第二导电通路205与第三导电通路206不能完全正对贴合时，传输线路的阻抗不能保证，因此优先考虑通过第一基板201上表面的第一导电通路204向激光器的阳极105a提供高频信号，而如果直接通过金线将第一导电通路204与激光器的阳极105a进行电连接，则高频信号需要通过相当长度的金线后传输至激光器的阳极105a，而由于金线的形状状态致使其呈现一定的电感特性，从而会导致信号传输通道的阻抗不连续，传输带宽受到很大限制，因此本发明的实施例中采用转接板203上的转接线路207将第一导电通路204与激光器的阳极105a连通，此外为了最大限度的降低第一导电通路204与激光器105之间传输线路直径的长度，将转接板203设置于第一基板201的缺口中，以使得第一导电通路204与激光器的阳极105a近似直线连接。同时由于只在转接线路207与激光器的阳极105a的转接处及转接线路207与第一导电通路204的转接处使用了金线以打线方式连接，因此最大限度降低了打线的长度。当然由于金线仅对高频信号的传输产生影响，因此转接板203上可以仅设置用于高频信号传输的转接线路。此外如图2所示，转接板的厚度可以与第一基板的厚度相同，当转接板的厚度小于第一基板的厚度时，为使转接板上转接线路的内端尽量接近连接的元件，转接线路的外端尽量接近连接的第一导电通路的内端，从而最大化降低打线长度，转接板可以采用如图2所示的方式按照内端向下倾斜的方式设置。
其中，激光器包括：直调式激光器及外调式激光器两大类。对于常见的直调式激光器，如：分布反馈激光器(英文：DistributedFeedback Laser，简称：DFB)，只需要提供高频信号即可实现驱动；对于常见的外调式激光器，如：电吸收调制激光器(英文：Electlro-absorption Modulated Laser，简称：EML)，不仅需要提供高频信号，还需要提供直流信号才能实现驱动。直流信号主要用于光器件内部半导体制冷器的供电、热敏电阻信号的回传、背光检测单元检测电流的回传等。激光器的调制信号采用常规方式输入时可以采用一条信号向激光器的阳极提供高频信号，激光器的阴极采用共地方式连接地线；或者，激光器的调制信号采用差分信号输入时，采用一对差分信号线中的一条向激光器的阳极提供第一高频信号，采用一对差分信号线中的另一条向激光器的阴极提供第二高频信号。而高频信号连接需遵循两个地线(G)包裹一个或一组高频信号线(S)的规则以保障高频信号线(S)与地线(G)之间的阻抗匹配，因此采用常规方式时，常见的连接方式有GSG以及GSGSG，采用差分信号方式时，常见的连接方式，如GSSG。如图3或5所示，第一基板201的上表面具有五条第一导电通路204，采用常规方式时，可以任选三条相邻的第一导电通路201，将中间的一条第一导电通204路用于高频信号线(S)的连接，与高频信号线(S)相邻的两条第一导电通路204用于地线(G)的连接，并在转接板上表面任选三条转接线路分别与上述第一基板201的上表面选定的三条第一导电通路204连接，当然转接板203上表面的三条转接线路207也采用中间的一条转接线路207用于高频信号线(S)的连接，与高频信号线(S)相邻的两条转接线路207用于地线(G)的连接的方式，从而形成GSG形式的；或者，对于第一基板201的上表面具有五条第一导电通路204，并且转接板203上表面包括五条转接线路207时，选取中间的导电通路用于地线(G)的连接，与地线(G)相邻的两条导电通路用于信号线(S)的连接,最外围的两条导电通路用于地线(G)的连接，由此构成了GSGSG形式的高频信号连接方式。采用差分信号方式时，可以任选四条相邻的第一导电通路204，将中间的一条第一导电通路204用于第一高频信号线(S)的连接，将中间的另一条第一导电通路204用于第二高频信号线(S)的连接，与四条相邻的第一导电通路204中两侧的两条第一导电通路204用于地线(G)的连接，并在转接板203上表面任选四条转接线路207分别与上述第一基板201的上表面选定的四条第一导电通路204连接，当然转接板203上表面的四条转接线路207也采用中间的两条转接线路207分别用于第一高频信号线(S)及第二高频信号线(S)的连接，四条转接线路207中两侧的两条转接线路207用于地线(G)的连接的方式，从而形成GSSG形式的高频信号连接方式。
进一步的，采用常规方式输入调制信号时，为了防止在第一基板201上高频传输路径中传输的高频信号的高频特性恶化，本发明的实施例提供的光器件进一步包括：设置在第一基板上的第一微带线200结构，如图9、10所示，其中，第一基板201为多层结构，第一微带线结构200包括：第一基板201的上表面上相邻的三条第一导电通路204(204a、204b、204c)，以及设置在第一基板201内部的第一导电层301；第一导电层301通过过孔302与第一微带线结构200中相邻的三条第一导电通路204(204a、204b、204c)中两侧的两条第一导电通路204(204a、204c)电连接。其中，可选的第一微带线结构200中相邻的三条第一导电通路204(204a、204b、204c)中中间的一条第一导电通路204b通过一条转接线路连接激光器的阳极，用于传输激光器阳极的高频信号；第一微带线结构200中相邻的三条第一导电通路中两侧的两条第一导电通路(204a、204c)分别通过一条转接线路连接激光器的阴极，用于激光器阴极接地。如上述的以GSG形式提供高频信号时，第一导电通路204a、第一导电通路204c与第一导电层301连接地线(G)，第一导电通路204b用于高频信号线(S)，由于第一微带线结构中第一导电通路204b的两侧一侧为低介电常数的空气介质，另一侧为高介电常数的第一导电层301，因此更有利于高频信号的传输。其中为保证第一导电通路204b朝向第一导电层301的电场线均匀的密集分布，可以均匀的设置多个过孔302以将第一导电层301分别与第一导电通路204a和204c电连接。
可选的，参照图11、12所示，基于上述类似的目的为了防止在转接板203的高频传输路径中传输的高频信号的高频特性恶化，本发明的实施例提供中转接板203上的微带线结构300包括：转接板203的上表面上相邻的三条转接线路207，以及设置在转接板203内部的第二导电层303；第二导电层303通过过孔304与转接板203上的微带线结构300中相邻的三条转接线路207(207a、207b和207c)中两侧的两条转接线路207(207a、207c)电连接。其中，可选的，转接板203上的微带线结构300中相邻的三条转接线路207(207a、207b和207c)中中间的一条转接线路207b连接激光器的阳极，用于传输激光器阳极的高频信号；转接板203上的微带线结构300中相邻的三条转接线路207(207a、207b和207c)中两侧的两条转接线路(207a、207c)连接激光器的阴极，用于激光器阴极接地。如上述的以GSG形式提供高频信号时，转接线路207a、转接线路207c与第二导电层303连接地线(G)，转接线路207b用于高频信号线(S)，由于第二微带线结构中转接线路207b的两侧一侧为低介电常数的空气介质，另一侧为高介电常数的第三导电层303，因此更有利于高频信号的传输。其中为保证转接线路207b朝向第二导电层303的电场线均匀的密集分布，可以均匀的设置多个过孔304以将第二导电层302分别与转接线路207b和207c电连接。
可选的，采用差分信号方式输入调制信号时，为了防止在第一基板201的高频传输路径中传输的高频信号的高频特性恶化，如图13、14所示，本发明的实施例提供的第一基板201为多层结构，第一基板201上包括第二微带线结构400，第二微带线结构400包括：第一基板201的上表面上相邻的四条第一导电通路204(204d、204e、204f和204g)，以及设置在第一基板201内部的第一导电层301；第一导电层301通过过孔302与第二微带线结构400中相邻的四条第一导电通路204(204d、204e、204f和204g)中两侧的两条第一导电通路204(204d、204g)电连接。其中，可选的第二微带线结构400中相邻的四条第一导电通路204(204d、204e、204f和204g)中中间的一条第一导电通路204e通过一条转接线路连接激光器的阳极，用于传输激光器阳极的第一高频信号；第二微带线结构400中相邻的四条第一导电通路204(204d、204e、204f和204g)中中间的另一条第一导电通路204f通过一条转接线路连接激光器的阴极，用于传输激光器阴极的第二高频信号；相邻的四条第一导电通路中204(204d、204e、204f和204g)两侧的两条第一导电通路204d和204g接地。如上述的以GSSG形式提供高频信号时，第一导电通路204d、第一导电通路204g与第一导电层301连接地线(G)，第一导电通路204e和第一导电通路204f构成差分信号传输通路，由于第二微带线结构中第一导电通路204e和第一导电通路204f的两侧一侧为低介电常数的空气介质，另一侧为高介电常数的第一导电层301，因此更有利于高频信号的传输。其中为保证第一导电通路204e和第一导电通路204f朝向第一导电层301的电场线均匀的密集分布，可以均匀的设置多个过孔302以将第一导电层301分别与第一导电通路204d和204g电连接。
可选的，参照图15、16所示，基于上述相同的目的为了防止在转接板203的高频传输路径中传输的高频信号的高频特性恶化，本发明的实施例提供的转接板203上的微带线结构300，包括：转接板203的上表面上相邻的四条转接线路207，以及设置在转接板203内部的第二导电层303；第二导电层303通过过孔304与转接板203上的微带线结构300中相邻的四条转接线路207(207d、207e、207f和207g)中两侧的两条转接线路207(207d、207g)电连接。其中，可选的，转接板203上的微带线结构300中相邻的四条转接线路207(207d、207e、207f和207g)中中间的一条转接线路207e连接激光器的阳极，用于传输激光器阳极的第一高频信号；转接板203上的微带线结构300中相邻的四条转接线路207(207d、207e、207f和207g)中中间的另一条转接线路207f连接激光器的阴极，用于传输激光器阴极的第二高频信号；相邻的四条转接线路207(207d、207e、207f和207g)中两侧的两条转接线路207e和207f分别连接一条接地的第一导电通路，用于接地。如上述的以GSSG形式提供高频信号时，转接线路207d、转接线路207g与第二导电层303连接地线(G)，转接线路207e和转接线路207f构成差分信号传输通路，由于转接板203上的微带线结构300中转接线路207e和转接线路207f的两侧一侧为低介电常数的空气介质，另一侧为高介电常数的第三导电层303，因此更有利于高频信号的传输。其中为保证转接线路207e和转接线路207f朝向第二导电层303的电场线均匀的密集分布，可以均匀的设置多个过孔304以将第二导电层302分别与转接线路207d和207g电连接。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种光器件，其特征在于，包括：第一基板、第二基板和转接板；
所述第一基板的上表面设置有第一导电通路，所述第一基板的下表面设置有第二导电通路；
所述第二基板的上表面设置有第三导电通路；
所述转接板上设置有微带线结构，所述微带线结构包括设置在所述转接板上表面的转接线路；
所述第二基板的上表面与所述第一基板的下表面相对，其中所述第二导电通路与所述第三导电通路贴合，所述转接板设置于所述第二基板上表面的上方，并位于所述第三导电通路之间；
所述转接线路的一端通过打线与所述第一导电通路电连接，所述转接线路的另一端通过打线与所述光器件的内部元件连接。
2.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述第一基板上包括第一微带线结构，其中所述第一微带线结构包括：所述第一基板的上表面上相邻的三条第一导电通路，以及设置在所述第一基板内部的第一导电层；
所述第一导电层通过过孔与所述第一微带线结构中相邻的三条第一导电通路中两侧的两条第一导电通路电连接。
3.根据权利要求2所述的光器件，其特征在于，所述第一微带线结构中相邻的三条第一导电通路中中间的一条第一导电通路通过一条所述转接线路连接激光器的阳极；所述第一微带线结构中相邻的三条第一导电通路中两侧的两条第一导电通路分别通过一条所述转接线路连接激光器的阴极。
4.根据权利要求2所述的光器件，其特征在于，所述转接板上的微带线结构包括：所述转接板的上表面上相邻的三条转接线路，以及设置在所述转接板内部的第二导电层；
所述第二导电层通过过孔与所述转接板上的微带线结构中相邻的三条转接线路中两侧的两条转接线路电连接。
5.根据权利要求4所述的光器件，其特征在于，所述转接板上的微带线结构中相邻的三条转接线路中中间的一条转接线路连接所述激光器的阳极；所述转接板上的微带线结构中相邻的三条转接线路中两侧的两条转接线路连接所述激光器的阴极。
6.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述第一基板上包括第二微带线结构，其中所述第二微带线结构包括：所述第一基板的上表面上相邻的四条第一导电通路，以及设置在所述第一基板内部的第一导电层；
所述第一导电层通过过孔与所述第二微带线结构中相邻的四条第一导电通路中两侧的两条第一导电通路电连接。
7.根据权利要求6所述的光器件，其特征在于，所述第二微带线结构中相邻的四条第一导电通路中中间的一条第一导电通路通过一条所述转接线路连接激光器的阳极；所述第二微带线结构中相邻的四条第一导电通路中中间的另一条第一导电通路通过一条所述转接线路连接激光器的阴极；相邻的四条第一导电通路中两侧的两条第一导电通路接地。
8.根据权利要求6所述的光器件，其特征在于，所述转接板上的微带线结构包括：所述转接板的上表面上相邻的四条转接线路，以及设置在所述转接板内部的第二导电层；
所述第二导电层通过过孔与所述第四微带线结构中相邻的四条转接线路中两侧的两条转接线路电连接。
9.根据权利要求8所述的光器件，其特征在于，所述转接板上的微带线结构中相邻的四条转接线路中中间的一条转接线路连接所述激光器的阳极；所述转接板上的微带线结构中相邻的四条转接线路中中间的另一条转接线路连接所述激光器的阴极；相邻的四条转接线路中两侧的两条转接线路分别连接一条接地的第一导电通路。
10.根据权利要求1所述的光器件，其特征在于，所述第一基板上包括缺口，所述缺口两侧的突出边缘与所述第二基板对齐；
所述转接板位于所述缺口中。
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