CN101794929A - 一种提升传输带宽的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种提升传输带宽的装置，包括：信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。在通过打线金丝连接的传输通道上，在信号传输线与侧边地之间设置电容，利用打线金丝(Wire Bonding)本身呈现出的感性特征以及与之并联的所述电容组成一个LC谐振电路，在频域上形成一个在频带内的谐振点，从而迫使回损曲线上升趋势延缓，因此得以扩展频带宽度，使得RF信号的传输通道的带宽得到扩展。

Description

一种提升传输带宽的装置
技术领域
本发明涉及电子通信技术领域，特别涉及一种提升传输带宽的装置。
背景技术
现有的光电器件，例如：TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly，发送光组件)的光电转换模块，其中的基板与封装管壳之间采用金丝线(Wire Bonding)进行连接，实现信号传输。
发明人在实现本发明的过程中，发现现有技术至少存在以下缺点：
由于金丝线(WireBonding)呈现一定的电感特性，从而导致传输通道的阻抗不连续，传输带宽受到很大的限制。
发明内容
本发明实施例提供一种提升传输带宽的装置，设置在通过打线金丝连接的传输通道上，在信号传输线与侧边地之间设置电容，从而可以扩展传输通道的带宽。
本发明的实施例采用如下技术方案：
一种提升传输带宽的装置，包括：信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。
一种通信设备，所述通信设备基板，封装管壳，以及提升传输带宽的装置，所述提升传输带宽的装置设置在所述基板或封装管壳上，或者，在所述基板和封装管壳上均设置所述提升传输带宽的装置，其中，所述提升传输带宽的装置包括：信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。
上述技术方案中具有如下的优点：
在本发明的实施例中，在通过打线金丝连接的传输通道上，在信号传输线与侧边地之间设置电容，利用打线金丝(Wire Bonding)本身呈现出的感性特征以及与之并联的所述电容组成一个LC谐振电路，在频域上形成一个在频带内的谐振点，从而迫使回损曲线上升趋势延缓，因此得以扩展频带宽度，使得RF信号的传输通道的带宽得到扩展。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一种提升传输带宽的装置的一种实施例的示意图；
图2为本发明一种提升传输带宽的装置的电路原理的示意图；
图3为本发明一种提升传输带宽的装置的回损曲线效果的示意图；
图4为本发明一种提升传输带宽的装置位于基板的示意图；
图5为本发明一种提升传输带宽的装置中采用MIM电容的示意图；
图6为本发明一种提升传输带宽的装置中采用VIC电容的示意图；
图7为本发明一种提升传输带宽装置的一种应用场景的示意图；
图8为本发明一种提升传输带宽装置的另一种应用场景的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示本发明的实施例提供一种提升传输带宽的装置，包括：信号传输线1，位于所述信号传输线1两侧的侧边地2，以及设置于所述信号传输线1与所述侧边地2之间的电容3。
在本发明的实施例中，所述信号传输线可以为微带线，并且所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。
本发明所述提升传输带宽的装置的实施例可以应用于采用打线金丝连接的传输通道上。例如：如图1所示，信号传输线1，以及所述侧边地2设置于具有光器件或电器件或光电器件的基板7上，所述基板7与封装管壳6的焊盘61之间采用打线金丝(Wire Bonding)4连接。参见图2，图2为所述提升传输带宽的装置的电路原理图，打线金丝(Wire Bonding)4本身呈现出感性的特征，相当于电感，通过在光电器件封装内的基板或封装管壳内的焊盘处加适当容量的电容并联到地，利用打线金丝(Wire Bonding)4本身呈现出的感性特征以及与之并联的所述电容组成一个LC谐振电路，在频域上形成一个在频带内的谐振点，从而迫使回损曲线上升趋势延缓，因此得以扩展频带宽度，使得RF信号的传输通道的带宽得到扩展，从而可以实现更高速率的信号传输，同时也改善了整个传输通道的插入损耗(参见图3)。
在本发明的实施例中，所述封装管壳的焊盘，可以为光电器件封装的电接口的焊盘。另外，所述信号传输线，及侧边地可以设置于封装管壳上，例如：所述信号传输线，及侧边地可以设置于封装管壳内的焊盘上。或者，如图4所示，在基板7上设置所述信号传输线1，侧边地2及电容3，并且，在封装管壳6上也设置所述信号传输线1，侧边地2及电容3，所述基板7与所述封装管壳6之间通过打线金丝4连接。
图3为采用打线金丝连接的传输通道，显示了添加电容前后，回损-10dB的截止频率点的变化，以及采用电容后的插损改善情况。在图3中，m1和m3为没有设置电容的情况；m2和m4为设置了交指电容的情况。从图中，可以看出，通过设置电容，使得传输通道的回损曲线在有效带宽内形成谐振点，从而使得传输通道的回损满足小于-10dB的截止频率从5.3GHz提升到23.4GHz，大大扩展了传输带宽，因而使得其能够传输更高速率的信号。
在本发明的实施例中，所述电容可以为平板电容，或交指电容、MIM(MetalInsulation Metal，金属/绝缘层/金属)电容，或VIC(Vertical InterdigitalCapacitor，垂直插指式电容)电容等。
如图5所示，所述电容为MIM电容时，所述MIM电容包括顶层金属面和底层金属面，所述顶层金属面和底层金属面分别设置在所述基板内部的两层金属导体层上，所述顶层金属面与所述信号传输线位于同一层金属导体层。所述底层金属面通过通孔连接到所述顶层金属面，并且与所述侧边地连接。所述顶层金属面与所述信号传输线连接。
如图6所示，所述电容为VIC电容时，所述VIC电容包括多层金属面。所述多层金属面互相交叠，并且分别位于所述基板内部的多层金属导体层上，其中，所述相互交叠的多层金属面形成所述VIC电容两极，位于所述VIC电容顶层的金属面与所述信号传输线位于同一层金属导体层。位于所述VIC电容一极的多层金属面通过通孔连接，并与所述侧边地连接；位于所述VIC电容另一极的多层金属面通过通孔连接到所述VIC电容顶层的金属面，并与所述信号传输线连接。
在本发明的实施例中，电容可以集成在基板内部，不会增加基板面积，也不用增加成本，而且也不用后续对所述电容进行组装装配，且电容容值不随外部环境变化而变化。
在本发明的实施例中，在所述信号传输线和侧边地之间设置所述电容时，如果所述信号传输线或所述侧边地连接在焊盘上，所述电容可以通过与所述焊盘连接，实现与所述信号传输线或所述侧边地的连接，从而与连接在所述焊盘上的打线金丝构成LC谐振回路。这样，如果所述电容连接在焊盘上，电容的添加也使得打线金丝的焊盘面积增大，在设置多根打线金丝时，能进一步增大打线金丝之间的间距，减小连接基板和封装管壳之间连接的所有打线金丝的总的电感量，从而可进一步提升传输通道带宽。
进一步地，如果增大了打线金丝焊盘的面积，对于需要连接多根打线金丝时，操作控制会更方便，也不易出错。
如图7所示，本发明提升传输带宽的装置的实施例的另一种应用场景。基板上设置有光器件或电器件或光电器件9，所述光器件或电器件或光电器件9通过第一焊盘91焊接于基板上，所述光器件或电器件或光电器件9的第二焊盘92与基板上设置的信号传输线1之间采用打线金丝4连接，通过在所述信号传输线1与侧边地2之间设置电容3，实现扩展传输带宽。例如：基板上的匹配电阻8，在远离与所述匹配电阻8进行匹配的光器件9的情况下，所述匹配电阻8与所述光器件9之间通过信号传输线1连接，并且由于所述信号传输线1和所述光器件9的第二焊盘92(例如信号焊盘)不在同一个平面，需要通过打线金丝4进行连接。这时可以通过在所述信号传输线1与侧边地2之间，设置和所述匹配电阻8相并联的电容3，从而实现扩展传输通道的带宽。
如图8所示，本发明的实施例提供的所述提升传输带宽的装置，可以设置于TOSA，或ROSA(Receiver Optical Sub-Assembly，接收光组件)，或BOSA(Bidirectional Optical Sub-Assembly，单纤双向光组件)，或BLRX(BalanceReceiver，平衡接收机)等上。所述TOSA，或ROSA，或BOSA，或BLRX等可以位于以下几种通信设备上：小型化光模块XFP(10 Gigabit Small Form FactorPluggable Module，10G小封装可插拔模块)，或者SFP+(Small Form FactorPluggable Module plus，小封装可插拔模块加)，或者300PIN transponder(300PIN收发一体模块)。
以上所述仅为本发明的几个实施例，本领域的技术人员依据申请文件公开的可以对本发明进行各种改动或变型而不脱离本发明的精神和范围。

Claims (13)

1.一种提升传输带宽的装置，其特征在于，包括：信号传输线，位于所述信号传输线两侧的侧边地，以及设置于所述信号传输线与所述侧边地之间的电容，所述信号传输线为微带线，所述信号传输线与所述侧边地共同构成共面波导传输线的形式。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于基板上，所述基板与封装管壳的焊盘之间采用打线金丝连接。
3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，及侧边地设置于封装管壳内的焊盘上，所述封装管壳内的焊盘与基板之间采用打线金丝连接。
4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，在基板上设置所述信号传输线，侧边地及电容，并且，在封装管壳上也设置所述信号传输线，侧边地及电容，所述基板与所述封装管壳之间通过打线金丝连接。
5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容为交指电容。
6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于基板上，所述电容为MIM电容，所述MIM电容包括顶层金属面和底层金属面，所述顶层金属面和底层金属面分别设置在所述基板内部的两层金属导体层上，所述顶层金属面与所述信号传输线位于同一层金属导体层，所述底层金属面通过通孔连接到所述顶层金属面，并且与所述侧边地连接。所述顶层金属面与所述信号传输线连接。
7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于基板上，所述电容为VIC电容，所述VIC电容包括多层金属面。所述多层金属面互相交叠，并且分别位于所述基板内部的多层金属导体层上，其中，所述相互交叠的多层金属面形成所述VIC电容两极，位于所述VIC电容顶层的金属面与所述信号传输线位于同一层金属导体层，位于所述VIC电容一极的多层金属面通过通孔连接，并与所述侧边地连接；位于所述VIC电容另一极的多层金属面通过通孔连接到所述VIC电容顶层的金属面，并与所述信号传输线连接。
8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线或所述侧边地连接在焊盘上，所述电容通过与所述焊盘连接，实现与所述信号传输线或所述侧边地的连接。
9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于具有光器件或电器件或光电器件的基板上，基板上设置的所述光器件或电器件或光电器件通过第一焊盘焊接于基板上，所述光器件或电器件或光电器件的第二焊盘与所述信号传输线之间采用打线金丝连接。
10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号传输线，以及所述侧边地设置于具有光器件或电器件或光电器件的基板上，基板上的匹配电阻，以及与所述匹配电阻进行匹配的光器件之间通过所述信号传输线连接，所述信号传输线和所述光器件的第二焊盘通过打线金丝进行连接。
11.一种通信设备，其特征在于，所述通信设备基板，封装管壳，以及如权利要求1至10中任一项所述的提升传输带宽的装置，所述提升传输带宽的装置设置在所述基板或封装管壳上，或者，在所述基板和封装管壳上均设置所述提升传输带宽的装置。
12.如权利要求11所述的通信设备，其特征在于，所述通信设备设置有TOSA，或ROSA，或BOSA，或BLRX，所述基板和管壳位于所述TOSA，或ROSA，或BOSA，或BLRX上。
13.如权利要求11所述的通信设备，其特征在于，所述通信设备为：XFP，或者SFP+，或者300PIN收发一体模块。
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