CN104808376A - 阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板及显示装置,其中阵列基板包括:基板;设置在所述基板上的多条扫描线,所述多条扫描线沿第一方向延伸;设置在所述多条扫描线上的第一绝缘层;设置在所述第一绝缘层的多条数据线,所述多条数据线沿着第二方向延伸;多个以矩阵排布的像素单元,所述像素单元包括晶体管开关和像素电极;公共电极层,所述公共电极层包括多个触控电极;多条触控电极线,分别连接至对应的触控电极,所述触控电极线至少部分和与所述扫描线或者与所述数据线同层;每条所述触控电极线通过第一连接结构与对应触控电极连接。本发明实施例将所述触控电极线与所述扫描线或者与所述数据线同层设置,减少了一道金属制程,能够提高生产效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及液晶显示器技术领域,尤其涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示屏,英文通称为LCD(Liquid Crystal Display),是属于平面显示器的一种。随着科技的发展,LCD也朝着轻、薄、短、小的目标发展,无论是广视角显示、低耗电量、体积小、还是零辐射等优点,都能让使用者享受最佳的视觉效果。
具有触控功能的显示器是基于功能丰富化的技术产生的,比较常见的触控技术有In-cell触控技术和On-cell触控技术。其中,In-cell触控技术是指将触摸面板功能嵌入到液晶显示面板内部的技术,On-cell触控技术是指将触摸面板功能嵌入到彩膜基板和偏光板之间的技术。由于In-cell触控技术能够使显示器更轻薄,因此更被关注。
在现有技术中,如图1A为现有技术的触控显示装置的阵列基板的截面示意图,图1B为图1A所示结构中公共电极层的结构示意图。现有技术的触控显示装置的阵列基板包括基板11,以及依次在基板11上设置的缓冲层12、有源层131、栅绝缘层14、栅极132、层间绝缘层120、数据线15、源极133和漏极134,其中,栅极132、有源层131、源极133和漏极134构成了薄膜晶体管13,并且源极133和数据线15连接在一起。进一步地,还包括依次设置于数据线15、源极133和漏极134上方的平坦化层16、触控走线17、第一绝缘层18、公共电极19、第二绝缘层110、像素电极111,其中,像素电极111通过过孔和漏极134连接。请参考图1B,公共电极19也作为触控电极,公共电极层包括多个呈现矩阵排列的公共电极19,每个公共电极19和对应的触控走线17连接,以通过触控走线17传递公共电极信号或者触控信号。
但是,现有技术的触控显示装置的阵列基板,由于需要单独设置触控走线,增加了装置的厚度、降低了透过率并且增加了制程的时间。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及显示装置,相比现有技术减少了一道金属制程,能够提高生产效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:
基板;
设置在所述基板上的多条扫描线,所述多条扫描线沿第一方向延伸;
设置在所述多条扫描线上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层的多条数据线,所述多条数据线沿着第二方向延伸;
多个以矩阵排布的像素单元,所述像素单元包括晶体管开关和像素电极;
公共电极层,所述公共电极层包括多个触控电极;
多条触控电极线,分别连接至对应的触控电极,所述触控电极线至少部分与所述扫描线或者与所述数据线同层;
每条所述触控电极线通过第一连接结构与对应触控电极连接。
第二方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括本发明第一方面所提供的阵列基板。
本发明实施例提供的技术方案,通过将与触控电极连接的触控电极线至少部分与扫描线或者与数据线同层设置,每条触控电极线通过第一连接结构与对应触控电极连接,相对于现有技术,该技术方案可以将触控电极线与扫描线或数据线在同一制作工艺中完成,能够减少了一道专门制作触控电极线的工艺制程,进而能够提高生产效率。
附图说明
图1A为现有技术中阵列基板的俯视图;
图1B为图1A所示结构中公共电极层的结构示意图;
图2A为本发明实施例提供一种的阵列基板的俯视图;
图2B为图2A所示阵列基板的A-A’剖视图;
图2C为本发明实施例提供的触控电极分布示意图;
图3A为本发明第一种实现方案中触控电极线与数据线的位置示意图;
图3B为沿图3A所示的A-A’方向阵列基板的剖视图;
图4A为本发明第二种实现方案中触控电极线与数据线的位置示意图;
图4B为本发明实施例提供的第一种跨桥连接方式示意图;
图4C为图4B所示实施例中第一连接结构的示意图一;
图4D为图4C所示结构中第一连接衬垫第一种结构示意图;
图4E为图4C所示结构中第一连接衬垫结构第二种结构示意图;
图4F为图4C所示结构中第一连接衬垫结构第三种结构示意图;
图4G为图4B所示实施例中第一连接结构的示意图二;
图5A为本发明第三种实现方案中触控电极线与数据线的位置示意图;
图5B为本发明实施例提供的跨接部与触控电极层同层时的结构示意图;
图5C为本发明实施例提供的跨接部与像素电极同层时的第一种结构示意图;
图5D为本发明实施例中一种触控电极的结构示意图;
图5E为本发明实施例提供的跨接部与像素电极同层时的第二种结构示意图;
图5F为本发明实施例提供的跨接部与遮光金属层同层时的第一种结构示意图;
图5G为本发明实施例提供的跨接部与遮光金属层同层时的第二种结构示意图;
图6为本发明实施例提供的显示装置结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图2A为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视图,结合图2B,图2B为图2A所示阵列基板的沿A-A’向的剖视图,如图2A和图2B所示,该阵列基板具体包括:
基板21;
设置在基板21上的第一金属层,该第一金属层采用构图工艺形成多条扫描线22,多条扫描线22沿第一方向延伸;
设置在所述多条扫描线(即栅极线)22上方形成第一绝缘层23;
设置在所述第一绝缘层23上的第二金属层,该第二金属层采用构图工艺形成多条数据线(即源极线)24,所述多条数据线24沿着第二方向延伸,所述第一方向与所述第二方向垂直;
通过上述多条扫描线22和多条数据线24交叉定义出多个以矩阵排布的像素单元25,所述像素单元25包括晶体管开关251和像素电极252,该晶体管开关251的栅极251b与扫描线22连接,该晶体管开关251的源极251c与数据线24连接,该晶体管开关251的漏极251a与像素电极252连接;
公共电极层27,所述公共电极层27的材质为氧化铟锡(ITO)。本实施例的阵列基板具有触控功能,此时,该公共电极层27可以包括多个触控电极,具体的,在阵列基板的制作工艺中,可以在基板21上形成公共电极层27后,通过刻蚀技术,形成多个呈矩阵分布的触控电极271,并且该多个触控电极271为自电容工作模式,如图2C所示。另外,仍参考图2C,本实施例的阵列基板还包括多条触控电极线28,分别连接至对应的触控电极271。
为了节省制程,提高生产效率,可以将所述触控电极线28至少部分与所述扫描线22同层设置,或者将触控电极线28至少部分与所述数据线24同层设置,且每条触控电极线28通过第一连接结构与对应触控电极271连接。
本发明实施例提供的技术方案,通过将与触控电极271连接的触控电极线28至少部分与扫描线22或者与数据线24同层设置,每条触控电极线28通过第一连接结构与对应的触控电极271连接,相对于现有技术,该技术方案可以将触控电极线28与扫描线22或数据线24在同一制作工艺中完成,能够减少了一道制作触控电极线28的工艺制程,进而能够提高生产效率。
进一步的,本发明具体实施例中,可以有多种方案实现上述技术方案:
第一种实现方案是将触控电极线28与数据线24同层,并且沿第二方向延伸,此时,由于数据线24和触控电极线28不会发生交叉,可以将每条触控电极线28的全部设置为与数据线24同层;
第二种实现方案是将触控电极线28与数据线24同层设置,且沿第一方向延伸,此时触控电极线28会与数据线24有交叉;
第三种实现方案是将触控电极线28与扫描线22同层设置,且沿第二方向延伸,此时触控电极线228会与扫描线22交叉。
另外,对于上述第二种实现方案和第三种实现方案,由于发生交叉,因此触控电极28线除包括与扫描线22或者与数据线24同层的走线部281外,还包括与扫描线22或者数据线24非同层的跨接部282,走线部281和跨接部282通过第二连接结构连接。
对于第一种实现方案,图3A为本发明第一种实现方案中触控电极线与数据线的位置示意图,如图3A所示,将数据线24和触控电极线28平行设置,即均沿着第二方向延伸。另外,图3B为沿图3A所示的A-A’方向阵列基板的剖视图。如图3B所示,本实施例中的阵列基板包括设置在多条数据线24的上方形成平坦化层26,该平坦化层26可以为有机膜层,厚度范围为0.5μm~6μm。在平坦化层26的上方形成有公共电极层,公共电极层包括多个触控电极271,在触控电极271的上方形成第一钝化层212,第一钝化层212的材质为氮化硅;在第一钝化层212上方形成像素电极252,所述像素电极252通过贯穿第一钝化层212和平坦化层26的过孔与漏极251a导电连通,且触控电极线28通过第一连接结构与触控电极271电连接,如图3B所示,所述第一连接结构包括贯穿于第一钝化层212和平坦化层26的过孔26f,以及与像素电极252同层设置的连接垫211。在其他实施方式中,第一连接结构还可以为设置于平坦化层26内的过孔,触控电极线28和触控电极271通过平坦化层26内的过孔电性连接。
对于第二种实现方案,图4A为本发明第二种实现方案中触控电极线与数据线的位置示意图,如图4A所示,可以将多条触控电极线28沿第二方向延伸,触控电极线28的走线部281与扫描线22位于同一层,在第二方向上相邻的走线部281之间具有间隔,所述间隔处设置有所述扫描线22。
具体的,在制作工艺中,可以在基板21上形成第一金属层之后,采用构图工艺同时形成多条沿第一方向延伸的扫描线22和多条沿第二方向延伸的触控电极线28,沿第二方向延伸的多条触控电极线28被扫描线22间隔开形成走线部281。为实现触控功能,则需要将沿第二方向延伸的断开的走线部281连接在一起,即需要设置与扫描线22非同层的跨接部,形成多条完整的触控电极线。
本发明实施例中提供了一种跨接部的方式,具体的,可以在遮光金属层设置跨接部,图4B为本发明实施例提供的第一种跨接部的示意图,该示意图为沿着图4A所示的A-A’方向剖开得的。如图4B所示,在阵列基板上还包括设置在基板21与多条扫描线22之间的遮光金属层29,并在遮光金属层29和多条扫描线22之间的第二绝缘层210,遮光金属层29位于晶体管开关的下方,用于遮挡晶体管开关的有源层,以防止晶体管开关的有源层被背光照射发生漏流。在本实施例中,跨接部282和遮光金属层29位于同一层。
具体的,本实施例的阵列基板可以是在制作工艺过程中,在基板21上形成遮光金属层29的同时形成跨接部282,跨接部282在第二方向上的长度可以设为第二方向上相邻走线部281的间距,也可以设为略大于上述间距。并在遮光金属层29上方形成第二绝缘层210后,在第二绝缘层210上进行打孔,形成贯穿所述第二绝缘层210的第一过孔210a和210b,走线部281通过第一过孔210a和210b与跨接部282完成电连接,本实施例中,用于连接走线部281和跨接部282的第二连接结构即为上述贯穿第二绝缘层210的第一过孔。
另外,图4C为图4B所示实施例中第一连接结构的示意图一,本实施例中,在走线部281和扫描线22的上方设置有第一绝缘层23,在第一绝缘层23上方设置有数据线24,并在数据线24上方还覆盖有平坦化层26,该平坦化层26覆盖多条数据线24、多条触控电极线(包括走线部281和跨接部282)、多条扫描线22;触控电极271设置于平坦化层26的上方,第一连接结构需要贯穿第一绝缘层23和平坦化层26后,将触电电极线28与对应的触控电极271连接。
另外,由于触控电极线28与触控电极271之间隔有数据线24,则触控电极线28通过第一连接结构与触控电极271电连接时,需与位于中间层的数据线24绝缘,即需要绕过数据线部分,在具体实现时可有两种方式实现。
如图4C所示,该第一连接结构包括与走线部281同层设置、并与走线部281相互连接的第一连接衬垫283,以及贯穿第一绝缘层23和平坦化层26的第二过孔231,该第二过孔231暴露出第一连接衬垫283,触控电极线的走线部281通过第一连接衬垫283与对应的触控电极271连接。
具体的,在阵列基板的制作过程中,可以在基板上形成第一金属层之后,采用构图工艺形成扫描线22,以及与扫描线同层的走线部281,且触控电极线的走线部281在透光方向上和数据线24重叠,以提高开口率;另外还形成有以及与走线部281相互连接的第一连接衬垫283,该第一连接衬垫283的形状可以采用图4D、图4E或图4F所示的结构。
但图4D、图4E和图4F只是用来示例说明,还可以形成其它结构的第一连接衬垫283,只要设计的第一连接衬垫283能够有助于向上与触控电极连接时绕过数据线24即可。另外,制作工艺中在基板上形成平化坦层26后,通过刻蚀技术形成贯穿平坦化层26和第一绝缘层23的第二过孔231,然后在平坦化层26上方形成触控电极271,这样触控电极线就与对应的触控电极271完成了电连接。
图4G为图4B所示实施例中第一连接结构的示意图二,该结构示意图为本发明实施例提供的阵列基板沿着图4A所示的A-A’方向剖开得的,如图4G所示,与上述图4C所示实施例中,设置贯穿第一绝缘层23和平坦化层26的第二过孔231不同,本实施例中分别在第一绝缘层23和平坦化层26上设置过孔,并设置与数据线24同层的第二连接衬垫241。具体的,如图4G所示,其中的第一连接结构包括和走线部281同层并相互连接的第一连接衬垫283、贯穿第一绝缘层23的第三过孔232、与数据线24同层的第二连接衬垫241、贯穿平坦花层26的第四过孔26a;并且,第三过孔232暴露出第一连接衬垫283,第一连接衬垫283和第二连接衬垫241连接,第四过孔26a暴露出第二连接衬垫241。通过上述方式,可以实现触控电极线的走线部281通过第一连接衬垫283、第二连接衬垫241、第三过孔232和第四过孔26a与对应的触控电极271连接。
在制作工艺中,可以在基板上形成第一金属层之后,采用构图工艺形成扫描线22,以及与扫描线22同层的走线部282,以及与走线部282相互连接的第一连接衬垫283,该第一连接衬垫283的形状可以如图4D、图4E和图4F所述,形成第一绝缘层23后,可以通过刻蚀技术在第一绝缘层23上进行打孔,形成第三过孔232,该第三过孔232暴露出第一连接衬垫283,然后在第一绝缘层23上形成第二金属层,并通过构图工艺形成数据线24和第二连接衬垫241,其中,第二连接衬垫241的形状也不可参见图4D、图4E和图4F的设计,这里不再赘述。第该二连接衬垫241与数据线24断开且相互绝缘,并且第二连接衬垫241与第一连接衬垫283完成电连接,再在第二连接衬垫241与数据线24上形成平坦化层26,通过刻蚀技术在平坦化层26上方进行打孔,形成贯穿平坦化层26的第四过孔26a,第四过孔26a暴露出所述第二连接衬垫241,再在平坦化层26上方形成触控电极271,并且第二连接衬垫241与触控电极271电连接,从而实现了触控电极线28的走线部281与触控电极271的电连接。
本实施例提供触控电极271和走线部281的连接方式,通过分别在第一绝缘层23设置第三过孔232和在平坦化层26设置第四过孔26a的方案,相对于图4C所示示例中设置贯穿第一绝缘层23和平坦化层26的第二过孔231的技术方案,能够避免在制作工艺中由于打孔过深带来的隐患。另外,在制作工艺中需保证第二连接衬垫241和第一连接衬垫283在透光方向上重叠,以提供开口率。
对于第三种实现方式,图5A为本发明第三种实现方案中触控电极线与数据线的位置示意图,如图5A所示,可以将多条触控电极线28沿第一方向延伸,所述触控电极线的走线部281与数据线24位于同一层,在第一方向上相邻的走线部281之间具有间隔,间隔处设置有所述数据线24。
本实现方案中,其中与数据线同一层的触控电极线28的走线部281具有间隔,因此需要设置与数据线24不同层的跨接部,以将各条触控电极线28的走线部281的连接到一起,具体的,该跨接部可以设置为与触控电极同层,与像素电极同层,或者是与遮光金属层同层。
图5B为本发明实施例提供的跨接部与触控电极层同层时的结构示意图,该结构示意图为本发明实施例提供的阵列基板沿着图5A所示的A-A’方向剖开得的,如图5B所示,在多条数据线24上方设置有第三绝缘层213,第三绝缘层213的上方设置有触控电极271,触控电极线的跨接部282和触控电极271同层。本实施例中的第二连接结构包括设置在第三绝缘层213内的第五过孔26b和26c,走线部281和跨接部282通过第五过孔26b和26c连接。
在制作工艺中,在数据线24和走线部281上方形成第三绝缘层213后,刻蚀第三绝缘层213形成第五过孔26b和26c,并在第三绝缘层213和第五过孔26b和26c上方形成公共电极层,公共电极层采用构图工艺形成触控电极271和跨接部282,从而使得走线部281能够通过第五过孔26b和26c与跨接部282电连接。本实施例中,其中的第三绝缘层213可以为有机膜层。
图5C为本发明实施例提供的跨接部与像素电极同层时的第一种结构示意图,如图5C所示,在多条数据线24上方设置有第三绝缘层213,第三绝缘层213的上方设置有触控电极271,触控电极271的上方设置有第四绝缘层214,第四绝缘层214的上方设置有像素电极252,跨接部282和像素电极252同层;本实施例中,第二连接结构包括设置在第三绝缘层213和第四绝缘层214内的第六过孔26d和26e,走线部281和跨接部282通过所述第六过孔26d和26e连接。
在制作工艺中,在数据线24层和跨接部282上方形成第三绝缘层213后,在第三绝缘层213上方形成触控电极271,在触控电极271上方形成第四绝缘层214,在不同位置处刻蚀第四绝缘层214和第三绝缘层213,形成两个贯穿第四绝缘层214和第三绝缘层213的第六过孔26d和26e,第六过孔26d和26e暴露出走线部281,之后再在第四绝缘层214上方形成像素电极层,通过构图工艺形成像素电极252和跨接部282,使跨接部282通过第六过孔26d和26e,将各个走线部281电连接在一起。
另外,在形成第四绝缘层214后,除了刻蚀上述过孔26d和26e外,还可以刻蚀形成过孔26f,用于使触控电极线28与触控电极271通过与像素电极252同层设置的连接垫211电连接。
图5D为本发明实施例中一种触控电极的结构示意图,如图5D所示的,在触控电极271包括有开孔部272,触控电极线的跨接部282可以设置在该开孔部272中。具体的,上述开孔部272可以设置在与数据线24重叠的位置,以降低触控电极271对数据线上显示信号的影响。本实施例中跨接部设置在开孔部的技术方案主要是针对图5B和图5C所示的技术方案。
在图5B所示的技术方案中,其中位于跨接部282两侧的触控电极271可以为同一个触控电极,该触控电极271上形成开孔部,跨接部282就设置在开孔部内。
另外,针对图5C所示的跨接部与像素电极同层的技术方案,图5E为本发明实施例提供的跨接部与像素电极同层时的第二种结构示意图,如图5E所示,本实施例与上述图5D的区别在于,本实施例的触控电极271可包括开孔部272,与所述像素电极252同层设置的跨接部282位于触控电极271的开孔部272内。
图5F为本发明实施例提供的跨接部与遮光金属层同层时的第一种结构示意图,如图5F所示,该阵列基板包括设置在基板21和多条扫描线22之间的遮光金属层29、设置在遮光金属层29和多条扫描线22之间的第二绝缘层210,跨接部282和遮光金属层29位于同一层;其中的第二连接结构包括贯穿第二绝缘层210的第七过孔215、和走线部281同层且相互连接的第三连接衬垫281a,第三连接衬垫281a包括和扫描线22不重叠的部分;走线部281和跨接部282通过第七过孔215与第三连接衬垫281a连接。其中,触控电极线的走线部281在透光方向上和扫描线22重叠,以提高开口率。
在制作工艺中,采用构图工艺在基板21上形成同层设置的遮光金属层29和跨接部282;在遮光金属层29和跨接部282上方形成第二绝缘层210;在第二绝缘层210上方形成第一金属层,采用构图工艺形成扫描线22;在扫描线22上方形成第一绝缘层23,刻蚀第一绝缘层23和第二绝缘层210,形成贯穿第一绝缘层23和所述第二绝缘层210的第七过孔215;在所述第一绝缘层23上形成第二金属层,并通过构图工艺形成数据线24、触控电极线的走线部281及与走线部281相互连接的第三连接衬垫281a,则第三连接衬垫281a通过第七过孔215将走线部281和跨接部282电连接。
另外,在形成第四绝缘层213后,除了刻蚀上述第七过孔外,还可以刻蚀形成过孔26f,用于使触控电极线28与触控电极271通过与像素电极252同层设置的连接垫211电连接。
图5G为本发明实施例提供的跨接部与遮光金属层同层时的第二种结构示意图,如图5G所示,阵列基板包括设置在基板21和多条扫描线22之间的遮光金属层29、设置在遮光金属层29和多条扫描线22之间的第二绝缘层210,跨接部282和遮光金属层29位于同一层;第二连接结构包括贯穿所述第一绝缘层23的第八过孔217、和走线部281同层且相互连接的第三连接衬垫281a、贯穿第二绝缘层210的第九过孔216、和扫描线22同层且相互绝缘的第四连接衬垫221;其中的走线部281和跨接部252通过第八过孔217、和走线部281同层且相互连接的第三连接衬垫281a、贯穿第二绝缘层210的第九过孔216及第四连接衬垫221电连接。其中,第四连接衬垫221和第三连接衬垫281a在透光方向上重叠,以提高开口率。
在制作工艺中,采用构图工艺在基板21上形成遮光金属层29和跨接部282;在遮光金属层29和跨接部282上方形成第二绝缘层210,刻蚀所述第二绝缘层210,形成贯穿所述第二绝缘层210的第九过孔216;在所述第二绝缘层210上方形成第一金属层,采用构图工艺形成扫描线22和第四连接衬垫221;在所述扫描线22和第四连接衬垫221上方形成第一绝缘层23,刻蚀所述第一绝缘层23,形成贯穿所述第一绝缘层23的第八过孔217;在第一绝缘层23上形成第二金属层,并通过构图工艺形成数据线24、触控电极线的走线部281及与所述走线部281相互连接的第三连接衬垫281a,则通过所第三连接衬垫281a、述第八过孔217、第四连接衬垫221和第九过孔216将走线部281和跨接部282电连接连接。
本实施例中,第三连接衬垫281a和第四连接衬垫221的设计方式可参见图4D、图4E和图4F的设计。
本发明实施例提供的技术方案,通过将与触控电极271连接的触控电极线28至少部分与扫描线22或者与数据线24同层设置,每条触控电极线28通过第一连接结构与对应触控电极271连接,相对于现有技术,该技术方案可以将触控电极线28与扫描线22或数据线24在同一制作工艺中完成,能够减少了一道专门制作触控电极线28的工艺金属制程,进而能够提高了生产效率
如图6所示,本发明实施例还提供一种显示装置30,包括显示面板31,及集成在显示面板31上的上述阵列基板32。
本实施例所述的显示装置包含上述阵列基板,其技术原理和产生的技术效果与上述阵列基板类似,这里不再累述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (18)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
设置在所述基板上的多条扫描线,所述多条扫描线沿第一方向延伸;
设置在所述多条扫描线上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的多条数据线,所述多条数据线沿第二方向延伸;
多个以矩阵排布的像素单元,所述像素单元包括晶体管开关和像素电极;
公共电极层,所述公共电极层包括多个触控电极;
多条触控电极线,分别连接至对应的触控电极,所述触控电极线至少部分与所述扫描线或者与所述数据线同层;
每条所述触控电极线通过第一连接结构与对应触控电极连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极线与所述数据线同层,并且沿第二方向延伸。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极线包括与所述扫描线或者与所述数据线同层的走线部;还包括与所述扫描线、数据线非同层的跨接部,所述走线部和跨接部通过第二连接结构连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述多条触控电极线沿第二方向延伸,所述触控电极线的走线部与所述扫描线位于同一层,在所述第二方向上相邻的所述走线部之间具有间隔,所述间隔处设置有所述扫描线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极线在透光方向上和所述数据线重叠。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在所述基板和所述多条扫描线之间的遮光金属层、设置在所述遮光金属层和所述多条扫描线之间的第二绝缘层,所述跨接部和所述遮光金属层位于同一层;所述第二连接结构包括贯穿所述第二绝缘层的第一过孔,所述走线部和跨接部通过所述第一过孔连接。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述多条数据线上设置有平坦化层,所述平坦化层覆盖所述多条数据线、多条触控电极线、多条扫描线。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一连接结构包括和走线部同层并相互连接的第一连接衬垫、贯穿所述第一绝缘层和平坦化层的第二过孔,所述第二过孔暴露出所述第一连接衬垫,所述触控电极线通过所述第一连接衬垫与对应的触控电极连接。
9.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一连接结构包括和走线部同层并相互连接的第一连接衬垫、贯穿所述第一绝缘层的第三过孔、与所述数据线同层的第二连接衬垫、贯穿所述平坦层的第四过孔;
所述第三过孔暴露出所述第一连接衬垫,所述第一连接衬垫和所述第二连接衬垫连接,所述第四过孔暴露出所述第二连接衬垫;
所述触控电极线通过所述第一连接衬垫、第二连接衬垫与对应的触控电极连接。
10.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述多条触控电极线沿第一方向延伸,所述触控电极线的走线部与所述数据线位于同一层,在所述第一方向上相邻的所述走线部之间具有间隔,所述间隔处设置有所述数据线。
11.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极线在透光方向上和所述扫描线重叠。
12.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述多条数据线上方设置有第三绝缘层,所述第三绝缘层的上方设置有所述触控电极层;
所述跨接部和所述触控电极同层;
所述第二连接结构包括设置在第三绝缘层内的第五过孔,所述走线部和所述跨接部通过所述第五过孔连接。
13.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,所述多条数据线上方设置有第三绝缘层,所述第三绝缘层的上方设置有所述触控电极层,所述触控电极层的上方设置有第四绝缘层,所述第四绝缘层的上方设置有所述像素电极;
所述跨接部和所述像素电极同层;
所述第二连接结构包括设置在第三绝缘层和第四绝缘层内的第六过孔,所述走线部和所述跨接部通过所述第六过孔连接。
14.根据权利要求12或13所述的阵列基板,其特征在于,所述触控电极包括开孔部,所述跨接部位于所述触控电极的开孔部内。
15.根据权利要求12或13所述的阵列基板,其特征在于,所述第三绝缘层为有机膜层。
16.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在所述基板和所述多条扫描线之间的遮光金属层、设置在所述遮光金属层和所述多条扫描线之间的第二绝缘层,所述跨接部和所述遮光金属层位于同一层;
所述第二连接结构包括贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的第七过孔、和所述走线部同层且相互连接的第三连接衬垫,所述第三连接衬垫包括和扫描线不重叠的部分;
所述走线部和跨接部通过所述第七过孔及第三连接衬垫连接。
17.根据权利要求10所述的阵列基板,其特征在于,还包括设置在所述基板和所述多条扫描线之间的遮光金属层、设置在所述遮光金属层和所述多条扫描线之间的第二绝缘层,所述跨接部和所述遮光金属层位于同一层;
所述第二连接结构包括贯穿所述第一绝缘层的第八过孔、和所述走线部同层且相互连接的第三连接衬垫、贯穿所述第二绝缘层的第九过孔、和所述扫描线同层且相互绝缘的第四连接衬垫,所述第三连接衬垫和所述第四连接衬垫;
所述走线部和跨接部通过所述第八过孔、所述第三连接衬垫、所述第九过孔和第四连接衬垫连接。
18.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-17任一项所述的阵列基板。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |