CN104765248B - 压印装置、压印方法以及物品的制造方法 - Google Patents

压印装置、压印方法以及物品的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供压印装置、压印方法以及物品的制造方法。所述压印装置包括控制单元，其被构造为进行检测处理，其中所述检测处理包括第一处理和第二处理，在所述第一处理中，使检测光学系统在以使得基准标记位于所述检测光学系统的视野外的方式定位基板台的状态下检测模具侧标记，在所述第二处理中，使所述检测光学系统在以使得所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的方式定位所述模具台并且以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野内的方式定位所述基板台的状态下，检测所述基准标记。

Description

压印装置、压印方法以及物品的制造方法
技术领域
本发明涉及压印装置、压印方法以及物品的制造方法。
背景技术
随着对半导体设备微型化需求的日益增长，除了传统的光刻技术之外，对于根据使用模具(印模)来对基板上的压印材料(未固化树脂)进行塑模以在基板上形成树脂图案的压印技术已经引起了人们的关注。压印技术使得能够在基板上形成几纳米级的微观结构。光固化被已知作为压印技术的一个示例。
在采用光固化的压印装置中，首先，将光固化树脂(例如，紫外线固化树脂)涂布在基板上的拍摄区域，并且使用模具对该树脂进行塑模。利用光(例如，紫外光)照射树脂以使树脂固化，然后将模具分离(拆离)，从而在基板上形成树脂图案。
日本特许第4478424号公报中公开了这种类型的压印装置，该压印装置例如包括用于定位基板的基板台、布置在基板台上并形成有基准对准标记的对准基板以及对准检测系统。对准检测系统例如检测基准对准标记与模具上形成的对准标记之间的失准。可以基于来自对准检测系统的检测结果进行模具与基板的对准。
然而，在传统压印装置中，当利用对准检测系统检测基准对准标记与模具上形成的对准标记之间的失准时，需要在检测对准标记时使模具和对准基板相互靠近(即，减小模具与对准基板之间的间隙)。因此，如果异物存在于对准基板上，则存在由于接触异物而使模具损坏的可能性(即，异物被夹在模具与对准基板之间)。
发明内容
本发明提供一种有利于检测配设在模具上的模具侧标记和配设在基板台上的基准标记的技术。
根据本发明的第一方面，提供一种压印装置，其使用模具进行用于在基板上的压印材料上形成图案的压印处理，所述压印装置包括：模具台，其被构造为保持所述模具；基板台，其被构造为保持所述基板；检测光学系统，其被构造为检测配设在所述模具上的模具侧标记和布置在所述基板台上的基准标记；控制单元，其被构造为通过控制所述模具台和所述基板台的定位以及所述检测光学系统进行的检测，来进行检测处理；以及处理单元，其被构造为基于来自所述检测光学系统的检测结果来进行所述压印处理，其中，所述检测处理包括第一检测处理和第二检测处理，在所述第一检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野外的方式定位所述基板台的状态下，检测所述模具侧标记，在所述第二检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的方式定位所述模具台、并且以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野内的方式定位所述基板台的状态下，检测所述基准标记。
根据本发明的第二方面，提供一种采用压印装置的压印方法，所述压印装置包括检测光学系统，所述检测光学系统被构造为检测配设在模具上的模具侧标记和检测布置在保持基板的基板台上的基准标记，所述压印装置使用所述模具进行用于在所述基板上的压印材料上形成图案的压印处理，所述压印方法包括：第一步骤，通过控制所述基板台和保持所述模具的模具台的定位，并且控制由所述检测光学系统进行的检测，来进行检测处理；以及第二步骤，基于来自所述检测光学系统的检测结果来进行所述压印处理，其中，所述检测处理包括第一检测处理和第二检测处理，在所述第一检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野外的方式定位所述基板台的状态下，检测所述模具侧标记，在所述第二检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的方式定位所述模具台、并且以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野内的方式定位所述基板台的状态下，检测所述基准标记。
根据本发明的第三方面，提供一种物品的制造方法，所述制造方法包括：使用上述压印装置在基板上形成图案；以及对形成有所述图案的所述基板进行处理。
根据以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据本发明的一方面的压印装置的配置的示意图。
图2是示出图1所示的压印装置的检测光学系统的配置的示例的示意图。
图3是示出图1所示的压印装置的检测光学系统的配置的另一示例的示意图。
图4A和图4B是用于描述根据传统技术的模具与对准基板的对准的图。
图5A至图5C是用于描述由于模具的段差(step)引起对准标记检测光量的减少的图。
图6是示出图1所示的压印装置的检测光学系统的光瞳面(pupil plane)的配置的示例的示意图。
图7是示出利用图5A至图5C和图6中所示的模型进行的模拟的结果的图。
图8A和图8B是用于描述根据实施例的模具与对准基板的对准的图。
图9是从Z轴方向示出在第一检测处理中的模具台与基板台之间的位置关系的图。
图10A和图10B是示出布置在图1所示的压印装置的模具台上的模具形状校正单元的配置的示例的图。
图11是示出根据本发明的一方面的压印装置的另一配置的示意图。
图12是示出模具与配设在对准基板上的对准标记之间的位置关系的图。
图13是从Z轴方向示出在第二检测处理中配设在模具上的对准标记与配设在对准基板上的对准标记之间的位置关系的图。
图14是用于描述在第二检测处理中的对准标记检测误差的图。
具体实施方式
下面将参照附图来说明本发明的优选实施例。注意，贯穿附图的相同附图标记代表相同的部件，并且将不给出其重复的描述。
第一实施例
图1是示出根据本发明的一方面的压印装置1的配置的示意图。压印装置1是进行用于使用模具(印模)在基板上的压印材料(未固化的树脂)中形成图案的压印处理的光刻装置。如图1所示，压印装置1包括照射单元2、检测光学系统3、模具台4、基板台5、树脂供给机构6、以及控制单元19。在下文中，X轴方向和Y轴方向是在平行于基板和模具的平面中互相正交的方向，Z轴方向是垂直于X轴和Y轴的方向。
照射单元2包括光源和多个光学元件，并且在树脂9与模具7接触的状态下发射用于固化基板8上的树脂9的光，所述模具7包括具有与要在基板8上形成的图案(例如，电路图案)对应的凹凸图案7a(凹凸图案)的台面区域(mesa region)。照射单元2利用从具有预定形状的光源发射的光均匀地照射模具7，具体地照射形成有凹凸图案7a的台面区域(被照射面)。
来自照射单元2的光的照射区域(照射范围)仅需要是例如具有大约与形成有凹凸图案7a的台面区域相同的面积的区域，或者是具有稍微比形成有凹凸图案7a的台面区域大的面积的区域。这用于将来自照射单元2的光的照射区域减少到最小必要大小，以抑制由于光的照射产生的热引起的模具7和基板8的膨胀而导致的、要转印到树脂9的图案的失准和失真。这也用于抑制由于基板8等反射的光到达树脂供给机构6并使树脂供给机构6的树脂喷出口中的残留树脂9固化引起的树脂供给机构6的操作的异常。
高压汞灯、各种准分子灯、准分子激光器、发光二极管等可以用作照射单元2的光源。由于在本实施例中使用利用紫外光照射时固化的紫外线固化树脂，因此从照射单元2的光源发射紫外光。注意，根据树脂9的类型来确定要从照射单元2的光源发射的光(例如，光的波长)。
检测光学系统3检测各种标记以相对地对准模具7与基板8。例如，检测光学系统3光学检测配设在模具7上的对准标记10(模具侧标记)和配设在基板8上的对准标记11。这使得能够获得模具7(对准标记10)与基板8(对准标记11)的相对位置。检测光学系统3被布置成使得其光轴垂直于模具7或基板8。另外，检测光学系统3被布置为能够根据诸如对准标记等的标记的位置而在X轴方向和Y轴方向上移动。此外，检测光学系统3被布置为也能够在Z轴方向上移动，以使焦点平面(焦点)与诸如对准标记等的标记的位置匹配。
模具台4包括通过使用真空抽吸力或静电力来吸引以保持模具7的模具卡盘。模具台4包括用于将模具7按压在已被供给到基板8的树脂9的模具驱动机构。模具驱动机构在Z轴方向上移动模具台4(模具7)。另外，通过在X轴方向和Y轴方向上使模具7变形来校正凹凸图案7a(模具7的形状)的失真的模具形状校正单元被布置在模具台4上。模具形状校正单元在控制单元19的控制下，基于模具7和基板8的相对位置来校正模具7的形状。
基板台5包括使用真空抽吸力或静电力来保持基板8的基板卡盘。基板台5包括用于在X轴方向和Y轴方向上移动基板台5(基板8)(使得能够在XY平面上移动)的基板驱动机构。
对准基板(基准板)12被布置在基板台5上。对准标记(基准标记)13被配设在对准基板12上，并且可以通过移动基板台5将对准标记13定位在检测光学系统3的可检测区域(视野)中。因此，检测光学系统3也可以检测配设在对准基板12上的对准标记13。这使得能够使模具7和对准基板12对准，也就是说能够使模具7和基板台5对准。
在本实施例中，通过在Z轴方向上移动模具台4(模具7)来实现由压印装置1进行的压印操作(用于使模具7与树脂9接触的操作)和模具分离操作(用于使模具7从树脂9拆离的操作)。注意，可以通过在Z轴方向上移动基板台5(基板8)或者在Z轴方向上移动模具台4和基板台5两者来实现压印操作和模具分离操作。
树脂供给机构6(分配器)例如包括具有树脂喷出口的喷嘴，并且将树脂9供给(涂布)到基板8。树脂供给机构6不是必需被布置在压印装置1的内部，可以被布置在压印装置1的外部。例如，如下配置是可行的，即，将由外部树脂供给机构预先已经涂布有树脂9的基板8输送到压印装置1。根据这种配置，消除了用于在压印装置1的内部供给树脂9的步骤，从而使得能够减少由压印装置1进行的处理(压印处理)所需的时间。另外，由于不需要树脂供给机构6，从而使得能够抑制压印装置1的整体成本。
模具7的与基板8相对的表面包括形成有凹凸图案7a的台面区域和台面区域周围的去台面区域(off-mesa region)。为了使来自照射单元2的光穿过模具7并且照射树脂9，模具7由透射来自照射单元2的光的材料(例如，石英)构成。在模具7中，去台面区域是未形成有凹凸图案7a的区域，台面区域被构造为从去台面区域向基板8突出。因此，在压印操作中仅模具7的台面区域与基板8上的树脂9接触。
基板8包括玻璃板、单晶硅制成的晶片等。树脂9通过树脂供给机构6供给到基板8的上表面。虽然在本实施例中树脂9是当利用紫外光照射时被固化的紫外线固化树脂，但是例如根据半导体器件的类型来选择树脂9的类型。
控制单元19包括CPU、存储器等，并且对压印装置1进行整体控制。控制单元19通过控制压印装置1的单元来进行用于在基板上形成图案的压印处理(起处理单元的作用)。另外，如稍后所述，控制单元19通过控制模具台4和基板台5的定位以及检测光学系统3在模具7和基板8的对准以及模具7和对准基板12的对准中的检测，来进行检测处理。此外，控制单元19基于模具7和基板8的相对位置来控制基板台5和模具形状校正单元。
以下描述由压印装置1进行的压印处理。首先，通过基板输送系统将基板8输送到压印装置1，并且将基板8保持在基板台5上。接着，移动基板台5使得保持在基板台5上的基板8位于树脂供给机构6的树脂供给位置处。然后树脂供给机构6将树脂9供给到基板8上的预定拍摄区域。接着，移动基板台5，使得树脂9被供给到的拍摄区域(基板8)直接位于模具7的下方。然后，在Z轴方向(垂直向下)上移动保持模具7的模具台4，并且使供给到基板8的树脂9与模具7(凹凸图案7a)接触(压印操作)。此时，树脂9沿着模具7上的凹凸图案7a流动并填充凹凸图案7a中的空间。
接着，在模具7和树脂9相互接触的状态下，检测光学系统3检测配设在模具7上的对准标记10和配设在基板8上的对准标记11。然后，通过基于来自检测光学系统3的检测结果在X轴方向和Y轴方向上移动基板台5，来使模具7和基板8对准。另外，布置在模具台4上的模具形状校正单元进行诸如对模具7的倍率校正(magnification correction)的形状校正。当已对准模具7和基板8并且已经充分对模具7进行了倍率校正时，利用来自照射单元2的光照射树脂9以固化树脂9。此时，为了防止检测光学系统3阻断来自照射单元2的光的光路，将检测光学系统3移出光路。接着，通过在Z轴方向上(垂直向上)移动保持模具7的模具台4以加宽基板8与模具7之间的间隙，来将模具7从基板8上的固化树脂9拆离。因此，将模具7上的凹凸图案7a转印到基板8(即，在树脂9中形成与凹凸图案7a相对应的图案)。
图2是示出检测光学系统3的配置的示例的示意图。检测光学系统3包括检测系统21和照明系统22。检测系统21和照明系统22被构造成使得构成它们的光学部件的一部分在它们之间共有。
照明系统22利用棱镜24反射来自光源23的光，将光引导到与检测系统21相同的光轴上，并且利用该光照明对准标记10和对准标记11。卤素灯、LED等可以被用作光源23。光源23发射具有与从照射单元2发射的光的波长不同波长的光。由于在本实施例中紫外光被用作从照射单元2发射的光，因此可见光或红外光被用作从光源23发射的光。
棱镜24被布置在检测系统21和照明系统22的光瞳面，或者其附近。对准标记10和对准标记11各自由衍射光栅构成。通过检测系统21，来在由CCD传感器或CMOS传感器构成的摄像元件25上形成由来自被照明系统22照明的对准标记10和对准标记11的衍射光形成的图案(莫尔条纹)。
在棱镜24的贴合面(affixed face)上，棱镜24包括用于反射来自照明系统22的光瞳面的周边部分的光的反射膜24a。反射膜24a起到限定照明系统22的光瞳面的光强度分布的孔径光阑的作用。另外，反射膜24a起到限定检测系统21的光瞳的大小(数值孔径(numerical aperture))的孔径光阑的作用。以这种方式，反射膜24a限定了检测光学系统3的NAo的数值孔径(检测光瞳)。
棱镜24可以被替换为在贴合面上包括半透膜的半棱镜，或者除棱镜之外的光学元件(例如，在上表面上包括反射膜的板状光学元件)。另外，为了改变检测系统21或照明系统22的光瞳的形状，如下配置是可行的，即，通过诸如转台或滑动机构等的切换机构将棱镜24切换为其他棱镜(贴合面处的反射膜包括不同形状的孔径的棱镜)。换言之，检测光学系统3可以包括起到用于改变检测系统21的数值孔径的第一改变单元和用于改变照明系统22的光瞳面的光强度分布的第二改变单元的作用的切换机构。
另外，棱镜24的布置位置不限于检测系统21和照明系统22的光瞳面，或者其附近。此外，限定照明系统22的光瞳面的光强度分布的孔径光阑不必需被布置在棱镜24中。例如，如图3所示，可以将孔径光阑26布置在检测系统21的光瞳面上，并且可以将孔径光阑27布置在照明系统22的光瞳面上。孔径光阑26限定了检测系统21的光瞳的大小，而孔径光阑27限定了照明系统22的光瞳面的光强度分布。在这种情况下，贴合面处等包括半透膜的半棱镜被用作棱镜24。此外，孔径光阑26和孔径光阑27各自可以被构造为能够使用诸如转台的切换机构而被切换为其他孔径光阑(具有不同形状的孔径的孔径光阑)。
以下描述配设在模具7上的对准标记10和配设在基板8上的对准标记11的详情。粗略对准标记被配设在对准标记10的附近，检测光学系统3能够在检测对准标记10的同时检测该粗略对准标记。另外，粗略对准标记被配设在对准标记11的附近，检测光学系统3能够在检测对准标记11的同时检测该粗略对准标记。这里，对准标记10和对准标记11由具有相互不同节距(pitch)的衍射光栅构成。因此，来自对准标记10和对准标记11的衍射光根据衍射光栅的节距之间的差异来形成周期不同的莫尔条纹。由于由来自对准标记10和对准标记11的衍射光形成的莫尔条纹的特性，检测光学系统3无法检测大于或等于衍射光栅的一个节距的相对位置失准(几微米)。鉴于此，有必要通过检测粗略对准标记来指定模具7和基板8的位置，并移动基板台5,使得模具7与基板8的相对位置失准在衍射光栅的一个节距之内。与对准标记10和对准标记11相比，粗略对准标记用于指定较粗略的位置。
由于同样的理由，粗略对准标记也配设在对准基板12上的对准标记13的附近。配设在对准标记13附近的粗略对准标记即使在具有不平坦形状的同时，也可以具有与对准基板12不同的相位。检测光学系统3能够检测来自配设在对准标记13附近的粗略对准标记的散射光。
以下是关于传统技术中的对准标记检测的问题的具体描述。图4A和图4B是用于描述根据传统技术的模具7和对准基板12的对准的图。注意，即使当对准基板12被替换为基板8时也存在类似的问题。
在传统技术中，如图4A所示，使模具7(模具台4)向检测光学系统3的焦平面16(即，聚焦方向)移动，以使模具7和对准基板12相互靠近。在使模具7和对准基板12相互靠近到微米级的间隙时，检测光学系统3检测配设在模具7上的对准标记10和配设在对准基板12上的对准标记13。以这种方式，在传统技术中，使模具7和对准基板12相互靠近，因此如果异物14存在于对准基板12上，则存在模具7接触异物14，使模具7损坏的可能性。这就是难以使模具7和对准基板12对准的原因。
另一方面，如图4B所示，可以想到如下情况：在模具7与对准基板12彼此分离的状态下检测光学系统3检测配设在模具7上的对准标记10和配设在对准基板12上的对准标记13。在这种情况下，来自检测光学系统3的光(对准光)15穿过包括模具7的段差部分的边缘区域，即台面区域与去台面区域之间的段差(边界)，因此与对准标记13相对应的检测光量降低。这就是对准标记检测精度降低的原因。另外，在对准标记10或对准标记13(在图4B中，对准标记10)从光学系统3的焦平面16分离的状态下，检测对准标记10或对准标记13。这也是对准标记检测精度降低的原因，因此存在无法检测到上述对准标记的可能性。
以下描述与由模具7的段差引起的与对准标记相对应的检测光量的下降。图5A是示出二维波动光学模拟的模型的图。在本实施例中，对准基板12和模具7由石英(SiO2)构成。模具7的台面区域32从去台面区域35突出30μm。包括台面区域32与去台面区域35之间的段差的边缘区域31被塑模为具有曲率半径为30μm的区域。图5B是台面区域32的放大图。在台面区域32中形成具有高差(level difference)50nm和节距100nm的凹凸图案7a。图5C是对准标记13的放大图。对准标记13由具有厚度为100nm的Cr形成。
假定以下情况：配设在对准基板12上的对准标记13位于台面区域32、边缘区域31、以及去台面区域35的下方，在模拟中以10μm间隔来移动对准标记13。如图5A所示，边缘区域31在X轴方向上的中心(边缘中心)31a位于台面区域32的边缘与去台面区域35的边缘之间。根据对准标记13相对于边缘中心31a的位置(图5A所示的位置处±0μm)，进行二维波动光学模拟，以研究通过利用检测光学系统3检测对准标记13而获得的波形如何改变。在图5A所示的模型中，对准光15入射，并且由检测光学系统3检测来自对准标记13的散射光。注意，模具7的台面区域32与对准基板12之间的间隙(间隙距离)为100μm。
以下描述针对对准标记13的照明条件和检测条件。优化检测光学系统3用于检测需要以比对准标记13更高精度来检测的对准标记10和对准标记11(由来自对准标记10和对准标记11的衍射光形成的莫尔条纹)。图6是示出检测光学系统3的光瞳面的配置的示例的示意图。参照图6使用的IL1、IL2、IL3以及IL4表示数值孔径(NA)为NAp并且距光瞳中心的距离为NAil的极(有效光源)。针对对准标记13，将包括图6所示的极IL1至IL4的有效光源设置为照明条件，并且通过数值孔径用NAo表示的检测光学系统3的检测光瞳，来检测来自对准标记13的散射光。在本实施例中进行的模拟中，NAo为0.1，NAp为0.05，NAil为0.2，并且对准光15的波长为650nm。
当对准光15已行进了等于对准基板12与模具7的去台面区域35之间的间隙的距离时，下式(1)获得对准光15的传播量。
对准光15的传播量＝NAo×(模具7的台面区域32与对准基板12之间的间隙+模具7的台面区域32的突出量)(1)
在该模拟中，NAo为0.1，模具7的台面区域32的突出量为30μm，模具7的台面区域32与对准基板12之间的间隙为100μm，因此对准光15的传播量为13μm。如果来自对准标记13的散射光与来自模具7的边缘区域31的散射光不重叠，则检测光学系统3能够以高精度检测对准标记13。
图7是示出利用图5A至图5C以及图6所示的模型进行的模拟的结果的图(通过利用检测光学系统3检测对准标记13获得的波形)。在图7中，对准标记13相对于边缘区域31的边缘中心31a的位置(从边缘中心31a起在X轴方向上的±30μm的范围)被标绘在横轴上，并且当检测光学系统3检测到对准标记13时的光量被标绘在纵轴上。从图7能够理解，在去台面区域35以及与边缘区域31的边缘中心31a分离的台面区域32中检测到来自对准标记13的散射光。
在模具7的台面区域32与对准基板12之间的间隙为100μm的情况下，如上所述(基于式(1))对准光15的传播量为13μm。因此，如果配设在对准基板12上的对准标记13位于远离模具7的边缘区域31为13μm以内的位置处(自边缘中心31a的±15μm的范围)，则在边缘区域13中的散射影响检测。为此，认为对准标记13的成像性能在如图7所示的模具7的边缘区域31的边缘中心31a的附近降低。
另外，当配设在对准基板12上的对准标记13被照明时，对准光15也在模具7的边缘区域31中经受散射。因此，光量在对应于模具7的边缘区域31的阴影的部分中降低，因此如果对准标记13位于该部分的下面，则照明对准标记13的对准光15的光量降低。因此，来自对准标记13的散射光的光量也降低，从而认为难以进行对准标记13的检测。
在对准标记13位于距模具7的边缘区域31的边缘中心31a为-10μm的位置处的情况下，认为来自对准标记13的散射光受到由于边缘区域31引起的散射的影响。然而，在模拟中，如图7所示，检测到对准标记13(对应的峰值)。这被认为由于针对对准标记13的照明条件是斜入射照明(11.5度)，并且在距模具7的边缘区域31的边缘中心31a为-10μm的位置处的事实，由边缘区域31引起的散射对对准光15的影响小。
另外，由检测光学系统3检测到的光的光量(来自对准标记13的散射光)根据对准光15的波长以及对准标记13的厚度(段差量)而变化。因此，可以通过改变对准光15的波长来调整来自检测光学系统3检测到的对准标记13的散射光的光量。
以下参照图8A和图8B描述根据本实施例的模具7和对准基板12的对准。在模具7和对准基板12的对准中，如上所述，检测光学系统3需要进行用于检测配设在模具7上的对准标记10和配设在对准基板12上的对准标记13的检测处理。通过控制单元19控制模具台4和基板台5的定位以及由检测光学系统3进行的检测，来进行该检测处理。
在本实施例中，首先，如图8A所示，移动基板台5以将对准基板12移出。由于移出对准基板12，因此对准标记13(基准标记)可以被定位在检测光学系统3的视野外。基板台5的移动方向可以是水平方向(X轴方向或Y轴方向)，或者垂直方向(Z轴方向)。另外，定位模具台4，使得模具7(配设在其上的对准标记10)位于检测光学系统3的焦平面16上(即，移动模具台4使模具7接近焦平面16)。由于此时已经移出对准基板12，因此即使异物存在于对准基板12上，模具7也不会受到损坏。在这种状态下，检测光学系统3检测到配设在模具7上的对准标记10并且获取作为相对于检测光学系统3(摄像元件25)的位置。以这种方式，在已经以使得对准标记13位于检测光学系统3的视野47的外部(即视野外)的方式定位了基板台5的状态下，使检测光学系统3检测对准标记10(第一检测处理)。
接着，如图8B所示，在垂直方向上移动模具台4以移出模具7。这里，在垂直方向上使模具台4(模具7)移动比与存在于对准基板12或者对准标记13上的异物(假定的异物)的尺寸相对应的距离更长的距离。另外，定位基板台5，使得对准基板12(配设在其上的对准标记13)位于检测光学系统3的焦平面16上(即，移动模具台4以使对准基板12接近焦平面16)。在这种状态下，检测光学系统3检测到配设在对准基板12上的对准标记13并且获取作为相对于检测光学系统3(摄像元件25)的位置。以这种方式，定位模具台4，使得对准标记10相对于检测光学系统3而散焦，并且定位基板台5，使得对准标记13位于检测光学系统3的视野47的内部(视野内)。然后使检测光学系统3在此状态下检测对准标记13(第二检测处理)。
在本实施例中，检测光学系统3在图8A所示的第一检测处理和图8B所示的第二检测处理中被固定在同一位置(即，未移动检测光学系统3)。因此这使得能够获得在第一检测处理中检测到的对准标记10和在第二检测处理中检测到的对准标记13的相对位置。另外，因为不会由于检测光学系统3的移动而出现误差，所以能够以高精度检测对准标记10和对准标记13。注意，即使在第一检测处理与第二检测处理之间移动检测光学系统3的情况下，如果获得移动量，则也能够获得对准标记10和对准标记13的相对位置，因此没有必要将检测光学系统3固定在同一位置。
另外，当进行第二检测处理时，定位基板台5，使得来自对准标记13的光(对准光15)穿过除了包括模具7的台面区域与去台面区域之间的段差的边缘区域之外的模具7的区域。具体地，在本实施例中，如图8B所示，定位基板台5，使得来自对准标记13的光穿过模具7的去台面区域。因此，不存在由于模具7的边缘区域的散射的影响，并且对准标记13的成像性能不降低。注意，当进行第二检测处理时，可以定位基板台5，使得来自对准标记13的光穿过模具7的台面区域。注意，在这种情况下，需要定位基板台5，使得光穿过模具7的台面区域的区域，在该区域内凹凸图案7a的节距小于或等于来自对准标记13的光(对准光15)的波长。
可以利用检测系统21的放大率、摄像元件25的大小来改变检测光学系统3的视野，在本实施例中，检测光学系统3的视野被设置为500μm2。使用式(1)获得对准光15的传播量，例如，在NAo为0.1、模具7的台面区域与对准基板12之间的间隙为100μm到200μm并且模具7的台面区域32的突出量为30μm的情况下，对准光15的传播量为13μm到23μm。因此，在检测光学系统3的视野内，使用检测光学系统3(摄像元件25)的位置作为基准，能够充分地检测配设在模具7上的对准标记10和配设在对准基板12上的对准标记13。
图9是从Z轴方向示出在第一检测处理中的模具台4与基板台5之间的位置关系的图。模具台4(模具7)和基板台5(基板8和对准基板12)彼此独立移动。在第一检测处理中，将基板台5移出到不干扰模具台4和模具7的位置，配设在模具7上的对准标记10被布置在检测光学系统3的视野47内，然后检测光学系统3检测对准标记10。然后，在第二检测处理中，在垂直方向上移动模具台4(模具7)，之后移动基板台5以将对准标记13布置在检测光学系统3的视野47内，然后检测光学系统3检测对准标记13。
在图9中，将一个对准标记13配设在对准基板12上，将一个对准标记10配设在模具7上。注意，可以将多个对准标记13配设在对准基板12上，并且可以将多个对准标记10配设在模具7上。在这种情况下，压印装置1包括多个检测光学系统3，并且这些检测光学系统3检测相应的对准标记13和对准标记10。因此这使得能够获得诸如配设在对准基板12上的对准标记13与配设在模具7上的对准标记10之间的移位分量和旋转分量等的误差。因此，能够基于来自多个检测光学系统3的检测结果获得模具7的形状，并且基于获得的模具7的形状，使用布置在模具台4上的模具形状校正单元来校正模具7的形状。
图10A和图10B是示出布置在模具台4上的模具形状校正单元40的配置的示例的图。例如，模具形状校正单元40例如由布置(夹在)在如图10A所示的模具7与模具台4之间的弹簧结构构成。图10A所示的模具形状校正单元40可以通过改变弹簧结构夹紧的强度来使模具7的形状变形。另外，模具形状校正单元40例如可以由布置(夹在)在如图10B所示的模具7与模具台4之间的多个弹簧结构构成。图10B所示的模具形状校正单元40可以通过改变各个弹簧结构的夹紧的强度，以更高精度来使模具7变形。
另外，尽管在本实施例中在进行第一检测处理之后进行第二检测处理，但是即使在进行第二检测处理之后进行第一检测处理，也不会影响对准标记10和对准标记13的检测的精度。因此，能够在进行检测处理的多种检测模式中选择一种检测模式，所述多种检测模式包括在进行第一检测处理之后进行第二检测处理的模式，以及在进行第二检测处理之后进行第一检测处理的模式。这种选择例如仅需要考虑到吞吐量(throughput)即可。
以这种方式，根据压印装置1，能够在不损坏模具7的情况下高精度地使模具7和对准基板12对准。因此，压印装置1能够高精度地使模具7和基板8对准，并且使得能够经济地并且以高吞吐量提供诸如高质量半导体器件的物品。
第二实施例
图11是示出根据本发明的一方面的压印装置1的其他配置的示意图。如图11所示，在本实施例中，压印装置1还包括投影光学系统41。投影光学系统41包括分色镜42，并且投影光学系统41被布置在模具7的上方，具体地，投影光学系统41被布置在模具7与检测光学系统3之间。投影光学系统41将来自照射单元2的光投影到基板上。另外，投影光学系统41将配设在模具7上的对准标记10、配设在基板8上的对准标记11以及配设在对准基板12上的对准标记13的图像投影到投影面上。这里，投影面被设置在检测光学系统3与投影光学系统41之间，检测光学系统3检测投影在投影面上的对准标记10、对准标记11以及对准标记13。
分色镜42是根据波长选择性地反射或者透射光的光学部件。在本实施例中，分色镜42被构造为反射用于在基板8上固化树脂9的光(来自照射单元2的紫外光)，并且透射与对准标记10、对准标记11以及对准标记13相对应的对准光15(来自检测光学系统3的可见光或者红外光)。
检测光学系统3经由包括分色镜42的投影光学系统41检测对准标记10、对准标记11以及对准标记13(即，检测投影在投影光学系统41的投影面上的莫尔条纹的图像)。换言之，检测光学系统3经由投影光学系统41检测模具7和基板8的相对位置，模具7和对准基板12的相对位置等。
照射单元2利用来自投影光学系统41侧方的紫外光照射分色镜42。分色镜42反射的紫外光穿过投影光学系统41，并且利用具有预定形状的紫外光来均匀地照射模具7上的凹凸图案7a。因此，在投影光学系统41中，布置在分色镜42与模具7之间的光学部件由透射紫外光的石英等构成。
根据这种配置，在本实施例中，即使当使用被布置成使得光轴垂直于模具7和基板8的检测光学系统3时，检测光学系统3也不需要在发射来自照射单元2的紫外光时被移出。这消除了在基板8上固化树脂9时将检测光学系统3移出所需的时间，因此使得能够提高压印装置1的吞吐量。
注意，分色镜42可以被构造为透射用于在基板8上固化树脂9的光(紫外光)，并且反射与对准标记10、对准标记11以及对准标记13相对应的对准光15(可见光或者红外光)。在这种情况下，投影光学系统41的光路被分色镜42弯曲，并且照射单元2与检测光学系统3之间的位置关系与图11中所示的位置关系相反。换言之，照射单元2被布置在模具7的上方。
另外，在本实施例中，弯曲镜48被布置在投影光学系统41的投影面附近。来自检测光学系统3的光和来自对准标记10、对准标记11以及对准标记13的衍射光在光通量直径小的位置处被弯曲镜48弯曲到与XY平面平行的方向。因此，即使在通过增大投影光学系统41的大小和检测光学系统3的数值孔径以增加检测到的波长范围的宽度和照明光量、来增大投影光学系统41的直径的情况下，检测光学系统3可以被布置在接近X轴方向和Y轴方向上。因此这使得能够提高对准标记10、对准标记11以及对准标记13的布局的自由度。
在未配设投影光学系统41的情况下，为了避免干扰模具台4中包括的模具形状校正单元和模具驱动机构，需要将检测光学系统3布置在与模具7分离的位置处，或者需要减小其直径。如果检测光学系统3被布置在与模具7分离的位置处，则光通量的直径增大，因此检测光学系统3的大小增大，检测光学系统3的成本增加，并且对对准标记10、对准标记11以及对准标记13的布置限制变得更加严格。另一方面，如果检测光学系统3的直径减小，则检测光学系统3的数值孔径减小，由此导致照明对准标记的照明光量的减少、检测到的波长范围更窄，并且降低对准标记10、对准标记11以及对准标记13的检测精度。
在本实施例中，投影光学系统41的配设使得能够避免检测光学系统3与模具驱动机构和模具形状校正单元之间的干扰，并且能够避免对对准标记10、对准标记11以及对准标记13的布置限制，并且能够增大检测光学系统3的数值孔径。因此，在本实施例中，能够扩展检测光学系统3的检测波长范围并且增加照明光量，因此能够高精度检测对准标记10、对准标记11以及对准标记13。
同样利用图11中所示的压印装置，类似于第一实施例(参照图8A和图8B)，能够高精度地对准模具7和对准基板12。以下描述当检测到来自对准标记13的已经穿过模具7的去台面区域的光时在模具7的台面区域32与对准基板12之间的间隙。如果检测光学系统3的数值孔径NAo充分小，则通过如上所述的式(1)获得对准光15的传播量。例如，如果NAo为0.1并且模具7的台面区域32与对准基板12之间的间隙为200μm，则基于式(1)对准光15的传播量为23μm。因此，如果在X轴方向上模具7的边缘区域的边缘中心与对准标记13之间的间隙被设置为23μm或更大，则对准光15不受模具7的边缘区域扩散的影响，因此使得能够避免对准标记13的成像性能的降低。
注意，在这种情况下，需要根据对准标记13的位置增大检测光学系统3的检测系统21和照明系统22的共同光路的有效直径。如图12所示，在检测到来自对准标记13的已经行进到模具7的台面区域的内部的光(对准光15)的情况下，穿过投影光学系统41时的对准光15的宽度由宽度43示意性地表示。另外，在检测到来自对准标记13的已经穿过模具7的去台面区域的光的情况下，穿过投影光学系统41时的对准光15的宽度由宽度44示意性地表示。因此，为了检测来自对准标记13的已经穿过模具7的去台面区域的光，需要将投影光学系统41的有效直径增加与模具7的边缘区域的边缘中心和对准标记13之间的间隙相对应的量。根据对准标记13的位置和由式(1)获得的对准光15的传播量，来确定投影光学系统41的有效直径的增加量。
图13是从Z轴方向示出在第二检测处理中配设在模具7上的对准标记10与配设在对准基板12上的对准标记13之间的位置关系的图。图13示出了配设在模具7上的对准标记10、配设在对准基板12上的对准标记13、投影光学系统41的有效直径45、模具7的台面区域与去台面区域之间的段差(边缘)46以及检测光学系统3的视野47。如图13所示，对准标记10和对准标记13被布置在模具7的边缘46的附近。在对准标记10和对准标记13被布置在模具7的边缘46的角部的情况下，检测光学系统3的视野47没有完全适合在投影光学系统41的有效直径45内，存在不能利用检测光学系统3检测对准标记的可能性。如果对准标记13被布置在此范围内，则无法检测到对准标记13。鉴于此，如图13所示，如果对准标记13被布置(定位)在检测光学系统3的可检测范围中，则能够检测到对准标记13。以这种方式，能够根据对准标记10的位置，针对检测光学系统3的视野47改变对准标记10和对准标记13的位置。
另外，如果压印装置1包括两个或者更多个检测光学系统3，则可以在各自的检测光学系统3的视野内检测到相应的对准标记10和对准标记13。可以通过在两个或者更多个位置处检测模具7与对准基板12之间的间隙，来获得模具7的形状。这里，测量模具7与对准基板12之间的间隙的位置的数量越多，能够获得模具7的形状的精度就越高。模具形状校正单元基于以这种方式获得的模具7的形状来将模具7的形状校正为预定形状。
第三实施例
本实施例描述了在第一实施例和第二实施例中检测对准标记13时的误差(检测误差)。在图8B中所示的第二检测处理中，如果模具7在模具7被移出时变得倾斜，则针对对准标记13将产生检测误差。例如，如图14所示，如果模具7相对于水平方向倾斜角度53，则来自对准标记13的光51被模具7折射并且移位间隙52。因此，当在模具7和对准基板12的对准中检测对准标记13时，产生与间隙52相对应的检测误差的量。为此，当模具7被移出时(即，当模具7在Z轴方向上被移动时)，需要模具台4能够将模具7的倾斜角度(倾斜量)抑制到低角度。
令θ1是模具7的倾斜角度，t是模具7的厚度，n是模具7的折射率，θ2是入射在模具7上的光的折射角，则来自对准标记13的光51的移位量由下式(2)获得。
移位量＝t×sin(θ1–θ2)/cosθ2 (2)
另外，考虑到斯涅尔定律(Snell’s law)(sinθ1＝n×sinθ2)，如果θ1是1分(minute)，t是1mm，n是1.45，则根据式(2)获得来自对准标记13的光51的移位量为90nm。来自对准标记13的光51的移位量妨碍(成为对准误差)模具7和对准基板12的高精度对准，因此有必要根据需要的对准精度抑制模具7的倾斜角度。
第四实施例
本实施例描述了制造作为物品的设备(半导体器件、磁存储介质、液晶显示元件等)的方法。制造方法包括使用压印装置1在基板(晶片、玻璃板、膜状基板等)上形成图案的步骤。制造方法还包括处理形成了图案的基板的步骤。处理步骤可以包括去除图案的残留膜的步骤。处理步骤也可以包括诸如使用图案作为掩膜来蚀刻基板的步骤等的其他众所周知的步骤。根据本实施例的物品的制造方法，与传统方法相比，优势在于物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一者。
虽然参照示例性实施例对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。应当对所附权利要求的范围给予最宽的解释，以使其涵盖所有这些变型例、等同结构及功能。

Claims (12)

1.一种压印装置，其使用模具进行在基板上的压印材料上形成图案的压印处理，所述压印装置包括：
模具台，其被构造为保持所述模具并且能够移动；
基板台，其包括基准标记，并且被构造为保持所述基板并且能够移动；
检测光学系统，其被构造为检测所述模具上的模具侧标记、以及所述基准标记和所述基板上的对准标记；以及
控制单元，其被构造为基于来自所述检测光学系统的检测结果，来进行所述压印处理，和控制检测处理以进行所述模具与所述基板之间的对准，所述检测处理包括所述模具台和所述基板台的定位以及所述检测光学系统进行的检测，
其中，所述检测处理使所述检测光学系统在所述模具侧标记与所述对准标记彼此分离的第一状态下，检测所述模具侧标记和所述对准标记，并且
其中，所述检测处理包括第一检测处理和第二检测处理，作为检测所述模具侧标记和所述基准标记的处理，在所述第一检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野外的方式定位所述基板台、并且以使得所述模具侧标记位于所述检测光学系统的焦平面上的方式定位所述模具台的第二状态下，检测所述模具侧标记，在所述第二检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的方式定位所述模具台、并且以使得所述基准标记位于所述视野内和所述焦平面上的方式定位所述基板台的第三状态下，检测所述基准标记，在所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的情况下，与所述模具侧标记处于所述第一状态的情况相比，所述模具侧标记从所述焦平面分离得更远。
2.根据权利要求1所述的压印装置，其中，所述控制单元基于所述第一检测处理的检测结果和所述第二检测处理的检测结果，来对所述模具的对准进行检测。
3.根据权利要求1所述的压印装置，
其中，所述模具包括具有与要在所述基板上形成的所述图案相对应的凹凸图案的台面区域以及所述台面区域的周围的去台面区域，并且
其中，所述控制单元以使得来自所述基准标记的光不穿过所述台面区域而穿过所述去台面区域的方式，来使所述基板台在所述第三状态下被定位。
4.根据权利要求1所述的压印装置，
其中，所述模具包括具有与要在所述基板上形成的所述图案相对应的凹凸图案的台面区域，并且
其中，所述控制单元以使得来自所述基准标记的光穿过所述台面区域的、所述凹凸图案的节距不大于来自所述基准标记的光的波长的区域的方式，来使所述基板台在所述第三状态下被定位。
5.根据权利要求1所述的压印装置，其中，所述控制单元选择进行所述检测处理的多个检测模式中的一个，所述多个检测模式包括在进行所述第一检测处理之后进行所述第二检测处理的模式，以及在进行所述第二检测处理之后进行所述第一检测处理的模式。
6.根据权利要求1所述的压印装置，其中，在所述检测处理中所述检测光学系统被固定在同一位置处。
7.根据权利要求1所述的压印装置，
其中，所述压印装置包括多个检测光学系统，并且
所述多个检测光学系统中的各个检测所述模具上的多个模具侧标记中的相应模具侧标记和所述基板台上的多个基准标记中的相应基准标记。
8.根据权利要求7所述的压印装置，
其中，所述控制单元基于由所述多个检测光学系统分别检测的所述多个模具侧标记和所述多个基准标记，来获得所述模具的形状，并且
其中，所述压印装置还包括校正单元，所述校正单元被构造为基于所获得的形状来校正所述模具的形状。
9.根据权利要求1所述的压印装置，所述压印装置还包括：
第一改变单元，其被构造为改变所述检测光学系统的检测系统的数值孔径；以及
第二改变单元，其被构造为改变所述检测光学系统的照明系统的光瞳面的光强度分布。
10.根据权利要求1所述的压印装置，所述压印装置还包括：
照射单元，其被构造为照射用于固化要形成到所述图案中的压印材料的光；以及
投影光学系统，其被布置在所述模具与所述检测光学系统之间，并且被构造为将来自所述照射单元的光投影到所述基板上，
其中，所述检测光学系统经由所述投影光学系统来检测所述模具侧标记和所述基准标记。
11.一种采用压印装置的压印方法，所述压印装置包括检测光学系统，所述检测光学系统被构造为检测模具上的模具侧标记和检测保持基板的基板台上的基准标记，所述压印装置使用所述模具进行在所述基板上的压印材料上形成图案的压印处理，所述压印方法包括：
通过控制所述基板台和保持所述模具的模具台的定位，并且控制由所述检测光学系统进行的检测，来进行检测处理，以进行所述模具与所述基板之间的对准的步骤，
基于来自所述检测光学系统的检测结果来进行所述压印处理的步骤，
其中，所述检测处理使所述检测光学系统在所述模具侧标记与所述基板上的对准标记彼此分离的第一状态下，检测所述模具侧标记和所述对准标记，并且
其中，所述检测处理包括第一检测处理和第二检测处理，作为检测所述模具侧标记和所述基准标记的处理，在所述第一检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述基准标记位于所述检测光学系统的视野外的方式定位所述基板台、并且以使得所述模具侧标记位于所述检测光学系统的焦平面上的方式定位所述模具台的第二状态下，检测所述模具侧标记，在所述第二检测处理中，使所述检测光学系统在以使得所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的方式定位所述模具台、并且所述基板台位于所述视野内和所述焦平面上的第三状态下，检测所述基准标记，在所述模具侧标记针对所述检测光学系统散焦的情况下，与所述模具侧标记处于所述第一状态的情况相比，所述模具侧标记从所述焦平面分离得更远。
12.一种物品的制造方法，所述制造方法包括：
使用根据权利要求1至10中的任一项所述的压印装置，在基板上形成图案；以及
对形成有所述图案的所述基板进行处理。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6188382B2 (ja) * 2013-04-03 2017-08-30 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
NL2017554A (en) * 2015-11-20 2017-06-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method of operating a lithographic apparatus
JP6685821B2 (ja) 2016-04-25 2020-04-22 キヤノン株式会社 計測装置、インプリント装置、物品の製造方法、光量決定方法、及び、光量調整方法
JP6207671B1 (ja) * 2016-06-01 2017-10-04 キヤノン株式会社 パターン形成装置、基板配置方法及び物品の製造方法
JP6748496B2 (ja) * 2016-06-30 2020-09-02 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法
JP6971567B2 (ja) 2016-12-16 2021-11-24 キヤノン株式会社 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
JP7089348B2 (ja) * 2017-07-28 2022-06-22 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
US11054739B2 (en) * 2018-07-26 2021-07-06 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, control method, imprint method and manufacturing method
JP2020165910A (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 キヤノン株式会社 形状計測装置、パターン形成装置および物品の製造方法
JP7278135B2 (ja) * 2019-04-02 2023-05-19 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品製造方法
JP7395303B2 (ja) * 2019-09-30 2023-12-11 キヤノン株式会社 インプリント用モールド、インプリント方法および物品の製造方法
WO2023198444A1 (en) * 2022-04-15 2023-10-19 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus with configurable printed optical routing for parallel optical detection

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0456312A (ja) * 1990-06-26 1992-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置合わせ方法及び位置合わせ装置
JP2011003605A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013157553A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc インプリント装置、インプリント装置の制御方法、及びデバイス製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62149128A (ja) * 1985-11-25 1987-07-03 Hitachi Ltd 露光装置
JP4478424B2 (ja) 2003-09-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 微細加工装置およびデバイスの製造方法
JP4185941B2 (ja) 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
JP4795300B2 (ja) * 2006-04-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 位置合わせ方法、インプリント方法、位置合わせ装置、インプリント装置、及び位置計測方法
NL2004932A (en) 2009-07-27 2011-01-31 Asml Netherlands Bv Imprint lithography template.
JP2011066238A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp パターン形成用テンプレートの作製方法
JP5800456B2 (ja) * 2009-12-16 2015-10-28 キヤノン株式会社 検出器、インプリント装置及び物品の製造方法
JP5713961B2 (ja) * 2011-06-21 2015-05-07 キヤノン株式会社 位置検出装置、インプリント装置及び位置検出方法
JP6029495B2 (ja) * 2012-03-12 2016-11-24 キヤノン株式会社 インプリント方法およびインプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP6304934B2 (ja) * 2012-05-08 2018-04-04 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6039917B2 (ja) * 2012-05-22 2016-12-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0456312A (ja) * 1990-06-26 1992-02-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置合わせ方法及び位置合わせ装置
JP2011003605A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及び表示用パネル基板の製造方法
JP2013157553A (ja) * 2012-01-31 2013-08-15 Canon Inc インプリント装置、インプリント装置の制御方法、及びデバイス製造方法

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