CN104754876A - 电气配线层、电气配线基板、它们的制造方法和形成用部件、振动器、电子设备及移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电气配线层、电气配线基板、它们的制造方法和形成用部件、振动器、电子设备及移动体。电气配线层的制造方法的特征在于，是一种制造包括电气配线的电气配线层的方法，包括：对包含带绝缘层的金属粒子的粉体进行加压从而形成压粉成形层的工序，其中，带绝缘层的金属粒子由具有导电性的金属粒子和位于上述金属粒子表面、以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成；以及对上述压粉成形层照射能量线，从而在照射区域形成上述电气配线的工序。

Description

电气配线层、电气配线基板、它们的制造方法和形成用部件、振动器、电子设备及移动体
技术领域
本发明涉及电气配线层的制造方法、电气配线层形成用部件、电气配线层、电气配线基板的制造方法、电气配线基板形成用部件、电气配线基板、振动器、电子设备和移动体。
背景技术
由于从热传导性、耐热性、化学稳定性等观点来看，陶瓷配线基板比有机配线基板更好，因此，将使配线基板的高密度化成为可能，并有助于电子设备的小型化。
已知这种陶瓷配线基板例如具备：陶瓷基板、由在陶瓷基板的表面上铺设的W或Mo构成的底层图案、由设置于底层图案的表面的Cu构成的配线图案(例如，参照专利文献1)。
专利文献1中记载的陶瓷配线基板通过如下工序制造：在将陶瓷粉体原料与有机质粘合剂混合而成的陶瓷成形体的表面或背面上涂覆以W或Mo为主要成分的导电膏的工序；将陶瓷成形体和导电膏同时烧成，从而得到形成有底层图案的陶瓷基板；利用镀法在底层图案的表面上将Cu成膜，从而得到配线图案的工序。
这种陶瓷配线基板在陶瓷基板与配线图案之间设置有底层图案，可确保两者的密合性。然而，存在一个由于形成底层图案的需要，制造工序增多，制造效率会降低的问题。
并且，若没有底层图案，则陶瓷基板和配线图案之间的密合性会降低，有可能出现配线图案剥离这种不良情况。
另一方面，在专利文献2中提出了一种把在热塑性绝缘材料中分散导电性粒子而得的加热导电性绝缘材料用于去除加工用电极(修整(triming)用电极)的电容器。文献记载了如下要旨：在这种电容器中，若对去除加工用电极照射激光，则热塑性绝缘材料和导电粒子会熔化，进一步通过导电粒子的彼此连接，能够使照射区域导通。即，在去除加工用电极中，最初导电粒子彼此由于热塑性绝缘材料而绝缘，但通过照射激光，可使得照射区域导通。因此，通过照射激光，能够调整电容器的静电电容。
因此，通过使用专利文献2中记载的热导电性绝缘材料，在陶瓷基板上形成覆膜，并对该覆膜照射激光，可以形成对应于照射痕的配线图案。
然而，专利文献2中记载了可使用作为热塑性绝缘材料的松焦油、各种橡胶、热塑性刚性树脂等主旨。由于这些材料耐热性低，当例如对形成的配线图案进行焊接时，热导电性绝缘材料无法耐受焊接的温度。因此，随着焊接的进行，未照射激光的区域上的热导电性绝缘材料也会导通，将会发生配线图案之间的绝缘性下降等不良情况。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2009-295661号公报
专利文献2：特开平10-303061号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种形成有所需图案的电气配线的电气配线层、可有效制造该电气配线层的电气配线层制造方法、适合用于上述电气配线层的形成的电气配线层形成用部件、具有设置于基板上的所需图案的电气配线的电气配线基板、可有效制造该电气配线基板的电气配线基板制造方法、及适合用于上述电气配线基板的形成的电气配线基板形成用部件、以及具备上述电气配线层或上述电气配线基板的振动器、电子设备及移动体。
上述目的是通过下述本发明来实现的。
本发明的电气配线层的制造方法，其特征在于，是制造包括电气配线的电气配线层的方法，其包括：对含有带绝缘层的金属粒子的粉体进行加压从而得到压粉成形层的工序，其中，带绝缘层的金属粒子由具有导电性的金属粒子和位于上述金属粒子表面、以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成；以及对上述压粉成形层照射能量线，从而在照射区域形成上述电气配线的工序。
由此，通过适当选择能量线的照射区域，可容易地形成所需图案的电气配线。因此，能够有效地制造电气配线层。而且，虽然在非照射区域上可得到绝缘区域，但由于该绝缘区域包括金属粒子，因此，具有来自金属材料的高导热性。此外，由于该绝缘区域也包括玻璃材料，因此，比树脂材料导热性更高。因此，本发明制造的电气配线层具有优异的放热性。并且，该电气配线层包括玻璃材料，而实际上不包括树脂材料，因此，耐热性高，且气体吸附性(气体释放性)低。因此，该电气配线层例如具有可耐焊接作业和焊料回流处理的耐热性，同时，即便在电气配线层作为形成密闭空间的封装件的一部分而使用的情况下，也能够抑制释放出的气体所导致的密闭空间的压力上升和污染等。
根据本发明的电气配线层的制造方法，上述带绝缘层的金属粒子优选通过使上述玻璃材料固定在上述金属粒子的表面上制造而成。
由此，可在干燥下且惰性气体中制造带绝缘层的金属粒子，因此，金属粒子与表面绝缘层之间夹杂有水分等的可能性小，从而可以长期抑制金属粒子的变质和劣化。而且，通过机械地固定，即便假设金属粒子的表面上附着异物或氧化覆膜等，也可以去除，或在破坏的同时形成表面绝缘层。因此，带绝缘层的金属粒子成为高洁净度的金属粒子，从而可得到导电性高的电气配线。并且，即使对于软化点高、难处理的玻璃材料，也可以使其覆膜而作为表面绝缘层。因此，可以使用品种范围广的玻璃材料。
根据本发明的电气配线层的制造方法，上述压粉成形层优选对包括上述带绝缘层的金属粒子和玻璃粒子的粉体进行加压而得到的成形层。
由此，上述玻璃粒子可以作为粒子间绝缘部介于带绝缘层的金属粒子彼此之间，并固定带绝缘层的金属粒子，确保压粉成形层的机械强度。
根据本发明的电气配线层的制造方法，上述玻璃材料和上述玻璃粒子的构成材料优选为同样的材料。
由此，作为表面绝缘层的主材料的上述玻璃材料与介于带绝缘层的金属粒子彼此之间的上述玻璃粒子可在相同的软化点软化并彼此混合，因此，当被照射能量线时，金属粒子彼此的结合由于玻璃材料而难以受到阻碍，其结果是，金属粒子彼此变得容易结合。因此，可形成导电性高的电气配线。
根据本发明的电气配线层的制造方法，当上述压粉成形层中的上述带绝缘层的金属粒子的体积与上述玻璃粒子的体积合计为100时，上述玻璃粒子的体积优选为65以下。
由此，可以使电气配线的导电性和绝缘区域的绝缘性并存，同时提高电气配线层的机械强度。
本发明的电气配线层的制造方法，优选具有加热上述压粉成形层的工序。
由此，与作为表面绝缘层的主材料的玻璃材料或带绝缘层的金属粒子共同混合的玻璃粒子将熔化，然后，通过固化，带绝缘层的金属粒子被固定，从而可确保压粉成形层的机械强度。其结果是，可提高压成形层的保形性。
根据本发明的电气配线层的制造方法，上述金属粒子优选通过水雾化法或高速旋转水流雾化法制造而成。
由此，可有效地制造极微小的粉末，并且，所得粉末的粒子形状由于表面张力的作用而接近于球形，因此，可得到在成形时能提高填充率的金属粒子。
本发明的电气配线层形成用部件，其特征在于，是包括由具有导电性的金属粒子和位于上述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子的压粉成形层，并且是能够通过对一部分照射能量线，使照射区域显出导电性，从而形成电气配线的部件。
通过这种方式，只需对任意区域照射能量线，即可容易形成所需图案的电气配线。因此，可得到适合用于电气配线层的形成的电气配线层形成用部件。
本发明的电气配线层，其特征在于，包括绝缘区域和电气配线，该绝缘区域包括由具有导电性的金属粒子和位于上述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子，该电气配线包括具有导电性的金属粒子彼此接合的粒子结合体，上述绝缘区域和上述电气配线形成为一体。
通过这种方式，绝缘区域和电气配线彼此牢固地连接，电气配线与绝缘区域之间的边界上的机械强度足够高，因此，可得到能充分抑制电气配线的剥离等不良情况发生的电气配线层。
本发明的电气配线基板的制造方法，其特征在于，是一种制造具有基板、以及包括设置于上述基板的一个表面侧上的电气配线的电气配线层的电气配线基板的方法，包括：在上述基板上，对包含带绝缘层的金属粒子的粉体进行加压从而形成压粉成形层的工序，其中，带绝缘层的金属粒子由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子表面、以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成；以及对上述压粉成形层照射能量线，在照射区域形成上述电气配线，从而得到上述电气配线层的工序。
由此，通过适当选择能量线的照射区域，可容易地形成所需图案的电气配线。因此，能够有效地制造电气配线基板。而且，虽然在非照射区域上可得到绝缘区域，但由于该绝缘区域包含金属粒子，因此，具有来自金属材料的高导热性。此外，由于该绝缘区域也包含玻璃材料，因此，比树脂材料导热性更高。因此，本发明制造的电气配线基板具有优异的放热性。并且，该电气配线基板包括玻璃材料，而实际上不包括树脂材料，因此，耐热性高，且气体吸附性(气体释放性)低。因此，该电气配线基板例如具有可耐焊接作业和焊料回流处理的耐热性，同时，即便在电气配线基板作为形成密闭空间的封装件的一部分而使用的情况下，也能够抑制释放出的气体所导致的密闭空间的压力上升和污染等。
本发明的电气配线基板形成用部件，其特征在于，具有：基板；以及压粉成形层，所述压粉成形层包括设置于上述基板的一个面上，由具有导电性的金属粒子和位于上述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子。
通过这种方式，只需对任意区域照射能量线，即可容易形成所需图案的电气配线。因此，可得到适合用于电气配线基板的形成的电气配线基板形成用部件。
本发明的电气配线基板，其特征在于，具有基板以及设置在上述基板的一个表面侧上的电气配线层，该电气配线层包括绝缘区域和电气配线，绝缘区域包括由具有导电性的金属粒子和位于上述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子，电气配线包括由具有导电性的金属粒子彼此结合而成的粒子结合体，上述绝缘区域与上述电气配线形成为一体。
通过这种方式，绝缘区域和电气配线彼此牢固地连接，电气配线与绝缘区域之间的边界上的机械强度足够高，因此，可得到能充分抑制电气配线的剥离等不良情况发生的电气配线基板。
本发明的振动器，其特征在于，具有：封装件，所述封装件包括本发明的电气配线层或本发明的电气配线基板、以及接合于上述电气配线层或上述电气配线基板的盖部件；以及振动片，所述振动片被容纳在上述封装件中。
因此，可得到能实现小型化和低成本化的振动器。
本发明的电子设备，其特征在于，具备本发明的电气配线层或本发明的电气配线基板。
由此，可得到具备可靠性高的电气配线层或电气配线基板的电子设备。
本发明的移动体，其特征在于，具备本发明的电气配线层或本发明的电气配线基板。
由此，可得到具备可靠性高的电气配线层或电气配线基板的移动体。
附图说明
图1是示出本发明的振动器的第一实施方式的俯视图。
图2是图1中的A-A线断面图。
图3的(a)、图3的(b)是图1所示的振动器所具有的振动片的俯视图。
图4是图2所示的振动器中包括的基底(本发明的电气配线层的实施方式)的X部分的放大图。
图5是用于说明包括本发明的电气配线层的制造方法的实施方式的制造图1所示振动器的方法的断面图。
图6的(a)、图6的(b)是用于说明包括本发明的电气配线层的制造方法的实施方式的制造图1所示振动器的方法的断面图。
图7的(c)、图7的(d)、图7的(e)是用于说明包括本发明的电气配线层的制造方法的实施方式的制造图1所示振动器的方法的断面图。
图8的(f)、图8的(g)、图8的(h)是用于说明包括本发明的电气配线层的制造方法的实施方式的制造图1所示振动器的方法的断面图。
图9的(i)、图9的(j)、图9的(m)是用于说明包括本发明的电气配线层的制造方法的实施方式的制造图1所示振动器的方法的断面图。
图10是应用本发明的电气配线层的第二实施方式的基体的局部放大图。
图11是示出本发明的电气配线层的第三实施方式的立体图。
图12是示出本发明的电气配线层的第三实施方式的立体图。
图13是示出本发明的电气配线基板的实施方式的立体图。
图14是示出本发明的电气配线基板的实施方式的立体图。
图15的(a)、图15的(b)是示出本发明的电气配线基板的制造方法的实施方式的断面图。
图16是示出应用具备本发明的电气配线层的电子设备的移动型(或笔记本型)的个人电脑的构成的立体图。
图17是示出应用具备本发明的电气配线层的电子设备的手机(包括PHS)的构成的立体图。
图18是示出应用具备本发明的电气配线层的电子设备的数字静态照相机的构成的立体图。
图19是简要示出作为本发明的移动体的一例的汽车的立体图。
符号说明
1、振动器                     10、电气配线基板
11、电气配线层                100、显示部
110、封装件                   120、基体
121、122、123、电气配线       125、绝缘区域
130、盖                       131、凹部
133、基部                     134、侧壁
141、连接电极                 142、外部安装电极
143、贯通电气配线             1431、贯通部
1432、非贯通部                151、连接电极
152、外部安装电极             153、贯通电气配线
161、导电性粘接剂             162、导电剂粘接剂
163、贯通电气配线             180、焊料
190、振动片                   191、压电基板
193、电极层                   193a、激励电极
193b、焊盘                    193c、配线
195、电极层                   195a、激励电极
195b、焊盘                    195c、配线
31、金属粒子                  32、粒子结合体
33、表面绝缘层                34、粒子间绝缘部
35、带绝缘层的金属粒子        4、粉体
41、压粉成形层                421、区域
422、区域                     5、加压成形机
50、成形模具                  51、型腔
52、定模(die)                 521、贯通孔
53、下冲模                    54、上冲模
61、掩膜(mask)                62、导电膏
63、刮刀                      64、掩膜
7、绝缘性基板                 71、贯通电气配线
1100、个人电脑                1102、键盘
1104、本体部                  1106、显示单元
1200、手机                    1202、操作按钮
1204、听筒                    1206、话筒
1300、数字静态照相机          1302、外壳
1304、光接收单元              1306、快门按钮
1308、存储器                  1312、视频信号输出端子
1314、输入输出端子            1430、电视监控器
1440、个人电脑                1500、汽车
E、能量线                     S、容纳空间。
具体实施方式
下面，根据附图所示的优选实施方式，对电气配线层的制造方法、电气配线层形成用部件、电气配线层、电气配线基板的制造方法、电气配线基板形成用部件、电气配线基板、振动器、电子设备和移动体进行详细的说明。
[振动器和电气配线层]
〈第一实施方式〉
首先，对本发明的振动器的第一实施方式和本发明的电气配线层的第一实施方式进行说明。
图1是示出本发明的振动器的第一实施方式的俯视图，图2是图1中的A-A线断面图，图3的(a)、图3的(b)是具有图1所示的振动器的振动片的俯视图。另外，在以下说明中，将图2中的上侧作为“上”、下侧作为“下”进行说明。
如图1、2所示，振动器1包括：封装件110、容纳于封装件110中的振动片190。
(振动片)
如图3的(a)、图3的(b)所示，振动片190包括：俯视图形状呈长方形(矩形)的板状的压电基板(振动基板)191、形成于压电基板191表面的具有导电性的一对电极层193、195。另外，图3的(a)是从上方看振动片190的上表面所见的俯视图，图3的(b)是从上方透视振动片190的下表面的透视图(俯视图)。
压电基板191是主要进行厚度切变振动的水晶毛坯。
本实施方式中，使用被称为AT切的利用交角切出的水晶毛坯作为压电基板191。另外，所谓AT切，是指进行切出，以具有将包括作为水晶晶轴的X轴和Z轴的平面(Y平面)绕X轴从Z轴沿反时针方向旋转大约35度15分所得到的主面(包括X轴和Z’轴的主面)。
并且，压电基板191的长度方向与作为水晶晶轴的X轴一致。
电极层193具有：形成于压电基板191的上表面的激励电极193a、形成于压电基板191的下表面的焊盘193b、将激励电极193a和焊盘193b电连接的配线193c。
另一方面，电极层195具有：形成于压电基板191的下表面的激励电极195a、形成于压电基板191的下表面的焊盘195b、将激励电极195a和焊盘195b电连接的配线195c。
激励电极193a和激励电极195a被设置为通过压电基板191彼此相对，彼此呈大致相同的形状。即，当俯视压电基板191时，激励电极193a和激励电极195a被形成为位置彼此重叠，且彼此的轮廓大致相同。
并且，焊盘193b、195b在压电基板191的下表面的图3的(b)中右侧的端部上彼此分离而形成。
另外，在上述说明中，以AT切的水晶毛坯为例进行了说明，但该交角不受特别限定，也可以是Z切或BT切。并且，压电基板191的形状不受特别限制，也可以是两脚音叉、H型音叉、三脚音叉、梳齿型、正交型、角柱型等形状。
并且，压电基板191的构成材料不仅限于水晶，也可以是硅或其它压电材料等。
并且，振动器1除了作为定时信号源使用，也可以作为检测压力、加速度、角速度等物理量的传感器来使用。
(封装件)
如图1和图2所示，封装件110包括：板状的基体120、具有向下方开口的凹部131的盖130(盖体)。在这种封装件110中，凹部131被基体120挡住，由此形成的凹部130内侧的空间被作为容纳上述振动片190的容纳空间S使用。另外，在图1中，是切出盖130的一部分进行图示的。
基体120包括：贯通厚度方向的贯通电气配线143、153、以及设置在这些贯通电气配线143、153周围的绝缘区域125。该基体120是本发明的电气配线层的一实施方式。
并且，在基体120的上表面设置有一对连接电极141、151。另一方面，在基体120的下表面形成有一对外部安装电极142、152。
如上所述，基体120上设置有贯通电气配线143、153。其中，连接电极141与外部安装电极142通过贯通电气配线143电连接，连接电极151与外部安装电极152通过贯通电气配线153电连接。
作为连接电极141、151和外部安装电极142、152的构成材料，并无特别限定，例如有：金(Au)、白金(Pt)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、铌(Nb)、钨(W)、铁(Fe)、钛(Ti)、钴(Co)、锌(Zn)、锆(Zr)等金属元素的单体或包含这些金属元素的合金和复合体等。
另外，关于贯通电气配线143、153和绝缘区域125，后面将详述。
并且，在基体120的上表面的外缘部上设置有未图示出的框状的金属化层。该金属化层可提高基体120与后述焊料180的密合性。由此，可提高利用焊料180的基体120与盖130之间的接合强度。
作为金属化层的构成材料，只要能够提高与焊料180的密合性，并无特别限定，例如有：金(Au)、白金(Pt)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、铌(Nb)、钨(W)、铁(Fe)、钛(Ti)、钴(Co)、锌(Zn)、锆(Zr)等金属元素的单体或包含这些金属元素的合金和化合物等。
盖130具有板状的基部133和设置于基部133下表面的框状的侧壁134，由此形成上述的凹部131。这种盖130例如通过将金属平板加工成箱状而形成。
盖130的构成材料并无特别限定，例如，可以是陶瓷材料或玻璃材料，优选使用可伐合金等的Fe-Ni-Co系合金、42镍铁合金等的Fe-Ni系合金等合金。
并且，在盖130的侧壁134的下表面也可根据需要设置未图示出的框状的金属化层。该金属化层也是用于提高盖130与后述的焊料180之间的密合性，作为其构成材料，可例举如：作为上述连接电极141、151等的构成材料所举出的金属材料。
作为将盖130与基体120接合的方法，并无特别限定，例如，可以举出在将盖130放置于基体120上的状态下，对盖130的缘部照射激光，通过将焊料180加热和熔化，使焊料180渗透盖130与基体120之间的方法。
作为焊料180，并无特别限定，例如，可以使用金焊料、银焊料等，但优选使用银焊料。并且，焊料180的熔点并无特别限定，优选例如为800℃以上1000℃以下程度。
在这种封装件110的容纳空间S中容纳有上述振动片190。容纳空间S容纳的振动片190通过一对导电性粘接剂161、162受到基体120的悬臂支撑。
导电性粘接剂161被设置为与连接电极141和焊盘193b接触，连接电极141与焊盘193b通过这种方式电连接。同样地，导电性粘接剂162被设置为与连接电极151和焊盘195b接触，连接电极151与焊盘195b通过这种方式电连接。即，这些导电性粘接剂161、162承担形成在封装件110中的电气配线的一部分。
另外，导电性粘接剂161、162可以分别由导电性金属材料来代替。作为导电性金属材料，并无特别限定，可举例如作为上述连接电极141、151等的构成材料而举出的金属材料。
并且，导电性粘接剂161、162也可以由例如焊线等代替。
这里，对贯通电气配线143、153和绝缘区域125进行详述。另外，由于贯通电气配线143和贯通电气配线153的构成彼此相同，因此，在以下说明中，对贯通电气配线143进行说明，而省略对贯通电气配线153的说明。
图4是图2所示的振动器中包括的基底(本发明的电气配线层的实施方式)的X部分的放大图。
图2的X部分被设置成跨立在贯通电气配线143和与其邻接的绝缘区域125上。其中，如图4所示，贯通电气配线143包括：金属粒子31彼此结合而成的粒子结合体32、被设置成覆盖粒子结合体32的表面(位于)的表面绝缘层33、以及被设置成填埋粒子结合体32与表面绝缘层33的空隙的粒子间绝缘部34。
如图4所示，在贯通电气配线143中，构筑有由具有导电性的金属粒子31彼此结合成三维的网状的粒子结合体32。因此，贯通电气配线143整体具有大致均匀的导电性，并作为使基体120在厚度方向上贯通的电气配线而发挥作用。
另一方面，绝缘区域125包括由金属粒子31和以覆盖其表面的方式设置的表面绝缘层33构成的带绝缘层的金属粒子35。并且，带绝缘层的金属粒子35彼此之间设置有粒子间绝缘部34。带绝缘层的金属粒子35彼此通过该粒子间绝缘部34固定，从而可确保绝缘区域125的机械强度。这种绝缘区域125作为使贯通电气配线143与贯通电气配线153绝缘的绝缘体而发挥作用。
上述贯通电气配线143是通过对与绝缘区域125同样的构造物照射能量线，使该构造物中的金属粒子31彼此结合而形成的部分。换言之，被照射能量线之前的贯通电气配线143的区域具有与绝缘区域125相同的构成，通过能量线对该区域的照射，能使所需区域转变为贯通电气配线143。并且，绝缘区域125由对包括带绝缘层的金属粒子35的混合粉体加压成形而成的压粉成形体构成。因此，通过对这种压粉成形体照射能量线，可得到贯通电气配线143与绝缘区域125。
金属粒子31是具有导电性的金属材料的粒子。金属粒子31的构成材料可举例如：金(Au)、白金(Pt)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、铌(Nb)、钨(W)、铁(Fe)、钛(Ti)、钴(Co)、锌(Zn)、锆(Zr)等金属元素的单体或包含这些金属元素的合金和复合体等。
并且，金属粒子31的维氏硬度优选为30以上500以下，较优选为50以上400以下。若金属粒子31的维氏硬度在上述范围以内，则在形成上述压粉成形体时，金属粒子31可因相邻的金属粒子31等的挤压而适度变形。因此，压粉成形体的填充率增高，并且，不会随着金属粒子31的变形而损害表面绝缘层33，从而使得带绝缘层的金属粒子35彼此的密合性也增加，因此，成形体的保形性也会提高。其结果是，可以提高基体120(电气配线层)的机械强度，且随着能量线的照射，金属粒子31彼此易于结合，因此，可以提高贯通电气配线143的导电性。
这种金属粒子31的维氏硬度是根据JIS Z 2244中规定的试验方法测定的。
粒子结合体32是由金属粒子31彼此结合而成的。金属粒子31彼此的结合通过基于能量线的照射的烧结来进行。在烧结过程中，金属粒子31彼此之间发生材料的相互转移，最终金属粒子31彼此结合成三维的网状，形成粒子结合体32。
另一方面，在金属粒子31彼此的结合过程中，覆盖金属粒子31的表面绝缘层33会随着构成金属粒子31的材料的转移而移动，从而以覆盖粒子结合体32的方式分布。并且，一部分表面绝缘层33会残留在粒子结合体32的内部。
并且，粒子间绝缘部34中，也有的会随着构成金属粒子31的材料的转移而移动，并冒出粒子结合体32的外侧，其一部分会残留在粒子结合体32的内部。
其结果是，如图4所示，可得到包括粒子结合体32和表面绝缘层33和粒子间绝缘部34的贯通电气配线143。
通过这种方式得到的贯通电气配线143具有与金属粒子31的构成材料的散体相同程度或可相比程度的导电性。由此，振动器1可实现优异的频率特性和低电耗的并存。
表面绝缘层33可被设置为覆盖(位于)金属粒子31的表面的至少一部分，但优选设置为覆盖金属粒子31的整个表面。通过设置这种表面绝缘层33，可得到带绝缘层的金属粒子35。在带绝缘层的金属粒子35中，由于表面绝缘层33介于具有导电性的金属粒子31彼此之间，因此，带绝缘层的金属粒子35彼此绝缘。
作为表面绝缘层33的构成材料，可举例如以B2O3、SiO2、Al2O3、Bi2O3、ZnO、SnO、P2O5等为主要成分的而包含的各种玻璃材料。并且，玻璃材料中，除了这些成分，还可包含PbO、Li2O、Na2O、K2O、MgO、CaO、SrO、BaO、Gd2O3、Y2O3、La2O3、Yb2O3等副成分。
并且，作为表面绝缘层33的构成材料，更具体而言，可举例如：钠钙玻璃、硼硅玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、硫酸盐玻璃、钒酸盐玻璃等各种玻璃材料。
由于上述这种玻璃材料与有机材料相比具有优异的化学稳定性和绝缘性，因此，可得到能长期保持高绝缘性的表面绝缘层33。
并且，这种玻璃材料中，优选使用软化点为650℃以下的材料，较优选使用100℃以上600℃以下的材料，更优选使用300℃以上500℃以下的材料。通过选择软化点在上述范围内的玻璃材料，照射能量线时熔化的玻璃材料会变得具有足够的流动性，因此，金属粒子31彼此易于结合，从而可得到导电性高的贯通电气配线143。
另外，玻璃材料的软化点是根据JIS R 3103-1中规定的软化点的测定方法来测定的。
并且，作为构成表面绝缘层33的玻璃材料，尤其可举例如：SnO-P2O5-MgO、SnO-P2O5、Bi2O3-B2O3-ZnO、Bi2O3-ZnO-B2O3、SiO2-Al2O3-B2O3、SiO2-B2O3-Al2O3、SiO2-B2O3-ZnO、Bi2O3-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2等。
并且，构成表面绝缘层33的玻璃材料中，还可以添加无损玻璃材料特性的陶瓷材料，硅材料等非导电性无机材料。这种情况下的添加量例如可以是10质量％以下程度。
表面绝缘层33的平均厚度不受特别限定，优选为金属粒子31的平均粒径的0.1％以上5％以下，较优选为0.3％以上3％以下。通过将表面绝缘层33的厚度设定于相对金属粒子31的上述范围内，可以利用表面绝缘层33充分地吸收金属粒子31的表面凹凸。通过这种方式，即便带绝缘层的金属粒子35彼此接触也能够确保足够的绝缘性。
更具体而言，表面绝缘层33的平均厚度优选为50nm以上3000nm以下，较优选为100nm以上2000nm以下。通过将表面绝缘层33的平均厚度设定于上述范围内，即便在绝缘区域125上假设带绝缘层的金属粒子35彼此接触，也能够防止金属粒子31彼此导通，并防止绝缘区域125的绝缘性降低。
另外，如果表面绝缘层33的平均厚度低于上述下限值，则根据金属粒子31的粒径和构成材料，在绝缘区域125被加压时，有可能金属粒子31会贯通表面绝缘层33从而金属粒子31彼此会导通。另一方面，如果表面绝缘层33的平均厚度超过上述上限值，则根据金属粒子31的粒径和构成材料，当金属粒子31彼此要结合时，受到表面绝缘层33阻碍的几率会变高。因此，有可能会降低贯通电气配线143的形成效率，如需要更高的能量线用于烧结等。
表面绝缘层33的平均厚度为：将一个带绝缘层的金属粒子35的断面置于显微镜下观察，被设定为大致相等间隔的10个点的表面绝缘层33的厚度的平均值。另外，在已知制造带绝缘层的金属粒子35时所使用的金属粒子31的粒径和使用量、表面绝缘层33的使用量的情况下，也可以通过计算从这些信息中推导出表面绝缘层33的平均厚度。
粒子间绝缘部34在绝缘区域125上夹杂在带绝缘层的金属粒子35彼此之间，同时，也残留一部分在贯通电气配线143的内部。这种粒子间绝缘部34在绝缘区域125上，通过将带绝缘层的金属粒子35固定，可确保绝缘区域125的机械强度。因此，绝缘区域125作为基体120而成为具有必要的机械强度的区域。
作为粒子间绝缘部34的构成材料，只要是玻璃材料、陶瓷材料、硅材料等无机系绝缘性材料，均可使用，但优选使用玻璃材料。
并且，构成粒子间绝缘部34的玻璃材料，其组成可以与构成表面绝缘层33的玻璃材料的组成不同，但优选为相同。通过使构成粒子间绝缘部34的玻璃材料的组成与构成表面绝缘层33的玻璃材料的组成相同，在金属粒子31彼此通过烧结而接合时，表面绝缘层33与粒子间绝缘部34可在相同软化点软化并相互混合，因此，金属粒子31彼此的结合难以受到玻璃材料的阻碍。因此，金属粒子31彼此能顺利均匀地结合，从而可以形成导电性高的贯通电气配线143。
并且，当照射能量线时，容易明确使金属粒子31彼此达到结合状态的能量线与达不到结合状态的能量线之间的交界限(阈值)。因此，当应该形成贯通电气配线143的区域被照射能量线时，贯通电气配线143与绝缘区域125之间的边界易于明确，因此，可以形成俯视图上的高清晰度的贯通电气配线143。
此外，由于绝缘区域125在具有绝缘性的另一方面，还包含金属粒子31，因此，具有来自于金属材料的高导热性。而且，表面绝缘层33和粒子间绝缘部34分别以玻璃材料为主材料，因此，相比树脂材料导热性更高。因此，基体120将具有高导热性。这种基体120即便在安装有作为热源的部件的情况下，也具有优异的放热性，因而有助于抑制部件的温度上升，从而可以实现部件的长寿命化和高性能化。
并且，由于表面绝缘层33和粒子间绝缘部34均以玻璃材料为主材料(实际上不含树脂材料)你，因此，耐热性高，且气体吸附性(气体释放性)低。因此，基体120具有例如能耐受焊接作业和焊料回流处理的耐热性。并且，即便在对在封装件110中容纳振动片190的容纳空间S(密闭空间)减压的情况下，由于表面绝缘层33和粒子间绝缘部34的气体释放受到抑制，因此，能够控制释放出的气体导致的压力上升及容纳空间S内的污染等。
并且，构成粒子间绝缘部34的玻璃材料中，还可以添加无损玻璃材料特性的陶瓷材料、硅材料等非导电性无机材料。这种情况下的添加量例如为10质量％以下。
另外，即便在构成粒子间绝缘部34的玻璃材料的组成与构成表面绝缘层33的玻璃材料的组成不同的情况下，也优选玻璃材料的软化点的差为100℃以下，较优选为50℃以下。将玻璃材料的软化点的差控制在上述范围内，在金属粒子31彼此通过烧结结合时，这些玻璃材料将难以阻碍金属粒子31彼此的结合。因此，可以形成导电性高，且俯视图上的清晰度高的贯通电气配线143。
并且，这些玻璃材料的热膨胀系数为2×10-6(/℃)以上15×10-6(/℃)以下，金属粒子31的构成材料的热膨胀系数优选为4×10-6(/℃)以上20×10-6(/℃)以下。通过对各种材料进行选择，以使玻璃材料和金属材料的热膨胀系数分别控制在上述范围内，即便在基体120发生温度变化的情况下，金属粒子31和表面绝缘层33与粒子间绝缘部34之间也难以产生空隙。由此，可以控制温度变化导致的封装件110的气密性降低。
另外，该热膨胀系数在温度30℃至300℃的范围内。
以上，对应用本发明电气配线层的实施方式的基体120及包括其的封装件110进行了说明，但本发明的电气配线基板的实施方式不仅限于上述内容，例如，也可以应用于IC或LSI这种有源元件和电阻、用于载置电容器、线圈这样的无源元件的电路层以及插基板等。
并且，涉及本实施方式的基体120具有在厚度方向的气密性。由于在带绝缘层的金属粒子35彼此之间填充有由无机材料构成的粒子间绝缘部34，因此，基体120的气体透过性将变得足够小。
基体120的厚度方向的泄漏率(泄漏量)优选为1×10-4Pa·m3/s以下，较优选为1×10-8Pa·m3/s以下。这种泄漏率的基体120作为用于振动器1的封装件110的部件，具有足够的气密性。
另外，该泄漏率根据检漏仪(真空法)进行测定。这时，可采用氦气作为测定气体。
[振动器的制造方法和电气配线层的制造方法]
接下来，对制造本发明的振动器的方法以及其所包含的本发明的电气配线层的制造方法的实施方式进行说明。
图5至图9是用于说明图1所示的制造包括本发明电气配线层的制造方法的实施方式的振动器的方法的断面图。
图5至9所示的振动器的制造方法，包括：[1]对包括带绝缘层的金属粒子35的粉体4进行加压并成形，从而得到压粉成形体41的工序；[2]对压粉成形层41照射能量线，在照射区域形成贯通电气配线143、153的工序。下面，按顺序对各工序进行说明。
[1]成形工序
[1-1]
首先，将带绝缘层的金属粒子35的集合体(带绝缘层的金属粒子35的粉体)与用于形成粒子间绝缘部34的玻璃材料混合，从而备好粉体4。带绝缘层的金属粒子35通过使金属粒子31的表面附着玻璃材料而形成。作为该附着方法，例如有：将包含玻璃粉末的液体涂覆于金属粒子31上的方法、喷雾出包含玻璃粉末的液体同时将金属粒子31进行造粒的方法等湿式法、使玻璃材料粘着于金属粒子31的表面上的方法等干式法等。其中，优选使用机械地将玻璃材料粘着于金属粒子31的表面上的方法。这种方法可在干燥下进行，而且也可根据需要在惰性气体中进行。因此，在金属粒子31与表面绝缘层33之间夹杂水分等的可能性变小，从而可以长期抑制金属粒子31的变质、劣化。并且，通过机械地附着，假设即使在金属粒子31的表面附着有异物或氧化覆膜等，也可以将其除去，或在破坏其的同时形成表面绝缘层33。因此，覆盖有表面绝缘层33的金属粒子31变为高清洁度的粒子，这种金属粒子31彼此结合而成的粒子结合体32变为高导电性的结合物。
并且，根据该方法，对于软化点高难以处理的玻璃材料，也能够作为表面绝缘层33而覆膜化。因此，在能够使用种类范围广的玻璃材料这一点上是有用的。
作为机械地将玻璃材料粘着于金属粒子31的表面的方法，可举例如：使用可对金属粒子31和玻璃粉末的混合粉体产生机械压缩作用和摩擦作用的装置的方法。作为这样的装置，例如有：锤磨机、圆盘研磨机、辊磨机、球磨机、行星式磨机、喷射式磨机等各种粉碎机，以及angmill(注册商标)、高速椭圆形混合机、混合研磨机(注册商标)、Jacobson mill、Mechanofusion(注册商标)、Hybridization(注册商标)等各种摩擦混合机。在这些装置中，玻璃粉末被挤压在金属粒子31的表面，彼此的粒子表面之间将融合。其结果是，可得到玻璃材料粘着于金属粒子31的表面而形成的带绝缘层的金属粒子35。
另外，在以下说明中，也将为形成带绝缘层的金属粒子35所用的玻璃材料称为“第一玻璃材料”，将该第一玻璃材料的粉末称为“第一玻璃粉末”。并且，也将为形成粒子间绝缘部34所用的玻璃材料称为“第二玻璃材料”，将该第二玻璃材料的粉末称为“第二玻璃粉末”。
金属粒子31的平均粒径不受特别限定，优选为0.5μm以上30μm以下，较优选为1μm以上20μm以下。通过将金属粒子31的平均粒径设定在上述范围内，可以实现贯通电气配线143的高导电性和贯通电气配线143的高位置精度(精细度)的并存。另外，若金属粒子31的平均粒径低于上述下限值，则金属粒子31彼此结合时的体积减少率有可能变得比较大，只是会因金属粒子31的构成材料而异，因此，有可能贯通电气配线143的位置精度会降低，或内部易于产生空穴。并且，由于金属粒子31若过小则不会产生足够的压缩作用和摩擦作用，因此，有可能带绝缘层的金属粒子35的制造效率会降低。另一方面，若金属粒子31的平均粒径超过上述上限值，则例如在要形成线宽窄的贯通电气配线143时，无法将线宽充分缩窄，可能会导致贯通电气配线143的高密度化变难。并且，若金属粒子31过大，有可能导致表面绝缘层33变得容易剥离。
另外，在通过激光衍射粒度分布测定装置取得的粒度分布上，金属粒子31的平均粒径是作为按照质量标准从小径侧的累积量达50％时的粒径求得的。
并且，若金属粒子31的平均粒径在上述范围内，则金属粒子31的最大粒径优选为200μm以下，较优选为150μm以下。通过将金属粒子31的最大粒径设定在上述范围内，可以提高贯通电气配线143的精细度，同时，由于金属粒子31与表面绝缘层33之间难以剥离，还可以确保绝缘区域125足够的绝缘性。
另外，在通过激光衍射粒度分布测定装置取得的粒度分布上，金属粒子31的最大粒径是作为按照质量标准从小径侧的累积量达99.9％时的粒径求得的。
作为用于该方法的第一玻璃粉末，其平均粒径可以比金属粒子31的平均粒径大，但优选使用小的。具体而言，第一玻璃粉末的平均粒径优选为金属粒子31的平均粒径的1％以上60％以下，较优选为10％以上50％以下。通过使第一玻璃粉末的平均粒径相对金属粒子31的平均粒径的比例在上述范围内，将对第一玻璃粉末产生足够的上述压缩作用和摩擦作用。因此，第一玻璃粉末能够平整均匀地粘着在金属粒子31的表面。
另外，在通过激光衍射粒度分布测定装置取得的粒度分布上，第一玻璃粉末的平均粒径是作为按照质量标准从小径侧的累积量达50％时的粒径求得的。
并且，制造带绝缘层的金属粒子35所使用的第一玻璃粉末的量，可根据要形成的带绝缘层的金属粒子35中的金属粒子31的粒径与表面绝缘层33的厚度之间的关系来适当设定。
并且，金属粒子31可以通过任何方法制造。作为其制造方法，例如有：雾化法(例如，水雾化法、气雾化法、高速旋转水流雾化法等)、还原法、羰基法、粉碎法等各种粉末化法。
其中，优选使用通过雾化法制造的金属粒子，较优选使用通过水雾化法或高速旋转水流雾化法制造的金属粒子。雾化法是一种通过使熔融金属(金属熔液)撞击以高速喷射的流体(液体或气体)，使金属熔液在微粉化的同时冷却，从而制造金属粉末的方法。通过利用这种雾化法制造金属粒子31，可有效地制造出极细粉末。并且，所得粉末的粒子形状由于表面张力的作用而接近于球形。因此，可得到成形时填充率高的粉末。即，涉及本实施方式的基体120可同时实现高机械强度和高导电性。
另外，作为雾化法，当采用水雾化法时，向熔融金属喷射的水(以下称“雾化水”)的压力不受特别限定，但优选为75MPa以上120MPa以下(750kgf/cm2以上1200kgf/cm2以下)，较优选为90MPa以上120MPa以下(900kgf/cm2以上1200kgf/cm2以下)。
并且，雾化水的水温不受特别限定，但优选为1℃以上20℃以下。
并且，雾化水在金属熔液的落下路径上具有顶点，多以外径向下方逐渐减小的圆锥形状喷射。这种情况下，雾化水形成的圆锥的顶角θ优选为10°以上40°以下，较优选为15°以上35°以下。并且，根据水雾化法(尤其是高速旋转水流雾化法)，可以特别快速地冷却金属熔液。因此，可得到广泛合金组成上的高品质粉末。
并且，在雾化法上，冷却金属熔液时的冷却速度优选为1×104℃/s以上，较优选为1×105℃/s以上。
另外，对于通过这种方式得到的金属粒子31，也可根据需要进行分级。作为分级的方法，可举例如：筛选分级、惯性分级、离心分级这种干式分级、沉降分级这种湿式分级等。
并且，也可根据需要，将所制造的带绝缘层的金属粒子35进行造粒。作为造粒方法，可举例如：喷雾干燥法(spray dry法)、滚动造粒法、流动造粒法、转动流动造粒法、搅拌混合造粒法、挤压造粒法、破碎造粒法、压缩造粒法等。
另一方面，粉体4上混合带绝缘层的金属粒子31的第二玻璃粉末的平均粒径不受特别限定，但优选为直径比金属粒子31更小。具体而言，第二玻璃粉末的平均粒径优选为金属粒子31的平均粒径的1％以上60％以下，较优选为10％以上50％以下。通过使第二玻璃粉末的平均粒径相对金属粒子31的平均粒径的比例在上述范围内，可得到保形性优异的压粉成形层41。
另外，在通过激光衍射粒度分布测定装置取得的粒度分布上，第二玻璃粉末的平均粒径是作为按照质量标准从小径侧的累积量达50％时的粒径求得的。
与粉体4混合的第二玻璃粉末的量，可根据所要形成的基体120中的带绝缘层的金属粒子35的量与粒子间绝缘部34的量的比率进行适当设定。具体而言，当粉体4的带绝缘层的金属粒子35的体积与第二玻璃粉末的体积的合计为100时，与粉体4混合的第二玻璃粉末的体积优选为0以上65以下，较优选为5以上50以下，更优选为10以上40以下。通过将第二玻璃粉末的体积设定在上述范围内，可以同时实现贯通电气配线143、153的导电性和绝缘区域125的绝缘性，并提高基体120的机械强度。
当粉体4的带绝缘层的金属粒子35的体积与第二玻璃粉末的体积的合计为100时，则与粉体4混合的第二玻璃粉末的体积为0的情况，相当于后述的第二实施方式。
接下来，在对制备好的粉体4进行加压的同时进行成形。这种成形，例如，可使用图6所示的加压成形机5来进行。
图6的(a)、图6的(b)所示的加压成形机5包括具有型腔51的成形模具50。这种成形模具50包括：具备贯通上下的贯通孔521的定模52、被构成为设置于凹模52的下方并可堵住贯通孔521的下表面的下冲模53、被构成为设置于与贯通孔521的下冲模53相反侧并可堵住贯通孔521的上表面的上冲模54。由这些定模52、下冲模53和上冲模54围成的空间即为型腔51。
在这种加压成形机5中，下冲模53和上冲模54可相对于定模52分别移动。通过这种方式，型腔51的体积可根据下冲模53和上冲模54的移动而变化，从而可得到图6的(b)所示的体积最小的闭模状态，以及图6的(a)所示的型腔51开放的开模状态。
粉体4的成形是，首先，使成形模具50成为开模状态，将粉体4填充至型腔51中。这时，通过适当设定型腔51中所填充的粉体4的体积，可调整最终得到的基体120的厚度。
接着，将上冲模54降下，在对型腔51中的粉体4加压的同时进行成形。由此，粉体4成形为板状，从而得到图7的(c)所示的压粉成形层41。
这时的成形压力不受特别限定，但优选为10MPa以上3000MPa(0.1～30t/cm2)左右。
并且，所得的压粉成形层41的厚度不受特别限定，但优选为0.1mm以上30mm以下，较优选为0.3mm以上15mm以下。
加压成形后，将所得的压粉成形层41加热。通过这种方式，第二玻璃材料熔化，然后固化，从而使带绝缘层的金属粒子35彼此被固定在绝缘区域125上。其结果是，可确保压粉成形层41的机械强度。另外，第二玻璃材料的熔点低，当带绝缘层的金属粒子35彼此通过加压成形时的温度和摩擦热等被固定时，也可以省略这一加热过程。
这时的加热温度设定为第二玻璃材料的软化点以上。具体而言，优选以高于第二玻璃材料的软化点5℃以上的温度进行加热，较优选以高10℃以上的温度进行加热。并且，加热时间可根据压粉成形层41的厚度、大小和加热温度等适当设定，不受特别限定，例如，可设定为5分钟以上2小时以下。
并且，加热气氛也不受特别限定，可以是氧化性气体气氛、还原性气体气氛等，考虑到金属粒子31和表面绝缘层33的变质和劣化，优选氮气、氩气这种惰性气体气氛或减压气氛，尤其优选惰性气体气氛。
并且，当第一玻璃材料的软化点比第二玻璃材料的软化点高时，可以将加热温度设定为第一玻璃材料的软化点以上，也可以设定为低于第一玻璃材料的软化点。当设定为第一玻璃材料的软化点以上时，金属粒子31彼此的结合效率高，因此，可在更短的时间形成贯通电气配线143、153，且导电性也会增大。另一方面，当使加热温度低于第一玻璃材料的软化点时，在绝缘区域125上，表面绝缘层33可保持粘着于金属粒子31表面的状态。因此，即使在此过程被加热，也能够确保绝缘区域125的绝缘性。
并且，加热温度优选为低于金属粒子31的烧结温度。通过这种方式，在此过程中金属粒子31彼此可随意结合，且能够防止通过后述能量线E照射的金属粒子31的相互结合受到阻碍。
另外，金属粒子31的烧结温度，是指比金属粒子31的构成材料的熔点低10％的温度。
以上述方式得到的压粉成形层41，是一种通过后述能量线的照射，可显出导电性，从而形成电气配线的部件，相当于本发明的电气配线层形成用部件的实施方式。换言之，压粉成形层41是一种仅通过对任意区域照射能量线，就具有可形成所需图案的电气配线的电气配线形成能的部件。
另外，压粉成形层41的形状不仅限于上述的板状，可形成为块状、球状等任何形状。
[2]配线形成工序
[2-1]
接下来，对所得的压粉成形层41中应该形成贯通电气配线153的区域421照射能量线E(参照图7的(d))。由此，在压粉成形层41的区域421上的金属粒子31彼此结合，从而形成粒子结合体32。其结果是，区域421被赋予导电性，从而形成图7的(e)所示的贯通电气配线153。
接下来，对应该形成贯通电气配线143的区域422照射能量线E(参照图7的(e))。由此，区域522也能被赋予导电性，从而形成图8的(f)所示的贯通电气配线143。
作为能量线E，例如有灯光、激光、放射线、电子束、离子束等，尤其优选使用激光。激光指向性高，无需使用掩膜等即能够选择性地赋予所需区域能量。因此，能够提高基体120的制造效率。若使用激光以外的指向性低的能量线，需使用掩膜进行照射。
能量线E的波长不受特别限定，但优选为100nm以上1300nm以下，较优选为300nm以上1200nm以下。通过将能量线E的波长设定在上述范围内，会使压粉成形层41的能量吸收性增加，从而可以有效地形成贯通电气配线143、153。
并且，当能量线E为激光时，作为激光的种类，可使用例如受激准分子激光器、二氧化碳激光器、YAG激光器、YVO4激光器等。
通过上述方式，可得到形成有贯通电气配线143、153和绝缘区域125的基体120。由于这种贯通电气配线143、153和绝缘区域125是通过对一个压粉成形层41的一部分进行改质而形成的，因此，可以说形成为一个整体。因此，彼此牢固地连接，贯通电气配线143、153和绝缘区域125之间的边界的机械强度足够高，从而可以抑制贯通电气配线143、153的剥离这种不良情况的发生。因此，可以制造可靠性高的振动器1。并且，由于可容易地以狭窄的间距形成基体120中的贯通电气配线143、153，因此，可实现振动器1的小型化和低成本化。
另外，在以下步骤中，进一步对该基体120设置连接电极141、151和外部安装电极142、152。
[2-2]
首先，如图8的(g)所示，在压粉成形层41的上表面设置掩膜61。掩膜61在后述工序中是具有对应于形成连接电极141、151的区域的窗部的模板掩膜。
接下来，如图8的(g)所示，在掩膜61上设置导电膏62，用刮刀63涂覆导电膏62。通过这种方式，可在贯通电气配线143、153的上方形成导电膏62的膜。
这种导电膏62是包括导电性材料的粉末和有机粘合剂和使这些溶解或分散的分散介质的液体组合物。导电膏62通过后述的烧固过程，在分散介质挥发的同时除去有机粘合剂，从而形成导电膜。
接下来，将压粉成形层41背面翻转为正面，如图8的(h)所示，设置另一个掩膜64并涂覆导电膏62。通过这种方式，可在贯通电气配线143、153的上方形成导电膏62的膜。
然后，烧成形成有导电膏62的膜的压粉成形层41。通过这种方式，可在除去导电膏62中的有机粘合剂和分散介质的同时，烧结导电膏62中的导电材料，如图9的(i)所示，形成连接电极141、151和外部安装电极142、152。
另外，该烧成是在低于第一玻璃材料的软化点和第二玻璃材料的软化点的温度下进行的。因此，对于导电膏62，可选择烧结温度低于这些玻璃材料的软化点的导电膏。
[2-3]
接下来，在连接电极141、151上载置导电性粘接剂161、162。接着，如图9的(j)所示，在导电性粘接剂161、162上载置振动片190。
接下来，在基体120上形成未图示出的金属化层。同样地，在盖130的侧壁134的下端面也形成未图示的金属化层。另外，这些金属化层也可以在本步骤前形成。并且，金属化层可根据需要设置，当盖130的构成材料为金属材料时，可以省略金属化层。
接下来，在基体120上设置盖130，并通过焊料180将基体120和盖130焊接。通过这种方式，盖130的凹部131内会被封闭，并与外部隔离。由此，可得到图9的(m)所示的振动器1。另外，在这个时候，通过使作业环境充满惰性气体，或置于减压下，可以使容纳空间S保持在惰性气体填充状态或减压状态。其结果是，可以抑制振动片190的经时劣化。
如上所述，通过这种方式制造的振动器1具备导电性高的贯通电气配线143、153，因此，可同时实现良好的频率特性和低功耗。
〈第二实施方式〉
接下来，对本发明的电气配线层的第二实施方式进行说明。
图10是应用本发明的电气配线层的第二实施方式的基体的局部放大图。
以下，对第二实施方式进行说明，在以下说明中，以与上述第一实施方式的不同点为重点进行说明，对相同的事项则省略对其的说明。并且，在图中，对与上述实施方式相同的构成，则标注相同的符号。
第二实施方式除省略了粒子间绝缘部34以外，其余与第一实施方式相同。
即，图10所示的贯通电气配线143包括：金属粒子31彼此结合而成的粒子结合体32、被设置为覆盖粒子结合体32的表面的表面绝缘层33。
因此，通过金属粒子31彼此的结合，贯通电气配线143中的上述部分被固定，从而确保了贯通电气配线143的机械强度。
另一方面，图10所示的绝缘区域125中，带绝缘层的金属粒子35的表面绝缘层33彼此热粘合。由此，带绝缘层的金属粒子35彼此被固定，从而确保了绝缘区域125的机械强度。
因此，在涉及本实施方式的基体120的制造过程中，优选以第一玻璃材料熔化的温度将压粉成形层加热。由此，可以确保基体120的机械强度。
并且，在这种基体120上，也可得到导电性高的贯通电气配线143。并且，粒子间绝缘部34虽被省略，但每单位体积的金属粒子31所占的比例增大。因此，可以进一步增强贯通电气配线143的导电性。此外，金属粒子31所占比例增大，会使得照射能量线时，金属粒子31彼此结合的区域与未达到结合的区域之间的边界的“分辨率”提高。因此，可以容易地形成俯视图上线宽更狭窄的贯通电气配线143。
并且，和第一实施方式相同，由于表面绝缘层33以玻璃材料为主材料，因此，在厚度方向具有足够的气密性。
此外，涉及本实施方式的基体120可达到与涉及第一实施方式的基体120相同的作用和效果。
〈第三实施方式〉
接下来，对本发明的电气配线层的第三实施方式进行说明。
图11、12是分别示出本发明的电气配线层的第三实施方式的立体图。
以下，对第三实施方式进行说明，在以下说明中，以与上述第一、第二实施方式的不同点为重点进行说明，对相同的事项则省略对其的说明。并且，在图中，对与上述实施方式相同的构成，则标注相同的符号。
第三实施方式除基体120的贯通电气配线143、153、163的俯视图形状各异以外，其余与第一实施方式相同。
图11所示的贯通电气配线143、153、163在分别沿基体120的长度方向呈直线形延伸的同时，沿着与长度方向垂直的方向并列。这种贯通电气配线143、153、163可将各自在长度方向上相离的2点电连接。
为了形成这种贯通电气配线143、153、163，需以直线形对压粉成形层41中应该形成这些配线的区域进行能量线E的扫描。然后，通过适当选择扫描路径，可以容易地制造所需图案的贯通电气配线143、153、163。
另外，也可以将这种基体120载置于其它绝缘性基板上，作为电气配线基板使用。
并且，图12所示的贯通电气配线143、153、163，除了其被构成为各自长度方向的一部分贯通基体120，其它部分不贯通以外，其余与图11所示的贯通电气配线143、153、163相同。
为便于说明，在图12中，只以贯通电气配线143为例，示出了其具有的贯通部1431和非贯通部1432。可在对压粉成形层41照射能量线E时，通过使每个位置的照射能量不同而分别形成上述贯通部1431和非贯通部1432。
具体而言，在形成贯通部1431时，需调整照射能量，以使金属粒子31彼此的结合活动能到达压粉成形层41的背面侧。另一方面，在形成非贯通部1432时，需调整照射能量，以使金属粒子31彼此的结合活动能在压粉成形层41的厚度方向的中途停止。
在本实施方式中，也能够得到与第一、第二实施方式相同的作用和效果。
[电气配线基板]
接下来，对本发明的电气配线基板的实施方式进行说明。
图13、14是分别示出本发明的电气配线基板的实施方式的立体图。
图13所示的电气配线基板10具备绝缘性基板7和设置于其一个面上的电气配线层11。电气配线基板10相当于本发明的电气配线基板的实施方式，电气配线层11相当于本发明的电气配线层的实施方式。
以下，对涉及本实施方式的电气配线基板进行说明，在以下说明中，以与涉及上述实施方式电气配线层的不同点为重点进行说明，对相同的事项则省略对其的说明。并且，在图中，对与上述实施方式相同的构成，则标注相同的符号。
电气配线层11具有长尺状的形状。并且，电气配线层11包括电气配线121、122、123、以及埋设于电气配线121、122、123之间的绝缘区域125。其中，电气配线层11具有和涉及上述实施方式的基体120相同的构成，电气配线121、122、123具有和涉及上述实施方式的贯通电气配线143、153、163相同的构成。
电气配线121、122、123在分别沿电气配线层11的长度方向呈直线形延伸的同时，沿着与长度方向垂直的方向并列。这种电气配线121、122、123可以将各自在长度方向上相离的2点电连接。
并且，电气配线基板10中，绝缘性基板7和电气配线层11热粘合。通过这种方式，电气配线基板10可具有优异的机械强度。
绝缘性基板7的构成材料不受特别限定，也可以是树脂材料，但优选由陶瓷材料或玻璃材料构成。通过这种方式，可得到耐热性高吸附性(气体释放性)低的电气配线基板10。并且，由于这些材料中均含有可构成玻璃的成分，因此，通过上述热粘合，能够以高的强度接合绝缘性基板7和电气配线层11。
其中，作为陶瓷材料，例如有：氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、氧化锆等氧化物类陶瓷、氮化硅、氮化铝、氮化钛等氮化物类陶瓷、碳化硅等碳化物类陶瓷等各种陶瓷等。
并且，作为玻璃材料，可使用如前所述的材料。
并且，电气配线基板10通过绝缘性基板7支撑电气配线层11。因此，即便减少电气配线层11的厚度，也能够确保电气配线基板10整体的机械强度。
绝缘性基板7的厚度可根据电气配线层11的厚度适当设定，但优选为20μm以上3000μm以下。
并且，通过将得到的电气配线基板10多块层叠，也可以得到层叠型的电气配线基板。
并且，图14所示的电气配线基板10，除了电气配线121、122、123贯穿电气配线层11的厚度方向，同时在绝缘性基板7上形成贯通电气配线71以外，其余与图13所示的电气配线基板10相同。
即，图14所示的电气配线121、122、123被构成为分别贯穿电气配线层11的厚度方向。并且，在绝缘性基板7上，与各电气配线121、122、123的位置对齐，设置有贯通电气配线71。通过这种方式，电气配线基板10在一个主面和另一个主面之间具有导电路径。
贯通电气配线71由埋设于绝缘性基板7中的导电性材料构成。该导电性材料可以从例如与上述金属粒子31的构成材料相同的材料中适当选择。
并且，通过使用图14所示的电气配线基板10，层间的电连接成为可能，优选用于层叠型的电气配线基板的制造。
如上所述，可得到具备形成有电气配线121、122、123和绝缘区域125的电气配线层11、以及绝缘性基板7的电气配线基板10。由于电气配线层11中的电气配线121、122、123和绝缘区域125是通过对一个压粉成形层41的一部分进行改质而形成的，因此，可以说形成了一个整体。因此，彼此被牢固地连接，电气配线121、122、123和绝缘区域125的边界上的机械强度将足够大，从而可以抑制电气配线121、122、123的剥离等不良情况的发生。
[电气配线基板的制造方法]
接下来，对本发明的电气配线基板的制造方法的实施方式进行说明。
图15的(a)、图15的(b)是示出本发明的电气配线基板的制造方法的实施方式的断面图。
涉及本实施方式的电气配线基板的制造方法，除了将绝缘性基板设置在加压成形机的型腔内以外，其余与第一实施方式相同。
以下，对涉及本实施方式的电气配线基板进行说明，在以下说明中，以与涉及上述实施方式的电气配线层的制造方法的不同点为重点进行说明，对相同的事项则省略对其的说明。并且，在图中，对与上述实施方式相同的构成，则标注相同的符号。
在本实施方式中，首先，如图15的(a)所示，在型腔51中设置绝缘性基板7。通过这样，如图15的(b)所示，可得到附着于绝缘性基板7上的压粉成形层41。
脱模后，若将附着于绝缘性基板7上的压粉成形层41加热，则在压粉成形层41中的带绝缘层的金属粒子35彼此被固定的同时，绝缘性基板7和压粉成形层41之间会热粘合。例如，这个热粘合，是通过绝缘性基板7中含有的玻璃材料与电气配线层11中含有的玻璃材料经过熔化和固化来进行的。
然后，和上述实施方式相同，通过对压粉成形层41照射能量线，可以形成电气配线121、122、123。
即，附着于绝缘性基板7上的压粉成形层41，是一种通过能量线的照射，可显出导电性，从而形成电气配线的部件，相当于本发明的电气配线层形成用部件的实施方式。换言之，附着于绝缘性基板7上的压粉成形层41是一种仅通过对任意区域照射能量线，就能具有可形成所需图案的电气配线的电气配线形成能的部件。
[电子设备]
接下来，根据图16至18，对具备本发明的电气配线层的电子设备(本发明的电子设备)进行详细说明。
图16是示出应用了具备本发明的电气配线层的电子设备的移动型(或笔记本型)个人电脑的构成的立体图。在该图中，个人电脑1100由具备键盘1102的本体部1104、以及具备显示部100的显示单元1106构成，显示单元1106通过铰链结构部可转动地支撑本体部1104。这种个人电脑1100中内置形成有电路的基体120(电气配线层)。
图17是示出应用了具备本发明的电气配线层的电子设备的手机(也包括PHS)的构成的立体图。在该图中，手机1200包括多个操作按钮1202、听筒1204和话筒1206，在操作按钮1202与听筒1204之间设置有显示部100。这种手机1200中内置形成有电路的基体1200(电气配线层)。
图18是示出应用了具备本发明的电气配线层的电子设备的数字静态照相机的构成的立体图。另外，在该图中，也简单示出了与外部设备的连接。其中，相对于普通照相机是通过被摄物体的光学图像使卤化银照相胶片感光的，数字静态照相机1300通过CCD(电荷耦合器件)等成像元件将被摄物体的光学图像进行光电转换并生成成像信号(图像信号)。
数字静态照相机1300中的外壳(机体)1302的背面设置有显示部，被构成为基于CCD的成像信号进行显示，显示部的功能是作为将被摄物体作为电子图像而显示的取景器。而且，外壳1302的正面侧(图中背面侧)设置有包括光学透镜(成像光学系统)和CCD等的光接收单元1304。
摄影人对显示在显示部上的被摄物体像进行确认，按下快门按钮1306后，当时的CCD成像信号即被传送并存储在存储器1308中。而且，在该数字静态照相机1300中，外壳1302的侧面设置有视频信号输出端子1312、用于数据通信的输入和输出端子1314。并且，如图所示，分别根据需要，在视频信号输出端子1312上连接电视监控器1430，在数字通信用的输入和输出端子1314上连接个人电脑1440。而且，被构成为通过预定的操作，使得存储于存储器1308的成像信号被输出至电视监控器1430及个人电脑1440。在这种数字静态照相机1300中内置形成有电路的基体120(电气配线层)。
另外，具备本发明的电气配线层的电子设备，除了图16的个人电脑(移动个人电脑)、图17的手机、图18的数字静态照相机以外，还适用于例如：喷墨式喷出装置(例如喷墨打印机)、笔记本型个人电脑、电视、摄像机、磁带录像机、汽车导航系统、传呼机、电子记事本(包含通信功能)、电子辞典、计算器、电子游戏机、文字处理器、工作站、电视电话、保安电视监控、电子望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图测试装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测定仪器、测量仪表(例如：车辆、飞机、船舶的测量仪器)、飞行模拟器等。
[移动体]
接下来，对具备本发明的电气配线的移动体(本发明的移动体)进行说明。
图19是示意性地示出作为本发明的移动体的一个例子的汽车的立体图。汽车1500上搭载形成有电路的基体120(电气配线层)。基体120能够广泛应用于无钥匙进入系统、发动机防盗锁止、汽车导航系统、汽车空调、防抱死制动系统(ABS)、安全气囊、轮胎压力监测系统(TPMS：TirePressure Monitoring System)、发动机控制、混合动力汽车和电动汽车的电池监控器、车身姿态控制系统等电子控制单元(ECU：electronic controlunit)。
以上内容，基于优选的实施方式对本发明进行了说明，但本发明不仅限于此，各部分的构成可以替换成具有同样功能的任意构成。
并且，在本发明中，可以对上述实施方式附加任意结构，各实施方式也可以适当地组合。
[实施例]
接下来，对本发明的具体实施例进行说明。
1.样品制造
(样品1)
[1]首先，备好通过水雾化法制造的Fe-3.5Si-4.5Cr系合金的金属粉末(金属粒子)。该金属粉末是以占质量比4.5％含有Cr、占质量比3.5％含有Si的Fe基合金粉末。另外，该金属粉末的平均粒径为10μm。
并且，备好了含有氧化锡的磷酸盐系玻璃(第一玻璃材料)的粉末(第一玻璃粉末)。该粉末是SnO-P2O5-MgO系玻璃的粉末。另外，该第一玻璃粉末的平均粒径为3μm，第一玻璃材料的软化点为390℃。
接下来，将这些金属粉末和第一玻璃粉末投入摩擦混合机，并使其产生机械压缩摩擦作用。由此，可将第一玻璃材料附着在金属粒子的表面，从而得到带绝缘层的金属粒子。
通过计算，求出表面绝缘层的平均厚度为60nm。
接下来，和第一玻璃粉末同样，将所得的带绝缘层的金属粒子与第二玻璃粉末混合，从而得到混合粉体。当混合粉体的带绝缘层的金属粒子的体积和第二玻璃粉末的体积合计为100时，使得第二玻璃粉末的体积为50来进行混合。
[2]接下来，利用加压成形机将得到的混合粉体成形。由此，得到板状的压粉成形层。所得的压粉成形层呈圆盘状，直径为40mm，厚度为0.5mm。而且，成形压力为40MPa(0.4t/cm2)。
接着，对所得的压粉成形层加热。借此，使第二玻璃材料熔化，使压粉成形层固化。此时的加热温度为400℃，加热环境为氮气环境。
[3]接下来，对所得的压粉成形层中应该形成贯通电气配线的区域(2处)照射激光。由此，可使照射区域的金属粒子彼此结合，并显出导电性。结果，形成了贯通电气配线。
另外，激光的照射区域为直径200μm的圆形，照射的进行直至金属粒子彼此的结合贯穿压粉成形层为止。
并且，使用YAG激光器作为激光振动源，振动的激光波长为1064nm。
如上所述，得到了具备贯通电气配线的样品。
(样品2至5)
除制造条件改变为表1所示的内容以外，分别与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品6)
除省略了第二玻璃粉末的混合以外，分别与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品7至10)
除制造条件改变为表1所示的内容以外，分别与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品11)
除了将金属粉末的材质改变为Cu，同时将第一玻璃材料和第二玻璃材料的材质分别改变为Bi2O3-B2O3-ZnO系玻璃以外，分别与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。另外，详细的制造条件如表1所示。
并且，Bi2O3-B2O3-ZnO系玻璃的软化点为405℃，压粉成形层的加热温度为450℃。
(样品12至15)
除制造条件改变为表1所示的内容以外，分别与样品11同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品16)
除省略了第二玻璃粉末的混合以外，分别与样品11同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品17至20)
除制造条件改变为表1所示的内容以外，分别与样品11同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品21至26)
除制造条件改变为表2所示的内容以外，分别与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品27)
除了与第二玻璃粉末同时添加氧化铝粉末以外，与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。另外，作为氧化铝粉末，使用平均粒径为3μm的粉末，当混合粉体中的带绝缘层的金属粒子的体积和第二玻璃粉末的体积和氧化铝粉末的体积合计为100时，以氧化铝粉末的体积为5的方式进行混合。
(样品28)
除了省略氧化铝粉末的添加，同时添补第二玻璃粉末以外，其余与样品27的方式相同，从而得到具备贯通电气配线的样品。
(样品29)
投入聚丙烯粒子替代第一玻璃粉末，从而得到带绝缘层的金属粒子。绝缘层的平均厚度为200μm，聚丙烯的软化点为150℃。
接下来，与和样品1相同的方式，利用加压成形机将该带绝缘层的金属粒子成形。
接下来，对所得的压粉成形层中应该形成贯通电气配线的区域照射激光。由此，得到具备贯通电气配线的样品。
另外，详细制造条件如表2所示。
(样品30)
除制造条件改变为表2所示的内容以外，分别与样品29同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品31)
投入聚丙烯粒子替代第一玻璃粉末，从而得到带绝缘层的金属粒子。绝缘层的平均厚度为350μm，聚丙烯的软化点为150℃。
接下来，与和样品1相同的方式，利用加压成形机将该带绝缘层的金属粒子和聚丙烯粒子的混合粉体成形。
接下来，对所得的压粉成形层中应该形成贯通电气配线的区域照射激光。由此，得到具备贯通电气配线的样品。
另外，详细制造条件如表2所示。
(样品32)
除制造条件改变为表2所示的内容以外，分别与样品31同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品33)
除省略了表面绝缘层的形成以外，分别与样品1同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
(样品34)
除省略了表面绝缘层的形成以外，分别与样品11同样的方式制得具备贯通电气配线的样品。
上述各样品的制造条件如表1、2所示。另外，表1、2中的各样品中，将本发明的等价物作为“实施例”，将非本发明的等价物作为“比较例”或“参考例”。
2.样品的评价
2.1导电性的评价
首先，通过四端子法测定了各实施例和各比较例中得到的样品的贯通电气配线的电阻值。然后，根据如下评价标准对导电性进行了评价。另外，使用数字万用表进行测定，施加电流为1mA。
导电性的平均标准
A：电阻值非常小(不足5mΩ)
B：电阻值小(5mΩ以上且不足25mΩ)
C：电阻值略小(25mΩ以上且不足50mΩ)
D：电阻值稍大(50mΩ以上且不足75mΩ)
E：电阻值大(75mΩ以上且不足100mΩ)
F：电阻值非常大(100mΩ以上)
2.2绝缘性的评价
接下来，利用测试仪测定了各实施例和各比较例中所得样品的绝缘区域的绝缘电阻。然后，根据如下评价标准对绝缘性进行了评价。
绝缘性的评价标准
A：电阻值非常大(1×1013Ω以上)
B：电阻值大(1×1012Ω以上且不足1×1013Ω)
C：电阻值稍大(1×1011Ω以上且不足1×1012Ω)
D：电阻值略小((1×1010Ω以上且不足1×1011Ω)
E：电阻值小((1×109Ω以上且不足1×1010Ω)
F：电阻值非常小(不足1×109Ω)
2.3气密性评价
接下来，利用检漏仪(真空法)测定各实施例和各比较例中得到的样品的气密性。然后，根据如下评价标准，对气密性进行了评价。另外，泄漏(泄漏)的检测使用氦气。
气密性评价标准
A：泄漏量特别小(不足1×10-8Pa·m3/s)
B：泄漏量小(1×10-8Pa·m3/s以上且不足1×10-7Pa·m3/s)
C：泄漏量稍小(1×10-7Pa·m3/s以上且不足1×10-6Pa·m3/s)
D：泄漏量稍大(1×10-6Pa·m3/s以上且不足1×10-5Pa·m3/s)
E：泄漏量大(1×10-5Pa·m3/s以上且不足1×10-4Pa·m3/s)
F：泄漏量特别大(1×10-4Pa·m3/s以上)
2.4耐热性评价
接下来，对于各实施例和各比较例中得到的样品，对贯通电气配线进行使用铅锡共晶焊料(熔点：186℃)的焊接作业。然后，对于作业后的样品，与2.3同样地进行了气密性评价。
耐热性的评价标准
A：耐热性特别高(不足1×10-8Pa·m3/s)
B：耐热性高(1×10-8Pa·m3/s以上且不足1×10-7Pa·m3/s)
C：耐热性稍高(1×10-7Pa·m3/s以上且不足1×10-6Pa·m3/s)
D：耐热性稍低(1×10-6Pa·m3/s以上且不足1×10-5Pa·m3/s)
E：耐热性低(1×10-5Pa·m3/s以上且不足1×10-4Pa·m3/s)
F：耐热性特别低(1×10-4Pa·m3/s以上)
2.5机械强度的评价
接下来，按照JIS C 5016中规定的试验方法，对各实施例和各比较例中得到的样品，进行耐折度的测定。并且，将样品29的耐折度作为1，求得各样品的耐折度的相对值，并根据如下评价标准进行评价。
机械强度的评价标准
A：耐折度的相对值为5以上
B：耐折度的相对值为4以上且不足5
C：耐折度的相对值为3以上且不足4
D：耐折度的相对值为2以上且不足3
E：耐折度的相对值为1以上且不足2
F：耐折度的相对值为1以下
上述评价结果如表3、4所示。
表3
表4
由表3、4可知，实施例所对应的各样品具有作为电气配线层的优良特性。

Claims (15)

1.一种电气配线层的制造方法，其特征在于，是制造包括电气配线的电气配线层的方法，具有：
对包含带绝缘层的金属粒子的粉体进行加压而得到压粉成形层的工序，其中，所述带绝缘层的金属粒子由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成；以及
对所述压粉成形层照射能量线而在照射区域形成所述电气配线的工序。
2.根据权利要求1所述的电气配线层的制造方法，其特征在于，所述带绝缘层的金属粒子是通过使所述玻璃材料固定在所述金属粒子的表面上制造而成的。
3.根据权利要求1或2所述的电气配线层的制造方法，其特征在于，所述压粉成形层是对包含所述带绝缘层的金属粒子和玻璃粒子的粉体进行加压而得到的。
4.根据权利要求3所述的电气配线层的制造方法，其特征在于，所述玻璃材料和所述玻璃粒子的构成材料彼此是相同的材料。
5.根据权利要求3或4所述的电气配线层的制造方法，其特征在于，当设所述压粉成形层的所述带绝缘层的金属粒子的体积与所述玻璃粒子的体积合计为100时，所述玻璃粒子的体积为65以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电气配线层的制造方法，其特征在于，还具有对所述压粉成形层进行加热的工序。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的电气配线层的制造方法，其特征在于，所述金属粒子是利用水雾法或高速旋转水流雾化法制造的。
8.一种电气配线层形成用部件，其特征在于，是包括由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子的压粉成形层，并且是通过局部被照射有能量线、从而在照射区域显现导电性而能形成电气配线的部件。
9.一种电气配线层，其特征在于，具有：
绝缘区域，所述绝缘区域包括由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子；以及
电气配线，所述电气配线包括具有导电性的金属粒子彼此结合而成的粒子结合体，
所述绝缘区域和所述电气配线形成为一体。
10.一种电气配线基板的制造方法，其特征在于，是制造具有基板以及包括设置在所述基板的一个表面侧的电气配线的电气配线层的电气配线基板的方法，具有：
在所述基板上对包含带绝缘层的金属粒子的粉体进行加压而形成压粉成形层的工序，其中，所述带绝缘层的金属粒子由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成；以及
对所述压粉成形层照射能量线而在照射区域形成所述电气配线而得到所述电气配线层的工序。
11.一种电气配线基板形成用部件，其特征在于，具有：
基板；以及
设置在所述基板的一个表面侧的压粉成形层，所述压粉成形层包括由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子，
所述电气配线基板形成用部件是通过对所述压粉成形层的一部分照射能量线、使照射区域显现导电性而能形成电气配线的部件。
12.一种电气配线基板，其特征在于，具有：
基板；以及
设置在所述基板的一个表面侧的电气配线层，所述电气配线层包括绝缘区域和电气配线，所述绝缘区域包括由具有导电性的金属粒子和位于所述金属粒子的表面并以玻璃材料为主材料的表面绝缘层构成的带绝缘层的金属粒子，所述电气配线包括由具有导电性的金属粒子彼此结合而成的粒子结合体，
在所述电气配线层上，所述绝缘区域与所述电气配线形成为一体。
13.一种振动器，其特征在于，具有：
封装件，所述封装件具备权利要求9所述的电气配线层或权利要求12所述的电气配线基板、以及与所述电气配线层或所述电气配线基板接合的盖部件；以及
振动片，所述振动片容纳于所述封装件中。
14.一种电子设备，其特征在于，具备权利要求9所述的电气配线层或权利要求12所述的电气配线基板。
15.一种移动体，其特征在于，具备权利要求9所述的电气配线层或权利要求12所述的电气配线基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109070454A (zh) * 2016-03-23 2018-12-21 德国易欧司光电技术有限公司 用于制造三维物体的方法和装置
TWI720664B (zh) * 2018-10-29 2021-03-01 日商亞特比目有限公司 太陽電池及太陽電池的製造方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6524780B2 (ja) * 2015-04-20 2019-06-05 セイコーエプソン株式会社 電気配線部材の製造方法、電気配線部材形成用材料、電気配線部材、電気配線基板の製造方法、電気配線基板形成用材料、電気配線基板、振動子、電子機器および移動体
DE102015116409A1 (de) * 2015-09-28 2017-03-30 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verbundkörper mit mindestens einer Funktionskomponente und ein Verfahren zur Herstellung des Verbundkörpers
TW201735286A (zh) 2016-02-11 2017-10-01 天工方案公司 使用可回收載體基板之裝置封裝
US20170243739A1 (en) * 2016-02-24 2017-08-24 Skyworks Solutions, Inc. 3d micromold and pattern transfer
US10330696B2 (en) * 2016-03-24 2019-06-25 Northrop Grumman Systems Corporation Accelerometer sensor system
US10453763B2 (en) 2016-08-10 2019-10-22 Skyworks Solutions, Inc. Packaging structures with improved adhesion and strength
JP6999117B2 (ja) * 2017-02-24 2022-01-18 国立研究開発法人物質・材料研究機構 アルミニウム回路基板の製造方法
JP2021071294A (ja) * 2019-10-29 2021-05-06 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
US11319613B2 (en) 2020-08-18 2022-05-03 Enviro Metals, LLC Metal refinement
CN112770542B (zh) * 2020-12-10 2021-10-29 珠海越亚半导体股份有限公司 实现立体封装的基板制作方法
KR20220124368A (ko) * 2021-03-03 2022-09-14 스템코 주식회사 회로 기판 및 그 제조 방법, 및 상기 회로 기판을 구비하는 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000207936A (ja) * 1999-01-20 2000-07-28 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物、これを用いた樹脂組成物積層体、配線回路の製造方法、多層配線回路の製造方法、配線回路及び多層配線回路
JP2004149817A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Dowa Mining Co Ltd 耐酸化性および焼結性に優れた導電ペースト用銅粉およびその製造法
JP2007180342A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Oji Paper Co Ltd 電気回路基板およびその製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0652827B2 (ja) 1985-06-04 1994-07-06 株式会社東芝 導体路の形成方法
JPH05335725A (ja) * 1992-05-29 1993-12-17 Kusuo Sato レーザ光線照射による電気回路形成方法
JPH10303061A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加熱導電性絶縁材料およびその加熱方法
US6238599B1 (en) * 1997-06-18 2001-05-29 International Business Machines Corporation High conductivity, high strength, lead-free, low cost, electrically conducting materials and applications
JP4310904B2 (ja) * 2000-08-21 2009-08-12 株式会社村田製作所 Ｎｉ金属粉末の製造方法、並びに導電性ペーストおよびセラミック電子部品
KR100597391B1 (ko) * 2004-05-12 2006-07-06 제일모직주식회사 절연 전도성 미립자 및 이를 함유하는 이방 전도성 접착필름
JP5123664B2 (ja) * 2005-09-28 2013-01-23 スパンション エルエルシー 半導体装置およびその製造方法
JP5535451B2 (ja) 2008-06-03 2014-07-02 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社 セラミック配線基板およびその製造方法
JP5151902B2 (ja) * 2008-10-21 2013-02-27 住友電気工業株式会社 異方導電性フィルム
JP5687175B2 (ja) * 2011-11-28 2015-03-18 有限会社 ナプラ 微細空間内に機能部分を形成する方法
JP5382270B1 (ja) * 2012-01-17 2014-01-08 パナソニック株式会社 配線基板とその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000207936A (ja) * 1999-01-20 2000-07-28 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物、これを用いた樹脂組成物積層体、配線回路の製造方法、多層配線回路の製造方法、配線回路及び多層配線回路
JP2004149817A (ja) * 2002-10-28 2004-05-27 Dowa Mining Co Ltd 耐酸化性および焼結性に優れた導電ペースト用銅粉およびその製造法
JP2007180342A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Oji Paper Co Ltd 電気回路基板およびその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109070454A (zh) * 2016-03-23 2018-12-21 德国易欧司光电技术有限公司 用于制造三维物体的方法和装置
TWI720664B (zh) * 2018-10-29 2021-03-01 日商亞特比目有限公司 太陽電池及太陽電池的製造方法

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