CN104754847B - 静电保护部件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种静电保护部件,其具备对置电极和接地电极。对置电极和接地电极分别具有引出部和对置部。对置电极和接地电极中的各对置部配置在同一层。对置电极和接地电极中的至少1个中,引出部和对置部配置在互相不同的层,并且经由通孔导体而电连接。
Description
技术领域
本发明涉及静电保护部件。
背景技术
已知有如下的静电保护部件,其具备:通过层叠多个绝缘体层而构成的素体、在素体的内部互相隔开而配置的对置电极和接地电极、以及与对置电极和接地电极中的任一个中的每个对应设置的多个外部电极(例如,参照日本特开2013-114788号公报(以下,称为专利文献1))。专利文献1所记载的静电保护部件中,对置电极和接地电极在同一层中分别在素体的外表面露出,与配置在该素体的外表面的各外部电极连接。
发明内容
在上述专利文献1所记载的静电保护部件中,在同一层配置有多个电极,且该多个电极在同一层露出在素体的外表面,因而同一层的电极的总面积大。因此,绝缘体层彼此的密接性不良,发生构造上的缺陷的可能性高。
外部电极在涂布导电性膏体并进行了热处理之后,通过进行电镀而形成,因而静电保护部件在制造过程必然暴露于镀液。因此,静电保护部件中容易发生构造上的缺陷,镀液容易从配置在绝缘体层的各电极中的露出在素体的外表面的部分浸入到素体内。其结果,在素体内镀液浸入到产生放电的放电部,有可能该镀液会造成间隙部相连而短路。
本发明的目的在于提供一种可以抑制镀液浸入到放电部的静电保护部件。
本发明的一个方式所涉及的静电保护部件,具备:素体,其通过多个绝缘体层层叠而构成;接地电极,其配置在素体的内部;第一对置电极,其与接地电极隔开而配置,与接地电极一起构成一个放电部;第二对置电极,其与接地电极隔开而配置,与接地电极一起构成一个放电部;以及多个外部电极,其与接地电极、第一对置电极和第二对置电极中的任一个中的每个对应设置,接地电极、第一对置电极和第二对置电极分别具有与与多个外部电极当中对应的外部电极连接的引出部、以及电连接于引出部且构成对应的放电部的对置部,接地电极的对置部、第一对置电极的对置部和第二对置电极的对置部配置在同一层,在接地电极、第一对置电极和第二对置电极当中的至少1个中,引出部和对置部配置在互相不同的层并且经由通孔导体而电连接。
在本发明的一个方式涉及的静电保护部件中,接地电极、第一对置电极和第二对置电极当中的至少1个中,引出部和对置部配置在互相不同的层并且经由通孔导体而电连接,因而存在于同一层的电极的总面积小。由此,绝缘体层彼此的密接性提高,因而发生构造上的缺陷的可能性减小,由该缺陷造成的镀液的浸入被抑制。因此,能够抑制镀液浸入到由接地电极和第一对置电极构成的放电部以及由接地电极和第二对置电极构成的放电部。
在本发明的一个方式所涉及的静电保护部件中,可选地,接地电极的引出部和接地电极的对置部配置在互相不同的层并且经由通孔导体而电连接。在这种情况下,由于接地电极的引出部配置在与配置有接地电极、第一对置电极和第二对置电极的各对置部的层不同的层,因此在配置有各对置部的层中,可以不考虑接地电极的引出部的图案而自由地决定各对置部的图案。
在本发明的一个方式所涉及的静电保护部件中,可选地,第一对置电极的引出部和第一对置电极的对置部配置在互相不同的层并且经由通孔导体而电连接,第二对置电极的引出部和第二对置电极的对置部配置在互相不同的层并且经由通孔导体而电连接。在这种情况下,存在于同一层的电极的总面积更小。由此,绝缘体层彼此的密接性进一步提高,因而产生构造上的缺陷的可能性进一步减小,由该缺陷造成的镀液的浸入进一步被抑制。因此,能够更切实地抑制镀液浸入到放电部。
在本发明的一个方式所涉及的静电保护部件中,可选地,各引出部具有与多个外部电极当中对应的外部电极连接的一端,一端从素体中露出,接地电极的对置部配置在相比于第一对置电极的对置部,与第一对置电极的引出部露出的素体的外表面更靠近的位置,且配置在相比于第二对置电极的对置部,与第二对置电极的引出部露出的素体的外表面更靠近的位置。在这种情况下,第一对置电极的对置部和第二对置电极的对置部比接地电极的对置部更远离素体的外表面而配置,因而第一对置电极的引出部从素体的外表面延伸至对置部的长度、以及第二对置电极的引出部从素体的外表面延伸至对置部的长度均变长。因此,第一对置电极和第二对置电极中的从向素体的外表面露出的部分到对置部的距离变长,因而从该露出的部分进入的镀液向对置部的浸入被抑制。因此,能够抑制镀液浸入到对置部构成的放电部。
附图说明
图1是表示第一~第五实施方式所涉及的静电保护部件的立体图。
图2是表示第一实施方式所涉及的素体的结构的分解立体图。
图3是表示包含图2的第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。
图4是表示第一实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。
图5是表示第一实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
图6是表示第一实施方式所涉及的静电保护部件的制造方法的流程图。
图7是表示第二实施方式所涉及的素体的包含第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。
图8是表示第二实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。
图9是表示第二实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
图10是表示第三实施方式所涉及的素体的包含第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。
图11是表示第三实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。
图12是表示第三实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
图13是表示第四实施方式所涉及的素体的包含第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。
图14是表示第四实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。
图15是表示第四实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
图16是表示第五实施方式所涉及的素体的结构的分解立体图。
图17是表示第五实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。
图18是表示第五实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
具体实施方式
下面参照附图,就本发明的一个实施方式详细地说明。再有,在说明中,对于相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号,并省略重复说明。
(第一实施方式)
首先,参照图1~图5,说明第一实施方式所涉及的静电保护部件的结构。图1是表示第一~第五实施方式所涉及的静电保护部件的立体图。图2是表示第一实施方式所涉及的素体的结构的分解立体图。图3是表示包含图2的第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。图4是表示第一实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。图5是表示第一实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
本实施方式所涉及的静电保护部件1A是安装于电子设备的电路基板且保护电子设备免受ESD(Electro-Static Discharge:静电放电)影响的电子部件。如图1~图5所示,静电保护部件1A具备素体4、外部电极5~10、对置电极12,14,16,18、2个以上的放电部(第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3和第四放电部GP4)、放电诱导部24,25、空洞部26~29和线圈L1,L2。素体4呈大致长方体形状。外部电极5~10配置在素体4的外表面。对置电极12,14,16,18配置在素体4的内部。接地电极20配置在素体4的内部。第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3和第四放电部GP4配置在素体4的内部。放电诱导部24,25配置在素体4的内部。空洞部26~29配置在素体4的内部。线圈L1,L2配置在素体4的内部。以下,令素体4的层叠方向为Z方向(上下方向),令层叠方向的端面和截面的宽度方向(以下,仅称为“素体4的宽度方向”)为X方向,令长度方向(以下,仅称为“素体4的长度方向”)为Y方向。
素体4通过层叠多个绝缘体层11而构成。各绝缘体层11具有大致长方形状。各绝缘体层11是具有电绝缘性的绝缘体,由绝缘体坯片的烧结体构成。在实际的素体4中,各绝缘体层11被一体化到其之间的边界无法识别的程度。素体4具有相互相对的一对端面4a,4b和与端面4a,4b相邻的四个侧面作为外表面。四个侧面中的一个侧面4c规定为与未图示的其他电子设备(例如电路基板或电子部件等)相对面的面(贴装面)。
外部电极5配置在素体4的侧面4e。外部电极5配置在素体4的长度方向(图的Y方向)上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置。外部电极5以其一部分分别覆盖素体4的侧面4c的一部分和素体4的侧面4d的一部分的方式形成。
外部电极6配置在素体4的侧面4f。外部电极6配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置。外部电极6以其一部分分别覆盖素体4的侧面4c的一部分和素体4的侧面4d的一部分的方式形成。
外部电极7配置在素体4的侧面4e。外部电极7配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置。外部电极7以其一部分分别覆盖素体4的侧面4c的一部分和素体4的侧面4d的一部分的方式形成。
外部电极8配置在素体4的侧面4f。外部电极8配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置。外部电极8以其一部分分别覆盖素体4的侧面4c的一部分和素体4的侧面4d的一部分的方式形成。
外部电极9配置在素体4的端面4a。外部电极9配置在素体4的宽度方向(图的X方向)上的大致中央的位置。外部电极9以其一部分分别覆盖素体4的侧面4c的一部分和素体4的侧面4d的一部分的方式形成。
外部电极10配置在素体4的端面4b。外部电极10配置素体4的宽度方向上的大致中央的位置。外部电极10以其一部分分别覆盖素体4的侧面4c的一部分和素体4的侧面4d的一部分的方式形成。
对置电极12配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极12具有第一引出部12a和第一对置部12b(参照图3)。第一引出部12a和第一对置部12b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部12a具有沿着素体4的宽度方向延伸的I字形状。第一引出部12a的端部12c在素体4的侧面4e露出,与外部电极5连接。第一对置部12b具有沿着素体4的长度方向延伸的I字形状。第一对置部12b经由位于第一对置部12b与第一引出部12a之间的通孔导体13而与第一引出部12a电连接。
对置电极14配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极14具有第一引出部14a和第一对置部14b。第一引出部14a配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层不同的绝缘体层11,第一对置部14b配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部14a和第一对置部14b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部14a具有沿着素体4的宽度方向延伸的I字形状。第一引出部14a的端部14c在素体4的侧面4e露出,与外部电极7连接。第一对置部14b具有沿着素体4的长度方向延伸的I字形状。第一对置部14b经由位于第一对置部14b与第一引出部14a之间的通孔导体15而与第一引出部14a电连接。
对置电极16配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极16具有第一引出部16a和第一对置部16b。第一引出部16a配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层不同的绝缘体层11,第一对置部16b配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部16a和第一对置部16b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部16a具有沿着素体4的宽度方向延伸的I字形状。第一引出部16a的端部16c在素体4的侧面4f露出,与外部电极6连接。第一对置部16b具有沿着素体4的长度方向延伸的I字形状。第一对置部16b经由位于第一对置部16b和第一引出部16a之间的通孔导体17而与第一引出部16a电连接。
对置电极18配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极18具有第一引出部18a和第一对置部18b。第一引出部18a配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层不同的绝缘体层11,第一对置部18b配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部18a和第一对置部18b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部18a具有沿着素体4的宽度方向延伸的I字形状。第一引出部18a的端部18c在素体4的侧面4f露出,与外部电极8连接。第一对置部18b具有沿着素体4的长度方向延伸的I字形状。第一对置部18b经由位于第一对置部18b和第一引出部18a之间的通孔导体19而与第一引出部18a电连接。
接地电极20配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置。接地电极20具有第二引出部20a、第二引出部20b、第二对置部20c和第二对置部20d。第二引出部20a和第二引出部20b配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层不同的绝缘体层11,第二对置部20c和第二对置部20d配置在与配置有对置电极12的第一对置部12b的层同一的绝缘体层11。即,第二引出部20a和第二引出部20b与第二对置部20c和第二对置部20d配置在互相不同的绝缘体层11。
第二引出部20a配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置。第二引出部20a具有沿着素体4的长度方向延伸的I字形状。第二引出部20a的端部20g在素体4的端面4a露出,与外部电极9连接。
第二引出部20b配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置。第二引出部20b具有沿着素体4的长度方向延伸的I字形状。第二引出部20b的端部20h在素体4的端面4b露出,与外部电极10连接。
第二对置部20c和第二对置部20d分别在素体4的长度方向上延伸。第二对置部20c的一端和第二对置部20d的一端通过互相连接而构成连接部20e。连接部20e经由通孔导体21而与第二引出部20a电连接。由此,第二对置部20c和第二对置部20d经由通孔导体21而与第二引出部20a电连接。第二对置部20c的另一端和第二对置部20d的另一端通过互相连接而构成连接部20f。连接部20f经由通孔导体22而与第二引出部20b电连接。由此,第二对置部20c和第二对置部20d经由通孔导体22而与第二引出部20b电连接。通过第二对置部20c、第二对置部20d、连接部20e和连接部20f,从而在同一绝缘体层11上形成环状的导体图案。第二对置部20c和第二对置部20d以连接部20e和连接部20f作为分岔点互相分开地在素体4的长度方向上延伸。
第二对置部20c与对置电极12的第一对置部12b和对置电极14的第一对置部14b隔开而相对配置。由此,在对置电极12的第一对置部12b与接地电极20的第二对置部20c之间形成第一放电部GP1(参照图4),在对置电极14的第一对置部14b与接地电极20的第二对置部20c之间形成第二放电部GP2(参照图5)。通过这样的结构,如果在外部电极5和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第一放电部GP1中产生放电。同样地如果在外部电极7和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第二放电部GP2产生放电。
第二对置部20d与对置电极16的第一对置部16b和对置电极18的第一对置部18b隔开而相对配置。由此,在对置电极16的第一对置部16b与接地电极20的第二对置部20d之间形成第三放电部GP3(参照图4),在对置电极18的第一对置部18b与接地电极20的第二对置部20d之间形成第四放电部GP4(参照图5)。通过这样的结构,如果在外部电极6和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第三放电部GP3产生放电。同样如果在外部电极8和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第四放电部GP4产生放电。
放电诱导部24位于第一放电部GP1和第三放电部GP3,具有使第一放电部GP1和第三放电部GP3的放电容易发生的功能。放电诱导部24将对置电极12的第一对置部12b与接地电极20的第二对置部20c连接,并且将对置电极16的第一对置部16b与接地电极20的第二对置部20d连接。
放电诱导部25位于第二放电部GP2和第四放电部GP4,具有使第二放电部GP2和第四放电部GP4的放电容易发生的功能。放电诱导部25将对置电极14的第一对置部14b与接地电极20的第二对置部20c连接,并且将对置电极18的第一对置部18b与接地电极20的第二对置部20d连接。
空洞部26形成在第一放电部GP1。空洞部26具有吸收第一对置部12b、第二对置部20c、绝缘体层11和放电诱导部24在放电时的热膨胀的功能。空洞部27形成在第二放电部GP2。空洞部27具有吸收第一对置部14b、第二对置部20c、绝缘体层11和放电诱导部25在放电时的热膨胀的功能。空洞部28形成在第三放电部GP3。空洞部28具有吸收第一对置部16b、第二对置部20d、绝缘体层11和放电诱导部24在放电时的热膨胀的功能。空洞部29形成在第四放电部GP4。空洞部29具有吸收第一对置部18b、第二对置部20d、绝缘体层11和放电诱导部25在放电时的热膨胀的功能。
线圈L1和线圈L2配置得在绝缘体层11的层叠方向上相比于配置有对置电极12,14,16,18和接地电极20的层,更靠近素体4的侧面4c。线圈L1和线圈L2从靠近素体4的侧面4c的侧按照线圈L2和线圈L1的顺序并列配置。线圈L2通过在素体4的内部在绝缘体层11的层叠方向上并列配置的多个内部导体即导体51和导体52的端部彼此由位于导体51和导体52之间的通孔导体56连接而构成。导体52呈螺旋状。导体51和导体52在绝缘体层11的层叠方向上从靠近素体4的侧面4c的侧按照导体51和导体52的顺序并列配置。
导体51的端部51a在素体4的侧面4e露出,与外部电极5连接。导体52的端部52a在素体4的侧面4f露出,与外部电极6连接。因此,线圈L2与外部电极5和外部电极6电连接。
线圈L1通过在素体4的内部在绝缘体层11的层叠方向上并列配置的多个内部导体即导体53和导体54的端部彼此由位于导体53和导体54之间的通孔导体55连接而构成。导体54呈螺旋状。导体53和导体54在绝缘体层11的层叠方向上,从靠近素体4的侧面4d的侧按照导体53和导体54的顺序并列配置。
导体53的端部53a在素体4的侧面4e露出,与外部电极7连接。导体54的端部54a在素体4的侧面4f露出,与外部电极8连接。因此,线圈L1与外部电极7和外部电极8电连接。
线圈L1和线圈L2通过呈螺旋形状的导体52和导体54磁耦合,构成所谓的共模滤波器。
接着,就各构成要素的材料详细地说明。
外部电极5~10、对置电极12,14,16,18和接地电极20分别由含有Ag、Pd、Au、Pt、Cu、Ni、Al、Mo或W的导体材料构成。外部电极5~10可以使用Ag/Pd合金、Ag/Cu合金、Ag/Au合金或Ag/Pt合金等作为合金。
绝缘体层11由Fe2O3、NiO、CuO、ZnO、MgO、SiO2、TiO2、Mn2O3、SrO、CaO、BaO、SnO2、K2O、Al2O3、ZrO2或B2O3等之中的单独材料构成。绝缘体层11也可以由混合了它们中的两种以上的陶瓷材料构成。在绝缘体层11中,也可以含有玻璃。为了能够进行低温烧结,绝缘体层11中优选含有氧化铜(CuO或Cu2O)。
各导体51~54、各通孔导体13,15,17,19,21,22,55,56例如包含Ag或Pd等导体材料。各导体51~54、各通孔导体13,15,17,19,21,22,55,56构成为包含上述导体材料的导电性膏体的烧结体。
放电诱导部24,25含有Fe2O3、NiO、CuO、ZnO、MgO、SiO2、TiO2、Mn2O3、SrO、CaO、BaO、SnO2、K2O、Al2O3、ZrO2或B2O3等之中的单独材料而构成。放电诱导部24,25也可以包含混合了它们中的两种以上的材料而构成。放电诱导部24,25中含有Ag、Pd、Au、Pt、Ag/Pd合金、Ag/Cu合金、Ag/Au合金或Ag/Pt合金等金属颗粒。放电诱导部24,25作为金属颗粒含有的金属材料的熔点可以高于构成线圈L1,L2的各导体51~54所含有的导体材料的熔点。放电诱导部24,25中优选含有RuO2等半导体颗粒。放电诱导部24,25中也可以含有玻璃或氧化铅(SnO或SnO2)。
接着,参照图6,就本实施方式的静电保护部件的制造方法进行说明。图6是表示本实施方式所涉及的静电保护部件的制造方法的流程图。
首先,调配构成绝缘体层11的材料的浆料(S1),形成绝缘体层11用的坯片(S2)。具体而言,混合包含氧化铜(CuO)的规定量的电介质粉末和包含有机溶剂和有机粘合剂的有机载色剂,调配绝缘体层11用的浆料。电介质粉末中可以使用包含Mg、Cu、Zn、Si或Sr的氧化物(也可以为其他电介质材料)作为主成分的电介质材料。其后,通过刮刀法等,在PET膜上涂布浆料,形成厚度20μm左右的坯片。此外,在各绝缘体层11中的各通孔导体13,15,17,19,21,22,55,56的预定形成位置通过激光加工形成有贯通孔。
形成绝缘体层11用的坯片后,在该坯片的规定的位置分别印刷放电诱导材料浆料、导体膏体和溶剂(空洞用涂漆)(S3)。放电诱导材料浆料的印刷通过在绝缘体层11用的薄片调配并涂布用于形成烧成后的放电诱导部24,25的放电诱导材料浆料来进行(S3A)。具体而言,将以规定量称量的氧化锡、绝缘体和导体的各粉末与包含有机溶剂和有机粘合剂的有机载色剂混合,调配放电诱导材料浆料。例如,作为氧化锡可以使用工业用的SnO2,作为绝缘体可以使用电介质粉末。在电介质粉末中可以使用含有Mg、Cu、Zn、Si或Sr的氧化物(也可以是其他电介质材料)作为主成分的电介质材料。作为导体粉末,可以使用Ag/Pd粉(也可以是Ag、Pd、Au、Pt或其混合物或者化合物等)。以氧化锡的颗粒和Ag/Pd合金的金属颗粒成为混合存在的状态的方式将各粉末充分混合。放电诱导材料浆料通过后述的烧成工序而成为放电诱导部24,25。
导体膏体的印刷通过在绝缘体层11用的坯片通过丝网印刷等涂布用于形成导体图案的导体膏体来进行(S3B)。导体图案通过后述的烧成工序而成为各导体51~54、对置电极12,14,16,18和接地电极20。各导体图案通过在丝网印刷后进行干燥而形成。贯通孔中在形成各导体图案时填充有导体膏体。填充在贯通孔中的导体膏体通过后述的烧成工序而成为各通孔导体13,15,17,19,21,22,55,56。
空洞用涂漆的印刷通过以在绝缘体层11用的坯片分别覆盖用于形成已经印刷好的对置电极12的第一对置部12b和接地电极20的第二对置部20c的导体膏体、用于形成已经印刷好的对置电极14的第一对置部14b和接地电极20的第二对置部20c的导体膏体、用于形成已经印刷好的对置电极16的第一对置部16b和接地电极20的第二对置部20d的导体膏体、以及用于形成已经印刷好的对置电极18的第一对置部18b和接地电极20的第二对置部20d的导体膏体的方式,涂布空洞用涂漆来进行(S3C)。空洞用涂漆是用于形成空洞部26,27,28,29的涂料。
将放电诱导材料浆料、导体膏体以及印刷有空洞用涂漆的绝缘体层11用的坯片依次层叠(S4),压制(S5),以成为各个静电保护部件1的大小的方式将层叠体切断(S6)。绝缘体层11用的坯片的层叠顺序中,按照烧成后所形成的各结构的层叠方向上的顺序以从靠近相对于电路基板的贴装面即素体4的侧面4c的侧依次成为各导体51~54、放电诱导部24,25、第一引出部12a,14a,16a,18a和第二引出部20a,20b、第一对置部12b,14b,16b,18b和第二对置部20c,20d、空洞部26~29的方式编集。
接着,进行通过切断绝缘体层11用的坯片的层叠体而得到的各坯贴片(greenchip)的滚筒研磨(S7)。由此,得到角部或棱线被滚圆的坯贴片。
接着,滚筒研磨工序之后,以规定的条件(例如,大气中、850~950℃2小时)对坯贴片进行烧成(S8)。由此,坯贴片通过烧成而成为素体4。由此,在第一对置部12b和第二对置部20c之间形成第一放电部GP1,在第一对置部14b和第二对置部20c之间形成第二放电部GP2,在第一对置部16b和第二对置部20d之间形成第三放电部GP3,以及在第一对置部18b和第二对置部20d之间形成第四放电部GP4。另外,在烧成工序中,空洞用涂漆消失,形成有覆盖第一放电部GP1的空洞部26、覆盖第二放电部GP2的空洞部27、覆盖第三放电部GP3的空洞部28以及覆盖第四放电部GP4的空洞部29。即,通过经过烧成工序,可以得到具备有第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3和第四放电部GP4的中间体。
接着,在素体4涂布外部电极5~10用的导体膏体(S9),以规定条件(例如,大气中600~800℃、2小时)进行热处理,烧接并形成外部电极5~10(S10)。其后,在外部电极5~10的表面实施镀敷(S11)。镀敷优选为电镀,例如可以使用Ni/Sn、Cu/Ni/Sn、Ni/Pd/Au、Ni/Pd/Ag、Ni/Ag等。
经过以上的过程,得到静电保护部件1A。
以上,根据本实施方式所涉及的静电保护部件1A,对置电极12,14,16,18的第一引出部12a,14a,16a,18a和对置电极12,14,16,18的第一对置部12b,14b,16b,18b配置在互相不同的层,并且经由通孔导体13,15,17,19而电连接。接地电极20的第二引出部20a,20b和接地电极20的第二对置部20c,20d配置在互相不同的层并且经由通孔导体21,22而电连接。因此,存在于同一层的电极的总面积小。由此,绝缘体层11彼此的密接性提高,因而产生构造上的缺陷的可能性减小,由该缺陷造成的镀液的浸入被抑制。因此,能够抑制镀液浸入到形成在对置电极12的第一对置部12b与接地电极20的第二对置部20c之间的第一放电部GP1、形成在对置电极14的第一对置部14b与接地电极20的第二对置部20d之间的第二放电部GP2、形成在对置电极16的第一对置部16b与接地电极20的第二对置部20d之间的第三放电部GP3以及形成在对置电极18的第一对置部18b与接地电极20的第二对置部20d之间的第四放电部GP4。特别是根据本实施方式,由于对置电极12,14,16,18的第一引出部12a,14a,16a,18a以及接地电极20的第二引出部20a,20b中的任一个配置在与配置有第一对置部12b,14b,16b,18b和第二对置部20c,20d的层不同的层,因此能够尽量减少存在于同一层的电极的总面积,能够更切实地抑制镀液浸入产生放电的放电部。
(第二实施方式)
接着,参照图1、图2和图7~图9,说明第二实施方式所涉及的静电保护部件的结构。图7是表示第二实施方式所涉及的素体的包含第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。图8是表示第二实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。图9是表示第二实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
第二实施方式所涉及的静电保护部件1B与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A同样地具备素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2。素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2的结构与第一实施方式相同(参照图1和图2)。如图7~图9所示,在第二实施方式所涉及的静电保护部件1B中,包含第一~第四放电部的部分的结构与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A不同。具体而言,代替对置电极12,14,16,18、接地电极20、第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3、第四放电部GP4、放电诱导部24,25以及空洞部26~29,静电保护部件1B具备对置电极30,31,32,33、接地电极34、第一放电部GP5、第二放电部GP6、第三放电部GP7、第四放电部GP8、放电诱导部36~39以及空洞部40~43。
对置电极30配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极30具有L字形状。对置电极30具有第一引出部30a和第一对置部30b。第一引出部30a和第一对置部30b配置在同一绝缘体层11。第一引出部30a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部30a的端部30c在素体4的侧面4e露出,与外部电极5连接。第一对置部30b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极31配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极31具有L字形状。对置电极31具有第一引出部31a和第一对置部31b。第一引出部31a和第一对置部31b均配置在与配置有对置电极30的第一对置部30b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部31a和第一对置部31b配置在同一绝缘体层11。第一引出部31a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部31a的端部31c在素体4的侧面4e露出,与外部电极7连接。第一对置部31b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极32配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极32具有L字形状。对置电极32具有第一引出部32a和第一对置部32b。第一引出部32a和第一对置部32b均配置在与配置有对置电极30的第一对置部30b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部32a和第一对置部32b配置在同一绝缘体层11。第一引出部32a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部32a的端部32c在素体4的侧面4f露出,与外部电极6连接。第一对置部32b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极33配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极33具有L字形状。对置电极33具有第一引出部33a和第一对置部33b。第一引出部33a和第一对置部33b均配置在与配置有对置电极30的第一对置部30b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部33a和第一对置部33b配置在同一绝缘体层11。第一引出部33a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部33a的端部33c在素体4的侧面4f露出,与外部电极8连接。第一对置部33b沿着素体4的长度方向延伸。
接地电极34具有第二引出部34a、第二对置部34b和第二对置部34c。第二引出部34a配置在与配置有对置电极30的第一对置部30b的层不同的绝缘体层11,第二对置部34b和第二对置部34c配置在与配置有对置电极30的第一对置部30b的层同一的绝缘体层11。即,第二引出部34a与第二对置部34b和第二对置部34c配置在互相不同的绝缘体层11。
第二引出部34a配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置,在素体4的长度方向上延伸。第二引出部34a的端部34e在素体4的端面4a露出,与外部电极9连接。第二引出部34a的端部34f在素体4的端面4b露出,与外部电极10连接。
第二对置部34b和第二对置部34c分别隔开地在素体4的长度方向上延伸。第二对置部34b的延伸方向上的大致中央部与第二对置部34c的延伸方向上的大致中央部通过互相连接而构成连接部34d。连接部34d在素体4的宽度方向上延伸。连接部34d经由通孔导体35而与第二引出部34a电连接。由此,第二对置部34b和第二对置部34c经由通孔导体35而与第二引出部34a电连接。通过第二对置部34b、第二对置部34c、连接部34d,从而在同一绝缘体层11上形成H形状的导体图案。
第二对置部34b配置在相比于对置电极30的第一对置部30b和对置电极31的第一对置部31b,与第一引出部30a和第一引出部31a露出的素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。即,第一对置部30b,31b比第二对置部34b远离素体4的侧面4e而配置。第一引出部30a的从素体4的侧面4e到第一对置部30b的长度即是对置电极30的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部30b的距离。第一引出部31a的从素体4的侧面4e到第一对置部31b的长度即是对置电极31的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部31b的距离。
第二对置部34b与对置电极30的第一对置部30b和对置电极31的第一对置部31b隔开而相对配置。由此,在对置电极30的第一对置部30b与接地电极34的第二对置部34b之间形成第一放电部GP5(参照图8),在对置电极31的第一对置部31b与接地电极34的第二对置部34b之间形成第二放电部GP6(参照图9)。通过这样的结构,如果在外部电极5和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第一放电部GP5产生放电。同样地如果在外部电极7和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第二放电部GP6产生放电。
第二对置部34c配置在相比于对置电极32的第一对置部32b和对置电极33的第一对置部33b,与第一引出部32a和第一引出部33a露出的素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部32b,33b比第二对置部34c远离素体4的侧面4f而配置。第一引出部32a的从素体4的侧面4f到第一对置部32b的长度即是对置电极32的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部32b的距离。第一引出部33a的从素体4的侧面4f到第一对置部33b的长度即是对置电极33的从向素体4的侧面4f露出部分到第一对置部33b的距离。
第二对置部34c与对置电极32的第一对置部32b和对置电极33的第一对置部33b隔开而相对配置。由此,在对置电极32的第一对置部32b与接地电极34的第二对置部34c之间形成第三放电部GP7(参照图8),在对置电极33的第一对置部33b与接地电极34的第二对置部34c之间形成第四放电部GP8(参照图9)。通过这样的结构,如果在外部电极6和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第三放电部GP7产生放电。同样地如果在外部电极8和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第四放电部GP8产生放电。
放电诱导部36位于第一放电部GP5,具有使第一放电部GP5的放电容易发生的功能。放电诱导部36将对置电极30的第一对置部30b与接地电极34的第二对置部34b连接。放电诱导部37位于第二放电部GP6,具有使第二放电部GP6的放电容易发生的功能。放电诱导部37将对置电极31的第一对置部31b与接地电极34的第二对置部34b连接。
放电诱导部38位于第三放电部GP7,具有使第三放电部GP7的放电容易发生的功能。放电诱导部38将对置电极32的第一对置部32b与接地电极34的第二对置部34c连接。放电诱导部39位于第四放电部GP8,具有使第四放电部GP8的放电容易发生的功能。放电诱导部39将对置电极33的第一对置部33b与接地电极34的第二对置部34c连接。
空洞部40形成在第一放电部GP5。空洞部40具有吸收第一对置部30b、第二对置部34b、绝缘体层11和放电诱导部36在放电时的热膨胀的功能。空洞部41形成在第二放电部GP6。空洞部41具有吸收第一对置部31b、第二对置部34b、绝缘体层11和放电诱导部37在放电时的热膨胀的功能。空洞部42形成在第三放电部GP7。空洞部42具有吸收第一对置部32b、第二对置部34c、绝缘体层11和放电诱导部38在放电时的热膨胀的功能。空洞部43形成在第四放电部GP8。空洞部43具有吸收第一对置部33b、第二对置部34c、绝缘体层11和放电诱导部39在放电时的热膨胀的功能。
以上,在本实施方式所涉及的静电保护部件1B中也发挥与上述实施方式同样的效果。即,对置电极30,31,32,33和接地电极34当中,接地电极34的第二引出部34a和第二对置部34b,34c配置在互相不同的层,并且经由通孔导体35而电连接。因此,存在于同一层的电极的总面积小。由此,绝缘体层11彼此的密接性提高,因而产生构造上的缺陷的可能性减小,由该缺陷造成的镀液的浸入被抑制。因此,能够抑制镀液浸入到形成在对置电极30的第一对置部30b与接地电极34的第二对置部34b之间的第一放电部GP5、形成在对置电极31的第一对置部31b与接地电极34的第二对置部34b之间的第二放电部GP6、形成在对置电极32的第一对置部32b与接地电极34的第二对置部34c之间的第三放电部GP7、以及形成在对置电极33的第一对置部33b与接地电极34的第二对置部34c之间的第四放电部GP8。
特别是根据本实施方式,由于接地电极34的第二引出部34a配置在与配置有对置电极30,31,32,33的第一对置部30b,31b,32b,33b和接地电极34的第二对置部34b,34c的层不同的层,因此在配置有第一对置部30b,31b,32b,33b和第二对置部34b,34c的层中,能够不用考虑第二引出部34a的导体图案,自由地决定第一对置部30b,31b,32b,33b和第二对置部34b,34c的导体图案。
此外,第二对置部34b配置在相比于对置电极30的第一对置部30b和对置电极31的第一对置部31b,与连接于第一对置部30b的第一引出部30a和连接于第一对置部31b的第一引出部31a分别露出的素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。第二对置部34c配置在相比于对置电极32的第一对置部32b和对置电极33的第一对置部33b,与连接于第一对置部32b的第一引出部32a和连接于第一对置部33b的第一引出部33a分别露出的素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部30b,31b比第二对置部34b远离素体4的侧面4e而配置,第一对置部32b,33b比第二对置部34c远离素体4的侧面4f而配置。因此,由于对置电极30~33的从向素体4的侧面4e,4f露出的部分到第一对置部30b,31b,32b,33b的距离变长,因此从该露出的部分进入的镀液向第一对置部30b,31b,32b,33b的浸入被抑制。因此,能够抑制镀液浸入第一放电部GP5、第二放电部GP6、第三放电部GP7和第四放电部GP8。
(第三实施方式)
接着,参照图1、图2和图10~图12,说明第三实施方式所涉及的静电保护部件的结构。图10是表示第三实施方式所涉及的素体的包含第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。图11是表示第三实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。图12是表示第三实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
第三实施方式所涉及的静电保护部件1C与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A同样地具备素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2。素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2的结构与第一实施方式相同(参照图1和图2)。如图10~图12所示,在第三实施方式所涉及的静电保护部件1C中,也与第二实施方式所涉及的静电保护部件1B同样,包含第一~第四放电部的部分的结构与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A不同。具体而言,代替对置电极12,14,16,18、接地电极20、第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3、第四放电部GP4、放电诱导部24,25以及空洞部26~29,静电保护部件1C具备对置电极60,62,64,66、接地电极68、第一放电部GP9、第二放电部GP10、第三放电部GP11、第四放电部GP12、放电诱导部70~73以及空洞部74~77。
对置电极60配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极60具有第一引出部60a和第一对置部60b。第一引出部60a和第一对置部60b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部60a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部60a的端部60c在素体4的侧面4e露出,与外部电极5连接。第一对置部60b具有沿着素体4的长度方向延伸的部分和沿着素体4的宽度方向延伸的部分。第一对置部60b沿着素体4的宽度方向延伸的部分的一端构成连接部60d。连接部60d经由通孔导体61而与第一引出部60a电连接。由此,第一对置部60b经由通孔导体61而与第一引出部60a电连接。
对置电极62配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极62具有第一引出部62a和第一对置部62b。第一引出部62a配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层不同的绝缘体层11,第一对置部62b配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部62a和第一对置部62b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部62a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部62a的端部62c在素体4的侧面4e露出,与外部电极7连接。第一对置部62b具有沿着素体4的长度方向延伸的部分和沿着素体4的宽度方向延伸的部分。第一对置部62b的沿着素体4的宽度方向延伸的部分的一端构成连接部62d。连接部62d经由通孔导体63而与第一引出部62a连接。由此,第一对置部62b经由通孔导体63与而第一引出部62a电连接。
对置电极64配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极64具有第一引出部64a和第一对置部64b。第一引出部64a配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层不同的绝缘体层11,第一对置部64b配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部64a和第一对置部64b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部64a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部64a的端部64c在素体4的侧面4f露出,与外部电极6连接。第一对置部64b具有沿着素体4的长度方向延伸的部分和沿着素体4的宽度方向延伸的部分。第一对置部64b的沿着素体4的宽度方向延伸的部分的一端构成连接部64d。连接部64d经由通孔导体65而与第一引出部64a电连接。由此,第一对置部64b经由通孔导体65而与第一引出部64a电连接。
对置电极66配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极66具有第一引出部66a和第一对置部66b。第一引出部66a配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层不同的绝缘体层11,第一对置部66b配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部66a和第一对置部66b配置在互相不同的绝缘体层11。第一引出部66a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部66a的端部66c在素体4的侧面4f露出,与外部电极8连接。第一对置部66b具有沿着素体4的长度方向延伸的部分和沿着素体4的宽度方向延伸的部分。第一对置部66b的沿着素体4的宽度方向延伸的部分的一端构成连接部66d。连接部66d经由通孔导体67而与第一引出部66a电连接。由此,第一对置部66b经由通孔导体67而与第一引出部66a电连接。
接地电极68具有第二引出部68a、第二对置部68b和第二对置部68c。第二引出部68a配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层不同的绝缘体层11,第二对置部68b和第二对置部68c配置在与配置有对置电极60的第一对置部60b的层同一的绝缘体层11。即,第二引出部68a与第二对置部68b和第二对置部68c配置在互相不同的绝缘体层11。
第二引出部68a配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置,在素体4的长度方向上延伸。第二引出部68a的端部68e在素体4的端面4a露出,与外部电极9连接。第二引出部68a的端部68f在素体4的端面4b露出,与外部电极10连接。
第二对置部68b和第二对置部68c分别隔开地在素体4的长度方向上延伸。通过第二对置部68b的延伸方向上的大致中央部和第二对置部68c的延伸方向上的大致中央部互相连接,构成连接部68d。连接部68d在素体4的宽度方向上延伸。连接部68d经由通孔导体69而与第二引出部68a电连接。由此,第二对置部68b和第二对置部68c经由通孔导体69而与第二引出部68a电连接。通过第二对置部68b、第二对置部68c、连接部68d,从而在同一绝缘体层11上形成H形状的导体图案。
第二对置部68b配置在相比于对置电极60的第一对置部60b和对置电极62的第一对置部62b,与素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。即,第一对置部60b,62b比第二对置部68b远离素体4的侧面4e而配置。第一引出部60a的从素体4的侧面4e到第一对置部60b的长度即是对置电极60的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部60b的距离。第一引出部62a的从素体4的侧面4e到第一对置部62b的长度即是对置电极62的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部62b的距离。
第二对置部68b与对置电极60的第一对置部60b和对置电极62的第一对置部62b隔开而相对配置。由此,在对置电极60的第一对置部60b与接地电极68的第二对置部68b之间形成第一放电部GP9(参照图11),在对置电极62的第一对置部62b与接地电极68的第二对置部68b之间形成第二放电部GP10(参照图12)。通过这样的结构,如果在外部电极5和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第一放电部GP9产生放电。同样地如果在外部电极7和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第二放电部GP10产生放电。
第二对置部68c配置在相比于对置电极64的第一对置部64b和对置电极66的第一对置部66b,与素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部64b,66b比第二对置部68c远离素体4的侧面4f而配置。第一引出部64a的从素体4的侧面4f到第一对置部64b的长度即是对置电极64的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部64b的距离。第一引出部66a的从素体4的侧面4f到第一对置部66b的长度即是对置电极66的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部66b的距离。
第二对置部68c与对置电极64的第一对置部64b和对置电极66的第一对置部66b隔开而相对配置。由此,在对置电极64的第一对置部64b与接地电极68的第二对置部68c之间形成第三放电部GP11(参照图11),在对置电极64的第一对置部64b与接地电极68的第二对置部68c之间形成第四放电部GP12(参照图12)。通过这样的结构,如果在外部电极6和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第三放电部GP11产生放电。同样地如果在外部电极8和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第四放电部GP12产生放电。
放电诱导部70位于第一放电部GP9,具有使第一放电部GP9的放电容易发生的功能。放电诱导部70将对置电极60的第一对置部60b与接地电极68的第二对置部68b连接。放电诱导部71位于第二放电部GP10,具有使第二放电部GP10的放电容易发生的功能。放电诱导部71将对置电极62的第一对置部62b与接地电极68的第二对置部68b连接。
放电诱导部72位于第三放电部GP11,具有使第三放电部GP11的放电容易发生的功能。放电诱导部72将对置电极64的第一对置部64b与接地电极68的第二对置部68c连接。放电诱导部73位于第四放电部GP12,具有使第四放电部GP12的放电容易发生的功能。放电诱导部73将对置电极66的第一对置部66b与接地电极68的第二对置部68c连接。
空洞部74形成在第一放电部GP9。空洞部74具有吸收第一对置部60b、第二对置部68b、绝缘体层11和放电诱导部70在放电时的热膨胀的功能。空洞部75形成在第二放电部GP10。空洞部75具有吸收第一对置部62b、第二对置部68b、绝缘体层11和放电诱导部71在放电时的热膨胀的功能。空洞部76形成在第三放电部GP11。空洞部76具有吸收第一对置部64b、第二对置部68c、绝缘体层11和放电诱导部72在放电时的热膨胀的功能。空洞部77形成在第四放电部GP12。空洞部77具有吸收第一对置部66b、第二对置部68c、绝缘体层11和放电诱导部73在放电时的热膨胀的功能。
以上,在本实施方式所涉及的静电保护部件1C中也发挥与上述实施方式同样的效果。
(第四实施方式)
接着,参照图1、图2和图13~图15,说明第四实施方式所涉及的静电保护部件的结构。图13是表示第四实施方式所涉及的素体的包含第一~第四放电部的部分的结构的分解立体图。图14是表示第四实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。图15是表示第四实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
第四实施方式所涉及的静电保护部件1D与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A同样地具备素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2。素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2的结构与第一实施方式相同(参照图1和图2)。如图13~图15所示,在第四实施方式所涉及的静电保护部件1D中,也与第二和第三实施方式所涉及的静电保护部件1B,1C同样,包含第一~第四放电部的部分的结构与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A不同。具体而言,代替对置电极12,14,16,18、接地电极20、第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3、第四放电部GP4、放电诱导部24,25以及空洞部26~29,静电保护部件1D具备对置电极78,79,80,81、接地电极82、第一放电部GP13、第二放电部GP14、第三放电部GP15、第四放电部GP16、放电诱导部85~88以及空洞部89~92。
对置电极78配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极78具有L字形状。对置电极78具有第一引出部78a和第一对置部78b。第一引出部78a和第一对置部78b配置在同一绝缘体层11。第一引出部78a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部78a的端部78c在素体4的侧面4f露出,与外部电极6连接。第一对置部78b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极79配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极79具有L字形状。对置电极79具有第一引出部79a和第一对置部79b。第一引出部79a和第一对置部79b均配置在与配置有对置电极78的第一对置部78b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部79a和第一对置部79b配置在同一绝缘体层11。第一引出部79a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部79a的端部79c在素体4的侧面4e露出,与外部电极7连接。第一对置部79b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极80配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极80具有L字形状。对置电极80具有第一引出部80a和第一对置部80b。第一引出部80a和第一对置部80b均配置在与配置有对置电极78的第一引出部78a和第一对置部78b的层不同的绝缘体层11。第一引出部80a和第一对置部80b配置在同一绝缘体层11。第一引出部80a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部80a的端部80c在素体4的侧面4e露出,与外部电极5连接。第一对置部80b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极81配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极81具有L字形状。对置电极81具有第一引出部81a和第一对置部81b。第一引出部81a和第一对置部81b均配置在与配置有对置电极80的第一对置部80b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部81a和第一对置部81b配置在同一绝缘体层11。第一引出部81a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部81a的端部81c在素体4的侧面4f露出,与外部电极8连接。第一对置部81b沿着素体4的长度方向延伸。
接地电极82具有第二引出部82a、第二对置部82b和第二对置部82c。第二引出部82a配置在与配置有对置电极78的第一对置部78b的层不同的且与配置有对置电极80的第一对置部80b的层不同的绝缘体层11。第二对置部82b配置在与配置有对置电极79的第一对置部79b的层同一的绝缘体层11。第二对置部82c配置在与配置有对置电极80的第一对置部80b的层同一的绝缘体层11。即,第二引出部82a、第二对置部82b和第二对置部82c分别配置在互相不同的绝缘体层11。
第二引出部82a配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置,在素体4的长度方向上延伸。第二引出部82a的端部82e在素体4的端面4a露出,与外部电极9连接。第二引出部82a的端部82f在素体4的端面4b露出,与外部电极10连接。
第二对置部82b在素体4的长度方向上延伸。第二对置部82b经由通孔导体83而与第二引出部82a电连接。第二对置部82c在素体4的长度方向上延伸。第二对置部82c经由通孔导体84而与第二引出部82a电连接。
第二对置部82b配置在相比于对置电极78的第一对置部78b,与第一引出部78a露出的素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部78b比第二对置部82b远离素体4的外表面即侧面4f而配置。第一引出部78a的从素体4的侧面4f到第一对置部78b的长度即是对置电极78的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部78b的距离。
第二对置部82b配置在相比于对置电极79的第一对置部79b,与第一引出部79a露出的素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。即,第一对置部79b比第二对置部82b远离素体4的外表面即侧面4e而配置。第一引出部79a的从素体4的侧面4e到第一对置部79b的长度即是对置电极79的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部79b的距离。
第二对置部82b与对置电极78的第一对置部78b和对置电极79的第一对置部79b隔开而相对配置。由此,在对置电极78的第一对置部78b与接地电极82的第二对置部82b之间形成第一放电部GP13(参照图14),在对置电极79的第一对置部79b与接地电极82的第二对置部82b之间形成第二放电部GP14(参照图15)。通过这样的结构,如果在外部电极6和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第一放电部GP13产生放电。同样地如果在外部电极7和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第二放电部GP14产生放电。
第二对置部82c配置在相比于对置电极80的第一对置部80b,与第一引出部80a露出的素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。即,第一对置部80b比第二对置部82c远离素体4的外表面即侧面4e而配置。第一引出部80a的从素体4的侧面4e到第一对置部80b侧的长度即是对置电极80的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部80b的距离。
第二对置部82c配置在相比于对置电极81的第一对置部81b,与第一引出部81a露出的素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部81b比第二对置部82c远离素体4的外表面即侧面4f而配置。第一引出部81a的从素体4的侧面4f到第一对置部81b的长度即是对置电极81的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部81b的距离。
第二对置部82c与对置电极80的第一对置部80b和对置电极81的第一对置部81b隔开而相对配置。由此,在对置电极80的第一对置部80b与接地电极82的第二对置部82c之间形成第三放电部GP15(参照图14),在对置电极81的第一对置部81b与接地电极82的第二对置部82c之间形成第四放电部GP16(参照图15)。通过这样的结构,如果在外部电极5和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第三放电部GP15产生放电。同样地如果在外部电极8和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第四放电部GP16产生放电。
放电诱导部85位于第一放电部GP13,具有使第一放电部GP13的放电容易发生的功能。放电诱导部85将对置电极78的第一对置部78b与接地电极82的第二对置部82b连接。放电诱导部86位于第二放电部GP14,具有使第二放电部GP14的放电容易发生的功能。放电诱导部86将对置电极79的第一对置部79b与接地电极82的第二对置部82b连接。
放电诱导部87位于第三放电部GP15,具有使第三放电部GP15的放电容易发生的功能。放电诱导部87将对置电极80的第一对置部80b与接地电极82的第二对置部82c连接。放电诱导部88位于第四放电部GP16,具有使第四放电部GP16的放电容易发生的功能。放电诱导部88将对置电极81的第一对置部81b与接地电极82的第二对置部82c连接。
空洞部89形成在第一放电部GP13。空洞部89具有吸收第一对置部78b、第二对置部82b、绝缘体层11和放电诱导部85在放电时的热膨胀的功能。空洞部90形成在第二放电部GP14。空洞部90具有吸收第一对置部79b、第二对置部82b、绝缘体层11和放电诱导部86在放电时的热膨胀的功能。空洞部91形成在第三放电部GP11。空洞部91具有吸收第一对置部80b、第二对置部82c、绝缘体层11和放电诱导部87在放电时的热膨胀的功能。空洞部92形成在第四放电部GP12。空洞部92具有吸收第一对置部81b、第二对置部82c、绝缘体层11和放电诱导部88在放电时的热膨胀的功能。
以上,在本实施方式所涉及的静电保护部件1D中也发挥与上述实施方式同样的效果。
(第五实施方式)
接着,参照图1和图16~图18,说明第五实施方式所涉及的静电保护部件的结构。图16是表示第五实施方式所涉及的素体的结构的分解立体图。图17是表示第五实施方式所涉及的静电保护部件的包含第一放电部和第三放电部的截面结构的图。图18是表示第五实施方式所涉及的静电保护部件的包含第二放电部和第四放电部的截面结构的图。
第五实施方式所涉及的静电保护部件1E与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A同样地具备素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2。素体4、外部电极5~10和线圈L1,L2的结构与第一实施方式相同(参照图1和图2)。如图16~图18所示,在第五实施方式所涉及的静电保护部件1E中,包含第一~第四放电部的部分的结构与第一实施方式所涉及的静电保护部件1A不同。具体而言,在静电保护部件1A中,第一~第四放电部的位置相对于线圈L1,L2在层叠方向上配置在单侧,但本实施方式所涉及的静电保护部件1E的第一~第四放电部的位置相对于线圈L1,L2在层叠方向上配置在两侧。代替静电保护部件1A中所具备的对置电极12,14,16,18、接地电极20、第一放电部GP1、第二放电部GP2、第三放电部GP3、第四放电部GP4、放电诱导部24,25以及空洞部26~29,静电保护部件1E具备对置电极93,94,95,96、接地电极97,99、第一放电部GP17、第二放电部GP18、第三放电部GP19、第四放电部GP20、放电诱导部101~104以及空洞部105~108。
对置电极93和对置电极94配置在层叠方向上的相比于线圈L1,L2更靠近素体4的侧面4d的位置。对置电极93配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极93具有L字形状。对置电极93具有第一引出部93a和第一对置部93b。第一引出部93a和第一对置部93b配置在同一绝缘体层11。第一引出部93a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部93a的端部93c在素体4的侧面4e露出,与外部电极5连接。第一对置部93b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极94配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极94具有L字形状。对置电极94具有第一引出部94a和第一对置部94b。第一引出部94a和第一对置部94b均配置在与配置有对置电极93的第一对置部93b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部94a和第一对置部94b配置在同一绝缘体层11。第一引出部94a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部94a的端部94c在素体4的侧面4f露出,与外部电极8连接。第一对置部94b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极95和对置电极96配置在层叠方向上相比于线圈L1,L2更靠近素体4的侧面4c的位置。对置电极95配置在素体4的长度方向上的相比于端面4b更靠近端面4a的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4e更靠近侧面4f的位置。对置电极95具有L字形状。对置电极95具有第一引出部95a和第一对置部95b。第一引出部95a和第一对置部95b均配置在与配置有对置电极93的第一对置部93b的层不同的绝缘体层11。第一引出部95a和第一对置部95b配置在同一绝缘体层11。第一引出部95a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部95a的端部95c在素体4的侧面4f露出,与外部电极6连接。第一对置部95b沿着素体4的长度方向延伸。
对置电极96配置在素体4的长度方向上的相比于端面4a更靠近端面4b的位置,且配置在素体4的宽度方向上的相比于侧面4f更靠近侧面4e的位置。对置电极96具有L字形状。对置电极96具有第一引出部96a和第一对置部96b。第一引出部96a和第一对置部96b均配置在与配置有对置电极95的第一对置部95b的层同一的绝缘体层11。即,第一引出部96a和第一对置部96b配置在同一绝缘体层11。第一引出部96a沿着素体4的宽度方向延伸。第一引出部96a的端部96c在素体4的侧面4e露出,与外部电极7连接。第一对置部96b沿着素体4的长度方向延伸。
接地电极97配置在层叠方向上相比于线圈L1,L2更靠近素体4的侧面4d的位置。接地电极97具有第二引出部97a、第二对置部97b和第二对置部97c。第二引出部97a配置在配置有对置电极93的第一对置部93b和对置电极94的第一对置部94b的层与配置有线圈L1,L2的层之间的绝缘体层11。第二对置部97b配置在与配置有对置电极93的第一对置部93b的层同一的绝缘体层11。第二对置部97c配置在与配置有对置电极94的第一对置部94b的层同一的绝缘体层11。即,第二引出部97a与第二对置部97b和第二对置部97c配置在互相不同的绝缘体层11。
第二引出部97a配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置,在素体4的长度方向上延伸。第二引出部97a的端部97e在素体4的端面4a露出,与外部电极9连接。第二引出部97a的端部97f在素体4的端面4b露出,与外部电极10连接。
第二对置部97b和第二对置部97c分别在素体4的长度方向上延伸,并且以各自的一端在素体4的宽度方向上延伸的方式弯曲并连接,由此构成连接部97d。连接部97d经由通孔导体98而与第二引出部97a电连接。即,第二对置部97b和第二对置部97c经由通孔导体98而与第二引出部97a电连接。
第二对置部97b配置在相比于对置电极93的第一对置部93b,与第一引出部93a露出的素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。即,第一对置部93b比第二对置部97b远离素体4的外表面即侧面4e而配置。第一引出部93a的从素体4的侧面4e到第一对置部93b的长度即是对置电极93的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部93b的距离。
第二对置部97c配置在相比于对置电极94的第一对置部94b,与第一引出部94a露出的素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部94b比第二对置部97b远离素体4的外表面即侧面4f而配置。第一引出部94a的从素体4的侧面4f到第一对置部94b的长度即是对置电极94的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部94b的距离。
第二对置部97b与对置电极93的第一对置部93b隔开而相对配置。由此,在对置电极93的第一对置部93b与接地电极97的第二对置部97b之间形成第一放电部GP17(参照图17)。第二对置部97c与对置电极94的第一对置部94b隔开而相对配置。由此,在对置电极94的第一对置部94b与接地电极97的第二对置部97c之间形成第二放电部GP18(参照图18)。通过这样的结构,如果在外部电极5和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第一放电部GP17产生放电。同样地如果在外部电极8和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第二放电部GP18产生放电。
接地电极99具有第二引出部99a、第二对置部99b和第二对置部99c。第二引出部99a配置在相比于配置有对置电极93的第一对置部93b和对置电极94的第一对置部94b的层更靠近素体4的侧面4c的一侧的绝缘体层11。第二对置部99b配置在与配置有对置电极95的第一对置部95b的层同一的绝缘体层11。第二对置部99c配置在与配置有对置电极96的第一对置部96b的层同一的绝缘体层11。即,第二引出部99a与第二对置部99b和第二对置部99c配置在互相不同的绝缘体层11。
第二引出部99a配置在素体4的宽度方向上的大致中央的位置,在素体4的长度方向上延伸。第二引出部99a的端部99e在素体4的端面4a露出,与外部电极9连接。第二引出部99a的端部99f在素体4的端面4b露出,与外部电极10连接。
第二对置部99b和第二对置部99c分别在素体4的长度方向上延伸,并且以各自的一端在素体4的宽度方向上延伸的方式弯曲并连接,由此构成连接部99d。连接部99d经由通孔导体100而与第二引出部99a电连接。即,第二对置部99b和第二对置部99c经由通孔导体100而与第二引出部99a电连接。
第二对置部99b配置在相比于对置电极95的第一对置部95b,与第一引出部95a露出的素体4的外表面即侧面4f更靠近的位置。即,第一对置部95b比第二对置部99b远离素体4的外表面即侧面4f而配置。第一引出部95a的从素体4的侧面4f到第一对置部95b的长度即是对置电极95的从向素体4的侧面4f露出的部分到第一对置部95b的距离。
第二对置部99c配置在相比于对置电极96的第一对置部96b,与第一引出部96a露出的素体4的外表面即侧面4e更靠近的位置。即,第一对置部96b比第二对置部99b远离素体4的外表面即侧面4e而配置。第一引出部96a的从素体4的侧面4e到第一对置部96b的长度即是对置电极96的从向素体4的侧面4e露出的部分到第一对置部96b的距离。
第二对置部99b与对置电极95的第一对置部95b隔开而相对配置。由此,在对置电极95的第一对置部95b与接地电极99的第二对置部99b之间形成第三放电部GP19(参照图17)。第二对置部99c与对置电极96的第一对置部96b隔开而相对配置。由此,在对置电极96的第一对置部96b与接地电极99的第二对置部99c之间形成第四放电部GP20(参照图18)。通过这样的结构,如果在外部电极6和外部电极9之间施加规定以上的电压,则在第三放电部GP19产生放电。同样地如果在外部电极7和外部电极10之间施加规定以上的电压,则在第四放电部GP20产生放电。
放电诱导部101位于第一放电部GP17,具有使第一放电部GP17的放电容易发生的功能。放电诱导部101将对置电极93的第一对置部93b与接地电极97的第二对置部97b连接。放电诱导部102位于第二放电部GP18,具有使第二放电部GP18的放电容易发生的功能。放电诱导部102将对置电极94的第一对置部94b与接地电极97的第二对置部97c连接。
放电诱导部103位于第三放电部GP19,具有使第三放电部GP19的放电容易发生的功能。放电诱导部103将对置电极95的第一对置部95b与接地电极99的第二对置部99b连接。放电诱导部104位于第四放电部GP20,具有使第四放电部GP20的放电容易发生的功能。放电诱导部104将对置电极96的第一对置部96b与接地电极99的第二对置部99c连接。
空洞部105形成在第一放电部GP17。空洞部105具有吸收第一对置部93b、第二对置部97b、绝缘体层11和放电诱导部101在放电时的热膨胀的功能。空洞部106形成在第二放电部GP18。空洞部106具有吸收第一对置部94b、第二对置部97b、绝缘体层11和放电诱导部102在放电时的热膨胀的功能。空洞部107形成在第三放电部GP19。空洞部107具有吸收第一对置部95b、第二对置部99c、绝缘体层11和放电诱导部103在放电时的热膨胀的功能。空洞部108形成在第四放电部GP20。空洞部108具有吸收第一对置部96b、第二对置部99c、绝缘体层11和放电诱导部104在放电时的热膨胀的功能。
以上,在本实施方式所涉及的静电保护部件1E中也发挥与上述实施方式同样的效果。
以上,对于本发明的一个实施方式进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式,在不改变各权利要求所记载的主旨的范围内可以进行各种变更。
例如,静电保护部件1A~1E也可以不具备线圈L1、线圈L2。
Claims (4)
1.一种静电保护部件,其特征在于:
具备:
素体,其通过多个绝缘体层层叠而构成;
接地电极,其配置在所述素体的内部;
第一对置电极,其与所述接地电极隔开而配置,与所述接地电极一起构成一个放电部;
第二对置电极,其与所述接地电极隔开而配置,与所述接地电极一起构成一个放电部;以及
多个外部电极,其与所述接地电极、所述第一对置电极和所述第二对置电极中的任一个中的每个对应设置,
所述接地电极、所述第一对置电极和所述第二对置电极分别具有与所述多个外部电极当中对应的外部电极连接的引出部、以及电连接于所述引出部且构成对应的所述放电部的对置部,
所述接地电极的所述对置部、所述第一对置电极的所述对置部和所述第二对置电极的所述对置部配置在同一层,
在所述接地电极、所述第一对置电极和所述第二对置电极当中的至少1个中,所述引出部和所述对置部配置在互相不同的层并且经由通孔导体而电连接。
2.如权利要求1所述的静电保护部件,其特征在于:
所述接地电极的所述引出部和所述接地电极的所述对置部配置在互相不同的层,并且经由通孔导体而电连接。
3.如权利要求2所述的静电保护部件,其特征在于:
所述第一对置电极的所述引出部和所述第一对置电极的所述对置部配置在互相不同的层,并且经由通孔导体而电连接,
所述第二对置电极的所述引出部和所述第二对置电极的所述对置部配置在互相不同的层,并且经由通孔导体而电连接。
4.如权利要求1~3中任一项所述的静电保护部件,其特征在于:
各所述引出部具有与所述多个外部电极当中对应的外部电极连接的一端,所述一端从所述素体露出,
所述接地电极的所述对置部配置在相比于所述第一对置电极的所述对置部,与所述第一对置电极的所述引出部露出的所述素体的外表面更靠近的位置,且配置在相比于所述第二对置电极的所述对置部,与所述第二对置电极的所述引出部露出的所述素体的外表面更靠近的位置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-269786 | 2013-12-26 | ||
JP2013269786A JP5811170B2 (ja) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | 静電気保護部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104754847A CN104754847A (zh) | 2015-07-01 |
CN104754847B true CN104754847B (zh) | 2017-04-12 |
Family
ID=53483606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410834779.7A Active CN104754847B (zh) | 2013-12-26 | 2014-12-26 | 静电保护部件 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9667036B2 (zh) |
JP (1) | JP5811170B2 (zh) |
KR (1) | KR101629703B1 (zh) |
CN (1) | CN104754847B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6565555B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-08-28 | Tdk株式会社 | 積層コモンモードフィルタ |
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2013
- 2013-12-26 JP JP2013269786A patent/JP5811170B2/ja active Active
-
2014
- 2014-12-10 KR KR1020140177308A patent/KR101629703B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-16 US US14/572,100 patent/US9667036B2/en active Active
- 2014-12-26 CN CN201410834779.7A patent/CN104754847B/zh active Active
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---|---|
CN104754847A (zh) | 2015-07-01 |
JP5811170B2 (ja) | 2015-11-11 |
KR101629703B1 (ko) | 2016-06-13 |
KR20150076080A (ko) | 2015-07-06 |
US20150189798A1 (en) | 2015-07-02 |
JP2015125914A (ja) | 2015-07-06 |
US9667036B2 (en) | 2017-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |