CN104734704B - 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 215
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 89
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 63
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 45
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 36
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 230000006870 function Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 11
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000012538 light obscuration Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000010259 detection of temperature stimulus Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- -1 rubidium Chemical class 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/26—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using energy levels of molecules, atoms, or subatomic particles as a frequency reference
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04F—TIME-INTERVAL MEASURING
- G04F5/00—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards
- G04F5/14—Apparatus for producing preselected time intervals for use as timing standards using atomic clocks
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Abstract
量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体。既能降低不希望出现干涉的各电路彼此的干扰、又能实现小型化。原子振荡器具有：气室，封入有金属原子；光射出部，向所述气室射出光；受光部，接收透过所述气室后的所述光；气室温度控制部，控制所述气室的温度；光射出部温度控制部，控制所述光射出部的温度；模拟电路，具有对来自所述受光部的受光信号进行处理的受光电路，控制原子共振信号；数字电路，控制所述模拟电路；第1基板；和第2基板，在所述第1基板上设置有所述受光电路，在所述第2基板上设置有所述气室温度控制部、所述光射出部温度控制部以及所述数字电路中的至少1个，在俯视时所述第1基板与所述第2基板的至少一部分重合。
Description
技术领域
本发明涉及量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体。
背景技术
作为长期具有高精度的振荡特性的振荡器，公知有基于铷、铯等碱金属的原子的能量跃迁而进行振荡的原子振荡器(例如参照专利文献1)。
通常，原子振荡器的工作原理大致分为利用基于光与微波的双重共振现象的方式和利用基于波长不同的两种光的量子干涉效应(CPT：Coherent Population Trapping(相干布居俘获))的方式，由于利用量子干涉效应的原子振荡器能够比利用双重共振现象的原子振荡器更加小型化，因此，近年来，被期待安装于各种设备。
例如，利用量子干涉效应的原子振荡器具有：气室，其封入有气体状的金属原子；半导体激光器，其向气室中的金属原子照射包含频率不同的两种共振光的激光；以及光检测器，其检测透过气室后的激光。而且，在这样的原子振荡器中，在两种共振光的频率差为特定值时，会产生这两种共振光不被气室内的金属原子吸收而透过的电磁诱导透明现象(EIT：Electromagnetically Induced Transparency)现象，光检测器检测伴随该EIT现象而产生的陡峭信号即EIT信号(原子共振信号)。
这样的原子振荡器具有设置有各个电路的基板。在各电路中，根据其功能，流过作为直流或频率为几GHz以下的交流的几μA～几A的电流。
但是，在规定的电路之间例如流过小电流的电路和流过大电流的电路之间相互干扰，存在不能高精度地检测微小的EIT信号、原子振荡器的振荡频率的精度下降。
专利文献1：日本特开2009-302118号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供既能够降低不希望出现干涉的各电路彼此的干扰、又能够实现小型化的量子干涉装置以及原子振荡器，此外，提供具有该量子干涉装置的可靠性优异的电子设备以及移动体。
本发明是为了解决上述的问题的至少一部分而完成的，可以作为以下的方式或者应用例来实现。
[应用例1]
本发明的量子干涉装置的特征在于，该量子干涉装置具有：气室，其封入有金属原子；光射出部，其向所述气室射出光；受光部，其接收透过所述气室后的所述光；气室温度控制部，其控制所述气室的温度；光射出部温度控制部，其控制所述光射出部的温度；模拟电路，其具有对从所述受光部输出的受光信号进行处理的受光电路，控制原子共振信号；数字电路，其控制所述模拟电路；第1基板；以及第2基板，在所述第1基板上设置有所述受光电路，在所述第2基板上设置有所述气室温度控制部、所述光射出部温度控制部以及所述数字电路中的至少1个，在俯视时，所述第1基板与所述第2基板的至少一部分重合。
由此，能够降低受光电路与气室温度控制部、光射出部温度控制部以及数字电路中的至少1个之间的相互干扰，由此，能够可靠地检测出微小的原子共振信号，可提供高精度的量子干涉装置。
此外，在俯视时，第1基板和第2基板的至少一部分重合，由此，能够实现小型化。
[应用例2]
在本发明的量子干涉装置中，优选的是，该量子干涉装置具有：框体，其收纳所述气室；框体温度控制部，其控制所述框体内的温度；加热部，其利用电力的供给而被驱动，由所述气室温度控制部控制，对所述气室进行加热；升压电路，其对施加于所述加热部的电压进行升压；以及第3基板，其设置有所述升压电路和所述框体温度控制部中的至少一方，在俯视时，所述第1基板与所述第3基板的至少一部分重合。
由此，首先，通过降低电源电压，能够降低功耗。而且，利用升压电路对施加于加热部的电压进行升压，由此，既能够使提供给加热部的电力保持恒定，又能够降低流过加热部的电流，由此，能够减小因对加热部的通电而由该加热部产生的磁场，能够防止或抑制由加热部产生的磁场对气室内带来不良影响。此外，能够将框体的温度调整为目标值。由此，能够提供高精度的量子干涉装置。
[应用例3]
在本发明的量子干涉装置中，优选的是，在俯视时，所述第1基板、所述第2基板以及所述第3基板的至少一部分重合。
由此，能够实现小型化。
[应用例4]
在本发明的量子干涉装置中，优选的是，该量子干涉装置具有：电源端子，其设置于所述第1基板；第1连接端子，其设置于所述第1基板，与所述电源端子电连接；第2连接端子，其设置于所述第2基板，与所述第1连接端子电连接；以及第3连接端子，其设置于所述第3基板，与所述第1连接端子电连接，在俯视时，所述第1连接端子、所述第2连接端子以及所述第3连接端子的至少一部分重合。
由此，能够分别减小第1连接端子与第2连接端子之间的距离、第1连接端子与第3连接端子之间的距离，由此，能够分别在第1连接端子与第2连接端子之间、第1连接端子与第3连接端子之间降低电力的损耗。
[应用例5]
本发明的原子振荡器的特征在于具有本发明的量子干涉装置。
由此，能够降低不希望出现干涉的各电路彼此的干扰，由此，能够可靠地检测出微小的原子共振信号，能够提供高精度的原子振荡器。此外，能够实现小型化。
[应用例6]
本发明的电子设备的特征在于具有本发明的量子干涉装置。
由此，能够提供实现小型化且具有优异的可靠性的电子设备。
[应用例7]
本发明的移动体的特征在于具有本发明的量子干涉装置。
由此，能够提供实现小型化且具有优异的可靠性的移动体。
附图说明
图1是示出本发明第1实施方式的原子振荡器的概略结构的示意图。
图2是用于说明碱金属的能量状态的图。
图3是示出从光射出部射出的两个光的频率差与由受光部以及受光电路检测的光的强度之间的关系的曲线图。
图4是图1所示的原子振荡器的剖视图。
图5是用于说明图1所示的原子振荡器具有的光射出部以及气室的示意图。
图6是示出图1所示的原子振荡器具有的第1基板、第2基板以及第3基板的立体图。
图7是示出图1所示的原子振荡器具有的第1基板、设置在该第1基板上的电源端子、电源电路以及连接器的俯视图(包括框图)。
图8是用于说明本发明第2实施方式的原子振荡器的第2基板的示意图。
图9是示出在利用GPS卫星的定位系统中使用本发明的原子振荡器的情况下的系统结构概要图。
图10是示出本发明的移动体的一例的图。
标号说明
1原子振荡器；2第1单元；3第2单元；5外封装；6控制部；7支承板；13石英振荡器；14升压电路；15电源端子；16电源；17电源电路；18导电针(pin)；191连接器；192连接器；193连接器；21光射出部；22第1封装；23窗部；24帕尔贴元件；25温度传感器；31气室；33加热器；34温度传感器；35线圈；36第2封装；37窗部；38受光部；41光学部件；42光学部件；43光学部件；46帕尔贴元件；47温度传感器；51底板；52罩部件；61激励光控制部；611倍增器；62气室温度控制部；63磁场控制部；64光射出部温度控制部；65封装温度控制部；66数字电路；67模拟电路；68受光电路；69扫描电路；71第1板状部；72第2板状部；73连结部；74贯通孔；81第1基板；811开口；82第2基板；821地线(ground line)区域；822地线区域；83第3基板；100定位系统；200GPS卫星；300基站装置；301天线；302接收装置；303天线；304发送装置；311主体部；311a贯通孔；312窗部；313窗部；400GPS接收装置；401天线；402卫星接收部；403天线；404基站接收部；1500移动体；1501车体；1502车轮；a轴；LL激励光；S内部空间。
具体实施方式
以下，根据附图所示的实施方式，对本发明的量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体进行详细说明。
1.原子発振器(量子干渉装置)
首先，对本发明的原子振荡器(具有本发明的量子干涉装置的原子振荡器)进行说明。此外，以下，说明将本发明的量子干涉装置应用于原子振荡器的例子，但本发明的量子干涉装置不限于此，除了原子振荡器以外，例如还可以应用于磁传感器、量子存储器等。
＜第1实施方式＞
图1是示出本发明的第1实施方式的原子振荡器的概略结构的示意图。此外，图2是用于说明碱金属的能量状态的图，图3是示出从光射出部射出的两个光的频率差与由受光部以及受光电路检测的光的强度之间的关系的曲线图。
图1所示的原子振荡器1是利用量子干涉效应的原子振荡器。
如图1、图4所示，该原子振荡器1具有作为光射出侧的单元的第1单元2、作为光检测侧的单元的第2单元3、设置在单元2、3之间的光学部件41、42、43、帕尔贴元件46、温度传感器47、控制第1单元2、第2单元3和帕尔贴元件46的控制部6、第1基板81、第2基板82、第3基板83、支承板(连接部件)7以及收纳它们的外封装5。
此处，第1单元2具有光射出部21、帕尔贴元件24、温度传感器25、收纳它们的第1封装22。
此外，第2单元3具有气室31、受光部38、加热器(加热部)33、温度传感器34、线圈35以及收纳它们的第2封装(框体)36。此外，帕尔贴元件46以及温度传感器47例如设置在第2封装36的规定部位。
首先，简单说明原子振荡器1的原理。
如图1所示，在原子振荡器1中，光射出部21向气室31射出激励光LL，由受光部38以及受光电路68检测透过气室31的激励光LL。
在气室31内，封入有气体状的碱金属(金属原子)，如图2所示，碱金属具有三能级系统的能级，可得到能级不同的两个基态(基态1、2)和激发态这3个状态。此处，基态1是比基态2低的能量状态。
从光射出部21射出的激励光LL包含频率不同的两种共振光1、2，在向上述的气体状的碱金属照射这两种共振光1、2时，共振光1、2在碱金属中的光吸收率(光透过率)随着共振光1的频率ω1与共振光2的频率ω2之差(ω1-ω2)而变化。
并且，在共振光1的频率ω1与共振光2的频率ω2之差(ω1-ω2)和相当于基态1与基态2之间的能量差的频率一致时，分别停止从基态1、2激励成激发态。此时，共振光1、2均不被碱金属吸收而透过。这样的现象称作CPT现象或者电磁诱导透明现象(EIT：Electromagnetically Induced Transparency)。
例如，如果光射出部21固定共振光1的频率ω1而使共振光2的频率ω2变化，则在共振光1的频率ω1与共振光2的频率ω2之差(ω1-ω2)与相当于基态1与基态2之间的能量差的频率ω0一致时，受光部38以及受光电路68的检测强度如图3所示那样陡峭地上升。检测出这样的陡峭信号作为EIT信号(原子共振信号)。该EIT信号具有由碱金属的种类决定的固有值。因此，通过使用这样的EIT信号，能够构成振荡器。
以下，对本实施方式的原子振荡器1的具体结构进行说明。
图4是图1所示的原子振荡器的剖视图，图5是用于说明图1所示的原子振荡器具有的光射出部以及气室的示意图，图6是示出图1所示的原子振荡器具有的第1基板、第2基板以及第3基板的立体图，图7是示出图1所示的原子振荡器具有的第1基板、设置在该第1基板上的电源端子、电源电路以及连接器的俯视图(包括框图)。此外，图4的截面是图6和图7中的A-A线处的截面。此外，以下，为了便于说明，将图4～图6中的上侧称作“上”，将下侧称作“下”。
如图1和图4所示，原子振荡器1具有分散地安装有控制部6的第1基板81、第2基板82、第3基板83以及在同一面侧支承第1单元2和第2单元3的支承板7。
第1单元2、第2单元3、帕尔贴元件46以及温度传感器47经由第1基板81、第2基板82以及第3基板83的布线(未图示)、挠性的连接器(未图示)、设置在第1基板81、第2基板82、第3基板83上的连接器(未图示)等与控制部6电连接。而且，第1单元2、第2单元3以及帕尔贴元件46由控制部6进行驱动控制。
以下，对原子振荡器1的各部依次进行详细说明。
(第1单元)
如上所述，第1单元2具有光射出部21、帕尔贴元件24、温度传感器25以及收纳它们的第1封装22。
[光射出部]
光射出部21具有射出对气室31中的碱金属原子进行激励的激励光LL的功能。
更具体而言，光射出部21射出包含上述的频率不同的两种光(共振光1以及共振光2)的光作为激励光LL。
共振光1的频率ω1能够将气室31中的碱金属从上述基态1激励成激发态(共振)。
此外，共振光2的频率ω2能够将气室31中的碱金属从上述基态2激励成激发态(共振)。
该光射出部21只要能够射出上述那样的激励光LL，则没有特别限制，例如，可以使用垂直共振器面发光激光器(VCSEL)等半导体激光器等。
[帕尔贴元件]
帕尔贴元件(温度调节元件)24具有对光射出部21进行加热、冷却的功能。由此，光射出部21被调温到规定温度。此外，作为调节光射出部21的温度的温度调节元件，不限于帕尔贴元件24，例如还可举出发热电阻体(加热器)等。
这样的帕尔贴元件24与后述的控制部6的光射出部温度控制部64电连接，被进行通电控制。
[温度传感器]
温度传感器25检测光射出部21的温度。进而，根据该温度传感器25的检测结果，上述帕尔贴元件24的驱动受到控制。由此，能够使光射出部21维持期望的温度。
此外，温度传感器25的设置位置没有特别限定，例如可以是光射出部21的外表面等。
温度传感器25没有特别限定，可以使用热敏电阻、热电偶等公知的各种温度传感器。
这样的温度传感器25与后述的控制部6的光射出部温度控制部64电连接。
[第1封装]
第1封装22收纳上述光射出部21、帕尔贴元件24以及温度传感器25。
该第1封装22具有外形形状呈块状的框体，呈箱状。该第1封装22安装于支承板7，该支承板7固定(连接)于外封装5的底板51(参照图4)。
此外，第1封装22在内部直接或间接地支承光射出部21、帕尔贴元件24以及温度传感器25。
此外，从第1封装22例如突出有多个引脚(未图示)，它们经由布线与光射出部21、帕尔贴元件24以及温度传感器25电连接。而且，所述各引脚通过未图示的连接器等与第1基板81、第2基板82以及第3基板83的规定基板电连接。作为该连接器，例如能够使用挠性基板或呈插座状的连接器等。
此外，在第1封装22的第2单元3侧的壁部设置有窗部23。该窗部23设置在气室31与光射出部21之间的光轴(激励光LL的轴a)上。而且，窗部23对于上述激励光LL具有透过性。
在本实施方式中，窗部23为透镜。由此，能够无损耗地向气室31照射激励光LL。此外，窗部23具有使激励光LL成为平行光的功能。即，窗部23为准直透镜，内部空间S中的激励光LL为平行光。由此，能够增加存在于内部空间S内的碱金属的原子中的通过从光射出部21射出的激励光LL而产生共振的碱金属的原子的数量。其结果是，能够提高EIT信号的强度。
此外，窗部23只要具有对于激励光LL的透过性，则不限于透镜，例如，也可以是透镜以外的光学部件，也可以是单纯的具有光透过性的板状部件。在该情况下，例如，可以与后述的光学部件41、42、43同样地，将具有上述功能的透镜设置在第1封装22与第2封装36之间。
这样的第1封装22的窗部23以外的部分的结构材料没有特别限定，例如，可以使用陶瓷、金属、树脂等。
此处，在第1封装22的窗部23以外的部分由对于激励光具有透过性的材料构成的情况下，可以使第1封装22的窗部23以外的部分与窗部23一体地形成。此外，在第1封装22的窗部23以外的部分由对于激励光不具有透过性的材料构成的情况下，使第1封装22的窗部23以外的部分与窗部23分体地形成并利用公知的接合方法使它们接合即可。
此外，优选的是，第1封装22内为气密空间。由此，能够使第1封装22内部成为减压状态或惰性气体封入状态，其结果是，能够提高原子振荡器1的特性。
根据这样的第1封装22，容许从光射出部21向第1封装22外射出激励光，且能够将光射出部21、帕尔贴元件24以及温度传感器25收纳在第1封装22内。
(第2单元)
如上所述，第2单元3具有气室31、受光部38、加热器33、温度传感器34、线圈35以及收纳它们的第2封装36。
[气室]
在气室31内，封入有气体状的铷、铯、钠等碱金属。此外，还可以根据需要，将氩、氖等稀有气体、氮等惰性气体作为缓冲气体与碱金属气体一起封入气室31内。
例如，如图5所示，气室31具有：具备柱状的贯通孔311a的主体部311；以及封闭该贯通孔311a的两个开口的1对窗部312、313。由此，形成了封入上述的碱金属的内部空间S。
构成主体部311的材料没有特别限定，可举出金属材料、树脂材料、玻璃材料、硅材料、石英等，从加工性和与窗部312、313的接合的方面来看，优选使用玻璃材料、硅材料。
这样的主体部311与窗部312、313气密接合。由此，能够使气室31的内部空间S成为气密空间。
主体部311与窗部312、313的接合方法可根据它们的结构材料来决定，没有特别限定，例如，可以使用基于粘接剂的接合方法、直接接合法、阳极接合法等。
此外，构成窗部312、313的材料只要具有上述那样的对于激励光LL的透过性，则没有特别限定，例如可举出硅材料、玻璃材料、石英等。
这样的各窗部312、313具有对于来自上述光射出部21的激励光LL的透过性。而且，一个窗部312使向气室31内射入的激励光LL透过，另一个窗部313使从气室31内射出的激励光LL透过。
这样的气室31被加热器33加热，从而调温到规定温度。
[受光部、受光电路]
受光部38以及受光电路68具有检测透过气室31内的激励光LL(共振光1、2)的强度的功能。在该情况下，受光部38具有接收透过气室31内的激励光LL的功能、即光电转换的功能。此外，受光电路68具有将受光部38的受光信号、即从受光部38输出的电流转换为电压并将该电压放大的功能。即，受光电路68具有将电流转换为电压的电流电压转换电路(IV转换电路)。
此外，受光部38只要能够对上述那样的激励光LL进行接收，则没有特别限定，例如，可以使用太阳能电池、光电二极管等光检测器(受光元件)。
[加热器]
加热器33具有对上述气室31(更具体而言是气室31中的碱金属)进行加热的功能。由此，能够使气室31中的碱金属维持为期望浓度的气体状。
该加热器33利用电力的供给而被驱动，即，该加热器33是因通电而发热的装置，例如由设置在气室31的外表面上的发热电阻体构成。这样的发热电阻体例如可以使用等离子体CVD、热CVD那样的化学蒸镀法(CVD)、真空蒸镀等干式镀层法、溶胶凝胶法等来形成。
此处，在该发热电阻体设置在气室31的激励光LL的入射部或射出部的情况下，该发热电阻体由具有对于激励光的透过性的材料构成，具体而言，例如由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide：铟锌氧化物)、In3O3、SnO2、含Sb的SnO2、含Al的ZnO等氧化物等的透明电极材料构成。
此外，加热器33只要能够对气室31进行加热，则没有特别限定，加热器33可以不与气室31接触。此外，也可以替代加热器33而使用帕尔贴元件来对气室31进行加热，或者与加热器33一并使用帕尔贴元件来对气室31进行加热。
这样的加热器33与后述的控制部6的气室温度控制部62电连接而被通电控制。
[温度传感器]
温度传感器34检测加热器33或者气室31的温度。根据该温度传感器34的检测结果，上述加热器33的发热量受到控制。由此，能够使气室31内的碱金属原子维持期望的温度。
此外，温度传感器34的设置位置没有特别限定，例如可以在加热器33上，也可以在气室31的外表面上。
温度传感器34没有特别限定，可以使用热敏电阻、热电偶等公知的各种温度传感器。
这样的温度传感器34与后述的控制部6的气室温度控制部62电连接。
[线圈]
线圈35具有通过通电而在内部空间S内产生沿着激励光LL的轴a的方向(平行的方向)的磁场的功能。由此，通过塞曼分裂，能够扩大存在于内部空间S内的碱金属原子的简并的不同能级之间的能隙，提高分辨率，减小EIT信号的线宽。其结果是，能够提高原子振荡器1的振荡频率的精度。
此外，线圈35产生的磁场可以是直流磁场或交流磁场中的任意一种磁场，也可以是叠加直流磁场与交流磁场而成的磁场。
该线圈35的设置位置没有特别限定，虽然没有图示，例如，可以以构成螺线管型的方式，沿着气室31的外周卷绕地设置，或者以构成亥姆霍兹型的方式，使1对线圈隔着气室31相对。
该线圈35经由未图示的布线与后述的控制部6的磁场控制部63电连接。由此，能够对线圈35进行通电。
[第2封装]
第2封装36收纳上述气室31、受光部38、加热器33、温度传感器34以及线圈35。
第2封装36具有外形形状呈块状的框体，呈箱状。该第2封装36安装于支承板7，该支承板7固定(连接)于外封装5的底板51(参照图4)。
此外，第2封装36在内部直接或间接地支承气室31、受光部38、加热器33、温度传感器34以及线圈35。
此外，从第2封装36例如突出有多个引脚(未图示)，它们经由布线与气室31、受光部38、加热器33、温度传感器34以及线圈35电连接。而且，所述各引脚通过未图示的连接器等与第1基板81、第2基板82以及第3基板83的规定的基板电连接。作为该连接器，例如能够使用挠性基板或呈插座状的连接器等。
此外，在第2封装36的第1单元2侧的壁部设置有窗部37。该窗部37设置在气室31与光射出部21之间的光轴(轴a)上。而且，窗部37对于上述激励光具有透过性。
此外，窗部37只要具有对于激励光的透过性，则不限定于具有光透过性，例如，也可以是透镜、偏振光板、λ/4波长板等光学部件。
作为这样的第2封装36的窗部37以外的部分的结构材料，没有特别限定，例如，可以使用陶瓷、金属、树脂等。
(帕尔贴元件以及温度传感器)
[帕尔贴元件]
帕尔贴元件(温度调节元件)46具有对第2封装36进行加热、冷却的功能。由此，第2封装36被调温到规定温度。此外，作为调节第2封装36的温度的温度调节元件，不限于帕尔贴元件46，例如还可举出发热电阻体(加热器)等。
这样的帕尔贴元件46与后述的控制部6的封装温度控制部65电连接，被进行通电控制。
[温度传感器]
温度传感器47检测第2封装36内的温度。进而，根据该温度传感器47的检测结果，控制上述帕尔贴元件46的驱动。由此，能够使第2封装36维持期望的温度。
此外，温度传感器47的设置位置没有特别限定，例如可以是第2封装36的外表面等。
温度传感器47没有特别限定，可以使用热敏电阻、热电偶等公知的各种温度传感器。
这样的温度传感器47与后述的控制部6的封装温度控制部65电连接。
(光学部件)
在上述的第1封装22和第2封装36之间配置有多个光学部件41、42、43。这些多个光学部件41、42、43分别设置在上述第1封装22内的光射出部21与上述第2封装36内的气室31之间的光轴(轴a)上。
此外，在本实施方式中，从第1封装22侧到第2封装36侧，依次配置有光学部件41、光学部件42、光学部件43。此外，光学部件41、42、43分别设置于外封装5的底板51(参照图4)。此外，作为保持光学部件41、42、43的方法，例如可举出如下方法：在底板51上设置3个凹部，将光学部件41、42、43分别插入到各凹部内。
光学部件41为λ/4波长板。由此，例如，在来自光射出部21的激励光为线偏振光的情况下，能够将该激励光转换为圆偏振光(右圆偏振光或左圆偏振光)。
如上所述，在气室31内的碱金属原子因线圈35的磁场而产生塞曼分裂的状态下，如果向碱金属原子照射线偏振的激励光，则由于激励光与碱金属原子的相互作用，碱金属原子均匀地分散存在于塞曼分裂后的多个能级。其结果是，由于期望的能级的碱金属原子的数量相对于其它能级的碱金属原子的数量相对地变少，因此，显现期望的EIT现象的原子数减少，期望的EIT信号减小，结果导致原子振荡器1的振荡特性的下降。
与此相对，如上所述，在气室31内的碱金属原子因线圈35的磁场而产生塞曼分裂的状态下，如果向碱金属原子照射圆偏振的激励光，则由于激励光与碱金属原子的相互作用，能够使碱金属原子进行塞曼分裂后的多个能级中的期望的能级的碱金属原子的数量相对于其它能级的碱金属原子的数量相对地变多。因此，显现期望的EIT现象的原子数增加，期望的EIT信号增大，其结果是，能够提高原子振荡器1的振荡特性。
在本实施方式中，光学部件41为圆板状。因此，能够使光学部件41在与形成于后述的底板51的未图示的贯通孔卡合的状态下，绕着与光轴(轴a)平行的轴线旋转。此外，光学部件41的平面图形状不限于此，例如也可以是四边形、五边形等多边形。
相对于这样的光学部件41，在第2单元3侧配置有光学部件42、43。
光学部件42、43分别为减光滤光器(ND滤光器)。由此，能够调整(减少)向气室31射入的激励光LL的强度。因此，即使在光射出部21的输出较大的情况下，也能够使向气室31射入的激励光成为期望的光量。在本实施方式中，通过光学部件42、43，对由上述光学部件41转换为圆偏振光的激励光的强度进行调整。
在本实施方式中，光学部件42、43分别为板状。此外，光学部件42、43的平面图形状分别为圆形。因此，能够使光学部件42、43分别在与形成于后述的底板51的未图示的贯通孔卡合的状态下，绕着与光轴(轴a)平行的轴线旋转。
此外，光学部件42、43的平面图形状不限于此，例如，也可以是四边形、五边形等多边形。
此外，光学部件42以及光学部件43彼此的减光率可以相同，也可以不同。
此外，光学部件42、43可以具有减光率在上侧和下侧连续地或阶段性地不同的部分。在该情况下，通过调整光学部件42、43相对于外封装5的在上下方向上的位置，能够调整激励光的减光率。
此外，光学部件42、43也可以具有减光率在周向上连续地或断续地不同的部分。在该情况下，通过使光学部件42、43旋转，能够调整激励光的减光率。此外，在该情况下，使光学部件42、43的旋转中心与轴a错开即可。
此外，也可以省略该光学部件42、43中的任意一个光学部件。此外，在光射出部21的输出合适的情况下，也可以省略光学部件42、43双方。
此外，光学部件41、42、43不限于上述的种类、配置顺序、数量等。例如，光学部件41、42、43不限于λ/4波长板或减光滤光器，也可以是透镜、偏振光板等。
(外封装)
如图4所示，外封装5具有：底板(基板)51，其支承支承板7以及光学部件41～43；以及罩部件52，其以覆盖第1单元2、第2单元3、第1基板81、第2基板82、第3基板83、支承板7以及光学部件41～43等各收纳物的方式设置在底板51上。此外，例如利用未图示的粘结剂等使底板51与罩部件52固定。
第1基板81、第2基板82以及第3基板83在彼此分离地沿其厚度方向(图4中的上下方向)排列的状态下，以与底板51分离的方式被多个导电针18保持。
各导电针18贯通底板51，朝外封装5的外侧突出，利用该突出的部分，使外部与第1基板81、第2基板82以及第3基板83直接或间接地电连接。
外封装的结构材料没有特别限定，例如可以使用陶瓷、金属、树脂等。
(支承板)
如图4所示，支承板7具有：第1板状部71，其支承第1单元2；第2板状部72，其支承第2单元3；以及一对连结部73，它们连结第1板状部71和第2板状部72。第2板状部72相对于第1板状部71位于上侧、即第2单元3侧。一对连结部73是通过在支承板7上形成贯通孔74而形成的。该支承板7是这样的部件：在同一面侧(上表面侧)支承第1单元2和第2单元3，并且，下表面侧安装(连接)在底板51上。
第1板状部71在上表面支承第1单元2，其下表面固定于底板51。此外，第2板状部72在上表面支承第2单元3。第2板状部72的下表面与底板51分离。此外，各光学部件41、42、43配置在贯通孔74的位置。
利用该支承板7，第2单元3与底板51分离，因此，能够防止从底板51到第2单元3的直接热传递。因此，原子振荡器1的可靠性优异。
此外，各连结部73彼此分离地设置了一对。由此，例如，与由一个板片构成连结部73的情况相比，能够减小连结部73的截面积。由此，截面积减小，相应地能够降低从第1板状部71到第2板状部72的热传导量。因此，使原子振荡器1的可靠性更加优异。
支承板7的结构材料没有特别限定，例如可以使用陶瓷材料、金属、树脂等，其中，优选为金属。
(控制部)
图1所示的控制部6具有分别控制加热器33、线圈35、光射出部21、帕尔贴元件24以及46的功能。
在本实施方式中，控制部6由安装于第1基板81、第2基板82以及第3基板83的多个IC(Integrated Circuit：集成电路)芯片等构成。
这样的控制部6具有控制光射出部21的共振光1、2的频率的激励光控制部(光射出部控制部)61、控制气室31中的碱金属的温度(气室31的温度)的气室温度控制部62、控制施加于气室31的磁场的磁场控制部63、控制光射出部21的温度的光射出部温度控制部64、控制第2封装36的温度的封装温度控制部65以及扫描电路69。此外，激励光控制部61具有对从受光部38输出的受光信号进行处理的受光电路68、石英振荡器(振荡电路)13以及与石英振荡器的输出端子电连接的倍增器611。
此外，控制部6具有：模拟电路67，其具有所述石英振荡器13以及所述受光电路68，对EIT信号进行控制；以及数字电路66，其对模拟电路67和激励光控制部61进行控制。模拟电路67的构成要素与激励光控制部61的构成要素的大部分(一部分)重复。
气室温度控制部62根据温度传感器34的检测结果，控制加热器(加热部)33的驱动，即，控制对加热器33的通电。由此，能够使气室21维持在期望的温度范围内。
此外，磁场控制部63控制对线圈35的通电，使得线圈35产生的磁场恒定。
此外，光射出部温度控制部64根据温度传感器25的检测结果，控制帕尔贴元件24的驱动，即，控制对帕尔贴元件24的通电。由此，能够将光射出部21维持在期望的温度范围内。
此外，封装温度控制部65根据温度传感器47的检测结果，控制帕尔贴元件46的驱动，即，控制对帕尔贴元件46的通电。由此，能够将第2封装36维持在期望的温度范围内。
此处，激励光控制部61与模拟电路67的大部分重复，进行大致相同的控制，因此，以下，代表性地说明激励光控制部61的控制。
激励光控制部61根据上述受光部38以及受光电路68的检测结果，控制光射出部21的驱动(EIT信号)，即，控制从光射出部21射出的共振光1、2的频率。更具体而言，激励光控制部61根据上述受光部38以及受光电路68的检测结果，控制从光射出部21射出的共振光1、2的频率，使得上述频率差(ω1-ω2)成为碱金属固有的频率ω0。
此外，激励光控制部61根据受光部38以及受光电路68的检测结果，对石英振荡器13的振荡频率(共振频率)进行同步/调整，作为原子振荡器1的输出信号进行输出。石英振荡器13例如可以使用压控型石英振荡器等。
此处，关于上述石英振荡器13的振荡频率的调整，作为具体例，以如下情况为例进行说明：碱金属固有的频率ω0为9.2GHz，使石英振荡器13的振荡频率保持10kHz，将该10kHz的信号作为原子振荡器1的输出信号进行输出。
首先，从石英振荡器13输出的信号(频率：10kHz)被倍增器611放大至4.6×105倍(频率：4.6GHz)，与规定的直流电流合成，进行频率调制，然后，送出到光射出部21。光射出部21被该信号驱动，射出上述激励光LL，透过气室31内部的激励光LL被受光部38接收，即，被进行光电转换。从受光部38输出的电流由受光电路68转换为电压，进行放大。即，在受光部38以及受光电路68中，检测激励光LL的强度，激励光控制部61根据该检测结果(EIT信号)进行处理。在激励光控制部61的受光电路68中，对EIT信号的强度与预先设定的阈值进行比较，如果EIT信号的强度为阈值以上，则向数字电路66发送表示EIT信号的强度为阈值以上的信号。激励光控制部61的受光电路68在EIT信号的强度为阈值以上时，始终向数字电路66发送表示EIT信号的强度为阈值以上的信号。然后，数字电路66在接收到表示所述EIT信号的强度为阈值以上的信号时，判定为石英振荡器13以10kHz进行振荡，断开扫描电路69，将石英振荡器13的振荡频率锁定(固定)于原子共振频率。
但是，由于石英振荡器13的石英随时间而劣化等的原因，石英振荡器13的振荡频率在长期间内随时间而变化。因此，为了锁定为原子共振频率，需要利用扫描电路69来扫描石英振荡器13的振荡频率，找出出现EIT信号的频率。
在调整石英振荡器13的振荡频率时，激励光控制部61利用扫描电路69将石英振荡器13的振荡频率变更为10kHz附近，如上述那样，对EIT信号的强度与阈值进行比较，在该EIT信号的强度为阈值以上时，向数字电路66发送表示EIT信号的强度为阈值以上的信号。然后，数字电路66在接收到表示所述EIT信号的强度为阈值以上的信号时，判定为石英振荡器13以10kHz进行振荡，断开扫描电路69，锁定石英振荡器13的振荡频率。由此，保持石英振荡器13以10kHz进行振荡的状态。
(电源端子、电源电路、升压电路)
如图1和图7所示，原子振荡器1具有电源端子15，所述电源端子15设置于第1基板81，与电源16电连接。从电源16向电源端子15施加电源电压。从电源16输出的电源电压从电源端子15施加于规定的各部。此外，电源16可以内置于原子振荡器1，或者相对于原子振荡器1拆装自如，也可以采用原子振荡器1外部的电源。
此外，原子振荡器1具有电源电路17，该电源电路17设置于第1基板81，与电源端子15电连接。在电源电路17中，将电源电压转换为规定的各种大小，这些各个电压被施加于规定的各部。
此外，电源端子15以及电源电路17分别与设置于第1基板81的连接器191电连接。由所述电源电压以及电源电路17转换的电压分别经由连接器191以及后述的连接器192(参照图4)施加于设置于第2基板82的各部，此外，经由连接器191、192以及后述的连接器193(参照图4)施加于设置于第3基板83的各部。
此处，连接器191优选设置在电源端子15的附近。此外，电源电路17优选设置在电源端子15的附近。此外，电源电路17优选设置在连接器191的附近。由此，能够通过较短的布线，将提供给电源端子15的电流从电源端子15提供给设置于第2基板82的各部、设置于第3基板83的各部。由此，能够降低电力的损耗。
例如，也可以分别在电源端子15与电源电路17之间、在电源端子15与连接器191之间设置熔断器等。
此外，原子振荡器1具有升压电路14，该升压电路14设置于第3基板83，对施加于加热器33的电压进行升压。升压电路14位于电源端子15与加热器33之间的电源线的中途，该升压电路14的输入端子与电源端子15电连接，升压电路14的输出端子与加热器33电连接。由此，电源电压被升压电路14升压而施加于加热器33。由此，能够减小由于在对加热器33进行通电时流过加热器33的电流而产生的磁场，能够防止或抑制该磁场对气室31内带来不良影响。
升压电路14只要能够使电压升压，则没有特别限定，例如，优选具有开关调节器(switching regulator)等的开关调节功能。通过使用具有开关调节功能的升压电路，能够实现高效率且低成本。
此外，在使用具有开关调节功能的升压电路作为升压电路14的情况下，开关频率没有特别限定，可根据各种条件适当设定，但优选为10kHz以上且10MHz以下，更优选为100kHz以上且3MHz以下。此处，由于对加热器33的通电而产生的磁场具有依赖于升压电路14的开关频率的成分。另一方面，光射出部21被以低频率(例如100Hz程度)进行频率调制后的信号驱动而射出激励光LL，因此，原子共振容易受到具有该频率调制的频率附近的频率成分的磁场的影响。因此，开关频率优选远离上述频率调制的频率。因此，在开关频率小于上述下限值时，因对该加热器33的通电而产生的磁场会由于其它条件而对原子共振带来不良影响。此外，在开关频率接近输出频率时，例如产生噪声等，对原子共振带来不良影响。
此外，升压电路14的电压的放大率没有特别限定，可根据各种条件适当设定，但优选为2倍以上且5倍以下，更优选为3倍以上且4.5倍以下。此外，上述电压的放大率是指将放大后的电压除以放大前的电压而得到的值。在电压的放大率小于上述下限值时，因对加热器33的通电而产生的磁场有时会由于其它条件而变得过大。此外，在电压的放大率大于上述上限值时，会由于其它条件而需要高耐压的部件，有时会导致装置的大型化、高成本化或者使噪声变大。
此外，提供给加热器33的电流没有特别限定，可根据各种条件适当设定，但优选为1.5A以下，更优选为300mA以下，进一步优选为1mA以上且300mA以下。此外，施加于加热器33的电压没有特别限定，可根据各种条件适当设定，但优选为6V以上且15V以下，更优选为8V以上且14V以下。
此外，升压电路14的输出端子不与光射出部21、受光部38、激励光控制部61以及气室温度控制部62、光射出部温度控制部64、封装温度控制部65等其它部位电连接。即，该升压电路14属于加热器33专用。由此，能够以最适于加热器33的方式自如地设定升压电路14的各参数。
设置升压电路14的效果如下所述。
首先，通过降低电源电压，能够降低功耗。并且，利用升压电路14对施加于加热器33的电压进行升压，由此，既能够使提供给加热器33的电力保持恒定，又能够减小流过加热器33的电流，由此，能够减小因对加热器33的通电而由该加热器33产生的磁场。由此，能够防止或抑制由加热器33产生的磁场对气室31内带来不良影响，能够使在气室31的内部空间S产生的磁场稳定，能够提高原子振荡器1的振荡频率的精度。此外，能够使磁屏蔽简化。
(第1基板、第2基板、第3基板)
以下，根据图1、图4、图6、图7，对第1基板81、第2基板82、第3基板83进行说明。
第1基板81、第2基板82以及第3基板83具有未图示的布线，并具有经由该布线来使分散地安装于第1基板81、第2基板82以及第3基板83的控制部6等各电子部件与例如各连接器(未图示)电连接的功能。此外，所述各连接器是使第1单元2以及第2单元3等与第1基板81、第2基板82以及第3基板83电连接的部件。
第1基板81、第2基板82以及第3基板83可以使用各种印刷布线基板，但优选使用具有刚性部的基板，例如刚性基板、刚挠结合基板等。
在这样的第1基板81、第2基板82以及第3基板83的一个面(图4中上侧的面)上分散地设置有控制部6。
即，在第1基板81上设置有电源电路17、激励光控制部61以及模拟电路67。此外，在第1基板81上设置有与电源16电连接的电源端子15以及与电源端子15电连接的电源电路17。
此外，在第2基板82上设置有光射出部温度控制部64、气室温度控制部62以及数字电路66。
此外，在第3基板83上设置有升压电路14和封装温度控制部65。此外，在第3基板83上设置有升压电路14。
此处，在将流过设置于第1基板81、第2基板82以及第3基板83上的各电路(各部)的电流的相对大小大致分为“大”、“中”、“小”这3个等级时，流过第1基板81的各电路的电流为“小”，流过第2基板82的各电路的电流为“中”，流过第3基板83的各电路的电流为“大”。这样，按电流的大小(或频率的大小)将基板分开，由此，能够降低各电路之间的相互干扰。由此，例如能够可靠地检测出微小的EIT信号，能够提供高精度的原子振荡器1。
此外，如图4和图6所示，第1基板81、第2基板82以及第3基板83的形状各自没有特别限定，在本实施方式中，是长方形(矩形)。
此外，第1基板81、第2基板82以及第3基板83的尺寸各自没有特别限定，在本实施方式中，第1基板81最大，第2基板82与第3基板83为相同的大小。
此外，在第1基板81中的、不存在第2基板82以及第3基板83的部位形成有开口811。第1单元2以及第2单元3配置在该开口811内。
此外，第1基板81、第2基板82以及第3基板83隔着规定的间隙，沿着其厚度方向排列设置。在该情况下，第1基板81、第2基板82、第3基板83从图中下侧朝上侧依次配置，第1基板81和第2基板82彼此分离，第2基板82和第3基板83彼此分离。即，从其厚度方向观察时，即俯视时，第1基板81、第2基板82、第3基板83的至少一部分重合。在图示的结构中，第2基板82在俯视时整体与第1基板81重合，第3基板83在俯视时整体与第1基板81重合，第2基板82和第3基板83在俯视时彼此整体重合。由此，能够实现原子振荡器1的小型化。
此外，在第1基板81上设置有与第1基板81的布线电连接的连接器(第1连接端子)191，在第2基板82上设置有与第2基板82的布线电连接的连接器(第2连接端子)192，在第3基板83上设置有与第3基板83的布线电连接的连接器(第3连接端子)193。连接器191与连接器192以拆装自如的方式连接，在彼此连接的状态下，连接器191与连接器192电连接。同样，连接器192与连接器193以拆装自如的方式连接，在彼此连接的状态下，连接器192与连接器193电连接。由此，在连接器191与连接器192连接、连接器192与连接器193连接的状态下，第1基板81、第2基板82、第3基板83彼此电连接。
从第1基板81、第2基板82以及第3基板83的厚度方向观察时、即俯视时，这样的连接器191、连接器192、连接器193重合。由此，能够经由连接器191、192、193，通过较短的布线将提供给电源端子15的电流从电源端子15提供给设置于第2基板82的各部、设置于第3基板83的各部。由此，能够降低电力的损耗。
此外，第1基板81、第2基板82和第3基板83的顺序不限于上述顺序，另外，可举出从图4和图6中下侧朝上侧设为：第1基板81、第3基板83、第2基板82的顺序；第3基板83、第1基板81、第2基板82的顺序；第3基板83、第2基板82、第1基板81的顺序；第2基板82、第1基板81、第3基板83的顺序；第2基板82、第3基板83、第1基板81的顺序。
此外，在第1基板81、第2基板82、第3基板83上可以安装有上述以外的电子部件。
如上所述，根据原子振荡器1，在设置于第1基板81的各电路、设置于第2基板82的各电路以及设置于第3基板83的各电路之间，能够降低相互干扰(不良影响)。由此，尤其是，能够提高EIT信号的SN比，能够可靠地检测该EIT信号，能够提供高精度的原子振荡器1。
此外，由于第1基板81、第2基板82、第3基板83在俯视时至少一部分重合，因此，能够实现原子振荡器1的小型化。
＜第2实施方式＞
接下来，对本发明的第2实施方式进行说明。
图8是用于说明本发明的第2实施方式的原子振荡器的第2基板的示意图。此外，在以下的说明中，关于第2实施方式，以与第1实施方式的不同之处为中心进行说明，对相同的事项省略其说明。
如图8所示，在第2实施方式中，在第2基板82中，作为模拟电路的气室温度控制部62以及光射出部温度控制部64的地线区域821与数字电路66的地线区域822分离。此外，地线区域821配置在第2基板82的一端侧、即图8中的左侧，地线区域822以与所述地线区域821分离的方式配置在第2基板82的另一端侧、即图8中的右侧。由此，能够降低模拟电路、即气室温度控制部62以及光射出部温度控制部64与数字电路66之间的相互干扰。
根据该第2实施方式，也能够得到与第1实施方式相同的效果。
2.电子设备
以上说明的原子振荡器能够组装到各种电子设备中。这样的电子设备具有优异的可靠性。
以下，对本发明的电子设备进行说明。
图9是在利用了GPS卫星的定位系统中使用本发明的原子振荡器的情况下的系统结构概要图。
图9所示的定位系统100由GPS卫星200、基站装置300和GPS接收装置400构成。
GPS卫星200发送定位信息(GPS信号)。
基站装置300具有：接收装置302，其例如经由设置在电子基准点(GPS连续观测站)的天线301，高精度地接收来自GPS卫星200的定位信息；以及发送装置304，其经由天线303发送由该接收装置302接收到的定位信息。
此处，接收装置302是具有上述本发明的原子振荡器1来作为其基准频率振荡源的电子装置。这样的接收装置302具有优异的可靠性。此外，由接收装置302接收到的定位信息被发送装置304实时地发送。
GPS接收装置400具有：卫星接收部402，其经由天线401接收来自GPS卫星200的定位信息；以及基站接收部404，其经由天线403接收来自基站装置300的定位信息。
3.移动体
图10是示出本发明的移动体的一例的图。
在该图中，移动体1500具有车体1501和4个车轮1502，并构成为通过设置在车体1501上的未图示的动力源(发动机)来使车轮1502旋转。在这样的移动体1500中内置有原子振荡器1。
根据这样的移动体，能够发挥优异的可靠性。
此外，具有本发明的原子振荡器(本发明的量子干涉装置)的电子设备不限于上述设备，例如也可以应用于移动电话、数字照相机、喷射式喷出装置(例如喷墨打印机)、个人计算机(移动型个人计算机、膝上型个人计算机)、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼器、电子记事本(包含带通信功能的)、电子词典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、电视电话、防盗用电视监视器、电子望远镜、POS终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、地面数字广播、移动电话基站等。
以上，根据图示的实施方式，对本发明的量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体进行了说明，但本发明不限于此。
此外，在本发明的量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体中，各部的结构可以置换为发挥相同功能的任意结构，此外，可以附加任意结构。
此外，本发明可以使上述各实施方式的任意结构彼此组合。
此外，本发明的原子振荡器(量子干涉装置)的结构不限于上述实施方式的结构。
例如，在上述实施方式中，以将气室配置在光射出部与光检测部之间的结构为例进行了说明，但是，也可以将光射出部以及光检测部相对于气室配置在相同侧，利用受光部来检测被气室的与光射出部以及光检测部相反的一侧的面、或设置在气室的与光射出部以及光检测部相反的一侧的镜子反射的光。
此外，在上述实施方式中，以在第1基板上设置有电源电路、激励光控制部、模拟电路67的结构为例进行了说明，但不限于此，也可以在第1基板上设置有受光电路。
此外，在上述实施方式中，以在第2基板上设置有光射出部温度控制部、气室温度控制部以及数字电路的结构为例进行了说明，但不限于此，在第2基板上设置有光射出部温度控制部、气室温度控制部以及数字电路中的至少1个即可。
此外，在上述实施方式中，以在第3基板上设置有升压电路和封装温度控制部的结构为例进行了说明，但不限于此，在第3基板上设置有升压电路和封装温度控制部中的至少一方即可。此外，也可以省略第3基板。
此外，在上述实施方式中，以将第1单元和第2单元设置在外封装的底板上的结构为例进行了说明，但不限于此，例如，第1单元以及第2单元也可以设置在第1基板上。
此外，在上述实施方式中，以利用了基于波长不同的两种光的量子干涉效应的方式的原子振荡器为例进行了说明，但不限于此，例如，也可以是利用基于光和微波的双重共振现象的方式的原子振荡器。
Claims (7)
1.一种量子干涉装置，其特征在于，该量子干涉装置具有：
气室，其封入有金属原子；
光射出部，其向所述气室射出光；
受光部，其接收透过所述气室后的所述光；
气室温度控制部，其控制所述气室的温度；
光射出部温度控制部，其控制所述光射出部的温度；
模拟电路，其具有对从所述受光部输出的受光信号进行处理的受光电路，控制原子共振信号；
数字电路，其控制所述模拟电路；
第1基板，其具有开口；以及
第2基板，
在所述第1基板上设置有所述受光电路，
在所述第2基板上设置有所述气室温度控制部、所述光射出部温度控制部以及所述数字电路中的至少1个，
在俯视时，所述第1基板与所述第2基板的至少一部分重合，
在俯视时，所述开口与所述第2基板不重合，
在所述开口内配置有所述光射出部、所述气室以及所述受光部。
2.根据权利要求1所述的量子干涉装置，其特征在于，该量子干涉装置具有：
框体，其收纳所述气室；
框体温度控制部，其控制所述框体内的温度；
加热部，其利用电力的供给而被驱动，由所述气室温度控制部控制，对所述气室进行加热；
升压电路，其对施加于所述加热部的电压进行升压；以及
第3基板，其设置有所述升压电路和所述框体温度控制部中的至少一方，
在俯视时，所述第1基板与所述第3基板的至少一部分重合。
3.根据权利要求2所述的量子干涉装置，其特征在于，
在俯视时，所述第1基板、所述第2基板以及所述第3基板的至少一部分重合。
4.根据权利要求2所述的量子干涉装置，其特征在于，该量子干涉装置具有：
电源端子，其设置于所述第1基板；
第1连接端子，其设置于所述第1基板，与所述电源端子电连接；
第2连接端子，其设置于所述第2基板，与所述第1连接端子电连接；以及
第3连接端子，其设置于所述第3基板，与所述第1连接端子电连接，
在俯视时，所述第1连接端子、所述第2连接端子以及所述第3连接端子的至少一部分重合。
5.一种原子振荡器，其特征在于，其具有权利要求1所述的量子干涉装置。
6.一种电子设备，其特征在于，其具有权利要求1所述的量子干涉装置。
7.一种移动体，其特征在于，其具有权利要求1所述的量子干涉装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-264664 | 2013-12-20 | ||
| JP2013264664A JP6347101B2 (ja) | 2013-12-20 | 2013-12-20 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104734704A CN104734704A (zh) | 2015-06-24 |
| CN104734704B true CN104734704B (zh) | 2019-03-08 |
Family
ID=53401261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410784605.4A Expired - Fee Related CN104734704B (zh) | 2013-12-20 | 2014-12-16 | 量子干涉装置、原子振荡器、电子设备以及移动体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9350369B2 (zh) |
| JP (1) | JP6347101B2 (zh) |
| CN (1) | CN104734704B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6627489B2 (ja) | 2015-12-21 | 2020-01-08 | セイコーエプソン株式会社 | タイミング信号生成装置および電子機器 |
| JP6728850B2 (ja) | 2016-03-25 | 2020-07-22 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器および電子機器 |
| JP6705243B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器及び移動体 |
| JP6733330B2 (ja) * | 2016-06-10 | 2020-07-29 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器および移動体 |
| JP6852377B2 (ja) * | 2016-12-12 | 2021-03-31 | 株式会社村田製作所 | 原子発振器および電子機器 |
| JP2018101886A (ja) * | 2016-12-20 | 2018-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
| JP6891760B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2021-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数信号生成装置および周波数信号生成システム |
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| CN102684693A (zh) * | 2011-03-14 | 2012-09-19 | 精工爱普生株式会社 | 气室单元、原子振荡器及电子装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252192A (ja) * | 1990-03-01 | 1991-11-11 | Taiyo Yuden Co Ltd | 混成集積回路部品及び組立方法 |
| JPH0541178U (ja) * | 1991-10-31 | 1993-06-01 | 日本ケミコン株式会社 | 配線基板接続装置 |
| JP2001085784A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Fujikura Ltd | 電子部品の駆動制御装置 |
| JP4426033B2 (ja) * | 1999-11-01 | 2010-03-03 | ホーチキ株式会社 | 感知器取付ベース |
| JP2009302118A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Fujitsu Ltd | 原子発振器 |
-
2013
- 2013-12-20 JP JP2013264664A patent/JP6347101B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-12-16 CN CN201410784605.4A patent/CN104734704B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-12-19 US US14/576,505 patent/US9350369B2/en active Active
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| CN102684693A (zh) * | 2011-03-14 | 2012-09-19 | 精工爱普生株式会社 | 气室单元、原子振荡器及电子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9350369B2 (en) | 2016-05-24 |
| CN104734704A (zh) | 2015-06-24 |
| JP2015122598A (ja) | 2015-07-02 |
| JP6347101B2 (ja) | 2018-06-27 |
| US20150180491A1 (en) | 2015-06-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190308 Termination date: 20201216 |