CN104700761B - 一种检测电路及其检测方法和驱动系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种检测电路及其检测方法和驱动系统。该检测电路包括切换单元、复位单元和比较单元；切换单元用于切换复位单元和比较单元的工作；复位单元用于在采集单元开始采集前对采集单元进行复位；比较单元用于将采集单元采集的信号与标准信号进行比较，以获得待检测电压的表征量。该检测电路能够对像素电路中驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测，从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。

Description

一种检测电路及其检测方法和驱动系统
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种检测电路及其检测方法和驱动系统。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)显示因具有快响应、高亮度、高对比度、低功耗以及易实现柔性透明等优点，被认为是下一代主流的显示技术。近年来，人们开展了大量的研究以促进AMOLED显示的大规模生产。
在AMOLED面板设计中，主要需要解决的问题是像素和像素之间的亮度非均匀性。
首先，AMOLED采用薄膜晶体管(TFT)构建像素电路为OLED器件提供相应的电流。薄膜晶体管多采用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)或氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)。与一般的非晶硅薄膜晶体管(amorphous-Si TFT)相比，LTPS TFT和Oxide TFT具有更高的迁移率和更稳定的特性，更适合应用于AMOLED显示中。但是由于晶化工艺的局限性，在大面积玻璃基板上制作的LTPS TFT，常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会转化为OLED器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即阴影(mura)现象。Oxide TFT虽然工艺的均匀性较好，但是与a-Si TFT类似，在长时间加压和高温下，其阈值电压会出现漂移，由于显示画面不同，面板各部分TFT的阈值电压漂移量不同，会造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象。
另外，OLED器件在蒸镀时由于膜厚不均也会造成电学性能的非均匀性。对于采用N型薄膜晶体管(N-Type TFT)构建像素单元的a-Si TFT或Oxide TFT工艺，其存储电容连接在驱动TFT栅极与OLED阳极之间，在数据电压传输到栅极时，如果各像素OLED阳极电压不同，则实际加载在TFT上的栅源电压(Vgs)不同，从而驱动电流不同造成像素OLED显示亮度差异。
经研究显示，造成AMOLED面板显示亮度差异的主要原因是不同像素单元中OLED驱动管的阈值电压因漂移而出现不同，以及不同像素单元中OLED器件由于蒸镀时的膜厚不均而导致的OLED器件的工作电压不同。
为了解决AMOLED面板中显示亮度差异的问题，通常会通过内部补偿或外部补偿对驱动管的阈值电压和OLED器件的工作电压进行补偿，但补偿之前首先需要对驱动管的阈值电压和OLED器件的工作电压进行检测，如何检测AMOLED面板中驱动管的阈值电压和OLED器件的工作电压已成为目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述技术问题，提供一种检测电路及其检测方法和驱动系统。该检测电路能够对像素电路中驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测，从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
本发明提供一种检测电路，用于对像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测，所述像素电路包括采集单元，所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元件，用于采集待检测电压，所述检测电路包括切换单元、复位单元和比较单元，所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换单元，所述切换单元连接所述采集单元；
所述切换单元用于切换所述复位单元和所述比较单元的工作；
所述复位单元用于在所述采集单元开始采集前对所述采集单元进行复位；
所述比较单元用于将所述采集单元采集的信号与标准信号进行比较，以获得所述待检测电压的表征量。
优选地，所述采集单元包括第一晶体管和采集线，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第一极，所述驱动管的第一极连接所述发光元件的第一极；所述第一晶体管的第二极连接所述采集线，所述第一晶体管的栅极连接第一控制线；所述采集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述待检测电压；
所述切换单元连接所述采集线，所述切换单元包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述采集线连接，所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接；
所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述比较单元连接，所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接。
优选地，所述复位单元包括第八晶体管和第九晶体管，所述第八晶体管的第一极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极连接；
所述第八晶体管的第二极连接第一信号线，所述第九晶体管的第二极连接第二信号线。
优选地，所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述第九晶体管采用N型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管和所述第八晶体管采用P型晶体管；或者，
所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述第九晶体管采用P型晶体管，
所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管和所述第八晶体管采用N型晶体管。
优选地，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二控制线；
所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线。
优选地，所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生模块和输出模块；
所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二极和第五晶体管的第一极，所述比较放大器的第二输入端连接所述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极，所述比较放大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极和所述第七晶体管的第一极；
所述斜坡电压发生模块的输出端连接所述第六晶体管的第二极，所述斜坡电压发生模块的输入端连接第三信号线；
所述输出模块的输入端连接所述第三晶体管的第二极；
所述斜坡电压发生模块用于产生并输出所述标准信号，所述标准信号为斜坡电压信号；
所述比较放大器用于将所述采集线采集到的所述待检测电压与所述斜坡电压发生模块输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；
所述输出模块的输出端能根据所述比较放大器的比较结果输出所述检测电路的检测结果。
优选地，所述斜坡电压发生模块包括第一放大器、第二放大器、电流源、第一电容和控制开关；
所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线，所述第一放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的第一端和所述第一电容的第一端连接；
所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接；所述第二放大器的负输入端和所述第二放大器的输出端连接；所述第二放大器的输出端连接所述第六晶体管的第二极。
优选地，所述斜坡电压发生模块还包括校准电压源，所述校准电压源的正极连接所述第二放大器的正输入端，所述校准电压源的负极连接所述第二放大器的负输入端；
所述校准电压源用于校准所述第一放大器正输入端和负输入端之间的电压偏差以及所述第二放大器正输入端和负输入端之间的电压偏差。
优选地，所述输出模块包括逻辑控制器和计数器，所述逻辑控制器的输入端连接所述第三晶体管的第二极，所述逻辑控制器的控制端连接所述计数器；
所述逻辑控制器用于根据所述比较放大器输出的比较结果记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值，并输出该计数值；所述计数值表征所述待检测电压。
优选地，还包括电容校准单元，用于对所述采集线的线电容进行校准；所述电容校准单元包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和校准电容；
所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集线连接；所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一极和所述第十二晶体管的第一极连接；所述校准电容的第二极接地；所述第十晶体管的栅极连接第四控制线；
所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极连接；所述第十一晶体管的栅极连接第五控制线；
所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线；所述第十二晶体管的栅极连接第六控制线。
优选地，还包括去噪单元，用于消除外界噪音对所述采集线采集到的所述待检测电压的干扰；
所述去噪单元包括去噪电容，所述去噪电容的第一端连接所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集线；所述去噪电容的第二端接地。
本发明还提供一种检测方法，用于检测像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压，所述像素电路包括采集单元，所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元件；执行所述检测方法的检测电路包括切换单元、复位单元和比较单元，所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换单元，所述切换单元连接所述采集单元；所述检测方法包括：
步骤S11：所述切换单元切换到使所述复位单元工作；
步骤S12：所述复位单元在所述采集单元开始采集前对所述采集单元进行复位；
步骤S13：所述采集单元采集所述待检测电压；
步骤S14：所述切换单元切换到使所述比较单元工作；
步骤S15：所述比较单元将所述采集单元采集的信号与标准信号进行比较，以获得所述待检测电压的表征量。
优选地，所述采集单元包括第一晶体管和采集线，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第一极，所述驱动管的第一极连接所述发光元件的第一极；所述第一晶体管的第二极连接所述采集线，所述第一晶体管的栅极连接第一控制线；所述采集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述待检测电压；
所述切换单元连接所述采集线，所述切换单元包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述采集线连接，所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接；
所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述比较单元连接，所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用N型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管采用P型晶体管；或者，
所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用P型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管采用N型晶体管；
所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二控制线；
所述步骤S11包括：所述第二控制线输入控制信号，将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管开启；同时将所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管关闭。
优选地，所述复位单元包括第八晶体管和第九晶体管，所述第八晶体管的第一极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极连接；
所述第八晶体管的第二极连接第一信号线，所述第九晶体管的第二极连接第二信号线；
所述第九晶体管采用N型晶体管，所述第八晶体管采用P型晶体管；或者，所述第九晶体管采用P型晶体管，所述第八晶体管采用N型晶体管；
所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线；
当检测所述驱动管的阈值电压时，所述步骤S12包括：所述第三控制线输入控制信号，将所述第八晶体管开启，同时将所述第九晶体管关闭，所述第一信号线输入低电压信号并将所述采集线上的信号复位为所述低电压信号；
当检测所述发光元件的工作电压时，所述步骤S 12包括：所述第三控制线输入控制信号，将所述第九晶体管开启，同时将所述第八晶体管关闭，所述第二信号线输入高电压信号并将所述采集线上的信号复位为所述高电压信号。
优选地，所述像素电路还包括第十三晶体管和存储电容，所述第十三晶体管的第一极连接数据线，所述第十三晶体管的第二极连接所述存储电容的第一极和所述驱动管的栅极，所述第十三晶体管的栅极连接扫描控制线；所述驱动管的第一极连接第一电源，所述发光元件的第二极连接第二电源；
所述存储电容的第二极连接所述驱动管的第二极、所述发光元件的第一极和所述第一晶体管的第一极，所述第一晶体管的第二极连接所述采集线，所述第一晶体管的栅极连接第一控制线；
当检测所述驱动管的阈值电压时，所述步骤S13包括：
步骤S130：所述扫描控制线输入控制信号，将所述第十三晶体管开启，所述数据线写入第一电压信号，使所述存储电容两端的电压差大于所述驱动管的阈值电压；
步骤S131：所述扫描控制线输入控制信号，将所述第十三晶体管关闭，所述第一控制线控制所述第一晶体管开启，使所述驱动管的电流对所述采集线的线电容充电；
步骤S132：充电至所述采集线上的电压为所述驱动管的阈值电压时，将所述第十三晶体管开启，所述数据线写入第二电压信号，将所述驱动管关闭；
当检测所述发光元件的工作电压时，所述步骤S13包括：
步骤S130＇：所述扫描控制线输入控制信号，将所述第十三晶体管开启，所述数据线写入所述第二电压信号，将所述驱动管关闭；
步骤S131＇：所述第一控制线控制所述第一晶体管开启，所述采集线上存储的电荷通过所述发光元件放电；
步骤S132＇：放电至所述采集线上的电压为所述发光元件的工作电压时，将所述第一晶体管关闭。
优选地，所述步骤S14包括：所述第二控制线输入控制信号，将所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管开启；同时将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管关闭。
优选地，所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生模块和输出模块；
所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二极和第五晶体管的第一极，所述比较放大器的第二输入端连接所述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极，所述比较放大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极和所述第七晶体管的第一极；
所述斜坡电压发生模块的输出端连接所述第六晶体管的第二极，所述斜坡电压发生模块的输入端连接第三信号线；
所述输出模块的输入端连接所述第三晶体管的第二极；
所述输出模块包括逻辑控制器和计数器，所述逻辑控制器的输入端连接所述第三晶体管的第二极，所述逻辑控制器的控制端连接所述计数器；
当检测所述驱动管的阈值电压时，所述步骤S15包括：
步骤S150：所述斜坡电压发生模块产生并输出所述标准信号，所述标准信号为斜坡电压信号；所述比较放大器将所述采集线上的所述驱动管的阈值电压与所述斜坡电压发生模块输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；
步骤S151：当所述比较放大器输出的比较结果发生变化时，所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值，并输出该计数值；所述计数值表征所述驱动管的阈值电压；
当检测所述发光元件的工作电压时，所述步骤S15包括：
步骤S150＇：所述斜坡电压发生模块产生并输出所述标准信号，所述标准信号为斜坡电压信号；所述比较放大器将所述采集线上的所述发光元件的工作电压与所述斜坡电压发生模块输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；
步骤S151＇：当所述比较放大器输出的比较结果发生变化时，所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值，并输出该计数值；所述计数值表征所述发光元件的工作电压。
优选地，所述检测电路还包括电容校准单元，所述电容校准单元包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和校准电容；
所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集线连接；所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一极和所述第十二晶体管的第一极连接；所述校准电容的第二极接地；所述第十晶体管的栅极连接第四控制线；
所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极连接；所述第十一晶体管的栅极连接第五控制线；
所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线；所述第十二晶体管的栅极连接第六控制线；
所述检测方法在所述步骤11之前还包括步骤S10：对所述采集线的线电容进行校准；所述步骤S10包括：
步骤S100：所述第五控制线输入控制信号，将所述第十一晶体管开启；所述第二控制线输入控制信号，将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管开启；所述第三控制线输入控制信号，将所述第八晶体管开启，所述第一信号线输入低电压信号并将所述采集线上的信号复位为所述低电压信号；
同时，所述第六控制线输入控制信号，将所述第十二晶体管开启；所述第二信号线输入高电压信号并将所述校准电容上的信号复位为所述高电压信号；
步骤S101：将所述第十一晶体管和所述第十二晶体管关闭；所述第四控制线输入控制信号，将所述第十晶体管开启；所述校准电容与所述采集线的线电容进行电荷分享。
优选地，所述斜坡电压发生模块包括第一放大器、第二放大器、电流源、第一电容和控制开关；
所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线，所述第一放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的第一端和所述第一电容的第一端连接；
所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接；所述第二放大器的负输入端和所述第二放大器的输出端连接；所述第二放大器的输出端连接所述第六晶体管的第二极；
所述斜坡电压发生模块还包括校准电压源，所述校准电压源的正极连接所述第二放大器的正输入端，所述校准电压源的负极连接所述第二放大器的负输入端；
所述检测方法还包括：在所述步骤S10之前，对所述斜坡电压发生模块中所述第一放大器和所述第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差进行校准；具体包括：
将所述控制开关闭合，所述电流源不对所述第一电容进行充电，所述第三信号线输入第三电压信号；改变所述校准电压源的电压值，当所述第二放大器的输出电压由高电压变为低电压或由低电压变为高电压时，自动校准所述第一放大器和所述第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差。
本发明还提供一种驱动系统，用于对像素电路进行驱动，包括上述检测电路。
本发明的有益效果：本发明所提供的检测电路，通过设置切换单元、复位单元和比较单元，能够对像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和\或发光元件的工作电压进行检测，从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
本发明所提供的驱动系统，通过采用上述检测电路，使该驱动系统不仅能够对像素电路进行驱动，还能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
附图说明
图1为本发明中检测电路的电路原理图；
图2为本发明实施例1中与图1中的电路原理图相对应的检测电路的电路图；
图3为本发明实施例1中检测电路的整体电路图；
图4为图2中斜坡电压发生模块的电路图；
图5为图2中的检测电路在检测驱动管的阈值电压时的时序图；
图6为图3中的检测电路在对采集线的线电容进行校准时的时序图；
图7为图2中的斜坡电压发生模块在校准时的等效电路图；
图8为图2中的检测电路在检测发光元件的工作电压时的时序图。
其中的附图标记说明：
1.采集单元；2.切换单元；3.复位单元；4.比较单元。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种检测电路及其检测方法和驱动系统作进一步详细描述。
实施例1：
本实施例提供一种检测电路，用于对像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和发光元件的工作电压进行检测，如图1所示，像素电路包括采集单元1，采集单元1连接驱动管Q和发光元件D，用于采集待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)，检测电路包括切换单元2、复位单元3和比较单元4，复位单元3和比较单元4分别连接切换单元2，切换单元2连接采集单元1。切换单元2用于切换复位单元3和比较单元4的工作；复位单元3用于在采集单元1开始采集前对采集单元1进行复位；比较单元4用于将采集单元1采集的信号与标准信号进行比较，以获得待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)的表征量。
该检测电路通过设置切换单元2、复位单元3和比较单元4，能够对像素电路中驱动管Q的阈值电压和发光元件D的工作电压进行检测，从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
本实施例中，如图2所示，采集单元包括第一晶体管T1和采集线Sense，第一晶体管T1的第一极连接驱动管Q的第一极和发光元件D的第一极，驱动管Q的第一极连接发光元件D的第一极；第一晶体管T1的第二极连接采集线Sense，第一晶体管T1的栅极连接第一控制线G2；采集线Sense能在第一晶体管T1的控制下采集待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)。
其中，发光元件D的第一极为阳极，发光元件D的第二极为阴极。
切换单元连接采集线Sense，切换单元包括第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。第二晶体管T2的第一极、第四晶体管T4的第一极和采集线Sense连接，第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第一极、第七晶体管T7的第一极和比较单元连接；第三晶体管T3的第二极和比较单元连接；第四晶体管T4的第二极、第五晶体管T5的第一极和比较单元连接；第五晶体管T5的第二极和复位单元连接；第六晶体管T6的第一极、第七晶体管T7的第二极和比较单元连接，第六晶体管T6的第二极和比较单元连接。
复位单元包括第八晶体管T8和第九晶体管T9，第八晶体管T8的第一极、第九晶体管T9的第一极和第五晶体管T5的第二极连接；第八晶体管T8的第二极连接第一信号线VREFL，第九晶体管T9的第二极连接第二信号线VREFH。
本实施例中，第二晶体管T2、第五晶体管T5、第七晶体管T7和第九晶体管T9采用N型晶体管，第三晶体管T3、第四晶体管T4、第六晶体管T6和第八晶体管T8采用P型晶体管。
需要说明的是，也可以是，第二晶体管T2、第五晶体管T5、第七晶体管T7和第九晶体管T9采用P型晶体管，第三晶体管T3、第四晶体管T4、第六晶体管T6和第八晶体管T8采用N型晶体管。如此设置，使得切换单元只需要一根控制线即可实现对复位单元和比较单元的切换控制，从而使该检测电路的线路更加简单，控制起来也更加方便快捷。
本实施例中，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的栅极连接第二控制线Sel_sen。第八晶体管T8和第九晶体管T9的栅极连接第三控制线Sel_vref。
需要说明的是，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的栅极也可以分别连接一根控制线；或者，第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的两个或几个连接一根控制线，其余的几个连接另一根控制线，只要使切换单元在控制线的控制下能够实现对复位单元和比较单元的切换工作即可。
本实施例中，比较单元包括比较放大器comp、斜坡电压发生模块Ramp Gen和输出模块。比较放大器comp的第一输入端连接第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第一极，比较放大器comp的第二输入端连接第六晶体管T6的第一极和第七晶体管T7的第二极，比较放大器comp的输出端连接第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第一极和第七晶体管T7的第一极。斜坡电压发生模块Ramp Gen的输出端连接第六晶体管T6的第二极，斜坡电压发生模块Ramp Gen的输入端连接第三信号线VSTR。输出模块的输入端连接第三晶体管T3的第二极。斜坡电压发生模块Ramp Gen用于产生并输出标准信号，标准信号为斜坡电压信号。比较放大器comp用于将采集线Sense采集到的待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)分别与斜坡电压发生模块Ramp Gen输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；输出模块的输出端out能根据比较放大器comp的比较结果输出检测电路的检测结果。
本实施例中，比较放大器comp的第一输入端为比较放大器comp的正输入端，比较放大器comp的第二输入端为比较放大器comp的负输入端。
需要说明的是，比较放大器comp的第一输入端也可以是比较放大器comp的负输入端，比较放大器comp的第二输入端也可以是比较放大器comp的正输入端。
本实施例中，输出模块包括逻辑控制器Logic control和计数器Counter，逻辑控制器Logic control的输入端连接第三晶体管T3的第二极，逻辑控制器Logic control的控制端连接计数器Counter。逻辑控制器Logic control用于根据比较放大器comp输出的比较结果记录比较结果发生变化时所对应的计数器Counter的计数值，并输出该计数值；该计数值表征待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)。
本实施例中，如图3所示，检测电路还包括电容校准单元，用于对采集线Sense的线电容C_sense进行校准；电容校准单元包括第十晶体管T10、第十一晶体管T11、第十二晶体管T12和校准电容C_ext。第十晶体管T10的第一极、第十一晶体管T11的第一极和采集线Sense连接；第十晶体管T10的第二极、校准电容C_ext的第一极和第十二晶体管T12的第一极连接；校准电容C_ext的第二极接地；第十晶体管T10的栅极连接第四控制线CapCal；第十一晶体管T11的第二极、第二晶体管T2的第一极和第四晶体管T4的第一极连接；第十一晶体管T11的栅极连接第五控制线NM；第十二晶体管T12的第二极连接第二信号线VREFH；第十二晶体管T12的栅极连接第六控制线CapRst。
电容校准单元的设置，能够在检测电路检测之前对采集线Sense的线电容C_sense进行校准，从而使检测电路的检测结果能够更加准确。
本实施例中，检测电路还包括去噪单元，用于消除外界噪音对采集线Sense采集到的待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)的干扰；去噪单元包括去噪电容CH，去噪电容CH的第一端连接第十晶体管T10的第一极、第十一晶体管T11的第一极和采集线Sense；去噪电容CH的第二端接地。
去噪单元的设置，能够消除外界噪音对采集线Sense采集到的待检测电压(即驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压)的干扰，从而使检测电路的检测结果能够更加准确。
本实施例中，如图4所示，斜坡电压发生模块Ramp Gen包括第一放大器OP1、第二放大器OP2、电流源L、第一电容C1和控制开关Ramp_Str。第一放大器OP1的正输入端连接第三信号线VSTR，第一放大器OP1的负输入端、第一放大器OP1的输出端、控制开关Ramp_Str的第一端和第一电容C1的第一端连接；第二放大器OP2的正输入端、第一电容C1的第二端、控制开关Ramp_Str的第二端和电流源L的输出端连接；第二放大器OP2的负输入端和第二放大器OP2的输出端连接；第二放大器OP2的输出端连接第六晶体管T6的第二极。即第二放大器OP2的输出端Ramp_out为斜坡电压发生模块Ramp Gen的输出端。
本实施例中，斜坡电压发生模块Ramp Gen还包括校准电压源Vtrim，校准电压源Vtrim的正极连接第二放大器OP2的正输入端，校准电压源Vtrim的负极连接第二放大器OP2的负输入端；校准电压源Vtrim用于校准第一放大器OP1正输入端和负输入端之间的电压偏差以及第二放大器OP2正输入端和负输入端之间的电压偏差。
校准电压源Vtrim的设置，能对斜坡电压发生模块Ramp Gen中的两级放大器各自正负输入端之间的电压偏差进行校准，从而使斜坡电压发生模块Ramp Gen产生并输出的斜坡电压信号(也即标准信号)更加准确，进而能使比较放大器comp经比较后输出的比较结果更加准确，即提高了整个检测电路的检测结果的准确度。
需要说明的是，该检测电路也可以只对驱动管Q的阈值电压或发光元件D的工作电压进行检测。
另外需要说明的是，在本实施例中，驱动管Q、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8、第九晶体管T9、第十晶体管T10、第十一晶体管T11和第十二晶体管T12优选均为薄膜晶体管，具有选通开关功能的其他类型的开关管也具有同样的作用。当薄膜晶体管的栅极导通时，其第一极和第二极之间导通。当薄膜晶体管的第一极的电压高时，电流从第一极流向第二极；当薄膜晶体管的第二极的电压高时，电流从第二极流向第一极。因此，薄膜晶体管的第一极为漏极时，其第二极为源极；薄膜晶体管的第一极为源极时，其第二极为漏极。
实施例1的有益效果：实施例1中所提供的检测电路，通过设置切换单元、复位单元和比较单元，能够对像素电路中驱动管的阈值电压和发光元件的工作电压进行检测，从而能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
实施例2：
基于实施例1中所提供的检测电路的电路结构，本实施例提供一种检测方法，用于检测像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和发光元件的工作电压，该检测方法包括：
步骤S11：切换单元切换到使复位单元工作。
步骤S12：复位单元在采集单元开始采集前对采集单元进行复位。
步骤S13：采集单元采集待检测电压(即驱动管的阈值电压或发光元件的工作电压)。
步骤S14：切换单元切换到使比较单元工作。
步骤S15：采集单元采集驱动管的阈值电压和发光元件的工作电压；比较单元将采集单元采集的信号与标准信号进行比较，以获得待检测电压(即驱动管的阈值电压或发光元件的工作电压)的表征量。
当检测驱动管的阈值电压时，如图5所示：
步骤S11具体包括：第二控制线Sel_sen输入控制信号，将第二晶体管、第五晶体管和第七晶体管开启；同时将第三晶体管、第四晶体管和第六晶体管关闭。
该步骤中，第二控制线Sel_sen输入高电平控制信号。
步骤S12具体包括：第三控制线Sel_vref输入控制信号，将第八晶体管开启，同时将第九晶体管关闭，第一信号线VREFL输入低电压信号并将采集线上的信号Vsense复位为低电压信号。
该步骤中，第三控制线Sel_vref输入低电平控制信号。比较放大器comp用作输出用于复位采集线的低电压信号。
本实施例中，如图2所示，像素电路还包括第十三晶体管T13和存储电容C2，第十三晶体管T13的第一极连接数据线DATA，第十三晶体管T13的第二极连接存储电容C2的第一极和驱动管Q的栅极，第十三晶体管T13的栅极连接扫描控制线G1；驱动管Q的第一极连接第一电源ELVDD，发光元件D的第二极连接第二电源ELVSS。存储电容C2的第二极连接驱动管Q的第二极、发光元件D的第一极和第一晶体管T1的第一极，第一晶体管T1的第二极连接采集线Sense，第一晶体管T1的栅极连接第一控制线G2。
步骤S13具体包括：如图5所示，
步骤S130：扫描控制线G1输入控制信号，将第十三晶体管开启，数据线DATA写入第一电压信号VGm，使存储电容两端的电压差大于驱动管的阈值电压。
该步骤中，扫描控制线G1输入高电平控制信号。该步骤持续时间TR。
步骤S131：扫描控制线G1输入控制信号，将第十三晶体管关闭，第一控制线G2控制第一晶体管开启，使驱动管的电流对采集线的线电容充电。
该步骤中，扫描控制线G1输入低电平控制信号。第一控制线G2输入高电平控制信号。此时，采集线上的电压Vsense会线性上升。充电持续时间TC。
步骤S132：充电至采集线上的电压Vsense为驱动管的阈值电压时，将第十三晶体管开启，数据线DATA写入第二电压信号VG0，将驱动管关闭。
该步骤中，数据线DATA写入的第二电压信号VG0为0V。当驱动管关闭后，采集线上的电压Vsense保持驱动管的阈值电压不变。
步骤S14具体包括：第二控制线Sel_sen输入控制信号，将第三晶体管、第四晶体管和第六晶体管开启；同时将第二晶体管、第五晶体管和第七晶体管关闭。
该步骤中，第二控制线Sel_sen输入低电平控制信号。
步骤S15具体包括：
步骤S150：斜坡电压发生模块产生并输出标准信号，该标准信号为斜坡电压信号Vramp；比较放大器将采集线上的驱动管的阈值电压与斜坡电压发生模块输出的斜坡电压Vramp进行比较，并输出比较结果Comparator。
步骤S132中驱动管关闭到步骤S150中斜坡电压发生模块开始输出斜坡电压之间的间隔时间为TD。该步骤中，比较放大器用作比较器。斜坡电压信号Vramp为一线性上升的斜坡电压，当采集线上的电压Vsense(也即驱动管的阈值电压)大于斜坡电压Vramp时，比较放大器输出为高电平；当采集线上的电压Vsense(也即驱动管的阈值电压)小于斜坡电压Vramp时，比较放大器输出为低电平。
该步骤中，斜坡电压发生模块产生并输出标准信号的过程为：先将控制开关Ramp_Str闭合，对第一电容进行复位，使第一电容两端均为第三信号线VSTR上输入的信号；然后将控制开关Ramp_Str断开，通过电流源对第一电容充电获得斜坡电压Vramp。
步骤S151：当比较放大器输出的比较结果Comparator发生变化时，逻辑控制器记录比较结果Comparator发生变化时所对应的计数器Counter的计数值，并输出该计数值；该计数值表征驱动管的阈值电压。
该步骤中，由于斜坡电压Vramp由一个电流源对第一电容充电形成，因此斜坡电压Vramp与充电时间是成正比的。在斜坡电压Vramp开始上升时，由10位计数器Counter开始计时，当比较放大器的比较结果Comparator由高变低时，将计数器Counter的计数值存入寄存器Register。该计数值表征驱动管的阈值电压。
至此，驱动管的阈值电压检测完毕。
本实施例中，检测方法在步骤S11之前还包括步骤S10：对采集线的线电容进行校准；步骤S10具体包括：如图6所示，
步骤S100：第五控制线NM输入控制信号，将第十一晶体管开启；第二控制线Sel_sen输入控制信号，将第二晶体管、第五晶体管和第七晶体管开启；第三控制线Sel_vref输入控制信号，将第八晶体管开启，第一信号线输入低电压信号并将采集线上的信号Vsense复位为低电压信号。同时，第六控制线CapRst输入控制信号，将第十二晶体管开启；第二信号线输入高电压信号并将校准电容上的信号复位为高电压信号。
该步骤中，第五控制线NM输入高电平控制信号，第二控制线Sel_sen输入高电平控制信号，第三控制线Sel_vref输入低电平控制信号，第六控制线CapRst输入高电平控制信号。
步骤S101：将第十一晶体管和第十二晶体管关闭；第四控制线CapCal输入控制信号，将第十晶体管开启；校准电容与采集线的线电容进行电荷分享。从而对采集线在采集前的线电容进行了校准，提高了采集线采集的驱动管的阈值电压的准确度。
该步骤中，第五控制线NM输入低电平控制信号，第六控制线CapRst输入低电平控制信号，第四控制线CapCal输入高电平控制信号。
另外，本实施例中，检测方法还包括：在步骤S10之前，对斜坡电压发生模块中第一放大器和第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差进行校准；该校准过程具体包括：
将控制开关闭合，电流源不对第一电容进行充电，第三信号线输入第三电压信号；改变校准电压源的电压值，当第二放大器的输出电压由高电压变为低电压或由低电压变为高电压时，自动校准第一放大器和第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差。
该步骤中，第一放大器的正输入端和负输入端之间存在电压偏差VOS1，第二放大器的正输入端和负输入端之间存在电压偏差VOS2，第二放大器可复用作比较器。校准时，控制开关闭合，斜坡电压发生模块的等效电路如图7所示，第一放大器OP1的正输入端与第二放大器OP2的负输入端连接。在第二放大器OP2的正输入端和负输入端之间接入校准电压源Vtrim，斜坡电压发生模块的输出信号Ramp_out＝VSTR+VOS1-(VOS2+Vtrim)(其中，VSTR为斜坡电压发生模块的输入信号，Vtrim为校准电压源的校准信号)，当VOS1-(VOS2+Vtrim)为正时，输出信号Ramp_out为高电平；当VOS1-(VOS2+Vtrim)为负时，输出信号Ramp_out为低电平；当输出信号Ramp_out由低变高或者由高变低时，恰好校准第一放大器正负输入端之间的电压偏差VOS1和第二放大器正负输入端之间的电压偏差VOS2。从而使斜坡电压发生模块产生并输出的斜坡电压信号(也即标准信号)更加准确。
当检测发光元件的工作电压时，如图8所示，
步骤S11与上述驱动管的阈值电压检测时完全相同。此处不再赘述。
步骤S12具体包括：第三控制线Sel_vref输入控制信号，将第九晶体管开启，同时将第八晶体管关闭，第二信号线VREFH输入高电压信号并将采集线上的信号Vsense复位为高电压信号。
该步骤中，第三控制线Sel_vref输入高电平控制信号。比较放大器comp用作输出用于复位采集线的高电压信号。
步骤S13具体包括：
步骤S130＇：扫描控制线G1输入控制信号，将第十三晶体管开启，数据线DATA写入第二电压信号VG0，将驱动管关闭。
该步骤中，扫描控制线G1输入高电平控制信号。该步骤持续时间TR。
步骤S131＇：第一控制线G2控制第一晶体管开启，采集线上存储的电荷通过发光元件放电。
该步骤中，第一控制线G2输入高电平控制信号。采集线上复位的高电压信号Vsense通过发光元件放电。
步骤S132＇：放电至采集线上的电压Vsense为发光元件的工作电压时，将第一晶体管关闭。
该步骤中，第一晶体管关闭后，采集线将不再有输出电压的能力，此时，采集线上的电压Vsense保持发光元件的工作电压不变。
步骤S14与上述驱动管的阈值电压检测时完全相同，此处不再赘述。
步骤S15具体包括：
步骤S150＇：斜坡电压发生模块产生并输出所述标准信号，该标准信号为斜坡电压信号Vramp；比较放大器将采集线上的发光元件的工作电压与斜坡电压发生模块输出的斜坡电压Vramp进行比较，并输出比较结果Comparator。
步骤S132＇中第一晶体管关闭到步骤S150＇中斜坡电压发生模块开始输出斜坡电压之间的间隔时间为TD。该步骤中，比较放大器用作比较器。斜坡电压信号Vramp为一线性上升的斜坡电压，当采集线上的电压Vsense(也即发光元件的工作电压)大于斜坡电压Vramp时，比较放大器输出为高电平；当采集线上的电压Vsense(也即发光元件的工作电压)小于斜坡电压Vramp时，比较放大器输出为低电平。
步骤S151＇：当比较放大器输出的比较结果Comparator发生变化时，逻辑控制器记录比较结果Comparator发生变化时所对应的计数器Counter的计数值，并输出该计数值；该计数值表征发光元件的工作电压。
该步骤中，由于斜坡电压Vramp由一个电流源对第一电容充电形成，因此斜坡电压Vramp与充电时间是成正比的。在斜坡电压Vramp开始上升时，由10位计数器Counter开始计时，当比较放大器的比较结果Comparator由高变低时，将计数器Counter的计数值存入寄存器Register。该计数值表征发光元件的工作电压。
至此，发光元件的工作电压检测完毕。
在检测发光元件的工作电压时，对采集线的线电容进行校准的步骤和对斜坡电压发生模块中第一放大器和第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差进行校准的步骤均与驱动管的阈值电压检测时完全相同，此处不再赘述。
需要说明的是，该检测方法也可以只对驱动管的阈值电压或发光元件的工作电压进行检测。
实施例3：
本实施例提供一种驱动系统，用于对像素电路进行驱动，包括实施例1中的检测电路。
通过采用实施例1中的检测电路，使该驱动系统不仅能够对像素电路进行驱动，还能够检测有源矩阵有机电致发光显示器件内部像素显示亮度的不均匀性，进而使外部补偿电路能够根据检测结果对像素的显示亮度进行很好的补偿，提高有源矩阵有机电致发光显示器件显示的均匀性及显示效果。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种检测电路，用于对像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压进行检测，所述像素电路包括采集单元，所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元件，用于采集待检测电压，其特征在于，所述检测电路包括切换单元、复位单元和比较单元，所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换单元，所述切换单元连接所述采集单元；
所述切换单元用于切换所述复位单元和所述比较单元的工作；
所述复位单元用于在所述采集单元开始采集前对所述采集单元进行复位；
所述比较单元用于将所述采集单元采集的信号与标准信号进行比较，以获得所述待检测电压的表征量；
所述采集单元包括第一晶体管和采集线，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第一极，所述驱动管的第一极连接所述发光元件的第一极；所述第一晶体管的第二极连接所述采集线，所述第一晶体管的栅极连接第一控制线；所述采集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述待检测电压；
所述切换单元连接所述采集线，所述切换单元包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述采集线连接，所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接；
所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述比较单元连接，所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述复位单元包括第八晶体管和第九晶体管，所述第八晶体管的第一极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极连接；
所述第八晶体管的第二极连接第一信号线，所述第九晶体管的第二极连接第二信号线；
还包括电容校准单元，用于对所述采集线的线电容进行校准；所述电容校准单元包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和校准电容；
所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集线连接；所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一极和所述第十二晶体管的第一极连接；所述校准电容的第二极接地；所述第十晶体管的栅极连接第四控制线；
所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极连接；所述第十一晶体管的栅极连接第五控制线；
所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线；所述第十二晶体管的栅极连接第六控制线。
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述第九晶体管采用N型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管和所述第八晶体管采用P型晶体管；或者，
所述第二晶体管、所述第五晶体管、所述第七晶体管和所述第九晶体管采用P型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第六晶体管和所述第八晶体管采用N型晶体管。
3.根据权利要求2所述的检测电路，其特征在于，所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二控制线；
所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线。
4.根据权利要求3所述的检测电路，其特征在于，所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生模块和输出模块；
所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二极和第五晶体管的第一极，所述比较放大器的第二输入端连接所述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极，所述比较放大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极和所述第七晶体管的第一极；
所述斜坡电压发生模块的输出端连接所述第六晶体管的第二极，所述斜坡电压发生模块的输入端连接第三信号线；
所述输出模块的输入端连接所述第三晶体管的第二极；
所述斜坡电压发生模块用于产生并输出所述标准信号，所述标准信号为斜坡电压信号；
所述比较放大器用于将所述采集线采集到的所述待检测电压与所述斜坡电压发生模块输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；
所述输出模块的输出端能根据所述比较放大器的比较结果输出所述检测电路的检测结果。
5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述斜坡电压发生模块包括第一放大器、第二放大器、电流源、第一电容和控制开关；
所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线，所述第一放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的第一端和所述第一电容的第一端连接；
所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接；所述第二放大器的负输入端和所述第二放大器的输出端连接；所述第二放大器的输出端连接所述第六晶体管的第二极。
6.根据权利要求5所述的检测电路，其特征在于，所述斜坡电压发生模块还包括校准电压源，所述校准电压源的正极连接所述第二放大器的正输入端，所述校准电压源的负极连接所述第二放大器的负输入端；
所述校准电压源用于校准所述第一放大器正输入端和负输入端之间的电压偏差以及所述第二放大器正输入端和负输入端之间的电压偏差。
7.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述输出模块包括逻辑控制器和计数器，所述逻辑控制器的输入端连接所述第三晶体管的第二极，所述逻辑控制器的控制端连接所述计数器；
所述逻辑控制器用于根据所述比较放大器输出的比较结果记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值，并输出该计数值；所述计数值表征所述待检测电压。
8.根据权利要求7所述的检测电路，其特征在于，还包括去噪单元，用于消除外界噪音对所述采集线采集到的所述待检测电压的干扰；
所述去噪单元包括去噪电容，所述去噪电容的第一端连接所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集线；所述去噪电容的第二端接地。
9.一种检测方法，用于检测像素电路中待检测的驱动管的阈值电压和/或发光元件的工作电压，其特征在于，所述像素电路包括采集单元，所述采集单元连接所述驱动管和所述发光元件；执行所述检测方法的检测电路包括切换单元、复位单元和比较单元，所述复位单元和所述比较单元分别连接所述切换单元，所述切换单元连接所述采集单元；所述检测方法包括：
步骤S11：所述切换单元切换到使所述复位单元工作；
步骤S12：所述复位单元在所述采集单元开始采集前对所述采集单元进行复位；
步骤S13：所述采集单元采集所述待检测电压；
步骤S14：所述切换单元切换到使所述比较单元工作；
步骤S15：所述比较单元将所述采集单元采集的信号与标准信号进行比较，以获得所述待检测电压的表征量；
所述采集单元包括第一晶体管和采集线，所述第一晶体管的第一极连接所述驱动管的第一极和所述发光元件的第一极，所述驱动管的第一极连接所述发光元件的第一极；所述第一晶体管的第二极连接所述采集线，所述第一晶体管的栅极连接第一控制线；所述采集线能在所述第一晶体管的控制下采集所述待检测电压；
所述切换单元连接所述采集线，所述切换单元包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
所述第二晶体管的第一极、所述第四晶体管的第一极和所述采集线连接，所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极、第七晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第三晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述第四晶体管的第二极、第五晶体管的第一极和所述比较单元连接；
所述第五晶体管的第二极和所述复位单元连接；
所述第六晶体管的第一极、所述第七晶体管的第二极和所述比较单元连接，所述第六晶体管的第二极和所述比较单元连接；
所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用N型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管采用P型晶体管；或者，
所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管采用P型晶体管，所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管采用N型晶体管；
所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述第七晶体管的栅极连接第二控制线；
所述步骤S11包括：所述第二控制线输入控制信号，将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管开启；同时将所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管关闭；
所述复位单元包括第八晶体管和第九晶体管，所述第八晶体管的第一极、所述第九晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极连接；
所述第八晶体管的第二极连接第一信号线，所述第九晶体管的第二极连接第二信号线；
所述第九晶体管采用N型晶体管，所述第八晶体管采用P型晶体管；或者，所述第九晶体管采用P型晶体管，所述第八晶体管采用N型晶体管；
所述第八晶体管和所述第九晶体管的栅极连接第三控制线；
当检测所述驱动管的阈值电压时，所述步骤S12包括：所述第三控制线输入控制信号，将所述第八晶体管开启，同时将所述第九晶体管关闭，所述第一信号线输入低电压信号并将所述采集线上的信号复位为所述低电压信号；
当检测所述发光元件的工作电压时，所述步骤S12包括：所述第三控制线输入控制信号，将所述第九晶体管开启，同时将所述第八晶体管关闭，所述第二信号线输入高电压信号并将所述采集线上的信号复位为所述高电压信号；
所述检测电路还包括电容校准单元，所述电容校准单元包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管和校准电容；
所述第十晶体管的第一极、所述第十一晶体管的第一极和所述采集线连接；所述第十晶体管的第二极、所述校准电容的第一极和所述第十二晶体管的第一极连接；所述校准电容的第二极接地；所述第十晶体管的栅极连接第四控制线；
所述第十一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极连接；所述第十一晶体管的栅极连接第五控制线；
所述第十二晶体管的第二极连接所述第二信号线；所述第十二晶体管的栅极连接第六控制线；
所述检测方法在所述步骤S11之前还包括步骤S10：对所述采集线的线电容进行校准；所述步骤S10包括：
步骤S100：所述第五控制线输入控制信号，将所述第十一晶体管开启；所述第二控制线输入控制信号，将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管开启；所述第三控制线输入控制信号，将所述第八晶体管开启，所述第一信号线输入低电压信号并将所述采集线上的信号复位为所述低电压信号；
同时，所述第六控制线输入控制信号，将所述第十二晶体管开启；所述第二信号线输入高电压信号并将所述校准电容上的信号复位为所述高电压信号；
步骤S101：将所述第十一晶体管和所述第十二晶体管关闭；所述第四控制线输入控制信号，将所述第十晶体管开启；所述校准电容与所述采集线的线电容进行电荷分享。
10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，所述像素电路还包括第十三晶体管和存储电容，所述第十三晶体管的第一极连接数据线，所述第十三晶体管的第二极连接所述存储电容的第一极和所述驱动管的栅极，所述第十三晶体管的栅极连接扫描控制线；所述驱动管的第一极连接第一电源，所述发光元件的第二极连接第二电源；
所述存储电容的第二极连接所述驱动管的第二极、所述发光元件的第一极和所述第一晶体管的第一极，所述第一晶体管的第二极连接所述采集线，所述第一晶体管的栅极连接第一控制线；
当检测所述驱动管的阈值电压时，所述步骤S13包括：
步骤S130：所述扫描控制线输入控制信号，将所述第十三晶体管开启，所述数据线写入第一电压信号，使所述存储电容两端的电压差大于所述驱动管的阈值电压；
步骤S131：所述扫描控制线输入控制信号，将所述第十三晶体管关闭，所述第一控制线控制所述第一晶体管开启，使所述驱动管的电流对所述采集线的线电容充电；
步骤S132：充电至所述采集线上的电压为所述驱动管的阈值电压时，将所述第十三晶体管开启，所述数据线写入第二电压信号，将所述驱动管关闭；
当检测所述发光元件的工作电压时，所述步骤S13包括：
步骤S130＇：所述扫描控制线输入控制信号，将所述第十三晶体管开启，所述数据线写入所述第二电压信号，将所述驱动管关闭；
步骤S131＇：所述第一控制线控制所述第一晶体管开启，所述采集线上存储的电荷通过所述发光元件放电；
步骤S132＇：放电至所述采集线上的电压为所述发光元件的工作电压时，将所述第一晶体管关闭。
11.根据权利要求10所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S14包括：所述第二控制线输入控制信号，将所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述第六晶体管开启；同时将所述第二晶体管、所述第五晶体管和所述第七晶体管关闭。
12.根据权利要求11所述的检测方法，其特征在于，
所述比较单元包括比较放大器、斜坡电压发生模块和输出模块；
所述比较放大器的第一输入端连接所述第四晶体管的第二极和第五晶体管的第一极，所述比较放大器的第二输入端连接所述第六晶体管的第一极和所述第七晶体管的第二极，所述比较放大器的输出端连接所述第二晶体管的第二极、所述第三晶体管的第一极和所述第七晶体管的第一极；
所述斜坡电压发生模块的输出端连接所述第六晶体管的第二极，所述斜坡电压发生模块的输入端连接第三信号线；
所述输出模块的输入端连接所述第三晶体管的第二极；
所述输出模块包括逻辑控制器和计数器，所述逻辑控制器的输入端连接所述第三晶体管的第二极，所述逻辑控制器的控制端连接所述计数器；
当检测所述驱动管的阈值电压时，所述步骤S15包括：
步骤S150：所述斜坡电压发生模块产生并输出所述标准信号，所述标准信号为斜坡电压信号；所述比较放大器将所述采集线上的所述驱动管的阈值电压与所述斜坡电压发生模块输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；
步骤S151：当所述比较放大器输出的比较结果发生变化时，所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值，并输出该计数值；所述计数值表征所述驱动管的阈值电压；
当检测所述发光元件的工作电压时，所述步骤S15包括：
步骤S150＇：所述斜坡电压发生模块产生并输出所述标准信号，所述标准信号为斜坡电压信号；所述比较放大器将所述采集线上的所述发光元件的工作电压与所述斜坡电压发生模块输出的斜坡电压进行比较，并输出比较结果；
步骤S151＇：当所述比较放大器输出的比较结果发生变化时，所述逻辑控制器记录所述比较结果发生变化时所对应的所述计数器的计数值，并输出该计数值；所述计数值表征所述发光元件的工作电压。
13.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述斜坡电压发生模块包括第一放大器、第二放大器、电流源、第一电容和控制开关；
所述第一放大器的正输入端连接所述第三信号线，所述第一放大器的负输入端、所述第一放大器的输出端、所述控制开关的第一端和所述第一电容的第一端连接；
所述第二放大器的正输入端、所述第一电容的第二端、所述控制开关的第二端和所述电流源的输出端连接；所述第二放大器的负输入端和所述第二放大器的输出端连接；所述第二放大器的输出端连接所述第六晶体管的第二极；
所述斜坡电压发生模块还包括校准电压源，所述校准电压源的正极连接所述第二放大器的正输入端，所述校准电压源的负极连接所述第二放大器的负输入端；
所述检测方法还包括：在所述步骤S10之前，对所述斜坡电压发生模块中所述第一放大器和所述第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差进行校准；具体包括：
将所述控制开关闭合，所述电流源不对所述第一电容进行充电，所述第三信号线输入第三电压信号；改变所述校准电压源的电压值，当所述第二放大器的输出电压由高电压变为低电压或由低电压变为高电压时，自动校准所述第一放大器和所述第二放大器的正输入端和负输入端之间的电压偏差。
14.一种驱动系统，用于对像素电路进行驱动，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的检测电路。
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