CN110097840A - 像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置。该像素电路包括驱动晶体管，该像素电路的检测方法包括：在第一充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断第一感测电压是否等于第一参考感测电压；在第二充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第二数据电压，在施加第二数据电压后的第二时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第二感测电压，并判断第二感测电压是否等于第二参考感测电压。该检测方法可以在开机状态实现像素电路的补偿检测，进而提升补偿效果和亮度均匀度。

Description

像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置
技术领域
本公开的实施例涉及一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示面板由于具有视角宽、对比度高、响应速度快以及相比于无机发光显示器件的更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势而逐渐受到人们的广泛关注。由于上述特点，有机发光二极管(OLED)显示面板可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述检测方法包括：在第一充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断所述第一感测电压是否等于第一参考感测电压；在第二充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二数据电压，在施加所述第二数据电压后的第二时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第二感测电压，并判断所述第二感测电压是否等于第二参考感测电压。如果所述第一感测电压等于所述第一参考感测电压，所述第二感测电压等于所述第二参考感测电压，则根据所述第一数据电压和所述第二数据电压并根据第一公式：K＝(Vd1-Vd2)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前电流系数；根据第二公式：Vth＝(Vd2*L11/2–Vd1*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。K表示所述驱动晶体管的当前电流系数，Vth表示所述驱动晶体管的当前阈值电压，Vd1表示所述第一数据电压，Vd2表示所述第二数据电压，L1表示第一亮度值，L2表示第二亮度值，所述第一亮度值和所述第二亮度值均是指定的归一化的亮度值。
例如，本公开一实施例提供的检测方法还包括：在第一参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压，在施加所述第一参考数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第一参考感测电压；在第二参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二参考数据电压，在施加所述第二参考数据电压后的所述第二时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第二参考感测电压。由第三公式：Vdr1＝Kr*L11 /2+Vthr，获得所述第一参考数据电压，由第四公式：Vdr2＝Kr*L21/2+Vthr，获得所述第二参考数据电压。Vdr1表示所述第一参考数据电压，Vdr2表示所述第二参考数据电压，Kr表示所述驱动晶体管的参考电流系数，Vthr表示所述驱动晶体管的参考阈值电压。
例如，本公开一实施例提供的检测方法还包括：在所述第一感测电压不等于所述第一参考感测电压的情况下，在第三充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第三数据电压，在施加所述第三数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第三感测电压。选择所述第三数据电压以使得所述第三感测电压与所述第一参考感测电压之间的差值小于所述第一感测电压与所述第一参考感测电压之间的差值。
例如，本公开一实施例提供的检测方法还包括：在所述第二感测电压不等于所述第二参考感测电压的情况下，在第四充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第四数据电压，在施加所述第四数据电压后的所述第二时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第四感测电压。选择所述第四数据电压以使得所述第四感测电压与所述第二参考感测电压之间的差值小于所述第二感测电压与所述第一参考感测电压之间的差值。
例如，在本公开一实施例提供的检测方法中，在所述第一感测电压小于所述第一参考感测电压的情况下，使得所述第三数据电压大于所述第一数据电压的取值；在所述第一感测电压大于所述第一参考感测电压的情况下，使得所述第三数据电压小于所述第一数据电压的取值。
例如，在本公开一实施例提供的检测方法中，在所述第二感测电压小于所述第二参考感测电压的情况下，使得所述第四数据电压大于所述第二数据电压的取值；在所述第二感测电压大于所述第二参考感测电压的情况下，使得所述第四数据电压小于所述第二数据电压的取值。
例如，本公开一实施例提供的检测方法还包括：在所述第三感测电压仍然不等于所述第一参考感测电压的情况下，则重复进行所述第三充电周期，直至所述第三感测电压等于所述第一参考感测电压；在所述第四感测电压仍然不等于所述第二参考感测电压的情况下，则重复进行所述第四充电周期，直至所述第四感测电压等于所述第二参考感测电压；以及根据所述第三数据电压和所述第四数据电压并根据第五公式：K＝(Vd3–Vd4)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前电流系数；根据第六公式：Vth＝(Vd4*L11/2–Vd3*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。Vd3表示所述第三数据电压，Vd4表示所述第四数据电压。
例如，本公开一实施例提供的检测方法还包括获取所述参考阈值电压和所述参考电流系数。所述获取所述参考阈值电压包括：在关机状态的关机充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加关机数据电压且在所述驱动晶体管截止之后，在所述驱动晶体管的第一极获取关机感测电压；所述驱动晶体管的参考阈值电压等于所述关机数据电压与所述关机感测电压的差值。所述获取所述参考电流系数包括：使所述像素电路的归一化的亮度值达到最大值1，获取此时施加在所述驱动晶体管的栅极上的数据电压Vmax，然后根据第七公式：Vmax＝Kr+Vthr，获取所述参考电流系数。
例如，在本公开一实施例提供的检测方法中，所述关机充电周期与所述第一参考充电周期相同，且所述关机数据电压与所述第一参考数据电压相等。或者，所述关机充电周期与所述第二参考充电周期相同，且所述关机数据电压与所述第二参考数据电压相等。
例如，在本公开一实施例提供的检测方法中，所述第一充电周期、所述第二充电周期、所述第三充电周期和所述第四充电周期位于显示周期之间。
例如，在本公开一实施例提供的检测方法中，所述第一时长与所述第二时长相同。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括像素电路，所述驱动方法包括：对所述像素电路执行本公开的实施例提供的任一项像素电路的检测方法，以用于获得所述像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压和当前电流系数。
例如，本公开一实施例提供的驱动方法还包括：根据获得的所述当前阈值电压和所述当前电流系数并根据第八公式：Vc＝K*L1/2+Vth，建立所述像素电路的补偿数据电压。Vc表示所述补偿数据电压，K表示所述当前电流系数，Vth表示所述当前阈值电压，L表示所述像素电路要显示的归一化的亮度值。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括像素电路和控制电路。所述像素电路包括驱动晶体管；所述控制电路配置为执行本公开的实施例提供的像素电路的检测方法。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述控制电路还配置为执行：在第一参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压，在施加所述第一参考数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第一参考感测电压；在第二参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二参考数据电压，在施加所述第二参考数据电压后的所述第二时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第二参考感测电压。由第三公式：Vdr1＝Kr*L11/2+Vthr，获得所述第一参考数据电压，由第四公式：Vdr2＝Kr*L21/2+Vthr，获得所述第二参考数据电压。Vdr1表示所述第一参考数据电压，Vdr2表示所述第二参考数据电压，Kr表示所述驱动晶体管的参考电流系数，Vthr表示所述驱动晶体管的参考阈值电压。
例如，本公开一实施例提供的显示装置还包括数据驱动电路和检测电路。所述数据驱动电路配置为输出所述第一参考数据电压、所述第二参考数据电压、所述第一数据电压和所述第二数据电压。所述像素电路还配置为接收所述第一参考数据电压、所述第二参考数据电压、所述第一数据电压和所述第二数据电压，并施加至所述驱动晶体管的栅极。所述检测电路配置为从所述驱动晶体管的第一极读取所述第一参考感测电压、所述第二参考感测电压、所述第一感测电压和所述第二感测电压。所述控制电路还配置为控制所述数据驱动电路和所述检测电路。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括发光元件和感测开关晶体管。所述驱动晶体管的第二极和第一极配置为分别连接至第一电源电压端以及所述发光元件的第一极，所述发光元件的第二极连接到第二电源电压端，所述感测开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接，且所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括感测线，所述感测线将所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述像素电路还包括数据写入晶体管与存储电容。所述数据写入晶体管配置为从所述数据驱动电路获取数据电压，向所述驱动晶体管的栅极写入所述数据电压，所述存储电容存储所述数据电压。
例如，在本公开一实施例提供的显示装置中，所述控制电路包括处理器和存储介质，所述存储介质配置为存储有可适于所述处理器执行的计算机指令，且所述计算机指令被所述处理器执行时实施所述检测方法。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为一种像素电路的示意图；
图1B为另一种像素电路的示意图；
图1C为再一种像素电路的示意图；
图1D为一种感测电压随时间变化的曲线图；
图2A为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，第一充电周期和第二充电周期中的感测电压随时间变化的曲线图；
图2B为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，在第一时长和第二时长相同时第一充电周期和第二充电周期中的感测电压随时间变化的曲线图；
图2C为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，第一参考充电周期和第二参考充电周期中的感测电压随时间变化的曲线图；
图3A为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，第一充电周期、第三充电周期和第一参考充电周期中的感测电压随时间变化的曲线图；
图3B为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，第二充电周期、第四充电周期和第二参考充电周期中的感测电压随时间变化的曲线图；
图4A为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，在重复进行多次第三充电周期时感测电压随时间变化的曲线图；
图4B为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，在重复进行多次第四充电周期时感测电压随时间变化的曲线图；
图5A为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，关机充电周期中的感测电压随时间变化的曲线图；
图5B为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，在关机充电周期与第一参考充电周期相同时感测电压随时间变化的曲线图；
图5C为在本公开的实施例提供的像素电路的检测方法中，在关机充电周期与第二参考充电周期相同时感测电压随时间变化的曲线图；
图6A为本公开的实施例提供的一种像素电路的示意图；
图6B为本公开的实施例提供的另一种像素电路的示意图；
图7为本公开的实施例提供的显示面板的驱动方法的示意性流程图；
图8为本公开的实施例提供的显示装置的一种示例性的结构图；以及
图9为本公开的实施例提供的显示装置中的一种控制电路的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
OLED显示装置中的像素电路一般采用矩阵驱动方式，根据每个像素单元中是否引入开关元器件分为有源矩阵(Active Matrix)驱动和无源矩阵(Passive Matrix)驱动。AMOLED在每一个像素的像素电路中都集成了一组薄膜晶体管和存储电容，通过对薄膜晶体管和存储电容的驱动控制，实现对流过OLED的电流的控制，从而使OLED根据需要发光。
AMOLED显示装置中使用的基础像素电路通常为2T1C像素电路，即利用两个薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)和一个存储电容Cst来实现驱动OLED发光的功能。图1A和图1B分别为示出了两种2T1C像素电路的示意图。
如图1A所示，一种2T1C像素电路包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cst。例如，该开关晶体管T0的栅极连接扫描线以接收扫描信号Scan1；例如，该开关晶体管T0的源极连接到数据线以接收数据信号Vdata；该开关晶体管T0的漏极连接到驱动晶体管N0的栅极；驱动晶体管N0的源极连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，驱动晶体管N0的漏极连接到OLED的正极端；存储电容Cst的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第一电压端；OLED的负极端连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。该2T1C像素电路的驱动方式是通过两个TFT和存储电容Cst来控制像素的明暗(灰阶)。当通过扫描线施加扫描信号Scan1以开启开关晶体管T0时，数据驱动电路通过数据线输入的数据信号Vdata可以通过开关晶体管T0对存储电容Cst充电，由此可以将数据信号Vdata存储在存储电容Cst中，且此存储的数据信号Vdata可以控制驱动晶体管N0的导通程度，由此可以控制流过驱动晶体管N0以驱动OLED发光的电流大小，即此电流决定该像素发光的灰阶。在图1A所示的2T1C像素电路中，开关晶体管T0为N型晶体管而驱动晶体管N0为P型晶体管。
如图1B所示，另一种2T1C像素电路也包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cst，但是其连接方式略有改变，且驱动晶体管N0为N型晶体管。图1B的像素电路相对于图1A的变化之处包括：OLED的正极端连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，而负极端连接到驱动晶体管N0的漏极，驱动晶体管N0的源极连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。存储电容Cst的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第二电压端。该2T1C像素电路的工作方式与图1A所示的像素电路基本相同，这里不再赘述。
此外，对于图1A和图1B所示的像素电路，开关晶体管T0不限于N型晶体管，也可以为P型晶体管，只需要控制扫描信号Scan1进行相应地改变即可。
OLED显示装置通常包括多个按阵列排布的像素单元，每个像素单元例如可以包括上述像素电路。在像素电路进行显示时，像素电路中的驱动晶体管N0处于饱和状态下的输出电流IOLED可以通过如下公式得到：
IOLED＝1/2*K(Vg-Vs-Vth)2
这里，K＝W/L*C*μ，W/L为驱动晶体管N0的沟道的宽长比(即，宽度与长度的比值)，μ为电子迁移率，C为单位面积的电容，Vg为驱动晶体管N0栅极的电压，Vs为驱动晶体管N0源极的电压，Vth为驱动晶体管N0的阈值电压。需要说明的是，在本公开的实施例中，将K称为像素电路中的驱动晶体管的电流系数，以下各实施例与此相同，不再赘述。
各个像素电路中的驱动晶体管的阈值电压Vth由于制备工艺可能存在差异，而且由于例如温度变化的影响，驱动晶体管的阈值电压Vth可能会产生漂移现象。同时，驱动晶体管的电流系数K随着时间也会发生老化现象。因此，各个驱动晶体管的阈值电压Vth以及电流系数K的不同以及老化可能会导致显示不良(例如显示不均匀)，所以就需要对阈值电压Vth以及电流系数K进行补偿。
例如，在经由开关晶体管T0向驱动晶体管N0的栅极施加数据信号(例如，数据电压)Vdata之后，数据信号Vdata可以对存储电容Cst充电，而且由于数据信号Vdata可以使得驱动晶体管N0导通，则与存储电容Cst的一端电连接的驱动晶体管N0的源极或漏极的电压Vs可能相应地改变。
例如，图1C示出了一种可以检测驱动晶体管的阈值电压的像素电路(也即，3T1C电路)，驱动晶体管N0为N型晶体管。例如，如图1C所示，为了实现补偿功能，可以在2T1C电路的基础上引入感测晶体管S0，也即，可以将感测晶体管S0的第一端连接到驱动晶体管N0的源极，感测晶体管S0的第二端经由感测线与检测电路(未示出)连接。由此当驱动晶体管N0导通之后，可以经由感测晶体管S0对检测电路充电，使得驱动晶体管N0的源极电位改变。当驱动晶体管N0的源极的电压Vs等于驱动晶体管N0的栅极电压Vg与驱动晶体管的阈值电压Vth的差值时，驱动晶体管N0截止。此时，可以在驱动晶体管N0截止后，再经由导通的感测晶体管S0从驱动晶体管N0的源极获取感测电压(也即，驱动晶体管N0截止后的源极的电压Vb)。在获取驱动晶体管N0截止后的源极的电压Vb之后，则可以获取驱动晶体管的阈值电压Vth＝Vdata-Vb，由此可以基于每个像素电路中驱动晶体管的阈值电压针对每个像素电路建立(也即，确定)补偿数据，进而可以实现显示面板各个子像素的阈值电压补偿功能。
例如，图1D示出了一种经由导通的感测晶体管S0从驱动晶体管N0的源极获取的感测电压随时间变化的曲线图。发明人注意到，施加数据信号Vdata之后，在经由感测线对检测电路充电的过程中，随着对存储电容Cst等的充电时间的增加，充电速度将相应地降低(也即，感测电压增加的速度降低)(参见图1D)，这是因为充电电流将随着感测电压(也即，驱动晶体管N0的源极的电压Vs)的增加而降低。具体地，驱动晶体管N0处于饱和状态下输出电流IOLED可以通过如下公式得到：
IOLED＝1/2*K(Vg-Vs-Vth)2
＝1/2*K(Vdata-Vs-Vth)2
＝1/2*K((Vdata-Vth)-Vs)2。
这里，K＝W/L*C*μ，W/L为驱动晶体管N0的沟道的宽长比(即，宽度与长度的比值)，μ为电子迁移率，C为单位面积的电容。
在驱动晶体管N0的源极的电压Vs增加至Vdata-Vth的过程中，随着Vs的增加，[(Vdata-Vth)-Vs]的值将不断降低，对应地，驱动晶体管N0输出的电流IOLED以及充电速度也将随之不断降低，因此，从充电起始到驱动晶体管N0截止所需的时间Ts较长，因此通常需要在显示面板结束正常显示之后的关机过程中进行检测，而无法在开机期间(例如，显示过程中相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管N0的阈值电压的检测，无法实现实时监测以及补偿，由此会降低显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
本公开至少一实施例提供一种像素电路的检测方法，该检测方法可以在开机期间实现像素电路的阈值电压和电流系数的检测，进而可以提升补偿效果和亮度均匀度。本公开至少一实施例还提供对应于上述检测方法的显示面板的驱动方法和显示装置。
下面结合附图对本公开的实施例进行详细说明。
本公开的一个实施例提供一种像素电路的检测方法，该像素电路的检测方法可以用于检测像素电路中的驱动晶体管的当前阈值电压Vth和当前电流系数K。例如，下面将结合图2A-图2C对本实施例提供的像素电路的检测方法做具体说明。
例如，像素电路可以包括驱动晶体管(例如，图6A或图6B中的驱动晶体管T3)。例如，向驱动晶体管的施加的栅极电压记为DATA。例如，像素电路的检测方法可以包括如下操作。
步骤S110：在第一充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压Vd1，在施加第一数据电压Vd1后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压Vs1，并判断第一感测电压Vs1是否等于第一参考感测电压Vsr1；
步骤S120：在第二充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第二数据电压Vd2，在施加第二数据电压Vd2后的第二时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第二感测电压Vs2，并判断第二感测电压Vs2是否等于第二参考感测电压Vsr2；以及
步骤S130：如果第一感测电压Vs1等于第一参考感测电压Vsr1，第二感测电压Vs2等于第二参考感测电压Vsr2，则根据第一数据电压Vd1和第二数据电压Vd2并根据第一公式：K＝(Vd1-Vd2)/(L11/2–L21/2)，获取驱动晶体管的当前电流系数K；根据第二公式：Vth＝(Vd2*L11/2–Vd1*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取驱动晶体管的当前阈值电压Vth。
上述公式中，K表示驱动晶体管的当前电流系数，Vth表示驱动晶体管的当前阈值电压，Vd1表示第一数据电压，Vd2表示第二数据电压，L1表示第一亮度值，L2表示第二亮度值，第一亮度值和第二亮度值均是指定的归一化的亮度值。
例如，图2A示出了第一充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压(也即，感测电压)随时间变化的曲线图C1和第二充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压(也即，感测电压)随时间变化的曲线图C2。
如图2A所示，在步骤S110中，例如在第一充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压Vd1，然后在施加第一数据电压Vd1后的第一时长(也即，t1-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压Vs1，并判断第一感测电压Vs1是否等于第一参考感测电压Vsr1。
如图2A所示，在步骤S120中，例如在第二充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第二数据电压Vd2，然后在施加第一数据电压Vd2后的第二时长(也即，t2-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第二感测电压Vs2，并判断第二感测电压Vs2是否等于第二参考感测电压Vsr2。
在步骤S130中，如果在步骤S110中判断第一感测电压Vs1等于第一参考感测电压Vsr1，且在步骤S120中判断第二感测电压Vs2等于第二参考感测电压Vsr2，则可以根据第一数据电压Vd1和第二数据电压Vd2并根据第一公式：K＝(Vd1-Vd2)/(L11/2–L21/2)，获取驱动晶体管的当前电流系数K；以及根据第二公式：Vth＝(Vd2*L11/2–Vd1*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取驱动晶体管的当前阈值电压Vth。
需要说明的是，在图2A中是以第二数据电压Vd2大于第一数据电压Vd1为例进行示意的，本公开的实施例包括但不限于此，例如第二数据电压Vd2还可以小于第一数据电压Vd1。
另外，需要说明的是，在本公开的实施例中，第一亮度值L1和第二亮度值L2均是指定的(即，预定的)归一化的亮度值，例如以最大数据电压对应的最大亮度值为1进行归一化。
例如，在第一公式和第二公式中，可以使得第一亮度值L1＝1/4，第二亮度值L2＝1。本公开的实施例对L1和L2的取值不作限定，例如还可以使得L1＝1/9，L2＝1/4；或者L1＝1/9，L2＝1等。另外，在第一数据电压Vd1大于第二数据电压Vd2的情况下，还可以使得L1＝1，L2＝1/4；或者L1＝1/4，L2＝1/9；又或者L1＝1，L2＝1/9等。
另外，需要说明的是，在本公开的实施例中，第一时长(t1-t0)与第二时长(t2-t0)可以设置为不同，例如如图2A中所示，本公开的实施例包括但不限于此，例如如图2B所示，第一时长(t1-t0)与第二时长(t2-t0)还可以设置为相同。
例如，向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压Vd1或第二数据电压Vd2是指经由像素电路的数据线(例如，图6A或图6B中的数据线Vdat)提供的数据电压为第一数据电压Vd1或第二数据电压Vd2。这里，驱动晶体管的第一极是指与感测开关晶体管T2电连接的一极，其根据具体的像素电路设计可以是源极或漏极。
在本公开的实施例中，在第一充电周期中获取第一感测电压Vs1并判断第一感测电压Vs1是否等于第一参考感测电压Vsr1；在第二充电周期中获取第二感测电压Vs2并判断第二感测电压Vs2是否等于第二参考感测电压Vsr2；如果第一感测电压Vs1等于第一参考感测电压Vsr1、第二感测电压Vs2等于第二参考感测电压Vsr2，则可以根据第一公式和第二公式分别获取驱动晶体管的当前电流系数K和当前阈值电压Vth，从而完成像素电路的补偿检测，可以提升使用该像素电路的检测方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
在本公开的实施例中，例如，第一感测电压Vs1等于第一参考感测电压Vsr1可以指第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1完全相等，由此可以使得针对每个像素电路建立的补偿数据更精确；又例如，第一感测电压Vs1等于第一参考感测电压Vsr1还可以指第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1的差值小于一定的数值(例如，小于第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1的平均值的1％)，由此可以缩短像素电路检测的时间。关于第二感测电压Vs2等于第二参考感测电压Vsr2的描述与此相同，不再赘述。
例如，如图2C所示，本公开的实施例提供的检测方法还可以包括如下操作。
步骤S210：在第一参考充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压Vdr1，在施加第一参考数据电压Vdr1后的第一时长，在驱动晶体管的第一极获取第一参考感测电压Vsr1；
步骤S220：在第二参考充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第二参考数据电压Vdr2，在施加第二参考数据电压Vdr2后的第二时长，在驱动晶体管的第一极获取第二参考感测电压Vsr2；以及
步骤S230：由第三公式：Vdr1＝Kr*L11/2+Vthr，获得第一参考数据电压Vdr1，由第四公式：Vdr2＝Kr*L21/2+Vthr，获得第二参考数据电压Vdr2。
Vdr1表示第一参考数据电压，Vdr2表示第二参考数据电压，Kr表示驱动晶体管的参考电流系数，Vthr表示驱动晶体管的参考阈值电压，L1表示第一亮度值，L2表示第二亮度值。
例如，图2C示出了第一参考充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图C1'和第二参考充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图C2'。
如图2C所示，在步骤S210中，例如在第一参考充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压Vdr1，然后在施加第一参考数据电压Vdr1后的第一时长(也即，t1-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第一参考感测电压Vsr1。
如图2C所示，在步骤S220中，例如在第二参考充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第二参考数据电压Vdr2，然后在施加第二参考数据电压Vdr2后的第二时长(也即，t2-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第二参考感测电压Vsr2。
需要说明的是，向驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压Vdr1或第二参考数据电压Vdr2是指经像素电路的数据线提供的电压为第一参考数据电压Vdr1或第二参考数据电压Vdr2。
例如，第一参考充电周期位于第一充电周期之前。例如，第一参考充电周期可以位于相应显示装置在关机过程中的关机状态，而第一充电周期可以位于第一参考充电周期之后相应显示装置的再次的开机期间，即相应显示装置开机之后的启动期间或正常显示期间；例如，第一参考充电周期还可以位于相应显示装置开机时的开机状态，即开机之后到正常显示之前的启动期间，第一充电周期可以位于第一参考充电周期之后的开机期间。例如，第一充电周期可以位于相应显示装置的正常显示的显示周期之间；该显示周期可以选择为各种适当的时间期间，在此不做具体限定。
关于第二参考充电周期与第二充电周期的关系，可以参照上述第一参考充电周期与第一充电周期的关系，这里不再赘述。
例如，如图3A所示，在第一感测电压Vs1不等于第一参考感测电压Vsr1的情况下，像素电路的检测方法还可以包括如下操作。
步骤S140：在第三充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第三数据电压Vd3，在施加第三数据电压Vd3后的第一时长，在驱动晶体管的第一极获取第三感测电压Vs3。
例如，图3A示出了在第一感测电压Vs1不等于第一参考感测电压Vsr1的情况下(例如，第一感测电压Vs1小于第一参考感测电压Vsr1)，第一参考充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图，第一充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图以及第三充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图。
例如，在第三充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第三数据电压Vd3，然后在施加第三数据电压Vd3后同样的第一时长(也即，t1-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第三感测电压Vs3。需要说明的是，向驱动晶体管的栅极施加第三数据电压Vd3是指经像素电路的数据线提供的数据电压为第三数据电压Vd3。
例如，如图3A所示，可以通过选择第三数据电压Vd3以使得第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值小于第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1之间的差值。需要说明的是，第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值是指第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值的绝对值|Vs3-Vsr1|；第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1之间的差值是指第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1之间的差值的绝对值|Vs1-Vsr1|。
例如，通过选择第三数据电压Vd3使得第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值小于第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1之间的差值的具体方法可以根据实际情况进行设定，本公开的实施例对此不作限定。
例如，可以采用下述方法使得第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值|Vs3-Vsr1|小于第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1之间的差值|Vs1-Vsr1|，也即，在第一感测电压Vs1小于第一参考感测电压Vsr1的情况下，使得第三数据电压Vd3大于第一数据电压Vd1的取值；在第一感测电压Vs1大于第一参考感测电压Vsr1的情况下，使得第三数据电压Vd3小于第一数据电压Vd1的取值。
例如，如图3A所示，鉴于对于同一个驱动晶体管而言，其在检测过程中的充电曲线形状基本相同，在第一感测电压Vs1小于第一参考感测电压Vsr1的情况下，在假设当前阈值电压Vth固定不变的情况下，可以通过增加数据电压来增大感测电压。因此，在第三充电周期中，可以通过使得第三数据电压Vd3大于第一数据电压Vd1来增大第三感测电压Vs3，进而可以使得第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值|Vs3-Vsr1|小于第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr1之间的差值|Vs1-Vsr1|。对应地，在第一感测电压Vs1大于第一参考感测电压Vsr1的情况下，可以使得第三数据电压Vd3小于第一数据电压Vd1的取值，以使得第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值|Vs3-Vsr1|小于第一感测电压Vs1与第一参考感测电压Vsr之间的差值|Vs1-Vsr1|。
例如，如图3B所示，在第二感测电压Vs2不等于第二参考感测电压Vsr2的情况下，像素电路的检测方法还可以包括如下操作。
步骤S150：在第四充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加第四数据电压Vd4，在施加第四数据电压Vd4后的第二时长，在驱动晶体管的第一极获取第四感测电压Vs4。
例如，图3B示出了在第二感测电压Vs2不等于第二参考感测电压Vsr2的情况下(例如，第二感测电压Vs2小于第二参考感测电压Vsr2)，第二参考充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图，第二充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图以及第四充电周期中的驱动晶体管的第一极的电压随时间变化的曲线图。
例如，在第四充电周期的起始时刻t0开始向驱动晶体管的栅极施加第四数据电压Vd4，然后在施加第四数据电压Vd4后同样的第二时长(也即，t2-t0)，在驱动晶体管的第一极获取第四感测电压Vs4。需要说明的是，向驱动晶体管的栅极施加第四数据电压Vd4是指经像素电路的数据线提供的数据电压为第四数据电压Vd4。
例如，如图3B所示，可以通过选择第四数据电压Vd4以使得第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值小于第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr2之间的差值。需要说明的是，第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值是指第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值的绝对值|Vs4-Vsr2|；第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr2之间的差值是指第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr2之间的差值的绝对值|Vs2-Vsr2|。
例如，通过选择第四数据电压Vd4使得第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值小于第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr2之间的差值的具体方法可以根据实际情况进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。
例如，可以采用下述方法使得第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值|Vs4-Vsr2|小于第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr2之间的差值|Vs2-Vsr2|，也即，在第二感测电压Vs2小于第二参考感测电压Vsr2的情况下，使得第四数据电压Vd4大于第二数据电压Vd2的取值；在第二感测电压Vs2大于第二参考感测电压Vsr2的情况下，使得第四数据电压Vd4小于第二数据电压Vd2的取值。
例如，如图3B所示，鉴于对于同一个驱动晶体管而言，其在检测过程中的充电曲线形状基本相同，在第二感测电压Vs2小于第二参考感测电压Vsr2的情况下，在假设当前阈值电压Vth固定不变的情况下，可以通过增加数据电压来增大感测电压。因此，在第四充电周期中，可以通过使得第四数据电压Vd4大于第二数据电压Vd2来增大第四感测电压Vs4，进而可以使得第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值|Vs4-Vsr2|小于第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr2之间的差值|Vs2-Vsr2|。对应地，在第二感测电压Vs2大于第二参考感测电压Vsr2的情况下，可以使得第四数据电压Vd4小于第二数据电压Vd2的取值，以使得第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值|Vs4-Vsr2|小于第二感测电压Vs2与第二参考感测电压Vsr之间的差值|Vs2-Vsr2|。
例如，在本公开的实施例中，第一充电周期和第三充电周期可以位于开机状态下的显示周期之间。例如，第三充电周期可以位于第一充电周期之后。例如，在第一充电周期位于显示第3帧图像和显示第4帧图像之间的情况下，第三充电周期可以位于显示第n帧图像和显示第n+1(n为大于3的整数)帧图像之间的时间间隙。
同样地，第二充电周期和第四充电周期可以位于开机状态下的显示周期之间。例如，第四充电周期可以位于第二充电周期之后。例如，在第二充电周期位于显示第3帧图像和显示第4帧图像之间的情况下，第四充电周期可以位于显示第n帧图像和显示第n+1(n为大于3的整数)帧图像之间的时间间隙，但本公开的实施例不限于此。
例如，本公开的实施例提供的检测方法还可以包括如下操作步骤。
步骤S160：在第三感测电压Vs3仍然不等于第一参考感测电压Vsr1的情况下，则重复进行第三充电周期，直至第三感测电压Vs3等于第一参考感测电压Vsr1；
步骤S170：在第四感测电压Vs4仍然不等于第二参考感测电压Vsr2的情况下，则重复进行第四充电周期，直至第四感测电压Vs4等于第二参考感测电压Vsr2；以及
步骤S180：根据第三数据电压Vd3和第四数据电压Vd4并根据第五公式：K＝(Vd3–Vd4)/(L11/2–L21/2)，获取驱动晶体管的当前电流系数；根据第六公式：Vth＝(Vd4*L11/2–Vd3*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取驱动晶体管的当前阈值电压。
例如，在步骤S160中，如图4A所示，可以采用逐次逼近法，不断调整施加的第三数据电压Vd3直到最终得到与第一参考感测电压Vsr1相等的感测电压。例如，重复进行第三充电周期是指在其它的第三充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加调整后的第三数据电压Vd3(例如，从Vd31调整到Vd32，从Vd32调整到Vd33......等)，并在施加第三数据电压Vd3后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取新的第三感测电压Vs3(例如，在第三数据电压Vd3分别为Vd31、Vd32和Vd33的情况下，第三感测电压Vs3分别为Vs31、Vs32和Vs33)，以不断减小第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1之间的差值|Vs3-Vsr1|(例如，|Vs3-Vsr1|由|Vs31-Vsr1|减小至|Vs32-Vsr1|，也即，使用逐次逼近的方法)，直至第三感测电压Vs3等于第一参考感测电压Vsr1(例如，Vs33＝Vsr1)。
例如，为了加快逐次逼近的速度，也即，使得重复进行第三充电周期的次数减少，可以基于第三感测电压Vs3与第一参考感测电压Vsr1的差值|Vs3-Vsr1|确定第三数据电压Vd3的变化量ΔVd3。例如，可以基于|Vs31-Vsr1|来确定ΔVd3＝Vd32-Vd31，进而可以获取调整后的第三数据电压Vd3(例如，Vd32)。
例如，在步骤S170中，如图4B所示，同样可以采用逐次逼近法，不断调整施加的第四数据电压Vd4直到最终得到与第二参考感测电压Vsr2相等的感测电压。例如，重复进行第四充电周期是指在其它的第四充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加调整后的第四数据电压Vd4(例如，从Vd41调整到Vd42，从Vd42调整到Vd43......等)，并在施加第四数据电压Vd4后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取新的第四感测电压Vs4(例如，在第四数据电压Vd4分别为Vd41、Vd42和Vd43的情况下，第四感测电压Vs4分别为Vs41、Vs42和Vs43)，以不断减小第四感测电压Vs4与第二参考感测电压Vsr2之间的差值|Vs4-Vsr2|(例如，|Vs4-Vsr2|由|Vs41-Vsr2|减小至|Vs42-Vsr2|，也即，使用逐次逼近的方法)，直至第四感测电压Vs4等于第二参考感测电压Vsr2(例如，Vs43＝Vsr2)。
例如，在本公开的实施例提供的检测方法中，还可以包括如下操作。
步骤S310：获取参考阈值电压Vthr和参考电流系数Kr。
驱动晶体管的参考阈值电压Vthr和参考电流系数Kr的获取方法可以根据实际情况进行设定，本公开的实施例对此不作限定。下面结合图5A-图5C对参考阈值电压Vthr以及参考电流系数Kr的获取方法做示例性说明。
例如，如图5A所示，获取参考阈值电压Vthr可以包括如下操作。
步骤S301：在关机状态的关机充电周期中，向驱动晶体管的栅极施加关机数据电压Vdc且在驱动晶体管截止之后(例如在5A中的t3时刻)，在驱动晶体管的第一极获取关机感测电压Vb。因此，驱动晶体管的参考阈值电压Vthr等于关机数据电压Vdc与关机感测电压Vb的差值，即Vthr＝Vdc-Vb。
例如，获取参考电流系数Kr可以包括如下操作。
步骤S302：使像素电路的归一化的亮度值达到最大值1，获取此时施加在驱动晶体管的栅极上的数据电压Vmax，然后根据第七公式：Vmax＝Kr+Vthr，以及上述获取的参考阈值电压Vthr获取参考电流系数Kr，即Kr＝Vmax-Vthr。
例如，在一些实施例中，可以使得关机充电周期与第一参考充电周期或者第二参考充电周期为不同的充电周期，由此可以仅保存获取的参考阈值电压Vthr。例如，关机数据电压Vdc与第一参考数据电压Vdr1或第二参考数据电压Vdr2可以不相等。
例如，如图5B所示，在一些实施例中，还可以使得关机充电周期与第一参考充电周期相同，即为同一个充电周期，此时，关机数据电压Vdc与第一参考数据电压Vdr1可以相等，由此可以简化像素电路的检测方法。
又例如，如图5C所示，在一些实施例中，还可以使得关机充电周期与第二参考充电周期相同，即为同一个充电周期，此时，关机数据电压Vdc与第二参考数据电压Vdr2可以相等，由此可以简化像素电路的检测方法。
在本公开的实施例中，通过对比第一参考感测电压Vsr1与施加第一数据电压Vd1后的第一时长获取的第一感测电压Vs1，以及对比第二参考感测电压Vsr2与施加第二数据电压Vd2后的第二时长获取的第二感测电压Vs2，在获取像素电路的当前阈值电压Vth的同时还可以获取像素电路的当前电流系数K，从而完成像素电路的补偿检测，可以提升使用该像素电路的检测方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
本公开的实施例提供的像素电路的检测方法可以用于检测图6A所示的像素电路中的驱动晶体管T3(N型驱动晶体管T3)的阈值电压和电流系数，但本公开的实施例不限于此；例如，本公开的实施例提供的像素电路的检测方法还可以用于检测图6B所示的像素电路中的驱动晶体管T3(P型驱动晶体管T3)的阈值电压和电流系数。例如，为清楚起见，下面将以图6A所示的像素电路为例对像素电路的具体结构做具体说明，但本公开的实施例对此不作限定。
例如，如图6A所示，像素电路包括驱动晶体管T3。例如，如图6A所示，像素电路还可以包括发光元件EL和感测开关晶体管T2。例如，发光元件EL可以为有机发光二极管，但本公开的实施例不限于此，例如还可以为量子点发光二极管(QLED)等。例如，驱动晶体管T3的第二极可以配置为连接至第一电源电压端VDD，以接收第一电源电压端VDD提供的第一电压，第一电压例如可以是恒定的正电压；驱动晶体管T3的第一极可以配置为连接至发光元件EL的第一极。发光元件EL的第二极连接到第二电源电压端VSS，第二电源电压端VSS例如可以提供恒定的电压，第二电源电压端VSS提供的电压例如可以小于第一电源电压端VDD提供的电压，第二电源电压端VSS例如可以接地，但本公开的实施例对此不作限定。
例如，如图6A所示，感测开关晶体管T2的第一极(源极)与驱动晶体管T3的第一极电连接。例如，如图6A所示，像素电路还可以包括感测线SEN，感测开关晶体管T2的第二极可以与感测线SEN电连接，该感测线SEN例如与检测电路(未示出)电连接。例如，如图6A所示，像素电路还可以包括数据写入晶体管T1与存储电容Cst，数据写入晶体管T1配置为向驱动晶体管T3的栅极写入数据信号(例如，第一数据电压、第二数据电压、第一参考数据电压和第二参考数据电压等)，存储电容Cst配置为存储数据信号。例如，像素电路还可以包括数据线Vdat，数据写入晶体管T1的第一极与数据线Vdat电连接。
本公开的至少一个实施例还提供一种显示面板的驱动方法。例如，显示面板可以包括像素电路，显示面板所包括的像素电路例如呈阵列排布。例如，显示面板所包括的像素电路可以为图6A或图6B所示的像素电路。例如，如图7所示，该驱动方法可以包括如下操作。
步骤S410：对像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，以用于获得像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth和当前电流系数K。
例如，像素电路的检测方法可以参见上述实施例中相应描述，在此不再赘述。
例如，如图7所示，本公开的实施例提供的显示面板的驱动方法还可以包括如下操作。
步骤S420：根据获得的当前阈值电压Vth和当前电流系数K并根据第八公式：Vc＝K*L1/2+Vth，建立像素电路的补偿数据电压Vc。
在第八公式中，Vc表示补偿数据电压，K表示当前电流系数，Vth表示当前阈值电压，L表示像素电路要显示的归一化的亮度值。
例如，在一个示例中，首先，可以逐行检测像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前电流系数，然后，在获取显示面板的所有像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前电流系数之后，可以针对每一个像素电路建立补偿数据电压，最后，基于所建立的补偿数据电压，对显示面板进行数据补偿，由此可以完成一个周期的数据补偿。
例如，首先可以对位于第一行的像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，并获取位于第一行的像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前电流系数；然后可以对位于第二行的像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，并获取位于第二行的像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前电流系数；接着，可以对显示面板的位于其它行的像素电路进行逐行检测，直至获取显示面板的所有像素电路的驱动晶体管T3的阈值电压和当前电流系数；最后，针对每一个像素电路建立补偿数据电压，并对显示面板进行数据补偿。
例如，在另一个示例中，还可以在检测获取一行像素电路的驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前电流系数之后，针对该行的每一个像素电路建立补偿数据电压，然后对位于该行的像素电路进行数据补偿。例如，首先可以针对第一行的像素电路执行检测、建立补偿数据电压以及进行数据补偿，然后可以针对第五行的像素电路进行检测、建立补偿数据电压以及进行数据补偿，接着，可以针对第二行的像素电路进行检测、建立补偿数据电压以及进行数据补偿，直至对显示面板中所有像素电路完成检测、建立补偿数据电压以及进行数据补偿，由此可以对显示面板实现一个周期的数据补偿。
需要说明的是，对于该显示面板的驱动方法的其它的必不可少的步骤可以参见常规的显示面板的驱动方法，这些是本领域的普通技术人员所应该理解的，在此不做赘述。
例如，本公开的实施例提供的显示面板的驱动方法可以在开机期间(例如，在相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管T3的当前阈值电压以及当前电流系数的检测，由此可以实现实时补偿，进而可以提升应用该驱动方法的显示面板的补偿效果以及亮度均匀度。
本公开的至少一个实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括像素电路和控制电路。像素电路可以为图6A或图6B所示的像素电路。例如，下面以显示装置中的像素电路实现为图6A示出的像素电路为例，对本公开的实施例提供的显示装置做具体说明，但本公开的实施例不限于此。
例如，图8示出了一种显示面板10的示意图。例如，如图8所示，该显示装置10包括像素电路110和控制电路120，像素电路110包括驱动晶体管T3。例如，控制电路120配置为执行本公开的实施例提供的像素电路的检测方法，即控制电路120可以配置为执行或部分执行上述实施例中的步骤S110、S120、S130、S140、S150、S160、S170、S180、S210、S220、S230、S310、S301以及S302等。
例如，如图8所示，显示装置10还可以包括数据驱动电路130、检测电路140和扫描驱动电路(图8未示出)。例如，控制电路120还可以配置为控制数据驱动电路130和检测电路140。
例如，数据驱动电路130配置为在不同的时刻输出第一参考数据电压、第二参考数据电压、第一数据电压、第二数据电压、第三数据电压以及第四数据电压等。扫描驱动电路输出用于数据写入晶体管T1以及感测晶体管T2的扫描信号，例如扫描驱动电路可以与写入晶体管T1的栅极G1以及感测晶体管T2的栅极G2连接以提供相应的扫描信号，从而控制数据写入晶体管T1以及感测晶体管T2的导通与截止。
例如，像素电路还配置为接收第一参考数据电压、第二参考数据电压、第一数据电压、第二数据电压、第三数据电压以及第四数据电压等，并施加至驱动晶体管T3的栅极。例如，检测电路140配置为从驱动晶体管T3的第一极读取第一参考感测电压、第二参考感测电压、第一感测电压、第二感测电压、第三感测电压以及第四感测电压等。
例如，数据驱动电路130还可以配置为提供关机数据电压，像素电路还可以配置为接收该关机数据电压并将该关机数据电压施加至驱动晶体管T3的栅极，检测电路140还可以配置为从驱动晶体管T3的第一极读取截止感测电压。
例如，像素电路还可以包括发光元件EL和感测开关晶体管T2，发光元件EL例如可以为有机发光二极管，但本公开的实施例不限于此，例如还可以为量子点发光二极管(QLED)等。例如，驱动晶体管T3的第二极和第一极可以配置为分别连接至第一电源电压端VDD以及发光元件EL的第一极，发光元件EL的第二极连接到第二电源电压端VSS。例如，感测开关晶体管T2的第一极与驱动晶体管T3的第一极电连接，且感测开关晶体管T2的第二极与检测电路140电连接。
例如，像素电路还可以包括感测线SEN，感测线SEN将述感测开关晶体管T2的第二极与检测电路140电连接。
例如，像素电路还可以包括数据写入晶体管T1与存储电容Cst，数据写入晶体管T1配置为从数据驱动电路130获取数据电压，并向驱动晶体管T3的栅极写入该数据电压，存储电容Cst存储该数据电压。例如，像素电路还可以包括数据线Vdat，数据写入晶体管T1的第一极连接到该数据线Vdat。
例如，如图9所示，控制电路120可以包括处理器121和存储介质122，存储介质122配置为存储有可适于处理器121执行的计算机指令，且计算机指令被处理器121执行时实施本公开的实施例提供的检测方法。
例如，该处理器121例如是中央处理单元(CPU)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其它形式的处理单元，例如，该处理器可以实现为通用处理器，并且也可以实现为单片机、微处理器、数字信号处理器、专用的图像处理芯片、或现场可编程逻辑阵列等。
例如，存储介质122可以包括易失性存储器和/或非易失性存储器，例如可以包括只读存储器(ROM)、硬盘、闪存等。相应地，该存储介质可以实现为一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，在所述计算机可读存储介质上可以存储一个或多个可执行代码(例如，计算机程序指令)。处理器可以运行所述程序指令，以执行本公开的实施例提供的检测方法，由此可以获取显示装置所包括的像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压以及当前电流系数，进而可以实现显示装置的数据补偿功能。例如，该存储介质还可以存储其他各种应用程序和各种数据，例如每个像素电路的参考阈值电压和/或参考电流系数，以及应用程序使用和/或产生的各种数据等。
例如，本公开的实施例提供的显示装置可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管的当前阈值电压以及当前电流系数的检测，由此在显示装置的开机期间可以进行实时检测以及实时补偿，进而可以提升显示装置的补偿效果以及亮度均匀度。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (20)

1.一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述检测方法包括：
在第一充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并判断所述第一感测电压是否等于第一参考感测电压；
在第二充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二数据电压，在施加所述第二数据电压后的第二时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第二感测电压，并判断所述第二感测电压是否等于第二参考感测电压；
其中，如果所述第一感测电压等于所述第一参考感测电压，所述第二感测电压等于所述第二参考感测电压，则根据所述第一数据电压和所述第二数据电压并根据第一公式：K＝(Vd1-Vd2)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前电流系数；根据第二公式：Vth＝(Vd2*L11/2–Vd1*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前阈值电压；
K表示所述驱动晶体管的当前电流系数，Vth表示所述驱动晶体管的当前阈值电压，Vd1表示所述第一数据电压，Vd2表示所述第二数据电压，L1表示第一亮度值，L2表示第二亮度值，所述第一亮度值和所述第二亮度值均是指定的归一化的亮度值。
2.根据权利要求1所述的检测方法，还包括：
在第一参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压，在施加所述第一参考数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第一参考感测电压；
在第二参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二参考数据电压，在施加所述第二参考数据电压后的所述第二时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第二参考感测电压；
其中，由第三公式：Vdr1＝Kr*L11/2+Vthr，获得所述第一参考数据电压，由第四公式：Vdr2＝Kr*L21/2+Vthr，获得所述第二参考数据电压；
Vdr1表示所述第一参考数据电压，Vdr2表示所述第二参考数据电压，Kr表示所述驱动晶体管的参考电流系数，Vthr表示所述驱动晶体管的参考阈值电压。
3.根据权利要求1所述的检测方法，还包括：
在所述第一感测电压不等于所述第一参考感测电压的情况下，在第三充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第三数据电压，在施加所述第三数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第三感测电压，
其中，选择所述第三数据电压以使得所述第三感测电压与所述第一参考感测电压之间的差值小于所述第一感测电压与所述第一参考感测电压之间的差值。
4.根据权利要求3所述的检测方法，还包括：
在所述第二感测电压不等于所述第二参考感测电压的情况下，在第四充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第四数据电压，在施加所述第四数据电压后的所述第二时长，在所述驱动晶体管的第一极获取第四感测电压，
其中，选择所述第四数据电压以使得所述第四感测电压与所述第二参考感测电压之间的差值小于所述第二感测电压与所述第一参考感测电压之间的差值。
5.根据权利要求3所述的检测方法，其中，
在所述第一感测电压小于所述第一参考感测电压的情况下，使得所述第三数据电压大于所述第一数据电压的取值；
在所述第一感测电压大于所述第一参考感测电压的情况下，使得所述第三数据电压小于所述第一数据电压的取值。
6.根据权利要求4所述的检测方法，其中，
在所述第二感测电压小于所述第二参考感测电压的情况下，使得所述第四数据电压大于所述第二数据电压的取值；
在所述第二感测电压大于所述第二参考感测电压的情况下，使得所述第四数据电压小于所述第二数据电压的取值。
7.根据权利要求4所述的检测方法，还包括：
在所述第三感测电压仍然不等于所述第一参考感测电压的情况下，则重复进行所述第三充电周期，直至所述第三感测电压等于所述第一参考感测电压；
在所述第四感测电压仍然不等于所述第二参考感测电压的情况下，则重复进行所述第四充电周期，直至所述第四感测电压等于所述第二参考感测电压；以及
根据所述第三数据电压和所述第四数据电压并根据第五公式：K＝(Vd3–Vd4)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前电流系数；根据第六公式：Vth＝(Vd4*L11/2–Vd3*L21/2)/(L11/2–L21/2)，获取所述驱动晶体管的当前阈值电压；
其中，Vd3表示所述第三数据电压，Vd4表示所述第四数据电压。
8.根据权利要求2所述的检测方法，还包括获取所述参考阈值电压和所述参考电流系数；其中，
所述获取所述参考阈值电压包括：
在关机状态的关机充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加关机数据电压且在所述驱动晶体管截止之后，在所述驱动晶体管的第一极获取关机感测电压；其中，所述驱动晶体管的参考阈值电压等于所述关机数据电压与所述关机感测电压的差值；
所述获取所述参考电流系数包括：
使所述像素电路的归一化的亮度值达到最大值1，获取此时施加在所述驱动晶体管的栅极上的数据电压Vmax，然后根据第七公式：Vmax＝Kr+Vthr，获取所述参考电流系数。
9.根据权利要求8所述的检测方法，其中，
所述关机充电周期与所述第一参考充电周期相同，且所述关机数据电压与所述第一参考数据电压相等；或者
所述关机充电周期与所述第二参考充电周期相同，且所述关机数据电压与所述第二参考数据电压相等。
10.根据权利要求4所述的检测方法，其中，所述第一充电周期、所述第二充电周期、所述第三充电周期和所述第四充电周期位于显示周期之间。
11.根据权利要求1-10任一项所述的检测方法，其中，所述第一时长与所述第二时长相同。
12.一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括像素电路，所述驱动方法包括：
对所述像素电路执行权利要求1-11任一项所述的像素电路的检测方法，以用于获得所述像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压和当前电流系数。
13.根据权利要求12所述的显示面板的驱动方法，还包括：
根据获得的所述当前阈值电压和所述当前电流系数并根据第八公式：Vc＝K*L1/2+Vth，建立所述像素电路的补偿数据电压；
其中，Vc表示所述补偿数据电压，K表示所述当前电流系数，Vth表示所述当前阈值电压，L表示所述像素电路要显示的归一化的亮度值。
14.一种显示装置，包括像素电路和控制电路，其中，
所述像素电路包括驱动晶体管；
所述控制电路配置为执行如权利要求1所述的检测方法。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述控制电路还配置为执行：
在第一参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第一参考数据电压，在施加所述第一参考数据电压后的所述第一时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第一参考感测电压；
在第二参考充电周期中，向所述驱动晶体管的栅极施加第二参考数据电压，在施加所述第二参考数据电压后的所述第二时长，在所述驱动晶体管的第一极获取所述第二参考感测电压；
其中，由第三公式：Vdr1＝Kr*L11/2+Vthr，获得所述第一参考数据电压，由第四公式：Vdr2＝Kr*L21/2+Vthr，获得所述第二参考数据电压；
Vdr1表示所述第一参考数据电压，Vdr2表示所述第二参考数据电压，Kr表示所述驱动晶体管的参考电流系数，Vthr表示所述驱动晶体管的参考阈值电压。
16.根据权利要求15所述的显示装置，还包括数据驱动电路和检测电路，其中，
所述数据驱动电路配置为输出所述第一参考数据电压、所述第二参考数据电压、所述第一数据电压和所述第二数据电压；
所述像素电路还配置为接收所述第一参考数据电压、所述第二参考数据电压、所述第一数据电压和所述第二数据电压，并施加至所述驱动晶体管的栅极；
所述检测电路配置为从所述驱动晶体管的第一极读取所述第一参考感测电压、所述第二参考感测电压、所述第一感测电压和所述第二感测电压；
所述控制电路还配置为控制所述数据驱动电路和所述检测电路。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括发光元件和感测开关晶体管，
所述驱动晶体管的第二极和第一极配置为分别连接至第一电源电压端以及所述发光元件的第一极，
所述发光元件的第二极连接到第二电源电压端，
所述感测开关晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极电连接，且所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括感测线，所述感测线将所述感测开关晶体管的第二极与所述检测电路电连接。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述像素电路还包括数据写入晶体管与存储电容，
所述数据写入晶体管配置为从所述数据驱动电路获取数据电压，向所述驱动晶体管的栅极写入所述数据电压，
所述存储电容存储所述数据电压。
20.根据权利要求14-19任一项所述的显示装置，其中，所述控制电路包括处理器和存储介质，
所述存储介质配置为存储有可适于所述处理器执行的计算机指令，且所述计算机指令被所述处理器执行时实施所述检测方法。
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