CN104619490A - 用于光伏组件的多层封装膜 - Google Patents

用于光伏组件的多层封装膜 Download PDF

Info

Publication number
CN104619490A
CN104619490A CN201380038237.2A CN201380038237A CN104619490A CN 104619490 A CN104619490 A CN 104619490A CN 201380038237 A CN201380038237 A CN 201380038237A CN 104619490 A CN104619490 A CN 104619490A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film
copolymer
polymer
polymeric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380038237.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104619490B (zh
Inventor
约翰威利·德克勒克
科恩·哈萨尔
克里斯托夫·普鲁斯特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fundant (changzhou) New Metal Materials Co
Original Assignee
Novopolymers NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from NL2008840A external-priority patent/NL2008840C2/en
Priority claimed from NL2008838A external-priority patent/NL2008838C2/en
Priority claimed from NL2008841A external-priority patent/NL2008841C2/en
Priority claimed from NL2008837A external-priority patent/NL2008837C2/en
Priority claimed from NL2008839A external-priority patent/NL2008839C2/en
Application filed by Novopolymers NV filed Critical Novopolymers NV
Publication of CN104619490A publication Critical patent/CN104619490A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104619490B publication Critical patent/CN104619490B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10651—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer comprising colorants, e.g. dyes or pigments
    • B32B17/10669—Luminescent agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10697—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer being cross-linked
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/1055—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer
    • B32B17/10788—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the resin layer, i.e. interlayer containing ethylene vinylacetate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/049—Protective back sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/073—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising only AIIBVI compound semiconductors, e.g. CdS/CdTe solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及一种用于光伏电池封装的多层膜，包括：(a)至少一个第一热塑性聚合物外层；(b)设置在第一层和第三层之间的第二热塑性聚合物中间层；以及(c)第二热塑性聚合物外层，其中层(a)、(b)或(c)中至少一个层是不透明的。

Description

用于光伏组件的多层封装膜
技术领域
本发明涉及一种用于光伏组件的多层封装膜、用于生产所述封装膜的方法，及其在光伏组件生产方法中的使用。
背景技术
光伏电池基于所使用的光吸收材料通常可分为两种类型，即基于块状或晶片状的光伏电池和薄膜光伏电池。通常将多个电池以一个特定的模式合并，并相互连接以建立单电源输出。
所述组件通常被封装在聚合材料的基体中。光伏电池通常包括人们所钟爱的半导体材料，半导体材料将入射光转换为电能。常用的材料包括单晶硅(c-Si)、多晶硅(poly-Si or mc-Si)，形成了较为传统的晶片状的光伏电池。
薄膜光伏电池是由包括非晶硅(a-Si)、微晶硅([mu]c-Si)、碲化镉(CdTe)、铜铟硒(CulnSe2或CIS)、铜铟/镓硒(CulnxGa(i-X)Se2或CIGS)、光吸收染料以及有机半导体的材料形成的。
基于晶片状光伏电池的光伏组件通常包括一系列被焊接在一起的自支撑式的晶片。该晶片通常具有180-240微米的厚度,通常被称为光伏电池层。该层通常进一步包括电气布线，例如连接各个电池单元的交叉焊带，以及连接到该电池的一端和脱离组件的另一端的母线。
光伏电池层通常被楔入聚合物封装层和外保护层之间以形成耐候性组件。受制于在户外应用，光伏组件必须持久地抵抗不同的天气状况，包括湿度和温度的变化，抵抗暴露于紫外线和其他辐射中，抵抗暴露于化学品和/或与户外暴露有关的(微)生物生长中，以及抵抗离子迁移和氧化。
通常，光伏电池组件包括，从光入射侧到背面侧，入射层或前板；前封装层；光伏电池层；后封装层，以及背层或背板。
前板的作用是保护光电池组件免受机械冲击和风化，同时允许光通过活性层。典型的前板是由玻璃板制成，通常低铁钢化玻璃的厚度为4毫米或3.2毫米，或由透明的聚合物如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制成，或由透明的多层复合材料制成。前板通常通过透明的封装物与光伏电池层连接，透明的封装物通常为可以充当热熔粘接剂的聚合物层。光伏电池层的背部通常与第二封装层连接，紧随后的是作为组件的背面保护层的后板。
前板和后板必须提供对抗湿度的阻隔性能；机械强度；耐切通性；对光伏电池及其连接件的良好的粘附性；耐候性和/或电绝缘性能。
当前光伏组件的层叠工艺包括使前板、封装膜、带有焊带和连接件的电池、背部封装物和背板成层，或将结合有多层后板的封装物的前板朝下放置，随后进入真空层压机，最后在转化加热下接合，由此光伏电池和焊带被牢固地嵌入在两个封装膜中，该封装膜在交联聚合物体系下将熔化和交联。
这个过程因此通常涉及至少三个不同的膜的处理，即前部和背部封装膜，还有背板膜。
封装膜的问题在于，含有EVA共聚物的膜在共挤出后由于退火而有收缩的倾向，导致在层压过程中光伏电池元件和前后板被加压。应用中令人惊奇地发现，使用一种具有较低收缩性能的不同的材料层可以有效地减少收缩，从而在层压工艺的加热步骤、在压力施加于层堆前维持膜的大小。此外，封装物中不同的聚合物作为独立层存在可以调整膜的性能，如增强阻隔性能。
目前申请人惊奇地发现，该工艺的复杂性能够通过减少废弃物的量以及删除附加的层叠步骤被显著改善，同时也不再需要溶剂型粘合剂，且同时能够改善该膜的阻隔性能。
发明内容
相应地，本发明涉及一种用于光伏电池封装的多层膜，其包括：(a)至少一个第一热塑性聚合物外层；(b)设置在第一层和第三层之间的第二热塑性聚合物中间层；以及(c)第二热塑性聚合物外层，其中(a)、(b)或(c)中至少一个是不透明的。
附图说明
以下附图用于说明本发明的优选实施例：
图1公开了本发明的第一个优选实施例。在此，本发明所公开的是多层膜(1)，包括第一透明封装层(11)和第二不透明或透明封装层(12)，第一透明封装层(11)粘附于第二不透明或透明封装层(12)，后者粘附于不透明或透明的膜(13)。12或13可以是不透明的，或者它们中的一个是不透明的，而另一个是透明的。
图2公开了本发明的第二个优选实施例。在此，本发明所公开的是多层膜(1)，包括第一透明封装层(11)，粘附于第二不透明封装层(12)，后者粘附于粘合促进层(13)，后者再粘附于膜(14)。
具体实施方式
在被用于光伏电池的生产时，所述第一层(a)是朝向上的，所述第三层(c)是朝向下的。
在此所用的术语“朝向上”是指将要被层压进光伏组件的所述膜的面向光入射侧的那一侧。
在此所用的术语“朝向下”相应地是指将要被层压进光伏组件的所述膜的面向光伏组件背部的那一侧。然而，根据本发明的膜或板，不需要通过向上的面朝向上的方式制备。
对此处所描述的被层压的膜中所使用的各个层的厚度没有特定的限制。
所述膜的总厚度优选在150-1000微米的范围内。所述封装膜(a)到(c)优选具有150-600微米的组合厚度。
所述一个或多个聚合物外层(a)优选具有50-250微米厚度。该层的厚度将被选择为足够厚以嵌入光伏电池和任何焊带，这在层压过程中呈现。
对于传统的具有焊带连接件的光伏电池，所述一个或多个外层的厚度优选为160-250微米，更优选为170-210微米。
所述一个或多个内层(b)的厚度优选为10-250微米。所述层(b)的厚度取决于所采用的聚合物材料以及光伏电池的功能和类型。
所述一个或多个外层(c)的厚度优选为50-250微米。所述层(c)的厚度通常与层(a)的厚度相似或相等。所述多层的厚度将被选择为足够厚以嵌入光伏电池和任何焊带，这在层压过程中呈现。
在一个优选的实施例中，层(a)和层(c)包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，而层(b)包括一种不同的聚合物，或者为含有不同组分的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，例如，含有较低含量的醋酸乙烯酯单体,或者为不同组分的一种或多种聚合物，例如,优选为聚烯烃，或嵌段共聚物。
在本实施例中，对背接触电池是特别有用的，层(a)和层(c)的厚度在50-150微米范围内，更优选在40-100微米的范围内。
在一个特别优选的实施例中，层(a)是透明的，并包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，具有的厚度为35-250微米；层(b)是透明的或不透明的，不包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，并且具有的厚度为15-150微米；层(c)是包括乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的透明层,或优选为不透明层，并具有35-250微米的厚度。
在一个优选实施例中，外层(a)和外层(c)包括EVA共聚物，以及内层(b)包括被回收的EVA共聚物材料。优选地三个层都可以是透明的。
层(b)和层(c)中的至少一层是白色颜料层充当一个漫反射器。在一个优选实施例中，层(b)可以是聚烯烃层，要么是白色颜料的要么是透明的。
在另一个优选的实施例中，层(c)包括被回收的EVA材料，并且是一个漫反射器。
除非另有说明，否则所有百分比、份数、比率等均按重量计。当数量、浓度或其它值或参数或者以范围给出，或者以优选范围给出，或者以上限优选值和下限优选值给出时，这应被理解为公开了由任何一对任何范围上限或优选值和任何范围下限和优选值形成的所有范围，无论该范围是否被分别公开。其中在此叙述的数值范围，除非另有说明，该范围包括该范围的端点，以及在该范围内的所有整数和分数。这不意味着本发明的范围被限定于所定义范围内所列举的具体数值。
在此所使用的术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”、包括(including)”、“包含(containing)”、“其特征在于(characterized by)”、“具有(has)”、“具有(having)”或任何其他变形，旨在涵盖非排他性的包含。例如，包括一系列要素的过程、方法、物品或装置，不必然仅限于那些要素，而是可能包括未明确列出的或固有于这些过程，方法，物品或装置中的其他元素。进一步地，除非有明确相反的说明，“或”是指包含性的或，而不是排他性的或。过渡短语“本质上由....组成”限制了权利要求所指定的材料或步骤的范围，而那些对所要求保护发明的基本特征和新颖性特征没有实质性影响。
当申请人已经用开放式术语如“包括”定义了本发明或其一部分，应当容易理解为，除非另有说明，该描述还应被理解为使用术语“本质上由...组成”描述了该发明。
用“一个(a)”或“一个(an)”来描述本发明的要素和组分。这仅仅是为了方便并给出本发明的一般含义。这种描述应被理解为包括一个或至少一个，和单数也包括复数，除非很明显地另指他意。
在此所使用的术语“膜”是指片材或类似片材的基片，例如那些通常在光伏电池生产时采用片材或薄膜。
在描述某些聚合物时，应当理解为，有时申请人通过生产所述聚合物的单体或生产所述聚合物的单体的量来描述该聚合物。而这样的描述可能不包括用于描述最终聚合物的具体的系统命名法或者可能不包含方法限定产品的术语，任何如此提及的单体和量应该被理解为是指该聚合物包括那些单体，即那些单体的共聚单元，或指那些单体的量，以及对应的聚合物及其组合物。
在描述和/或主张本发明中，术语“共聚物”用于指由两个或多个单体通过共聚合而成的聚合物。此类共聚物包括二元共聚物、三元共聚物或多元共聚物。“熔体流动指数”以下称MFI，指热塑性聚合物的熔体流动难易的衡量。该指数被定义为在规定可选的重量(该重量为规定可选的温度设定)下、在施加压力下10分钟内流经特定直径和长度的毛细管的聚合物的质量，以克为单位，并根据ASTM D1238测定。
应当指出的是，其中聚合物用交联机理制造的，交联机理高于一定温度时引发，例如，EVA共聚物和过氧化物，这里所采用的流变值(rheology values)指的是没有或只有部分交联的材料。一旦交联已经完成，例如，在光伏组件层压方法中，已交联的聚合物不再被视为热塑性材料。因此，在本说明书范围内指的是层压后的光伏组件，所描述的性能是指在层压过程之前的聚合物，还包括被交联的聚合物。
在此所提到的术语熔点是指从结晶相或半结晶相到固体非晶相的转变，也被称为结晶熔融温度。聚合物的熔点可以通过DSC测定。在嵌段共聚物的情况下，术语熔点指的是在该温度下较高熔点的嵌段组分将通过其玻璃化温度，因此允许聚合物熔融和流动。“挤出温度”是指通过加热的挤出机和/或加热的模具，聚合物材料在挤出期间被加热的温度。
当某层的熔融温度被提到时，由于这些层基本上仅由含有添加剂或含有可选的其它聚合物的聚合物材料组成，所以该温度主要由存在于所述层中的所述聚合物材料的熔融温度测定。由此，所述熔融温度应该被认为是存在于所述层的所述聚合物材料的熔融温度。所述添加剂和/或可选的聚合物可能达到的量为25wt％，基于在一个层中的主要聚合物的总重量，即使包含如此的添加剂和/或可选的聚合物对熔体流动指数也不会有不利影响。根据本发明的膜中，层(a)、(b)和(c)中的其中一个或多个优选是透明的。当所述膜被用在光伏电池的背部上时，优选地层(b)或(c)中的至少一个是不透明的。
所述一个或多个不透明层优选包括漫反射颜料，根据ASTM标准E903测定,当所述不透明层厚度为50-500微米时，所述不透明层在波长为400-800nm的光下具有至少75％的反射率；优选地，根据ASTM标准E903所测定，当所述不透明层总厚度为450-500微米时，所述不透明层在波长为400-800nm的光下具有至少95％的反射率。
本发明优选涉及一种膜，其中层(c)包括任选地氢化的聚苯乙烯与丁二烯、异戊二烯的嵌段共聚物和/或与丁烯/乙烯的共聚物(SIS、SBS和/或SEBS)；聚甲基丙烯酸酯-聚丙烯酸酯嵌段共聚物，聚烯烃，或具有可共聚的官能化的单体的烯烃共聚物，如甲基丙烯酸(离聚物)。
在此术语“离聚物”指的是用一种或多种含离子的碱，部分或全部中和乙烯/羧酸共聚物中的羧酸基团而得到的聚合物。
层(a)至层(c)可以包括两种或更多种的热塑性聚合物材料，其中每一种具有(i)80℃-165℃的熔融温度，优选地85℃-155℃的熔融温度。
合适的聚合物包括聚烯烃，包括聚乙烯，例如乙烯均聚物和乙烯共聚物，以及聚丙烯，例如丙烯均聚物和丙烯共聚物；聚氨酯，聚乙烯醇缩丁醛，及其上述两种或更多种的组合。
合适的乙烯共聚物包括那些含有乙烯和极性单体的共聚单元。合适的极性单体包括但不限于，醋酸乙烯酯，羧酸，例如(甲基)丙烯酸(包括其酯(例如，丙烯酸酯)及其盐(即离聚物)，及其上述两种或更多种的组合。
乙烯均聚物被使用时，其可以是低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、极低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯，茂金属聚乙烯，单活性中心催化的其它聚乙烯产物，以及两种或多种上述聚乙烯的组合。
所述层(a)至(c)可以包括乙烯/醋酸乙烯酯共聚物(EVA共聚物)，其包括乙烯和醋酸乙烯酯的共聚单元。
来自醋酸乙烯酯的结构单元占用于层(a)至(c)的乙烯醋酸乙烯酯共聚物的质量比为18％或以上。
聚合物外层(a)和/或(c)的熔点T1比其余聚合物层中的至少一层的熔点T2至少低10℃。优选地，所述熔点T1比熔点T2低10℃-100℃，更为优选地所述熔点T1比熔点T2低10℃-50℃。
在一个优选实施例中，聚合物层(a)和(c)中至少一层的熔点比层(b)的熔点至少低10℃,较为优选地低15℃，更为优选地低25℃。
在一个优选实施例中，聚合物层(a)和(c)中至少一层的熔点比层(b)的熔点至少低100℃,较为优选地低85℃，更为优选地低75℃,再为优选地低70℃、65℃、55℃、50℃。
层(b)在其挤出温度Tb下的熔体流动指数等于层(a)和/或层(c)在其挤出温度Ta或Tc下的MFI或者在层(a)和/或层(c)在其挤出温度Ta或Tc下的MFI的负2到正2MFI范围内。优选地，在温度TL下，层(b)的MFI与层(a)和/或层(c)的MFI在0.5-10范围内不同，其中TL为真空层压包括所述膜的太阳能板时的层压温度，其中TL、Tb>Ta、Tc，TL可以小于等于或大于等于Tb。
通常层压温度在135℃-165℃范围内，优选地145℃-155℃。
优选地，在温度TL下，所述层(a)和/或层(c)的MFI值高于层(b)的MFI值。
当聚合物是更多的液体去润湿光伏电池部件时，封装更有效，这是有益的。
根据ASTM D1238在190℃以及2.16千克的测定，所述EVA共聚物的熔体流动指数(MFI)为0.1-1000克/10分，优选为0.3-300克/10分，更优选为0.5-50克/10分钟。所述EVA共聚物可以是单一的EVA共聚物，或两种或更多种不同的EVA共聚物的混合物。通过不同的EVA共聚物意味着具有不同的单体配比，和/或重均分子量和/或分子量分布的共聚物可以不同。因此，所述EVA共聚物还可以包括具有相同单体配比，而由于有不同的分子量分布而具有不同MFI的聚合物。
在一个优选的实施例中，所述EVA共聚物包括除乙烯和醋酸乙烯酯以外的其他单体，例如丙烯酸烷基酯，由此丙烯酸烷基酯的烷基部分可含有1至6个或1至4个碳原子，并可以从甲基、乙基和支链的或非支链的丙基、丁基、戊基和己基中选择。
典型的丙烯酸烷基酯包括但不限于，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯。所述丙烯酸烷基酯共聚单体的极性可以通过改变共聚单体中存在的烷基的相对量和同一性进行控制。同样地，甲基丙烯酸烷基酯(碳链长度为C1-C6)的共聚单体可以用作共聚单体。这样的共聚单体包括甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丁酯、甲基丙烯酸正丁酯。
本发明所用的EVA组分进一步包括一种或多种其他可选的聚合物，例如，聚烯烃包括乙烯均聚物、丙烯均聚物，附加的乙烯共聚物，和丙烯共聚物；乙烯(甲基)丙烯酸共聚物。所述可选的聚合物可能达到的量为25wt％，基于EVA共聚合的总重量，即使包含如此的可选的聚合物也不会对EVA共聚物的性能特性产生不利影响。例如透明性、熔体流动指数、颜料的分散和/或粘附性能。
这里所用的所述EVA共聚物还可以含有本领域中已知的其它添加剂。所述添加剂可包括加工助剂、流动增强添加剂、润滑剂、染料、阻燃剂、抗冲改性剂、成核剂、防粘连剂例如二氧化硅、热稳定剂、紫外线吸收剂、紫外线稳定剂、分散剂、表面活性剂、螯合剂、偶联剂、加固剂，例如玻璃纤维、填料和类似物。
通常，添加剂可降低EVA共聚物的透光率，例如加固剂和填料，优选存在于使用所述膜作为背部封装物的层(a)、(b)和/或(c)中。
适用于不透明层、优选适用于所述多层膜的漫反射层的颜料或填料包括但不限于，具有1.4或以上，1.6或以上，或2或以上，或2.5或以上的折射率的填料,和平均粒径为0.1-20微米，或0.1-10微米，或0.1-5微米，或0.1-2微米，或0.2-1微米，或0.1-0.5微米，或0.2-0.5微米的填料。合适的填料的具体例子包括但不限于，碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸镁、硫酸钡、硫酸钙、氧化锌、氧化镁、氧化钙、氧化钛、氧化铝、氢氧化铝、羟基磷灰石、二氧化硅、云母、滑石、高岭土、粘土、玻璃粉、石棉粉、沸石、硅酸盐粘土、粉煤灰及其组合。
优选地，所述填料从具有1.6或更大折射率的材料中进行选择，例如碳酸钙、硫酸钡、氧化钛、氧化锌、云母、玻璃粉及其组合。在另一个反射层，所述填料是氧化钛，其具有2.5、2.7或更大的折射率。合适的氧化钛级配是公知的。
热稳定剂可以被使用，并已在本领域中得到了广泛的公开。任何已知的热稳定剂可以在本发明中的组合物中使用。热稳定剂优选的普通种类包括但不限于，酚类抗氧化剂、烷基化单酚、烷硫基取代甲基苯酚、对苯二酚、烷基化对苯二酚、生育酚、羟基化二苯硫醚、亚烷基双酚、O代苄基，N代苄基和S代苄基化合物、羟基苄基丙二酸酯、羟基苄基芳香化合物、三嗪化合物、胺类抗氧化剂、芳基胺、二芳基胺、聚芳基胺、酰氨基苯酚、草酰胺、金属减活化剂、亚磷酸酯、亚膦酸酯、苄基膦酸酯、抗坏血酸(维生素C)，即破坏过氧化物的化合物、羟胺、硝酮、硫代增效剂、苯并呋喃酮、吲哚酮，及其类似物和混合物。所述EVA共聚物可含有任何有效剂量的热稳定剂。热稳定剂的使用是可选的，并在某些情况下不是优选的。当使用热稳定剂时，基于聚合物的总重量计，所述的聚合物材料通常含有至少0.05wt％的热稳定剂，可以达到10wt％，更为优选地达到5wt％，最为优选的是达到1wt％。
紫外线吸收剂被优选使用并且已在本领域中广泛公开。任何已知的紫外线吸收剂均可以在本发明中使用，只要其与所述膜体系相容，并且对性能或加工性能没有不利影响。紫外线吸收剂优选的普通种类包括但不限于，苯并三唑、羟基二苯甲酮、羟基苯基三嗪、取代和未取代的苯甲酸酯，及其类似物和混合物。所述聚合物材料可含有任何有效剂量的紫外线吸收剂。紫外线吸收剂的使用是可选的，并在某些情况下不是优选的。当利用紫外线吸收剂时，基于聚合物的总重量计，所述的聚合物含有至少0.05wt％的紫外线吸收剂，可以达到10wt％，更为优选地达到5wt％，最为优选地达到1wt％。
特别优选的是受阻胺光稳定剂(HALS)，其在本领域中广泛公开。通常，受阻胺光稳定剂被公开为仲、叔、乙酰化的、N-烷氧基取代的、羟基取代的，或其他被取代的环胺，其特征为存在大量的空间位阻，通常是脂肪族取代邻近胺官能团的碳原子而得到的。所述聚合物优选地含有任何有效剂量的受阻胺光稳定剂。受阻胺光稳定剂的使用是可选的，并在某些情况下不是优选的。
当使用受阻胺光稳定剂时，基于聚合物的总重量计，所述的聚合物含有至少0.05wt％的受阻胺光稳定剂，可以达到10wt％，更为优选地达到5wt％，并且最为优选地达到1wt％。
硅烷偶联剂可以添加到聚合物中以提高其粘合强度。有用的示例性的硅烷偶联剂包括，γ-氯丙基甲氧基硅烷、乙烯基甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-乙烯基苄基丙基甲氧基-硅烷、N-β-(N-乙烯基苄基氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-[(甲基丙烯酰氧基)丙基]三乙氧基硅烷、γ-[(甲基丙烯酰氧基)丙基]三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基三乙氧基硅烷、三乙酰氧基乙烯基硅烷、γ-(环氧丙氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-(环氧丙氧基丙基)三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、γ-巯基丙基甲氧硅烷、γ-(氨基丙基)三乙氧基硅烷，[N-β-(氨乙基)-γ-氨丙基]三乙氧基硅烷和/或其中两种或多种的混合物。
基于聚合物的总重量计，所述硅烷偶联剂优选被包含在所述封装层中的量为0.01-5wt％，或更为优选地0.05-1wt％。
根据本发明所述的膜材料优选地还包括一种或多种有机过氧化物，它可以与乙烯-醋酸乙烯酯共聚物交联，因此提高了粘合强度、耐湿性和耐穿透性，如果需要的话，同时维持高的透明性。
在至少110℃的温度下被分解产生自由基的任何有机过氧化物，可用作前述的有机过氧化物。
有机过氧化物或过氧化物的组合选择时通常考虑成膜温度、制备所述组合物的条件、固化(粘结)温度、被粘结的主体的耐热性和储存稳定性。
根据本发明的一个优选实施例，过氧化物的选择是使其在树脂加工温度下基本不分解，尤其是在共挤出和/或进一步的挤出和造粒步骤期间不分解，而仅在太阳能电池形成温度下被活化。
根据本发明的“实质上不分解”指的是在共挤出温度下半衰期至少为0.1-1小时。
有机过氧化物的例子包括2,5-二甲基己烷-2,5-二氢过氧化物、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷、3-二叔丁基过氧化物、过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己酸过氧基)己烷、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷、过氧化叔丁基异丙苯、α，α'-双(叔丁基过氧异丙基)苯、α，α'-双(叔丁基过氧基)二异丙苯、正丁基-4,4-双(叔丁基过氧基)丁烷、2,2-双(叔丁基过氧基)丁烷、1,1-双(叔丁基过氧基)环己烷、1,1-双(叔丁基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷、叔丁基过氧基苯甲酸酯、过氧化苯甲酰和1,1-二(叔己基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷。其中，2,5-二甲基-2,5-二(2-乙基己酸过氧基)己烷和1,1-二(叔己基过氧基)-3,3,5-三甲基环己烷是特别优选的。
基于聚合物100重量份计，在所述膜层中的有机过氧化物的含量优选为0.1-5重量份，更优选为0.2-1.8重量份。
如果需要，本发明所述的膜进一步含有交联助剂。交联助剂在此应理解为提供具有至少一个、优选多个可聚合官能团的化合物。所述交联助剂通常增加乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的凝胶含量，由此提高了封装物的耐久性和机械性能。
基于聚合物100重量份计，通常采用交联助剂的量为10重量份或更少，优选为0.1-5.0重量份。所述交联助剂的例子包括三官能团交联助剂，例如氰尿酸三烯丙基酯和异氰脲酸三烯丙基酯，以及单官能团或双官能团交联助剂，例如：(甲基)丙烯酯。在这些化合物中，氰尿酸三烯丙基酯和异氰脲酸三烯丙基酯是特别优选的。
根据本发明所述的膜可以用于前部和/或后部的封装。
根据本发明，“前部”指光照射到光伏元件或光伏电池的那一面，即光接收面，而“后部”指所述光伏元件的所述光接收面的反面。
对于作为前部封装物使用，所述层(a)至(c)优选是透明的。对于后部封装物，层(a)至(c)可以是不透明的，但优选仅(b)和(c)是不透明的。
当所述膜被用作前封装物时，优选下转换发光化合物存在于层(a)至(c)中，所述下转换发光化合物具有能够吸收至少部分较低波长的辐射的特性，所述下转换发光化合物存在于下一层。因此，阻挡层将包括下转换发光化合物或这样的化合物，即它比其它聚合物层中下转换发光化合物可以吸收更短波长的辐射。这是非常有利的，因为许多有机化合物对较短波长的辐射非常敏感。通过过滤所述较短波长的辐射并重新发射较长波长的辐射，更稳定的聚合物片材被得到。更为优选地第一聚合物层，即阻挡层，具有能够吸收至少部分紫外线(UV)辐射的性能，合适地为10-400纳米之间，并重新发射较长波长的辐射。吸收紫外线波长的所述下转换发光化合物可与传统的UV稳定剂结合使用。优选地限制使用传统的稳定剂，因为它们将所吸收的紫外线辐射转换成热能，而不是重新发射较长波长的辐射。因此，当这种紫外线稳定剂被省略或者以低浓度使用时，获得一种更有效的聚合物片材。所述下转换发光化合物然后取代了紫外线稳定剂的保护功能。
根据本发明的所述封装膜，当作为前板使用时，优选地还可以包括能将太阳光的较短波长转换为较长波长辐射的化合物，该较长波长的波长范围可以使光电电池将辐射更有效地转化为电能。本发明因此也指出了用于增强光伏电池的性能的封装膜的使用，该增强的性能是通过阳光的下转换发光获得的。
所述第一透明聚合物封装层(b)优选地包括下转换发光化合物，用于至少部分地吸收具有一定的波长的辐射，并重新发射比吸收辐射的波长更长波长的辐射。这种化合物可以提高太阳能电池板的效率。所述光伏电池通常在一定的波长范围内运行最佳。通过将太阳光较低波长辐射的一部分转换为所需要的波长范围，在该波长范围内光伏电池运行最佳，可以提高效率。
下转换发光化合物可以是有机或无机发光化合物，其能够部分地吸收具有一定的波长的辐射，并重新发射比吸收辐射的波长更长波长的辐射。这样的化合物是已知的，例如由Efthymios Klampaftis、David Ross、Keith R.Mcintosh、Bryce S.Richards描述、题目为《通过入射光谱的下转换发光提高太阳能电池的性能》的综述，《太阳能材料&太阳能电池》，93(2009年)1182-1194。
合适的有机下转换发光化合物例如为激光染料。下列化合物，其中一些也被用作激光染料，可以应用作为有机下转换发光化合物：罗丹明，例如5-羧基四甲基罗丹明、罗丹明6G、罗丹明B、红荧烯、三(δ-羟基喹啉)铝(Alq3)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、双(8-羟基喹啉)-氯化镓(Gaq2CI)；羧酸或其衍生物；萘羧酸或其衍生物；蒽酮紫或异蒽酮紫或其衍生物。有机下转换发光化合物的例子是奎宁、荧光素、磺酰罗丹明、2,5-双(5-叔丁基-2-苯并恶唑基)噻吩、尼罗蓝。
合适的有机下转换发光化合物的其他例子是香豆素染料，例如7-二乙氨基香豆素-3-甲酰肼(DCCH)、7-二乙基氨基香豆素-3-羧酸琥珀酰亚胺酯、7-甲氧基香豆素-3-羧酸琥珀酰亚胺酯、7-羟基香豆素-3-羧酸琥珀酰亚胺酯、7-二乙氨基-3-((((2-碘乙酰胺)乙基)氨基)羰基)香豆素(IDCC)、7-二乙基氨基-3-((((2-马来酰亚胺基)乙基)氨基)羰基)香豆素(MDCC)、7-二甲氨基-4-甲基香豆素-3-异硫氰酸酯(DACITC)、N-(7-二甲基氨基-4-甲基香豆素-3-基)马来酰亚胺(DACM)、N-(7-二甲基氨基-4-甲基香豆素-3-基)碘乙酰胺(DACIA)、7-二乙基氨基-3-(4'-马来酸亚胺苯基)-4-甲基香豆素(CPM)、7-二乙基氨基-3-((4'-(碘乙酰基)氨基)苯基)-4-甲基香豆素(DCIA)、7-二甲氨基香豆素-4-乙酸(DMACA)和7-二甲氨基香豆素-4-乙酸琥珀酰亚胺酯(DMACASE)。
合适的有机下转换发光化合物的其他例子是染料，例如N，N'-双(2,6-二异丙基苯基)-3,4：9,10-四甲酰二亚胺、N，N'-双(2，6-二甲苯基)-3,4：9,10-二甲酰亚胺、N，N'-双(7-十三烷基)3,4：9,10-四甲酰二亚胺、N，N'-双(2,6-二异丙基苯基)-1,6,7,12-四(4-叔辛基苯氧基)-3,4：9,10-四甲酰二亚胺、N，N'-双(2,6-二异丙基苯基)-1,6,7,12-四苯氧基-3,4：9,10-四甲酰二亚胺、N，N'-双(2,6-二异丙基苯基)-1，6-和-1,7-二(4-叔辛基苯氧基)-3,4：9,10-四甲酰二亚胺、N，N'-双(2,6-二异丙基苯基)-1，6-和-1，7-双(2,6-二异丙基苯氧基)--3,4：9,10-四甲酰二亚胺、N-(2,6-二异丙基苯基)-3,4-二甲酰亚胺、N-(2,6-二异丙基苯基)-9-苯氧基-3,4-二甲酰亚胺、N-(2,6-二异丙基苯基)-9-(2,6-二异丙基苯氧基)-3,4-二甲酰亚胺、N-(2,6-二异丙基苯基)-9-氰基-3,4-二甲酰酰亚胺、N-(7-十三烷基)-9-苯氧基-3,4-二甲酰亚胺、-3,9-和-3,10-二甲酸二异丁酯、4,10-二氰基-3,9-和-4,9-二氰基-3,10-二甲酸二异丁酯和-3,9-和-3,10-二甲酸二(2,6-二异丙基苯基)酰胺。
染料通常吸收360-630纳米区域波长的辐射并且重新发射470-750纳米区域波长的辐射。除了染料，具有类似结构的其他荧光染料都可以使用，例如基于蒽酮紫和/或异蒽酮紫的染料，例如在EP-A-073007中公开的结构。作为适合的化合物的优选例子为烷氧基化的蒽酮紫和/或异蒽酮紫，例如6,15-双十二烷氧基异蒽酮紫聚酯-(9,18)。
合适的有机下转换发光化合物的其他例子是萘类化合物。这些染料通常在大约300-420纳米的波长紫外线范围内表现出吸收，并在约380-520纳米的范围内表现出发射。萘类化合物的例子是萘甲酸的衍生物，例如萘1,8：4,5-四甲酰二亚胺，特别是萘-1,8-二甲酰亚胺，最优选为4,5-二烷氧基萘-1,8-二甲酸单酰亚胺和4-苯氧基萘-1,8-二甲酸单酰亚胺。其它萘类化合物例如N-(2-乙基己基)-4,5-二甲氧基萘-1,8-二甲酰亚胺、N-(2,6-二异丙基苯基)-4,5-二甲氧基萘-1,8-二甲酰亚胺、N-(7-十三烷基)-4,5-二甲氧基-萘-1,8二甲酰亚胺、N-(2,6-二异丙基苯基)-4,5-二苯氧基萘-1,8-二甲酸亚胺和N,N'-双(2,6-二异丙基苯基)-1,8：4,5-萘四甲酰二亚胺。
其他的例子还有Lumogen F Yellow 083、Lumogen F Orange 240、LumogenF Red 305和Lumogen F Violet 570，可从BASF公司获得。
例如下列有机下转换发光化合物能够吸收(激发波长)300-360纳米，并具有最大约365-400纳米左右的发射光谱：二苯基恶唑(2,5-二苯基恶唑1，4-二[2-(5-苯基恶唑)苯、4,4'-二苯基芪、3,5,3"",5""-四叔丁基-对五联苯。这些化合物可从例如Synthon Chemicals GmbH and LuminescenceTechnology公司获得。例如下列有机下转换发光化合物能够将入射辐射向400-460纳米重新发射：2,5-噻吩二基双(5-叔丁基-1,3-苯并恶唑)噻吩(2,5-thiopenediylbis(5-tert-butyl-1,3-benzoxale))。例如下列有机下转换发光化合物能够将入射辐射向560纳米重新发射：hostasole 3Gnaphtalimide(Clariant公司)、Lumogen F Yellow 083(BASF公司)、Rhodamine 110(Lambdachrome 5700)。
例如下列有机下转换发光化合物能够将入射辐射向580-640纳米重新发射：hostazole GG硫杂蒽苯硫酮(Clariant公司)、-Lumogen F Red300(BASF公司)、罗丹明苯甲酸盐6G乙胺氧杂蒽(Lambdachrome 5900)，
例如下列有机下转换发光化合物能够将入射辐射向640-680纳米重新发射：retsyl purple diaminobenzole、Sublforhodamine B(LambdachromeLC6200)，
例如下列有机下转换发光化合物能够将入射辐射向700-1000纳米重新发射：罗丹明800(Sigma公司)、吡啶-2(Lambdachrome LC7600)、DOTC、HITC(Lambdachrome LC7880)、Styril 9(Lambdachrome LC8400)。
合适的无机发光化合物为半导体量子点材料和纳米粒子，包括Snri3+、Cr3+、ZnSe、Eu2+和Tb3+，以及纳米粒子包括ZnO；参杂Mg、Cu和/或F的ZnS；CdSe；CdS；ΤiO2；Zr3+、Zr4+；和/或Eu3+、Sm3+或参杂YPO4的Tb3+。这些材料的共同特点是它们能够表现出荧光性。所述纳米级颗粒可通过任何合适的方法制造，例如通过US7384680中公开的方法。根据透射电子显微镜(TEM)的测定，所述纳米级颗粒可以具有小于75纳米的平均直径，特别地具有3-50纳米的尺寸。适合作为发光化合物的可能的铕络合物为[铕(二酮)-3-(DPEPO)]([Eu(-diketonate)3-(DPEPO)])和其他Eu3+络合物，就如OmarMoudam等人在由英国皇家化学学会出版的Chem.Commun.,2009,6649-66512009中描述的那样。
合适的无机发光化合物的另一个例子是含有低聚金属原子簇的分子筛，包括下列金属(亚纳米尺寸)从1至100个原子的团簇，Si,Cu,Ag,Au,Ni,Pd,Pt,Rh,Co和Ir或其合金，例如银/铜、金/镍等合金。所述分子筛选自沸石、多孔氧化物、硅铝磷酸盐、铝磷酸盐、镓磷酸盐、锌磷酸盐、钛硅酸盐、硅铝酸盐或其混合物。在一个本发明的具体实施例中，本发明的分子筛从大孔沸石中选择，大孔沸石来自由MCM-22、镁碱沸石、八面沸石X和Y构成的组合。在本发明的另一个实施例中的所述分子筛选自由沸石3A、沸石13X、沸石4A、沸石5A和ZKF构成的组合。优选的低聚金属原子簇为包含1至100个原子的低聚银原子分子。基于下转换化合物的这类分子筛的示例性说明在WO-A-2009006708被描述，该文件通过引用在此并入本文中。
层(b)中的所述下转换发光化合物的浓度取决于所选择的下转换发光化合物。某些化合物是更有效的，在聚合物层中的浓度就较低，而某些化合物需要较高的浓度，因为它们吸收和重新发射辐射的效率较低。
层(a)至(c)中的一个或多个可以包括至少一种下转换发光化合物。所述聚合物层可包括单一的下转换发光化合物或一种以上的下转换发光化合物物。如果多于一种下转换发光化合物出现，则优选具有可以吸收不同波长和重新发射不同长度波长的化合物。以这种方式，所谓的下转换发光“级联”可以被得到，其中由一种化合物重新发射的辐射被下一个化合物吸收。这样的级联也称为光子-吸收-发射链(PAEC)。
在一个优选实施例中，所述膜包括以下被共挤出的聚合物子层：第一聚合物层(a)包括用于吸收280-400纳米辐射和重新发射400-550纳米辐射的下转换发光化合物，另一聚合物子层(b)包括用于吸收360-470纳米辐射和重新发射410-670纳米辐射的下转换发光化合物，另一聚合物子层(c)包括用于吸收360-570纳米辐射和重新发射410-750纳米辐射的下转换发光化合物。
一种或多种下转换发光化合物可以存在于上述子层中的其中一个子层中。附加层可以存在于所述聚合物片材中，其中所述附加层也可以包括下转换发光化合物或其它添加剂。
用于层(b1)的合适的下转换发光化合物的例子是2,5-二苯基恶唑(PPO二苯基恶唑)、4,4'-二苯基芪(DPS)、1,4-二[2-(5-苯基恶唑)苯(POPOP)、3,5,3"",5""-四叔丁基-对五联苯(QUIIP-五联苯)、1,8-ANS(1-苯氨基萘-8-磺酸)、1-苯氨基萘-8-磺酸(1,8-ANS)、6,8-二氟-7-羟基-4-甲基香豆素pH为9.0、7-氨基-4-甲基香豆素pH为7.0、7-羟基-4-甲基香豆素、7-羟基-4-甲基香豆素pH为9.0、Alexa 350，BFP(蓝色荧光蛋白)、串级黄色、级联黄色抗体偶合物pH为8.0、香豆素、丹磺酰尸胺、丹磺酰尸胺、MeOH、DAPI、DAPI-DNA、Dapoxyl(2-氨基乙基)磺酰胺、DyLight 350、Fura-2Ca2+、Fura-2、高Ca、Fura-2、无Ca、Hoechst 33258、Hoechst33258-DNA、Hoechst 33342、lndo-1、不含Ca、LysoSensor Yellow pH 3.0、LysoSensor Yellow pH 9.0、Marina Blue、Sapphire、和/或SBFI-Na+。
用于子层(b)的合适的下转换发光化合物的例子是：7-二乙氨基香豆素-3-甲酰肼(DCCH)、7-二乙基氨基香豆素-3-羧酸琥珀酰亚胺酯、7-甲氧基香豆素-3-羧酸琥珀酰亚胺酯、7-羟基香豆素-3-羧酸琥珀酰亚胺酯、7-二乙氨基-3-((((2-碘乙酰胺)乙基)氨基)羰基)香豆素(IDCC)、7-二乙基氨基-3-((((2-马来酰亚胺基)乙基)氨基)羰基)香豆素(MDCC)、7-二甲氨基-4-甲基香豆素-3-异硫氰酸酯(DACITC)、N-(7-二甲基氨基-4-甲基香豆素-3-基)马来酰亚胺(DACM)、N-(7-二甲基氨基-4-甲基香豆素-3-基)碘乙酰胺(DACIA)、7-二乙基氨基-3-(4'-马来酸亚胺苯基)-4-甲基香豆素(CPM)、7-二乙基氨基-3-((4'-(碘乙酰基)氨基)苯基)-4-甲基香豆素(DCIA)、7-二甲氨基香豆素-4-乙酸(DMACA)和7-二甲氨基香豆素-4-乙酸琥珀酰亚胺酯(DMACASE)、吖啶橙、Alexa 430、Alexa Fluor430抗体偶合物pH值7.2、金胺O、Di-8ANEPPS、Di-8-ANEPPS-脂质、FM 1-43、FM 1-43脂质、Fura Red Ca2+、Fura Red、高Ca、Fura Red、低Ca、Lucifer Yellow和/或CH、SYPRO Ruby(CAS 260546-55-2)。
用于子层(c)的合适的下转换发光化合物的例子是如层(b)说明的上述化合物和罗丹明110、罗丹明6G乙胺氧杂蒽苯甲酸(从Lambdachrome获得)、Alexa Fluor 647R-藻红蛋白链酶亲和素pH值为7.2、溴化乙锭、乙锭同型二聚体、乙锭同型二聚体1-DNA、FM 4-64、FM 4-64、2％CHAPS、尼罗红脂和/或碘化丙啶。
另一种可能的级联的例子可以包括具有约280-365纳米吸收范围波长和约380-430纳米发射范围波长的第一下转换发光化合物。合适的下转换发光化合物的例子是3,5,3"",5""-四叔丁基-对五联苯，具有约310纳米的最大吸收波长和约390纳米的最大发射波长。该下转换发光化合物以例如占聚合物层中的下转换发光化合物总量的33％的浓度被加入。第二下转换发光化合物具有约335-450纳米吸收范围波长和约410-550纳米发射范围波长。合适的下转换发光化合物的例子是2,3,5,6-1H,4H-四氢喹嗪-[9,9a,1-gh]-香豆素，在例如占聚合物层中的下转换发光化合物总量的约33％的浓度下，最大激发波长约396纳米，最大发射波长约490纳米。所述级联的第三下转换发光化合物具有约450-550纳米吸收范围波长和约560-700纳米发射范围波长。合适的下转换发光化合物的例子是1-氨基-2-甲基蒽醌，在例如占聚合物层中的下转换发光化合物总量的约33％的浓度下，具有约450纳米最大吸收波长，600纳米的最大发射波长。
通过给所述膜的所述子层中的一层、优选给最临近入射光的所述子层提供可以吸收紫外线波长的下转换发光化合物，可以得到更稳定和效率更高的太阳能电池板。特别是在所述膜包括EVA共聚物的情况下。所述EVA共聚物在紫外线辐射的影响下会降解。通过提供紫外线吸收剂，所述EVA共聚物的使用寿命被提高。然而紫外线吸收剂将紫外线辐射转换为热能。这导致了具有在紫外线范围波长的光子不能有效地被利用以借助光生伏打效应去发电。
包括所述EVA共聚物的膜的太阳能电池板的效率，可通过加入下转换发光化合物被提高，或通过可吸收紫外线波长范围内辐射和发射更高波长范围的辐射的化合物的级联而被提高。通过使用能够吸收紫外线波长范围内辐射和发射更高波长范围内的辐射的下转换发光化合物，紫外光被转换成对于聚合物有害性较小的辐射，并能有效地被利用以借助光生伏打效应发电。因此，获得太阳能电池板是更有效的，并且需要较少的紫外线吸收剂或无需紫外线吸收剂。
在聚合物基体中的下转换共混物的总浓度取决于膜的厚度，因为有效的下转换是每单位体积的入射光所遭遇的分子的数量的函数。一个约400-450微米的聚合物层例如可以掺杂200-1000ppm浓度范围的下转换发光化合物。例如在最后的聚合物层中的下转换发光化合物的浓度为500ppm时，具有很好的紫外线阻隔和传输平衡的450微米的聚合物层可以被得到。
光伏前板优选为玻璃基板，例如低铁的硅酸盐玻璃。所述玻璃基板的厚度通常为0.1-10毫米，优选为0.3-5毫米。所述玻璃基板可以被化学回火或热回火。
本发明还涉及一种光伏组件的制备方法，其中光伏电池或元件被封装在透明前部保护材料和背部保护材料之间，从而获得一个完全的封装结构。
通常，所述前板、所述封装膜、带有焊带和连接件的电池、背部封装物和后板，或整合有多层后板的封装物在所述前板面朝向下的情况下被放置，随后进入真空层压机，最后在115℃-175℃温度的转化加热下接合，优选地温度为140℃-165℃，更为优选地为145℃-155℃。该层压优选地还进行抽气或经过0.1-8分钟的时间段。
此后，所述密封膜被交联和/或通过加热和压力被固化。
所述层压压力优选为0.1-1.5千克/厘米2。所述层压时间通常为5-15分钟。所述加热能使包含在前部和背部封装物的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物交联，从而使光电元件、透明前板和后板被牢固地粘接以使光伏组件密封。
本发明的一个优选实施例在于一种膜，其中层(a)是透明的，而层(b)层是不透明的，优选作为漫反射器的白色颜料反射层。这解决了具有单层漫反射颜料的聚合物层作为背部封装物时，在层压过程中容易溢出到电池前部的难题。
当作为背部封装物使用时，所述膜优选与单层或多层背板结合，所述背板包括选自聚酯或含氟聚合物的膜基板材料。其可以是单层，或优选聚酯多层以及含氟聚合物的单层或多层，例如，是两层或多层的聚酯层和含氟聚合物层的层压膜。
因此，所述背板膜基板可选自(i)部分芳香族聚酯，(ii)含有氟的聚合物；(iii)表面有金属或金属氧化物/非金属氧化物的聚酯或含氟聚合物；或(iv)由上面的两种或多种材料制成的层压膜。所述聚酯优选是部分芳香族聚酯。该聚酯优选包括选自以下组中的聚合物，由聚邻苯二甲酸烷基二醇酯(烷基链长度为C2-C6)、聚萘二甲酸烷基二醇酯(烷基链长度为C2-C6)，及其混合物或共混物构成的组合，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚2,5-呋喃二甲酸乙二酯(PEF)、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸己二醇酯、聚邻苯二甲酸乙二醇酯、聚邻苯二甲酸丙二醇酯、聚邻苯二甲酸丁二醇酯、和聚邻苯二甲酸己二醇酯，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚合的C2-C6亚烷基萘二甲酸酯，优选为聚合的C2-C4亚烷基萘二甲酸酯，例如聚萘二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸丙二醇酯、和聚萘二甲酸丁二醇酯；和上述材料的两种或更多种的共聚物和共混物。或者，背部封装物可与玻璃背板相结合。
合适的聚酯基板可以由薄膜流延形成，然后进行双轴取向处理，以进一步提高机械强度和气体阻隔性能。这样的膜具有良好的机械性能、介电性能和气体阻隔性能是众所周知的。
含氟聚合物可以是任何合适的已知的含氟聚合物，其中包括氟乙烯、偏二氟乙烯、三氟氯乙烯、四氟乙烯的聚合物；以及上述任何一种与其它非氟化的、部分或完全氟化的单体的共聚物，其他单体例如乙烯、丙烯、氟乙烯、二氟乙烯、偏二氟乙烯、三氟氯乙烯、六氟丙烯、四氟乙烯、全氟烷氧基乙烯基醚和六氟丙烯。
所述背板膜可以是单层或多层，例如是双层或多层含氟聚合物的层压膜。含氟聚合物基板层的总厚度优选在10-350微米范围内，更优选在15-300微米范围内，最优选地在20-250微米范围内。
附加层可以存在，例如金属或金属氧化物层，其可以通过合适的方法进行层压或沉积，例如化学或物理气相沉积。为了增加基板和粘合层之间的粘结强度，可以在基板表面进行表面处理。对适当的表面处理方法没有任何限制，可以是本领域中已知的任何常规方法。例如电晕处理、火焰处理或底涂处理。
合适的底漆的非限制性实例包括，例如，亚胺底漆和胺底漆。当底涂处理被用于基板表面时，对于所形成的底漆的最终厚度没有特别的限制，只要该底漆对聚酯基板和封装层之间的粘结强度没有不利影响，可以是本领域中通常使用的任何厚度。可以存在其它层，例如，聚烯烃层充当附加的气体和水蒸汽阻挡层。
根据本发明的封装膜或片材可通过任何合适的方法来生产，例如通过浸涂法、溶液铸膜法、压塑模塑法、注射模塑法、层压法、熔融挤压铸膜法、吹塑成膜工艺、挤压涂层法、串联挤出涂层法，或通过本领域技术人员已知的任何其它工艺程序来生产。优选地，所述片材通过熔融共挤出铸膜法、熔融挤压涂层法、吹塑成膜工艺或串联熔融挤压涂层法成型。
优选地，层(a)和层(c)包括原生材料。然而申请人发现，中间层和不与玻璃基板或太阳能电池基板直接接触的层,层(s(b)和/或层(c)可包括至少部分的回收料。
在此术语“原生”材料指还未在光伏电池层叠工艺中使用的材料。术语“回收”材料指已经用于成膜随后又被修整掉的材料，或膜端部或该膜的其它未使用的部分。
这种膜通常不能被再次用于同样的目的，但通常被认为是“废物”材料，因为在表面的活性硅烷组分的量通常不足以确保与所述前板或后板的表面和/或与被封装的组件的表面充分粘结。
根据本发明的背部封装物，层(b)和/或层(c)优选包括至少部分从所述膜中移除并接下来被造粒的乙烯醋酸乙烯酯材料，所述膜移除是在光伏电池的封装工艺中进行的。因此，被造粒材料优选被返回到共挤出步骤用于层(b)和/或(c)的形成。
造粒方法包括在低温下的挤出，即低于任何过氧化物活化剂的活化温度的温度，然后是低温球状形成过程。更为优选地，所述方法包括所谓的水下造粒方法。因而层(b)和/或(c)优选地包括比层(a)和/或层(c)更多的水解硅烷组分。因此，本发明优选地还涉及一种膜，其中层(b)和/或层(c)包括至少部分乙烯醋酸乙烯酯材料，所述材料是在光伏电池封装工艺前被从所述膜中移出，然后被造粒。
可选地层(b)可以包括甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸正丁酯的嵌段共聚物，公开于WO2012057079，并且由Kuraray公司作为“Kurarity”市售。
进一步优选的实施例包括层(b)中的聚烯烃，优选为聚乙烯或聚丙烯，例如低密度聚乙烯型(LDPE)。该层的益处是高的阻隔性能，以及由于所述EVA层的退火使卷曲进一步被减少的事实。
聚烯烃，例如适于层(b)的聚乙烯和聚丙烯包括高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、线性低密度聚乙烯、茂金属衍生的低密度聚乙烯和聚丙烯共聚物。低密度聚乙烯，和具有适当高MFI值和熔融温度在135℃-155℃的聚丙烯共聚物。
层(b)还可以包括选自聚(甲基)丙烯酸酯、聚环氧化物、聚氨酯、官能化的聚烯烃例如基于EPM或EPDM的橡胶、硅树脂和/或离聚物和/或其组合的聚合物。
合适的聚烯烃共聚物材料包括乙烯-(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚物(烷基链长度为C1-C4)，例如，乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸丙酯共聚物、乙烯-丙烯酸丙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸丁酯共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯共聚物以及其中的两种或更多种共聚物的混合物，按每种共聚物的总重量计，其中来自乙烯的共聚物单元占50％-99％；优选为70％-95％；乙烯-甲基丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物及其共混物，按每种共聚物的总重量计，其中由乙烯所得的共聚物单元占50％-99％，优选为70％-95％；乙烯-马来酸酐共聚物，按每种共聚物的总重量计，其中由乙烯所得的共聚物单元占50％-99％，优选为70％-95％；由乙烯与至少两个共聚单体形成的多元聚合物，其中所述共聚单体选自甲基丙烯酸C1-C4烷基酯、丙烯酸C1-C4烷基酯、乙烯-甲基丙烯酸、乙烯-丙烯酸以及乙烯-马来酸酐，非限制性的例子包括，例如，乙烯-丙烯酸甲酯-甲基丙烯酸的三元共聚物，其中由丙烯酸甲酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由甲基丙烯酸所得的共聚物单元按重量计占1％-30％，乙烯-丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸三元共聚物，其中由丙烯酸丁酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％以及由甲基丙烯酸所得的共聚物单元按重量计占1％-30％，乙烯-甲基丙烯酸丙酯-丙烯酸三元共聚物，其中由甲基丙烯酸丙酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由丙烯酸所得的共聚物单元按重量计占1％-30％，乙烯-丙烯酸甲酯-丙烯酸三元共聚物，其中由丙烯酸甲酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由丙烯酸所得的共聚物单元按重量计占1％-30％，乙烯-丙烯酸甲酯-马来酸酐三元共聚物，其中由丙烯酸甲酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由马来酸酐所得的共聚物单元按重量计占0.2％-10％，乙烯-丙烯酸丁酯-马来酸酐三元共聚物，其中由丙烯酸丁酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由马来酸酐所得的共聚物单元按重量计占0.2％-10％，乙烯-丙烯酸-马来酸酐三元共聚物，其中由丙烯酸所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由马来酸酐所得的共聚物单元按重量计占0.2％-10％，由乙烯和甲基丙烯酸缩水甘油酯与至少一个共聚单体形成共聚物，其中所述共聚单体选自甲基丙烯酸烷基酯(烷基链长度C1-C4)、丙烯酸烷基酯(烷基链长度C1-C4)、乙烯-甲基丙烯酸、乙烯-丙烯酸以及乙烯-马来酸酐，非限制性的例子包括，例如，乙烯-丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸缩水甘油酯的三元共聚物，其中由丙烯酸丁酯所得的共聚物单元按重量计占2％-30％，由甲基丙烯酸缩水甘油酯所得的共聚物单元按重量计占1％-15％；以及上述材料中两种或更多种的共混物。
优选地，在层(b)中使用的材料在相同的温度下具有比在层(a)和/或层(c)中使用的材料更高的MFI值。
本发明还涉及一种太阳能电池板，其包括以下几层：玻璃层(a)、第一透明聚合物封装层(b)、包括光伏电池的层(c)、包括本发明的膜的第二聚合物封装层(d)；以及玻璃层(e)。本发明还涉及一种制造这种的太阳能电池板的方法。
来源于基于晶片的光伏电池的光伏组件通常包括一系列被焊接在一起的自支撑式晶片。所述晶片通常具有180-240微米的厚度,通常被称为光伏电池层。该层通常进一步包括电气布线，例如连接各个电池单元的交叉焊带，以及连接到该电池的一端和脱离组件的另一端的母线。
光伏电池层通常被楔入聚合物封装层和外部保护层之间以形成耐候性组件。可能的外部保护层是玻璃层。受制于在户外应用，光伏组件必须持久地抵抗不同的天气状况，包括湿度和温度的变化，抵抗暴露于紫外线和其他辐射中，抵抗暴露于化学品和/或与户外暴露有关的(微)生物生长中，以及抵抗离子迁移；抵抗氧化，抵抗暴露于风雪的机械负荷；以及抵抗机械撞击的弹性，例如通过冰雹的撞击。
有必要对太阳能电池板在易制性和提高太阳能电池的效率方面进行改进。这能够通过以下太阳能电池板来实现的。
一种太阳能电池板，包括以下几层：
玻璃层(a)，
第一透明聚合物封装层(b)，
包括光伏电池的层(c)，
第二聚合物封装层(d)；以及
玻璃层(e)，其中，所述第一和/或第二聚合物封装层由多个共挤出的热塑性聚合物的子层组成。
本发明还涉及用于制造太阳能电池板的方法。通过对包括以下几层的堆叠在升高的层压温度下进行热层压而形成。
玻璃层(a)，
第一透明聚合物封装层(b)，
包括光伏电池的层(c)，
第二聚合物封装层(d)条；以及
玻璃层(e)，其中，所述第一和/或第二聚合物封装层由多个共挤出的热塑性聚合物的子层组成。
申请人惊奇地发现，太阳能电池板的复杂性可以通过提供由多个共挤出热塑性聚合物子层构成的封装层而被限制。这显著减少了在热层压工艺的层叠步骤中的膜的数量。进一步地，在制造过程中废物材料的量也减少。进一步地，制造太阳能电池板的方法能通过不需要或需要非常少的溶剂型粘合剂而完成。进一步的优点将在下面描述。
所述玻璃层(a)的作用是保护所述光伏组件不受机械冲击和风化，同时能够允许光通到活性层。所述玻璃层(e)的作用是保护太阳能电池板的背面。通过前部和后部的玻璃层可获得固有的牢固的板，而不需要框架，例如铝框架。所述玻璃层可以是无钠玻璃，例如铝硅酸盐或硼硅酸盐玻璃。对于大批量的生产，优选使用碱石灰玻璃或硼硅酸盐玻璃。碱石灰玻璃按重量计可含SiO2为67％-75％，含Na2O为10％-20％，含CaO为5％-15％，含MgO为0％-7％，含Al2O3为0％-5％，含K2O为0％-5％，含Li2O为0％-1.5％，以及含BaO为0％-1％。这样的玻璃会具有高于90％的透明度。该玻璃已经受热钢化处理。
优选地，所述玻璃层(a)的厚度为1.5-4毫米，其中，所述玻璃层(e)的厚度为1.5-4毫米，其中，所述太阳能电池板的总厚度小于9毫米。
所述玻璃层可以是例如浮法玻璃或压延玻璃。所述玻璃任选地可进行热处理。具有这样的厚度的合适的热钢化的薄玻璃板的玻璃层可以从例如Saint Gobain Glass、Pilkington、AGC、PPG和Ducatt公司获得。
所述玻璃层的表面，特别是不面对聚合物片材的表面涂覆有合适的抗反射层。所述抗反射层将限制反射在该玻璃表面上的辐射。限制反射会增加穿过所述玻璃层(a)的辐射，其结果将提高太阳能电池板的效率。优选地将涂层应用到玻璃层(a)上。合适的抗反射涂层将包括多孔二氧化硅层。多孔二氧化硅可以通过溶胶-凝胶工艺被应用，例如在US-B-7767253中所描述的那样。多孔二氧化硅可以由存在于二氧化硅类粘合剂中的固体二氧化硅颗粒构成。这种涂层可从DSM,荷兰，Khepri CoatTM获得。制备具有防反射涂层的玻璃层的方法在WO-A-2004104113和WO-A-2010100285中有所描述。
面对入射辐射的层(a)的玻璃表面也可以具有浮凸结构以便更有效地捕获入射辐射，例如在WO2005111670中有所描述。
光伏电池可包括下列材料中的至少一种：CdS、CdTe；Si，优选磷掺杂的硅或晶体硅或非晶硅或多晶硅；InP；GaAs；Cu2S；铜铟镓二硒(CIGS)。优选地，所述光伏电池是一种单晶硅(c-Si)、多晶硅(poly-Si or mc-Si)和带状硅型太阳能电池。本发明是对这些类型的电池是特别有优势的。由于层压过程中封装层表现出极少的收缩，使运用到所述光伏电池的力较小，并因此获得良好性能电池的结果的机会更高。
本发明还涉及一种的膜的制备方法，包括以下步骤：(i)提供一种或多种用于每个聚合物层的母料聚合物材料，以及(ii)将母料聚合物材料共挤出复合成层，形成聚合物片材。优选地，所述方法进一步包括由聚合物材料和添加剂制备一种或多种母料，并将母料成型为颗粒用于共挤压复合成型。本发明还涉及包含有聚合物材料和添加剂的母料在制备本发明的薄膜中的应用。
以下提供非限制性实施例以说明本发明。
实施例1
制备包括两个EVA外层和一个聚乙烯中间层的三层膜，如下所示：
含有稳定剂和过氧化物引发剂的第一和第三EVA层(a)和(c)被制作出来，其中VA的含量为33％，其在2.16千克190℃下MFI值为45克/10分。将所述层(a)和(c)在约100℃的温度下进行共挤出；在该温度下个体EVA树脂的MFI值被记录为～2.7克/10分。
聚烯烃材料(b)，在2.16千克190℃温度下低密度聚乙烯的MFI值为22克/10分，其在层(i)和层(iii)之间的层(ii)中在～120℃温度下被共挤出。在该温度下的该个体树脂的MFI值被记录为～3克/10分。
所述层(a)和层(c)约为180微米厚。层(ii)约为90微米厚。当离开模具时所述膜的温度为105℃。
该薄膜的EVA层的早期固化没有被监测到，没有发生熔体破裂，并且所述膜是特别热稳定的，并在层压过程中没有显示收缩灵敏性。
EVA层(c)被着色有二氧化钛型的漫反射器。颜料的存在被发现对膜的易制性不影响，其中两种树脂的熔融温度是显著不同的，EVA在约63℃时熔融，而低密度聚乙烯(LDPE)在约为105℃时熔融。
所述共挤出在传统的进料口和模具硬件上实现，无需使用多歧管模具。
这样制备的多层膜(d)被用在太阳能电池板的层叠中，对由玻璃层、第一透明的传统EVA单层封装膜、单晶硅光伏电池(PV)、上述得到的多层膜(d)和作为背板的玻璃层组成的堆叠(stack)，在约150℃的层压温度下进行热层压，层压使用来自Meier(设备)的平板真空层压机，并采用以下层压方案：
温度：145℃
真空时间：300秒
压力上升：30秒
压合时间(press time)：400秒
如此获得的电池显示出白色颜料层没有流动进入光伏电池的前部，并通过了加速湿度和热暴露试验。如此所获得的多层膜(d)在冷却时和/或在上述层压期间没有显示出显著的收缩。
实施例2
重复实施例1，但使用层压之前从所述第一层膜中切断的膜，然后将其在共挤出之前进行挤出和胶溶，作为层(b)。这样获得的膜被用于在实例1中的电池，并于原始膜的操作类似。
比较例1
重复实施例1，但在所述背部使用的是单层、白色颜料的EVA封装物。当层压时，发现大量白色的EVA与透明的前EVA封装物混合，因此迁移到光伏电池的前部上，同时也发现小部分透明的前EVA封装物流到组件的背部，在组件中留下透明的污渍。仅次于不希望得到的美学效果，所述电池的局部被覆盖导致了输出降低，从而降低了转换为白炽光的效力。
层压循环的变化并没有影响样品的质量，例如真空时间、最大压力和温度的不同，反之比较例中的溢出现象在任何情况下仍然存在。
以上例子清楚地显示了本发明的方法和材料的优点，特别是通过再利用减少了废料，而且减少了颜料层到光伏元件的前部的溢出。
这使得根据本发明的所述膜特别适于例如在背接触式电池上的使用。
尽管本发明的几个具体实施例已在上面详细描述中进行了说明，该说明不限定本发明于特定的形式或在此公开实施例，由于其是说明性的而非限制性的，对于本领域技术人员来说，本发明并不限于这些实施例是很明显的。

Claims (48)

1.一种用于光伏电池封装的多层膜，包括：
(a)至少一个第一热塑性聚合物外层；
(b)设置在所述第一外层和第二外层之间的热塑性聚合物中间层；以及
(c)第二热塑性聚合物外层，
其特征在于：(a)、(b)或(c)中至少一个是不透明的。
2.根据权利要求1所述的膜，其特征在于：(a)、(b)和(c)中的一个或多个是透明的，优选至少(a)是透明的。
3.根据权利要2所述的膜，其特征在于：所述一个或多个不透明层包括漫反射颜料，根据ASTM标准E903测定,当所述不透明层厚度为30-500微米时，所述不透明层在波长为400-800nm的光下具有至少75％的反射率；当所述不透明层厚度为50-250微米时，所述不透明层在波长为400-800nm的光下具有至少95％的反射率。
4.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于：层(a)至(c)中至少一层包括乙烯醋酸乙烯酯共聚物。
5.根据权利要求4所述的膜，其特征在于：来自醋酸乙烯酯的结构单元占用于层(a)至(c)的乙烯醋酸乙烯酯共聚物的质量比为18％或以上。
6.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于：所述聚合物层被共挤出以形成膜。
7.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于：一个聚合物外层的熔点T1比其余聚合物层中的至少一层的熔点T2至少低10℃。
8.根据权利要求7所述的膜，其特征在于：所述熔点T1比熔点T2低10℃-100℃。
9.根据权利要求7或8所述的膜，其特征在于，聚合物层(a)和(c)中至少一层的熔点比层(b)的熔点至少低10℃。
10.根据权利要求8或9所述的膜，其特征在于：层(a)至(c)中至少一层包括下转换发光化合物，用于至少部分吸收具有一定波长的辐射和重新发射比被吸收辐射的波长更长波长的辐射。
11.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于：中间层(b)包括任选地官能化的聚烯烃，任选地官能化的聚烯烃共聚物或聚烯烃三元共聚物；任选地氢化的聚苯乙烯与丁二烯、异戊二烯的嵌段共聚物和/或与丁烯/乙烯的共聚物(SIS、SBS和/或SEBS)；聚甲基丙烯酸酯-聚丙烯酸酯嵌段共聚物，聚烯烃，或具有可共聚的官能化的单体的烯烃共聚物，如甲基丙烯酸(离聚物)。
12.根据权利要求11所述的膜，其特征在于：所述聚合物层(b)的熔点比层(a)和/或(c)的熔点高至少10℃-100℃。
13.根据权利要求11或12所述的膜，其特征在于：层(b)在其挤出温度Tb下的熔体流动指数等于层(a)和/或层(c)在其挤出温度Ta或Tc下的MFI或者在层(a)和/或层(c)在其挤出温度Ta或Tc下的MFI的负2到正2MFI范围内。
14.根据权利要求13所述的膜，其特征在于：在温度TL下，层(b)的MFI值与层(a)和/或层(c)的MFI值存在0.5-10的不同，其中TL为真空层压包括所述膜的光伏组件时的层压温度，其中TL等于、高于或低于Tb，其中Tb高于Ta。
15.根据权利要求14所述的膜，其特征在于：在温度TL下，所述层(a)和/或层(c)的MFI比层(b)的MFI高。
16.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于：层(a)或层(c)包括足量的硅烷附着力促进剂以实现与硅、金属和/或金属氧化物衍生面的粘合，如玻璃和/或光伏电池。
17.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于：层(a)、层(b)和/或层(c)进一步包括一种或多种交联系统，所述交联系统在所述层压温度TL下被活化。
18.根据权利要求17所述的膜，其特征在于：所述交联系统包括有机过氧化物引发剂。
19.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于，层(a)、层(b)和层(c)通过共挤出工艺彼此粘附。
20.根据上述任一权利要求所述的膜，其特征在于，层(a)包括原生材料。
21.根据任一前述权利要求所述的膜，其特征在于，层(b)和/或层(c)包括至少部分回收料。
22.根据权利要求21所述的膜，其特征在于：层(b)和/或(c)包括至少部分乙烯醋酸乙烯酯材料，所述乙烯醋酸乙烯酯材料是从所述膜中被修剪下来，并随后调整大小得到的。
23.根据权利要求20-22任一所述的膜，其特征在于：层(b)和/或层(c)包含的硅烷比层(a)少。
24.一种根据权利要求1-23中任一项所述的膜的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：(i)提供至少一种适于作封装材料的第一热塑性聚合物材料，(ii)提供至少一种适于作封装材料的第二热塑性聚合物材料，(iii)提供至少一种适于作中间聚合物材料的第三热塑性聚合物材料，以及(iv)共挤出包含各自封装材料(i)至(iii)的至少三层的膜。
25.根据权利要求24所述的方法，其特征在于：材料(i)和(ii)包括乙烯醋酸乙烯酯共聚物。
26.一种光伏组件的制备方法，包括将权利要求1-23任一所述的膜粘附于光伏电池层的前部和/或背部，以及将所述被结合的层加热至层压温度TL，所述层压温度高于层(a)和层(c)的熔点，可选地高于层(b)的熔点。
27.根据权利要求24或25所述的方法，其特征在于：还包括修剪所述共挤出膜以获得所需的宽度和/或长度，以及调整被修剪掉的膜材料的尺寸以获得回收膜材料。
28.根据权利要求27所述的方法，其特征在于：包括采用所述回收膜材料作为根据权利要求25所述的方法中的层(b)和/或层(c)的材料。
29.一种包括权利要求1-23任一所述的膜的光伏组件。
30.一种用于生产光伏电池的多层背板膜，包括：朝向上的第一透明封装外层(a)，邻近于所述第一层的第二封装层(b)；可选地朝向下的封装层(c)；以及聚合物膜(d)。
31.根据权利要求30所述的背板，其特征在于：所述聚合物膜包括部分双向芳香族聚酯和粘合促进层，所述粘合促进层用于提高所述聚酯薄膜与所述封装层(b)或(c)之间的粘附力。
32.根据权利要求30或31所述的背板，其特征在于：还包括一个保护层(e)，其包括含氟聚合物，其中，层(e)直接附到层(d)中远离层(c)的那侧。
33.根据权利要求30-32任一所述的背板，其特征在于：层(b)或层(c)中至少一个是不透明的。
34.根据权利要求33所述的背板，其特征在于：层(b)和/或层(c)包括漫反射颜料，并且根据ASTM标准E903所测定，在波长为400-800纳米的光下具有至少75％的反射率。
35.根据权利要求34所述的背板，其特征在于，所述颜料优选地包括被涂敷的惰性二氧化钛和/或云母。
36.根据权利要求30-35任一所述的背板，其特征在于：(a)、(b)和/或(c)中的一个或多个包括乙烯醋酸乙烯酯共聚物。
37.根据权利要求30-36任一所述的背板，其特征在于：来自醋酸乙烯酯的结构单元占用于层(a)，(b)和/或的乙烯醋酸乙烯酯共聚物的质量比为18％或以上。
38.根据权利要求30-37任一所述的背板，其特征在于：层(b)中包括的乙烯醋酸乙烯酯共聚物同于层(a)中使用的乙烯醋酸乙烯酯共聚物；嵌段共聚物如氢化的聚苯乙烯与丁二烯、异戊二烯的嵌段共聚物和/或与丁烯/乙烯的共聚物(SIS、SBS和/或SEBS)；聚甲基丙烯酸酯-聚丙烯酸酯嵌段共聚物，聚烯烃，或具有可共聚的官能化的单体的烯烃共聚物，如甲基丙烯酸(离聚物)；任选地官能化的聚烯烃、聚氨酯和/或硅树脂聚合物。
39.一种用于光伏电池的共挤出多层背板膜的制备方法，其特征在于，包括：
(i)提供第一封装材料(a)，和
(ii)提供第二封装材料(b)；以及任选地，
(iii)提供第三封装材料(c)，
(iv)提供聚合物膜(d)，任选地包括粘合促进层，以及
(v)将材料(a)、(b)共挤于所述膜(d)上，使得层(a)粘附于层(b)，层(b)粘附于所述膜(d)的一侧或层(c)的一侧，当需要时，层(c)粘附于膜(d)。
40.根据权利要求39所述的方法，其特征在于：从挤出机出来的上述材料的温度不同，温度差在5℃-60℃的范围内，优选10℃至50℃的范围内。
41.根据权利要求39或40所述的方法，其特征在于：在挤出机温度下，材料(a)、(b)的熔体流动指数差在0-5的范围内。
42.一种光伏组件的制备方法，包括将根据权利要求30-38任一所述的背板粘附于光伏电池层的背部。
43.一种包括根据权利要求30-38任一所述的被层压的背板的光伏组件。
44.根据权利要求43所述的光伏组件，其特征在于：还包括前板和前封装，所述前封装包括乙烯醋酸乙烯酯共聚物封装层，以及嵌于所述前封装层和层(a)中的光伏电池。
45.根据权利要求44所述的光伏组件，其特征在于，所述前板包括厚度为1.6-4毫米的一个或多个玻璃板。
46.根据权利要求1-23任一所述的膜的制备方法，包括以下步骤：(i)提供一种或多种用于每个聚合物层的母料聚合物材料，以及(ii)将母料聚合物材料共挤出成层，形成聚合物片材。
47.根据权利要求46所述的方法，其特征在于：还包括由聚合物材料和添加剂制备一种或多种母料，并将母料成型为颗粒用于共挤出。
48.包含有所述聚合物材料和添加剂的母料在制备权利要求1-23中任意一项所述的薄膜中的应用。
CN201380038237.2A 2012-05-16 2013-05-15 用于光伏组件的多层封装膜 Active CN104619490B (zh)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2008841 2012-05-16
NL2008837 2012-05-16
NL2008840 2012-05-16
NL2008838 2012-05-16
NL2008840A NL2008840C2 (en) 2012-05-16 2012-05-16 Multilayer encapsulant film for photovoltaic modules.
NL2008839 2012-05-16
NL2008838A NL2008838C2 (en) 2012-05-16 2012-05-16 Polymer sheet.
NL2008841A NL2008841C2 (en) 2012-05-16 2012-05-16 Multilayer backsheet for photovoltaic modules.
NL2008837A NL2008837C2 (en) 2012-05-16 2012-05-16 Solar panel.
NL2008839A NL2008839C2 (en) 2012-05-16 2012-05-16 Glass element.
PCT/EP2013/060073 WO2013171272A2 (en) 2012-05-16 2013-05-15 Multilayer encapsulant film for photovoltaic modules

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104619490A true CN104619490A (zh) 2015-05-13
CN104619490B CN104619490B (zh) 2018-10-09

Family

ID=48483053

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380038237.2A Active CN104619490B (zh) 2012-05-16 2013-05-15 用于光伏组件的多层封装膜
CN201810350990.XA Active CN108608703B (zh) 2012-05-16 2013-05-15 聚合物片材
CN201380038224.5A Active CN104540677B (zh) 2012-05-16 2013-05-15 聚合物片材

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810350990.XA Active CN108608703B (zh) 2012-05-16 2013-05-15 聚合物片材
CN201380038224.5A Active CN104540677B (zh) 2012-05-16 2013-05-15 聚合物片材

Country Status (10)

Country Link
US (3) US20150129018A1 (zh)
EP (2) EP2850664B1 (zh)
JP (2) JP6417320B2 (zh)
KR (2) KR20150013796A (zh)
CN (3) CN104619490B (zh)
BE (2) BE1021307B1 (zh)
ES (1) ES2733319T3 (zh)
IN (2) IN2014DN10540A (zh)
TR (1) TR201909846T4 (zh)
WO (2) WO2013171272A2 (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107452814A (zh) * 2017-06-26 2017-12-08 南通华隆微电子股份有限公司 一种半导体光电二极管封装结构
CN107492579A (zh) * 2017-06-26 2017-12-19 南通华隆微电子股份有限公司 一种半导体二极管器件的封装结构
CN107841029A (zh) * 2017-01-17 2018-03-27 湖北航天化学技术研究所 一种太阳能电池背板用高耐候性pe膜
CN107845696A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 阿特斯(中国)投资有限公司 一种双波组件及其制备方法
CN108075006A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 上海海优威新材料股份有限公司 多层结构的太阳能电池背板
CN108987513A (zh) * 2018-07-23 2018-12-11 常州百佳年代薄膜科技股份有限公司 紫外线截止型三层共挤复合膜及其应用
CN110461990A (zh) * 2017-03-24 2019-11-15 巴斯夫欧洲公司 作为颜色转换器的基质材料的聚(呋喃-2,5-二甲酸乙二醇酯)
CN111303782A (zh) * 2020-04-14 2020-06-19 杭州福斯特应用材料股份有限公司 一种光伏组件用封装胶膜及其制备方法
CN111435688A (zh) * 2018-12-25 2020-07-21 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种光伏背板及包含所述光伏背板的光伏组件
CN113314634A (zh) * 2020-07-23 2021-08-27 中天光伏材料有限公司 一种具有下转换功能的太阳能电池背板及其制备方法
CN113416495A (zh) * 2020-03-02 2021-09-21 上海海优威新材料股份有限公司 光伏组件封装用白色热熔胶胶膜

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6625317B2 (ja) * 2013-06-06 2019-12-25 住友化学株式会社 太陽電池用封止シート
EP3058598A4 (en) 2013-10-17 2017-03-29 Nanophotonica, Inc. Quantum dot for emitting light and method for synthesizing same
CN105684163B (zh) 2013-10-30 2017-06-27 日东电工株式会社 波长转换型封装材料组合物、波长转换型封装材料层及使用其的太阳能电池模组
CN104701398B (zh) * 2013-12-04 2018-03-23 常州亚玛顿股份有限公司 高效率双玻太阳能电池模块
WO2015089145A1 (en) * 2013-12-12 2015-06-18 Nanophotonica, Inc. A method and structure of promoting positive efficiency aging and stabilization of quantum dot light-emitting diode
KR101402355B1 (ko) * 2014-01-16 2014-06-02 (주)휴넷플러스 유기 전자 소자 및 이의 제조방법
JP6446868B2 (ja) * 2014-07-11 2019-01-09 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材シート及びその製造方法
JP6413411B2 (ja) * 2014-07-11 2018-10-31 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材シートの製造方法
JP2016036023A (ja) * 2014-07-31 2016-03-17 住友化学株式会社 太陽電池用封止シート
KR102307348B1 (ko) * 2014-08-06 2021-09-30 엔에스 마테리얼스 아이엔씨. 수지 성형품 및 그 제조방법, 그리고 파장 변환 부재, 조명 부재
JP6018608B2 (ja) * 2014-08-08 2016-11-02 日東電工株式会社 封止シート、その製造方法、光半導体装置および封止光半導体素子
CN104409538A (zh) * 2014-12-17 2015-03-11 苏州费米光电有限公司 一种便捷式太阳能板
JP6686291B2 (ja) * 2015-03-31 2020-04-22 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用封止材シート及びそれを用いてなる封止材一体型裏面保護シート
WO2016161340A1 (en) * 2015-04-01 2016-10-06 Ayon Arturo A Compositions for uv sequestration and methods of use
US20190067503A1 (en) * 2015-11-04 2019-02-28 Borealis Ag A photovoltaic module
EP3196012A1 (en) * 2016-01-20 2017-07-26 AGC Glass Europe Organic photovoltaic assembly and process of manufacture
JP2017212403A (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池モジュール及びその製造方法
US10396226B2 (en) * 2016-08-29 2019-08-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Masterbatch for solar battery sealing sheet and process for producing solar battery sealing sheet
JP6874317B2 (ja) * 2016-09-30 2021-05-19 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材シート、及びそれを用いた太陽電池モジュール
WO2018218482A1 (en) * 2017-05-31 2018-12-06 Dow Global Technologies Llc Non-polar ethylene-based compositions with triallyl phosphate for encapsulant films
DE112018004929T5 (de) 2017-09-08 2020-06-18 The Regents Of The University Of Michigan Elektromagnetischer energiewandler
FR3077679A1 (fr) * 2018-02-07 2019-08-09 Electricite De France Cellule photovoltaique avec proteines luminescentes
KR101999591B1 (ko) * 2018-04-17 2019-07-12 한화큐셀앤드첨단소재 주식회사 전극 일체형 태양전지 보호시트, 이의 제조방법, 이를 포함하는 태양전지 모듈 및 태양전지 모듈의 제조 방법
IT201800004707A1 (it) * 2018-04-19 2019-10-19 Concentratori solari luminescenti di colore neutro
JP6660037B2 (ja) * 2018-06-29 2020-03-04 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール
KR102621803B1 (ko) * 2018-09-21 2024-01-08 신동수 고비중, 항균 및 자외선 차단 성능을 갖는 pet 다기능성 마스터 배치 및, 그의 제조방법, 그를 이용한 폴리에스테르 섬유
JP6822457B2 (ja) * 2018-09-28 2021-01-27 大日本印刷株式会社 太陽電池モジュール用の封止材組成物、及び、太陽電池モジュール用の封止材シートの製造方法
JP6658942B1 (ja) * 2019-03-29 2020-03-04 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、成形体、光学性層、カバー部材および移動体
CN110367010A (zh) * 2019-07-24 2019-10-25 肥东县云武研发有限公司 有助植物生长的农用聚乙烯保温薄膜及其制备方法
CN110682647A (zh) * 2019-10-21 2020-01-14 常州斯威克光伏新材料有限公司 一种光电转换效率高的光伏组件用封装胶膜
US11695089B2 (en) * 2019-12-31 2023-07-04 Industrial Technology Research Institute Solar cell modules
US20220032578A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 Asterios Saios Multilayer plastic film for agricultural use
NL2026856B1 (en) 2020-11-09 2022-06-27 Exa Ip Bv Photovoltaic Devices
CN114649434A (zh) * 2020-12-21 2022-06-21 杭州福斯特应用材料股份有限公司 图案化胶膜和光伏组件
JP2022099203A (ja) * 2020-12-22 2022-07-04 財團法人工業技術研究院 太陽電池モジュール
NL2027258B1 (en) 2020-12-31 2022-07-21 Exa Ip Bv Integrated photovoltaic roof element
CN117425696A (zh) * 2021-07-05 2024-01-19 株式会社力森诺科 光反射用热固性树脂组合物、光半导体元件搭载用基板及光半导体装置
US11945196B2 (en) * 2021-07-29 2024-04-02 Peak Nano Films, LLC Films and sheets having microlayers and nanolayers including recycled content
NL2031542B1 (en) 2022-04-08 2023-11-03 Exasun B V Building-integrated thermal photovoltaic building cladding system
CN115274897B (zh) * 2022-07-18 2023-06-06 江苏中来新材科技有限公司 一种高反射的光转换光伏背板和双面光伏组件
CN115519869A (zh) * 2022-09-01 2022-12-27 北京金茂绿建科技有限公司 一种光伏背板、光伏组件以及光伏背板的制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060166023A1 (en) * 2002-09-06 2006-07-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Backside protective sheet for solar battery module and solar battery module using the same
US20100092759A1 (en) * 2008-10-13 2010-04-15 Hua Fan Fluoropolymer/particulate filled protective sheet
US20100108128A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Lih-Long Chu Co-Extruded, Multilayered Polyolefin-Based Backsheet for Electronic Device Modules
US20110146762A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Marina Temchenko High performance backsheet for photovoltaic applications and method for manufacturing the same
CN102157591A (zh) * 2011-01-11 2011-08-17 山东东岳高分子材料有限公司 一种太阳能电池背板及其制备方法
US20110259406A1 (en) * 2010-04-26 2011-10-27 BioSolar Inc. Photovoltaic module backsheet, materials for use in module backsheet, and processes for making the same
US20110272004A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Davis Robert F Solar panels with opaque EVA film backseets
CN102271914A (zh) * 2009-01-28 2011-12-07 大科能树脂有限公司 太阳能电池用背板及具备其的太阳能电池模块
WO2011156305A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for preparing transparent multilayer film structures having a perfluorinated copolymer resin layer

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3133390A1 (de) 1981-08-24 1983-03-10 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen Verfahren zur flaechenmaessigen konzentrierung von licht und neue fluoreszierende verbindungen
US7384680B2 (en) 1997-07-21 2008-06-10 Nanogram Corporation Nanoparticle-based power coatings and corresponding structures
JPH1187744A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Canon Inc 太陽電池モジュールの製造方法
ES2321390T3 (es) 2003-05-20 2009-06-05 Dsm Ip Assets B.V. Proceso de revestimiento de superficie nano-estructurada, revestimientos nano-estructurados y articulos que comprenden el revestimiento.
US7613606B2 (en) * 2003-10-02 2009-11-03 Nokia Corporation Speech codecs
FR2870007B1 (fr) 2004-05-10 2006-07-14 Saint Gobain Feuille transparente texturee a motifs pyramidaux inclines
US20050268961A1 (en) * 2004-06-04 2005-12-08 Saint-Gobain Performance Plastics Coporation Photovoltaic device and method for manufacturing same
DE102005043572A1 (de) * 2005-09-12 2007-03-15 Basf Ag Fluoreszenzkonversionssolarzellen auf Basis von Terrylenfluoreszenzfarbstoffen
US20070295390A1 (en) * 2006-05-05 2007-12-27 Nanosolar, Inc. Individually encapsulated solar cells and solar cell strings having a substantially inorganic protective layer
US7727418B2 (en) 2006-06-19 2010-06-01 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Infrared transmissive thermoplastic composition, and articles formed therefrom
US8772624B2 (en) * 2006-07-28 2014-07-08 E I Du Pont De Nemours And Company Solar cell encapsulant layers with enhanced stability and adhesion
JP2010504392A (ja) * 2006-09-20 2010-02-12 ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド 透明組成物及びラミネート
DE102006048216A1 (de) * 2006-10-11 2008-04-17 Wacker Chemie Ag Laminate mit thermoplastischen Polysiloxan-Harnstoff-Copolymeren
MX2009004064A (es) * 2006-10-16 2009-04-28 Valspar Sourcing Inc Pelicula termoplastica de multiples capas.
JP5361387B2 (ja) * 2006-10-18 2013-12-04 サンビック株式会社 蛍光性樹脂組成物及びそれを用いた太陽電池モジュール
EP2087870B1 (en) * 2006-11-27 2014-03-26 Uni-Charm Corporation Absorptive article
US7767253B2 (en) 2007-03-09 2010-08-03 Guardian Industries Corp. Method of making a photovoltaic device with antireflective coating
WO2008110567A1 (en) * 2007-03-13 2008-09-18 Basf Se Photovoltaic modules with improved quantum efficiency
US8080726B2 (en) * 2007-04-30 2011-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising compositionally distinct encapsulant layers
WO2009006301A2 (en) * 2007-06-29 2009-01-08 Battelle Memorial Institute Protein stabilization
US20100194265A1 (en) 2007-07-09 2010-08-05 Katholieke Universiteit Leuven Light-emitting materials for electroluminescent devices
WO2009011791A2 (en) * 2007-07-17 2009-01-22 Miasole Photovoltaic device with a luminescent down-shifting material
JP5483395B2 (ja) * 2008-09-02 2014-05-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 封止用樹脂シート及びこれを用いた太陽電池
US8080727B2 (en) * 2008-11-24 2011-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising an encapsulant sheet of a blend of ethylene copolymers
KR101657731B1 (ko) 2009-03-06 2016-09-19 디에스엠 아이피 어셋츠 비.브이. 슬롯 다이 코팅 방법
DE102009002386A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-21 Evonik Degussa Gmbh Fluoreszenzkonversionssolarzelle - Herstellung im Spritzgussverfahren
US20120053317A1 (en) * 2009-04-23 2012-03-01 Teijin Dupont Films Japan Limited Biaxially oriented polyester film for solar cells
EP2430648B1 (en) 2009-05-12 2014-09-17 First Solar, Inc Photovolaic device
US20100304111A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-02 Anthony Curtis Vulpitta Sound reducing and fire resistant surface apparatus and method of making the same
JP2011014725A (ja) * 2009-07-02 2011-01-20 Hitachi Chem Co Ltd 波長変換型太陽電池封止材、これを用いた太陽電池モジュール及びこれらの製造方法
AT508399A1 (de) * 2009-07-06 2011-01-15 3S Swiss Solar Systems Ag Verfahren zur herstellung eines aus schichten aufgebauten solarpaneels
JP4504457B1 (ja) * 2009-07-28 2010-07-14 株式会社フジクラ 色素増感太陽電池の封止用積層シート及びこれを用いた色素増感太陽電池の製造方法
US20110027200A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-03 Bernstein Eric F Methods to stabilize and prevent breakdown of sunscreen and other topical and oral preparations and compositions produced thereby
JP2011054814A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Mitsubishi Rayon Co Ltd 太陽電池用集光部材および太陽電池
JP2011077088A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Toppan Printing Co Ltd 太陽電池モジュール用封止材シート及び太陽電池モジュール
JP2011073337A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Asahi Kasei E-Materials Corp 樹脂封止シート
JP5752362B2 (ja) * 2010-04-09 2015-07-22 日立化成株式会社 太陽電池用波長変換性樹脂組成物および太陽電池モジュール
CN102939668A (zh) 2010-04-21 2013-02-20 安可太阳能股份有限公司 具有电沉积的化合物界面层的太阳能电池的制造方法
DE102010028180A1 (de) * 2010-04-26 2011-10-27 Evonik Röhm Gmbh Fluoreszenzkonversionssolarzelle - Herstellung im Extrusionslaminationsverfahren oder im Kleberlaminationsverfahren
JP5276049B2 (ja) * 2010-05-07 2013-08-28 テクノポリマー株式会社 太陽電池用裏面保護フィルム及びその製造方法並びに太陽電池モジュール
WO2011149028A1 (ja) * 2010-05-28 2011-12-01 旭硝子株式会社 波長変換フィルム
US20110308593A1 (en) 2010-06-18 2011-12-22 Primestar Solar Modified cadmium telluride layer, a method of modifying a cadmium telluride layer, and a thin film device having a cadmium telluride layer
JP5542547B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-09 日本ポリエチレン株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池封止材用組成物及びそれからなる太陽電池封止材
US8778724B2 (en) 2010-09-24 2014-07-15 Ut-Battelle, Llc High volume method of making low-cost, lightweight solar materials
CN103189426B (zh) * 2010-10-11 2016-06-22 Novo聚合物公众有限公司 一种用于退火处理光伏封装聚合物薄膜的方法
US9527994B2 (en) 2010-10-29 2016-12-27 Kuraray Co., Ltd. Methacrylic resin composition, resin modifier, and molded article
JP2014512099A (ja) * 2011-03-31 2014-05-19 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー ダウンコンバージョン材料を含む光透過性熱可塑性樹脂および光起電モジュールにおけるそれらの使用
CN102275363A (zh) * 2011-05-26 2011-12-14 宁波华丰包装有限公司 低收缩率太阳能电池封装用eva/pc复合胶膜

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060166023A1 (en) * 2002-09-06 2006-07-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Backside protective sheet for solar battery module and solar battery module using the same
US20100092759A1 (en) * 2008-10-13 2010-04-15 Hua Fan Fluoropolymer/particulate filled protective sheet
US20100108128A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Lih-Long Chu Co-Extruded, Multilayered Polyolefin-Based Backsheet for Electronic Device Modules
CN102271914A (zh) * 2009-01-28 2011-12-07 大科能树脂有限公司 太阳能电池用背板及具备其的太阳能电池模块
US20110146762A1 (en) * 2009-12-23 2011-06-23 Marina Temchenko High performance backsheet for photovoltaic applications and method for manufacturing the same
US20110259406A1 (en) * 2010-04-26 2011-10-27 BioSolar Inc. Photovoltaic module backsheet, materials for use in module backsheet, and processes for making the same
US20110272004A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Davis Robert F Solar panels with opaque EVA film backseets
WO2011156305A1 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for preparing transparent multilayer film structures having a perfluorinated copolymer resin layer
CN102157591A (zh) * 2011-01-11 2011-08-17 山东东岳高分子材料有限公司 一种太阳能电池背板及其制备方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107845696A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 阿特斯(中国)投资有限公司 一种双波组件及其制备方法
CN108075006A (zh) * 2016-11-15 2018-05-25 上海海优威新材料股份有限公司 多层结构的太阳能电池背板
CN107841029A (zh) * 2017-01-17 2018-03-27 湖北航天化学技术研究所 一种太阳能电池背板用高耐候性pe膜
CN110461990A (zh) * 2017-03-24 2019-11-15 巴斯夫欧洲公司 作为颜色转换器的基质材料的聚(呋喃-2,5-二甲酸乙二醇酯)
CN107452814A (zh) * 2017-06-26 2017-12-08 南通华隆微电子股份有限公司 一种半导体光电二极管封装结构
CN107492579A (zh) * 2017-06-26 2017-12-19 南通华隆微电子股份有限公司 一种半导体二极管器件的封装结构
CN108987513A (zh) * 2018-07-23 2018-12-11 常州百佳年代薄膜科技股份有限公司 紫外线截止型三层共挤复合膜及其应用
CN108987513B (zh) * 2018-07-23 2022-03-15 常州百佳年代薄膜科技股份有限公司 紫外线截止型三层共挤复合膜及其应用
CN111435688A (zh) * 2018-12-25 2020-07-21 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种光伏背板及包含所述光伏背板的光伏组件
CN113416495A (zh) * 2020-03-02 2021-09-21 上海海优威新材料股份有限公司 光伏组件封装用白色热熔胶胶膜
CN111303782A (zh) * 2020-04-14 2020-06-19 杭州福斯特应用材料股份有限公司 一种光伏组件用封装胶膜及其制备方法
CN113314634A (zh) * 2020-07-23 2021-08-27 中天光伏材料有限公司 一种具有下转换功能的太阳能电池背板及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180323323A1 (en) 2018-11-08
JP2015522945A (ja) 2015-08-06
EP2849943A2 (en) 2015-03-25
BE1021330B1 (nl) 2015-10-30
KR20150013796A (ko) 2015-02-05
EP2850664B1 (en) 2019-06-19
JP2015523920A (ja) 2015-08-20
WO2013171272A2 (en) 2013-11-21
CN104540677A (zh) 2015-04-22
ES2733319T3 (es) 2019-11-28
JP6417320B2 (ja) 2018-11-07
WO2013171275A3 (en) 2014-07-17
CN108608703A (zh) 2018-10-02
CN104619490B (zh) 2018-10-09
IN2014DN10540A (zh) 2015-08-21
US20150144191A1 (en) 2015-05-28
EP2850664A2 (en) 2015-03-25
TR201909846T4 (tr) 2019-07-22
BE1021307B1 (nl) 2015-10-27
IN2014DN10539A (zh) 2015-08-21
CN104540677B (zh) 2018-05-22
US20150129018A1 (en) 2015-05-14
KR20150020207A (ko) 2015-02-25
CN108608703B (zh) 2021-03-16
WO2013171272A3 (en) 2014-08-07
WO2013171275A2 (en) 2013-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104619490B (zh) 用于光伏组件的多层封装膜
US6114046A (en) Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications
EP0998389B1 (en) Encapsulant material for solar cell module and laminated glass applications
EP0998524B1 (en) Uv light stabilization additive package for solar cell module and laminated glass applications
KR101319931B1 (ko) 다층 재료, 태양 전지용 봉지재, 안전(접합) 유리용 중간막, 태양 전지 모듈 및 안전(접합) 유리
WO2010038875A1 (ja) 太陽電池用裏面保護フィルム及びそれを備える太陽電池モジュール
WO2010126088A1 (ja) 太陽電池用シート及び太陽電池モジュール
JP2014512099A (ja) ダウンコンバージョン材料を含む光透過性熱可塑性樹脂および光起電モジュールにおけるそれらの使用
JP2013535554A (ja) 光起電力セル用の架橋性アイオノマー封止材
JP2009302220A (ja) 太陽電池用封止膜および太陽電池モジュール
JP2012106488A (ja) 積層シート及びそれを備える太陽電池モジュール
NL2008837C2 (en) Solar panel.
JP6446868B2 (ja) 太陽電池モジュール用の封止材シート及びその製造方法
NL2008840C2 (en) Multilayer encapsulant film for photovoltaic modules.
WO2012043244A1 (ja) 積層シート及びそれを備える太陽電池モジュール
WO2012043243A1 (ja) 積層シート及びそれを備える太陽電池モジュール
NL2008838C2 (en) Polymer sheet.
JP2012091504A (ja) 積層シート及びそれを備える太陽電池モジュール
JP2012106487A (ja) 積層シート及びそれを備える太陽電池モジュール
JP2012091503A (ja) 積層シート及びそれを備える太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20171103

Address after: No. 66, Jinxi Development Zone, Jintan City, Jiangsu

Applicant after: Fundant (Changzhou) new metal materials Co.

Address before: Belgium Pearce

Applicant before: NOVOPOLYMERS NV

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant