CN104592734A - 光半导体密封用固化性组合物及使用其的光半导体装置 - Google Patents

光半导体密封用固化性组合物及使用其的光半导体装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种供给耐冲击性及耐龟裂性优异，进而具有低的透气性的固化物的光半导体密封用固化性组合物、及利用对该光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物对光半导体元件进行了密封的光半导体装置。所述光半导体密封用固化性组合物含有(A)1分子中具有2个以上的烯基，进而，在主链中具有全氟聚醚结构的直链状多氟化合物、(B)下述通式(1)所示的有机氢化聚硅氧烷、(C)铂族金属类催化剂、(D)下述通式(2)所示的环状有机聚硅氧烷、(E)羧酸酐，其中，对光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物的硬度以JIS K6253-3中所规定的A型硬度计测定为30～90的值。[化学式1][化学式2]

Description

光半导体密封用固化性组合物及使用其的光半导体装置
技术领域
本发明涉及一种光半导体密封用固化性组合物及使用其的光半导体装置。
背景技术
目前，作为固化性组合物，公开了由1分子中具有2个以上的烯基且在主链中具有全氟聚醚结构的直链状氟聚醚化合物、1分子中具有2个以上与硅原子直接键合的氢原子的含氟有机氢化聚硅氧烷及铂族化合物构成的组合物，得到耐热性、耐药品性、耐溶剂性、脱模性、防水性、防油性、低温特性等性质的均衡性优异的固化物(专利文献1)。
而且，公开了一种通过向上述组合物中添加具有氢化甲硅烷基和环氧基和/或三烷氧基甲硅烷基的有机聚硅氧烷，而对金属及塑料基体材料赋予了自粘接性的组合物(专利文献2)。
进而，公开了一种通过向上述组合物中添加羧酸酐而提高了相对于各种基体材料、特别是聚苯硫醚树脂(PPS)或聚酰胺树脂的粘接性的组合物(专利文献3)。另外，在专利文献4中，公开了一种即使在腐蚀性的酸性气体或碱性气体的存在下也可以防止亮度降低的组合物。
但是，在将以这些现有技术实际制备的组合物进行固化而得到的固化物中，若将JIS K6253-3:2012所规定的A型肖氏硬度为20左右的低硬度固化物用作发光二极管(下面，称为“LED”)的密封材料，则有时作为密封材料的耐冲击性不充分。例如，在使用碗型振动送料器将以上述固化物对LED进行了密封的散装(バラ積み)的光半导体装置按照一定方向、姿势进行排列的情况下，经常产生连接LED芯片和电极的管芯键合线因光半导体装置彼此冲撞产生的冲击而断开这样的问题。
另一方面，关于以上述A型肖氏硬度超过90的该固化物对LED进行了密封的光半导体装置，若进行温度循环试验，则有时在该固化物上产生龟裂。
进而，在对LED进行了密封的光半导体装置中，为了提高亮度，有时在LED的周围镀银。若在暴露于硫系气体中的环境下使用该光半导体装置(其将对以上述现有技术所制备的组合物进行固化而得到的固化物用作LED的密封材料)，则硫系气体经时透过该固化物而使银变为黑色，因此，经常产生亮度降低这样的不良情况。因此，作为如上所述的组合物，在固化而制成固化物时，期望其表现出更低的透气性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国特开平8-199070号公报
专利文献2：日本国特开平9-095615号公报
专利文献3：日本国特开2001-072868号公报
专利文献4：日本国特开2009-277887号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够形成耐冲击性及耐龟裂性优异、且具有低透气性的固化物的光半导体密封用固化性组合物、及利用将该光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物对光半导体元件进行了密封的光半导体装置。
用于解决课题的技术方案
为了解决上述课题，本发明提供一种光半导体密封用固化性组合物，其含有：
(A)1分子中具有2个以上的烯基、在主链中具有全氟聚醚结构、且烯基含量为0.0050～0.200mol/100g的直链状多氟化合物：100质量份；
(B)下述通式(1)所示的有机氢化聚硅氧烷，
[化学式1]
(式中，a为3～10的整数，A为全氟亚烷基、全氟氧亚烷基、或含有这两者的2价有机基团，D彼此独立地为任选含有硅原子、氧原子或氮原子的取代或未取代的2价烃基，R1彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，R2彼此独立地为氢原子、或者通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，R2中的三个以上为氢原子。)
(C)铂族金属类催化剂：换算成铂族金属原子为0.1～500ppm；
(D)下述通式(2)所示的环状有机聚硅氧烷：0.10～10.0质量份；
[化学式2]
(式中，b为1～6的整数，c为1～4的整数，d为1～4的整数，b+c+d为4～10的整数，R3彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，E彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，G彼此独立地为通过任选含有氧原子的2价烃基与硅原子键合的环氧基或三烷氧基甲硅烷基、或者这两者，其中，-(SiO)(H)R3-、-(SiO)(E)R3-、及-(SiO)(G)R3-的键合顺序没有限制。)
(E)羧酸酐：0.010～10.0质量份；
其中，相对于该组合物中所含的烯基1摩尔，所述(B)成分的配合量为使与所述(B)成分中的硅原子直接键合的氢原子达到0.50～2.0摩尔的量，使该光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物的硬度以JISK6253-3:2012所规定的A型硬度计测定的值为30～90。
若如上所述的光半导体密封用固化性组合物为含有上述(A)～(E)成分的全部，固化物的硬度具有上述范围的加成固化型氟聚醚系固化性组合物，则可以得到耐冲击性及耐龟裂性优异、且具有低的透气性的固化物。
进一步优选含有下述通式(3)所示的环状有机聚硅氧烷0.10～50.0质量份作为(F)成分。
[化学式3]
(式中，e为1～4的整数，f为3～6的整数，e+f为4～10的整数，R4彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，J彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，L彼此独立地为与硅原子直接键合的烯基。其中，-(SiO)(J)R4-及-(SiO)(L)R4-的键合顺序没有限制。)
若为含有如上所述的(A)成分～(E)成分以及根据需要的所述(F)成分的光半导体密封用固化性组合物，则可以得到耐冲击性及耐龟裂性更优异，且具有低的透气性的固化物。因此，所述光半导体密封用固化性组合物的固化物可以优选用于光半导体元件的密封材料、特别是用于保护LED的密封材料。
另外，优选所述(A)成分为下述通式(4)所示的直链状多氟化合物。
[化学式4]
(式中，R6及R7彼此独立地为烯基、或取代或未取代的1价烃基，一个以上为烯基。R8彼此独立地为氢原子、或者取代或未取代的1价烃基，g及h分别为1～150的整数，且g+h的平均值为2～300，i为0～6的整数。)
进一步优选所述(A)成分为选自下述通式(5)、下述通式(6)、及下述通式(7)中的1种以上的直链状多氟化合物。
[化学式5]
(式中，R8彼此独立地为氢原子、或者取代或未取代的1价烃基，g及h分别为1～150的整数，且g+h的平均值为2～300，i为0～6的整数，R9彼此独立地为取代或未取代的1价烃基。)
[化学式6]
(式中，R8、R9、g、h、及i与上述相同。)
[化学式7]
(式中，R8、g、h、及i与上述相同。)
若为如上所述的(A)成分则可以得到耐热性、耐药品性、耐溶剂性、脱模性、防水性、防油性、低温特性等性质的均衡性好，作为密封材料更优异的固化物。
另外，优选所述(B)成分的A中所含的全氟氧亚烷基为含有1～500个下述通式(8)所示的重复单元的基团。
-Ce’F2e’O-  (8)
(式中，e’为在各单元中独立地为1～6的整数)
进一步优选所述(B)成分的A为选自下述通式(9)、下述通式(10)、及下述通式(11)中的基团。
[化学式8]
(式中，R10彼此独立地为氟原子或CF3基，j为1～4的整数，k及n分别为0～200的整数，k+n的平均值为0～400，l为2～6的整数。另外，各重复单元的键合顺序没有限制。)
[化学式9]
-CjF2j(CF2CF2CF2O)pCjF2j-    (10)
(式中，p为1～200的整数，j与上述相同。)
[化学式10]
(式中，R10、j、k、及n与上述相同。另外，各重复单元的键合顺序没有限制。)
若为如上所述的(B)成分，则可以得到具有更低的透气性的固化物。
另外，优选所述(E)成分为选自下述通式(12)及下述通式(13)中的羧酸酐。
[化学式11]
(式中，q为1～6的整数，r为1～4的整数，s为1～4的整数，q+r+s为4～10的整数，R11彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，M彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，Q彼此独立地为通过2价烃基与硅原子键合的环状羧酸酐残基。其中，-(SiO)(H)R11-、-(SiO)(M)R11-及-(SiO)(Q)R11-的键合顺序没有限制。)
[化学式12]
(式中，R11、M、及Q与上述相同、t为1～3的整数，u为0～2的整数，t+u为3。)
若为如上所述的(E)成分，则可以得到相对于各种基体材料的粘接性提高了的固化物。
另外，优选所述通式(1)中的R2、所述通式(2)中的E、所述通式(3)中的J以及所述通式(12)中的M所含的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基彼此独立地为下述通式(14)或通式(15)所示的基团。
CvF2v+1-      (14)
(式中，v为1～10的整数。)
[化学式13]
(式中，w为1～10的整数)
若为如上所述的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，则可以制成与(A)成分的相溶性、分散性及固化后的均匀性更优异的组合物。
另外，优选对所述光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的1mm厚的固化物的水蒸气透过率为15.0g/m2·天以下。
如上所述，若水蒸气透过率为15.0g/m2·天以下，则在LED的周围镀银的光半导体装置中，在将对本发明的组合物进行固化而得到的固化物用作LED的密封材料的情况下，即使暴露在硫系气体中也不用担心银因该气体黑色化而使亮度降低，故优选。
进一步优选所述光半导体密封用固化性组合物的JIS K7117-1:1999所规定的23℃下的粘度为50.0～50,000mPa·s。
如上所述，若粘度为50.0mPa·s以上，则不用担心流动性过高而难以控制以一定量灌封到LED封装件内的涂布器，故优选，若为50,000mPa·s以下，则不用担心光半导体密封用固化性组合物灌封到LED封装件内后进行流平花费时间而使生产率降低，故优选。
此外，优选对所述光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物在25℃、589nm(钠D线)下的折射率为1.30以上且低于1.40。
如上所述，若折射率为1.30以上且低于1.40，则在利用将本发明的组合物固化而得到的固化物对LED进行了密封的光半导体装置中，不用担心将由LED发出的光取出到外部的效率不充分，故优选。
另外，本发明提供一种光半导体装置，其具有光半导体元件和用于密封该光半导体元件且由所述光半导体密封用固化性组合物固化而得到的固化物。
本发明的光半导体密封用固化性组合物可以提供耐冲击性及耐龟裂性优异、且具有低的透气性的固化物，因此，利用该固化物对光半导体元件进行了密封的光半导体装置即使该光半导体装置彼此发生碰撞，也不易产生部件的损伤，因此，可以提高成品率及生产率。另外，即使进行温度循环试验，固化物也不易产生龟裂，因此，可以提高可靠性。进而，硫系气体不易透过固化物，因此，可以抑制亮度的降低。
另外，优选所述光半导体元件为发光二极管。
如上所述，本发明的光半导体密封用固化性组合物的固化物可以特别优选用作用于保护发光二极管的密封材料。
发明的效果
本发明的光半导体密封用固化性组合物通过组合上述(A)～(E)成分、以及根据需要的(F)成分，其固化物具有良好的耐冲击性及耐龟裂性、且具有低透气性，因此，利用该固化物对光半导体元件进行了密封的光半导体装置可以在不会产生管芯键合线的断开等损伤部件的情况下制造。另外，即使进行温度循环试验，也可抑制固化物的龟裂的产生。进而，即使在暴露于硫系气体中的环境下使用该光半导体装置，也可以抑制亮度的降低，因此，适合用作保护LED的密封材料。
附图说明
图1是示出了本发明的光半导体装置的一个例子的概略剖面图；
图2是示出了本发明的光半导体装置的另一个例子的概略剖面图。
符号说明
1.LED芯片、2.第一引线框、
2a.第一引线框的前端部、2b.第一引线框的端子部、
2’.凹部、3.第二引线框、3a.第二引线框的前端部、
3b.第二引线框的端子部、4.管芯键合线、5.密封材料、
6.凸透镜部、7.透光性树脂部、8.封装基板、8’.凹部、
9.电极、10、10’.光半导体装置。
具体实施方式
下面，对本发明更详细地进行说明。
如上所述，寻求一种具有良好的耐冲击性和耐龟裂性、以及低透气性的光半导体密封用固化性组合物、及利用将该组合物固化而得到的固化物对光半导体元件进行了密封的光半导体装置。
本发明人等为了实现上述目的进行了潜心研究，结果发现，作为含有下述(A)～(E)成分、以及根据需要的(F)成分的组合物是能够形成具有良好的耐冲击性和耐龟裂性、以及低透气性的固化物的光半导体密封用固化性组合物，以至完成了本发明。
下面，对本发明详细地进行说明。另外，在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指含有“～”的前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。
[(A)成分]
本发明的(A)成分为1分子中具有2个以上的烯基、在主链中具有全氟聚醚结构、且烯基含量为0.0050～0.200mol/100g的直链状多氟化合物。
作为上述(A)成分中所含的烯基，优选碳原子数2～8、特别是碳原子数2～6，且末端具有CH2＝CH-结构的基团，例如可以举出：乙烯基、烯丙基、丙烯基、异丙烯基、丁烯基、己烯基等，其中，特别优选乙烯基及烯丙基。
作为上述(A)成分中所含的全氟聚醚结构，优选下述通式(16)或下述通式(17)所示的2价的全氟聚醚基。
[化学式14]
[化学式15]
在上述通式(16)中，x为2或3，y及a’分别优选为1～150的整数，更优选为1～100的整数，且y+a’的平均值优选为2～300，更优选为5～200，z优选为0～6的整数，更优选为0～4的整数。
另外，在上述通式(17)中，b’优选为2或3，c’优选为1～300的整数，更优选为1～200的整数，d’优选为1～80的整数，更优选为1～50的整数，且c’+d’的平均值优选为2～380，更优选为2～250。
上述(A)成分中所含的烯基含量为0.0050～0.200mol/100g，优选为0.0080～0.150mol/100g。在烯基含量少于0.0050mol/100g的情况下，交联程度变得不充分而产生固化不良，在烯基含量超过0.200mol/100g的情况下，担心损伤该固化物作为橡胶弹性体的机械特性。
作为(A)成分的优选的例子，可以举出下述通式(4)所示的直链状多氟化合物。
[化学式16]
(式中，R6及R7彼此独立地为烯基、或者取代或未取代的1价烃基，一个以上为烯基。R8彼此独立地为氢原子、或者取代或未取代的1价烃基，g及h分别为1～150的整数，且g+h的平均值为2～300，i为0～6的整数。)
在此，作为R6及R7中所含的烯基，可以举出与上述相同的基团，作为除此以外的取代或未取代的1价烃基，优选碳原子数1～12的基团，特别优选碳原子数1～10的基团，具体而言，可以举出：甲基、乙基、丙基、丁基、己基、环己基、辛基等烷基；苯基、甲苯基等芳基；苯甲基、苯乙基等芳烷基等、及这些基团的部分或全部氢原子被氟等卤素原子取代而成的1价烃基等。其中，特别优选甲基及乙基。
作为R8中所含的取代或者未取代的1价烃基，可以举出与上述R6及R7的取代或未取代的1价烃基的例示同样的基团。
另外，g及h分别优选为1～150的整数，更优选为1～100的整数，且g+h的平均值优选为2～300，更优选为2～200。另外，i优选为0～6的整数，更优选为0～4的整数。
作为(A)成分的更优选的例子，可以举出下述通式(5)～(7)所示的直链状多氟化合物。
[化学式17]
[化学式18]
[化学式19]
在上述通式(5)～(7)中，R8为与上述相同的基团，g、h及i与上述相同。另外，R9彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，可以举出与上述R6的取代或未取代的1价烃基同样的基团。
作为上述通式(5)所示的直链状多氟化合物的具体例，可以举出下述化合物。下面，Me表示甲基，Et表示乙基。
[化学式20]
(式中，g及h与上述相同。)
另外，作为上述通式(6)所示的直链状多氟化合物的具体例，可以举出下述式所示的基团。
[化学式21]
(式中，g及h与上述相同。)
进而，作为上述通式(7)所示的直链状多氟化合物的具体例，可以举出下述式所示的化合物。
[化学式22]
(式中，g及h与上述相同。)
另外，为了将本发明的组合物用作LED的密封材料，优选上述(A)成分在23℃下的粘度按照JIS K7117-1:1999所规定的粘度测定在500～100,000mPa·s的范围内，更优选在1,000～50,000mPa·s的范围内。
上述(A)成分的直链状多氟化合物可单独使用1种或组合使用2种以上。即，在上述通式(5)～(7)所示的直链状多氟化合物中，可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。
[(B)成分]
(B)成分为下述通式(1)所示的有机氢化聚硅氧烷，作为上述(A)成分的交联剂起作用。另外，该(B)成分有助于对本发明的组合物进行固化而得到的固化物的低透气性。
[化学式23]
(式中，a为3～10的整数，A为全氟亚烷基、全氟氧亚烷基、或含有这两者的2价有机基团，D彼此独立地为任选含有硅原子、氧原子或氮原子的取代或未取代的2价烃基，R1彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，R2彼此独立地为氢原子、或者通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，R2中的三个以上为氢原子。)
在上述通式(1)中，a为3～10的整数，优选为3～6的整数。
另外，A为全氟亚烷基、全氟氧亚烷基、或含有这两者的2价有机基团，作为如上所述的全氟亚烷基，可以举出下述通式(8’)所示的基团。
-CmF2m-  (8’)
(式中，m优选为1～10的整数，更优选为1～5的整数。)
另一方面，优选含有1～500个下述通式(8)所示的重复单元作为该全氟氧亚烷基，更优选含有2～300个，进一步优选含有5～200个。
-Ce’F2e’O-  (8)
(式中，e’在各单元中独立地为1～6的整数)
另外，e’在各重复单元中可以不同，为1～6的整数，优选为1～4的整数。
作为上述通式(8)所示的重复单元的具体例，可以举出-CF2O-、-CF2CF2O-、-CF2CF2CF2O-、-CF(CF3)CF2O-、-CF2CF2CF2CF2O-、-CF(CF3)CF(CF3)O-等。另外，上述全氟氧亚烷基可以由这些重复单元的1种单独构成，也可以为2种以上的组合。
作为由上述通式(8’)所示的全氟亚烷基和上述通式(8)所示的全氟氧亚烷基构成的A，优选下述通式(9)～(11)所示的2价基团。
[化学式24]
(式中，R10彼此独立地为氟原子或CF3基，j为1～4的整数，k及n分别为0～200的整数，k+n的平均值为0～400，l为2～6的整数。另外，各重复单元的键合顺序没有限制。)
[化学式25]
-CjF2j(CF2CF2CF2O)pCjF2j-   (10)
(式中，p为1～200的整数，j与上述相同。)
[化学式26]
(式中，R10、j、k、及n与上述相同。另外，各重复单元的键合顺序没有限制。)
在上述通式(9)中，R10独立地为氟原子或CF3基，j为1～4的整数，优选为1～3，k及n分别为0～200的整数，优选为1～150，k+n的平均值为0～400，优选为2～300，l为2～6的整数，优选为2～5的整数。其中，上述通式(9)中的各重复单元的键合顺序没有限制。
在上述通式(10)中，p为1～200的整数，优选为1～150的整数，j与上述相同。
另外，在上述通式(11)中，R10、j、k及n与上述相同。其中，上述通式(11)中的各重复单元的键合顺序没有限制。
接着，在上述通式(1)中，D彼此独立地为任选含有硅原子、氧原子或氮原子的取代或未取代的2价烃基，具体而言，可以举出：将碳原子数为2～12的亚烷基、或该亚烷基的部分或全部氢原子被氟等卤素原子取代而成的基团，或者通过醚键、酯键、酰胺键、2价的芳香族烃基等与该亚烷基连接的基团。具体而言，可示出以下所示的基团。另外，在以下的各基团中，优选左侧与A键合，右侧与硅原子键合。
[化学式27]
-(CH2)n-(n＝1～5)
-CH2OCH2CH2CH2-
-CF2OCH2CH2CH2-
-C(＝O)NHCH2CH2CH2-
-C(＝O)OCH2CH2CH2-
[化学式28]
另外，在上述通式(1)中，R1彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，可以举出与上述R6、R7、及R8的取代或未取代的1价烃基的例示同样的基团。
进而，在上述通式(1)中，R2彼此独立地为氢原子或通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，式中所示的全部R2中的三个以上为氢原子。
作为该1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，可以举出下述通式(14)及(15)所示的基团。
CvF2v+1-     (14)
(式中，v为1～10的整数，优选为3～7的整数。)
[化学式29]
(式中，w为1～10的整数，优选为2～8的整数。)
另外，作为与上述1价全氟烷基或1价全氟氧烷基、以及硅原子连接且任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基，可以举出：碳原子数为2～12的亚烷基、或者通过醚键、硅原子、酰胺键、2价的芳香族烃基、羰基键等与该基团连接的基团，具体而言，可例示以下所示的基团。
[化学式30]
作为如上所述的(B)成分，例如可例示以下的通式所示的化合物。另外，式中的k及n与上述相同。
[化学式31]
[化学式32]
[化学式33]
该(B)成分可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。相对于本发明的组合物中所含的烯基1摩尔，上述(B)成分的配合量为使该(B)成分中与硅原子直接键合的氢原子(SiH基)达到优选0.50～2.0摩尔、更优选0.70～1.6摩尔的量。其中，在配合后述的(F)成分的情况下，相对于上述(A)成分的烯基和该(F)成分的烯基的总量1摩尔，可以为该SiH基的量达到优选0.50～2.0摩尔，更优选0.70～1.6摩尔的量。另外，在本发明的组合物除了含有(A)成分和(F)成分外还含有具有烯基的其它成分的情况下，相对于所述(A)成分的烯基、该(F)成分的烯基、以及其它成分的烯基的总量1摩尔，可以为该SiH基的量达到优选0.50～2.0摩尔，更优选0.70～1.6摩尔的量。若SiH基的量少于0.50摩尔，则交联程度不充分，反之，若多于2.0摩尔，则担心保存性受损、或固化后所得到的固化物的物性降低。
[(C)成分]
本发明的(C)成分即铂族金属类催化剂为氢化甲硅烷基化反应催化剂。氢化甲硅烷基化反应催化剂为促进组合物中所含的烯基、特别是(A)成分中的烯基及(F)成分的烯基与组合物中所含的SiH基、(B)成分中的SiR基的加成反应的催化剂。该氢化甲硅烷基化反应催化剂通常为贵金属或其化合物，由于价格高昂，因此多使用较容易获得的铂或铂化合物。
作为铂化合物，例如可以举出：氯铂酸或氯铂酸与乙烯等烯烃的络合物、与醇或乙烯基硅氧烷的络合物、负载于二氧化硅、氧化铝、碳等上的金属铂等。作为除铂或其化合物以外的铂族金属类催化剂，也已知有铑、钌、铱、钯系化合物，例如可例示:RhCl(PPh3)3、RhCl(CO)(PPh3)2、Ru3(CO)12、IrCl(CO)(PPh3)2、Pd(PPh3)4等。需要说明的是，在上述式中，Ph表示苯基。
在使用这些催化剂时，在其为固体催化剂时也可以以固体状态使用，但为了得到更均匀的固化物，优选使将氯铂酸或络合物溶解于例如甲苯或乙醇等适当的溶剂中而成的溶液与(A)成分即直链状多氟化合物相溶而使用。
(C)成分的配合量为作为氢化甲硅烷基化反应催化剂的有效量，相对于(A)成分100质量份为0.1～500ppm，特别优选为0.5～200ppm(以铂族金属原子的质量换算)，可以根据希望的固化速度适宜增减。
[(D)成分]
本发明的(D)成分为下述通式(2)所示的环状有机聚硅氧烷，具有赋予将本发明的组合物固化而得到的固化物以自粘接性的增粘赋予功能。
[化学式34]
(式中，b为1～6的整数，c为1～4的整数，d为1～4的整数，b+c+d为4～10的整数，R3彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，E彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，G彼此独立地为通过任选含有氧原子的2价烃基与硅原子键合的环氧基或三烷氧基甲硅烷基、或者这两者。其中，-(SiO)(H)R3-、-(SiO)(E)R3-、及-(SiO)(G)R3-的键合顺序没有限制。)
在上述通式(2)中，b为1～6的整数，优选为2～5的整数，c为1～4的整数，优选为1～3的整数，d为1～4的整数，优选为1～3的整数，b+c+d为4～10的整数，优选为4～8的整数。其中，-(SiO)(H)R3-、-(SiO)(E)R3-及-(SiO)(G)R3-的键合顺序没有限制。
另外，R3彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，可以举出与上述R1、R6、R7、及R8的取代或未取代的1价烃基的例示同样的基团。
进而，E彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，可例示与上述R2中所使用的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基同样的基团。该E为从与(A)成分的相溶性、分散性及固化后的均匀性等观点考虑适宜导入的基团。
另外，G彼此独立地为通过任选含有氧原子的2价烃基与硅原子键合的环氧基和/或三烷氧基甲硅烷基。作为如上所述的环氧基，例如可以举出下述通式(18)所示的基团。
[化学式35]
在上述通式(18)中，R12任选具有氧原子且优选碳原子数为1～10，更优选为1～5的2价烃基，具体而言，可以举出：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚辛基等亚烷基、亚环己基等亚环烷基、氧基亚乙基、氧基亚丙基、氧基亚丁基等氧基亚烷基等。
作为如上所述的环氧基的具体例，可以举出下述所示的基团。
[化学式36]
另一方面，作为上述三烷氧基甲硅烷基，例如可以举出下述通式(19)所示的基团。
[化学式37]
-R13-Si(OR14)3   (19)
在上述通式(19)中，R13优选为碳原子数1～10，更优选1～5的2价烃基，具体而言，可以举出：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚环己基、亚辛基等亚烷基等。另外，R14优选为碳原子数1～8，更优选1～4的1价烃基，具体而言，可以举出：甲基、乙基、正丙基等烷基等。
作为如上所述的三烷氧基甲硅烷基的具体例，可以举出下述所示的基团。
[化学式38]
-(CH2)2-Si(OCH3)3
-(CH2)3-Si(OCH3)3
-(CH2)2-Si(OCH2CH3)3
作为如上所述的(D)成分，例如可以举出下述的化合物。
[化学式39]
[化学式40]
[化学式41]
[化学式42]
[化学式43]
[化学式44]
该(D)成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。另外，相对于(A)成分100质量份，(D)成分的使用量为0.10～10.0质量份、优选为0.50～8.0质量份的范围。在低于0.10质量份的情况下，无法得到充分的粘接性，若超过10.0质量份，则组合物的流动性变差，另外，担心对本发明的组合物进行固化而得到的固化物的物理强度降低。
[(E)成分]
本发明的(E)成分为羧酸酐，是用于提高上述(D)成分的增粘能力，促进对本发明的组合物进行固化而得到的固化物的自粘接性表达的物质。作为该(E)成分，用作环氧树脂用的固化剂的物质均可使用。
作为如上所述的(E)成分，优选下述通式(12)或下述通式(13)所示的羧酸酐。
[化学式45]
(式中，q为1～6的整数，r为1～4的整数，s为1～4的整数，q+r+s为4～10的整数，R11彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，M彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，Q彼此独立地为通过2价烃基与硅原子键合的环状羧酸酐残基。其中，-(SiO)(H)R11-、-(SiO)(M)R11-及-(SiO)(Q)R11-的键合顺序没有限制。)
[化学式46]
(式中，R11、M、及Q与上述相同，t为1～3的整数，u为0～2的整数，t+u为3。)
在上述通式(12)中，q为1～6的整数，优选为2～5的整数，r为1～4的整数，优选为1～3的整数，s为1～4的整数，优选为1～3的整数，q、r及s的和为4～10的整数，优选为4～8的整数。其中，-(SiO)(H)R11-、-(SiO)(M)R11-及-(SiO)(Q)R11-的键合顺序没有限制。
另外，R11彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，可以举出与上述R1、R3、R6、R7、及R8的取代或未取代的1价烃基的例示同样的基团。
进而，M彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，可以举出与上述R2及E中所使用的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基同样的基团。从与(A)成分的相溶性、分散性及固化后的均匀性等观点考虑，该M为适宜导入的基团。
另外，Q彼此独立地为通过2价烃基与硅原子键合的环状羧酸酐残基，具体而言，可以举出下述通式(20)所示的基团。
[化学式47]
在上述通式(20)中，R15优选碳原子数1～15的2价烃基，具体而言，可以举出：亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基等，其中，特别优选亚乙基或亚丙基。
作为如上所述的上述通式(12)所示的(E)成分，例如可以举出下述的化合物。
[化学式48]
[化学式49]
接着，在上述通式(13)中，t为1～3的整数，u为0～2的整数，t+u为3，R11、M及Q为与上述相同的基团。
作为如上所述的上述通式(13)所示的(E)成分，例如可以举出下述的化合物。
[化学式50]
[化学式51]
该(E)成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
相对于(A)成分100质量份，上述(E)成分的配合量为0.010～10.0质量份，优选为0.10～5.0质量份的范围。在低于0.010质量份的情况下，对于促进本发明的组合物的粘接性表达无法得到充分的效果，若超过10.0质量份，则组合物的流动性变差，另外，担心损伤组合物的保存稳定性。
本发明的光半导体密封用固化性组合物优选含有下述(F)成分作为任意成分。
[(F)成分]
作为本发明的(F)成分，优选使用下述通式(3)所示的环状有机聚硅氧烷，赋予将本发明的组合物固化而得到的固化物以更好的耐冲击性。
[化学式52]
(式中，e为1～4的整数，f为3～6的整数，e+f为4～10的整数，R4彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，J彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，L彼此独立地为与硅原子直接键合的烯基。其中，-(SiO)(J)R4-及-(SiO)(L)R4-的键合顺序没有限制。)
在上述通式(3)中，e为1～4的整数，优选为1～3的整数，f为3～6的整数，优选为3～5的整数，e+f为4～10的整数，优选为4～8的整数。其中，-(SiO)(J)R4-及-(SiO)(L)R4-的键合顺序没有限制。
另外，R4为取代或未取代的1价烃基，可以举出与上述的R1、R3、R6、R7、R8、及R11的取代或未取代的1价烃基的例示同样的基团。
进而，J彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，可以举出与上述R2、E，及M中所使用的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基同样的基团。从与(A)成分的相溶性、分散性及固化后的均匀性等观点考虑，该J为适宜导入的基团。
另外，L为与硅原子直接键合的烯基，具体而言，可以举出：乙烯基、烯丙基、丁烯基、己烯基、癸烯基等。其中，特别优选乙烯基或烯丙基。
作为如上所述的(F)成分，例如可以举出下述的化合物。
[化学式53]
[化学式54]
该(F)成分可以单独使用1种，也可以并用2种以上。另外，相对于(A)成分100质量份，含有(F)成分时的使用量优选为0.10～50.0质量份，更优选为1.0～40.0质量份的范围。在0.10质量份以上的情况下，赋予将本发明的组合物进行固化而得到的固化物适度的耐冲击性的效果充分，在50.0质量份以下的情况下，不用担心损伤对本发明的组合物进行固化而得到的固化物的耐龟裂性或低的透气性。
[其它成分]
在本发明的光半导体密封用固化性组合物中，为了提高其实用性，除上述的(A)～(E)成分、及(F)成分以外，也可以根据需要添加增塑剂、粘度调节剂、可挠性赋予剂、无机质填充剂、反应控制剂、除(E)成分以外的粘接促进剂等各种配合剂。这些添加剂的配合量任意。
作为增塑剂、粘度调节剂、可挠性赋予剂，可以并用下述通式(21)所示的聚氟代单烯基化合物和/或下述通式(22)、(23)所示的直链状多氟化合物。
Rf-(T)f’-CH＝CH2   (21)
[式中，Rf为下述通式(24)所示的基团，
F-[CF(CF3)CF2O]g’-Ch’F2h’-   (24)
(式中，g’优选为1～200，更优选为1～150的整数，h’优选为1～3的整数。)
T为-CH2-、-OCH2-、-CH2OCH2-或-CO-NR16-X-(其中，R16为氢原子、甲基、苯基或烯丙基，X为-CH2-、下述结构式(25)所示的基团或下述结构式(26)所示的基团。)
f’为0或1。]
[化学式55]
[化学式56]
X’-O-(CF2CF2CF2O)i’-X’  (22)
(式中，X’为Cj’F2j’+1-(j’为1～3)所示的基团，i’优选为1～200的整数，更优选为2～100的整数。)
X’-O-(CF2O)k’(CF2CF2O)l’-X’  (23)
(式中，X’与上述相同、k’及l’分别优选为1～200的整数，更优选为1～100的整数，且k’+l’的平均值优选为2～400，更优选为2～300。)
作为上述通式(21)所示的聚氟代单烯基化合物的具体例，例如可以举出下述的物质。需要说明的是，在下述式中，Me表示甲基。
[化学式57]
(在此，m’＝1～100。)
作为上述通式(22)及(23)所示的直链状多氟化合物的具体例，例如可以举出下述的物质。
CF3O-(CF2CF2CF2O)n’-CF2CF3
CF3-[(OCF2CF2)o’(OCF2)p’]-O-CF3
(在此，n’、o’及p’分别优选为1～200的整数，更优选为1～150的整数，o’+p’的平均值优选为2～400的整数，更优选为2～300的整数。)
另外，上述通式(21)～(23)所示的多氟化合物的粘度(23℃)优选以与(A)成分同样的测定方法为5.00～100,000mPa·s、特别为50.0～50,000mPa·s的范围。
作为无机质填充剂的例子，可以举出：气相二氧化硅、沉积二氧化硅、球形二氧化硅、二氧化硅气凝胶等二氧化硅粉末或将该二氧化硅粉末的表面用各种有机氯硅烷、有机二硅氮烷、环状有机聚硅氮烷等处理而成的二氧化硅粉末、以及将该表面处理二氧化硅粉末用具有上述通式(14)所示的1价全氟烷基或上述通式(15)所示的1价全氟氧烷基的有机硅烷或有机硅氧烷再处理而成的二氧化硅粉末等二氧化硅系增强性填充剂、石英粉末、熔融石英粉末、硅藻土、碳酸钙等增强性或准增强性填充剂、氧化钛、氧化铁、碳黑、铝酸钴等无机颜料、氧化钛、氧化铁、碳黑、氧化铈、氢氧化铈、碳酸锌、碳酸镁、碳酸锰等耐热提高剂、氧化铝、氮化硼、碳化硅、金属粉末等导热性赋予剂、碳黑、银粉末、导电性锌华等导电性赋予剂等。另外，氟化镁、氟化铝、氟化钙、氟化锂、氟化钠、氟化钍氧化硅等在25℃、589nm(钠D线)下的折射率为1.50以下的无机微粒作为增强性填充剂也很有用。
作为氢化甲硅烷基化反应催化剂的控制剂的例子，可以举出：1-乙炔基-1-羟基环己烷、3-甲基-1-丁炔-3-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、3-甲基-1-戊炔-3-醇、苯基丁炔醇等炔醇或、具有与上述G相同的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基的氯硅烷与炔醇的反应产物、3-甲基-3-戊烯-1-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔、三烯丙基异氰脲酸酯等、或者聚乙烯基硅氧烷、有机磷化合物等，通过其的添加可以保持适度的固化反应性和保存稳定性。
作为除(E)成分以外的接着促进剂的例子，可以举出：锆烷氧化物及锆螯合物等有机锆化合物及、钛烷氧化物及钛螯合物等有机钛化合物等。
本发明的光半导体密封用固化性组合物的制造方法没有特别限制，可以通过混炼上述(A)～(E)成分、(F)成分及其它的任意成分来制造。此时，可以根据需要使用行星搅拌机、罗斯搅拌机、霍巴特混合器等混合装置、捏合机、三辊磨等混炼装置。
关于本发明的光半导体密封用固化性组合物的构成，根据用途可以将上述(A)～(E)成分、(F)成分及其它的任意成分整体作为1个组合物来处理，即制成所谓的一液型构成，或者也可以制成二液型，在使用时将两者混合。
本发明的光半导体密封用固化性组合物通过加热固化，给予具有良好的耐冲击性和耐龟裂性、以及低透气性的固化物，因此，作为保护LED、IC、LSI及有机EL等光半导元件等的密封材料很有用。该光半导体密封用固化性组合物的固化温度没有特别限制，通常为20～250℃，优选为40～200℃。另外，此时的固化时间只要适当选择交联反应及与各种半导体封装材料的粘接反应结束的时间即可，通常优选10分钟～10小时，更优选30分钟～8小时。
对本发明的组合物进行固化而得到的固化物根据JIS K6253-3:2012中所规定的A型肖氏硬度为30～90，优选为35～85。在硬度低于30的情况下，担心作为LED密封材料的耐冲击性差。另一方面，若高于90，则担心作为LED密封材料的耐龟裂性差。
另外，对本发明的组合物进行固化而得到的1mm厚的固化物的水蒸气透过率优选为15.0g/m2·天以下，更优选为13.0g/m2·天以下。若为15.0g/m2·天以下，则在LED的周围镀银的光半导体装置中，在将对本发明的组合物进行固化而得到的固化物用作LED的密封材料的情况下，即使暴露在硫系气体中也不用担心银因该气体而黑色化使亮度降低，故优选。另外，上述水蒸气透过率为使用依据JIS K7129:2008的Lyssy公司制L80-5000型水蒸气透过度计测得的值。
进而，从操作作业性的方面考虑，JIS K7117-1:1999所规定的本发明的组合物在23℃下的粘度优选为50.0～50,000mPa·s，更优选为100～30,000mPa·s。若为50.0mPa·s以上，则不用担心流动性过高而难以控制以一定量灌封到LED封装件内的涂布器，故优选，若粘度为50,000mPa·s以下，则不用担心该组合物在灌封到LED封装件内后流平需要过多的时间而使生产率降低，故优选。
另外，对本发明的组合物进行固化而得到的固化物在25℃、589nm(钠D线)下的折射率优选为1.30以上且低于1.40。该折射率为该范围内的情况下，在利用将本发明的组合物固化而得到的固化物对上述光半导体元件进行了密封的半导体装置中，不用担心将由LED发出的光取出到外部的效率因该光半导体装置的设计而降低，故优选。
需要说明的是，在使用本发明的组合物时，也可以根据其用途及目的将该组合物以期望的浓度溶解于适当的氟系溶剂中使用，例如：1,3-双(三氟甲基)苯、Fluorinert(3M公司制)、全氟丁基甲基醚、全氟丁基乙基醚等。
如上所述，若为含有上述(A)～(E)成分、(F)成分及其它的任意成分，且具有上述特性的光半导体密封用固化性组合物，则可以得到耐冲击性及耐龟裂性优异，进而，具有低的透气性的固化物。
可以使用本发明的光半导体密封用固化性组合物的光半导体装置的结构没有特别限定。本发明的光半导体装置具有光半导体元件和用于密封光半导体元件的将上述本发明的光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物，将代表性的剖面结构示于图1及图2。
在图1的光半导体装置(发光装置)10中，第一引线框2的前端部2a设有自其底面向上方孔径慢慢地扩大的研钵状凹部2’，将LED芯片1通过银糊等利用管芯键合连接固定在该凹部2’的底面上，由此，将第一引线框2和LED芯片1底面的一侧电极(未图示)进行电连接。另外，该凹部2’的底面镀有银。另外，将第二引线框3的前端部3a和该LED芯片1上面的另一侧电极(未图示)通过管芯键合线4进行电连接而成。
进而，在上述凹部2’中，LED芯片1被由将上述本发明的光半导体密封用固化性组合物固化而得到的固化物构成的密封材料5包覆。
另外，LED芯片1、第一引线框2的前端部2a及端子部2b的上端、第二引线框3的前端部3a及端子部3b的上端被前端具有凸透镜部6的透光性树脂部7包覆、密封。另外，第一引线框2的端子部2b的下端及第二引线框3的端子部3b的下端贯穿透光性树脂部7的下端部向外部突出。
在图2的光半导体装置(发光装置)10’中，封装基板8的上部上设有自其底面向上方孔径慢慢地扩大的研钵状凹部8’，将LED芯片1利用管芯键合材料粘接固定在该凹部8’的底面上，另外，LED芯片1的电极利用管芯键合线4与封装基板8上所设的电极9进行电连接。另外，该凹部8’的底面镀有银。
进而，在凹部8’中，LED芯片1被由将上述本发明的光半导体密封用固化性组合物固化而得到的固化物构成的密封材料5包覆。
在此，对上述LED芯片1没有特别限定，可以使用现有公知的LED芯片中所使用的发光元件。作为如上所述的发光元件，例如可以举出：通过MOCVD法、HDVPE法、液相生长法这样的各种方法，根据需要在设有GaN、AlN等缓冲层的基板上层叠半导体材料制作而成的元件。作为此时的基板，可以使用各种材料，例如可以举出：蓝宝石、尖晶石、SiC、Si、ZnO、GaN单晶等。其中，从可容易地形成结晶性良好的GaN，工业利用价值高这样的观点考虑，优选使用蓝宝石。
作为被层叠的半导体材料，可以举出：GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaN、InGaAlN、SiC等。其中，从能够得到高亮度的观点考虑，优选氮化物系化合物半导体(InxGayAlzN)。在如上所述的材料中可以包含活化剂等。
作为发光元件的结构，可以举出：具有MIS接合、pn接合、PIN接合的同质接合、异质接合或双异质结构等。另外，也可以采用单或者多重量子阱结构。
发光元件上可以设置钝化层，也可以不设置钝化层。
发光元件的发光波长可以使用从紫外光区至红外光区间的各种波长，但在主发光峰波长使用550nm以下的波长的情况下，本发明的效果特别显著。
所使用的发光元件可以为一种进行单色发光，也可以使用多种进行单色或者多色发光。
可以通过现有公知的方法在发光元件上形成电极。
发光元件上的电极可以通过各种方法与引线端子等电连接。作为电连接部件，优选与发光元件的电极的欧姆性机械连接性等良好的部件，例如可以举出：如图1及图2中记载的使用金、银、铜、铂、铝或它们的合金等而成的管芯键合线4。另外，也可以使用通过树脂填充有银、碳等导电性填料的导电性粘接剂等。其中，从作业性良好这样的观点考虑，优选使用铝线或者金线。
需要说明的是，上述第一引线框2及第二引线框3由铜、铜锌合金、铁镍合金等构成。
进而，作为形成上述透光性树脂部7的材料，只要为具有透光性的材料则没有特别限定，主要使用环氧树脂或硅酮树脂。
另外，上述封装基板8可以使用各种材料制作，例如可以举出：聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚碳酸酯树脂、聚苯硫醚树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚酰胺树脂、液晶聚合物、环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、改性硅酮树脂、ABS树脂、BT树脂、陶瓷等。其中，从耐热性、强度及成本的观点考虑，特别优选聚邻苯二甲酰胺(PPA)。进而，优选在上述封装基板8中混入钛酸钡、氧化钛、氧化锌、硫酸钡等白色颜料等，以提高光的反射率。
接着，包覆LED芯片1的密封材料5使来自上述LED芯片1的光高效地透过至外部，同时保护上述LED芯片1及管芯键合线4等不受外力、尘埃等的损害。作为密封材料5，使用本发明的组合物的固化物。密封材料5也可以含有荧光物质及光扩散部件等。
如上所述，本发明的光半导体密封用固化性组合物由于固化物具有良好的耐冲击性，因此，使用该组合物对光半导体元件进行了密封的本发明的光半导体装置10、10’可以在不会损伤其部件的情况下制造。
本发明的光半导体密封用固化性组合物可以形成耐冲击性及耐龟裂性优异，进而，具有低的透气性的固化物，因此，例如在其制造工序中，在使用碗型振动送料器将利用该固化物密封了光半导体元件的光半导体装置按照一定的方向、姿势进行排列的情况下，即使该光半导体装置彼此碰撞，也不易产生管芯键合线断开这样的部件的损伤，因此，可以提高成品率及生产率。另外，即使进行温度循环试验，也不易在固化物上产生龟裂，因此，可以提高可靠性。进而，即使在暴露在硫系气体的环境下使用，硫系气体也不易透过固化物，因此，可以抑制亮度的降低。
另外，从固化物具有的如上所述的特性考虑，本发明的光半导体密封用固化性组合物可以优选用作用于保护LED的密封材料。
[实施例]
下面，示出实施例及比较例对本发明具体地进行说明，但本发明不受下述实施例限制。需要说明的是，粘度表示JIS K7117-1:1999规定的23℃下的测定值。
(实施例1)
在下述式(27)所示的直链状多氟化合物(粘度10,900mPa·s、乙烯基量0.0123摩尔/100g)100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.15质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.20质量份、下述式(28)所示的有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00109摩尔/g)11.3质量份、下述式(29)所示的环状有机聚硅氧烷2.0质量份、下述式(30)所示的羧酸酐0.50质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式58]
[化学式59]
(实施例2)
在下述式(31)所示的直链状多氟化合物(粘度4,010mPa·s、乙烯基量0.0299摩尔/100g)100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.15质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.20质量份、下述式(32)所示的含氟有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00190摩尔/g)15.7质量份、下述式(33)所示的环状有机聚硅氧烷2.5质量份、下述式(34)所示的羧酸酐0.30质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式60]
[化学式61]
(实施例3)
在下述式(35)所示的直链状多氟化合物(粘度4,150mPa·s、乙烯基量0.0603摩尔/100g)100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.15质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.20质量份、下述式(36)所示的有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00193摩尔/g)31.2质量份、下述式(37)所示的环状有机聚硅氧烷3.0质量份、下述式(38)所示的羧酸酐0.40质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式62]
[化学式63]
(实施例4)
在下述式(39)所示的直链状多氟化合物(粘度4,310mPa·s、乙烯基量0.0909摩尔/100g)100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.15质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.20质量份、下述式(40)所示的有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00196摩尔/g)46.4质量份、下述式(41)所示的环状有机聚硅氧烷3.0质量份、下述式(42)所示的羧酸酐0.30质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式64]
[化学式65]
(实施例5)
在上述式(31)所示的直链状多氟化合物50.0质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.15质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.20质量份、上述式(35)所示的直链状多氟化合物50.0质量份、下述式(45)所示的有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00150摩尔/g)30.1质量份、上述式(41)所示的环状有机聚硅氧烷3.0质量份、上述式(42)所示的羧酸酐0.30质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式66]
(实施例6)
在上述式(31)所示的直链状多氟化合物25.0质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.15质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.20质量份、上述式(39)所示的直链状多氟化合物75.0质量份、上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷39.8质量份、上述式(41)所示的环状有机聚硅氧烷3.0质量份、上述式(42)所示的羧酸酐0.30质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
(实施例7)
在上述式(31)所示的直链状多氟化合物100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.20质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.25质量份、上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷53.3质量份、上述式(33)所示的环状有机聚硅氧烷3.5质量份、上述式(34)所示的羧酸酐0.50质量份、下述式(43)所示的环状有机聚硅氧烷(乙烯基量0.357摩尔/100g)20.0质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式67]
(实施例8)
在上述式(35)所示的直链状多氟化合物100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.20质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.25质量份、上述式(36)所示的有机氢化聚硅氧烷89.7质量份、上述式(37)所示的环状有机聚硅氧烷3.5质量份、上述式(38)所示的羧酸酐0.60质量份、下述式(44)所示的环状有机聚硅氧烷(乙烯基量0.451摩尔/100g)25.0质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
[化学式68]
(实施例9)
在上述式(39)所示的直链状多氟化合物100质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.25质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.30质量份、上述式(40)所示的有机氢化聚硅氧烷115质量份、上述式(41)所示的环状有机聚硅氧烷4.0质量份、上述式(42)所示的羧酸酐0.60质量份、上述式(44)所示的环状有机聚硅氧烷30.0质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
(实施例10)
在上述式(31)所示的直链状多氟化合物25.0质量份中依次添加铂-二乙烯基四甲基二硅氧烷络合物的甲苯溶液(铂浓度0.5质量％)0.25质量份、1-乙炔基-1-羟基环己烷的60％甲苯溶液0.30质量份、上述式(39)所示的直链状多氟化合物75.0质量份、上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷111质量份、上述式(41)所示的环状有机聚硅氧烷4.0质量份、上述式(34)所示的羧酸酐0.60质量份、上述式(44)所示的环状有机聚硅氧烷30.0质量份，混合均匀。然后，进行脱泡操作，由此制备组合物。
(比较例1)
在上述实施例2中，将上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷的添加量变更为128质量份，进而，添加上述式(43)所示的环状有机聚硅氧烷60.0质量份，除此以外，与实施例2同样地制备组合物。
(比较例2)
在上述实施例2中，将上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷变更为下述式(46)所示的有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00499摩尔/g)5.99质量份，除此以外，与实施例2同样地制备组合物。
[化学式69]
(比较例3)
在上述实施例2中，将上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷变更为下述式(47)所示的有机氢化聚硅氧烷(SiH基量0.00210摩尔/g)14.2质量份，除此以外，与实施例2同样地制备组合物。
[化学式70]
(比较例4)
在上述实施例2中，将上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷变更为上述式(46)所示的有机氢化聚硅氧烷24.1质量份，进而，添加上述式(44)所示的环状有机聚硅氧烷20.0质量份，除此以外，与实施例2同样地制备组合物。
(比较例5)
在上述实施例2中，将上述式(32)所示的有机氢化聚硅氧烷变更为上述式(47)所示的有机氢化聚硅氧烷57.2质量份，进而，添加上述式(44)所示的环状有机聚硅氧烷20.0质量份，除此以外，与实施例2同样地制备组合物。
关于各组合物，进行以下项目的评价。另外，固化条件为150℃×5小时。将结果汇总示于表1、表2。
1.组合物的粘度：依据JIS K7117-1:1999在23C下进行测定。
2.硬度：制作2mm厚的片状固化物，依据JIS K6253-3:2012进行测定。
3.折射率：制作2mm厚的片状固化物，使用多波长阿贝折射仪DR-M2/1550(株式会社Atago制)测定25℃、589nm(钠D线)下的折射率。
4.水蒸气透过率：制作1mm厚的片状固化物，使用依据JIS K7129:2008的Lyssy公司制L80-5000型水蒸气透过度计进行测定。另外，测定温度为40℃，用于测定的该固化物的面积为50cm2。
5.固化物的耐冲击性：在具有与图2形态同样结构的光半导体装置中，为了形成密封材料5，将上述所得到的组合物以浸渍LED芯片1的方式注入凹部8’，在150℃下加热5小时，由此制作LED芯片1经该组合物的固化物密封了的光半导体装置。然后，用碗型振动送料器排列1,000个该光半导体装置之后，计数管芯键合线断开的个数。
6.固化物的耐龟裂性：使用10个与上述同样地制作的光半导体装置，将在-40℃下放置10分钟、然后在100℃下放置10分钟作为1循环，进行重复其500循环的温度循环试验。试验后，以目视观察固化物的外观，计数产生龟裂的个数。
7.固化物的透气性：将与上述同样地制作的光半导体装置在100℃下10ppm的硫化氢气体气氛下放置100小时后，以目视确认处于凹部8’的底面的银的变色程度。
[表1]
[表2]
由表1、表2的结果可知：与比较例1～5相比，对本发明的光半导体密封用固化性组合物(实施例1～10)进行固化而得到的固化物具有良好的耐冲击性、耐龟裂性及低的透气性，因此，也未发现管芯键合线的断开及龟裂的产生，以及银的变色。
由上述结果可知，若使用本发明的光半导体密封用固化性组合物，则可以得到耐冲击性及耐龟裂性优异，进而，具有低的透气性的固化物，如上所述的光半导体密封用固化性组合物显示作为光半导体元件的密封材料很适合。
需要说明的是，本发明并不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示，具有本发明的权利要求范围中记载的技术思想及实质相同的构成，且起相同的作用效果的方案无论为任何的方案，都包含在本发明的技术范围内。
本申请基于2013年10月30日申请的日本专利申请2013-225071、以及2014年9月16日申请的日本专利申请2014-187234，援引其内容作为参考。

Claims (15)

1.一种光半导体密封用固化性组合物，其含有：
(A)1分子中具有2个以上的烯基、在主链中具有全氟聚醚结构、且烯基含量为0.0050～0.200mol/100g的直链状多氟化合物：100质量份；
(B)下述通式(1)所示的有机氢化聚硅氧烷，
式中，a为3～10的整数，A为全氟亚烷基、全氟氧亚烷基、或含有这两者的2价有机基团，D彼此独立地为任选含有硅原子、氧原子或氮原子的取代或未取代的2价烃基，R1彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，R2彼此独立地为氢原子、或者通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，R2中的三个以上为氢原子；
(C)铂族金属类催化剂：换算成铂族金属原子为0.1～500ppm；
(D)下述通式(2)所示的环状有机聚硅氧烷：0.10～10.0质量份，
式中，b为1～6的整数，c为1～4的整数，d为1～4的整数，b+c+d为4～10的整数，R3彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，E彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，G彼此独立地为通过任选含有氧原子的2价烃基与硅原子键合的环氧基或三烷氧基甲硅烷基、或者这两者，其中，-(SiO)(H)R3-、-(SiO)(E)R3-、及-(SiO)(G)R3-的键合顺序没有限制；
(E)羧酸酐：0.010～10.0质量份；
其中，相对于该组合物中所含的烯基1摩尔，所述(B)成分的配合量为使与所述(B)成分中的硅原子直接键合的氢原子达到0.50～2.0摩尔的量，使该光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物的硬度以JISK6253-3:2012所规定的A型硬度计测定的值为30～90。
2.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其还含有下述通式(3)所示的环状有机聚硅氧烷0.10～50.0质量份作为(F)成分，
式中，e为1～4的整数，f为3～6的整数，e+f为4～10的整数，R4彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，J彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，L彼此独立地为与硅原子直接键合的烯基，其中，-(SiO)(J)R4-及-(SiO)(L)R4-的键合顺序没有限制。
3.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述(A)成分为下述通式(4)所示的直链状多氟化合物，
式中，R6及R7彼此独立地为烯基、或者取代或未取代的1价烃基，R6及R7中的一个以上为烯基，R8彼此独立地为氢原子、或者取代或未取代的1价烃基，g及h分别为1～150的整数，且g+h的平均值为2～300，i为0～6的整数。
4.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述(A)成分为选自下述通式(5)、下述通式(6)、及下述通式(7)中的1种以上直链状多氟化合物，
式中，R8彼此独立地为氢原子、或者取代或未取代的1价烃基，g及h分别为1～150的整数，且g+h的平均值为2～300，i为0～6的整数，R9彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，
式中，R8、R9、g、h及i与上述相同，
式中，R8、g、h及i与上述相同。
5.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述(B)成分的A中所含的全氟氧亚烷基为含有1～500个下述通式(8)所示的重复单元的基团，
-Ce’F2e’O-   (8)
式中，e’在各单元中独立地为1～6的整数。
6.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述(B)成分的A为选自下述通式(9)、下述通式(10)、及下述通式(11)中的基团，
式中，R10彼此独立地为氟原子或CF3基，j为1～4的整数，k及n分别为0～200的整数，k+n的平均值为0～400，l为2～6的整数，而且，各重复单元的键合顺序没有限制，
-CjF2j(CF2CF2CF2O)pCjF2j-   (10)
式中，p为1～200的整数，j与上述相同，
式中，R10、j、k及n与上述相同，而且，各重复单元的键合顺序没有限制。
7.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述(E)成分为选自下述通式(12)及下述通式(13)中的羧酸酐，
式中，q为1～6的整数，r为1～4的整数，s为1～4的整数，q+r+s为4～10的整数，R11彼此独立地为取代或未取代的1价烃基，M彼此独立地为通过任选含有硅原子、氧原子或氮原子的2价烃基与硅原子键合的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基，Q彼此独立地为通过2价烃基与硅原子键合的环状羧酸酐残基，其中，-(SiO)(H)R11-、-(SiO)(M)R11-及-(SiO)(Q)R11-的键合顺序没有限制，
式中，R11、M及Q与上述相同，t为1～3的整数，u为0～2的整数，t+u为3。
8.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述通式(1)中的R2及所述通式(2)中的E所含的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基彼此独立地为下述通式(14)或通式(15)所示的基团，
CvF2v+1-   (14)
式中，v为1～10的整数，
式中，w为1～10的整数。
9.如权利要求2所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述通式(3)中的J所含的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基彼此独立地为下述通式(14)或通式(15)所示的基团，
CvF2v+1-   (14)
式中，v为1～10的整数，
式中，w为1～10的整数。
10.如权利要求7所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述通式(12)中的M所含的1价全氟烷基或1价全氟氧烷基彼此独立地为下述通式(14)或通式(15)所示的基团，
CvF2v+1-   (14)
式中，v为1～10的整数，
式中，w为1～10的整数。
11.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，使所述光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的1mm厚的固化物的水蒸气透过率为15.0g/m2·天以下。
12.如权利要求1所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，所述光半导体密封用固化性组合物在JIS K7117-1:1999所规定的23℃下的粘度为50.0～50,000mPa·s。
13.如权利要求1至权利要求12中任一项所述的光半导体密封用固化性组合物，其中，使所述光半导体密封用固化性组合物进行固化而得到的固化物在25℃、589nm(钠D线)下的折射率为1.30以上且低于1.40。
14.一种光半导体装置，其具有：光半导体元件、和用于密封该光半导体元件且由权利要求1至权利要求13中任一项所述的光半导体密封用固化性组合物固化而得到的固化物。
15.如权利要求14所述的光半导体装置，其中，所述光半导体元件为发光二极管。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106479423A (zh) * 2016-10-20 2017-03-08 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种耐老化、导电的单组分湿固化聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566453A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种温度适用范围宽的导电硅烷封端聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566454A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种抗菌、导电的硅烷封端聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566455A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种高剥离强度的导电聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566452A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种导电的单组分湿固化硅烷封端聚氨酯密封胶及其制备方法
CN107286891A (zh) * 2016-04-13 2017-10-24 信越化学工业株式会社 导热性含氟粘接剂组合物和电气·电子部件
CN107631917A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 中国电力科学研究院 一种超导体试验样品的固化成型装置及方法
CN111484744A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮树脂组合物及光学元件

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230025408A (ko) * 2020-06-24 2023-02-21 다우 실리콘즈 코포레이션 실리콘 탄성중합체 조성물

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101824222A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 信越化学工业株式会社 光半导体密封用组合物及使用该组合物的光半导体装置
US20110251305A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Manabu Ueno Epoxy composition for encapsulating an optical semiconductor element
CN103073871A (zh) * 2011-10-04 2013-05-01 信越化学工业株式会社 光半导体密封用固化性组合物及使用该组合物的光半导体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2990646B2 (ja) 1995-01-23 1999-12-13 信越化学工業株式会社 硬化性組成物
JP3239717B2 (ja) 1995-09-29 2001-12-17 信越化学工業株式会社 硬化性組成物
JP3567973B2 (ja) 1999-09-03 2004-09-22 信越化学工業株式会社 硬化性組成物
JP4269127B2 (ja) * 2000-12-22 2009-05-27 信越化学工業株式会社 硬化性組成物
JP2009277887A (ja) 2008-05-15 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101824222A (zh) * 2009-03-04 2010-09-08 信越化学工业株式会社 光半导体密封用组合物及使用该组合物的光半导体装置
US20110251305A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Manabu Ueno Epoxy composition for encapsulating an optical semiconductor element
CN103073871A (zh) * 2011-10-04 2013-05-01 信越化学工业株式会社 光半导体密封用固化性组合物及使用该组合物的光半导体装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107286891A (zh) * 2016-04-13 2017-10-24 信越化学工业株式会社 导热性含氟粘接剂组合物和电气·电子部件
CN107631917A (zh) * 2016-07-18 2018-01-26 中国电力科学研究院 一种超导体试验样品的固化成型装置及方法
CN106479423A (zh) * 2016-10-20 2017-03-08 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种耐老化、导电的单组分湿固化聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566453A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种温度适用范围宽的导电硅烷封端聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566454A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种抗菌、导电的硅烷封端聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566455A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种高剥离强度的导电聚氨酯密封胶及其制备方法
CN106566452A (zh) * 2016-10-20 2017-04-19 马鞍山市盛力锁业科技有限公司 一种导电的单组分湿固化硅烷封端聚氨酯密封胶及其制备方法
CN111484744A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮树脂组合物及光学元件
CN111484744B (zh) * 2019-01-29 2023-05-23 信越化学工业株式会社 加成固化型硅酮树脂组合物及光学元件

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