CN104584143A - 导电结构和制造该导电结构的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种包括基板、导电层和暗化层的导电结构体，以及制造该导电结构体的方法。所述导电结构体可以在不影响导电层的导电率的情况下，防止导电层造成的反射，通过提高吸光率而改善导电层的隐藏性。因此，所述导电结构体可以用于开发具有更高可见性的显示面板。

Description

导电结构和制造该导电结构的方法

技术领域

本发明涉及一种导电结构体及其制造方法。本申请要求享有2012年8月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0096493号的优先权，其所公开内容通过引用全部并入本发明中。

背景技术

一般来说，触屏面板可以根据信号检测方式分为以下类型。即，有以下类型：电阻型，在通过电流或电压值的改变施加DC电压的状态下，检测按压位置；电容型，在施加AC电压的状态下利用电容耦合实现检测；电磁型，在如电压的改变施加磁场的状态下检测选定位置；等等。

随着近来大号触屏面板需求的增长，目前需要开发降低电极电阻且实现具有优异的可视性的扩大的触屏面板的技术。

发明内容

技术目的

本发明已致力开发一种改善本领域中的各种触屏面板的性能的技术。

技术方案

本申请的一个示例性的实施方式提供一种导电结构体，包括：基板；导电层；以及暗化层，所述暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2：

[等式1]

[等式2]

$d=\frac{\mathrm{\λ}}{4n}N(N=\mathrm{1,3,5},...)$

其中，|R|为降低导电结构体可视性的参数，n为折射率，k为消光系数，R_金属为导电层的反射率，d为暗化层的厚度，以及λ为光波长。

本申请的另一个示例性的实施方式提供一种导电结构体的制造方法，包括：在基板上形成导电层；以及在形成导电层之前形成暗化层，在形成导电层之后形成暗化层，或者在形成导电层之前和之后均形成暗化层，所述暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足等式1和2。

本申请的另一个示例性的实施方式提供一种导电结构体的制造方法，包括：在基板上形成经图案化的导电层；以及在形成经图案化的导电层之前形成经图案化的暗化层，在形成经图案化的导电层之后形成经图案化的暗化层，或者在形成经图案化的导电层之前和之后均形成经图案化的暗化层，所述经图案化的暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足等式1和2。

本申请的另一个示例性的实施方式提供一种包括上述导电结构体的触屏面板。

本申请的另一个示例性的实施方式提供一种包括上述导电结构体的显示装置。

本申请的另一个示例性的实施方式提供一种包括上述导电结构体的太阳能电池。

有益效果

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以在不影响导电层的导电率的情况下，防止导电层造成的反射，且通过提高吸光率而改善导电层的隐藏性。此外，改良可见性的触屏面板和包括该触屏面板的显示设备和太阳能电池可以通过使用本申请示例性实施方式的导电结构体而开发。

附图说明

图1至3是显示如本申请的示例性实施方式的包括暗化层的导电结构体的层压结构的图。

图4至6是显示如本申请的示例性实施方式的包括导电图案层和暗化图案层的导电结构体的层压结构的图。

图7显示在本申请的示例性实施方式中，当光强度为I₀时，在暗化层表面上第一次反射的光的强度，在暗化层表面上第二次反射的光的强度，第一次到达导电层表面的光的强度，以及在导电层表面上反射的光的强度。

图8显示在本申请的示例性实施方式中，当使用Al下电极并且在300nm至800nm的波长范围内利用麦克劳德(Macleod)程序模拟包含AlOxNy(x>0，y>0)的暗化层时的可暗化区域。

图9显示在本申请的示例性实施方式中，当使用反射率为90％的Al下电极时，在600nm波长的消光干涉条件下，根据n和k值的色彩。

图10是显示在本申请的示例性实施方式中，在表2中在300nm至800nm波长范围内的降低导电结构体可视性的参数的平均百分比为20％以下的所有情况的曲线图。

图11显示图10的S2、S3、S4、S5、S16、S17和S18的曲线图。

图12显示图10的S19、S20、S30、S31、S32、S33、S34和S35的曲线图。

图13显示图10的S44、S45、S46、S47、S48、S49、S59和S60的曲线图。

图14显示图10的S61、S62、S63、S73、S74、S75、S76、S77、S87、S88和S89的曲线图。

图15显示图10的S90、S91、S101、S102、S103、S104、S105、S115、S116、S117和S118的曲线图。

图16显示在本申请的示例性实施方式中，当使用Al下电极并且用麦克劳德程序在600nm波长的消光干涉条件下进行模拟时的可暗化区域。

图17显示在本申请的示例性实施方式中，当使用Al下电极并且在600nm波长的消光干涉条件下计算根据n和k值的等式1的参数值时的可暗化区域。

图18显示在本申请的示例性实施方式中，当使用Al下电极并且在600nm波长的消光干涉条件下计算根据n和k值的A*值时的可暗化区域。

图19显示在本申请的示例性实施方式中，当使用Mo下电极并且在600nm波长的消光干涉条件下计算根据n和k值的等式1的参数值时的可暗化区域。

具体实施方式

下文中，将对本申请进行更为详细的说明。

在本申请说明书中，显示装置指的是全部用于TV或计算机的监视器，并且包括形成影像的显示元件和支撑该显示元件的壳体。

所述显示元件的实例可以包括等离子体显示面板(PDP)、液晶显示器(LCD)、电泳显示器、阴极射线管(CRT)、OLED显示器等。可以在所述显示元件中配置用于实现影像的RGB像素图案和附加的滤光片。

同时，对显示装置来说，随着智能手机、平板电脑和IPTV的迅速普及，对使用人手作为直接输入装置而无需单独的装置(例如键盘或遥控器)的触控功能的需求趋增。此外，还需要用于辨识特定位置并作纪录的多点触控功能。

目前，大多数商业上可用的触屏面板(TSP)是基于透明导电ITO薄膜，但问题在于，当应用大面积的触屏面板时，由于因ITO透明电极(最小值150Ω/□，Nitto Denko有限公司制造的ELECRYSTA产品)的相对较高的表面电阻所导致的RC延迟，触控辨识速度下降和需要采用额外的用于克服触控辨识速度下降的补偿芯片。

本申请的发明人硏究了一种通过金属精细图案替代透明ITO薄膜的技术。关于这点，本申请的发明人发现，在利用Ag、Mo/Al/Mo、MoTi/Cu等具有高导电率的金属薄膜作为触屏面板的电极的情况下，当想要实现具有预定形状的精细电极图案时，会存在因高反射率而在可见度方面该图案容易被肉眼所辨识以及因对外部光线的高反射率和雾度值而发生眩光等问题。此外，本申请的发明人发现，在制造过程中使用了昂贵的靶材或在很多情况下制造过程很复杂。

因此，本申请的示例性实施方式提供一种可以用于触屏面板的导电结构体，所述触屏面板可以与已知的使用基于ITO透明导电薄膜层的触屏面板区分开来，并且具有改进的金属精细图案电极的隐蔽性质以及改进的对于外部光线的反射和衍射性质。

在本申请说明书中，暗化层可以是经图案化的暗化层或暗化图案层。此外，在本申请说明书中，导电层可以是经图案化的导电层或导电图案层。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体可以包括对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2的暗化层。

[等式1]

在等式1中，

|R|为降低导电结构体可视性的参数，

n为折射率，k为消光系数，R_金属为导电层的反射率，

λ为光波长。

[等式2]

$d=\frac{\mathrm{\λ}}{4n}N(N=\mathrm{1,3,5},...)$

在等式2中，d为暗化层的厚度，n为折射率，以及λ为光波长。

N代表在消光干涉条件下的常数。

在等式1中，n和k可以是n＞0且k＞0。

在等式2中，n和k可以是n＞0且k＞0。

当材料满足等式1的范围时，可以根据n、k和R_金属确定可以构成暗化层的材料，且可以确定所述材料的预设组成比例。

此外，当所述材料满足等式2的范围时，可以确定暗化层的适当厚度，其中，暗化层厚度根据暗化层的材料而改变。

也就是说，在根据本申请示范性实施方式的导电结构体中，可以根据n、和k决定构成暗化层的材料、所述材料的预设组成比例以及暗化层的厚度。

等式1中降低导电结构体可视性的参数|R|可由等式4的|R₁-R₂|表示，并且等式1可以满足以下等式4。

[等式4]

在等式4中，

R₁为暗化层的第一反射率，以及R₂为暗化层的第二反射率。

根据本申请示范性实施方式的导电结构体可以满足暗化层的第一反射率和第二反射率之间的差异为0.2以下。

在折射率为(n＞0且k＞0)的情况下，材料的第一反射率R1的由以下等式5所示。

[等式5]

$R_1=\frac{{(n-1)}^2+k^2}{{(n+1)}^2+k^2}$

此外，暗化层的第二反射率R₂由以下等式6所示。

[等式6]

当将强度为I₀的光线施加到暗化层时，一部分光线在暗化层表面上第一次反射，而其他光线穿过暗化层内部。在这种情况下，暗化层表面的第一反射率为R₁，以及第一反射光的强度为R₁I₀。此外，暗化层表面的第二反射率为R₂，以及第二反射光的强度为R₂I₀。

另外，其他光线中的一部分会首先在暗化层中被吸收，而另一部分光线通过暗化层到达不同邻近层。在这种情况下，在暗化层的厚度为d的情况下，穿过厚度为d的暗化层而后到达导电层表面的光的强度由以下等式7所示。在以下等式7中，α为线性吸收系数，d为暗化层的厚度，k为消光系数，以及λ为光波长。

[等式7]

到达导电层表面的光的强度

＝(1-R₁)I₀exp(-αd)

在等式7中，线性吸收系数α由以下等式8表示。

[等式8]

$\mathrm{\α}=\frac{4\mathrm{\π}}{\mathrm{\λ}}k$

此外，通过厚度为d的暗化层的光的一部分在邻近暗化层的层上被反射，具体来说，在导电层表面上以暗化层的方向被反射，并且在这种情况下，在导电层表面上反射的光的强度由以下等式9所示。其中，R_金属是导电层的反射率。

[等式9]

在导电层表面上反射的光的强度

当穿过暗化层时，等式9所示的反射光的一部分被第二次被吸收，而其余下的部分反射至暗化层表面。在此情况下，反射光是在暗化层表面上第二次反射的光，而在此情况下，第二反射率为由等式6所示的R₂。此外，在暗化层表面上第二次反射的光的强度R₂I₀由等式10所示。

[等式10]

图7显示当光强度为I₀时，在暗化层表面上第一次反射的光的强度，由等式10所示的在暗化层表面上第二次反射的光的强度，由等式7所示的到达导电层表面的光的强度，以及由等式9所示的在导电层表面上反射的光的强度。

由等式2所示的暗化层的厚度为d是在暗化层表面上第一反射波长与第二反射波长具有180°相位差的消光干涉条件下的关系等式。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体可以进一步包括基板和导电层。其中，暗化层可以设置在导电层的任意一个表面上，或者设置在导电层的两个表面上。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体可以包括基板；设置在该基板上的导电层；以及设置在该导电层上的暗化层。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体可以包括基板；设置在该基板上的暗化层；以及设置在该暗化层上的导电层。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体可以包括基板；设置在该基板上的暗化层；设置在该暗化层上的导电层；以及设置在该导电层上的暗化层。

在根据本申请示例性实施方式中，可以将导电层或暗化层图案化。导电层可以是经图案化的导电层，而暗化层可以是经图案化的暗化层。图案的形状将会在下文描述。

本申请的发明人发现图案化的层所造成的光反射和衍射性质会显著影响触屏面板中的导电金属精细导电图案的可视性，其中所述触屏面板包括设置在有效屏幕部分的金属精细导电图案，本发明人试图解决该问题。特别是，尽管由于ITO的高透光度使导电图案反射率造成的问题在已知的基于ITO的触屏面板中不是严重问题，但对触屏面板中金属精细导电图案的反射率和暗化性质却很重要，其中所述触屏面板包括设置在有效屏幕部分的金属精细导电图案。

为了降低根据本申请示例性实施方式的触屏面板中的金属精细导电图案的反射率并提高吸收性质，可以引入暗化层。所述暗化层可以设置在触屏面板中的导电层的至少一个表面上，以大幅避免根据导电层的高反射率的可视性的降低。

具体来说，由于暗化层具有光吸收性，因此导电层造成的反射率可以通过入射至导电层的光量和从导电层反射的光量的减少而降低。此外，相较于导电层的反射率，暗化层可以具有低反射率。因此，与用户直接观测导电层的情况相比，光线反射率可被降低，由此可以大幅改善导电层可视性。

在本申请说明书中，暗化层是指具有吸光性而减少入射至导电层自身上的光量和从导电层反射的光量的层，可以是经图案化的暗化层，并且可以由术语例如吸收层、变暗层(blackened layer)和黑化层(blackening layer)表示，经图案化的暗化层也可以由术语例如经图案化的吸收层、经图案化的变暗层和经图案化的黑化层表示。

在本申请示例性实施方式中，包括经图案化的导电层和经图案化的暗化层的导电结构体的表面电阻可为1Ω/□以上且300Ω/□以下，具体地为1Ω/□以上且100Ω/□以下，更具体地为1Ω/□以上且50Ω/□以下，更进一步具体地为1Ω/□以上且20Ω/□以下。

如果导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且300Ω/□以下，则有替代已知的ITO透明电极的作用。当导电结构体的表面电阻为1Ω/□以上且100Ω/□以下，或1Ω/□以上且50Ω/□以下，尤其是在表面电阻为1Ω/□以上且20Ω/□以下的情况下，由于与使用已知的ITO透明电极的情况相比，表面电阻显著更低，当施加信号时能降低RC延迟以改善触控辨识速度，因此易于应用在10英寸以上的大面积触屏中。

在所述导电结构体中，图案化前的导电层或暗化层的表面电阻可以为大于0Ω/□且小于等于2Ω/□，特别是大于0Ω/□且小于等于0.7Ω/□。如果表面电阻为2Ω/□以下，特别是0.7Ω/□以下，则由于导电层或暗化层在图案化前的表面电阻降低，精细图案的设计和制造将易于实施，且由于图案化后导电结构体表面电阻的降低，电极响应速度将增加。所述表面电阻可以根据导电层或暗化层的厚度而调整。

在根据本申请的示例性实施方式中，暗化层的消光系数k可以是0.2至2.5，特别是0.2至1.2，尤其是0.4至1或0.4至0.8。

如果消光系数k为0.2以上，将具有有助于暗化的作用。消光系数k也可以称为吸收系数，是定义导电结构体在预定波长下的光吸收强度的指数，是决定导电结构体透光度的因子。例如，在透明介电材料的情况下，k＜0.2(其值非常低)。然而，随着材料中的金属成分含量增加，k值增加。如果金属成分的含量更为提高将更难透光，大多情况下，仅材料表面发生反射，且消光系数k大于2.5，在暗化层的形成中不是优选的。

在消光系数k为0.2至1.2的情况下，满足等式1时，降低导电结构体可视性的参数|R|进一步降低，从而具有进一步提高暗化层的暗化程度的作用。具体来说，前述情况对应于根据等式1的参数百分比为20％以下，或者根据等式3的参数值为51.8以下。可选择地，当在可见光波长范围内，特别是300nm至800nm波长范围内，更特别地为380nm至780nm波长范围内，前述情况对应于降低导电结构体可视性的参数的平均百分比为20％的情况。在此情况下，导电层的隐蔽性质可以得到改善，且当将该导电层应用于触屏时，可以改善可视性。

在消光系数k为0.4至1的情况下，当满足等式1时，降低导电结构体可视性的参数|R|可以进一步降低，从而具有进一步提高暗化层的暗化程度的作用。具体来说，前述情况对应于根据等式1的参数的百分比为12％以下，或者根据等式3的参数值为40以下。或者，当在可见光波长范围内，特别是300nm至800nm波长范围内，更特别地为380nm至780nm波长范围内，前述情况对应于降低导电结构体可视性的参数的平均百分比为15％的情况。在此情况下，导电层的隐蔽性质可以进一步得到改善，且当将该导电层应用于触屏时，可以进一步改善可视性。

在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的折射率n可以是大于0至小于等于3。

对于降低导电结构体的可视性的参数|R|或暗化层的反射率来说，暗化层可以是经图案化的暗化层，而导电层可以是经图案化的导电层。

在本说明书中，等式1中降低导电结构体可视性的参数|R|可由等式4的|R₁-R₂|表示。此外，|R|可表示在将待测量表面的相反表面以黑色层(优选为碳黑)处理后，具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光(以90°入射至待测量表面上)的反射率。在对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光的等式1的值为0.2以下的情况下，即使在可见光的全波长范围内，特别是300nm至800nm的波长范围内，更特别地为380nm至780nm的波长范围内，降低导电结构体可视性的参数|R|可以是0.2以下。

更具体来说，|R|可表示在将待测量表面的相反表面以黑色层(优选为碳黑)处理后，具有600nm的波长的光(以90°入射至测量表面上)的反射率。在对具有600nm的波长的光的等式1的值为0.2以下的情况下，即使在可见光的全波长范围内，特别是300nm至800nm的波长范围内，更特别地为380nm至780nm的波长范围内，降低导电结构体可视性的参数|R|可以是0.2以下。

在本申请的示例性实施方式中，由等式1所示的降低导电结构体可视性的参数|R|可为0.2以下，特别是0.15以下，更特别是0.1以下，更进一步特别是0.07以下，或0.03以下。随着|R|降低，其作用增强。

在本申请的示例性实施方式中，等式1所示的降低导电结构体可视性的参数|R|的百分比可为20％以下，特别是15％以下，更特别是10％以下，更进一步为7％以下，或3％以下。随着|R|的百分比降低，其作用增强。

当导电层设置在基板与暗化层之间时，降低导电结构体可视性的参数|R|可在暗化层的与导电层接触的表面的相反表面的方向上测量。具体来说，当暗化层包括与导电层接触的第一表面和面向第一表面的第二表面时，可在两表面的方向上进行测量。当以此方向进行测量时，降低导电结构体可视性的参数|R|可为0.2以下，特别是0.15以下，更特别是0.1以下，更进一步特别是0.07以下，或0.03以下。随着|R|降低，其作用增强。

此外，暗化层可以设置在导电层与基板之间，并且在基板侧方向上测量。当在基板侧方向上测量|R|时，|R|可为0.2以下，特别是0.15以下，更特别是0.1以下，更进一步特别是0.07以下，或0.03以下。随着|R|降低，其作用增强。

在本申请的示例性实施方式中，在导电结构体中，暗化层的反射率可为0.2以下，特别是0.15以下，更特别是0.1以下，更进一步特别是0.07以下，或0.03以下。随着反射率降低，其作用进一步增强。

在本申请的示例性实施方式中，在导电结构体中，暗化层的反射率的百分比可为20％以下、特别是15％以下、更特别是10％以下、更进一步为7％以下或3％以下。随着反射率的百分比降低，其作用进一步增强。

在本申请说明书中，当入射光为100％时，反射率可以是基于光入射至目标图案层或导电结构体上而反射的300nm至800nm，特别是380nm至780nm，更特别是550nm至600nm波长值的光测量的值。

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体，暗化层可以包括与导电层接触的第一表面和面向该第一表面的第二表面。在此情况下，当在暗化层的第二表面侧测量导电结构体的反射率时，导电结构体的反射率(Rt)可由以下等式11计算。

[等式11]

反射率(Rt)＝基板的反射率+闭合率×暗化层的反射率

此外，在导电结构体构造为将两种导电结构体进行层压而形成时，导电结构体的反射率(Rt)可由以下等式12计算。

[等式12]

反射率(Rt)＝基板的反射率+闭合率×暗化层的反射率×2

在等式11和12中，基板的反射率可以是触控强化玻璃的反射率，而在表面为膜的情况下，基板的反射率可以是膜的反射率。

此外，上述闭合率(closure ratio)可表示为导电图案覆盖区域的面积比，也即是说，基于导电结构体的平面，为(1-开口率)。

因此，存在经图案化的暗化层的情况与不存在经图案化的暗化层的情况之间的差异取决于经图案化的暗化层的反射率。在此情况下，除了不存在经图案化的暗化层之外，相较于具有相同构造的导电结构体的反射率(R0)，根据本申请示范性实施方式的导电结构体的反射率(Rt)可降低10％至20％、20％至30％、30％至40％、40％至50％或50％至70％。也即是说，当在等式11及12中，闭合率范围为1％至10％以及反射率范围为1％至30％的情况下，可以显示70％的最大反射率降低效果，并且可以显示10％的最小反射率降低效果。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体中，经图案化的暗化层包括与导电图案接触的第一表面和面向第一表面的第二表面，而当在暗化图案的第二表面侧测量导电结构体的反射率时，导电结构体的反射率(Rt)与基板的反射率(R0)之间的差异可为40％以下、30％以下、20％以下或10％以下。

在本申请的示例性实施方式中，暗化层的厚度可以满足等式2。具体来说，暗化层的厚度可为20nm至150nm。暗化层的优选厚度可以根据所使用的材料的折射率和制造过程而有所不同，但考虑到蚀刻性质，如果所述厚度为20nm以上，将较为容易调整过程，而如果厚度为150nm以下，则该厚度相对有利于制造速度。由于在上述厚度范围内过程调整容易且能提高制造速度，因此前述厚度范围在制造过程中更有利。在此情况下，反射率进一步降低以更好地形成暗化层，从而具有更有利的效果。

根据本申请示例性实施方式的导电结构体可以包括满足以下等式3的51.8以下的数值的暗化层。更具体地说，导电结构体可以包括满足以下等式3的40以下的数值的暗化层。

[等式3]

在等式3中，

A*为表示对预先确定波长的亮度的参数，以及n、k和R_金属定义与等式1相同。例如，A*可为表示对波长为550nm至650nm的光中的具有至少一种波长的光的亮度的参数，更具体地为表示对波长为600nm的光的亮度的参数。

[等式13]

$L*=116\×f\left(\frac{Y}{Y_n}\right)-16$

L*是表示对可见光全波长范围的亮度的参数，特别是表示基于CIE(国际照明委员会)L*a*b*色彩坐标的亮度值。

[等式14]

$f\left(t\right)=t^{\frac{1}{3}}(t>{\left(\frac{6}{29}\right)}^3)$

在等式13的情况下，当暗化层的反射率为0.9％以上时，由于满足以下等式14，L*可以满足以下等式15。

[等式15]

$L*=116\×{\left(\frac{Y}{Y_n}\right)}^{\frac{1}{3}}-16$

Y指对应于CIE XYZ坐标系的三刺激值的绿色的刺激值，并且满足以下等式16。此外，Yn指对应于CIE XYZ坐标系的三刺激值的白色的刺激值的归一化值(normalized value)，并且满足以下等式17。

[等式16]

Y＝∫R(λ)s(λ)y(λ)dλ

[等式17]

Y_n＝∫s(λ)y(λ)dλ

在等式16或17中，R表示降低导电结构体可视性的参数，S指光谱的输出分布函数，y指色彩匹配函数，其中以数值说明对三刺激值的反应。

在等式15至17中，假定降低导电结构体可视性的参数为常数，而与波长无关，由于(Y/Yn)与R相同，因此代表对预定波长的亮度的参数A*满足等式3。

降低导电结构体可视性的参数|R|随着代表对预定波长的亮度的参数A*的减少而降低，从而产生有益效果。例如，如果代表对600nm波长的亮度的参数A*为51.8以下，则在可见光波长范围内，特别是300nm至800nm波长范围内，更特别是380nm至780nm波长范围内，导电结构体可见性的参数的平均百分比可以为20％以下。在此情况下，如果A*为40以下，则在可见光波长范围内，特别是300nm至800nm波长范围内，更特别是380nm至780nm波长范围内，导电结构体可见性的参数的平均百分比可以进一步减少至约15％以下。在此情况下，导电层的隐蔽性质可以得到进一步改善，且当将导电层应用于触屏面板时，可以进一步改善其可视性。

在本申请的示例性实施方式中，导电结构体中几乎不存在小孔，即使存在小孔，其直径可以是3μm以下，特别是1μm以下。在导电结构体中的小孔的直径为3μm以下的情况下，可以避免发生短路。此外，在小孔几乎不存在于本申请导电结构体中并且其数量非常少的情况下，也可以避免短路的发生。

在本申请的示例性实施方式中，所述暗化层可以设置在所述导电层的至少一个表面上。具体来说，所述暗化层可以仅设置在所述导电层的任一个表面上或在其两个表面上都设置。

在本申请的示例性实施方式中，所述暗化层和导电层可以同时或分别进行图案化。

在本申请的示例性实施方式中，经图案化的暗化层和经图案化的导电层可以通过同时或分别图案化过程形成层压结构。此时，所述层压结构可以区别于将至少一部份的光吸收材料并入或分散于导电图案中的结构或者将单层导电图案的表面的部分通过附加表面处理进行物理或化学改性的结构。

此外，在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，当附着层或粘合层未形成于基板与导电层之间时，暗化层可以直接设置在基板或导电层上。所述附着层或粘合层可以影响耐用性或光学性质。此外，制造根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的方法与使用附着层或粘合层时的制造方法明显不同。而且，在本申请的示例性实施方式中，与使用附着层或粘合层的情况相比，基板或导电层与暗化层之间的界面性质优异。

在本申请的示例性实施方式中，暗化层可以由单层形成，或者由两层以上的多层形成。

在本申请的示例性实施方式中，暗化层优选无色。在此，无色指当在物体表面上入射的光不是被选择性地吸收而是对各成分的波长进行均匀地反射和吸收时表现出的颜色。

在本申请的示例性实施方式中，暗化层的材料可以无特别限制地使用，只要该材料满足等式1至3即可。例如，在彩色滤光片中，可以使用黑底材料作为所述材料。此外，也可以使用具有抗反射功能的材料。

例如，所述暗化层可以包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物以及金属碳化物中的一种或两种或更多种。所述金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物或金属碳化物可以利用所属领域普通技术人员设定的沉积条件等形成。所述金属可以是选自镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)中的一种或两种或更多种。

作为具体的实例，所述暗化层可以包含Ni和Mo。所述暗化层可以包含50原子百分比至98原子百分比的Ni和2原子百分比至50原子百分比的Mo，并且可以进一步包含0.01原子百分比至10原子百分比的其他金属，例如，如Fe、Ta和Ti的原子。在此，如果需要，暗化层可以进一步包含0.01原子百分比至30原子百分比的氮或4原子百分比以下的氧和碳。

作为另一个具体的实例，所述暗化层可以包含介电材料和金属中的至少一种。上述金属可以是金属或金属合金。特别是，所述暗化层可以进一步包含选自TiO_2-x、SiO_2-x、MgF_2-x和SiN_1.3-x(-1≤x≤1)中的介电材料，以及选自铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)中的金属，并且进一步包含选自铁(Fe)、钴(Co)、钛(Ti)、钒(V)、铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和银(Ag)中的两种或更多种金属的合金。

根据本申请的示例性实施方式，所述暗化层可以包含选自金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物以及金属碳化物中的一种或两种或更多种，并且可以进一步包含介电材料和金属中的至少一种。

优选的是，所述介电材料以随着外部光在入射方向上消失而逐渐减少的量而分布，以及金属和合金成分相反分布。在此情况下，优选的是，所述介电材料的含量为20wt％至50wt％，以及金属的含量为50wt％至80wt％。在暗化层进一步包含合金的情况下，优选的是，所述暗化层包含10wt％至30wt％的介电材料、50wt％至80wt％的金属以及5wt％至40wt％的合金。

作为另一个具体的实例，所述暗化层可以由包含镍钒合金以及镍和钒的氧化物、氮化物及氧氮化物中的一种或多种的薄膜形成。在此情况下，优选的是，包含26原子百分比至52原子百分比含量的钒，以及优选的是，钒与镍的原子比为26/74至52/48。

作为另一个具体的实例，所述暗化层可以包含过渡层，在所述过渡层中包含两种或更多种元素并且一种元素的组成比例根据外部光的入射方向以每100埃最大为20％提高。在此情况下，一种元素可以是金属元素，例如为镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、铬(Cr)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)，而除了金属元素外的其他元素可以是氧、氮或碳。

作为另一个具体的实例，所述暗化层可以包含第一氧化铬层、金属层、第二氧化铬层以及镀铬镜面，在此情况下，除了铬之外，可以包含选自镍(Ni)、钒(V)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、铝(Al)和铜(Cu)的金属。优选地，金属层厚度为10nm至30nm，第一氧化铬层的厚度为35nm至41nm，第二氧化络层厚度为37nm至42nm。

作为另一个具体的实例，可以使用氧化铝(Al₂O₃)层、氧化铬(Cr₂O₃)层和铬(Cr)层的层压结构作为暗化层。其中，氧化铝层具有改善的反射性质和避免光散射性质，氧化铬层可以通过降低倾斜表面反射率从而改善对比度性质。

作为另一个具体的实例，可以使用由铝氮化物(AlNx)和Al形成的层压结构作为暗化层。其中铝氮化物(AlNx)层可以通过降低整个层的反射率而改善对比度性质。

在本申请的示例性实施方式中，所述暗化层可以设置在所述导电层的任意一个表面或两个表面上。其中，所述暗化层可以具有与所述导电层形状相同的图案。然而，经图案化的导电层的图案尺寸不是必须与经图案化的导电层的图案尺寸完全相同，即使经图案化的暗化层的线宽小于或大于经图案化的导电层的线宽的情况也包含在本申请范围内。具体而言，经图案化的暗化层中的图案的线宽可以是经图案化的导电层中的图案的线宽的80％至120％。

在本申请的示例性实施方式中，经图案化的暗化层可以具有小于或大于经图案化的导电层的线宽的线宽的图案形状。例如，经图案化的暗化层的面积可以是经图案化的导电层所占面积的80％至120％。

在本申请的示例性实施方式中，优选的是，暗化层的图案为具有等于或大于导电层的图案的线宽的线宽的图案形状。

在经图案化的暗化层具有线宽大于经图案化的导电层的线宽的图案形状的情况下，当用户观察时，由于经图案化的暗化层覆盖经图案化的导电层的效应可大幅增加，因此可以有效阻挡经图案化的导电层的光泽或反射。然而，即使经图案化的暗化层中的图案线宽与经图案化的导电层中的图案线宽相等，也能够实现本申请的目的效果。

在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，可以使用透明板作为基板，但基板并无特别限制，例如可以使用玻璃、塑料板、塑料膜等。

在本申请的示例性实施方式中，导电层厚度无特别限制，但当厚度为0.01μm至10μm时，导电层表现出更好的导电性和图案化过程的经济效应。

在本申请的示例性实施方式中，导电层的材料为具有1×10^-6Ω·cm至30×10^-6Ω·cm，优选1×10^-6Ω·cm至7×10^-6Ω·cm的比电阻的材料。

在根据本申请的示例性实施方式的导电结构体中，优选导电层材料包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或两种或更多种，优选地，导电层的材料为具有优异导电性且易于蚀刻的金属材料。然而，一般来说，具有优异导电性的材料具有反射率高的缺点。然而，在本申请中，通过使用暗化层，可以使用具有高反射率的材料。在本申请中，在使用反射率为70％至80％以上的材料的情况下，可以添加暗化层以降低反射率、改善导电层的隐蔽性质、维持或改善对比度性质。

在本申请的示例性实施方式中，导电层的材料的具体实例可以包括选自铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、钕(Nd)、钼(Mo)、镍(Ni)、其氧化物及其氮化物中的一种或两种或更多种。例如，所述材料可以是选自前述金属中的两种或更多种金属的合金。更具体来说，可以包含钼、铝或铜。所述导电层可以是单层膜或多层膜。

在本申请的示例性实施方式中，经图案化的导电层的线宽可以大于0μm且10μm以下，特别是0.1μm以上且10μm以下，更特别地为0.2μm以上且8μm以下，更进一步特别地为0.5μm以上且5μm以下。

在本申请的示例性实施方式中，经图案化的导电层的开孔率(即，未覆盖图案的区域的比例)可为70％以上、85％以上、95％以上。此外，经图案化的导电层开孔率可为90％至99.9％，但不限于此。

在本申请的示例性实施方式中，经图案化的导电层的图案可为规则图案或不规则图案。

可以使用本领域已知的图案形状(例如网状图案)作为规则图案。不规律图案无特别限制，但可以是构成Voronoi图案的边界型线形。在本申请中，在使用不规则图案和经图案化的暗化层的情况下，可以由不规则图案消除具有方向性照射的反射光的衍射图案，可以通过经图案化的暗化层将散射光效应降至最低，由此将可视性问题最小化。

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的实例如以下图1至3所示。图1至3显示基板、导电层和暗化层的层压顺序，当实际应用作为精细透明电极(例如触屏面板)时，导电层和暗化层不会形成于全表面而是形成图案。

根据图1，显示了暗化层200设置于基板100和导电层300之间的情况。当使用者从基板侧观察触屏面板时，导电层的反射率将会大幅降低。

根据图2，显示了暗化层200设置于导电层300上的情况。当使用者从基板侧的相对表面的表面观察触屏面板时，导电层的反射率将会大幅降低。

根据图3，显示了暗化层200和220设置于基板100和导电层300之间和在导电层300上的情况。当使用者从基板侧观察触屏面板时以及当使用者从基板侧的相对侧观察触屏面板时，导电层的反射率将会大幅降低。

在图1至图3的描述中，导电层可以是经图案化的导电层，暗化层可以是经图案化的暗化层。

图4至6为显示本申请的导电结构体的示范性实施方式的导电结构体的层压结构的视图，所述导电结构体包含经图案化的导电层和经图案化的暗化层。

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以具有如下结构：暗化层设置在导电层的至少一个表面上。

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的结构可以是基板、暗化层、导电层和暗化层依次层压的结构。此外，导电结构体可以在其最外部的暗化层上包含附加的导电层和暗化层。

也就是说，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的结构可以是如下结构：基板/暗化层/导电层的结构；基板/导电层/暗化层的结构；基板/暗化层/导电层/暗化层的结构；基板/导电层/暗化层/导电层的结构；基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构；基板/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层/导电层/暗化层的结构等。

在前述的描述中，导电层可以是经图案化的导电层，暗化层可以是经图案化的暗化层。

制造根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的方法包括：在基板上形成导电层；以及在形成导电层之前形成暗化层，在形成导电层之后形成暗化层，或者在形成导电层之前和之后均形成暗化层，其中，所述暗化层对波长为550nm至650nm的光中的至少一种波长的光，特别是波长为600nm的光，满足等式1和2。

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法可以进一步包括分别或同时将导电层和暗化层图案化。所述图案化步骤可以在形成暗化层之后进行。

在本申请的示例性实施方式中，制造导电结构体的方法可以包括：在基板上形成暗化层，在形成暗化层之后形成导电层，在形成导电层后形成暗化层，以及分别或同时将导电层和暗化层图案化。

在制造导电结构体的方法中，图案化前的导电层或暗化层的表面电阻可以是超过0Ω/□且小于等于2Ω/□，优选为大于0Ω/□且小于等于0.7Ω/□。如果表面电阻为2Ω/□以下，特别是0.7Ω/□以下，则随着图案化前的导电层或暗化层的表面电阻的降低，易于进行精细图案的设计和制造过程，此外，电极反应速度将因图案化后导电结构体表面电阻的降低而提高。

根据本申请的示例性实施方式的导电结构体的制造方法包括：在基板上形成经图案化的导电层；以及在形成经图案化的导电层之前形成经图案化的暗化层，在形成经图案化的导电层之后形成经图案化的暗化层，或者在形成经图案化的导电层之前和之后均形成经图案化的暗化层，其中，所述暗化层对波长为550nm至650nm的光中的至少一种波长的光，特别是波长为600nm的光，满足等式1和2。

在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的制造方法可以包括：在基板上形成经图案化的暗化层，以及在形成经图案化的暗化层后形成经图案化的导电层。

在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的制造方法可以包括：在基板上形成经图案化的导电层，以及在形成经图案化的导电层后形成经图案化的暗化层。

在本申请的示例性实施方式中，导电结构体的制造方法可以进一步包括：在基板上形成经图案化的暗化层，在形成经图案化的暗化层后形成经图案化的导电层，以及在形成经图案化的导电层后形成经图案化的暗化层。

在本申请的示例性实施方式中，经图案化的暗化层或暗化层可以满足等式3的51.8以下的值，特别是可以满足等式3的40以下的值。

在本申请的示例性实施方式中，在形成经图案化的暗化层或暗化层的步骤中，可以利用本领域已知的方法形成经图案化的暗化层或暗化层。例如，可以利用蒸发法、喷镀法、湿式涂布法、汽化法、电解镀法、无电镀法以及金属箔的层压来形成所述层，特别是喷镀法。

例如，当形成暗化层时，如果通过使用Al金属靶(例如AlOxNy(x和y各为O和N原子相对于一个Al原子的数量比))利用反应溅镀法，则该过程可以通过调节反应气体(例如O₂和N₂)的分压力而进行。

例如，在形成包含Cu的导电层和包含CuOx(x为O原子相对于一个Cu原子的数量比)的暗化层的情况下，以及在使用惰性气体(例如，如Ar的气体)作为喷镀气体的情况下，具有通过使用CuOx单一材料喷镀靶获得的优势。因此，由于使用CuOx单一材料靶，所以不需调整反应气体的分压力，具有调整过程较为简单的优势，并且能够在形成最终导电结构体时利用Cu蚀刻剂进行批量蚀刻。

在本申请的示例性实施方式中，形成经图案化的导电层的方法无特别限制，可以通过印刷法直接形成经图案化的导电层，或可以使用在形成导电层后进行导电层图案化的方法。

在本申请的示例性实施方式中，当通过使用印刷法形成经图案化的导电层时，可以使用导电材料的油墨或糊膏，并且除了导电材料之外，所述糊膏还可以进一步包含粘合树脂、溶剂、玻璃料等。

当形成导电层后再对导电层进行图案化时，可以使用具有抗蚀剂性质的材料。

在本申请的示例性实施方式中，导电层可以通过蒸发法、喷镀法、湿式涂布法、汽化法、电解镀法、无电镀法以及金属箔的层压的方法形成。也可使用将有机金属、纳米金属或其混合溶液施加在基板上，随后利用烧结和/或干燥使其具有导电性的方法作为形成导电层的方法。可以使用有机银作为有机金属，可以使用纳米银颗粒作为纳米金属。

在本申请的示例性实施方式中，导电层的图案化可以通过使用抗蚀剂图案的方法进行。所述抗蚀剂图案可以通过利用印刷法、平版印刷法、摄影法、利用掩模的方法或激光转移(例如热转移成像)来形成，并且更加优选印刷法或平版印刷法，但所述方法不限于此。导电薄膜层也可以通过使用抗蚀剂图案的方法进行蚀刻和图案化，并且所述抗蚀剂图案可以通过剥离轻易移除。

本申请的示例性实施方式提供一种包括所述导电结构体的触屏面板。例如，可以使用根据本申请的示例性实施方式的导电结构体作为电容式触屏面板中的触控感应型电极板。

本申请的示例性实施方式提供一种包含触屏面板的显示装置。

除了前述的包括基板、经图案化的导电层和经图案化的暗化层的导电结构体之外，根据本申请的示例性实施方式的触屏面板，还可以进一步包括附加结构体。在此情况下，两个结构体可以设置在同一方向上，或者两个结构体可以设置在彼此相反的方向上。可以包含在本申请的示例性实施方式的触屏面板中的两个或更多个结构体，无须具有相同结构，并且仅任意一个、优选靠近使用者的结构体可以包括基板、经图案化的导电层和经图案化的暗化层，而附加结构体可以不包括经图案化的暗化层。此外，两个或更多个结构体中的层的层压结构可以彼此不同。在包含两个或更多个结构体的情况下，可以将绝缘层设置在其间。在此情况下，绝缘层可以进一步具有粘合层的功能。

本申请的示例性实施方式的触屏面板可以包括下基板；上基板；以及电极层，所述电极层设置在下基板的与上基板接触的表面和上基板的与下基板接触的表面中的任意一个表面或者前述两个表面上。电极层可以具有X轴和Y轴定位检测功能。

在此情况下，设置在下基板和下基板的与上基板接触的表面上的一层或两层电极层，以及设置在上基板和上基板的与下基板接触的表面上的电极层，可以是根据本申请的示例性实施方式的导电结构体。当所述电极层中仅任意一层为根据本申请的示例性实施方式的导电结构体时，其他电极层可以是本领域已知的导电图案。

在电极层设置在上基板和下基板的各自的一个表面上以形成双层电极层时，绝缘层或间隔层可以设置在下基板和上基板之间以恒定地保持电极层间的间隔，并避免两者间连接。绝缘层可以包含粘合剂或者UV或热固化性树脂。触屏面板可以进一步包含与前述导电结构体的导电层图案接触的接地部分。例如，所述接地部分可以在其上形成基板的导电层图案的表面的边缘部分上形成。此外，可以在包含导电结构体的层压结构的至少一个表面上形成抗反射膜、偏光膜以及防指纹膜中的至少一种。根据设计规格，除了前述功能性膜以外，还可以进一步包括其他功能性膜。所述触屏面板可以应用于显示设备(例如OLED显示面板、液晶显示面板(LCD)、阴极射线管(CRT)以及PDP)。

在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，经图案化的导电层和经图案化的暗化层可以分别设置在基板的两个表面上。

根据本申请的示例性实施方式的触屏面板可以在导电结构体上进一步包括电极部分或垫部分。在此情况下，有效屏幕部分、电极部分和垫部分可以由相同的导电体形成。

在根据本申请的示例性实施方式的触屏面板中，经图案化的暗化层可以设置在使用者观察的一侧。

本申请的示例性实施方式提供一种包括上述导电结构体的显示设备。在该显示设备中，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以用于彩色滤光板、薄膜晶体管板等。

本申请的示例性实施方式提供一种包括上述导电结构体的太阳能电池。太阳能电池的实例可以包括阳极电极、阴极电极、光驱动层、空穴传输层和/或电子传输层，根据本申请的示例性实施方式的导电结构体可以作为阳极电极和/或阴极电极。

可以在显示装置或太阳能电池中使用所述导电结构体替代已知的ITO，以及使用所述导电结构体提供灵活性。此外，导电结构体可以用作下一代透明电极与CNT、导电聚合物、石墨烯(graphene)等结合。

以下将参照实施例对本申请进行详细说明。然而，以下实施例仅用于说明本申请，并不限制本申请的范围。

〈实施例1〉

以下表1以矩阵显示各变量，并以Al下电极进行证实。

[表1]

图8显示，当使用Al下电极且通过在300nm至800nm的波长范围内利用麦克劳德程序模拟包含AlOxNy(x>0，y>0)的暗化层时，暗化(可暗化)区域。

此外，在图9中显示，在600nm波长的消光干涉条件下，根据n和k值的色彩。这是通过将当Al下电极具有反射率为90％的结构时由等式1的值计算的减少导电结构体可视性的参数的百分比转换为色差而获得。

此外，表2显示当下电极反射率为约90％的结构时在550nm、600nm和650nm波长的消光干涉条件下，利用麦克劳德程序进行模拟的结果。

表2显示，利用麦克劳德程序进行模拟获得的在550nm、600nm和650nm波长下的减少导电结构体可视性的参数的百分比的值和在380nm至780nm波长范围内的减少导电结构体可视性的参数的平均百分比的值，在此情况下，A*代表对600nm波长的亮度。在表2中，S1至S126对应于表1中的S1至S126，并且在此情况下，n和k值也对应于表1中的n和k值。

[表2]

参照使用表2的麦克劳德程序的模拟结果，可以确认，如果针对具有550nm至650nm的波长的光中的至少一种波长的光，降低导电结构体可视性的参数的百分比为20％以下，则在380nm至780nm波长范围内，降低导电结构体可视性的参数的平均百分比为20％以下。此外，可以确定，如果针对600nm波长的光，降低导电结构体可视性的参数的百分比为20％以下，则在380nm至780nm波长范围内，降低导电结构体可视性的参数的平均百分比为20％以下。

此外，可以确认，如果表示对600nm波长的亮度的参数A*为51.8以下，则在380nm至780nm波长范围内，降低导电结构体可视性的参数的平均百分比为20％以下。如果A*为40以下，则在380nm至780nm波长范围内，降低导电结构体可视性的参数的平均百分比进一步降低至约15％以下。

此外，如果将降低导电结构体可视性的参数的百分比为20％以下，或者表示对600nm波长的亮度的参数A*为51.8以下的情形，或者在380nm至780nm波长范围内降低导电结构体可视性的参数的百分比为20％的情形应用于表1，可以确认k值的范围为0.2至1.2。此外，如果表示对600nm波长的亮度的参数A*为约40以下，降低导电结构体可视性的参数的百分比约为12％以下，或者在380nm至780nm波长范围内，降低导电结构体可视性的参数的平均百分比约为15％以下，可以确认k值的范围为0.4至1.0。

图10是显示在表2中在300nm至800nm波长范围内降低导电结构体可见性的参数的平均百分比为20％的所有情况的曲线图。

此外，图10显示S2、S3、S4、S5、S16、S17和S18的曲线图，图12显示S19、S20、S30、S31、S32、S33、S34和S35的曲线图，图13显示图10中的S44、S45、S46、S47、S48、S49、S59和S60的曲线图。图14显示S61、S62、S63、S73、S74、S75、S76、S77、S87、S88和S89的曲线图，图15显示S90、S91、S101、S102、S103、S104、S105、S115、S116、S117和S118的曲线图。

同时，当Al下电极结构具90％反射率时，在600nm波长的消光干涉条件下计算的参数值如以下表3所示。表3显示在600nm波长下，由根据n和k值的等式1的值计算的降低导电结构体可视性的参数的百分比的值，由等式2的值计算的暗化层的厚度，以及由等式3计算的表示对600nm波长的亮度的参数A*。

[表3]

参照表3，可以确定，如果对于600nm波长光，降低导电结构体可视性的参数的百分比为20％以下，或者表示对600nm波长的亮度的参数A*为51.8以下，k值的范围为0.4至1。

图16显示在表2中基于600nm使用麦克劳德程序的进行模拟时的暗化(可暗化)区域。图17显示在表3中基于600nm根据等式1计算的值的暗化(可暗化)区域。

图16与图17相比较，可以确定通过麦克劳德程序和等式1确定的值的结果在趋势和范围上彼此相似。

此外，图18显示根据等式3在600nm波长的消光干涉条件下计算根据n和k值的A*时的暗化(可暗化)区域。图18与图16和图17比较，可以确定根据A*值的色彩区域、通过麦克劳德程序的值的结果、以及等式1确定的值的结果在趋势和范围上彼此相似。

<实施例2>

如实施例1的表1以矩阵形式显示变量，以Mo下电极进行检验。在此情况下，用于形成暗化层的材料可以是具有下表4中n和k值范围的材料，可以是Mo氧化物、Mo氮化物和AlO_xN_y(x>0,y>0)。

当Mo下电极结构具有57％的反射率时，在600nm波长的消光干涉条件下的参数值如下表4所示。表4显示在600nm波长下根据n和k值的等式1的值计算的降低导电结构体可视性的参数的百分比值，通过等式2的值计算的暗化层的厚度，以及通过等式3计算的表示对600nm波长的亮度的参数A*。

[表4]

参照表4，可以确定，如果对于600nm波长光，降低导电结构体可视性的参数的百分比为20％以下，k值的范围为0.2至1。此外，可以确定如果表示对600nm波长的亮度的参数A*为51.8以下，k值的范围为0.2至1。

在可见光范围内Mo的平均反射率为57.5％，如果减少导电结构体可视性的参数的百分比为20％以下，则k值的范围为0.2至1，由此可以确定，与Al电极层的情况相比，具有低反射率的k范围扩大。

图19显示当具有57.5％反射率的Mo下电极作为下电极以及在600nm波长的消光干涉条件下计算根据n和k值的等式1的参数值时的暗化(可)区域。

本领域技术人员可以明显了解在不背离本申请的范围和精神下，可以进行各种修饰和改变。

因此应该了解，上述实施例仅用于描述而并不限制本申请。本申请的保护范围由权利要求而非由实施例定义，因此落入权利要求内的所有改变和修饰或者等价物也包含在权利要求限定的范围内。

附图标记说明：

100：基板

200：暗化层

220：暗化层

300：导电层

201：暗化图案层

221：暗化图案层

301：导电图案层

Claims (41)

1.一种导电结构体，包括：

基板；

导电层；以及

暗化层，其对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2：

[等式1]

[等式2]

$d=\frac{\mathrm{\&lambda;}}{4n}N(N=\mathrm{1,3,5},...)$

其中，

|R|为降低导电结构体可视性的参数，

n为折射率，k为消光系数，R_金属为所述导电层的反射率，

d为所述暗化层的厚度，以及λ为光波长。

2.根据权利要求1所述的导电结构体，进一步包括：

暗化层，其对具有600nm波长的光满足等式1和2。

3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的以下等式3的值为51.8以下：

[等式3]

其中，

A*为显示对预先确定波长的亮度的参数，以及n、k和R_金属定义与等式1相同。

4.根据权利要求3所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的等式3的值为40以下。

5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的以下等式15的值为40以下：

[等式15]

$L*=116\&times;{\left(\frac{Y}{Y_n}\right)}^{\frac{1}{3}}-16$

其中，

L*是显示对全部可见光波长区域的亮度的参数，

Y是对应于CIE XYZ坐标系的三刺激值的绿色的刺激值，以及

Yn是对应于CIE XYZ坐标系的三刺激值的白色的刺激值的归一化值。

6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的消光系数k为0.2以上且2.5以下。

7.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的消光系数k为0.2以上且1.2以下。

8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的消光系数k为0.4以上且1.0以下。

9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述导电层设置在所述基板与所述暗化层之间，并且所述降低导电结构体可视性的参数在所述暗化层的与所述导电层接触的表面的相反表面的方向上测量。

10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层设置在所述导电层与所述基板间，并且所述降低导电结构体可视性的参数在基板侧测量。

11.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的折射率n为大于0且小于等于3。

12.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.15以下。

13.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.1以下。

14.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.07以下。

15.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述降低导电结构体可视性的参数|R|为0.03以下。

16.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层的厚度d为20nm至150nm。

17.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层或导电层的表面电阻为大于0Ω/□且小于等于2Ω/□。

18.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层包含选自金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氧氮化物以及金属碳化物中的一种或两种或更多种。

19.根据权利要求18所述的导电结构体，其中，

所述金属为选自Ni、V、W、Ta、Mo、Nb、Ti、Fe、Cr、Co、Al和Cu中的一种或两种或更多种。

20.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层包含介电材料和金属中的至少一种。

21.根据权利要求20所述的导电结构体，其中，

所述介电材料选自TiO_2-x、SiO_2-x、MgF_2-x和SiN_1.3-x(-1≤x≤1)。

22.根据权利要求20所述的导电结构体，其中，

所述金属为选自Fe、Co、Ti、V、Al、Cu、Mo、Au和Ag中的一种、两种或更多种金属的合金。

23.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述导电层的厚度为0.01μm至10μm。

24.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述导电层包含选自金属、金属合金、金属氧化物和金属氮化物中的一种或多种材料，并且所述材料具有1×10^-6Ω·cm至30×10^-6Ω·cm的比电阻。

25.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述导电层包含选自Cu、Al、Ag、Nd、Mo、Ni、其氧化物和其氮化物中的一种或两种或更多种。

26.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述暗化层设置在所述导电层的至少一个表面上。

27.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，

所述导电层或所述暗化层被图案化。

28.根据权利要求27所述的导电结构体，其中，

所述导电结构体的表面电阻为1Ω/□至300Ω/□。

29.根据权利要求27所述的导电结构体，其中，

所述导电层和所述暗化层被图案化，并且经图案化的导电层的线宽为10μm以下。

30.根据权利要求27所述的导电结构体，其中，

所述导电层和所述暗化层被图案化，并且经图案化的暗化层的线宽等于或大于经图案化的导电层的线宽。

31.根据权利要求27所述的导电结构体，其中，

所述导电层和所述暗化层被图案化，并且经图案化的暗化层的面积为经图案化的导电层的面积的80％至120％。

32.一种触屏面板，包括：

根据权利要求1至31中任一项所述的导电结构体。

33.一种显示装置，包括：

根据权利要求1至31中任一项所述的导电结构体。

34.一种太阳能电池，包括：

根据权利要求1至31中任一项所述的导电结构体。

35.一种导电结构体的制造方法，包括：

在基板上形成导电层；以及

在形成导电层之前形成暗化层，在形成导电层之后形成暗化层，或者在形成导电层之前和之后均形成暗化层，所述暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2：

[等式1]

[等式2]

$d=\frac{\mathrm{\&lambda;}}{4n}N(N=\mathrm{1,3,5},...)$

其中，

|R|为降低导电结构体可视性的参数，

n为折射率，k为消光系数，R_金属为所述导电层的反射率，

d为所述暗化层的厚度，以及λ为光波长。

36.根据权利要求35所述的导电结构体的制造方法，其中，

所述导电层或暗化层的表面电阻为大于0Ω/□且小于等于2Ω/□。

37.根据权利要求35所述的导电结构体的制造方法，其进一步包括：

分别或同时将所述导电层和所述暗化层图案化。

38.一种导电结构体的制造方法，包括：

在基板上形成经图案化的导电层；以及

在形成经图案化的导电层之前形成经图案化的暗化层，在形成经图案化的导电层之后形成经图案化的暗化层，或者在形成经图案化的导电层之前和之后均形成经图案化的暗化层，所述经图案化的暗化层对具有550nm至650nm波长的光中的至少一种波长的光满足以下等式1和2：

[等式1]

[等式2]

$d=\frac{\mathrm{\&lambda;}}{4n}N(N=\mathrm{1,3,5},...)$

其中，

|R|为降低导电结构体可视性的参数，

n为折射率，k为消光系数，R_金属为所述导电层的反射率，

d为所述暗化层的厚度，以及λ为光波长。

39.根据权利要求35至38中任一项所述的导电结构体的制造方法，其中，

所述经图案化的暗化层或所述暗化层对具有600nm波长的光满足等式1和2。

40.根据权利要求35至38中任一项所述的导电结构体的制造方法，其中，

所述经图案化的暗化层或所述暗化层的以下等式3的值为51.8以下：

[等式3]

其中，

A*为显示对预先确定波长的亮度的参数，以及n、k和R_金属定义与等式1相同。

41.根据权利要求35至38中任一项所述的导电结构体的制造方法，其中，

所述经图案化的暗化层或所述暗化层是利用溅镀法而形成的。