KR20140030073A - 전도성 구조체 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 명세서는 기재; 전도성 층; 및 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 전도성 구조체는 전도성 층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 층에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상함으로써 전도성 층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 상기 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 디스플레이 패널을 개발할 수 있다.

Description

전도성 구조체 및 이의 제조방법{CONDUCTIVE STRUCTURE BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 명세서는 전도성 구조체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 출원은 2012년 8월 31일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2012-0096493호의 출원일의 이익을 주장하고, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
일반적으로, 터치 스크린 패널은 신호의 검출 방식에 따라 다음과 같이 분류할 수 있다. 즉, 직류 전압을 인가한 상태에서 압력에 의해 눌려진 위치를 전류 또는 전압 값의 변화를 통해 감지하는 저항막 방식(resistive type)과, 교류 전압을 인가한 상태에서 캐패시턴스 커플링(capacitance coupling)을 이용하는 정전 용량 방식(capacitive type)과, 자계를 인가한 상태에서 선택된 위치를 전압의 변화로서 감지하는 전자 유도 방식(electromagnetic type) 등이 있다.
최근 대면적의 터치 스크린 패널에 대한 필요가 증가함에 따라 전극의 저항을 줄이면서도 시인성이 우수한 대형 터치 스크린 패널을 구현할 수 있는 기술 개발이 필요하였다.
한국 공개 특허 제10-2010-0007605호
당 기술분야에서는, 상기 다양한 방식의 터치 스크린 패널의 성능 향상을 위한 기술 개발이 요구되고 있다.
본 출원의 일 구현예는 기재; 전도성 층; 및 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체를 제공한다.
[수학식 1]
Figure pat00001
[수학식 2]
Figure pat00002
상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.
본 출원의 일 구현예는 기재 상에 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 패턴화된 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 패턴화된 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양전지를 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 전도성 층의 전도도에 영향을 미치지 않으면서도 전도성 층에 의한 반사를 방지할 수 있고, 흡광도를 향상시킴으로써 전도성 층의 은폐성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체를 이용하여 시인성이 개선된 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 태양 전지를 개발할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 각각 본 출원의 일 구현예로서, 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 4 내지 도 6은 각각 본 출원의 일 구현예로서, 전도성 패턴층 및 암색화을 패턴층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
도 7은 본 출원의 일 구현예로서, 빛이 강도가 I0일 때, 암색화층 표면에서 1차 반사되는 빛의 강도, 암색화층 표면에서 2차 반사되는 빛의 강도, 전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도, 전도성 층 표면에서 반사되는 빛의 강도를 나타낸 것이다.
도 8은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 AlOxNy(x > 0, y > 0)을 포함하는 암색화층을 300~800nm 파장 범위에서 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 9는 본 출원의 일 구현예로서, 90%의 반사율을 갖는 Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 색상을 나타낸 것이다.
도 10은 본 출원의 일 구현예로서, 표 2 중에 300~800nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 모든 경우를 그래프로 나타낸 것이다.
도 11은 도 10 중 S2, S3, S4, S5, S16, S17, S18 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 12는 도 10 중 S19, S20, S30, S31, S32, S33, S34, S35 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 13은 도 10 중 S44, S45, S46, S47, S48, S49, S59, S60 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 14는 도 10 중 S61, S62, S63, S73, S74, S75, S76, S77, S87, S88, S89 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 15는 도 10 중 S90, S91, S101, S102, S103, S104, S105, S115, S116, S117, S118 의 그래프를 나타낸 것이다.
도 16은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 17은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 수학식 1의 파라미터 값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 18은 본 출원의 일 구현예로서, Al 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 A*값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
도 19는 본 출원의 일 구현예로서, Mo 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 수학식 1의 파라미터 값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도시한 것이다.
이하, 본 출원을 보다 상세히 설명한다.
본 명세서에서, 디스플레이 장치란 TV나 컴퓨터용 모니터 등을 통틀어 일컫는 말로서, 화상을 형성하는 디스플레이 소자 및 디스플레이 소자를 지지하는 케이스를 포함한다.
상기 디스플레이 소자로는 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 전기영동 디스플레이 (Electrophoretic display) 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), OLED 디스플레이 등을 예로 들 수 있다. 디스플레이 소자에는 화상 구현을 위한 RGB 화소 패턴 및 추가적인 광학 필터가 구비되어 있을 수 있다.
한편, 디스플레이 장치와 관련하여, 스마트 폰 및 태블릿 PC, IPTV 등의 보급이 가속화됨에 따라 키보드나 리모컨 등 별도의 입력 장치 없이 사람의 손이 직접 입력 장치가 되는 터치 기능에 대한 필요성이 점점 커지고 있다. 또한, 특정 포인트 인식뿐만 아니라 필기가 가능한 다중 인식(multi-touch) 기능도 요구되고 있다.
현재, 상용화된 대부분의 터치 스크린 패널(TSP, touch screen panel)은 투명 전도성 ITO 박막을 기반으로 하고 있으나, 대면적 터치 스크린 패널 적용시 ITO 투명 전극 자체의 비교적 높은 면저항(최저 150 Ω/□, Nitto denko 社 ELECRYSTA 제품)으로 인한 RC 지연 때문에 터치 인식 속도가 느려지게 되고, 이를 극복하기 위한 추가적인 보상 칩(chip)을 도입해야 하는 등의 문제점이 있다.
본 출원의 발명자들은 상기 투명 ITO 박막을 금속 미세 패턴으로 대체하기 위한 기술을 연구하였다. 이에, 본 출원의 발명자들은, 터치 스크린 패널의 전극 용도로서, 높은 전기전도도를 가지는 금속 박막인 Ag, Mo/Al/Mo, MoTi/Cu 등을 이용하는 경우에는, 특정 모양의 미세 전극 패턴을 구현하고자 할 때, 높은 반사도로 인하여 시인성 측면에 있어서 패턴이 사람의 눈에 잘 인지되는 문제점과 함께 외부 광에 대하여 높은 반사도 및 헤이즈(Haze) 값 등으로 인하여 눈부심 등이 일어날 수 있다는 것을 밝혀내었다. 또한, 제조공정시 고가의 타겟(target) 값이 들거나, 공정이 복잡한 경우가 많을 수 있음을 밝혀내었다.
그래서 본 출원의 일 구현예는, 종래의 ITO 기반의 투명 전도성 박막층을 사용한 터치 스크린 패널과 차별화될 수 있고, 금속 미세 패턴 전극의 은폐성 및 외부광에 대한 반사 및 회절 특성이 개선된 터치 스크린 패널에 적용할 수 있는 전도성 구조체를 제공하고자 한다.
본 명세서에서 암색화층은 패턴화된 암색화층일 수도 있고, 또는 암색화 패턴층일 수 있다. 또한, 본 명세서에서 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 또는 전도성 패턴층일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 포함할 수 있다.
[수학식 1]
Figure pat00003
상기 수학식 1 에서,
｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
λ는 빛의 파장이다.
[수학식 2]
Figure pat00004
상기 수학식 2에서,
d는 암색화층의 두께이고, n은 굴절율이며, λ는 빛의 파장이다.
상기 N은 소멸간섭 조건에서의 상수를 의미한다.
상기 수학식 1에서 n>0, k>0일 수 있다.
상기 수학식 2에서 n>0일 수 있다.
상기 수학식 1의 범위를 만족하는 경우, n, k, RMetal에 따라 암색화층을 구성할 수 있는 재료를 결정할 수 있고, 재료의 특정 조성비를 결정할 수 있다.
또한, 상기 수학식 2의 범위를 만족하는 경우, 암색화층의 재료에 따라 달라지는 적절한 암색화층의 두께를 결정할 수 있다.
즉, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 n과 k에 따라 암색화층을 구성하는 재료, 재료의 특정 조성비, 암색화층의 두께를 결정할 수 있다.
상기 수학식 1의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 수학식 4의 ｜R1-R2｜로 나타낼 수 있고, 상기 수학식 1은 하기 수학식 4를 만족할 수 있다.
[수학식 4]
Figure pat00005
상기 수학식 4에서,
R1은 암색화층의 1차 반사율이고, R2는 암색화층의 2차 반사율이다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 상기 암색화층의 1차 반사율과 2차 반사율의 차이가 0.2 이하인 것을 만족할 수 있다.
굴절율이
Figure pat00006
(n>0, k>0)인 물질에서의 1차 반사율 R1은 하기 수학식 5와 같다.
[수학식 5]
Figure pat00007
그리고, 암색화층에서의 2차 반사율 R2은 하기 수학식 6과 같다.
[수학식 6]
Figure pat00008
강도가 I0인 빛이 암색화층에 가해졌을 때, 일부는 1차적으로 암색화층 표면에서 반사되고, 나머지 빛은 암색화 층 내부로 통과된다. 이때, 암색화층 표면에서의 1차 반사율은 R1이고, 1차 반사된 빛의 강도는 R1I0이다. 그리고, 암색화층 표면에서의 2차 반사율은 R2이고, 2차 반사된 빛의 강도는 R2I0이다.
또한, 나머지 빛 중 일부는 암색화층에 1차적으로 흡수되고, 일부는 암색화층을 통과하여 인접한 다른 층에 도달하게 된다. 이때, 암색화층의 두께가 d인 경우, 두께 d인 암색화층을 통과한 후 전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도는 하기 수학식 7과 같다. 하기 수학식 7에서 α는 선흡수계수이고, d는 암색화층의 두께이며, k는 소멸계수이고, λ는 빛의 파장이다.
[수학식 7]
전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도
Figure pat00009
상기 수학식 7에서 선흡수계수 α는 하기 수학식 8과 같다.
[수학식 8]
Figure pat00010
그리고, 두께 d인 암색화층을 통과한 빛의 일부는 암색화층과 인접한 층, 구체적으로 전도성 층의 표면에서 암색화층의 방향으로 반사되게 되고, 이때의 전도성 층의 표면에서의 반사되는 빛의 강도는 하기 수학식 9와 같다. 여기서, RMetal은 전도성 층의 반사율을 의미한다.
[수학식 9]
전도성 층 표면에서 반사되는 빛의 강도
Figure pat00011
상기 수학식 9로 표시되는 반사되는 빛 중 일부는 암색화층을 통과하면서 2차적으로 광흡수되고 나머지 일부는 암색화층의 표면으로 반사된다. 이때 반사되는 빛을 암색화층에서 2차 반사되는 빛이라고 하고, 이때 2차 반사율을 상기 수학식 6로 표시되는 R2라 한다. 또한, 암색화층 표면에서의 2차 반사된 빛의 강도 R2I0는 하기 수학식 10으로 표시된다.
[수학식 10]
Figure pat00012
도 7은 빛이 강도가 I0일 때, 암색화층 표면에서 1차 반사되는 빛의 강도, 수학식 10으로 표시되는 암색화층 표면에서 2차 반사되는 빛의 강도, 수학식 7로 표시되는 전도성 층 표면에 도달하는 빛의 강도, 수학식 9로 표시되는 전도성 층 표면에서 반사되는 빛의 강도를 나타낸 것이다.
상기 수학식 2로 표시되는 암색화층의 두께 d는 암색화 층 표면에서의 1차 반사와 2차 반사 파장이 180°의 위상 차이를 가지는 소멸간섭 조건에서의 관계식이다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재 및 전도성 층을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 암색화 층은 전도성 층의 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 전도성 층의 양면 모두에 구비될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비되는 전도성 층; 및 상기 전도성 층 상에 구비되는 암색화 층을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비되는 암색화 층; 및 상기 암색화 층 상에 구비되는 전도성 층을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 기재; 상기 기재 상에 구비되는 암색화 층; 상기 암색화 층 상에 구비되는 전도성 층; 및 상기 전도층 상에 구비되는 암색화 층을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 전도성 층 또는 암색화 층은 패턴화된 것일 수 있다. 상기 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 상기 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있다. 패턴의 형태는 후술한다.
본 출원의 발명자들은, 유효 화면부에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 전도성 금속 미세 패턴의 시인성에 상기 패턴층에 의한 광반사 및 회절 특성이 주요한 영향을 미친다는 사실을 밝혀내었으며, 이를 개선하고자 하였다. 구체적으로, 기존 ITO를 기반으로 한 터치 스크린 패널에서는 ITO 자체의 높은 투과도로 인하여 전도성 패턴의 반사도에 의한 문제가 그리 크게 나타나지 않았으나, 유효 화면부 내에 구비된 전도성 금속 미세 패턴을 포함하는 터치 스크린 패널에서는 상기 전도성 금속 미세 패턴의 반사도 및 암색화 특성이 중요하다는 것을 밝혀내었다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에서 전도성 금속 미세 패턴의 반사도를 낮추고 흡광도 특성을 개선하기 위하여, 암색화 층을 도입할 수 있다. 상기 암색화 층은 터치 스크린 패널 내 전도성 층의 적어도 일면에 구비됨으로써 상기 전도성 층의 높은 반사도에 따른 시인성 저하문제를 크게 개선시킬 수 있다.
구체적으로, 상기 암색화 층은 흡광성을 가지기 때문에 전도성 층 자체로 입사되는 빛과 전도성 층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킴으로써 전도성 층에 의한 반사도를 낮출 수 있다. 또한, 상기 암색화 층은 전도성 층에 비하여 낮은 반사도를 가질 수 있다. 이에 의하여, 사용자가 직접 전도성 층을 바라보는 경우에 비하여 빛의 반사도를 낮출 수 있으므로, 전도성 층의 시인성을 크게 개선시킬 수 있다.
본 명세서에서, 상기 암색화 층은 흡광성을 가져서 전도성 층 자체로 입사되는 빛과 전도성 층으로부터 반사되는 빛의 양을 감소시킬 수 있는 층을 의미하는 것으로서, 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있고, 암색화 층은 흡광성 층, 흑화 층, 흑화성 층 등의 용어로 표현될 수 있고, 패턴화된 암색화 층은 패턴화된 흡광성 층, 패턴화된 흑화 층, 패턴화된 흑화성 층 등의 용어로 표현될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하일 수 있고, 구체적으로 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하일 수 있다.
전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 300 Ω/□ 이하이면 종래의 ITO 투명 전극을 대체할 수 있는 효과가 있다. 전도성 구조체의 면저항이 1 Ω/□ 이상 100 Ω/□ 이하인 경우, 또는 1 Ω/□ 이상 50 Ω/□ 이하인 경우, 특히 1 Ω/□ 이상 20 Ω/□ 이하인 경우에는 종래 ITO 투명 전극 사용시보다 면저항이 상당히 낮기 때문에 신호 인가시 RC 지연이 짧아져 터치 인식 속도를 현저하게 개선할 수 있으며, 이를 바탕으로 10인치 이상 대면적 터치스크린 적용이 용이하다는 장점이 있다.
상기 전도성 구조체에서 패턴화 하기 이전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 구체적으로 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다. 상기 면저항은 전도성 층 또는 암색화 층의 두께에 따라 조절될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 암색화층의 소멸계수(Extinction coefficient ) k가 0.2 이상 2.5 이하, 구체적으로는 0.2 이상 1.2 이하, 더욱 구체적으로 0.4 이상 1 이하 또는 0.4 이상 0.8 이하 일 수 있다.
상기 소멸계수 k가 0.2 이상이면 암색화를 가능하게 하는 효과가 있다. 상기 소멸계수 k는 흡수계수(Absorption Coefficient)라고도 하며, 특정 파장에서 전도성 구조체가 빛을 얼마나 강하게 흡수하는지를 정의할 수 있는 척도로서, 전도성 구조체의 투과도를 결정하는 요소이다. 예를 들어, 투명한 유전체(dielectric) 물질인 경우, k<0.2로 k값이 매우 작다. 그러나, 물질 내부에 금속 성분이 증가할수록 k값이 증가하게 된다. 만약, 더욱 더 금속 성분이 많아지면, 투과가 거의 일어나지 않고, 대부분 표면 반사만 일어나는 금속이 되며, 소멸계수 k는 2.5 초과가 되어 암색화층의 형성에는 바람직하지 않다.
상기 소멸계수 k가 0.2 이상 1.2 이하인 경우에는 상기 수학식 1을 만족하는 경우에 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜가 더욱 감소하여 더욱 암색화층의 암색화도가 증가하는 효과가 있다. 구체적으로 수학식 1에 따른 파라미터의 백분율이 20% 이하이거나 수학식 3에 따른 파라미터의 값이 51.8 이하인 경우에 대응된다. 또는 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 인 경우와 대응된다. 이 경우 전도성 층의 은폐성이 향상되고, 터치 스크린 패널에 적용시 시인성이 개선될 수 있다.
상기 소멸계수 k가 0.4 이상 1 이하인 경우에는 상기 수학식 1을 만족하는 경우에 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜가 더욱 감소하여 더욱 암색화층의 암색화도가 증가하는 효과가 있다. 구체적으로 수학식 1에 따른 파라미터의 백분율이 약 12% 이하이거나 수학식 3에 따른 파라미터의 값이 약 40 이하인 경우에 대응된다. 또는 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 약 15% 인 경우와 대응된다. 이 경우 전도성 층의 은폐성이 더욱 향상되고, 터치 스크린 패널에 적용시 시인성이 더욱 더 개선될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체는 굴절율 n이 0 초과 내지 3이하일 수 있다.
하기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜또는 반사율에 관한 설명에서 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있고, 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 수학식 1의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 수학식 4의 ｜R1-R2｜로 나타낼 수 있다. 또한, 상기 ｜R｜은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90°로 입사한 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대한 반사율을 의미할 수 있다. 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 수학식 1의 값이 0.2 이하인 경우 가시광선 전 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장, 더욱 구체적으로 380nm~780nm의 파장에 대하여도 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜이 0.2 이하가 될 수 있다.
더욱 구체적으로 상기 ｜R｜은 측정하고자 하는 면의 반대면을 검은 층(perfect black)으로 처리한 후, 측정하고자 하는 면에 90°로 입사한 파장 파장이 600nm인 광에 대한 반사율을 의미할 수 있다. 파장이 600nm인 광에 대하여 수학식 1의 값이 0.2 이하인 경우 가시광선 전 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장, 더욱 구체적으로 380nm~780nm의 파장에 대하여도 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜이 0.2 이하가 될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 수학식 1로 표시되는 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 수학식 1로 표시되는 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜의 백분율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 7% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜의 백분율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜의 측정은 상기 전도성 층이 기재와 암색화층 사이에 구비되고, 상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 때, 2면의 방향에서 측정한 것일 수 있다. 이 방향에서 측정하였을 때 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터｜R｜은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
또한, 상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 기재 사이에 구비되고, 상기 기재측에서 측정한 것일 수 있다. 상기 기재측에서 ｜R｜을 측정하였을 때 ｜R｜은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 ｜R｜은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 반사율은 0.2 이하일 수 있고, 구체적으로 0.15 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 0.1 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 0.07 이하일 수 있고, 0.03 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 반사율의 백분율은 20% 이하일 수 있고, 구체적으로 15% 이하일 수 있고, 더욱 구체적으로 10% 이하일 수 있으며, 더욱 더 구체적으로 7% 이하일 수 있고, 3% 이하일 수 있다. 상기 반사율은 작을수록 효과가 더욱 좋다.
본 명세서에 있어서, 반사율은 입사광을 100%로 하였을 때 광이 입사한 대상 패턴층 또는 전도성 구조체에 의하여 반사된 반사광 중 300~800 nm, 구체적으로 380~780 nm, 더욱 구체적으로 550~600 nm의 파장 값을 기준으로 측정한 값일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함할 수 있다. 이때 상기 암색화 층의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 반사율(Rt)은 하기 수학식 11로 계산될 수 있다.
[수학식 11]
반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 층의 반사율
또한, 상기 전도성 구조체의 구성이 전도성 구조체 2종이 라미네이션된 경우에는 전도성 구조체의 반사율(Rt)는 하기 수학식 12으로 계산될 수 있다.
[수학식 12]
반사율(Rt) = 기재의 반사율 + 폐쇄율 × 암색화 층의 반사율 × 2
상기 수학식 11 및 12에서 기재의 반사율은 터치 강화유리의 반사율일 수 있고, 표면이 필름인 경우에는 필름의 반사율일 수 있다.
또한, 상기 폐쇄율은 전도성 구조체의 평면을 기준으로 전도성 패턴에 의하여 덮여지는 영역이 차지하는 면적 비율, 즉 (1 - 개구율)로 나타낼 수 있다.
따라서, 패턴화된 암색화 층이 있는 경우와 없는 경우의 차이는 패턴화된 암색화 층의 반사율에 의하여 의존하게 된다. 이러한 관점에서, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 반사율(Rt)은 상기 패턴화된 암색화 층이 없는 것을 제외하고 동일한 구성을 갖는 전도성 구조체 반사율(R0)에 비하여 10 ~ 20% 감소된 것일 수 있고, 20 ~ 30% 감소된 것일 수 있으며, 30 ~ 40% 감소된 것일 수 있고, 40 ~ 50% 감소된 것일 수 있으며, 50 ~ 70% 감소된 것일 수 있다. 즉, 상기 수학식 11 및 12에서 폐쇄율 범위를 1 ~ 10% 범위로 변화시키면서 반사율 범위를 1 ~ 30%까지 변화시키는 경우 최대 70%의 반사율 감소 효과를 나타낼 수 있고, 최소 10%의 반사율 감소 효과를 나타낼 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 패턴화된 암색화 층은 상기 전도성 패턴과 접하는 제1면 및 상기 제1면에 대향하는 제2면을 포함하고, 상기 암색화 패턴의 제2면 측에서 상기 전도성 구조체의 반사율을 측정하였을 때, 상기 전도성 구조체의 반사율(Rt)은 상기 기재의 반사율(R0)과의 차이가 40% 이하일 수 있고, 30% 이하일 수 있으며, 20% 이하일 수 있고, 10% 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층의 두께는 상기 수학식 2를 만족할 수 있다. 구체적으로 상기 암색화 층의 두께는 20 nm 내지 150 nm 일 수 있다. 상기 암색화층은 사용하는 재료의 굴절율 및 제조 공정에 따라 바람직한 두께가 상이할 수 있으나, 식각(etching) 특성을 고려하면 두께가 20 nm 이상이면 공정 조절이 비교적 용이하고, 150 nm 이하이면 생산 속도 측면에서 비교적 유리할 수 있다. 상기 두께 범위에서 공정 조절이 쉽고, 생산 속도가 개선되어서 제조 공정에서 더욱 유리할 수 있다. 이 경우 반사율이 더욱 감소하여, 암색화 층이 더 잘 형성되어 더욱 유리한 효과가 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 하기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것을 만족하는 암색화 층을 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 하기 수학식 3의 값이 40 이하인 것을 만족하는 암색화 층을 포함할 수 있다.
[수학식 3]
Figure pat00013
상기 수학식 3에서,
A* 는 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, n, k 및 RMetal 은 수학식 1에서의 정의와 동일하다. 예를 들어, A* 는 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대한 밝기를 나타내는 파라미터일 수 있고, 더욱 구체적으로 파장이 600nm인 광에 대한 밝기를 나타내는 파라미터일 수 있다.
[수학식 13]
Figure pat00014
상기 L* 는 가시광선 전 파장 영역에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, 구체적으로, CIE(국제조명위원회: Commission Internationale de l'Eclairage) L*a*b* 색좌표 기준으로 명도값을 나타낸다.
[수학식 14]
Figure pat00015
상기 수학식 13의 경우 암색화층의 반사율이 0.9% 이상인 경우에는 하기 수학식 14를 만족하므로, L* 는 하기 수학식 15를 만족할 수 있다.
[수학식 15]
Figure pat00016
상기 Y는 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 초록색에 해당하는 자극값을 의미하고, 하기 수학식 16을 만족한다. 또한, 상기 Yn은 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 흰색에 해당하는 자극값의 정규화된(Normalized) 값을 의미하고, 하기 수학식 17을 만족한다.
[수학식 16]
Figure pat00017
[수학식 17]
Figure pat00018
상기 수학식 16 또는 수학식 17에서, R은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터를 의미하고, S는 스펙트럼의 출력분포 함수를 의미하며, y는 삼색 자극값에 대한 반응을 수치로 기술한 색 대응함수(Color matching Funtion)를 의미한다.
수학식 15 내지 17에서, 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터가 파장에 무관하게 일정하다고 가정하면 (Y/Yn)이 R과 동일하므로, 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A* 는 상기 수학식 3을 만족한다.
특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A* 가 작을수록 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜가 작아져서 유리한 효과가 있다. 예를 들어, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하일 수 있다. 이때 A*가 40 이하이면 가시광선 파장 영역, 구체적으로 300nm~800nm의 파장 영역, 더욱 구체적으로 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 15% 이하 정도로 더욱 낮아질 수 있다. 이 경우 전도성 층의 은폐성이 더욱 향상되고, 터치 스크린 패널에 적용시 시인성이 더욱 더 개선될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체 내에는 핀홀이 거의 없을 수 있고, 상기 핀홀이 존재한다 하더라도 그 지름이 3 마이크로미터 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 1 마이크로미터 이하일 수 있다. 상기 전도성 구조체 내에서 핀홀 지름이 3 마이크로미터 이하인 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체 내에서 핀홀이 거의 없어서 갯수가 매우 적은 경우에는 단선의 발생을 방지할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층의 적어도어느 일 면에 구비될 수 있다. 구체적으로,상기 전도성 층의 어느 한 면에만 구비될 수 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 동시에 또는 별도로 패턴화될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 있어서, 상기 패턴화된 암색화 층과 상기 패턴화된 전도성 층은 동시에 또는 별도의 패터닝 공정에 의하여 적층 구조를 형성할 수 있다. 이러한 점에서, 흡광 물질의 적어도 일부가 전도성 패턴 내에 함몰 또는 분산되어 있는 구조나 단일층의 전도성 패턴이 추가 표면처리에 의하여 표면측 일부가 물리적 또는 화학적 변형이 이루어진 구조와는 차별될 수 있다.
또한, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 암색화 층은 접착층 또는 점착층을 개재하지 않고, 직접 상기 기재 상에 또는 직접 상기 전도성 층 상에 구비될 수 있다. 상기 접착층 또는 점착층은 내구성이나 광학 물성에 영향을 미칠 수 있다. 또한, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체는 접착층 또는 점착층을 이용하는 경우와 비교할 때 제조방법이 전혀 상이하다. 더욱이, 접착층이나 점착층을 이용하는 경우에 비하여, 본 출원의 일 구현예에서는 기재 또는 전도성 층과 암색화 층의 계면 특성이 우수하다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층은 단일층으로 이루어질 수도 있고, 2층 이상의 복수층으로 이루어질 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층은 무채색(無彩色) 계열의 색상을 띠는 것이 바람직하다. 이때, 무채색 계열의 색상이라 함은 물체의 표면에 입사(入射)하는 빛이 선택 흡수되지 않고, 각 성분의 파장(波長)에 대해 골고루 반사 흡수될 때에 나타나는 색을 의미한다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층의 재료는 상기 수학식 1 내지 3을 만족하는 것이면 특별히 제한되지 않고, 사용될 수 있다. 예컨대, 컬러필터에서의 블랙매트리스 재료로 사용되는 것들을 사용할 수 있다. 또한, 반사방지기능이 부여된 재료를 사용할 수도 있다.
예컨대, 상기 암색화 층은 금속, 이의 산화물, 이의 질화물, 이의 산질화물 및 이의 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하여 사용할 수 있다. 상기 금속의 산화물, 질화물, 산질화물 또는 탄화물은 당업자가 설정한 증착 조건 등에 의하여 형성할 수 있다. 상기 금속은 니켈(Ni), 바나듐(V), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 티탄(Ti), 철(Fe), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상일 수 있다.
구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 Ni 및 Mo를 동시에 포함할 수 있다. 상기 암색화 층은 Ni 50 ~ 98 원자% 및 Mo 2 ~ 50 원자%를 포함할 수 있으며, 그 외 금속, 예컨대 Fe, Ta, Ti 등의 원자를 0.01 ~ 10 원자%를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 암색화 층은, 필요한 경우, 질소 0.01 ~ 30 원자% 또는 산소 및 탄소 4 원자% 이하를 더 포함할 수도 있다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속은 금속 또는 금속의 합금일 수 있다. 구체적으로 TiO2 -x, SiO2 -x, MgF2 -x 및 SiN1 .3-x(-1≤x≤1)에서 선택되는 유전성 물질 및 철(Fe), 코발트(Co), 티탄(Ti), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag) 중에서 선택되는 금속을 포함할 수 있으며, 철(Fe), 코발트(Co), 티탄(Ti), 바나듐(V), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 금(Au) 및 은(Ag) 중에서 선택되는 2 이상의 금속의 합금을 더 포함할 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 암색화 층은 금속의 산화물, 금속의 질화물, 금속의 산질화물 및 금속의 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하고, 상기 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 추가로 포함할 수 있다.
상기 유전성 물질은 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 점차적으로 감소되도록 분포되어 있고, 상기 금속 및 합금 성분은 그 반대로 분포되어 있는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 유전성 물질의 함량은 20 ~ 50 중량%, 상기 금속의 함량은 50 ~ 80 중량%인 것이 바람직하다. 상기 암색화 층이 합금을 더 포함하는 경우, 상기 암색화 층은 유전성 물질 10 ~ 30 중량%, 금속 50 ~ 80 중량% 및 합금 5 ~ 40 중량%를 포함하는 것이 바람직하다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 니켈과 바나듐의 합금, 니켈과 바나듐의 산화물, 질화물 또는 산질화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 박막으로 이루어질 수 있다. 이때, 바나듐은 26 ~ 52 원자%로 함유되는 것이 바람직하며, 니켈에 대한 바나듐의 원자비는 26/74 ~ 52/48인 것이 바람직하다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 2 이상의 원소를 갖고, 하나의 원소 조성비율이 외광이 입사하는 방향에 따라 100 옴스트롬당 최대 약 20%씩 증가하는 천이층을 포함할 수 있다. 이 때, 하나의 원소는 니켈(Ni), 바나듐(V), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 티탄(Ti), 철(Fe), 크롬(Cr), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 구리(Cu)과 같은 금속 원소일 수 있으며, 금속 원소 이외의 원소는 산소, 질소 또는 탄소일 수 있다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 제1 산화크롬층, 금속층, 제2 산화크롬층 및 크롬 미러를 포함할 수 있으며, 이때 크롬을 대신하여 니켈(Ni), 바나듐(V), 텅스텐(W), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 티탄(Ti), 철(Fe), 코발트(Co), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중에서 선택된 금속을 포함할 수 있다. 상기 금속층은 10 ~ 30 nm의 두께, 상기 제1 산화크롬층은 35 ~ 41 nm의 두께, 상기 제2 산화크롬층은 37 ~ 42 nm의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층으로는 알루미나(Al2O3)층, 크롬산화물(Cr2O3)층 및 크롬(Cr)층의 적층 구조를 사용할 수 있다. 여기서, 상기 알루미나층은 반사 특성의 개선 및 광확산 방지특성을 갖고, 상기 크롬산화물층은 경면 반사율을 감소시켜 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.
또 하나의 구체적인 예로서, 상기 암색화 층은 알루미늄 나이트라이드(AlNx) 및 Al으로 이루어진 적층 구조를 사용할 수 있다. 여기서, 상기 알루미늄나이트라이드(AlNx)층은 전체 층의 반사율을 감소시켜 콘트라스트 특성을 향상시킬 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층의 어느 한 면에만 구비될 수도 있고, 양면 모두에 구비될 수도 있다. 여기서, 상기 암색화 층은 상기 전도성 층과 동일한 형상의 패턴을 가질 수 있다. 다만, 상기 패턴화된 암색화 층의 패턴 규모가 상기 패턴화된 전도성 층과 완전히 동일할 필요는 없으며, 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭이 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭에 비하여 좁거나 넓은 경우도 본 출원의 범위에 포함된다. 구체적으로, 상기 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭은 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭의 80% 내지 120% 일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 암색화 층은 상기 패턴화된 전도성 층의 패턴의 선폭에 비하여 작거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 패턴화된 암색화 층은 상기 패턴화된 전도성 층이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가질 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 암색화 층의 패턴은 전도성 층의 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 선폭을 갖는 패턴 형태인 것이 바람직하다.
상기 패턴화된 암색화 층이 상기 패턴화된 전도성 층의 선폭보다 더 큰 선폭을 갖는 패턴 형상을 갖는 경우, 사용자가 바라볼 때 패턴화된 암색화 층이 패턴화된 전도성 층을 가려주는 효과를 더 크게 부여할 수 있으므로, 패턴화된 전도성 층 자체의 광택이나 반사에 의한 효과를 효율적으로 차단할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 상기 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭이 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭과 동일하여도 본 출원이 목적하는 효과를 달성할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 기재로는 투명 기판을 사용할 수 있으나, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유리, 플라스틱 기판, 플라스틱 필름 등을 사용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01 마이크로미터 내지 10 마이크로미터인 것이 전도성 층의 전도도 및 패턴 형성 공정의 경제성 측면에서 보다 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 재료는 비저항 1×10-6 Ω·cm 내지 30×10-6 Ω·cm의 물질이 적절하며, 바람직하게는 1×10-6 Ω·cm 내지 7×10-6 Ω·cm 일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체에 있어서, 상기 전도성 층의 재료는 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이 좋다. 상기 전도성 층의 재료는 전기 전도도가 우수하고, 식각(etching)이 용이한 금속 재료일수록 좋다. 다만, 일반적으로 전기 전도도가 우수한 재료는 반사도가 높은 단점이 있다. 그러나, 본 출원에서는 상기 암색화 층을 사용함으로써 반사도가 높은 재료를 이용하여 전도성 층을 형성할 수 있다. 본 출원에서는 반사도가 70 ~ 80% 이상인 재료를 이용하는 경우에도, 상기 암색화 층을 추가함으로써 반사도를 낮추고, 전도성 층의 은폐성을 향상시킬 수 있으며, 콘트라스트 특성을 유지 또는 향상시킬 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 재료의 구체적인 예로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 네오디뮴(Nd), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 이의 산화물 및 이의 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 금속 중에서 선택되는 둘 이상의 합금일 수 있다. 더욱 구체적으로는 몰리브덴, 알루미늄 또는 구리를 포함할 수 있다. 상기 전도성 층은 단일막 또는 다층막일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭은 0 마이크로미터 초과 10 마이크로미터 이하일 수 있고, 구체적으로 0.1 마이크로미터 이상 10 마이크로미터 이하일 수 있으며, 더욱 구체적으로 0.2 마이크로미터 이상 8 마이크로미터 이하일 수 있고, 더욱 더 구체적으로 0.5 마이크로미터 이상 5 마이크로미터 이하일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층의 개구율, 즉 패턴에 의하여 덮여지지 않는 면적 비율은 70% 이상일 수 있고, 85% 이상일 수 있으며, 95% 이상일 수 있다. 또한, 상기 패턴화된 전도성 층의 개구율은 90 내지 99.9%일 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층의 패턴은 규칙적 패턴일 수도 있고, 불규칙적인 패턴일 수도 있다.
상기 규칙적인 패턴으로는 메쉬 패턴 등 당 기술분야의 패턴 형태가 사용될 수 있다. 상기 불규칙 패턴으로는 특별히 한정되지 않으나, 보로노이 다이어그램을 이루는 도형들의 경계선 형태일 수도 있다. 본 출원에서 불규칙 패턴과 패턴화된 암색화 층을 함께 사용하는 경우, 불규칙 패턴에 의하여 지향성이 있는 조명에 의한 반사광의 회절 패턴을 제거할 수도 있고, 패턴화된 암색화 층에 의하여 빛의 산란에 의한 영향을 최소화할 수 있어 시인성에 있어서의 문제점을 최소화할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 예를 하기 도 1 내지 도 3에 예시하였다. 도 1 내지 도 3은 기재, 전도성 층 및 암색화 층의 적층 순서를 예시하기 위한 것이며, 상기 전도성 층 및 상기 암색화 층은 실제로 터치 스크린 패널 등의 미세 투명 전극 용도로 적용시 전면층이 아니라 패턴 형태일 수 있다.
도 1에 따르면, 상기 암색화 층(200)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 층(300) 사이에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재 측에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
도 2에 따르면, 상기 암색화 층(200)이 상기 전도성 층(300) 위에 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 기재측의 반대면에서 터치 스크린 패널을 바라보는 경우 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
도 3에 따르면, 상기 암색화 층(200, 220)이 상기 기재(100)와 상기 전도성 층(300) 사이와, 상기 전도성 층(300) 위에 모두 배치된 경우를 예시한 것이다. 이는 사용자가 터치 스크린 패널을 기재측에서 바라보는 경우와 그 반대측에서 바라보는 경우 모두 전도성 층에 의한 반사도를 크게 감소시킬 수 있다.
상기 도 1 내지 도 3의 설명에서 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있다.
도 4 내지 도 6은 각각 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 패턴층 및 암색화을 패턴층을 포함하는 전도성 구조체의 적층 구조를 예시한 도이다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 암색화 층이 전도성 층의 적어도 일면에 구비된 것일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재, 암색화 층, 전도성 층 및 암색화 층이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다. 또한, 상기 전도성 구조체는 최외곽의 암색화 층 상에 추가의 전도성 층 및 암색화 층을 포함할 수 있다.
즉, 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 구조는 기재/암색화 층/전도성 층의 구조, 기재/전도성 층/암색화 층의 구조, 기재/암색화 층/전도성 층/암색화 층의 구조, 기재/전도성 층/암색화 층/전도성 층의 구조, 기재/암색화 층/전도성 층/암색화 층/전도성 층/암색화 층의 구조, 기재/암색화 층/전도성 층/암색화 층/전도성 층/암색화 층/전도성 층/암색화 층의 구조 등일 수 있다.
상기 설명에서 전도성 층은 패턴화된 전도성 층일 수 있고, 암색화 층은 패턴화된 암색화 층일 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여, 구체적으로 파장이 600 nm 인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 전도성 층 및 암색화 층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 패터닝하는 단계는 상기 암색화 층을 형성하는 단계 이후에 포함될 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 암색화 층을 형성하고, 상기 암색화 층을 형성한 이후에 전도성 층을 형성하고, 상기 전도성 층을 형성한 이후에 암색화 층을 형성할 수 있으며, 상기 암색화 층 및 전도성 층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 것을 포함할 수 있다.
상기 전도성 구조체의 제조방법에서 패턴화 하기 이전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하, 바람직하게는 0 Ω/□ 초과 0.7 Ω/□ 이하일 수 있다. 상기 면저항이 2 Ω/□ 이하이면, 특히 0.7 Ω/□ 이하이면, 패터닝 전의 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항이 낮을수록 미세 패터닝 설계 및 제조 공정이 용이하게 진행되며, 패터닝 후의 전도성 구조체의 면저항이 낮아져서 전극의 반응 속도를 빠르게 하는 효과가 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 단계; 및 상기 패턴화된 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여, 구체적으로 파장이 600 nm 인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 패턴화된 암색화 층을 형성하는 단계를 포함한다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 암색화 층을 형성하고, 상기 패턴화된 암색화 층을 형성한 이후에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하고, 상기 패턴화된 전도성 층을 형성한 이후에 패턴화된 암색화 층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 구조체의 제조방법은 기재 상에 패턴화된 암색화 층을 형성하고, 상기 패턴화된 암색화 층을 형성한 이후에 패턴화된 전도성 층을 형성하고, 패턴화된 전도성 층을 형성한 이후에 패턴화된 암색화 층을 형성하는 것을 더 포함할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화층은 상기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것, 더욱 구체적으로 상기 수학식 3의 값이 40 이하인 것을 만족할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화 층을 형성하는 단계에서, 패턴화된 암색화 층 또는 암색화 층의 형성은 당 기술분야에 알려진 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있고, 구체적으로는 스퍼터링 방법에 의해 형성할 수 있다.
예를 들어, 암색화층의 형성시에 AlOxNy(x, y는 각각 Al 1원자에 대한 O와 N의 원자 수의 비)와 같이 Al 금속 타겟을 사용하여 반응성 스퍼터링(reactive sputtering) 방법을 이용하면 O2와 N2 와 같은 반응성 가스의 분압 조절로 공정을 수행할 수 있다.
예를 들어, Cu를 포함하는 전도성 층과 CuOx(x는 Cu 1원자에 대한 O의 원자 수의 비)를 포함하는 암색화 층을 형성하는 경우, 스퍼터링 가스(sputtering gas)로 불활성 기체, 예를 들어, Ar과 같은 기체를 사용할 경우 CuOx 단일 물질 스퍼터링 타겟(sputtering target)을 사용함으로써 얻는 장점이 있다. 그래서, CuOx 단일 물질 타겟을 사용하므로 반응성 가스의 분압 조절이 필요 없어서 공정 조절이 비교적 용이하고, 최종 전도성 구조체의 형성에서도 Cu 에천트를 이용하여 일괄에칭이 가능하다는 장점을 가진다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층의 형성방법으로는 특별히 한정되지 않으며, 패턴화된 전도성 층을 직접 인쇄방법에 의하여 형성할 수도 있고, 전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 방법을 이용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 패턴화된 전도성 층을 인쇄방법에 의하여 형성하는 경우, 전도성 재료의 잉크 또는 페이스트를 이용할 수 있으며, 상기 페이스트는 전도성 재료 이외에, 바인더 수지, 용매, 글래스 프릿 등을 더 포함할 수도 있다.
전도성 층을 형성한 후 이를 패턴화하는 경우 에칭 레지스트(Etching resist) 특성을 갖는 재료를 이용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층은 증착(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 습식 코팅, 증발, 전해 도금 또는 무전해 도금, 금속박의 라미네이션 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다. 상기 전도성 층의 형성방법으로서 유기 금속, 나노 금속 또는 이들의 복합체 용액을 기판 상에 코팅한 후, 소성 및/또는 건조에 의하여 전도도를 부여하는 방법을 이용할 수도 있다. 상기 유기 금속으로는 유기 은을 사용할 수 있으며, 상기 나노 금속으로는 나노 은 입자 등을 사용할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에서, 상기 전도성 층의 패턴화는 에칭 레지스트 패턴을 이용한 방법을 이용할 수 있다. 에칭 레지스트 패턴은 인쇄법, 포토리소그래피법, 포토그래피법, 마스크를 이용한 방법 또는 레이져 전사, 예컨대, 열 전사 이미징(thermal transfer imaging) 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 인쇄법 또는 포토리소그래피법이 더욱 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다. 상기 에칭 레지스트 패턴을 이용하여 상기 전도성 박막층을 에칭하여 패터닝하고, 상기 에칭 레지스트 패턴은 스트립(strip) 공정에 의해 쉽게 제거할 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널을 제공한다. 예컨대, 정전용량식 터치스크린 패널에 있어서, 상기 본 출원의 일 구현예에 다른 전도성 구조체는 터치 감응식 전극 기판으로 사용될 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 전술한 기재, 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체 이외에 추가의 구조체를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 2개의 구조체가 서로 같은 방향으로 배치될 수도 있으며, 2개의 구조체가 서로 반대 방향으로 배치될 수도 있다. 본 출원의 터치 스크린 패널에 포함될 수 있는 2개 이상의 구조체는 동일한 구조일 필요는 없으며, 어느 하나, 바람직하게는 사용자에 가장 가까운 측의 구조체만 전술한 기재, 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층을 포함하는 것이기만 해도 좋으며, 추가로 포함되는 구조체는 패턴화된 암색화 층을 포함하지 않아도 좋다. 또한, 2개 이상의 구조체 내의 층 적층 구조가 서로 상이해도 좋다. 2개 이상의 구조체가 포함되는 경우 이들 사이에는 절연층이 구비될 수 있다. 이 때 절연층은 점착층의 기능이 추가로 부여될 수도 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 하부 기재; 상부 기재; 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면　및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면 중 어느 한 면 또는 양면에 구비된　전극층을 포함할 수 있다. 상기 전극층은 각각 X축 위치 검출 및 Y축 위치 검출 기능을 할 수 있다.
이때, 상기 하부 기재 및 상기 하부 기재의 상부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층; 및 상기 상부 기재 및 상기 상부 기재의 하부 기재에 접하는 면에 구비된 전극층 중 하나 또는 두 개 모두가 전술한 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체일 수 있다. 상기 전극층 중 어느 하나만이 본 출원에 따른 전도성 구조체인 경우, 나머지 다른 하나는 당 기술분야에 알려져 있는 전도성 패턴을 가질 수 있다.
상기 상부 기재와 상기 하부 기재 모두의 일면에 전극층이 구비되어 ２층의　전극층이 형성되는 경우, 상기 전극층의 간격을 일정하기 유지하고 접속이 일어나지 않도록 상기 하부 기재와 상부 기재 사이에 절연층 또는 스페이서가 구비될　수　있다. 상기 절연층은 점착제 또는 UV 혹은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 상기 터치 스크린 패널은 전술한 전도성 구조체 중의 전도성 층의 패턴과 연결된 접지부를 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 접지부는 상기 기재의 전도성 층의 패턴이 형성된 면의 가장자리부에 형성될 수 있다. 또한，상기 전도성 구조체를 포함하는 적층재의 적어도 일면에는 반사 방지 필름, 편광 필름, 내지문 필름 중 적어도 하나가 구비될 수 있다. 설계사양에 따라 전술한 기능성 필름 이외에 다른 종류의 기능성 필름을 더 포함할 수도 있다. 상기와 같은 터치 스크린 패널은 OLED 디스플레이 패널(OLED Display Panel), 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display, LCD), 및 음극선관(Cathode-Ray Tube, CRT), PDP와 같은 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 기재의 양면에 각각 패턴화된 전도성 층 및 패턴화된 암색화 층이 구비될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널은 상기 전도성 구조체 상에 전극부 또는 패드부를 추가로 포함할 수 있으며. 이 때 유효화면부와 전극부 및 패드부는 동일한 전도체로 구성될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따른 터치 스크린 패널에 있어서, 상기 패턴화된 암색화 층은 사용자가 바라보는 측에 구비될 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다. 상기 디스플레이 장치에서 컬러필터 기판 또는 박막 트랜지스터 기판 등에 본 출원의 일 구현예에 따른 전도성 구조체가 사용될 수 있다.
본 출원의 일 구현예는 상기 전도성 구조체를 포함하는 태양 전지를 제공한다. 예컨대, 태양 전지는 애노드전극, 캐소드 전극, 광활성층, 정공수송층 및/또는 전자수송층을 포함할 수 있는데, 본 출원의 일 구현예에 따는 전도성 구조체는 상기 애노드 전극 및/또는 캐소드 전극으로 사용될 수 있다.
상기 전도성 구조체는 디스플레이 장치 또는 태양 전지에서 종래의 ITO를 대체할 수 있고, 플렉서블(flexible) 가능 용도로 활용할 수 있다. 또한, CNT, 전도성 고분자, 그래핀(Graphene) 등과 함께 차세대 투명 전극으로 활용할 수 있다.
이하 실시예를 통하여 본 출원을 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 출원을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 출원의 범위가 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1>
하기 표 1과 같이 매트릭스 형태로 변수를 구성하고, Al 하부 전극을 이용하여 검증을 실시하였다.
Figure pat00019
Al 하부 전극을 사용하였을 때 AlOxNy(x > 0, y > 0) 을 포함하는 암색화층을 300~800nm 파장 범위에서 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 8에 도시하였다.
또한, 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 색상을 도 9에 나타내었다. 이는 Al 하부 전극이 90%의 반사율을 갖는 구조일 때 수학식 1의 값에 의해 계산한 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값을 색차로 변환하여 나타낸 것이다.
또한, 550nm, 600nm, 650nm의 파장의 소멸간섭 조건과 하부 전극이 약 90%의 반사율을 갖는 구조일 때 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션한 결과를 나타낸 것이다.
표 2에서는 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션한 550nm, 600nm, 650nm의 파장에서의 각각의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값, 380~780nm의 파장 영역에서 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율 값 및 이때 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*를 나타낸 것이다. 표 2에서 S1~S126은 표 1에 대응되고, 이때의 n, k값도 표 1에 대응된다.
# R(%) @550nm R(%) @ 600nm R(%) @650nm 380~780nm
Avg. R(%)		 A*
S1 91.6 91.2 90.7 90.8 96.5
S2 15.0 20.1 25.5 19.1 51.9
S3 2.4 5.3 9.0 6.3 27.6
S4 4.7 6.0 8.1 7.4 29.4
S5 11.0 11.5 12.6 12.7 40.4
S6 18.3 18.4 18.9 19.2 50.0
S7 25.5 25.5 25.7 26 57.5
S8 32.4 32.3 32.4 32.6 63.6
S9 38.8 38.7 38.8 38.9 68.6
S10 44.6 44.6 44.6 44.7 72.6
S11 49.9 49.9 49.9 50 76.0
S12 54.7 54.7 54.7 54.7 78.9
S13 59.0 59.0 59.0 59 81.3
S14 62.8 62.8 62.8 62.8 83.3
S15 88.8 87.8 87.0 87.9 95.1
S16 14.4 18.1 22.8 19.4 49.6
S17 0.8 3.0 6.4 5.2 20.1
S18 2.3 3.2 5.2 5.3 20.9
S19 8.0 8.2 9.3 10 34.5
S20 14.8 14.8 15.3 16 45.3
S21 21.7 21.5 21.8 22.4 53.5
S22 28.3 28.2 28.3 28.7 60.0
S23 34.5 34.4 34.4 34.7 65.3
S24 40.2 40.2 40.2 40.4 69.6
S25 45.5 45.5 45.5 45.6 73.2
S26 50.3 50.3 50.3 50.4 76.2
S27 54.7 54.6 54.6 54.7 78.8
S28 58.6 58.6 58.6 58.6 81.1
S29 86.1 84.3 82.9 85 93.6
S30 15.1 16.8 20.4 20.5 48.0
S31 0.7 1.7 4.5 5.3 13.9
S32 1.3 1.5 3.2 4.6 12.9
S33 6.3 6.2 7.1 8.5 29.9
S34 12.6 12.4 12.8 14.1 41.8
S35 19.2 18.9 19.1 20.1 50.5
S36 25.5 25.2 25.3 26.1 57.3
S37 31.5 31.3 31.3 31.8 62.7
S38 37.0 36.9 36.9 37.2 67.2
S39 42.2 42.1 42.1 42.3 70.9
S40 46.9 46.8 46.8 47 74.1
S41 51.2 51.2 51.2 51.3 76.8
S42 55.2 55.2 55.1 55.2 79.1
S43 84.0 81.0 78.6 82.3 92.1
S44 17.0 16.2 18.2 22.1 47.3
S45 1.9 1.2 2.9 6.4 10.9
S46 1.4 0.7 1.8 4.7 6.7
S47 5.8 5.0 5.6 8.1 26.8
S48 11.6 10.9 11.1 13.1 39.4
S49 17.7 17.1 17.2 18.7 48.4
S50 23.7 23.2 23.2 24.4 55.3
S51 29.4 29.0 29.0 29.8 60.8
S52 34.8 34.5 34.4 35 65.3
S53 39.7 39.5 39.5 39.9 69.1
S54 44.3 44.2 44.1 44.4 72.4
S55 48.6 48.5 48.4 48.6 75.1
S56 52.5 52.4 52.4 52.5 77.5
S57 82.4 78.0 74.4 79.7 90.8
S58 19.9 16.6 16.6 24 47.7
S59 4.0 1.6 2.0 8.1 13.2
S60 2.6 0.7 0.9 5.7 6.2
S61 6.1 4.6 4.6 8.3 25.5
S62 11.3 10.1 10.0 12.9 38.0
S63 17.0 16.0 15.8 18.1 47.0
S64 22.7 21.9 21.7 23.3 53.9
S65 28.1 27.5 27.3 28.5 59.4
S66 33.2 32.7 32.6 33.5 63.9
S67 38.0 37.6 37.5 38.1 67.7
S68 42.4 42.2 42.1 42.5 71.0
S69 46.5 46.4 46.3 46.6 73.8
S70 50.3 50.2 50.2 50.4 76.2
S71 81.5 75.7 70.5 77.4 89.7
S72 23.7 17.8 15.6 26.2 49.3
S73 7.1 2.8 1.5 10.3 19.0
S74 4.6 1.3 0.4 7.2 11.5
S75 7.2 4.8 4.0 9.2 26.0
S76 11.8 9.9 9.3 13.2 37.6
S77 17.0 15.5 15.0 18 46.3
S78 22.2 21.1 20.6 22.9 53.0
S79 27.3 26.4 26.1 27.8 58.5
S80 32.2 31.5 31.2 32.5 62.9
S81 36.8 36.2 36.0 36.9 66.7
S82 41.0 40.6 40.4 41.1 69.9
S83 45.0 44.7 44.6 45.1 72.7
S84 48.7 48.5 48.4 48.7 75.1
S85 81.1 74.0 67.1 75.4 88.9
S86 28.2 19.9 15.2 28.6 51.8
S87 11.0 4.7 1.6 12.9 25.8
S88 7.3 2.6 0.5 9.2 18.6
S89 9.0 5.5 3.9 10.5 28.1
S90 12.8 10.2 9.0 14 38.2
S91 17.5 15.4 14.5 18.3 46.2
S92 22.3 20.7 20.0 22.9 52.7
S93 27.1 25.9 25.2 27.4 57.9
S94 31.6 30.7 30.2 31.9 62.3
S95 36.0 35.3 34.9 36.1 66.0
S96 40.1 39.5 39.2 40.1 69.1
S97 43.9 43.5 43.2 43.9 71.9
S98 47.5 47.1 47.0 47.5 74.3
S99 81.2 73.1 64.4 73.8 88.5
S100 33.0 22.8 15.6 31.1 54.9
S101 15.4 7.3 2.3 15.7 32.5
S102 10.6 4.5 1.0 11.5 25.4
S103 11.3 6.8 4.2 12.3 31.2
S104 14.3 10.9 9.0 15.2 39.4
S105 18.4 15.8 14.3 19 46.7
S106 22.8 20.8 19.6 23.2 52.7
S107 27.2 25.6 24.7 27.5 57.7
S108 31.5 30.3 29.5 31.7 61.9
S109 35.6 34.6 34.1 35.7 65.5
S110 39.5 38.7 38.3 39.5 68.6
S111 43.1 42.6 42.2 43.1 71.3
S112 46.6 46.1 45.8 46.5 73.6
S113 81.7 72.9 62.5 72.5 88.4
S114 38.0 26.3 16.8 33.8 58.3
S115 20.2 10.6 3.7 18.8 38.9
S116 14.4 7.0 2.1 14.2 31.8
S117 14.1 8.5 4.9 14.3 35.0
S118 16.3 12.1 9.4 16.7 41.4
S119 19.8 16.5 14.5 20.1 47.6
S120 23.7 21.1 19.5 23.9 53.1
S121 27.7 25.7 24.5 27.8 57.8
S122 31.7 30.1 29.1 31.7 61.8
S123 35.5 34.3 33.5 35.5 65.2
S124 39.2 38.2 37.6 39.2 68.2
S125 42.7 41.9 41.4 42.6 70.8
S126 45.9 45.4 45.0 45.9 73.1
상기 표 2의 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션한 결과를 보면, 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 것을 확인할 수 있다. 또한, 파장이 600nm인 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 것을 확인할 수 있다.
또한, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하이고, A*가 40 이하이면 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 15% 이하 정도로 더욱 낮아지는 것을 확인할 수 있다.
또한, 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이거나 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*의 값이 51.8 이하인 경우, 또는 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 인 경우를 표 1에 대응하여 보면, k값의 범위가 0.2 내지 1.2인 것을 확인할 수 있다. 또한, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 약 40 이하이거나 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 약 12% 이하이거나 380~780nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 약 15% 이하이면 k값의 범위가 0.4 내지 1.0인 것을 확인할 수 있다.
상기 표 2중에 300~800nm의 파장 영역에서의 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 평균 백분율이 20% 이하인 모든 경우를 그래프로 도 10에 나타내었다.
또한, 도 10 중 S2, S3, S4, S5, S16, S17, S18 의 그래프를 도 11에 나타내었고, S19, S20, S30, S31, S32, S33, S34, S35 의 그래프를 도 12에 나타내었고, S44, S45, S46, S47, S48, S49, S59, S60 의 그래프를 도 13에 나타내었다. 또한, S61, S62, S63, S73, S74, S75, S76, S77, S87, S88, S89 의 그래프를 도 14에 나타내었고, S90, S91, S101, S102, S103, S104, S105, S115, S116, S117, S118 의 그래프를 도 15에 나타내었다.
한편, 600 nm 파장의 소멸간섭 조건과 Al 하부 전극이 90%의 반사율을 갖는 구조일 때 계산한 파라미터 값은 하기 표 3과 같다. 표 3에서는 600nm의 파장에서의 n, k값에 따라 수학식 1의 값에 의해 계산한 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값, 수학식 2의 값에 의해 계산한 암색화층의 두께 및 수학식 3에 의해 계산한 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*을 나타내었다.
# 소멸간섭파장
(nm)		 전극층 반사율 (%)
@소멸간섭파장		 소멸간섭파장에서 암색화층
두께
(nm)		 Total R(%)
절대값		 A*
n k
1 600 90 1 0 150.00 90.00 96.00
2 600 90 1 0.2 150.00 24.37 56.46
3 600 90 1 0.4 150.00 3.16 20.67
4 600 90 1 0.6 150.00 6.35 30.28
5 600 90 1 0.8 150.00 13.28 43.18
6 600 90 1 1 150.00 19.87 51.69
7 600 90 1 1.2 150.00 26.44 58.45
8 600 90 1 1.4 150.00 32.88 64.20
9 600 90 1 1.6 150.00 39.02 68.77
10 600 90 1 1.8 150.00 44.75 72.73
11 600 90 1 2 150.00 50.00 76.07
12 600 90 1 2.2 150.00 54.75 78.90
13 600 90 1 2.4 150.00 59.02 81.30
14 600 90 1 2.6 150.00 62.83 83.35
.
.
.
113 600 90 2.6 0 57.69 52.47 77.56
114 600 90 2.6 0.2 57.69 24.40 56.49
115 600 90 2.6 0.4 57.69 6.40 30.40
116 600 90 2.6 0.6 57.69 5.44 27.95
117 600 90 2.6 0.8 57.69 13.57 43.61
118 600 90 2.6 1 57.69 19.52 51.29
119 600 90 2.6 1.2 57.69 24.20 56.29
120 600 90 2.6 1.4 57.69 28.17 60.04
121 600 90 2.6 1.6 57.69 31.73 63.12
122 600 90 2.6 1.8 57.69 35.06 65.80
123 600 90 2.6 2 57.69 38.24 68.20
124 600 90 2.6 2.2 57.69 41.31 70.39
125 600 90 2.6 2.4 57.69 44.29 72.42
126 600 90 2.6 2.6 57.69 47.17 74.30
상기 표 3을 보면, 파장이 600nm인 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이거나, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 k값의 범위가 0.4 내지 1인 것을 확인할 수 있다.
상기 표 2에서의 600 nm 기준으로 Macleod 프로그램을 이용하여 시뮬레이션하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 16에 도시하였고, 상기 표 3에서의 600 nm 기준으로 수학식 1에 따른 계산값인 흑화(암색화)가능 영역을 도 17에 도시하였다.
도 16과 도 17을 비교하여 보면, Macleod 프로그램에 의한 값의 결과와 수학식 1에 의한 값은 경향성과 범위가 비슷한 것을 확인할 수 있었다.
또한, 수학식 3에 따라 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 A*값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 18에 도시하였다. 도 18을 도 16 및 도 17과 비교하여 보면, A*값에 따른 색상 영역은 Macleod 프로그램에 의한 값의 결과와 수학식 1에 의한 값의 결과와 경향성과 범위가 유사한 것을 확인할 수 있었다.
<실시예 2>
상기 실시예 1에서의 표 1과 같이 매트릭스 형태로 변수를 구성하고, Mo 하부 전극을 이용하여 검증을 실시하였다. 이때 암색화층의 형성 재료는 하기 표 4의 n, k 값의 범위를 가지는 물질이면 무방하고, 예컨대, Mo 산화물, Mo질화물, AlOxNy(x > 0, y > 0) 일 수 있다.
600nm의 파장의 소멸간섭 조건과 Mo 하부 전극이 57.5%의 반사율을 갖는 구조일 때의 파라미터 값은 하기 표 4와 같다. 표 4에서는 600nm의 파장에서의 n, k값에 따라 수학식 1의 값에 의해 계산한 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율 값, 수학식 2의 값에 의해 계산한 암색화층의 두께 및 수학식 3에 의해 계산한 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*를 나타내었다.
# 소멸간섭파장
(nm)		 전극층 반사율 (%)
@소멸간섭파장		 소멸간섭파장에서 암색화층
두께
(nm)		 Total R(%)
절대값		 A*
n k
1 600 57.5 1 0 150.00 57.50 80.46
2 600 57.5 1 0.2 150.00 15.21 45.92
3 600 57.5 1 0.4 150.00 0.63 5.71
4 600 57.5 1 0.6 150.00 7.04 31.90
5 600 57.5 1 0.8 150.00 13.47 43.46
6 600 57.5 1 1 150.00 19.91 51.74
7 600 57.5 1 1.2 150.00 26.45 58.46
8 600 57.5 1 1.4 150.00 32.88 64.06
9 600 57.5 1 1.6 150.00 39.02 68.77
10 600 57.5 1 1.8 150.00 44.75 72.73
11 600 57.5 1 2 150.00 50.00 76.07
12 600 57.5 1 2.2 150.00 54.75 78.90
13 600 57.5 1 2.4 150.00 59.02 81.30
14 600 57.5 1 2.6 150.00 62.83 83.35
15 600 57.5 1.2 0 125.00 56.20 79.73
16 600 57.5 1.2 0.2 125.00 18.21 49.75
17 600 57.5 1.2 0.4 125.00 2.80 19.21
18 600 57.5 1.2 0.6 125.00 5.40 27.84
19 600 57.5 1.2 0.8 125.00 11.64 40.65
20 600 57.5 1.2 1 125.00 17.56 48.95
21 600 57.5 1.2 1.2 125.00 23.48 55.57
22 600 57.5 1.2 1.4 125.00 29.39 61.12
23 600 57.5 1.2 1.6 125.00 35.13 65.85
24 600 57.5 1.2 1.8 125.00 40.59 69.89
25 600 57.5 1.2 2 125.00 45.70 73.35
26 600 57.5 1.2 2.2 125.00 50.41 76.32
27 600 57.5 1.2 2.4 125.00 54.72 78.88
28 600 57.5 1.2 2.6 125.00 58.62 81.08
29 600 57.5 1.4 0 107.14 53.13 77.95
30 600 57.5 1.4 0.2 107.14 19.18 50.89
31 600 57.5 1.4 0.4 107.14 3.63 22.40
32 600 57.5 1.4 0.6 107.14 4.94 26.55
33 600 57.5 1.4 0.8 107.14 11.11 39.77
34 600 57.5 1.4 1 107.14 16.62 47.78
35 600 57.5 1.4 1.2 107.14 22.02 54.05
36 600 57.5 1.4 1.4 107.14 27.38 59.33
37 600 57.5 1.4 1.6 107.14 32.66 63.89
38 600 57.5 1.4 1.8 107.14 37.77 67.85
39 600 57.5 1.4 2 107.14 42.62 71.30
40 600 57.5 1.4 2.2 107.14 47.17 74.30
41 600 57.5 1.4 2.4 107.14 51.39 76.91
42 600 57.5 1.4 2.6 107.14 55.27 79.20
43 600 57.5 1.6 0 93.75 49.11 75.52
44 600 57.5 1.6 0.2 93.75 18.79 50.44
45 600 57.5 1.6 0.4 93.75 3.54 22.09
46 600 57.5 1.6 0.6 93.75 5.21 27.33
47 600 57.5 1.6 0.8 93.75 11.36 40.19
48 600 57.5 1.6 1 93.75 16.59 47.74
49 600 57.5 1.6 1.2 93.75 21.55 53.54
50 600 57.5 1.6 1.4 93.75 26.43 58.45
51 600 57.5 1.6 1.6 93.75 31.26 62.72
52 600 57.5 1.6 1.8 93.75 35.97 66.50
53 600 57.5 1.6 2 93.75 40.51 69.83
54 600 57.5 1.6 2.2 93.75 44.82 72.77
55 600 57.5 1.6 2.4 93.75 48.88 75.38
56 600 57.5 1.6 2.6 93.75 52.66 77.67
57 600 57.5 1.8 0 83.33 44.64 72.66
58 600 57.5 1.8 0.2 83.33 17.51 48.90
59 600 57.5 1.8 0.4 83.33 2.81 19.26
60 600 57.5 1.8 0.6 83.33 5.98 29.36
61 600 57.5 1.8 0.8 83.33 12.10 41.38
62 600 57.5 1.8 1 83.33 17.12 48.42
63 600 57.5 1.8 1.2 83.33 21.74 53.75
64 600 57.5 1.8 1.4 83.33 26.21 58.24
65 600 57.5 1.8 1.6 83.33 30.62 62.19
66 600 57.5 1.8 1.8 83.33 34.95 65.71
67 600 57.5 1.8 2 83.33 39.16 68.86
68 600 57.5 1.8 2.2 83.33 43.20 71.69
69 600 57.5 1.8 2.4 83.33 47.05 74.22
70 600 57.5 1.8 2.6 83.33 50.68 76.49
71 600 57.5 2 0 75.00 40.00 69.47
72 600 57.5 2 0.2 75.00 15.64 46.50
73 600 57.5 2 0.4 75.00 1.63 13.40
74 600 57.5 2 0.6 75.00 7.07 31.96
75 600 57.5 2 0.8 75.00 13.15 42.98
76 600 57.5 2 1 75.00 18.01 49.51
77 600 57.5 2 1.2 75.00 22.36 54.40
78 600 57.5 2 1.4 75.00 26.49 58.50
79 600 57.5 2 1.6 75.00 30.53 62.11
80 600 57.5 2 1.8 75.00 34.51 65.36
81 600 57.5 2 2 75.00 38.40 68.31
82 600 57.5 2 2.2 75.00 42.16 70.98
83 600 57.5 2 2.4 75.00 45.78 73.40
84 600 57.5 2 2.6 75.00 49.23 75.59
85 600 57.5 2.2 0 68.18 35.35 66.02
86 600 57.5 2.2 0.2 68.18 13.41 43.37
87 600 57.5 2.2 0.4 68.18 0.14 1.25
88 600 57.5 2.2 0.6 68.18 8.38 34.76
89 600 57.5 2.2 0.8 68.18 14.38 44.78
90 600 57.5 2.2 1 68.18 19.12 50.83
91 600 57.5 2.2 1.2 68.18 23.25 55.33
92 600 57.5 2.2 1.4 68.18 27.11 59.07
93 600 57.5 2.2 1.6 68.18 30.84 62.37
94 600 57.5 2.2 1.8 68.18 34.50 65.36
95 600 57.5 2.2 2 68.18 38.08 68.08
96 600 57.5 2.2 2.2 68.18 41.58 70.58
97 600 57.5 2.2 2.4 68.18 44.97 72.87
98 600 57.5 2.2 2.6 68.18 48.22 74.96
99 600 57.5 2.4 0 62.50 30.80 62.33
100 600 57.5 2.4 0.2 62.50 10.95 39.49
101 600 57.5 2.4 0.4 62.50 1.56 12.99
102 600 57.5 2.4 0.6 62.50 9.84 37.55
103 600 57.5 2.4 0.8 62.50 15.74 46.63
104 600 57.5 2.4 1 62.50 20.36 52.24
105 600 57.5 2.4 1.2 62.50 24.32 56.41
106 600 57.5 2.4 1.4 62.50 27.95 59.84
107 600 57.5 2.4 1.6 62.50 31.42 62.86
108 600 57.5 2.4 1.8 62.50 34.80 65.59
109 600 57.5 2.4 2 62.50 38.11 68.10
110 600 57.5 2.4 2.2 62.50 41.36 70.43
111 600 57.5 2.4 2.4 62.50 44.51 72.57
112 600 57.5 2.4 2.6 62.50 47.56 74.55
113 600 57.5 2.6 0 57.69 26.39 58.40
114 600 57.5 2.6 0.2 57.69 8.37 34.74
115 600 57.5 2.6 0.4 57.69 3.40 21.56
116 600 57.5 2.6 0.6 57.69 11.39 40.23
117 600 57.5 2.6 0.8 57.69 17.17 48.47
118 600 57.5 2.6 1 57.69 21.68 53.69
119 600 57.5 2.6 1.2 57.69 25.49 57.55
120 600 57.5 2.6 1.4 57.69 28.93 60.72
121 600 57.5 2.6 1.6 57.69 32.18 63.49
122 600 57.5 2.6 1.8 57.69 35.33 66.00
123 600 57.5 2.6 2 57.69 38.40 68.31
124 600 57.5 2.6 2.2 57.69 41.41 70.46
125 600 57.5 2.6 2.4 57.69 44.35 72.46
126 600 57.5 2.6 2.6 57.69 47.21 74.32
상기 표 4를 보면, 파장이 600nm인 광에 대하여 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 k값의 범위가 0.2 내지 1인 것을 확인할 수 있다. 또한, 600nm의 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터 A*가 51.8 이하이면 k값의 범위가 0.2 내지 1인 것을 확인할 수 있다.
Mo의 가시광선 영역의 평균 반사율은 57.5(%)로 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터의 백분율이 20% 이하이면 k값의 범위가 0.2 내지 1로서, Al 전극층을 사용한 경우에 비해서 낮은 반사율을 갖는 k영역이 늘어난 것을 확인할 수 있었다.
하부 전극이 57.5%의 반사율을 갖는 Mo 하부 전극을 사용하였을 때 600nm 파장의 소멸간섭 조건에서 n, k 값에 따른 수학식 1의 파라미터 값을 계산하였을 때의 흑화(암색화)가능 영역을 도 19에 도시하였다.
본 출원이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기 내용을 바탕으로 본 출원의 범주 내에서 다양한 응용 및 변형을 행하는 것이 가능할 것이다.
이상으로 본 출원의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적인 기술은 단지 바람직한 구현예일 뿐이며, 이에 본 출원의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백하다. 따라서, 본 출원의 실질적인 범위는 첨부된 청구항과 그의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
100: 기재
200: 암색화 층
220: 암색화 층
300: 전도성 층
201: 암색화 패턴층
221: 암색화 패턴층
301: 전도성 패턴층

Claims (41)

  1. 기재;
    전도성 층; 및
    파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 포함하는 전도성 구조체:
    [수학식 1]
    Figure pat00020

    [수학식 2]
    Figure pat00021

    상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
    ｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
    n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
    d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    파장이 600nm인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층은 하기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체:
    [수학식 3]
    Figure pat00022

    상기 수학식 3에서,
    A* 는 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, n, k 및 RMetal 은 수학식 1에서의 정의와 동일하다.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 암색화층은 상기 수학식 3의 값이 40 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층은 하기 수학식 15의 값이 40 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체:
    [수학식 15]
    Figure pat00023

    상기 수학식 15에서,
    L*는 가시광선 전 파장 영역에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고,
    Y는 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 초록색에 해당하는 자극값이며,
    Yn은 CIE XYZ 좌표계의 삼색 자극값(Tri Stimulus Value) 중 흰색에 해당하는 자극값의 정규화된(Normalized) 값이다.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층의 소멸계수 k는 0.2 이상 2.5 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층의 소멸계수 k는 0.2 이상 1.2 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층의 소멸계수 k는 0.4 이상 1.0 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 층이 기재와 암색화층 사이에 구비되고,
    상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터는 상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 접하는 면의 반대면 방향에서 측정한 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 층이 상기 전도성 층과 기재 사이에 구비되고,
    상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터는 상기 기재측에서 측정한 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층의 굴절율 n은 0 초과 3 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.15 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.1 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.07 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터 ｜R｜은 0.03 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화층의 두께 d는 20 nm 내지 150 nm인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 층 또는 전도성 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 층은 금속, 이의 산화물, 이의 질화물, 이의 산질화물 및 이의 탄화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 금속은 Ni, V, W, Ta, Mo, Nb, Ti, Fe, Cr, Co, Al 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 층은 유전성 물질 및 금속 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 유전성 물질은 TiO2 -x, SiO2 -x, MgF2 -x 및 SiN1 .3-x(-1≤x≤1)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 금속은 Fe, Co, Ti, V, Al, Cu, Mo, Au 및 Ag로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상의 합금인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  23. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 층의 두께는 0.01 마이크로미터 내지 10 마이크로미터인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  24. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 층은 금속, 금속 합금, 금속 산화물 및 금속 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하고,
    상기 물질은 비저항이 1×10-6 Ω·cm 내지 30×10-6 Ω·cm 인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  25. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 층은 Cu, Al, Ag, Nd, Mo, Ni, 이의 산화물 및 이의 질화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  26. 청구항 1에 있어서,
    상기 암색화 층이 상기 전도성 층의 적어도 일면에 구비된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  27. 청구항 1에 있어서,
    상기 전도성 층 또는 암색화 층은 패턴화된 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 전도성 구조체는 면저항이 1 Ω/□ 내지 300 Ω/□ 인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  29. 청구항 27에 있어서,
    상기 전도성 층 및 암색화 층은 패턴화된 것이고,
    상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭은 10 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  30. 청구항 27에 있어서,
    상기 전도성 층 및 암색화 층은 패턴화된 것이고,
    상기 패턴화된 암색화 층에서 패턴의 선폭은 상기 패턴화된 전도성 층에서 패턴의 선폭과 동일하거나 큰 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  31. 청구항 27에 있어서,
    상기 전도성 층 및 암색화 층은 패턴화된 것이고,
    상기 패턴화된 암색화 층은 상기 패턴화된 전도성 층이 구비된 면적의 80% 내지 120%의 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체.
  32. 청구항 1 내지 청구항 31 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 터치 스크린 패널.
  33. 청구항 1 내지 청구항 31 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 디스플레이 장치.
  34. 청구항 1 내지 청구항 31 중 어느 한 항의 전도성 구조체를 포함하는 태양전지.
  35. 기재 상에 전도성 층을 형성하는 단계; 및
    상기 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법:
    [수학식 1]
    Figure pat00024

    [수학식 2]
    Figure pat00025

    상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
    ｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
    n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
    d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.
  36. 청구항 35에 있어서,
    상기 전도성 층 또는 암색화 층의 면저항은 0 Ω/□ 초과 2 Ω/□ 이하인 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  37. 청구항 35에 있어서,
    전도성 층 및 암색화 층을 각각 또는 동시에 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  38. 기재 상에 패턴화된 전도성 층을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴화된 전도성 층 형성 이전, 이후, 또는 이전과 이후 모두 파장이 550 nm 내지 650nm인 광 중 적어도 한 파장의 광에 대하여 하기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 패턴화된 암색화 층을 형성하는 단계를 포함하는 전도성 구조체의 제조방법:
    [수학식 1]
    Figure pat00026

    [수학식 2]
    Figure pat00027

    상기 수학식 1 또는 수학식 2에서,
    ｜R｜은 전도성 구조체의 가시성을 낮추기 위한 파라미터이고,
    n은 굴절율이며, k는 소멸계수이고, RMetal은 전도성 층의 반사율이며,
    d는 암색화층의 두께이고, λ는 빛의 파장이다.
  39. 청구항 35 내지 청구항 38 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화층은 파장이 600nm인 광에 대하여 상기 수학식 1 및 수학식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
  40. 청구항 35 내지 청구항 38 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화층은 하기 수학식 3의 값이 51.8 이하인 것을 만족하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법:
    [수학식 3]
    Figure pat00028

    상기 수학식 3에서,
    A* 는 특정 파장에 대한 밝기를 나타내는 파라미터이고, n, k 및 RMetal 은 수학식 1에서의 정의와 동일하다.
  41. 청구항 35 내지 청구항 38 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패턴화된 암색화 층 또는 암색화 층의 형성은 스퍼터링 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전도성 구조체의 제조방법.
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