CN104559925A - 磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法 - Google Patents

磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104559925A
CN104559925A CN201410462622.6A CN201410462622A CN104559925A CN 104559925 A CN104559925 A CN 104559925A CN 201410462622 A CN201410462622 A CN 201410462622A CN 104559925 A CN104559925 A CN 104559925A
Authority
CN
China
Prior art keywords
abrasive grain
polishing
grain
master batch
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410462622.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104559925B (zh
Inventor
郑胜元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
UBPRECISION CO Ltd
Original Assignee
ATO SOLUTION CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ATO SOLUTION CO Ltd filed Critical ATO SOLUTION CO Ltd
Publication of CN104559925A publication Critical patent/CN104559925A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104559925B publication Critical patent/CN104559925B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/04—Aqueous dispersions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

本发明提供包含形成在母粒的表面上的辅粒的磨料颗粒、通过混合所述磨料颗粒与抛光加速剂和pH值调节剂而制备的抛光浆料和制造半导体装置的方法，其中绝缘层是在将导电层用作为抛光中止层的同时由所述抛光浆料来抛光的。本发明提供能够将抛光的目标层的抛光比提高且将微刮痕减到最少的磨料颗粒和抛光浆料。

Description

磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及磨料颗粒和抛光浆料，且更明确地说，涉及能够将抛光的目标层的抛光速率提高且减少微刮痕的磨料颗粒和抛光浆料。
背景技术
在将含有磨料颗粒的浆料放置在衬底上后，通过抛光设备中所装备的抛光垫来进行化学机械抛光(CMP)工艺。就此方面来说，磨料颗粒通过从抛光设备施加的压力而以机械方式来对衬底的表面进行抛光，且浆料中所含有的化学组份与衬底的表面进行化学反应而以化学方式移除衬底的表面的一部分。磨料颗粒可包含(例如)铈土(CeO2)等，且可根据抛光的目标层来选择性地使用磨料颗粒。
同时，在制造NAND快闪存储器的现有方法中，进行浅沟槽隔离(shallowtrench isolation，STI)工艺，其中氮化物层用作为硬掩模以便形成装置隔离层。也就是说，首先在衬底上形成氮化物层，在衬底的预定区域上形成沟槽，形成氧化物层以填充沟槽，且对氧化物层进行抛光以形成装置隔离层。就此方面来说，使用能够确保氧化物层和氮化物层的高抛光选择比的干燥铈土浆料来对氧化物进行抛光直到氮化物层暴露为止，且接着通过湿式蚀刻来移除剩余氮化物层。然而，当装置规模减小到20纳米或20纳米以下时，在氮化物层的湿式蚀刻期间，发生氧化物层的损耗，且由于氧化物层的损耗，漏电流在装置之间急剧增加，以致于装置可能错误地操作。
为了解决上述问题，已开发新的CMP工艺，其将用作为浮动栅极的多晶硅层用作为抛光中止层，而不是将氮化物层用作为硬掩模。也就是说，在衬底上形成通道绝缘层和多晶硅层，依序蚀刻多晶硅层、通道绝缘层和衬底以形成沟槽，形成绝缘层以填充沟槽，且接着对绝缘层进行抛光，直到多晶硅层暴露为止，从而形成装置隔离层。本文中，当在CMP工艺后，在用作为浮动栅极的多晶硅层中产生尤其为微刮痕的表面缺陷时，所产生的微刮痕对装置的阈值电压有影响。接着，因为干燥铈土颗粒由于制造方法的限制而具有如图1(a)～(b)所示的棱角颗粒形状和广泛颗粒大小分布，所以将这些干燥铈土颗粒用于形成NAND快闪存储器装置的CMP工艺不可避免地产生微刮痕。与干燥铈土颗粒相比，因为潮湿铈土颗粒具有相对窄的颗粒大小分布、不产生具有大的二次颗粒直径的颗粒、且具有如图2(a)～(b)所示的多面体结构，所以与干燥铈土颗粒相比，潮湿铈土颗粒可大幅改进微刮痕。然而，当潮湿铈土颗粒的大小不大于40纳米时，绝缘层的抛光速率极低，且当潮湿铈土颗粒的大小为100纳米或100纳米以上时，由于多面体结构的尖锐晶面，微刮痕的数目急剧增加。
同时，第6,221,118号和第6,343,976号美国专利揭示在浅沟槽隔离(STI)工艺中用于对绝缘层进行抛光的铈土颗粒的合成方法和使用所述方法的衬底抛光方法。现有技术还揭示用于对绝缘层进行抛光的浆料的特性所需的磨料颗粒的平均颗粒直径和颗粒直径分布范围。然而，因为上述现有技术中所揭示的铈土颗粒实质上包含导致微刮痕的大磨料颗粒，所以铈土颗粒不能抑制微刮痕的产生。
发明内容
本发明提供能够将抛光的目标层的抛光比提高且将微刮痕减到最少的磨料颗粒和抛光浆料。
本发明还提供能够通过减少具有多面体结构的磨料颗粒的尖锐晶面而将抛光的目标层的抛光比提高且将微刮痕减到最少的磨料颗粒和抛光浆料。
根据示范性实施例，一种磨料颗粒包含：母粒，具有多面晶面；以及多个辅粒，其形成在所述母粒的表面上且向外生长并突起。
所述多个辅粒可分别从所述母粒的边缘部分生长及形成。
所述多个辅粒可经形成以便覆盖位于所述多面晶面中的至少三个晶面汇合的边缘部分中心上的晶面中的每一个的一部分。
相互邻近的所述多个辅粒可相互间隔开或相互接触。
相互接触的所述多个辅粒可具有范围为其最大高度的0％到70％的重叠高度。
所述母粒和所述多个辅粒中的每一个可包含铈土颗粒。
所述辅粒和所述母粒可按照100∶1到5∶1的尺寸比形成。
所述磨料颗粒可具有范围为6纳米到350纳米的平均颗粒直径。
所述母粒可具有范围为5纳米到300纳米的平均颗粒直径。
所述辅粒可具有范围为1纳米到50纳米的平均颗粒直径。
根据另一示范性实施例，一种用于对目标工件进行抛光的浆料包含：磨料颗粒，执行抛光且具有从其表面向外突起的多个突起部；以及分散剂，含有去离子水，其中所述磨料颗粒分散在所述去离子水中。
所述磨料颗粒可包含多面晶面，且所述多个突起部是从所述多面晶面中的至少两个汇合的边缘形成并生长。
所述突起部和所述多面晶面可按照100∶1到5∶1的尺寸比形成。
以固体含量计，所含有的所述磨料颗粒的量的范围可为0.1重量％到5重量％。
上述浆料可还包含使抛光加速的抛光加速剂，其中所述抛光加速剂包含阳离子低分子量聚合物、阳离子高分子量聚合物、羟基酸和胺基酸，其将所述磨料颗粒的表面电位转化为负电位。
以1重量％的所述磨料颗粒计，所含有的所述抛光加速剂的量可为0.01重量％到0.1重量％。
所述阳离子低分子量聚合物和所述阳离子高分子量聚合物可包含草酸、柠檬酸、聚磺酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸(Darvan C-N)、其共聚物酸或其盐中的至少一种，所述羟基酸包含羟基苯甲酸、抗坏血酸或其盐中的至少一种，且所述胺基酸包含吡啶甲酸、麸胺酸、色胺酸、胺基丁酸或其盐中的至少一种。
上述浆料可还包含调节所述浆料的pH值的pH值调节剂，其中所述浆料具有由所述pH值调节剂维持在4到9的范围中的pH值。
根据另一示范性实施例，一种制造半导体装置的方法包含：在衬底上形成通道绝缘层和导电层；将所述导电层、所述通道绝缘层和所述衬底的预定区域蚀刻到预定深度以形成沟槽；形成绝缘层以使得所述渠沟得以填充；以及对所述绝缘层进行抛光，以使得所述导电层暴露，其中所述抛光是使用抛光浆料来进行的，所述抛光浆料含有磨料颗粒，所述磨料颗粒包括母粒和形成在所述母粒的表面上的多个辅粒。
所述导电层可包含多晶硅层，且所述绝缘层可包含基于氧化物的材料。
附图说明
可结合附图从以下描述更详细地理解示范性实施例。
图1(a)～(b)和图2(a)～(b)展示现有的干燥铈土磨料颗粒和潮湿铈土磨料颗粒的照片以及使用这些颗粒进行抛光的示意图。
图3(a)～(c)为说明根据本发明的实施例的磨料颗粒的示意图。
图4(a)～(b)、图5(a)～(b)及图6(a)～(b)为通过根据本发明的实施例的制造方法而获得的磨料颗粒的示意图和照片。
图7(a)～(c)为用于现有的干燥磨料颗粒和潮湿磨料颗粒与本发明的磨料颗粒之间的比较的照片。
图8(a)～(b)展示根据本发明的磨料颗粒的照片和使用所述磨料颗粒进行抛光的示意图。
图9为现有的干燥磨料颗粒和潮湿磨料颗粒与本发明的磨料颗粒的XRD曲线图。
图10到图12为说明通过使用含有根据本发明的实施例的磨料颗粒的抛光浆料而制造半导体装置的方法的横截面图。
图13(a)～(b)和图14(a)～(c)为根据比较例和发明实例的磨料颗粒的照片。
图15和图16为衬底通过使用含有根据比较例和本发明的实例的磨料颗粒的浆料而经受CMP工艺后的衬底的区段的照片。
图17和图18为衬底通过使用含有根据比较例和本发明的实例的磨料颗粒的浆料而经受CMP工艺后的抛光中止层的表面的照片。
附图标记说明
10：母粒
20：辅粒
100：衬底
110：通道绝缘层
120：导电层
130：绝缘层
140：装置隔离层
具体实施方式
下文中，将参看附图来详细地描述示范性实施例。然而，本发明可按照许多不同形式体现，且不应被解释为限于本文中所陈述的实施例；而是，提供这些实施例以使得本发明将彻底且完整，且将向所属领域的技术人员完全地传达本发明的概念。此外，本发明仅由权利要求书的范围界定。
图3(a)～(c)为说明根据本发明的实施例的磨料颗粒的示意图。
参看图3(a)～(c)，根据本发明的实施例的磨料颗粒包含母粒10和提供到母粒10的表面的多个辅粒20。
母粒10可包含例如铈土(CeO2)等颗粒。且，母粒10可通过XRD量测来分析，且母粒10具有与潮湿铈土相同的晶体结构及具有多面晶面。同时，母粒10可按照范围为5纳米到300纳米、优选20纳米到100纳米且更优选40纳米到70纳米的平均颗粒直径来提供。当母粒10的平均颗粒直径过小时，抛光的目标层不容易抛光，以致于抛光速率降低，且当母粒10的平均颗粒直径过大时，母粒10再次生长为多面体结构而在抛光中止层中产生微刮痕。因此，母粒10可具有在上述范围中的平均颗粒直径，其中，这范围不降低抛光的目标层的抛光速率且不在抛光中止层中产生微刮痕。
辅粒20以多个形成在母粒10的表面上，且可形成为从母粒10的多个角落部分向外突起。也就是说，辅粒20可经形成以便从至少三个晶面汇合的角落部分覆盖每一晶面的至少一部分。辅粒20可包含铈土(CeO2)等。也就是说，辅粒20可由与母粒10相同的材料或与母粒10不同的材料形成，且优选的是，辅粒20由与母粒10相同的材料形成。就此方面来说，辅粒20可取决于例如母粒10的大小、生长时间、生长温度等生长条件而按照各种大小生长，且邻近辅粒20可形成为如图3(a)所示而相互间隔开或形成为如图3(b)所示而相互接触。且，在辅粒20相互接触的状况下，辅粒20根据辅粒20的生长时间而生长在母粒10的角落之间的面上，以使得邻近辅粒20可相互重叠。就此方面来说，在邻近辅粒20相互重叠的状况下，假设辅粒20的最大高度为100，则辅粒20的重叠部分以大于0且小于70的高度形成。也就是说，辅粒20的重叠部分可按照辅粒20的最大高度的0与70％之间的高度形成，所述最大高度为与母粒10的表面相距的辅粒20的最远距离。就此方面来说，当辅粒20的重叠部分过高时，磨料颗粒变得过大且再次生长为多面体结构，以致于磨料颗粒可导致抛光中止层中的微刮痕的出现。同时，这些辅粒20可相对于母粒10的大小按照范围为1∶300到1∶5的尺寸比形成。举例来说，当母粒10具备范围为5纳米到300纳米的平均颗粒直径时，辅粒20可具备范围为1纳米到50纳米、优选3纳米到20纳米且更优选5纳米到10纳米的平均颗粒直径。也就是说，一个辅粒20的颗粒直径可被定义为从母粒10的表面到对应辅粒20的最远距离的距离，且因此定义的辅粒20的平均颗粒直径可按照1纳米到50纳米的范围来提供。接着，当辅粒20的平均颗粒直径过小时，辅粒20不能降低母粒10的表面的尖锐度，且因此不能防止抛光中止层中的微刮痕的出现，且当辅粒20的平均颗粒直径过大时，辅粒20再次生长为围绕母粒10的多面体结构，以致于辅粒20可能导致抛光中止层中的微刮痕的出现。因此，根据本发明的实施例的磨料颗粒可通过母粒10而从一个辅粒20到另一辅粒20具备范围为6纳米到350纳米、优选20纳米到150纳米且更优选40纳米到80纳米的平均颗粒直径。也就是说，通过母粒10相互最远离的辅粒20之间的距离可处于6纳米到350纳米的范围中。
下文中，将描述根据本发明的实施例的制造磨料颗粒的方法。
首先，通过混合铈盐与去离子水而制备前驱物，例如，铈水溶液。可按照(例如)2∶1到4∶1的比率混合铈盐与去离子水。本文中所使用的铈盐可为Ce(III)盐和Ce(IV)盐中的至少一种。也就是说，至少一种Ce(III)盐可与去离子水混合，至少一种Ce(IV)盐可与去离子水混合，或Ce(III)盐和Ce(IV)盐可与去离子水混合。Ce(HI)盐可包含氯化铈、溴化铈、硝酸铈、乙酸氯化铈等，且Ce(IV)盐可包含硝酸铈铵、硫酸铈等。优选地，Ce(III)盐可为硝酸铈，且Ce(IV)盐可为硝酸铈铵。同时，为了使通过混合铈盐与去离子水而制备的铈水溶液稳定，可混合酸溶液。可按照1∶1到1∶100的比率混合酸溶液与铈水溶液。酸溶液可包含充氧水、硝酸、乙酸、盐酸、硫酸等。独立于铈水溶液，而制备碱性溶液。可通过混合氨水(ammonia)、氢氧化钠、氢氧化钾等与去离子水且将混合物稀释到适当浓度而制备碱性溶液。可按照1∶1到1∶100的比率稀释碱性物质与去离子水。将因此稀释的碱性溶液装载在反应容器中且接着在例如氮气、氩气、氦气等惰性气体的气氛中搅拌(例如)持续不超过5小时的时间。在装载了稀释的碱性溶液的反应容器中添加铈水溶液，且(例如)按照0.1升/秒的速率而与碱性溶液混合，且在预定温度下对混合物进行热处理。热处理温度可为100℃或100℃以下，例如，超过60℃且不高于100℃的温度，且热处理时间可为24小时或24小时以下，例如，1小时到24小时。且，从室温到热处理温度的温度上升速率可为(例如)0.5℃/分。在两个小时内将已经受热处理的混合物溶液冷却到60℃或60℃以下，例如，室温到60℃。通过上述工艺，制备了混合物溶液，其中混合了具有80纳米或80纳米以下的颗粒直径的母粒10。也就是说，以具有尖锐晶面的多面体结构形成了母粒10，而在其表面上未有任何辅粒，如图4(a)的示意图和图4(b)的照片所示。
接着，在维持惰性气体的气氛的状态下，还在混合了母粒10的混合物溶液中添加碱性溶液，且接着执行搅拌持续5小时或5小时以下的时间。就此方面来说，碱性溶液可为(例如)未用去离子水稀释的氨水。将通过按照2∶1到4∶1的混合比率混合铈盐与去离子水而制备的铈水溶液与混合了母粒10的混合物溶液混合，且接着在100℃或100℃以下的温度下(例如，在超过60℃且不高于100℃的温度下)加热所得溶液以执行热处理持续24小时或24小时以下的时间。就此方面来说，可按照0.5℃/分的温度上升速率将所得混合物溶液从室温到40℃加热到热处理温度。在两个小时内将已经受热处理持续24小时或24小时以下的混合物溶液冷却到60℃或60℃以下，例如，室温到60℃。通过上述工艺，形成了具有形成在母粒10的表面上且具有90纳米或90纳米以下的初期颗粒直径的多个辅粒20的磨料颗粒，如图5(a)的示意图和图5(b)的照片所示。同时，可根据热处理时间来调节母粒10与辅粒20之间的接合力。也就是说，当延长热处理时间时，母粒10与辅粒20之间的接合力变强，且当缩短热处理时间时，接合力变弱。当母粒10与辅粒20之间的接合力弱时，在抛光工艺期间，辅粒20可能与母粒20分离。因此，优选的是，进行热处理持续足够的时间，以使得母粒10与辅粒20相互强接合。然而，当热处理时间过长时，因为生产力降低，所以优选的是，热处理时间在2小时到24小时内。且，可根据热处理温度来调节辅粒20的大小。
也就是说，当热处理温度高时，相同热处理时间中的辅粒20的大小可增大。
举例来说，虽然热处理时间在60℃或60℃以下的温度下增加，但辅粒20的大小不增大，但当热处理时间在超过60℃的温度下增加时，辅粒20的大小急剧增大。然而，当热处理温度过高时，辅粒20的大小变得过大，以致于可能形成新的母粒10。因此，优选的是，在高于60℃且不高于100℃的温度下进行热处理。
为了增大形成在母粒10的表面上的辅粒20的大小，可进行辅粒20的生长工艺至少一次。举例来说，在维持惰性气体的气氛的状态下，还将碱性溶液添加到混合了具有母粒10和形成在母粒10的表面上的辅粒20的磨料颗粒的混合物溶液，且进行搅拌持续5小时或5小时以下的时间，且通过按照2∶1到4∶1的混合比率混合铈与去离子水而制备铈水溶液，且接着按照0.5℃/分的温度上升速率将铈水溶液从室温到40℃加热到100℃或100℃以下的温度以执行热处理持续24小时或24小时以下的时间。在2小时内，将已经受热处理的混合物溶液冷却到室温。通过上述工艺，形成了具有形成在母粒10的表面上且具有100纳米或100纳米以下的初期颗粒直径的多个辅粒20的磨料颗粒，如图6(a)的示意图和图6(b)的照片所示。也就是说，通过重复辅粒20的生长工艺，辅粒20的大小增大，以使得辅粒20相互接触或相互重叠。
如上所述，为了比较形状，在图7(a)～(c)中展示根据本发明的包含母粒10和形成在母粒10的表面上的辅粒20的磨料颗粒以及现有的干燥铈土颗粒和潮湿铈土颗粒的照片。也就是说，图7(a)和图7(b)为现有的干燥铈土颗粒和潮湿铈土颗粒的照片，且图7(c)为根据本发明的磨料颗粒的照片。如图7(a)所示，因为干燥铈土颗粒为棱角状的晶体颗粒且具有广泛颗粒直径分布，所以将干燥铈土颗粒应用于NAND快闪存储器装置的CMP工艺在多晶硅层中不可避免地产生微刮痕，如图1(a)～(b)所示。且，如图7(b)所示，因为潮湿铈土颗粒为多面体结构且大小较大，所以将潮湿铈土颗粒应用于NAND快闪存储器装置的CMP工艺在多晶硅层中不可避免地产生微刮痕，如图2(a)～(b)所示。然而，如图7(c)所示，因为相比于现有的潮湿铈土颗粒，根据本发明的磨料颗粒大小较小且不具有尖锐晶面，所以虽然如图8(a)～(b)所示将磨料颗粒应用于NAND快闪存储器装置的CMP工艺，但在抛光层中几乎不产生微刮痕。且，如从图9的XRD曲线图所见，根据本发明的铈土磨料颗粒具有几乎与现有的干燥铈土颗粒和潮湿铈土颗粒相同的结晶性。因此，可理解，根据本发明的铈土磨料颗粒具有可在用于对装置隔离层进行平坦化的CMP工艺中用作磨料颗粒的强度。
通过在分散剂中混合根据本发明的实施例的包含母粒10和形成在母粒10的表面上的辅粒20的磨料颗粒，可制造抛光浆料。可进一步混合抛光加速剂、pH值调节剂等。
如上所述，磨料颗粒包含铈土母粒和形成在铈土母粒的表面上的多个铈土辅粒，且以固体组份计，抛光浆料中所含有的磨料颗粒的量可为0.1重量％到5重量％、优选0.25重量％到2重量％。当所含有的磨料颗粒的量为0.1重量％或0.1重量％以下时，抛光速率过低，且当所含有的磨料颗粒的量为5重量％或5重量％以上时，抛光速率过高，以致于抛光的目标层可能被过度抛光。
抛光加速剂可包含阴离子低分子量聚合物、阴离子高分子量聚合物、羟基酸或胺基酸。举例来说，阴离子低分子量聚合物和阴离子高分子量聚合物可包含草酸、柠檬酸、聚磺酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸(Darvan C-N)、其共聚物酸或其盐中的至少一种。且，羟基酸可包含羟基苯甲酸、抗坏血酸或其盐中的至少一种。胺基酸可包含吡啶甲酸、麸胺酸、色胺酸、胺基丁酸或其盐中的至少一种。以1重量％的磨料颗粒计，所含有的抛光加速剂的量可为0.01重量％到0.1重量％、优选0.02重量％到0.06重量％。当以磨料颗粒的重量计，抛光加速剂的量小于0.01重量％时，分散稳定性降低，且当抛光加速剂的量超过0.1重量％时，抛光的目标层的抛光可受到抑制。因此，可调节抛光加速剂的重量百分比，以使得分散稳定性提高，且抛光不受抑制。
可通过使用pH值调节剂而将抛光浆料的pH值调节到4到9，优选5到9。当抛光浆料的pH值为4或4以下时，分散稳定性降低，且当抛光浆料的pH值为9或9以上时，抛光中止层(例如，多晶硅层)的抛光速率由于强碱性而急剧增大。
如上所述，因为根据本发明的实施例的磨料颗粒具备形成在母粒10的表面上的多个辅粒20，所以磨料颗粒可最大程度地减少母粒10的尖锐晶面。因此，磨料颗粒可最大程度地抑制抛光的目标层下方的抛光中止层(例如，多晶硅层)中的微刮痕的出现，从而提高装置可靠性和生产力。将参看图10到图12来描述通过使用含有根据本发明的实施例的磨料颗粒的抛光浆料而制造半导体装置的方法。
参看图10，在衬底100上形成通道绝缘层110，且接着在通道绝缘层110上形成导电层120。衬底100可选自用于制造半导体装置的各种衬底，且可为(例如)硅衬底。通道绝缘层110可通过使用氧化物层(SiO2)、氮化物层(Si3N4)等而形成，且可按照单层结构或具有至少两层的结构而形成。就这来说，绝缘层110可按照实现载流子的穿隧的厚度而形成。且，导电层120可用作为NAND快闪存储器装置的浮动栅极，且可通过使用多晶硅层而形成。
参看图11，将导电层120、通道绝缘层110和衬底100的预定区域蚀刻到衬底100的预定深度以形成多个沟槽。形成绝缘层130，以使得沟槽被填充。绝缘层130可由基于氧化物的材料形成，例如，以下各层中的至少一种：硼磷硅玻璃(BPSG)层、磷硅玻璃(PSG)层、高密度等离子体(HDP)层、正硅酸四乙酯(TEOS)层、未经掺杂的硅玻璃(USG)层、等离子体增强正硅酸四乙酯(PETEOS)层和高深宽比工艺(HARP)层。另外，绝缘层130可通过物理气相沉积(PVD)方法、化学气相沉积(CVD)方法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法、原子层沉积(ALD)方法或组合CVD方法与ALD方法的AL-CVD方法来形成。同时，可在用绝缘层130填充沟槽之前，通过使衬底100氧化而在沟槽的内侧表面上形成衬里氧化物层。
参看图12，将绝缘层130填充在沟槽中的衬底100装载在CMP设备中，且接着通过使用含有根据本发明的实施例的磨料颗粒的抛光浆料而对绝缘层130进行抛光。也就是说，通过使用抛光设备的抛光垫和抛光浆料而对绝缘层130进行抛光，直到导电层120暴露为止。且，为实现充足抛光，可在导电层120暴露后，还进行抛光持续一段预定时间。就这来说，绝缘层130与导电层120的抛光选择比为10∶1到50∶1。因此，多个装置隔离层140形成在导电层120之间。
虽然图中未显示，但可在形成了装置隔离层的衬底上形成例如多晶硅层等第二导电层，且接着进行图案化以形成浮动栅极，且可在所得衬底上形成电介质层和第三导电层，且接着进行图案化以形成控制栅极。因此，可制造NAND快闪存储器装置，其中，堆叠了浮动栅极和控制栅极。
<实验实例>
磨料颗粒的制备
如下制备根据本发明的实施例的包含母粒和形成在母粒的表面上的多个辅粒的磨料颗粒。按照2∶1到4∶1的混合比率混合铈(III)盐与去离子水(例如，1千克到4千克的铈(III)盐与0.25千克到2千克的去离子水)以制备铈(III)水溶液，且按照1∶500到1∶3000的混合比率混合铈(IV)盐与去离子水(例如，1克到3克的铈(IV)盐与0.5千克到9千克的去离子水)以制备铈(IV)水溶液。按照1∶1到100∶1的混合比率混合铈(IV)水溶液与硝酸(例如，1千克到5千克的铈(IV)溶液与0.1千克到5千克的硝酸)以制备铈(IV)混合物溶液。且，混合铈(III)水溶液与铈(IV)混合物溶液以制备铈混合物溶液。此外，在惰性气氛中在反应容器中按照1∶2到1∶10的混合比率装载氨水和去离子水(例如，1千克到5千克的氨水与1千克到50千克的去离子水)且接着搅拌以制备碱性水溶液。在将铈混合物溶液放置在反应容器中且接着在维持惰性气氛的同时搅拌的状态下，将铈混合物溶液从室温加热到100℃或100℃以下(例如，70℃到90℃)以执行热处理持续8小时或8小时以下的时段(例如，1小时到4小时)。通过如上执行热处理，制备了母粒混合物溶液，其中未在母粒的表面上引入突起部。
此后，将铈土颗粒混合物溶液冷却到60℃或60℃以下的温度(例如，20℃到40℃)，且将铈土颗粒混合物溶液和氨水放置在反应容器中，按照10∶1到2∶1的混合比率混合(例如，8千克到100千克的铈土颗粒混合物溶液与10千克到4千克的氨水)，且在惰性气氛中搅拌持续数分钟到数十分钟。接着，将混合了1千克到4千克的铈(III)盐、1千克到4千克的铈(IV)盐、1千克到9千克的去离子水和0.1千克到5千克的硝酸的二次铈混合物溶液添加到添加了氨水的铈混合物溶液，搅拌且加热到100℃或100℃以下(例如，70℃到90℃)以执行热处理持续8小时或8小时以下(例如，1小时到4小时)。通过如上完成热处理，制备了颗粒混合物溶液，其中具有突起形状的初期辅粒形成在母粒的表面上。
此后，将形成了初期辅粒的铈土颗粒混合物溶液冷却到60℃或60℃以下的温度(例如，20℃到40℃)，且将铈土颗粒混合物溶液和氨水放置在反应容器中，按照10∶1到2∶1的混合比率混合(例如，8千克到100千克的铈土颗粒混合物溶液与10千克到4千克的氨水)，且在惰性气氛中搅拌持续数分钟到数十分钟。接着，将混合了1千克到4千克的铈(III)盐、1千克到4千克的铈(IV)盐、1千克到9千克的去离子水和0.1千克到5千克的硝酸的三次铈混合物溶液添加到添加了氨水的铈混合物溶液，搅拌且加热到100℃或100℃以下(例如，70℃到90℃)以执行热处理持续8小时或8小时以下(例如，1小时到4小时)。通过如上完成热处理，制备了颗粒混合物溶液，其中具有突起形状的二次辅粒形成在母粒的表面上。
将二次辅粒形成在母粒的表面上的颗粒混合物溶液冷却到室温以将混合物溶液的pH值调节到4或4以下的酸性pH值，从而完成反应。将完成反应的混合物溶液保留在室温以沉积表面上具有突起部的铈土颗粒，接着重复沉积和使用去离子水进行的清洗数次，且接着执行混合物溶液的离心过滤以最终获得颗粒。
实例与比较例之间的比较
将去离子水添加到含有根据比较例的具有多面体结构的尖锐晶面的铈土磨料颗粒的铈土悬浮液以稀释铈土悬浮液，且添加硝酸(HNO3)或氨水(NH4OH)以将铈土悬浮液的pH值调节到4、5和6。充分搅拌这些所得溶液以制备根据比较例的抛光浆料。
且，将去离子水添加到含有根据发明实例的具有形成在母粒的表面上的多个辅粒的铈土磨料颗粒的铈土悬浮液以稀释铈土悬浮液，且添加DarvanC-N且接着添加硝酸(HNO3)或氨水(NH4OH)以将铈土悬浮液的pH值调节到4、5和6。充分搅拌这些所得溶液且接着进行超声处理(ultrasonicate)以制备根据发明实例的抛光浆料。
接着，通过使用根据比较例的抛光浆料和抛光浆料来进行抛光工艺。将POLI-300(G&P)用作为抛光设备，且将IC 1000/Suba IV CMP垫(陶氏化学(Dow chemical))用作为抛光垫。且，将抛光垫的下降压力设置为6磅/平方英寸，且将工作台(table)和心轴(spindle)的旋转速度全部设置为70转/分。在这些条件下，以100毫升/分的流率供应根据比较例和实例的抛光浆料以对形成在75纳米厚的多晶硅层上的250纳米厚的PETEOS层进行抛光持续60秒。根据比较例和实例的抛光结果展示在表1中。且，根据比较例和实例的磨料颗粒的形状展示在图14(a)～(c)的照片中。
表1
首先，如图13(a)～(b)所示，可见，根据比较例的磨料颗粒具有多面体结构和尖锐晶面。然而，如图14(a)～(c)所示，可见，根据本发明的实例的磨料颗粒具有纳米压纹结构，其中突起形状的辅粒形成在母粒的表面上。且，如表1所示，根据比较例的铈土磨料颗粒和根据发明实例的铈土磨料颗粒具有几乎类似的初期颗粒直径和二次颗粒直径。也就是说，根据比较例的磨料颗粒具有96.7纳米的初期颗粒直径和157.5纳米的二次颗粒直径，且根据发明实例的磨料颗粒具有83.7纳米的初期颗粒直径和157.4纳米的二次颗粒直径。本文中，初期颗粒直径指示铈土磨料颗粒的平均颗粒直径，且二次颗粒直径指示在铈土颗粒聚集时的平均颗粒直径。然而，根据比较例的铈土磨料颗粒具有46.58毫伏的表面ζ电位，且根据实例的铈土磨料颗粒具有-50.02毫伏的表面ζ电位，其极性与比较例的表面ζ电位相反。且，在氧化物的状况下，根据比较例的浆料的抛光速率为1,131埃/分，且根据发明实例的浆料的抛光速率为1,531埃/分，且从这些结果可见，本发明的浆料的抛光速率比根据比较例的浆料的抛光速率优良。且，甚至在添加抛光终止添加剂的状况下，根据发明实例的浆料的氧化物抛光速率为680埃/分，且根据比较例的浆料的氧化物抛光速率为472埃/分，且从这些结果可见，本发明的浆料的抛光速率比根据比较例的浆料的抛光速率优良。同时，从图15和图16所示的图案化CMP后的TEM图像的比较结果，可见在碟形坑(dishing)、残余多晶硅的厚度等方面不存在显著差异。
然而，在根据比较例的铈土浆料的状况下，如图17所示，出现被看作污点的许多微刮痕，但在根据发明实例的铈土浆料的状况下，如图18所示，未在多晶硅层中出现微刮痕。因此，与根据比较例的铈土磨料颗粒相比，根据发明实例的铈土磨料颗粒可提高氧化物的抛光速率，且减少下方多晶硅层中的微刮痕的出现。
根据本发明的实施例，因为磨料颗粒包含具有多面体结构的母粒和提供在母粒的表面上的多个辅粒，所以磨料颗粒可最大程度地减少母粒的尖锐晶面。且，抛光浆料可通过使用这些磨料颗粒来制造，且所制造的抛光浆料可用于在制造20纳米或20纳米以下的NAND快闪存储器装置的工艺中对上方基于氧化物的材料层进行抛光，其中，用作浮动栅极的多晶硅层用作与抛光中止层。
因此，可最大程度地抑制抛光的目标层下方的多晶硅层中的微刮痕的出现，且因此，可防止阈值电压的改变，从而提高装置可靠性。此外，可提高氧化物层的抛光速率，且可提高氧化物层和多晶硅层的抛光选择比，因此减少抛光工艺时间以提高生产力。
虽然磨料颗粒、抛光浆料和使用所述抛光浆料来制造半导体装置的方法已参看特定实施例而得以描述，但其不限于此。因此，所属领域的技术人员应易于理解，在不脱离由所附权利要求书定义的本发明的精神和范围的情况下可对其进行各种修改和改变。

Claims (20)

1.一种磨料颗粒，包括：
母粒，具有多面晶面；以及
多个辅粒，其形成在所述母粒的表面上且向外生长并突起。
2.根据权利要求1所述的磨料颗粒，其中所述多个辅粒分别从所述母粒的边缘部分生长及形成。
3.根据权利要求1或2所述的磨料颗粒，其中所述多个辅粒经形成以便覆盖位于所述多面晶面中的至少三个晶面汇合的边缘部分中心上的晶面中的每个的部分。
4.根据权利要求3所述的磨料颗粒，其中相互邻近的所述多个辅粒相互间隔开或相互接触。
5.根据权利要求4所述的磨料颗粒，其中相互接触的所述多个辅粒具有范围为其最大高度的0％到70％的重叠高度。
6.根据权利要求1或2所述的磨料颗粒，其中所述母粒和所述多个辅粒中的每个包括铈土颗粒。
7.根据权利要求1或2所述的磨料颗粒，其中所述辅粒和所述母粒按照100∶1到5∶1的尺寸比形成。
8.根据权利要求7所述的磨料颗粒，具有范围为6纳米到350纳米的平均颗粒直径。
9.根据权利要求8所述的磨料颗粒，其中所述母粒具有范围为5纳米到300纳米的平均颗粒直径。
10.根据权利要求9所述的磨料颗粒，其中所述辅粒具有范围为1纳米到50纳米的平均颗粒直径。
11.一种浆料，用于对目标工件进行抛光，包括：
磨料颗粒，执行抛光且具有从其表面向外突起的多个突起部；以及
分散剂，含有去离子水，其中所述磨料颗粒分散在所述去离子水中。
12.根据权利要求11所述的浆料，其中所述磨料颗粒包括多面晶面，且所述多个突起部是从所述多面晶面中的至少两个汇合的边缘形成并生长。
13.根据权利要求12所述的浆料，其中所述突起部和所述多面晶面按照100∶1到5∶1的尺寸比形成。
14.根据权利要求13所述的浆料，其中以固体含量计，所含有的所述磨料颗粒的量的范围为0.1重量％到5重量％。
15.根据权利要求11所述的浆料，还包括使抛光加速的抛光加速剂，
其中所述抛光加速剂包括阴离子低分子量聚合物、阴离子高分子量聚合物、羟基酸和胺基酸，其将所述磨料颗粒的表面电位转化为负电位。
16.根据权利要求15所述的浆料，其中以1重量％的所述磨料颗粒计，所含有的所述抛光加速剂的量为0.01重量％到0.1重量％。
17.根据权利要求16所述的浆料，其中所述阴离子低分子量聚合物以及所述阴离子高分子量聚合物包括草酸、柠檬酸、聚磺酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、其共聚物酸或其盐中的至少一种，所述羟基酸包括羟基苯甲酸、抗坏血酸或其盐中的至少一种，且所述胺基酸包括吡啶甲酸、麸胺酸、色胺酸、胺基丁酸或其盐中的至少一种。
18.根据权利要求11或15所述的浆料，还包括调节所述浆料的pH值的pH值调节剂，
其中所述浆料具有由所述pH值调节剂维持在4到9的范围中的pH值。
19.一种半导体装置的制造方法，包括：
在衬底上形成通道绝缘层和导电层；
将所述导电层、所述通道绝缘层和所述衬底的预定区域蚀刻到预定深度以形成沟槽；
形成绝缘层以使得所述渠沟得以填充；以及
对所述绝缘层进行抛光，以使得所述导电层暴露，
其中所述抛光是使用抛光浆料来进行的，所述抛光浆料含有磨料颗粒，所述磨料颗粒包括母粒以及形成在所述母粒的表面上的多个辅粒。
20.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其中所述导电层包括多晶硅层，且所述绝缘层包括基于氧化物的材料。
CN201410462622.6A 2013-09-12 2014-09-12 磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法 Active CN104559925B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130109871A KR101405333B1 (ko) 2013-09-12 2013-09-12 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
KR10-2013-0109871 2013-09-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104559925A true CN104559925A (zh) 2015-04-29
CN104559925B CN104559925B (zh) 2017-09-15

Family

ID=51132322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410462622.6A Active CN104559925B (zh) 2013-09-12 2014-09-12 磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9469800B2 (zh)
JP (1) JP5963822B2 (zh)
KR (1) KR101405333B1 (zh)
CN (1) CN104559925B (zh)
TW (1) TWI519635B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107532066A (zh) * 2015-05-08 2018-01-02 信越化学工业株式会社 合成石英玻璃基板用研磨剂以及合成石英玻璃基板的研磨方法
CN109689828A (zh) * 2016-09-07 2019-04-26 凯斯科技股份有限公司 表面改性胶体二氧化铈抛光粒子、其制造方法及包括此的抛光料浆组合物
CN114599754A (zh) * 2019-11-26 2022-06-07 罗地亚经营管理公司 基于铈的核-壳颗粒的液体分散体和粉末、其生产方法及其在抛光中的用途
CN114761514A (zh) * 2019-11-26 2022-07-15 罗地亚经营管理公司 基于铈的颗粒、其生产方法及其在抛光中的用途

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3170846A1 (en) 2010-09-22 2017-05-24 The Board of Regents of The University of Texas System Novel block copolymer and micelle compositions and methods of use thereof
SG11201607359XA (en) 2014-03-20 2016-10-28 Fujimi Inc Polishing composition, polishing method, and method for producing substrate
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
SG11201703114QA (en) 2014-10-17 2017-06-29 Applied Materials Inc Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
JP6563957B2 (ja) * 2014-12-26 2019-08-21 花王株式会社 酸化珪素膜研磨用研磨液組成物
US9728545B2 (en) 2015-04-16 2017-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for preventing floating gate variation
KR102609439B1 (ko) 2015-10-30 2023-12-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 원하는 제타 전위를 가진 연마 제품을 형성하는 장치 및 방법
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
JP6646062B2 (ja) * 2015-11-10 2020-02-14 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
WO2019083847A1 (en) 2017-10-25 2019-05-02 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. COMPOSITION FOR THE IMPLEMENTATION OF MATERIAL REMOVAL OPERATIONS AND METHOD FOR FORMING THE SAME
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1253963A (zh) * 1998-11-17 2000-05-24 不二见株式会社 研磨用组合物及漂洗用组合物
US20020194789A1 (en) * 2001-04-27 2002-12-26 Kao Corporation Polishing composition
CN101970347A (zh) * 2008-02-08 2011-02-09 尤米科尔公司 具有受控形态的掺杂二氧化铈研磨剂及其制备
CN103260827A (zh) * 2010-10-12 2013-08-21 福吉米株式会社 研磨用组合物

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02243270A (ja) * 1989-03-15 1990-09-27 Takeo Oki 被覆砥粒含有砥石およびその製法
JP3814311B2 (ja) 1995-03-31 2006-08-30 豊田バンモップス株式会社 複合砥粒の製造方法
RU2178599C2 (ru) 1996-09-30 2002-01-20 Хитачи Кемикал Кампани, Лтд. Абразив из оксида церия и способ полирования подложек
JPH11181403A (ja) 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
KR100475976B1 (ko) * 1998-12-25 2005-03-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ 연마제, ｃｍｐ 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
JP3975047B2 (ja) 2000-04-21 2007-09-12 泰弘 谷 研磨方法
WO2003016424A1 (en) * 2001-08-20 2003-02-27 Samsung Corning Co., Ltd. Polishing slurry comprising silica-coated ceria
US20060032836A1 (en) * 2001-11-16 2006-02-16 Ferro Corporation Methods of controlling the properties of abrasive particles for use in chemical-mechanical polishing slurries
JPWO2003070853A1 (ja) * 2002-02-20 2005-06-09 日本ミクロコーティング株式会社 研磨スラリー
US6866793B2 (en) * 2002-09-26 2005-03-15 University Of Florida Research Foundation, Inc. High selectivity and high planarity dielectric polishing
JPWO2004061925A1 (ja) * 2002-12-31 2006-05-18 株式会社Sumco 化学的機械研磨用スラリー組成物、これを利用した半導体素子の表面平坦化方法及びスラリー組成物の選択比制御方法
KR100582771B1 (ko) * 2004-03-29 2006-05-22 한화석유화학 주식회사 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리
KR100640583B1 (ko) * 2004-08-16 2006-10-31 삼성전자주식회사 산화세륨 연마 입자 및 그 제조 방법과 ｃｍｐ용 슬러리조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법
WO2006059627A1 (ja) * 2004-12-01 2006-06-08 Hitachi Chemical Company Ltd. 化学機械研磨用スラリー、無機粒子被覆型複合粒子、その製造方法、化学機械研磨方法及び電子デバイスの製造方法
KR20080011044A (ko) * 2006-07-28 2008-01-31 주식회사 엘지화학 산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를 포함하는ｃｍｐ슬러리
JP5069109B2 (ja) * 2005-06-29 2012-11-07 スパンション エルエルシー 半導体装置およびその製造方法
US7687401B2 (en) * 2006-05-01 2010-03-30 Ferro Corporation Substantially spherical composite ceria/titania particles
US7670679B2 (en) * 2006-05-30 2010-03-02 General Electric Company Core-shell ceramic particulate and method of making
CN104828852A (zh) * 2008-02-12 2015-08-12 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 二氧化铈材料及其形成方法
EP2105256A1 (en) * 2008-03-28 2009-09-30 Cedric Sheridan Method and apparatus for forming aggregate abrasive grains for use in the production of abrading or cutting tools
JP5088453B2 (ja) * 2009-12-10 2012-12-05 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
KR101245276B1 (ko) * 2010-03-12 2013-03-19 주식회사 엘지화학 산화세륨 연마재의 재생 방법
JP5554121B2 (ja) 2010-03-31 2014-07-23 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
US9120200B2 (en) * 2010-12-28 2015-09-01 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Polishing slurry including zirconia particles and a method of using the polishing slurry
JP5278631B1 (ja) * 2011-09-20 2013-09-04 堺化学工業株式会社 ガラス研磨用複合粒子
JP2013104023A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Tosoh Corp ジルコニア研磨剤及びその製造方法
JP2013129056A (ja) * 2011-11-21 2013-07-04 Tosoh Corp 研磨用ジルコニア複合粉末及びその製造方法
JP2013111725A (ja) * 2011-11-30 2013-06-10 Admatechs Co Ltd 研磨材およびその製造方法
KR102005132B1 (ko) * 2012-02-21 2019-07-29 히타치가세이가부시끼가이샤 연마제, 연마제 세트 및 기체의 연마 방법
US20150247062A1 (en) * 2012-07-25 2015-09-03 Konica Minolta, Inc. Polishing-Material Reclamation Method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1253963A (zh) * 1998-11-17 2000-05-24 不二见株式会社 研磨用组合物及漂洗用组合物
US20020194789A1 (en) * 2001-04-27 2002-12-26 Kao Corporation Polishing composition
CN101970347A (zh) * 2008-02-08 2011-02-09 尤米科尔公司 具有受控形态的掺杂二氧化铈研磨剂及其制备
CN103260827A (zh) * 2010-10-12 2013-08-21 福吉米株式会社 研磨用组合物

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107532066A (zh) * 2015-05-08 2018-01-02 信越化学工业株式会社 合成石英玻璃基板用研磨剂以及合成石英玻璃基板的研磨方法
CN107532066B (zh) * 2015-05-08 2020-06-02 信越化学工业株式会社 合成石英玻璃基板用研磨剂以及合成石英玻璃基板的研磨方法
US10683437B2 (en) 2015-05-08 2020-06-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polishing agent for synthetic quartz glass substrate and method for polishing synthetic quartz glass substrate
CN109689828A (zh) * 2016-09-07 2019-04-26 凯斯科技股份有限公司 表面改性胶体二氧化铈抛光粒子、其制造方法及包括此的抛光料浆组合物
CN109689828B (zh) * 2016-09-07 2021-05-07 凯斯科技股份有限公司 表面改性胶体二氧化铈抛光粒子、其制造方法及包括此的抛光料浆组合物
CN114599754A (zh) * 2019-11-26 2022-06-07 罗地亚经营管理公司 基于铈的核-壳颗粒的液体分散体和粉末、其生产方法及其在抛光中的用途
CN114761514A (zh) * 2019-11-26 2022-07-15 罗地亚经营管理公司 基于铈的颗粒、其生产方法及其在抛光中的用途

Also Published As

Publication number Publication date
JP5963822B2 (ja) 2016-08-03
JP2015054967A (ja) 2015-03-23
KR101405333B1 (ko) 2014-06-11
TW201510203A (zh) 2015-03-16
CN104559925B (zh) 2017-09-15
TWI519635B (zh) 2016-02-01
US20150072522A1 (en) 2015-03-12
US9469800B2 (en) 2016-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104559925A (zh) 磨料颗粒、抛光浆料和使用其的半导体装置的制造方法
CN104559926A (zh) 磨料颗粒和抛光浆料的制造方法
US9567490B2 (en) Polishing slurry and substrate polishing method using the same
CN1750239B (zh) 基于氧化铈的抛光工艺和氧化铈基浆料
JP5475642B2 (ja) 研磨材用酸化セリウム粉末及びこれを含むｃｍｐスラリー
KR101823083B1 (ko) 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물
TWI413680B (zh) 矽膜研磨用ｃｍｐ研磨漿以及研磨方法
US20060246723A1 (en) Slurry composition for chemical mechanical polishing, method for planarization of surface of semiconductor element using the same, and method for controlling selection ratio of slurry composition
TWI586796B (zh) 研磨漿液和使用其研磨基板的方法
US20140312266A1 (en) Polishing slurry and method of polishing using the same
JP5403910B2 (ja) 研磨液組成物
CN106010296B (zh) 用于抛光钴的浆液以及衬底抛光方法
KR101956400B1 (ko) 연마 입자의 제조 방법 및 연마 슬러리의 제조 방법
JPWO2004100243A1 (ja) ナノトポグラフィ効果を補償し得る化学機械的研磨用スラリー組成物およびこれを利用した半導体素子の表面平坦化方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20170428

Address after: Japan's big Tokyo Chiyoda town two chome 6 No. 1

Applicant after: Shin-Etsu Chemical Industry Co., Ltd.

Address before: Seoul, South Korea, Central Branch No. 79

Applicant before: ATO SOLUTION CO.,LTD.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20220323

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: UBPRECISION CO.,LTD.

Address before: Japan's big Tokyo Chiyoda town two chome 6 No. 1

Patentee before: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.