CN104538500A - 用于晶体硅太阳能电池抗lid和pid的pecvd镀膜和烧结工艺 - Google Patents
用于晶体硅太阳能电池抗lid和pid的pecvd镀膜和烧结工艺 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，属于晶体硅太阳能电池片制造领域。该工艺将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70-120ohm/squ，二次清洗后，进行正面PECVD镀膜，背电极和正电极丝网印刷及烧结，完成晶体硅太阳能电池片的制备。本发明通过对PECVD工艺、高温烧结工艺和再生恢复工艺的优化，控制晶体硅内氢原子的浓度及其扩散运动，实现晶体硅太阳能电池片LID的抑制与改善；同时，利用沉积或等离子体氧化形成的SiOx薄膜，有效地防止晶体硅太阳能电池片PID的发生，可以应用于工业化生产。
Description
技术领域
本发明属于晶体硅太阳能电池片制造领域，特别涉及一种用于晶体硅太阳能电池抗光致衰减(LID)和电势诱发衰减(PID)的PECVD镀膜和烧结工艺。
背景技术
由于光照下硼氧复合物的形成，导致LID现象的发生，掺硼p型电池片功率衰减可高达5％；对于目前已实现量产的p型高效电池结构-PERC(钝化发射极与背表面电池)技术，由于其效率提升源于电池片背面钝化和背反射性能的提高，硼氧复合物的存在阻碍载流子向背面迁移，极大吞噬了高效电池结构带来的功率提升，导致PERC高效结构比常规铝背场电池出现更严重的效率衰减。因此，LID问题的解决不仅是常规p型电池结构效率的保证，更是p型高效电池得以真正应用推广的关键所在。目前，解决LID的方法主要集中于对原材料及硅片的优化与控制，如：(1)采用高电阻率硅片、以MCZ法或者区熔法制备硅片以降低其硼或者氧含量；(2)采用掺镓p型硅片或掺磷n型硅片替代掺硼p型硅片；但是，这些方法均尚未成熟，不仅对硅片制备工艺本身，对后续的电池片制备工艺也提出了新的要求，与现有常规p型产线无法很好的兼容，限制了其产业化推广。
自PID现象提出以来，各路厂商分别从电池片、组件和系统层面提出了相关的解决方案；综合技术、成本和实施途径考虑，从电池片角度解决PID问题是目前更具性价比的选择。在保证电池转换效率的前提下，在发射区与SiNx层间形成SiOx薄膜来实现抗PID是最为有效的途径。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺点与不足，提供一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺。
本发明的目的通过下述技术方案实现：一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，包括如下步骤：
将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70-120ohm/squ，二次清洗后，进行正面PECVD镀膜，介电层[H]含量为5-25at.％；最后采用丝网印刷制备背电极和正电极后，进行高温烧结，完成晶体硅太阳能电池片的制备；所述的硅片优选为单多晶硅片。
所述的粗抛在碱性溶液中进行；粗抛的目的是去除杂质和损伤层；
所述的碱性溶液为NaOH溶液或KOH溶液。
所述的制绒在碱性溶液或酸性溶液中进行；
所述的碱性溶液为NaOH溶液或KOH溶液。
所述的酸性溶液为HF+HNO3溶液。
所述的高温磷扩散优选在扩散炉中进行。
所述的刻蚀优选采用干法刻蚀或湿法刻蚀；
所述的干法刻蚀采用等离子体刻蚀，其目的是去边结；
所述的湿法刻蚀采用HNO3+HF溶液，其目的是去背结和边结。
所述的二次清洗为湿法刻蚀，其目的是去除PSG。
所述的正面PECVD镀膜采用如下方法进行：通过沉积或等离子体氧化的方式在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3-20nm，折射率为1.4-1.6；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，所述的SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为65-90nm；
所述的沉积包括SiOx沉积和SiNx沉积；
所述的SiOx沉积通过同时通入SiH4和N2O完成；
所述的SiNx沉积通过同时通入SiH4和NH3完成；
所述的等离子体氧化通过通入N2O完成。
所述的背电极优选为银电极和铝电极；
所述的正电极优选为银电极(丝网印刷是制备电极的常规设备)。
所述的高温烧结采用如下方法进行：丝网印刷后的电池片由传送带输送至高温烧结炉中，所述的高温烧结炉由干燥区和烧结区两部分组成，其中，干燥区温度为180-400℃、烧结区温度为500-900℃、高温烧结炉传送带带速为1-8m/min。高温烧结曲线对氢原子的扩散起着关键的作用，很大程度上决定了再生恢复速率常数；
优选的，所述的晶体硅太阳能电池片采用LID再生恢复工艺进行制备；LID再生恢复工艺可以进一步改善电池片LID现象。
所述的LID再生恢复工艺采用如下方法进行：将所述的晶体硅太阳能电池片置于再生恢复设备中，在进行50-250℃处理的同时施加光辐照或正向偏压；光辐照或正向偏压引起的载流子注入可增强氢复合物中氢的释放，是快速恢复的关键点之一。
所述的光辐照由紫外光、可见光或者红外光源提供，辐照光强＞1suns(1000W/m2)，光辐照的时间＜60s。
所述的正向偏压由恒流源提供，电流密度≥10mA/cm2，施加时间＜60s。
LID再生恢复设备可基于现有的常规高温烧结炉升级实现，具体实现有如下两种方式：
(1)在高温烧结炉干燥阶段腔室增加辐照光源或者恒流源输入，同时完成电池片丝网印刷后的干燥和LID再生恢复工序，此方式极大节约了设备成本和场地投入；
(2)在高温烧结炉后增加一个光辐照或者恒流输入的控温腔室，即在电池片高温烧结后再进行LID再生恢复，此方式结合了高温烧结工艺对介电层中氢原子扩散的控制，实现更好的再生恢复效果。
此外，本发明同时适用于SE、MWT、背钝化、PERC和PERL等高效p型晶体硅太阳能电池。
一种用于PERC电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，包括如下步骤：
将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成方阻在70-120ohm/squ的发射区后，进行背面抛光，刻蚀背面绒面，硅刻蚀量为2-10μm；背面钝化层制备后进行正面PECVD镀膜，正面介电层[H]含量为5-25at.％；采用激光或化学腐蚀进行背面钝化层局部开窗，进行背电极印刷，用于烧结后局部接触的形成；然后，进行正电极丝网印刷及烧结，完成PERC电池的制备。
所述的背面钝化层采用如下方法进行制备：背面钝化层结构采用AlOx/SiNx或SiOx/SiNx叠层，其中AlOx层采用ALD或PECVD的方式沉积，层厚为4-25nm，SiOx层采用热氧化或PECVD制备，层厚为10-50nm，SiNx层采用PECVD沉积，层厚为100-200nm；
所述的局部开窗采用激光烧蚀或化学腐蚀进行；
所述的激光烧蚀采用如下方法进行：采用激光脉冲宽度为ns(纳秒)、ps(皮秒)或者fs(飞秒)的紫外光、可见光或红外光进行钝化层局部去除；
所述的化学腐蚀采用如下方法进行：结合化学腐蚀浆料和丝网印刷进行钝化层局部去除；
所述的正面PECVD镀膜采用如下方法进行：通过沉积或等离子体氧化的方式在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3-20nm，折射率为1.4-1.6；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，所述的SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为65-90nm。
本发明改善晶体硅太阳能电池片LID的原理如下：硼氧复合物处于退火态、衰减态还是再生恢复态是决定LID程度的根本原因。其中，再生恢复态是硼氧复合缺陷永久失活的相对稳定状态，即处理后的硅片发生LID的概率大大下降，甚至不再发生LID现象，而氢浓度则是加速硼氧复合缺陷向再生恢复态转变的关键因素。通过对PECVD工艺、高温烧结工艺和恢复工艺的优化，可控制氢原子浓度及其扩散运动以实现LID的抑制与改善；
本发明改善晶体硅太阳能电池片PID的原理如下：利用沉积或等离子体氧化形成的SiOx薄膜，可以很好的防止钠离子迁移对PN结造成的破坏，有效防止晶体硅太阳能电池片PID的发生。
本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果：本发明提出一种同时实现掺硼p型晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和高温烧结以及再生恢复工艺，工艺可在现有常规晶体硅太阳能电池生产线上实现，与现有生产工艺完全兼容，并已得到了量产化验证；特别地，针对LID现象，实现了晶体硅太阳能电池LID现象快速和稳定的再生恢复，转换效率衰减降低90％以上，可满足在线生产的要求。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例1
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片置于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过沉积(同时通入SiH4和N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为10-20nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm，介电层[H]含量为15at.％。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后，进行测试分选，具体数据见表1。烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min。
实施例2
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片置于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过沉积(同时通入SiH4和N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为10-20nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm，介电层[H]含量为15at.％。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后(烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min，)继续进行LID再生恢复工艺：炉温为200℃，并进行光辐照，光强2.5suns，辐照时间10s，最后进行测试分选，具体数据见表1。
实施例3
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片置于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过沉积(同时通入SiH4和N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为10-20nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm，介电层[H]含量为15at.％。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后(烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min)，继续进行LID再生恢复工艺：炉温为200℃，并施加正向偏压，电流强度8A，施加电流时间10s，最后进行测试分选，具体数据见表1。
实施例4
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片至于碱性(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过等离子体氧化(通入N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3-10nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结，烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min。最后进行测试分选，具体数据见表1。
实施例5
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片置于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过等离子体氧化(通入N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3-10nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后(烧结曲线：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min)，继续进行LID再生恢复工艺：炉温为200℃，并进行光辐照，光强2.5suns，辐照时间10s，最后进行测试分选，具体数据见表1。
实施例6
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片置于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成方阻为80ohm/squ的发射区后，进行背面抛光，刻蚀背面绒面，硅刻蚀量为5μm；
通过ALD和PECVD方式依次在背面沉积5nm Al2O3和150nm SiNx；然后，通过PECVD在正面沉积厚度10-20nm，折射率1.5的SiOx薄膜后，继续沉积SiNx/SiNy减反层，三层薄膜总厚度80nm；
背面钝化层激光开窗，线宽40um；然后，进行背银、背铝和正银丝网印刷及烧结；烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min。
LID再生恢复：温度200℃，光强2.5suns，辐照时间10s。最后进行测试分选，具体数据见表1。
实施例7
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片置于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过沉积(同时通入SiH4和N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为10-20nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm，介电层[H]含量为20at.％。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后(烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.0m/min，)，继续进行LID再生恢复工艺：炉温为200℃，并进行光辐照，光强2.5suns，辐照时间10s，最后进行测试分选，具体数据见表1。
实施例8
将硅片分选后，在碱性溶液(NaOH溶液)进行粗抛，去除杂质和损伤层，得到粗抛后的硅片；
将粗抛后的硅片至于碱性溶液(NaOH溶液)中制绒后，清洗，甩干，绒面尺寸≤5μm；
将甩干后的硅片置于扩散炉中进行高温磷扩散，形成PN结后，等离子体刻蚀去边结和二次清洗去除PSG，发射区方阻为80ohm/squ；
然后对硅片进行PECVD镀膜：通过沉积(同时通入SiH4和N2O)在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为10-20nm，折射率为1.5；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为80nm，介电层[H]含量为20at.％。
背银、背铝和正银丝网印刷及烧结后(烧结曲线参数：干燥区温度从200℃递增至400℃，高温烧结区温度从550℃递增至850℃，传送带带速6.5m/min，)继续进行LID再生恢复工艺：炉温为200℃，并进行光辐照，光强2.5suns，辐照时间10s，最后进行测试分选，具体数据见表1。
对比实施例
对比例1工艺为常规晶体硅电池片工艺，即不经过实施例1中第4步的SiOx沉积工艺，仅沉积80nm的SiNx/SiNy减反层；对比例2电池片工艺在对比例1的基础上，增加LID再生恢复处理工艺：温度200℃，光强2.5suns，辐照时间10s；对比例3电池工艺在实施例6的基础上，去掉再生恢复处理工艺。
实施例与对比例具体测试结果如表1所示，其中Voc为电池片开路电压，Isc为电池片短路电流，FF为电池片填充因子，Eff为电池片转换效率，△Eff为电池片LID后转换效率衰减(相对值)，具体LID测试条件为：1000W/m2光强下连续辐照24h，△Pm为组件PID测试后功率衰减(相对值)，具体PID测试条件为：温度85℃、湿度85％RH、-1000V偏压下288h。
由对比例1和对比例2比较可见，再生恢复工艺可明显改善电池片光衰；由对比例1与实施例1和实施例4比较可见，具有SiOx薄膜的电池片LID得到一定程度的改善，衰减降低1.01％和0.90％；由对比例2与实施例2、实施例3和实施例5比较可见，具有SiOx薄膜电池片可提高电池片的再生恢复效果；由对比例1和对比例3可见，PERC电池具有更大的光衰，由对比例3和实施例6可见，再生恢复对PERC电池光衰的明显改善作用；由实施例2与实施例7和实施例8的比较可见，介电层的[H]含量和烧结炉带速对氢原子扩散及再生恢复效果的调控作用；综上，通过PECVD工艺、高温烧结工艺和再生恢复工艺的优化，可实现快速的LID再生恢复，时间在10s以内，完全可满足在线生产的需要。
此外，由对比例和实施例的比较可见，具有SiOx薄膜电池片可实现良好的抗PID效果。
表1实施例与对比例的晶体硅太阳能电池片的电学参数和衰减率测试结果
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，包括如下步骤：
将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成发射区后进行刻蚀，发射区方阻为70-120ohm/squ，二次清洗后，进行正面PECVD镀膜，介电层[H]含量为5-25at.％；最后采用丝网印刷制备背电极和正电极后，进行高温烧结，完成晶体硅太阳能电池片的制备；
所述的正面PECVD镀膜采用如下方法进行：通过沉积或等离子体氧化的方式在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3-20nm，折射率为1.4-1.6；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，所述的SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为65-90nm；所述的高温烧结采用如下方法进行：将丝网印刷后的电池片置于高温烧结炉中，所述的高温烧结炉由干燥区和烧结区两部分组成，其中，干燥区温度为180-400℃、烧结区温度为500-900℃、高温烧结炉的带速为1-8m/min。
2.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的硅片为单多晶硅片。
3.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的晶体硅太阳能电池片采用LID再生恢复工艺进行制备；所述的LID再生恢复工艺采用如下方法进行：将所述的晶体硅太阳能电池片置于再生恢复设备中，在进行50-250℃处理的同时施加光辐照或正向偏压。
4.根据权利要求3所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的光辐照由紫外光、可见光或红外光源提供，辐照光强＞1suns，光辐照的时间＜60s。
5.根据权利要求3所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的正向偏压由恒流源提供，电流密度≥10mA/cm2，施加时间＜60s。
6.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的沉积包括SiOx沉积和SiNx沉积；所述的SiOx沉积通过同时通入SiH4和N2O完成；所述的SiNx沉积通过同时通入SiH4和NH3完成。
7.根据权利要求1或2所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的等离子体氧化通过通入N2O完成。
8.根据权利要求1所述的用于晶体硅太阳能电池抗LID和PID的PECVD镀膜工艺，其特征在于，所述的刻蚀采用干法刻蚀或湿法刻蚀。
9.一种用于PERC电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，包括如下步骤：
将硅片粗抛、制绒，制绒后绒面尺寸≤5μm，清洗后甩干，接着进行高温磷扩散，形成方阻在70-120ohm/squ的发射区后，进行背面抛光，刻蚀背面绒面，硅刻蚀量为2-10μm；背面钝化层制备后进行正面PECVD镀膜，正面介电层[H]含量为5-25at.％；采用激光或化学腐蚀进行背面钝化层局部开窗，进行背电极印刷，用于高温烧结后形成局部接触；然后，进行正电极丝网印刷及烧结，完成PERC电池的制备；
所述的正面PECVD镀膜采用如下方法进行：通过沉积或等离子体氧化的方式在所述的发射区表面形成SiOx薄膜，SiOx膜厚为3-20nm，折射率为1.4-1.6；形成SiOx薄膜后，继续沉积，形成SiNx/SiNy减反层，所述的SiOx薄膜+SiNx/SiNy减反层的厚度为65-90nm。
10.根据权利要求9所述的用于PERC电池抗LID和PID的PECVD镀膜和烧结工艺，其特征在于，所述的背面钝化层采用如下方法进行制备：背面钝化层采用AlOx/SiNx或SiOx/SiNx叠层，其中AlOx层采用ALD或PECVD的方式沉积，层厚为4-25nm；SiOx层采用热氧化或PECVD制备，层厚为10-50nm；SiNx层采用PECVD沉积，层厚为100-200nm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |