CN104536169A - 一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法，其中，该结构体包括：第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；第二导电区域，其设置为与阵列基板中的第二导电层同层，第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；第一测量区域，其与第一导电区域连接；第二测量区域，其与第二导电区域连接。利用该结构体能够实现在对子像素中相应电容容值的检测，这为判断子像素以及液晶面板的性能和质量提供了数据依据。

Description

一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，具体地说，涉及一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体及方法。

背景技术

液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动以及低功率消耗等优点，其现已被广泛地应用于各种IT数码产品中，例如汽车导向系统、工程工作站、监视器、便携式信息终端、电子终端、电子书刊、笔记本计算机以及大型直视式平板电视机等。

传统的液晶面板主要包括薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及设置在这两个基板之间的液晶层。然而，这种显示面板的解析度较差、像素的开口率较低，并且彩色滤波基板与薄膜晶体管阵列基板接合时容易出现对位误差。

近年来，液晶面板技术中又发展出了将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板中(Color Filter on Array，简称为COA)的技术。如图1所示，基于COA技术生产的液晶面板主要包括COA基板101、对向基板102以及配置在这两个基板之间的液晶层103。其中，COA基板101包括玻璃基板104、氮化硅绝缘层105、电容电极106、第一氮化硅钝化保护层107、彩色滤光层108、第二氮化硅钝化保护层109和像素电极110。由于COA基板101中已经整合有彩色滤光层108，因此对向基板102此时不含有彩色滤光层。在COA技术中，彩色滤光层是直接形成于薄膜晶体管阵列基板上的，所以彩色滤波基板与薄膜晶体管阵列基板接合时也就不会产生对位误差。此外，COA技术还还能够使得所得到的液晶面板具有更好的解析度和更高的像素开口率。

在COA基板中，彩色滤光层108设置在电容电极106与像素电极110之间。然而，由于彩色滤光层的介电常数是会随温度变化的，因此这也就会导致由存储电极和像素电极构成的存储电容的电容值不稳定，使得COA基板生产过程中存储存储电容的电容值无法满足要求。所以就需要一种能够在生产过程中获取阵列基板中存储电容的电容值的装置。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了解决如何获取阵列基板中电容容值的问题。为了解决上述问题，本发明的实施例首先提供了一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体，所述结构体包括：

第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；

第二导电区域，其设置为与所述阵列基板中的第二导电层同层，所述第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；

第一测量区域，其与所述第一导电区域连接；

第二测量区域，其与所述第二导电区域连接。

根据本发明的一个实施例，所述第一导电层为电容电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。

根据本发明的一个实施例，所述第一导电层为公共电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。

根据本发明的一个实施例，所述第一测量区域与第一导电区域同层，且/或，第二测量区域与第二导电区域同层。

根据本发明的一个实施例，所述第二测量区域与第一测量区域同层，其通过过孔与所述第二导电区域连接。

根据本发明的一个实施例，所述第一导电区域和/或第二导电区域的形状为圆形。

根据本发明的一个实施例，所述第一测量区域与第二测量区域的几何尺寸相同。

根据本发明的一个实施例，所述第一测量区域与第二测量区域间隔预设距离。

根据本发明的一个实施例，所述第一导电区域与第一测量区域之间存在第一匹配网络；且/或，

所述第二导电区域与第二测量区域之间存在第二匹配网络。

本发明还提供了一种用于获取阵列基板中电容容值的方法，所述方法包括：

在阵列基板上形成如上任一项所述的结构体；

通过所述结构体中第一测量区域和第二测量区域，测量得到所述结构体中第一导电区域与第二导电区域所形成的电容的容值；

根据所得到的容值和所述第一导电区域与第二导电区域的重叠面积，以及阵列基板中子像素的像素电极与公共电极或电容电极的重叠面积，计算得到所述子像素的像素电极与公共电极或电容电极所形成的电容的容值。

本发明所提供的结构体与阵列基板中子像素的相应部位(例如，子像素的像素电极与公共电极所形成的结构体，或是子像素的像素电极与电容电极所形成的结构体等)的结构相同。所以测量得到该结构体所形成的电容容值后，根据该结构体所形成的电容的基板面积(即第一导电区域与第二导电区域的重叠面积)和子像素中相应电容的极板面积(即该子像素的像素电极与公共电极的重叠面积，或是该像素的像素电极与电容电极的重叠面积)，即可得到该子像素中相应电容的容值，从而实现在对子像素中相应电容容值的检测，这为判断该子像素以及液晶面板的质量。

本发明所提供的获取阵列基板中电容容值的方法在液晶面板的预设位置处形成与阵列基板中子像素结构相同的结构体，通过测量该结构体所形成的电容容值来确定出子像素中相应部位的电容容值。该方法实现了对液晶面板中子像素中电容容值的测量，从而为根据电容容值来对液晶面板的性能参数以及生产状态进行分析提供了数据基础。

本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍：

图1是基于COA技术的液晶面板的结构示意图；

图2是根据本发明第一个实施例的结构体的示意图；

图3是图2所示的结构体中第一区域的结构示意图；

图4是根据本发明一个实施例的获取阵列基板中电容容值的方法的流程图。

具体实施方式

以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。

同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本发明实施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本发明可以不用这里的具体细节或者所描述的特定方式来实施。

图2示出了本实施例所提供的用于获取阵列基板中电容容值的结构体的示意图。

从图2中可以看出，本实施例所提供的结构体包括区域201、第一测量区域202和第二测量区域203。结合图3所示出的区域201的结构示意图可以看出，本实施例所提供的结构体的区域201包括第一导电区域204和第二导电区域205。本实施例所提供的结构体的结构与阵列基板中子像素的相应部位的结构相同，即结构体的第一导电区域204与阵列基板中的电容电极同层，第二导电区域205与阵列基板中的像素电极同层，第一导电区域204与第二导电区域205之间存在有彩色滤光层206以及钝化保护层。

本实施例中，第一导电区域204与第二导电区域205全部重叠，即二者分布在阵列基板不同材料层的相同位置处，并且二者具有相同的几何尺寸。所以，由第一导电区域204与第二导电区域205所形成的电容的极板面积也就是第一导电区域204或第二导电区域205的面积。

需要说明的是，在本发明的其他实施例中，第一导电区域204与第二导电区域205也可以部分重叠。此时，由第一导电区域204与第二导电区域205所形成的电容的极板面积也就是第一导电区域204与第二导电区域205的重叠部分的面积。

本实施例中，第一导电区域204与第二导电区域205的形状均为直径为500微米的圆形。第一导电区域204和第二导电区域205的这种圆形结构能够有效减小其在加工过程中所产生的形变，从而提高导电区域的稳定性。然而，在本发明的其他实施例中，第一导电区域204和/或第二导电区域205的尺寸也可以为其他合理值，例如300微米到700微米之间的其他值等，同时，这两个区域的形状也可以为其他合理形状，例如矩形、多边形等，本发明不限于此。

第一测量区域202与第一导电区域204连接，第二测量区域203与第二导电区域205连接。所以，通过对第一次测量区域202与第二测量区域203施加探针，即可实现对第一导电区域204与第二导电区域205所形成的电容容值的测量。

由于现有的生产工艺中像素电极所处的金属层厚度较薄，因此如果结构体的第二测量区域设置为与像素电极同层，那么测量电容时探针很容易将第二测量区域刺破，从而造成结构体的损坏。电容电极所处的金属层厚度较厚，不易被探针刺破。所以本实施例中，第一测量区域202和第二测量区域203均设置为与电容电极同层，第二测量区域203通过过孔与第二导电区域205连接。这样能够保证对第一测量区域202和第二测量区域203施加探针时，这两个测量区域不会被刺破，从而保障了电容电极的可靠性以及测量结果的准确性。

为了方便施加探针，本实施例所提供的结构体的第一测量区域202和第二测量区域203的上方(即靠近液晶层的方向)均无其他非导电介质覆盖。

当然，在本发明的其他实施例中，如果像素电极所处的金属层的物理强度能够使得该金属层不易被探针刺破，那么第一测量区域和/或第二测量区域也可以设置为与像素电极同层，本发明不限于此。

本实施例中，第一测量区域202和第二测量区域204的形状均为长300微米、宽200微米的矩形，同时二者之间的间隔距离为200微米。第二测量区域202与第二测量区域203的形状和尺寸相同，这样能够减小因二者几何尺寸不同而对测量结果造成的影响。第二测量区域202与第二测量区域203间隔一定距离能够减小二者之间的相互干扰，从而保证电容测量结果的准确性。

本实施例中，第一测量区域202与第一导电区域204之间，以及第二测量区域203与第二导电区域205之间，均配置有相应的匹配网络。匹配网络能够减小金属走线对测量结果造成的影响，从而进一步地提高测量结果的准确性。

当然，在本发明的其他实施例中，第一导电区域还可以设置为与阵列基板的公共电极同层，这样有第一导电区域与第二导电区域之间则为液晶层，本发明不限于此。

从上述描述中可以看出，本实施例所提供的结构体与阵列基板中子像素的相应部位(例如，子像素的像素电极与公共电极所形成的结构，或是子像素的像素电极与电容电极所形成的结构等)的结构相同。所以测量得到该结构体所形成的电容容值后，根据该结构体所形成的电容的基板面积(即第一导电区域与第二导电区域的重叠面积)和子像素中相应电容的极板面积(即该子像素的像素电极与公共电极的重叠面积，或是该像素的像素电极与电容电极的重叠面积)，即可得到该子像素中相应电容的容值，从而实现在对子像素中相应电容容值的检测，这为判断该子像素以及液晶面板的质量提供了数据依据。

本发明还提供了一种利用上述结构体来获取阵列基板中电容容值的方法。本实施例中，通过该方法所获取到的阵列基板中由像素电极和电容电极所构成的存储电容的容值，图4示出了该方法的流程图。

如图4所示，本实施例所提供的方法首先在步骤S401中在阵列基板中形成以结构体。其中，该结构体的第一导电区域与阵列基板中的到电容电极同层，第二导电区域与阵列基板中的像素电极同层，第一测量区域和第二测量区域均与第一导电区域同层。由于像素电极所处的金属层厚度较薄，所以如果结构体的第二测量区域设为与像素电极同层，那么测量电容时探针很容易将第二测量区域刺破，从而造成结构体的损坏。而电容电极所处的金属层厚度较厚，不易被探针刺破。所以本实施例中，第一测量区域和第二测量区域均与电容电极同层，并裸露在外。

当然，在本发明的其他实施例中，如果像素电极所处的金属层的物理强度能够使得该金属层不易被探针刺破，那么第一测量区域和/或第二测量区域也可以设置为与像素电极同层，本发明不限于此。

在步骤S402中，通过步骤S401中所形成的结构体的第一测量区域和第二测量区域，测量得到该结构体中第一导电区域与第二导电区域所形成的电容的容值C₁。

电容的容值C通常可以通过如下表达式计算得到：

$C=\mathrm{\ϵ}\·{\mathrm{\ϵ}}_0\·\frac{S}{d}---\left(1\right)$

其中，ε和ε₀分别表示相对介电常数和真空介电常数，S表示电容的两个极板的重叠面积，d表示电容的两个极板之间的距离。

本实施例中，由于步骤S401中所形成的结构体与阵列基板中子像素的相应部位的结构相同，所以该结构体与子像素的相对介电常数ε、真空介电常数ε₀和距离d相等。因此，当确定出结构体中第一导电区域与第二导电区域所形成的电容的容值C₁后，根据结构体中第一导电区域与第二导电区域的重叠面积S₁，以及子像素的像素电极与电容电极的重叠面积S₂，根据如下表达式便可以计算得到子像素的像素电极与电容电极所形成的电容的容值C_x：

$C_x=\frac{C_1\·S_2}{S_1}---\left(2\right)$

因此本实施例所提供的方法在步骤S403中获取结构体中第一导电区域与第二导电区域的重叠面积S₁，并在步骤S404中获取子像素的像素电极与电容电极的重叠面积S₂。

最后在步骤S405中，根据步骤S402中所获取的容值C₁、步骤S403中所获取的重叠面积S₁，以及在步骤S404中所获取的重叠面积S₂，采用表达式(2)即可计算得到子像素的像素电极与电容电极所形成的电容的容值C_x。

子像素的像素电极与电容电极之间存在彩色滤光层，对于某一型号的阵列基板来说，子像素的像素电极与电容电极所构成的电容的容值仅与彩色滤光层的介电常数有关。而彩色滤光层的介电常数与温度存在函数关系，所以通过测量子像素的像素电极与电容电极所构成的电容的容值，还能够实现对生产温度的监控。

当然，在本发明的其他实施例中，在步骤S401中所形成结构体中的第一导电区域也可以设置为与子像素的公共电极同层，此时最终测量得到的电容容值则是该子像素的像素电极与公共电极所构成的电容的容值，本发明不限于此。

从上述描述中可以看出，本实施例所提供的获取阵列基板中电容容值的方法在液晶面板的预设位置处形成与阵列基板中子像素结构相同的结构体，通过测量该结构体所形成的电容容值来确定出子像素中相应部位的电容容值。该方法实现了对液晶面板中子像素中电容容值的测量，从而为根据电容容值来对液晶面板的性能参数以及生产状态进行分析提供了数据基础。

应该理解的是，本发明所公开的实施例不限于这里所公开的特定结构、处理步骤或材料，而应当延伸到相关领域的普通技术人员所理解的这些特征的等同替代。还应当理解的是，在此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并不意味着限制。

说明书中提到的“一个实施例”或“实施例”意指结合实施例描述的特定特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，说明书通篇各个地方出现的短语“一个实施例”或“实施例”并不一定均指同一个实施例。

为了方便，在此使用的多个项目、结构单元、组成单元和/或材料可出现在共同列表中。然而，这些列表应解释为该列表中的每个元素分别识别为单独唯一的成员。因此，在没有反面说明的情况下，该列表中没有一个成员可仅基于它们出现在共同列表中便被解释为相同列表的任何其它成员的实际等同物。另外，在此还可以连同针对各元件的替代一起来参照本发明的各种实施例和示例。应当理解的是，这些实施例、示例和替代并不解释为彼此的等同物，而被认为是本发明的单独自主的代表。

此外，所描述的特征、结构或特性可以任何其他合适的方式结合到一个或多个实施例中。在上面的描述中，提供一些具体的细节，例如长度、宽度、形状等，以提供对本发明的实施例的全面理解。然而，相关领域的技术人员将明白，本发明无需上述一个或多个具体的细节便可实现，或者也可采用其它方法、组件、材料等实现。在其它示例中，周知的结构、材料或操作并未详细示出或描述以免模糊本发明的各个方面。

虽然上述示例用于说明本发明在一个或多个应用中的原理，但对于本领域的技术人员来说，在不背离本发明的原理和思想的情况下，明显可以在形式上、用法及实施的细节上作各种修改而不用付出创造性劳动。因此，本发明由所附的权利要求书来限定。

Claims (10)

1.一种用于获取阵列基板中电容容值的结构体，其特征在于，所述结构体包括：

第一导电区域，其设置为与阵列基板中的第一导电层同层；

第二导电区域，其设置为与所述阵列基板中的第二导电层同层，所述第二导电区域与第一导电区域部分或全部重叠；

第一测量区域，其与所述第一导电区域连接；

第二测量区域，其与所述第二导电区域连接。

2.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一导电层为电容电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。

3.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一导电层为公共电极所处的导电层，所述第二导电层为像素电极所处的导电层。

4.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一测量区域与第一导电区域同层，且/或，第二测量区域与第二导电区域同层。

5.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第二测量区域与第一测量区域同层，其通过过孔与所述第二导电区域连接。

6.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一导电区域和/或第二导电区域的形状为圆形。

7.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一测量区域与第二测量区域的几何尺寸相同。

8.如权利要求1所述的结构体，其特征在于，所述第一测量区域与第二测量区域间隔预设距离。

9.如权利要求1～8中任一项所述的结构体，其特征在于，

所述第一导电区域与第一测量区域之间存在第一匹配网络；且/或，

所述第二导电区域与第二测量区域之间存在第二匹配网络。

10.一种用于获取阵列基板中电容容值的方法，其特征在于，所述方法包括：

在阵列基板上形成如权利要求1～9中任一项所述的结构体；

通过所述结构体中第一测量区域和第二测量区域，测量得到所述结构体中第一导电区域与第二导电区域所形成的电容的容值；

根据所得到的容值和所述第一导电区域与第二导电区域的重叠面积，以及阵列基板中子像素的像素电极与公共电极或电容电极的重叠面积，计算得到所述子像素的像素电极与公共电极或电容电极所形成的电容的容值。