CN104498895B - 一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 - Google Patents
一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104498895B CN104498895B CN201410811923.5A CN201410811923A CN104498895B CN 104498895 B CN104498895 B CN 104498895B CN 201410811923 A CN201410811923 A CN 201410811923A CN 104498895 B CN104498895 B CN 104498895B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- silicon oxynitride
- ultrathin silicon
- oxynitride membrane
- membrane material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法:将衬底置于化学气相沉积设备腔体中,通入NH3、O2气体和含有SiH4的气体作为反应气体,通入载体和保护气体,进行气相沉积,获得氮氧化硅膜材料,其中,所述化学气相沉积设备腔体的工作温度为100‑260℃,工作压力为1‑4Pa,功率为200‑450W;其中,所述气相沉积的时间为15‑40s;所述SiH4气体与O2气体的体积比为9‑110,所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为3‑11,所述含有SiH4的气体与载体和保护气体的体积比为0.1‑1。本发明在四英寸硅基体上制备得到的氮氧化硅膜材料的厚度为6‑9nm,薄膜不均匀性低于0.7%。
Description
技术领域
本发明属于光学、半导体和微电子器件技术领域,具体涉及一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途。
背景技术
薄膜是一种特殊的物质形态,由于其在厚度这一特定方向上尺寸很小,只是微观可测的量,而且在厚度方向上由于表面、界面的存在,使物质连续性发生中断,由此使得薄膜材料产生了与块状材料不同的独特性能。光学薄膜是由薄的分层介质构成的,通过界面传播光束的一类光学介质材料,广泛用于光学和光电子技术领域,制造各种光学仪器。光学薄膜技术在理论、设计、计算和工艺方面已形成了完整的体系,一些新型微观结构的功能薄膜被不断开发出来,这些功能薄膜的相继出现,使得光学薄膜技术广泛地渗透到各个新兴的科学研究领域中。
氮氧化硅薄膜是一种良好的耐高温陶瓷材料,具有优异的力学性能、热力学性能、化学稳定性及耐原子氧特性;由于氮氧化硅是二氧化硅和氮化硅的中间相,其光学和电学性能介于两者之间,因而可通过改变化学组成,在一定范围内调控其折光指数(1.46(SiO2)~2.3(SiN1.3))及介电常数(3.9(SiO2)和7.8(SiN1.3));另外氮氧化硅还可有效地抑制硼、氧、钠等杂质元素扩散。这一系列优良特性吸引研究者们围绕氮氧化硅材料的制备及其在微电子器件、光波导、梯度光学材料等方面的应用开展了大量工作,其中又以氮氧化硅薄膜材料的制备及应用研究最引人关注。
当前在微电子器件、光波导材料等方面主要采用二氧化硅作为介质薄膜。二氧化硅薄膜虽具有低的介电常数、缺陷密度和残余应力,但在阻止氧、钠、硼等杂质元素的扩散方面不如氮化硅;然而氮化硅中Si悬空键的存在及其随氮含量增加而增加的特点会导致薄膜在一定条件下表现出很高的介电常数和拉应力,并且富氮SiNX膜含有很高的正电荷和负电荷缺陷,成为电荷俘获的中心。而氮氧化硅薄膜材料由于兼有氮化硅和二氧化硅的优良特性,很有潜力替代二氧化硅薄膜材料在微电子和光学等方面得到应用。
随着薄膜的应用越来越广泛,薄膜的制备技术也逐渐成为高科技产品加工技术中的重要手段。薄膜的制备方法很多,如气相生长法、液相生长法(或气、液相外延法)、氧化法、扩散与涂布法、电镀法等等,而每一种制膜方法中又可分为若干种方法。等离子体化学气相沉积(PECVD)法由于其灵活性、沉积温度低,重复性好的特点,提供了在不同基体上制备各种薄膜的可能性,成为制备氮氧化硅薄膜最常用的方法之一。
薄膜的均匀性是薄膜制备过程中首先需要解决的关键问题和挑战。薄膜厚度的不均匀性,反映了待镀基片上所沉积的薄膜厚度依基片在真空室里所处位置的变化而变化的情况。膜厚不均匀性包括两个方面:①在同一组镀制过程中处于不同基片位置沉积的薄膜有近似的膜厚分布;②获得的每片薄膜只存在一定范围内的膜厚误差分布。膜厚不均匀性的方面①保证了产业化的镀膜效率,方面②保证了每个成品的性能。因此,膜厚不均匀性是衡量镀膜装置性能和薄膜质量的一项重要指标,直接影响到镀膜器件的可靠性、稳定性,以及产品的一致性。对光学、光电等器件生产的成品率影响很大。
而目前研究薄膜均匀性的较少,尤其是运用在器件中的光学/介质薄膜,对于采用高密度等离子体增强化学气相沉积设备制备氮氧化硅膜材料的方法,操作条件较多,包括温度、压力、功率、时间、通入气体比例等,且相互之间有着密切的相互关系,不是独立的单一变量,因此在本领域探究一种均匀性良好的氮氧化硅制备方法是非常重要的。
发明内容
为了克服现有技术中氮氧化硅薄膜不均匀性较大的缺陷,本发明的目的之一在于提供了一种氮氧化硅膜材料,本发明提供的膜材料具有良好的均匀性,厚度约为8nm,其具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性,可以作为绝缘层、保护膜或光学膜,广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域。
为达上述目的,本发明采用如下技术手段:
一种超薄氮氧化硅膜材料,所述氮氧化硅膜材料的厚度为6-9nm;且在四英寸基底范围内,薄膜不均匀性低于0.7%;
其中,所述不均匀性的计算方法为:薄膜不均匀性=(最大值-最小值)/(平均值×2)×100%,四英寸基底范围内,所测不同点数不少于10个,优选不少于17个。
其中,所述最大值为氮化硅膜材料测试点厚度的最大值;最小值为氮化硅膜材料测试点厚度的最小值;平均值为氮化硅膜材料测试点厚度的平均值,计算公式为:平均值=测试点厚度之和/测试点个数。
作为优选,所述超薄氮氧化硅膜材料的组分为SiOxNY,其中0<x<2,0<Y<2。
本发明的目的之二在于提供一种本发明所述的超薄氮氧化硅膜材料的制备方法,包括如下步骤:
将衬底置于化学气相沉积设备腔体中,通入NH3、O2和含有SiH4的气体作为反应气体,通入载体和保护气体,进行气相沉积,获得氮氧化硅膜材料;
其中,所述化学气相沉积设备腔体的工作温度为100-260℃,工作压力为1-4Pa,功率为200-450W;
其中,所述气相沉积的时间为15-40s;所述含有SiH4的气体与O2气体的体积比为9-110,所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为3-11,所述含有SiH4的气体与载体和保护气体的体积比为0.1-1。其中载气和保护气体为同一种气体。
对于采用化学气相沉积设备制备氮氧化硅膜材料的方法,操作条件较多,包括温度、压力、功率、时间、通入气体比例等,且相互之间有着密切的相互关系,不是独立的单一变量,因此如何寻找一个合适的操作条件,对于本领域技术人员来讲是具有很大难度的。
采用化学气相沉积设备制备氮氧化硅膜材料的操作条件中,通过将化学气相沉积设备腔体的工作温度设置在100-260℃,工作压力设置在1-4Pa,功率设置为200-450W;且控制气相沉积的时间为15-40s;控制通入的含有SiH4的气体与O2气体的体积比为9-110,控制通入的含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为3-11,控制通入的含有SiH4的气体与载体和保护气体的体积比为0.1-1,实现了控制厚度为8nm左右的氮氧化硅膜材料薄膜不均匀性低于0.7%的目的。
本发明采用的化学气相沉积设备制备氮氧化硅膜材料的操作条件中,所限定的数值包括任何在所述范围内的数值,例如,化学气相沉积设备腔体的工作温度可以为110℃、157℃、218℃、260℃等,工作压力可以为1.2Pa、1.8Pa、2.2Pa、2.8Pa、3.2Pa、3.9Pa等,功率可以为220W、295W、362W、375W、387W、423W、450W等,气相沉积的时间可以为18s、22s、28s、33s、35s、38s等,通入的含有SiH4的气体与O2气体的体积比可以为10、30、80、102等,通入的含有SiH4的气体与NH3气体的体积比可以为3.5、4.8、9.3、10.5等。
作为优选,所述化学气相沉积设备为高密度等离子体增强化学气相沉积设备;优选抽真空至1×10-4-1×10-6Pa。
作为优选,所述载气和保护气为惰性气体,优选为氖气、氪气、氮气、氩气中的1种或两种的混合。
作为优选,所述气体的纯度大于99%,优选为大于99.99%。
优选地,所述含有SiH4的气体中SiH4占1-10%,氩气占90-99%,优选为SiH4占5%,氩气占95%。但是所述含有SiH4的气体的总体纯度仍应大于99%。
作为优选,所述衬底为P型掺杂单晶硅、N型掺杂单晶硅或金属中的任意1种;任选地在上述衬底上制备一层均匀的金属或非金属薄膜作为实验的衬底。
优选地,所述P型掺杂单晶硅或N型掺杂单晶硅衬底进行如下预处理:用HF酸浸泡后用去离子水清洗,然后干燥。
优选地,所述HF酸的质量浓度为2-10%,例如3%、5%、7%、8.3%、9%等,进一步优选为5%。
优选地,所述用HF酸浸泡的时间为0.5-10min,例如1min、1.4min、3min、5min、7min、8.4min、9min等,进一步优选为3min。
优选地,所述金属衬底进行如下预处理:用丙酮和异丙醇酸分别超声清洗,然后干燥。
优选地,所述超声的时间为2min以上,优选为5min。
作为优选,气相沉积设备腔体的工作温度为230℃,工作压力为2Pa,功率为362W;所述气相沉积的时间为22s;所述含有SiH4的气体与O2气体的体积比为100,所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为4.7,所述含有SiH4的气体与氩气的体积比为0.33。
作为优选技术方案,本发明所述制备方法包括如下步骤:
(1)将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,抽真空使背底真空度为1×10-4-1×10-6Pa,加热衬底到100-260℃;
(2)按1:(9-110)的体积比通入O2气体和含有SiH4的气体作为反应气体,按1:(3-11)的体积比通入含有NH3的气体和SiH4作为反应气体,通入氩气作为载气和保护气体,调整工作气压为1-4Pa,功率为200-450W,进行化学气相沉积15-40s;
(3)在保护性气体的气氛下,降至室温,得到所述的超薄氮氧化硅膜材料。
作为优选,步骤(3)所述的保护性气体为惰性气体;优选为氩气。
本发明的目的之三在于提供本发明所述的超薄氮氧化硅膜材料的用途,所述氮氧化硅膜材料作为绝缘层、保护膜或光学膜,可应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
(1)本发明提供的氮氧化硅膜材料的厚度在8nm左右,且具有良好的均匀性,在四英寸基底范围内,薄膜不均匀性低于0.7%;其较现有磁控溅射法和电子束蒸镀法得到的氮氧化硅膜材料的均匀性有明显提高;
(2)本发明使用的衬底采用P(或N)型掺杂单晶硅、金属或上述衬底上制备一层金属或非金属薄膜,可以在不同材料界面制备具有良好均匀性的,厚度为8nm左右的氮氧化硅膜材料;
(3)本发明提供的具有良好均匀性超薄的硅化合物薄膜材料制备工艺简单易行,具有极大的应用潜力。
附图说明
图1为本发明实施例1性能表征测试点厚度的分布图。
具体实施方式
为便于理解本发明,本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了,所述实施例仅仅是帮助理解本发明,不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
一种氮氧化硅膜材料,通过如下方法制备得到:
(1)以抛光的P型(100)掺杂单晶硅做衬底,并进行如下预处理:首先将所述衬底用5wt%的HF酸浸泡3min,再用去离子水清洗,最后干燥其表面;
(2)将步骤(1)获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,并将沉积室抽真空,使背底真空度在1×10-5Pa左右,并加热衬底到230℃;
(3)以纯度均大于99.99%的含有SiH4的气、NH3气、O2气和Ar2气为气源;其中,含有SiH4的气、O2气、NH3气为反应气体,Ar2气为载气和保护气,供给的Ar2气、O2气、NH3气和含有SiH4的气体气流量分别为:400sccm、1.2sccm、26.8sccm、130.5sccm;控制沉积室的工作气压为2Pa,功率为362W,进行化学气相沉积22s;
(4)在Ar2气气氛下,降温至室温,获得均匀性良好的,厚度为8nm左右的氮氧化硅膜材料;
性能表征:
将获得的SiON膜材料进行光谱椭偏仪(设备型号为SE 850)测试,测试条件为:室温,200~930nm波长范围扫描,选取17个测试点,所述17个测试点的分布为1个中心点,8个半径为r的圆周点,8个半径为2r的圆周点,所述圆周点均匀分布于所在圆周上,其中,r的取值小于基片的最短边长的1/4(图1为测试点的示意图);测试结果如图1所示;通过计算其不均匀性为0.7%。
实施例2
一种氮氧化硅膜材料,通过如下方法制备得到:
(1)在抛光的P型(100)掺杂单晶硅片上制备200nm厚的Ti膜,并以此做为衬底,并进行如下预处理:首先用丙酮和异丙醇各超声5min,再用去离子水清洗,最后干燥其表面;
(2)将步骤(1)获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,并将沉积室抽真空,使背底真空度在1×10-5Pa左右,并加热衬底到150℃;
(3)以纯度均大于99.99%的含有SiH4的气、NH3气、O2气和Ar2气为气源;其中,含有SiH4的气、O2气、NH3气为反应气体,Ar2气为载气和保护气,供给的Ar2气、O2气、NH3气和含有SiH4的气体气流量分别为:385sccm、4sccm、24sccm、130.5sccm;控制沉积室的工作气压为3Pa,功率为328W,进行化学气相沉积25s;
(4)在Ar2气气氛下,降温至室温,获得均匀性良好的,厚度约为9nm的氮氧化硅膜材料;
将获得的SiON膜材料进行光谱椭偏仪(设备型号为SE 850)测试,测试方法与实施例1的性能表征方法相同;过计算其不均匀性为0.68%。
实施例3
一种氮氧化硅膜材料,通过如下方法制备得到:
(1)以抛光的蓝宝石做衬底,并进行如下预处理:首先将所述衬底用丙酮和异丙醇各超声5min,再用去离子水清洗,最后干燥其表面;
(2)将步骤(1)获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,并将沉积室抽真空,使背底真空度在1×10-6Pa左右,并加热衬底到260℃;
(3)以纯度均大于99.99%的含有SiH4的气、NH3气、O2气和Ar2气为气源;其中,含有SiH4的气、O2气、NH3气为反应气体,Ar2气为载气和保护气,供给的Ar2气、O2气、NH3气和含有SiH4的气体气流量分别为:450sccm、10.5sccm、17.5sccm、130.5sccm;控制沉积室的工作气压为2.5Pa,功率为280W,进行化学气相沉积30s,获得一层厚度为10nm左右的的氮氧化硅薄膜;
(4)在Ar2气气氛下,降温至室温,获得均匀性良好的,厚度为8.5nm左右的氮氧化硅膜材料;
将获得的氮氧化硅膜材料进行光谱椭偏仪(设备型号为SE 850)测试,测试方法与实施例1的性能表征方法相同;通过计算其不均匀性为0.65%。
实施例4
一种氮氧化硅膜材料,通过如下方法制备得到:
(1)以抛光的蓝宝石做衬底,并进行如下预处理:首先将所述衬底用丙酮和异丙醇各超声2min,再用去离子水清洗,最后干燥其表面;
(2)将步骤(1)获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,并将沉积室抽真空,使背底真空度在1×10-6Pa左右,并加热衬底到100℃;
(3)以纯度均大于99.99%的含有SiH4的气、NH3气、O2气和Ar2气为气源;其中,含有SiH4的气、O2气、NH3气为反应气体,Ar2气为载气和保护气,供给的Ar2气、O2气、NH3气和含有SiH4的气体气流量分别为:145sccm、14.5sccm、43.5sccm、130.5sccm;控制沉积室的工作气压为4Pa,功率为200W,进行化学气相沉积15s,获得一层厚度为8nm左右的的氮氧化硅薄膜;
(4)在Ar2气气氛下,降温至室温,获得均匀性良好的,厚度为8nm左右的氮氧化硅膜材料;
将获得的氮氧化硅膜材料进行光谱椭偏仪(设备型号为SE 850)测试,测试方法与实施例1的性能表征方法相同;通过计算其不均匀性为0.62%。
实施例5
一种氮氧化硅膜材料,通过如下方法制备得到:
(1)以抛光的P型(100)掺杂单晶硅做衬底,并进行如下预处理:首先将所述衬底用2wt%的HF酸浸泡10min,再用去离子水清洗,最后干燥其表面;
(2)将步骤(1)获得的预处理后的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,并将沉积室抽真空,使背底真空度在1×10-4Pa左右,并加热衬底到150℃;
(3)以纯度均大于99.99%的含有SiH4的气、NH3气、O2气和Ar2气为气源;其中,含有SiH4的气、O2气、NH3气为反应气体,Ar2气为载气和保护气,供给的Ar2气、O2气、NH3气和含有SiH4的气体气流量分别为:1305sccm、2.6sccm、13.1sccm、130.5sccm;控制沉积室的工作气压为1Pa,功率为450W,进行化学气相沉积40s;
(4)在Ar2气气氛下,降温至室温,获得均匀性良好的,厚度为8nm左右的氮氧化硅膜材料;
将获得的氮氧化硅膜材料进行光谱椭偏仪(设备型号为SE 850)测试,测试方法与实施例1的性能表征方法相同;通过计算其不均匀性为0.66%。
申请人声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法,但本发明并不局限于上述详细方法,即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (26)
1.一种超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述氮氧化硅膜材料的厚度为6-9nm;且在四英寸基底范围内,薄膜不均匀性低于0.7%;
其中,所述不均匀性的计算方法为:薄膜不均匀性=(最大值-最小值)/(平均值×2)×100%,四英寸基底范围内,所测不同点数不少于10个;
所述超薄氮氧化硅膜材料采用包括如下步骤的方法制备:
将衬底置于化学气相沉积设备腔体中,通入NH3、O2和含有SiH4的气体作为反应气体,通入载气和保护气体,进行气相沉积,获得氮氧化硅膜材料;
其中,所述化学气相沉积设备腔体的工作温度为100-260℃,工作压力为1-4Pa,功率为200-450W;
其中,所述气相沉积的时间为15-40s;所述含有SiH4的气体与O2气体的体积比为9-110,所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为3-11,所述含有SiH4的气体与载气和保护气体的体积比为0.1-1。
2.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所测不同点数不少于17个。
3.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述超薄氮氧化硅膜材料的组分为SiOxNY,其中0<x<2,0<Y<2。
4.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述化学气相沉积设备为高密度等离子体增强化学气相沉积设备。
5.根据权利要求4所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,抽真空至1×10-4-1×10- 6Pa。
6.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述载气和保护气为惰性气体。
7.根据权利要求6所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述载气和保护气为氖气、氪气、氩气中的1种或两种的混合。
8.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述气体的纯度大于99%。
9.根据权利要求8所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述气体的纯度为大于99.99%。
10.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述含有SiH4的气体中SiH4占1-10%,氩气占90-99%。
11.根据权利要求10所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述含有SiH4的气体中SiH4占5%,氩气占95%。
12.根据权利要求1-11任一项所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述衬底为P型掺杂单晶硅、N型掺杂单晶硅或金属中的任意1种。
13.根据权利要求12所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,在上述衬底上制备金属或非金属薄膜作为实验的衬底。
14.根据权利要求12所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述P型掺杂单晶硅或N型掺杂单晶硅衬底进行如下预处理:用HF酸浸泡后用去离子水清洗,然后干燥。
15.根据权利要求14所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述HF酸的质量浓度为2-10%。
16.根据权利要求15所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述HF酸的质量浓度为5%。
17.根据权利要求14所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述用HF酸浸泡的时间为0.5-10min。
18.根据权利要求17所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述用HF酸浸泡的时间为3min。
19.根据权利要求12所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述金属衬底进行如下预处理:用丙酮和异丙醇分别超声清洗,然后干燥。
20.根据权利要求19所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述超声的时间为2min以上。
21.根据权利要求20所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述超声的时间为5min。
22.根据权利要求1-11任一项所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,化学气相沉积设备腔体的工作温度为230℃,工作压力为2Pa,功率为362W;所述气相沉积的时间为22s;所述含有SiH4的气体与O2气体的体积比为100,所述含有SiH4的气体与NH3气体的体积比为4.7,所述含有SiH4的气体与氩气的体积比为0.33。
23.根据权利要求1所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,抽真空使背底真空度为1×10-4-1×10-6Pa,加热衬底到100-260℃;
(2)按1:(9-110)的体积比通入O2气体和含有SiH4的气体作为反应气体,按1:(3-11)的体积比通入NH3气体和含有SiH4的气体作为反应气体,通入氩气作为载气和保护气体,调整工作气压为1-4Pa,功率为200-450W,进行化学气相沉积15-40s;
(3)在保护性气体的气氛下,降至室温,得到所述的超薄氮氧化硅膜材料。
24.根据权利要求23所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,步骤(3)所述的保护性气体为惰性气体。
25.根据权利要求24所述的超薄氮氧化硅膜材料,其特征在于,所述的保护性气体为氩气。
26.一种权利要求1-25任一项所述的超薄氮氧化硅膜材料的用途,其特征在于,所述氮氧化硅膜材料作为绝缘层、保护膜或光学膜,应用于半导体、微波、光电子或光学器件领域。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410811923.5A CN104498895B (zh) | 2014-12-23 | 2014-12-23 | 一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410811923.5A CN104498895B (zh) | 2014-12-23 | 2014-12-23 | 一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104498895A CN104498895A (zh) | 2015-04-08 |
CN104498895B true CN104498895B (zh) | 2017-02-22 |
Family
ID=52940345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410811923.5A Active CN104498895B (zh) | 2014-12-23 | 2014-12-23 | 一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104498895B (zh) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
Families Citing this family (153)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US9984869B1 (en) * | 2017-04-17 | 2018-05-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method of plasma-assisted cyclic deposition using ramp-down flow of reactant gas |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
CN109468615A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-03-15 | 湖北大学 | 纳米涂层及其制备方法 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
CN111696849A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 上海新微技术研发中心有限公司 | 一种复合薄膜、复合硅晶圆及其制备方法与应用 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN112635146B (zh) * | 2020-12-09 | 2022-06-07 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种高频应用的软磁混合粉末及其制备方法和用途 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN114656162B (zh) * | 2022-04-09 | 2023-12-05 | 东莞市嘉镁光电科技有限公司 | 一种功能玻璃及其制备工艺 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5976991A (en) * | 1998-06-11 | 1999-11-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino) silane |
CN1930322A (zh) * | 2004-03-05 | 2007-03-14 | 应用材料公司 | 减少斜壁沉积的硬件设备 |
CN102899633A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-30 | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 | 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法 |
CN104109846A (zh) * | 2013-04-22 | 2014-10-22 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011129337A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Panasonic Corp | 機能膜の製造方法 |
-
2014
- 2014-12-23 CN CN201410811923.5A patent/CN104498895B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5976991A (en) * | 1998-06-11 | 1999-11-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride using bis(tertiarybutylamino) silane |
CN1930322A (zh) * | 2004-03-05 | 2007-03-14 | 应用材料公司 | 减少斜壁沉积的硬件设备 |
CN102899633A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-30 | 东方电气集团(宜兴)迈吉太阳能科技有限公司 | 一种选择性发射极电池掩膜的制备方法 |
CN104109846A (zh) * | 2013-04-22 | 2014-10-22 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法及衬底处理装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
US11972944B2 (en) | 2022-10-21 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11970766B2 (en) | 2023-01-17 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104498895A (zh) | 2015-04-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104498895B (zh) | 一种超薄氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 | |
CN104532207B (zh) | 一种氮氧化硅膜材料及其制备方法和用途 | |
WO2021047643A1 (zh) | 电子设备外盖增强纳米膜及其制备方法和应用 | |
Jiang et al. | The influence of methane flow rate on microstructure and surface morphology of a-SiC: H thin films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition technique | |
Jhansirani et al. | Deposition of silicon nitride films using chemical vapor deposition for photovoltaic applications | |
Kessels et al. | High-rate deposition of a-SiN x: H for photovoltaic applications by the expanding thermal plasma | |
CN104120404A (zh) | 一种超薄氧化硅膜材料及其制备方法 | |
Peng et al. | Influence of radiofrequency power on compositional, structural and optical properties of amorphous silicon carbonitride films | |
CN102265407B (zh) | 钝化膜的成膜方法、以及太阳能电池元件的制造方法 | |
CN108461386A (zh) | 一种含硅量子点多层膜及其制备方法 | |
CN104532187B (zh) | 一种具有立方磷化钍单相结构的氮化铪膜及其制备方法 | |
CN101834233A (zh) | 一种低温高速沉积氢化非晶硅太阳能电池薄膜的方法 | |
CN104099579B (zh) | 一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法 | |
EP2889921A1 (en) | Solar cell with flexible substrate of adjustable bandgap quantum well structure and preparation method therefor | |
CN102002683A (zh) | 一种含氢类金刚石膜的制备方法 | |
Van der Werf et al. | Silicon nitride at high deposition rate by Hot Wire Chemical Vapor Deposition as passivating and antireflection layer on multicrystalline silicon solar cells | |
Li et al. | Stress control of silicon nitride films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition | |
CN102593282A (zh) | 一种ZnO纳米线阵列的掺杂方法 | |
Gao et al. | Nanocrystalline Si: H thin films grown at room temperature with plasma-enhanced chemical vapour deposition at a very high pressure | |
Flewitt et al. | Low-temperature deposition of hydrogenated amorphous silicon in an electron cyclotron resonance reactor for flexible displays | |
CN104120403B (zh) | 一种氮化硅膜材料及其制备方法 | |
CN104099581A (zh) | 一种氧化硅膜材料及其制备方法 | |
Singh et al. | Defect study of phosphorous doped a-Si: H thin films using cathodoluminescence, IR and Raman spectroscopy | |
Jadhavar et al. | Influence of RF power on structural optical and electrical properties of hydrogenated nano-crystalline silicon (nc-Si: H) thin films deposited by PE-CVD | |
CN110223915B (zh) | 一种具有厚度梯度可变的氮化硅薄膜的制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |