CN104496549A - 一种陶瓷表面涂覆方法 - Google Patents

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刘斌
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Abstract

本发明公开了一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤包括制作涂料、陶瓷预处理、陶瓷涂覆、高温焙烧和检验入库,涂料按照重量份的原料包括氧化铬粉体和去离子水,且氧化铬粉料与去离子水的重量比为1:5,涂料涂覆在陶瓷表面的厚度为50-100nm,涂料涂覆完毕后将陶瓷放入真空炉内进行焙烧后取出冷却并检验入库。本发明中陶瓷在真空炉内焙烧的过程中,涂层与陶瓷本体相互扩散,形成了一次新的结构组织,从而在陶瓷表面形成了一层平整致密的涂覆层,有效的抑制了陶瓷内部二次电子的发射,同时涂覆层的半导体材料有效的减少了陶瓷表面电荷的累积,提高了陶瓷的抗表面闪烁能力,从而有效提高了陶瓷的耐高压绝缘性能。

Description

一种陶瓷表面涂覆方法
技术领域
本发明涉及高能物理领域,具体是一种陶瓷表面涂覆方法。
背景技术
在电真空器件(如真空断路器,真空电子管,高功率速调管)的使用中,器件都需要承受高电压作用,陶瓷做为桥接真空的载体,其体绝缘强度高于同样尺寸的真空间隙,但是其绝缘固体耐高压能力却低于相同尺寸的真空间隙,其主要原因是在二次电子的雪崩效应下,在陶瓷表面产生了显著的放电闪烁现象,电荷在陶瓷表面不断累积,促进了放电的持续进行,最终导致陶瓷的完全击穿。
发明内容
本发明的目的在于提供一种原料简单、减少电荷在陶瓷表面积累的陶瓷表面涂覆方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取10-20份的氧化铬粉料和50-100份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨9-11h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗2-3次,再放入温度为95-105℃的烘箱中烘110-130min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为50-100nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1400-1600℃的真空炉内焙烧2.8-3.2h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却2-4h后进行质量检验,检验合格后入库。
作为本发明再进一步的方案:所述涂料中氧化铬粉料与去离子水的重量比为1:5。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明中陶瓷在真空炉内焙烧的过程中,涂层与陶瓷本体相互扩散,形成了一次新的结构组织,从而在陶瓷表面形成了一层平整致密的涂覆层,有效的抑制了陶瓷内部二次电子的发射,同时涂覆层的半导体材料有效的减少了陶瓷表面电荷的累积,提高了陶瓷的抗表面闪烁能力,从而有效提高了陶瓷的耐高压绝缘性能。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
实施例1
本发明实施例中,一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取10份的氧化铬粉料和50份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨9h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗2次,再放入温度为95℃的烘箱中烘110min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为50nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1400℃的真空炉内焙烧2.8h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却2h后进行质量检验,检验合格后入库。
实施例2
本发明实施例中,一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取12份的氧化铬粉料和60份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨9.5h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗2次,再放入温度为98℃的烘箱中烘115min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为60nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1450℃的真空炉内焙烧2.9h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却2.5h后进行质量检验,检验合格后入库。
实施例3
本发明实施例中,一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取15份的氧化铬粉料和75份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨10h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗3次,再放入温度为100℃的烘箱中烘120min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为70nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1500℃的真空炉内焙烧3h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却3h后进行质量检验,检验合格后入库。
实施例4
本发明实施例中,一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取18份的氧化铬粉料和90份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨10.5h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗3次,再放入温度为102℃的烘箱中烘125min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为80nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1550℃的真空炉内焙烧3.1h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却3.5h后进行质量检验,检验合格后入库。
实施例5
本发明实施例中,一种陶瓷表面涂覆方法,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取20份的氧化铬粉料和100份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨11h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗3次,再放入温度为105℃的烘箱中烘130min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为100nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1600℃的真空炉内焙烧3.2h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却4h后进行质量检验,检验合格后入库。
本发明中陶瓷在真空炉内焙烧的过程中,涂层与陶瓷本体相互扩散,形成了一次新的结构组织,从而在陶瓷表面形成了一层平整致密的涂覆层,有效的抑制了陶瓷内部二次电子的发射,同时涂覆层的半导体材料有效的减少了陶瓷表面电荷的累积,提高了陶瓷的抗表面闪烁能力,从而有效提高了陶瓷的耐高压绝缘性能。
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明,但是本专利并不限于上述实施方式,在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本专利宗旨的前提下作出各种变化。

Claims (2)

1. 一种陶瓷表面涂覆方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)制作涂料:按照重量份称取10-20份的氧化铬粉料和50-100份的去离子水,将氧化铬分料与去离子水进行充分混合后球磨9-11h使其均匀,从而得到涂料;
(2)陶瓷预处理:将陶瓷本体用喷砂打毛的方式进行处理后用清洗2-3次,再放入温度为95-105℃的烘箱中烘110-130min至干燥;
(3)陶瓷涂覆:把步骤(1)制得的涂料均与涂抹在预处理后的陶瓷表面,使涂料的厚度为50-100nm;
(4)高温焙烧:将涂抹有涂料的陶瓷防污温度为1400-1600℃的真空炉内焙烧2.8-3.2h,使涂料牢固粘结在陶瓷上;
(5)检验入库:焙烧完毕后,将陶瓷从真空炉中取出冷却2-4h后进行质量检验,检验合格后入库。
2.根据权利要求1所述的陶瓷表面涂覆方法,其特征在于,所述涂料中氧化铬粉料与去离子水的重量比为1:5。
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