CN104427456A - 一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法 - Google Patents

一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于硅衬底上的氧化膜、位于氧化膜上的第一多晶硅层、位于第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，所述方法包括：去除二氧化硅层，以形成声学前腔；清洗微机电系统麦克风；将微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；烘干微机电系统麦克风，以使得声学前腔内的低表面张力液体挥发，同时用声波振动使微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生。本发明通过在烘干微机电系统麦克风时，用声波的振动使微机电系统麦克风的振膜振动，从而减少粘黏现象出现的几率，提高微机电系统麦克风的良率。

Description

一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺领域，具体涉及微机电系统麦克风制造工艺领域，尤其涉及一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法。
背景技术
在微机电系统（Micro-Electro-Mechanic System，MEMS）工艺中，针对麦克风产品，需要将振膜和基板中间的介质释放掉。
图1示出了介质释放前的微机电系统麦克风的截面示意图。如图1所示，介质释放前微机电系统麦克风包括带有声学后腔6的硅衬底1、位于所述硅衬底上的氧化膜2、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层（Poly1）3、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层4、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层（Poly2）5，其中，在微机电系统麦克风中的Poly1表示麦克风的基板，Poly2表示麦克风的振膜。图2为与图1对应的微机电系统麦克风的俯视图，其中，图2上的小孔7称为音孔。图3为介质释放后微机电系统麦克风的截面示意图，介质释放后形成的空腔8称为声学前腔。
现有技术中，介质释放的工艺步骤为：（1）去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；（2）清洗所述微机电系统麦克风；（3）将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；（4）烘干所述微机电系统麦克风。现有技术中进行烘干时，由于液体表面张力的影响，会带动微机电系统麦克风的振膜向基板移动，最终振膜和基板黏到一起，产生粘黏，如图4所示，而且该现象不可逆，也就是说无法将产生粘黏的麦克风的振膜和基板再分开，影响麦克风产品的良率。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，通过在烘干所述微机电系统麦克风的同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，来解决以上背景技术部分提到的技术问题。
一方面，本发明实施例提出一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化膜、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，所述方法包括：
去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；
清洗所述微机电系统麦克风；
将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；
烘干所述微机电系统麦克风，以使得所述声学前腔内的所述低表面张力液体挥发，同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，其中，所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。
进一步地，产生所述声波的声源的频率范围为20-2000赫兹，所述声源的声音分贝范围为50-100分贝。
进一步地，所述烘干所述微机电系统麦克风时采用的温度范围为30-100摄氏度。
进一步地，所述去除所述二氧化硅层采用的工艺为湿法腐蚀工艺。
进一步地，所述湿法腐蚀工艺使用的溶液为缓冲氧化物腐蚀（BOE）溶液。
进一步地，所述去除所述二氧化硅层的工艺时间依据需要去除的二氧化硅层的厚度和所用的溶液所含成分的比例进行调整。
进一步地，所述清洗所述微机电系统麦克风采用的清洗剂是去离子水。
进一步地，所述清洗所述微机电系统麦克风的清洗时间不小于十分钟。
进一步地，所述低表面张力液体包括：异丙醇（IPA）、酒精或丙酮。
进一步地，所述将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中所需的浸泡时间不小于十分钟。
本发明实施例提出的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，通过在烘干所述微机电系统麦克风的同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，提高微机电系统麦克风的良率。
附图说明
图1是介质释放前的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图；
图2是微机电系统麦克风的俯视图；
图3是介质释放后的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图；
图4是现有技术中对微机电系统麦克风进行介质释放工艺时产生的粘黏的示意图；
图5是本发明第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的流程图。
图1-图4中附图标记说明：1表示带有声学后腔6的硅衬底（SI），2表示氧化膜（OX），3表示第一多晶硅层（Poly1），4表示二氧化硅层（PE OX），5表示第二多晶硅层（Poly2）,6表示声学后腔，7表示音孔，8表示声学前腔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
在图5中示出了本发明的第一实施例。
图5是本发明第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的实现流程500。图1是介质释放前的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图。如图1所示，所述微机电系统麦克风包括：带有声学后腔6的硅衬底（SI）1、位于所述硅衬底上的氧化膜（OX）2、位于所述氧化膜上的第一层多晶（Poly1）3、位于所述第一层多晶上的二氧化硅层（PE OX）4、位于所述二氧化硅层上的具有音孔7的第二层多晶（Poly2）5，其中，所述微机电系统麦克风中的Poly1表示麦克风的基板，poly2表示麦克风的振膜。图3为与图2对应的微机电系统麦克风的俯视图，其中，图3上的小孔7称为音孔。
第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的实现流程500详述如下：
在步骤501中，去除二氧化硅层，以形成声学前腔。
在本实施例中，由于二氧化硅性质比较稳定，而且是难溶的物质，难溶于水，也难溶于硝酸，但是可以与氢氟酸发生化学反应生成四氟化硅气体。因此需要采用湿法腐蚀工艺，选择含有氢氟酸的溶液对微机电系统麦克风进行湿法腐蚀，以腐蚀掉二氧化硅层中间位置的二氧化硅，形成声学前腔。所述湿法腐蚀的工艺时间依据需要腐蚀的二氧化硅层的厚度和所用的溶液所含成分的比例进行调整。
在本实施例中，采用缓冲氧化物腐蚀（Buffered Oxide Etch，BOE）溶液对微机电系统麦克风进行湿法腐蚀工艺，以腐蚀掉二氧化硅层中间位置的二氧化硅，形成声学前腔。所述BOE溶液由氢氟酸（HF）与氟化氨（NH4F）依不同比例混合而成。常用的BOE溶液组成为：氢氟酸（HF）:氟化氨（NH4F）:水（H2O）=3ml:6g:10ml，其中氢氟酸溶液的浓度为48%。所述BOE溶液可以有效腐蚀二氧化硅。
在本实施例中，利用BOE溶液腐蚀二氧化硅以形成声学前腔，可以将BOE溶液直接倒入微机电系统麦克风的第二多晶硅层上的音孔里，所述BOE溶液便可以与二氧化硅发生化学反应，慢慢腐蚀二氧化硅，形成声学前腔。所述BOE溶液中的氢氟酸起到湿法腐蚀剂的作用，而氟化氨起到缓冲剂的作用。氢氟酸腐蚀二氧化硅的过程可以用如下化学方程式表示：
4HF+SiO2→SiF4↑+2H2O
其中，HF是氢氟酸的化学式，SiO2是二氧化硅的化学式，SiF4是四氟化硅的化学式，↑表示气体，H2O是水的化学式。从上述化学方程式可以看出，氢氟酸（HF）与二氧化硅（SiO2）进行化学反应可以生成四氟化硅（SiF4）气体和水（H2O）。四氟化硅在一般条件下为气体，但是在有BOE溶液中来不及挥发便与氢氟酸（HF）生成络合物氟硅酸（H2SiF6），与氟化氨（NH4F）生成氟硅酸铵（(NH4)2SiF6），反应方程式分别如下：
SiF4+2HF→H2SiF6
SiF4+2NH4F→(NH4)2SiF6
氟硅酸（H2SiF6）及氟硅酸铵（(NH4)2SiF6）可溶于水。因此所述BOE溶液腐蚀二氧化硅可生成四氟化硅气体、氟硅酸及氟硅酸铵，部分四氟化硅气体可以挥发出去，而氟硅酸及氟硅酸铵溶于水。因此通过BOE溶液可以有效腐蚀掉二氧化硅，形成声学前腔。
氟化氨发生化学反应生成氨气和氢氟酸（HF），化学反应方程式如下：
NH4F→NH3↑+HF
其中，NH4F是氟化氨的化学式，NH3是氨气的化学式，↑表示气体，HF是氢氟酸的化学式，氢氟酸溶于水形成氢氟酸溶液。氟化氨作为缓冲剂可以补充氢氟酸溶液的浓度，可以有效控制氢氟酸腐蚀二氧化硅的速率。
在步骤502中，清洗微机电系统麦克风。
在本实施例中，在步骤501中利用BOE溶液腐蚀二氧化硅，经过化学反应会有新的生成物氟硅酸（H2SiF6）及氟硅酸铵（(NH4)2SiF6），而且BOE溶液中的氟化氨（NH4F）也易结晶，虽然氟硅酸（H2SiF6）、氟硅酸铵（(NH4)2SiF6）和氟化氨（NH4F）都溶于水，为了避免它们结晶残留在微机电系统麦克风上影响后续工艺或者影响麦克风的效果，需要使用清洗微机电系统麦克风。清洗中使用的清洗剂是去离子水。所述去离子水，指的是将水中的强电解质去除并且将弱电解质去除到一定程度的水。优选地，清洗的时间不小于十分钟，以保证充分清洗掉步骤501湿法腐蚀工艺中使用的BOE溶液中的残留物质及生成物的残留。
在步骤503中，将微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中。
在本实施例中，经过步骤502的使用去离子水清洗，会在微机电系统麦克风上残留一定的水，而水的表面张力较大，会对步骤504造成一定的影响，因此需要将微机电系统麦克风在低表面张力液体中浸泡。为了保证微机电系统麦克风不再粘有水，将微机电系统麦克风在低表面张力液体中浸泡的时间不小于十分钟。
其中，所述表面张力是液体表面层由于分子引力不均衡而产生的沿表面作用于任一界线上的张力。通常，在不同的环境中，处于界面的分子与处于相本体内的分子所受的力是不同的。以水为例，在水内部的一个分子受到周围水分子的作用力的合力为零，但在表面的一个水分子受到的合力却不为零，因为上层空间的气相分子对它的吸引力小于内部的液相分子对它的吸引力，所以该分子所受到的合力不等于零，其合力方向垂直指向液体内部，结果导致液体表面具有自动缩小的趋势，这种收缩力称为表面张力。表面张力是物质的特性，其大小与温度和界面两相物质的性质有关。
在本实施例中，采用的所述低表面张力液体包括但不限于IPA（异丙醇）、酒精、丙酮等。有机液体的表面张力都小于水。在20℃的温度下，水的表面张力为72.8达因/厘米，IPA的表面张力为21.7达因/厘米，纯酒精的表面张力为22.5达因/厘米，丙酮的表面张力为23.3达因/厘米。
虽然在低表面张力液体中浸泡了微机电系统麦克风，但是由于低表面张力液体仍具有表面张力，在进行步骤504烘干工艺时，空腔内的液体慢慢挥发减少，也会使两层膜吸到一起，引起粘黏。
在步骤504中，烘干微机电系统麦克风，以使得声学前腔内的低表面张力液体挥发，同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生。
在本实施例中，首先将浸泡于低表面张力液体中的微机电系统麦克风取出，然后将所述微机电系统麦克风放置在声源附近烘干，烘干的目的是使得声学前腔内的低表面张力液体挥发，而声源产生的声波可以导致所述微机电系统麦克风的振膜振动，从而在低表面张力液体挥发的同时减少粘黏的产生。其中，所述粘黏表示在烘干过程中随着所述声学前腔内的液体的挥发，位于所述声学前腔上下位置的所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层黏到一起的现象；所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。
在本实施例中，对微机电系统麦克风在声源附近实施烘干工艺，由于声源产生的声波可以使麦克风振膜振动，从而可以减少两层膜接触到一起产生粘黏的几率。所述烘干时采用的温度范围为30-100摄氏度。
在本实施例的一个优选实施方式中，所述声源的频率范围为20-2000赫兹，所述声源的声音分贝范围为50-100分贝，在此范围内的声音可以引起振膜良好地振动，从而减少粘黏的产生几率。
本实施例通过在声源附近对微机电系统麦克风实施烘干工艺，声源产生的声波使麦克风振膜振动，可以有效减少微机电系统麦克风的粘黏现象，提高微机电系统麦克风的良率。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化膜、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层，其特征在于，所述方法包括：
去除所述二氧化硅层，以形成声学前腔；
清洗所述微机电系统麦克风；
将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中；
烘干所述微机电系统麦克风，以使得所述声学前腔内的所述低表面张力液体挥发，同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动，以减少粘黏的产生，其中，所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，产生所述声波的声源的频率范围为20-2000赫兹，所述声源的声音分贝范围为50-100分贝。
3.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述烘干所述微机电系统麦克风时采用的温度范围为30-100摄氏度。
4.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述去除所述二氧化硅层采用的工艺为湿法腐蚀工艺。
5.根据权利要求4所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀工艺使用的溶液为缓冲氧化物腐蚀（BOE）溶液。
6.根据权利要求4所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述去除所述二氧化硅层的工艺时间依据需要去除的二氧化硅层的厚度和所用的溶液所含成分的比例进行调整。
7.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述清洗所述微机电系统麦克风采用的清洗剂是去离子水。
8.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述清洗所述微机电系统麦克风的清洗时间不小于十分钟。
9.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述低表面张力液体包括：异丙醇（IPA）、酒精或丙酮。
10.根据权利要求1所述的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法，其特征在于，所述将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中所需的浸泡时间不小于十分钟。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106115602A (zh) * 2016-07-01 2016-11-16 杭州士兰集成电路有限公司 Mems器件及其制造方法
CN107857233A (zh) * 2016-09-22 2018-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems器件及其制备方法和电子装置
CN109987575A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems器件及制备方法、电子装置
CN110915236A (zh) * 2017-06-26 2020-03-24 悠声股份有限公司 具有微机电单元的声音换能器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1247386A (zh) * 1998-06-30 2000-03-15 松下电器产业株式会社 压力转换器及其制造方法
CN101360354A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 松下电器产业株式会社 电子部件及其制造方法以及具备该电子部件的电子装置
CN101690264A (zh) * 2007-06-04 2010-03-31 欧姆龙株式会社 音响传感器
US20130049527A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Electromechanical transducer and method for manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1247386A (zh) * 1998-06-30 2000-03-15 松下电器产业株式会社 压力转换器及其制造方法
CN101690264A (zh) * 2007-06-04 2010-03-31 欧姆龙株式会社 音响传感器
CN101360354A (zh) * 2007-08-03 2009-02-04 松下电器产业株式会社 电子部件及其制造方法以及具备该电子部件的电子装置
US20130049527A1 (en) * 2011-08-30 2013-02-28 Canon Kabushiki Kaisha Electromechanical transducer and method for manufacturing the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106115602A (zh) * 2016-07-01 2016-11-16 杭州士兰集成电路有限公司 Mems器件及其制造方法
CN107857233A (zh) * 2016-09-22 2018-03-30 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems器件及其制备方法和电子装置
CN110915236A (zh) * 2017-06-26 2020-03-24 悠声股份有限公司 具有微机电单元的声音换能器
US11128942B2 (en) 2017-06-26 2021-09-21 USound GmbH Sound transducer arrangement having a MEMS unit
CN110915236B (zh) * 2017-06-26 2022-02-22 悠声股份有限公司 具有微机电单元的声音换能器
CN109987575A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems器件及制备方法、电子装置

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