CN107857233A - 一种mems器件及其制备方法和电子装置 - Google Patents

一种mems器件及其制备方法和电子装置 Download PDF

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CN107857233A
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Abstract

本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法和电子装置。所述方法包括提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔；使用第一清洗试剂清洗所述空腔；将使用第一清洗试剂清洗后的MEMS器件放入表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂中进行清洗，以使所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂；在经所述第二清洗试剂清洗的所述空腔内通入干燥气体，以排出所述第二清洗试剂并干燥所述MEMS器件。本发明的优点在于：(1)提高MEMS器件的性能和良率。(2)提高MEMS器件的产能，每小时产出晶圆片数得到极大提高。

Description

一种MEMS器件及其制备方法和电子装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种MEMS器件及其制备方法和电子装置。
背景技术
随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。
其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。
在MEMS领域中，电容式MEMS器件的工作原理是由振膜(Membrane)的运动产生电容的变化，利用电容变化量进行运算和工作的，现有常用的MEMS麦克风包括振膜、背板及位于背板下方的背腔组成。通过振膜将声音信号转换成电信号。
形成背腔的工艺包括蚀刻振膜和背板之间的牺牲层然后再进行清洗，但是在该过程中通常会发生粘连，例如所述振膜和所述背板之间的粘连，使器件的性能和良率受到影响。
因此需要对目前所述MEMS器件的制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了克服目前存在的问题，本发明实施例提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法包括：
提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔；
使用第一清洗试剂清洗所述空腔；
将使用第一清洗试剂清洗后的MEMS器件放入表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂中进行清洗，以使所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂；
在经所述第二清洗试剂清洗的所述空腔内通入干燥气体，以排出所述第二清洗试剂并干燥所述MEMS器件。
可选地，所述第二清洗试剂的表面张力小于25mN/m。
可选地，所述第二清洗试剂包括异丙醇。
可选地，所述第一清洗试剂包括去离子水。
可选地，所述干燥气体包括经加热的N2和/或异丙醇气体。
可选地，将所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂的步骤和/或干燥所述MEMS器件的步骤在干燥器中进行。
可选地，形成所述空腔的方法包括：
提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有牺牲层，并且在所述牺牲层上方的所述背板中形成有露出所述牺牲层的开口；
通过所述开口蚀刻去除所述牺牲层，以形成所述空腔。
可选地，使用缓冲氧化物蚀刻剂蚀刻去除所述牺牲层。
本发明还提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件通过上述方法制备得到。
本发明还提供了一种电子装置，包括上述的MEMS器件。
为了解决目前工艺中存在的问题，本发明提供了一种制备MEMS器件的方法，所述方法在蚀刻形成所述空腔之后，先使用第一清洗试剂进行清洗，例如去离子水，然后将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
本发明的优点在于：
(1)提高MEMS器件的性能和良率。
(2)提高MEMS器件的产能，每小时产出晶圆片数得到极大提高。
本发明的MEMS器件，由于采用了上述制备方法，因而同样具有上述优点。本发明的电子装置，由于采用了上述MEMS器件，因而同样具有上述优点。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1为本发明的另一个实施例的一种MEMS器件的制备方法的示意性流程图；
图2A-图2D为本发明的一实施例中的一种MEMS器件的制备方法的相关步骤形成的结构的剖视图；
图3示出了根据本发明一实施方式的电子装置的示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发明的实施例。这样，可以预期由于例如制备技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本发明的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制备导致的形状偏差。例如，显示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆的或弯曲特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到非注入区的二元改变。同样，通过注入形成的埋藏区可导致该埋藏区和注入进行时所经过的表面之间的区中的一些注入。因此，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本发明的范围。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
目前形成背腔的工艺包括蚀刻振膜和背板之间的牺牲层然后再进行清洗，但是在该过程中通常会发生粘连，例如所述振膜和所述背板之间的粘连，使器件的性能和良率受到影响。
为了解决该问题，发明人对该问题进行了研究发现，在蚀刻去除牺牲层之后通常选用去离子水进行清洗并通入热N2或者IPA和N2排出在蚀刻后形成的空腔中的去离子水，在该过程中由于所述振膜的表面张力(surface tension)远大于振膜的压力，所述振膜发生变形，被向上拉至所述背板，一旦去离子水完全去除之后所述振膜和所述背板之间会发生彼此接触，从而发生粘连。
目前工艺中所述振膜和背板的材料由于工艺的需要不可能被替换，因此，改变振膜和背板的材料是不可取的，需要另外的其他方法进行解决。
为了解决该问题，本申请提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法包括：
提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔；
使用第一清洗试剂清洗所述空腔；
将使用第一清洗试剂清洗后的MEMS器件放入表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂中进行清洗，以使所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂；
在经所述第二清洗试剂清洗的所述空腔内通入干燥气体，以排出所述第二清洗试剂并干燥所述MEMS器件。
其中，所述第二清洗试剂包括表面张力小于25的mN/m的溶剂。
可选地，所述第二清洗试剂包括异丙醇。
可选地，所述第二清洗试剂包括去离子水。
在本发明中将去离子水清洗之后的器件浸入到所述异丙醇中，将所述空腔中的去离子水替换为异丙醇，由于异丙醇的表面张力小，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
为了解决目前工艺中存在的问题，本发明提供了一种制备MEMS器件的方法，所述方法在蚀刻形成所述空腔之后，先使用第一清洗试剂进行清洗，例如去离子水，然后将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
本发明的优点在于：
(1)提高MEMS器件的性能和良率。
(2)提高MEMS器件的产能，每小时产出晶圆片数得到极大提高。
本发明的MEMS器件，由于采用了上述制备方法，因而同样具有上述优点。本发明的电子装置，由于采用了上述MEMS器件，因而同样具有上述优点。
实施例一
下面，参照附图来描述本发明实施例提出的MEMS器件的制备方法一个示例性方法的详细步骤。其中，图1为本发明的另一个实施例的一种MEMS器件的制备方法的示意性流程图；图2A-图2D为本发明的一实施例中的一种MEMS器件的制备方法的相关步骤形成的结构的剖视图。
如图1所示，本发明的另一个实施例的一种MEMS器件的制备方法具体地包括：
步骤S1：提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔；
步骤S2：使用第一清洗试剂清洗所述空腔；
步骤S3：将使用第一清洗试剂清洗后的MEMS器件放入表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂中进行清洗，以使所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂；
步骤S4：在经所述第二清洗试剂清洗的所述空腔内通入干燥气体，以排出所述第二清洗试剂并干燥所述MEMS器件。
本实施例的MEMS器件的制备方法，具体包括如下步骤：
执行步骤一，提供MEMS衬底201，在所述MEMS衬底上形成有振膜203和背板202，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔。
具体地，如图2A所示，在该步骤中所述MEMS衬底201可以选用MEMS麦克风器件的衬底，例如所述MEMS衬底201可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。
在所述衬底上还可以形成有CMOS器件，所述CMOS器件的种类并不局限于某一种。
此外，在所述CMOS器件上方还形成有各种MEMS图案，例如所述MEMS器件可以为图形传感器，压力传感器、加速度传感器等，并不局限于某一种。
具体地，在所述衬底上形成有牺牲层204和振膜层203。其中所述牺牲层包围所述振膜层，例如先沉积一层牺牲层、然后沉积所述振膜层并对所述振膜层进行图案化，以形成目标图案的振膜，最后在所述振膜上再次沉积所述牺牲层，以覆盖所述振膜，如图2A所示。
具体地，所述牺牲层204可以选用氧化物或者氮化物，或者两者的结合。
所述牺牲层可以选用现有技术中常用的沉积方法，例如可以是通过化学气相沉积(CVD)法、物理气相沉积(PVD)法或原子层沉积(ALD)法等形成的。本发明中优选原子层沉积(ALD)法。
具体地，振膜层203选用半导体材料层或者金属材料层，在该实施例中所述振膜层203选用多晶硅层。
进一步，在后续的步骤中去除所述牺牲层以后可以在背板和所述振膜层203之间形成空腔，所述振膜层203作为动电极，所述背板为固定电极，所述空腔为介电质，进而形成电容器，通过所述振膜层203的形变发生电容的变化，从而实现电容的传感。
接着在所述MEMS衬底和牺牲层上形成背板202，以覆盖所述MEMS衬底和牺牲层上形成背板202。
其中，所述背板202可以选用多晶硅或者SiGe。
然后图案化所述背板202，以在所述背板202中形成有若干开口。
具体地，首先在所述背板上形成图案化的掩膜层，例如光刻胶层，然后以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述背板，以在所述背板中形成有若干所述开口。
其中，所述开口用于在后续的步骤中去除所述背板和所述振膜之间的牺牲层，以形成空腔。
在该步骤中选用干法蚀刻或者湿法蚀刻形成所述开口，在此不再赘述。
然后通过所述开口蚀刻去除所述牺牲层，以在所述振膜和所述背板之间形成所述空腔。
例如选用缓冲蚀刻工艺(Buffered Oxide Etch)蚀刻去除所述牺牲层。
将所述MEMS器件浸入到所述缓冲蚀刻液中，所述缓冲蚀刻液BOE是HF与NH4F以不同比例混合而成。
例如6:1BOE蚀刻即表示49％HF水溶液：40％NH4F水溶液＝1：6(体积比)的成分混合而成。其中，HF为主要的蚀刻液，NH4F 则作为缓冲剂使用。其中，利用NH4F固定H+的浓度，使之保持一定的蚀刻率。
在去除所述牺牲层之后即可得到所述空腔。
执行步骤二，使用第一清洗试剂清洗所述空腔。
具体地，如图2B所示，在去除所述牺牲层之后需要对所述空腔进行清洗，以去除所述空腔内的蚀刻液以及牺牲层的颗粒等杂质。
可选地，所述第一清洗试剂包括去离子水。
在该步骤中通过冲刷重复的清洗所述空腔，以使所述空腔内的杂质排出，在排出所述各种杂质之后所述去离子水会充满整个空腔，因此需要对所述MEMS器件进行干燥。
执行步骤三，将使用第一清洗试剂清洗后的MEMS器件放入表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂中，以使所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂。
在该步骤中选用表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂对所述MEMS器件进行清洗。
例如将所述MEMS器件浸入所述第二清洗试剂中，其中，该步骤在所述干燥器中进行。
其中，所述第二清洗试剂包括表面张力小于25mN/m的溶剂，例如选用异丙醇。
执行步骤四，在所述空腔内通入干燥气体，以排出所述第二清洗试剂并干燥所述MEMS器件。
具体地，如图2D所示，所述干燥气体包括热的N2和/或异丙醇气体。
将所述N2和/或异丙醇气体通入所述空腔内，将所述异丙醇清洗液排出。
目前形成背腔的工艺包括蚀刻振膜和背板之间的牺牲层然后再进行清洗，但是在该过程中通常会发生粘连，例如所述振膜和所述背板之间的粘连，使器件的性能和良率受到影响。
为了解决该问题，发明人对该问题进行了研究发现，在蚀刻去除牺牲层之后通常选用去离子水进行清洗并通入热N2或者IPA和N2排出在蚀刻后形成的空腔中的去离子水，在该过程中由于所述振膜的表面张力(surface tension)远大于振膜的压力，所述振膜发生变形，被向上拉至所述背板，一旦去离子水完全去除之后所述振膜和所述背板之间会发生会彼此接触，从而发生粘连。
其中，所述第二清洗试剂包括表面张力小于25的mN/m的溶剂，例如选用异丙醇。
其中所述异丙醇的表面张力为21.7mN/m，所述去离子水的表面张力为72nmN/m，将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，如图2C所示，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
至此，完成了本发明实施例的MEMS器件的制备过程的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。
为了解决目前工艺中存在的问题，本发明提供了一种制备MEMS器件的方法，所述方法在蚀刻形成所述空腔之后，先使用第一清洗试剂进行清洗，例如去离子水，然后将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后由于所述第二清洗试剂的表面张力小，因此所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
本发明的优点在于：
(1)提高MEMS器件的性能和良率。
(2)提高MEMS器件的产能，每小时产出晶圆片数得到极大提高。
实施例二
本发明实施例提供一种MEMS器件，其采用前述实施例一中的制备方法制备获得。
所述MEMS器件包括：
MEMS衬底201；
振膜203，位于所述MEMS衬底上；
背板202，位于所述振膜上方；
空腔，位于所述背板202和所述振膜203之间。
所述MEMS衬底201可以选用半导体衬底或者MEMS麦克风器件的衬底，例如所述MEMS衬底201可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。
在所述衬底上还可以形成有CMOS器件，所述CMOS器件的种类并不局限于某一种。
此外，在所述CMOS器件上方还形成有各种MEMS图案，例如所述MEMS器件可以为图形传感器，压力传感器、加速度传感器等，并不局限于某一种。
具体地，振膜层203选用半导体材料层或者金属材料层，在该实施例中所述振膜层203选用多晶硅层。
其中，所述背板202可以选用多晶硅或者SiGe。
在所述MEMS器件的制备中在形成所述空腔之后先以去离子水清洗然后选用异丙醇清洗，将所述N2和/或异丙醇气体通入所述空腔内，将所述异丙醇清洗液排出。
其中，所述第二清洗试剂包括表面张力小于25的mN/m的溶剂，例如选用异丙醇。
其中所述异丙醇的表面张力为21.7mN/m，所述去离子水的表面张力为72nmN/m，将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，如图2C所示，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后由于所述第二清洗试剂的表面张力小，因此所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
为了解决目前工艺中存在的问题，本发明提供了一种制备MEMS器件，所述器件制备中在蚀刻形成所述空腔之后，先使用第一清洗试剂进行清洗，例如去离子水，然后将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后由于所述第二清洗试剂的表面张力小，因此所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
本发明的优点在于：
(1)提高MEMS器件的性能和良率。
(2)提高MEMS器件的产能，每小时产出晶圆片数得到极大提高。
本发明的MEMS器件，由于采用了上述制备方法，因而同样具有上述优点。
实施例三
本发明实施例提供一种电子装置，其包括电子组件以及与该电子组件电连接的MEMS器件。其中，所述MEMS器件包括根据实施例一所述的MEMS器件的制备方法制备的MEMS器件，或包括实施例二所述的MEMS器件。
该电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可以是具有上述MEMS 器件的中间产品，例如：具有该集成电路的手机主板等。
其中，图3示出移动电话手机的示例。移动电话手机300被设置有包括在外壳301中的显示部分302、操作按钮303、外部连接端口304、扬声器305、话筒306等。
其中所述移动电话手机包括前述的MEMS器件，或根据实施例一所述的MEMS器件的制备方法所制得的MEMS器件，所述MEMS器件包括：MEMS衬底；振膜，位于所述MEMS衬底上；背板，位于所述振膜上方；空腔，位于所述背板和所述振膜之间。所述器件制备中在蚀刻形成所述空腔之后，先使用第一清洗试剂进行清洗，例如去离子水，然后将清洗后的器件放入第二清洗试剂中，以将所述空腔内的第一清洗试剂替换为第二清洗试剂，由于所述第二清洗试剂的表面张力小于所述第一清洗试剂的表面张力，在通入干燥气体排出所述第二清洗试剂后由于所述第二清洗试剂的表面张力小，因此所述振膜表面的张力就足够小，不足以拉动所述振膜或者不会使振膜发生过大的形变与所述背板相接触，避免了背板和振膜之间相互粘连的问题。
本发明的电子装置，由于采用了上述MEMS器件，因而同样具有上述优点。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (10)

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有空腔；
使用第一清洗试剂清洗所述空腔；
将使用第一清洗试剂清洗后的MEMS器件放入表面张力小于所述第一清洗试剂的第二清洗试剂中进行清洗，以使所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂；
在经所述第二清洗试剂清洗的所述空腔内通入干燥气体，以排出所述第二清洗试剂并干燥所述MEMS器件。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洗试剂的表面张力小于25mN/m。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二清洗试剂包括异丙醇。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一清洗试剂包括去离子水。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干燥气体包括经加热的N2和/或异丙醇气体。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述空腔内的所述第一清洗试剂替换为所述第二清洗试剂的步骤和/或干燥所述MEMS器件的步骤在干燥器中进行。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述空腔的方法包括：
提供MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有振膜和背板，在所述振膜和所述背板之间形成有牺牲层，并且在所述牺牲层上方的所述背板中形成有露出所述牺牲层的开口；
通过所述开口蚀刻去除所述牺牲层，以形成所述空腔。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，使用缓冲氧化物蚀刻剂蚀刻去除所述牺牲层。
9.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件通过权利要求1至8之一所述方法制备得到。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求9所述的MEMS器件。
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