CN104425416B - 层叠布线膜和其制造方法以及Ni合金溅射靶材 - Google Patents

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6801168B2 (ja) * 2014-06-27 2020-12-16 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット、光学機能膜、及び、積層配線膜
JP6706418B2 (ja) * 2015-03-20 2020-06-10 日立金属株式会社 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材
JP2016191967A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社神戸製鋼所 窒素含有Cu合金膜、積層膜、およびこれらの製造方法、ならびにCu合金スパッタリングターゲット
JP6443220B2 (ja) * 2015-05-25 2018-12-26 住友金属鉱山株式会社 スパッタリング用合金ターゲット
JP6190847B2 (ja) * 2015-06-16 2017-08-30 株式会社神戸製鋼所 平面ディスプレイ又は曲面ディスプレイ向け低反射電極
CN107850966B (zh) * 2015-07-31 2021-02-26 住友金属矿山股份有限公司 导电性基板
WO2017022543A1 (ja) * 2015-07-31 2017-02-09 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、導電性基板の製造方法
KR101987263B1 (ko) 2015-08-13 2019-06-10 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
JP6528597B2 (ja) * 2015-08-20 2019-06-12 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、および導電性基板の製造方法
JP6823799B2 (ja) * 2015-10-01 2021-02-03 日立金属株式会社 電子部品用積層配線膜および被覆層形成用スパッタリングターゲット材
JP6997945B2 (ja) * 2016-12-27 2022-01-18 日立金属株式会社 積層配線膜およびその製造方法ならびにMo合金スパッタリングターゲット材
WO2019167564A1 (ja) * 2018-03-01 2019-09-06 三菱マテリアル株式会社 Cu-Ni合金スパッタリングターゲット
JP6627993B2 (ja) * 2018-03-01 2020-01-08 三菱マテリアル株式会社 Cu−Ni合金スパッタリングターゲット
JP2019183251A (ja) * 2018-04-17 2019-10-24 三菱マテリアル株式会社 Cu−Ni合金スパッタリングターゲット
KR102647120B1 (ko) * 2018-06-25 2024-03-14 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도전성 입자, 도전 재료 및 접속 구조체
JP6791313B1 (ja) * 2019-07-12 2020-11-25 三菱マテリアル株式会社 ニッケル合金スパッタリングターゲット

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08332697A (ja) * 1995-06-08 1996-12-17 Mitsui Toatsu Chem Inc 金属ポリマーフィルム
JPH10301499A (ja) * 1997-04-22 1998-11-13 Ulvac Seimaku Kk ブランクス又はブラックマトリクス及びこれらの製造方法
JP2005079130A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Hitachi Metals Ltd 薄膜配線層
JP2005093571A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Hitachi Metals Ltd 薄膜配線層
JP4470147B2 (ja) * 2003-09-16 2010-06-02 日立金属株式会社 薄膜配線層
JP2005310810A (ja) * 2004-04-16 2005-11-04 Asahi Glass Co Ltd 配線付き基板形成用の積層体、配線付き基板およびその形成方法
JP2006162942A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Ulvac Seimaku Kk ブランクス及びその形成方法、並びに該ブランクスを用いたブラックマトリックス及びその形成方法、
JP4730662B2 (ja) * 2005-03-02 2011-07-20 日立金属株式会社 薄膜配線層
JP4655281B2 (ja) * 2005-03-29 2011-03-23 日立金属株式会社 薄膜配線層
WO2008018490A1 (en) * 2006-08-10 2008-02-14 Ulvac, Inc. Method for forming conductive film, thin film transistor, panel with thin film transistor, and method for manufacturing thin film transistor
JP5234483B2 (ja) 2007-06-12 2013-07-10 三菱マテリアル株式会社 密着性に優れた配線下地膜およびこの配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP5532767B2 (ja) * 2009-09-04 2014-06-25 大同特殊鋼株式会社 Cu電極保護膜用NiCu合金ターゲット材
TWI506142B (zh) * 2010-08-30 2015-11-01 Daido Steel Co Ltd NiCu alloy target and laminated film for Cu electrode protective film
JP2012067371A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Hitachi Metals Ltd レーザー加工用Ni合金薄膜およびこれに用いるNi合金スパッタリングターゲット材
JP2013038393A (ja) * 2011-07-13 2013-02-21 Hitachi Metals Ltd 電子部品用積層配線膜
CN105047550B (zh) * 2015-07-27 2017-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种导电组件及其制备方法、基板、显示装置

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