CN104377210B - 图像感测模块及其制作方法 - Google Patents

图像感测模块及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104377210B
CN104377210B CN201310376353.7A CN201310376353A CN104377210B CN 104377210 B CN104377210 B CN 104377210B CN 201310376353 A CN201310376353 A CN 201310376353A CN 104377210 B CN104377210 B CN 104377210B
Authority
CN
China
Prior art keywords
image sensing
described image
translucent element
translucent
sensing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310376353.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104377210A (zh
Inventor
许志行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AzureWave Technologies Inc
Original Assignee
AzureWave Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AzureWave Technologies Inc filed Critical AzureWave Technologies Inc
Publication of CN104377210A publication Critical patent/CN104377210A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104377210B publication Critical patent/CN104377210B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50Constructional details
    • H04N23/55Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/57Mechanical or electrical details of cameras or camera modules specially adapted for being embedded in other devices

Abstract

一种图像感测模块及其制作方法,该图像感测模块包括:一图像感测单元、一透光单元、一基板单元及一透镜单元。图像感测单元包括一顶端具有一图像感测区域的图像感测元件。透光单元包括一通过多个支撑体以被支撑在图像感测元件上方的透光元件。透光元件对应于图像感测元件的图像感测区域。基板单元包括一通过多个导电体以设置在图像感测元件上且电性连接于图像感测元件的可挠性基板。可挠性基板具有至少一用于容置透光元件的贯穿开口,且贯穿开口对应于图像感测元件的图像感测区域。透镜单元包括一设置在可挠性基板上且覆盖透光元件的不透光框架及一连接于不透光框架且设置于透光元件上方的透镜组件。

Description

图像感测模块及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种图像感测模块及其制作方法,尤指一种用于降低整体厚度的图像感测模块及其制作方法。
背景技术
以传统的已知技术来说,互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)图像传感器的特殊利基在于“低电源消耗”与“小体积”的特点,因此CMOS图像传感器便于整合到有特殊需求的携带型电子产品内,例如CMOS图像传感器可便于整合到具有较小整合空间的移动电话及笔记本电脑等。然而,传统CMOS图像传感器的厚度仍然无法被有效的降低。故,如何通过结构设计的改良,来有效降低传统CMOS图像传感器的厚度,已成为该项事业人士所欲解决的重要课题。
发明内容
本发明实施例在于提供一种用于降低整体厚度的图像感测模块及其制作方法。
本发明其中一实施例所提供的一种用于降低整体厚度的图像感测模块,其包括:一图像感测单元、一透光单元、一基板单元及一透镜单元。所述图像感测单元包括一图像感测元件,其中,所述图像感测元件的顶端具有一图像感测区域。所述透光单元包括一通过多个支撑体以被支撑在所述图像感测元件上方的透光元件,其中,所述透光元件对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域。所述基板单元包括一通过多个导电体以设置在所述图像感测元件上且电性连接于所述图像感测元件的可挠性基板,其中,所述可挠性基板具有至少一用于容置所述透光元件的贯穿开口,且至少一所述贯穿开口对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域。所述透镜单元包括一设置在所述可挠性基板上且覆盖所述透光元件的不透光框架及一连接于所述不透光框架且设置于所述透光元件上方的透镜组件。
本发明另外一实施例所提供的一种用于降低整体厚度的图像感测模块,其包括:一图像感测单元、一透光单元、一基板单元及一透镜单元。所述图像感测单元包括一图像感测元件,其中,所述图像感测元件的顶端具有一图像感测区域。所述透光单元包括一通过多个支撑体以被支撑在所述图像感测元件上方的透光元件,其中,所述透光元件对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域。所述基板单元包括一电性连接于所述图像感测元件的可挠性基板。所述透镜单元包括一设置在所述可挠性基板上且覆盖所述透光元件的不透光框架及一连接于所述不透光框架且设置于所述透光元件上方的透镜组件,其中,所述不透光框架具有至少两个直接接触且向下顶抵所述透光元件的顶抵支撑脚。更进一步来说,所述图像感测元件的所述图像感测区域提供一第一对位基准面,且所述透光元件依据所述图像感测区域所提供的所述第一对位基准面,以设置在所述图像感测元件的所述图像感测区域的上方,其中,所述透光元件的上表面提供一第二对位基准面,且所述不透光框架依据所述透光元件所提供的所述第二对位基准面,以设置在所述透光元件的所述上表面上且直接接触所述透光元件的所述上表面,其中,所述透光元件及所述不透光框架依序堆叠在所述图像感测元件上。
本发明另外再一实施例所提供的一种用于降低整体厚度的图像感测模块的制作方法,其包括下列步骤:首先,提供一图像感测元件,其中,所述图像感测元件的顶端具有一图像感测区域;接着,通过多个支撑体以将一透光元件支撑在所述图像感测元件的上方,其中,所述透光元件对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;然后,将一可挠性基板设置在所述图像感测元件上,其中,所述可挠性基板通过多个导电体以电性连接于所述图像感测元件,所述可挠性基板具有至少一用于容置所述透光元件的贯穿开口,且至少一所述贯穿开口对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;接下来,将一透镜单元设置在所述可挠性基板上,其中,所述透镜单元包括一设置在所述可挠性基板上且覆盖所述透光元件的不透光框架及一连接于所述不透光框架且设置于所述透光元件上方的透镜组件。
本发明的有益效果可以在于,本发明实施例所提供的图像感测模块及其制作方法,其可通过“所述透光单元包括一通过多个支撑体以被支撑在所述图像感测元件上方的透光元件”及“所述可挠性基板具有至少一用于容置所述透光元件的贯穿开口”的设计,以使得本发明的图像感测模块可以有效省去所述透光元件的厚度。换言之,不管所述透光元件所使用的厚度有多少,都不会影响本发明图像感测模块的整体厚度。再者,本发明实施例所提供的图像感测模块可通过“一通过多个支撑体以被支撑在所述图像感测元件上方的透光元件”及“所述不透光框架具有至少两个直接接触且向下顶抵所述透光元件的顶抵支撑脚”的设计,以使得所述透光元件及所述不透光框架可以依序堆叠在所述图像感测元件上,所以本发明可有效降低所述不透光框架相对于所述图像感测元件的组装倾角。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而所附图式仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
图1为本发明第一实施例所披露用于降低整体厚度的图像感测模块的制作方法的流程图。
图2为本发明第一实施例所披露通过多个支撑体以将透光元件支撑在图像感测元件上方的示意图。
图3为本发明第一实施例所披露将可挠性基板设置在图像感测元件上的示意图。
图4为本发明第一实施例所披露用于降低整体厚度的图像感测模块的示意图。
图5为本发明第二实施例所披露用于降低整体厚度的图像感测模块的示意图。
【符号说明】
图像感测模块 M
图像感测单元 1
图像感测元件 10
图像感测区域 100
第一对位基准面 S1
透光单元 2
透光元件 20
第二对位基准面 S2
抗红外线层 201
抗反射层 202
支撑体 21
基板单元 3
可挠性基板 30
贯穿开口 300
导电体 31
透镜单元 4
不透光框架 40
围绕支撑脚 400
顶抵支撑脚 401
黏着胶 402
透镜组件 41
具体实施方式
〔第一实施例〕
请参阅图1至图4所示,本发明第一实施例提供一种用于降低整体厚度的图像感测模块M的制作方法,其包括下列步骤:
首先,配合图1及图2所示,提供一图像感测元件10,其中,图像感测元件10的顶端具有一图像感测区域100(S100)。举例来说,图像感测元件10可为互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)图像感测芯片或任何具有图像获取功能的图像传感器。然而,本发明所使用的图像感测元件10不以上述第一实施例所举的例子为限。
接着,配合图1及图2所示,通过多个支撑体21以将一透光元件20支撑在图像感测元件10的上方,其中,透光元件20位于图像感测元件10的图像感测区域100的正上方,以准确对应于图像感测元件10的图像感测区域100(S102)。更进一步来说,图像感测元件10的图像感测区域100可提供一第一对位基准面S1,并且透光元件20可依据图像感测区域100所提供的第一对位基准面S1,以设置在图像感测元件10的图像感测区域100的上方。举例来说,支撑体21可以为一由环氧树脂(epoxy)或硅树脂(silicone)所制成的黏着物,并且透光元件20可通过多个支撑体21的固化,以稳固定位在图像感测元件10上。透光元件20可为一位于图像感测区域100的正上方的透明玻璃,并且透光元件20的上表面及下表面分别具有一抗红外线(IR)层201及一抗反射(AR)层202。
更进一步来说,多个支撑体21可以是依序相连以形成一围绕图像感测区域100的单一围绕状支撑体,并且透光元件20设置在单一围绕状支撑体上以遮盖并封闭图像感测区域100。换言之,如图2所示,由于透光元件20设置在单一围绕状支撑体上后会形成一类似帽盖的结构,其可用来遮盖图像感测元件10的图像感测区域100,以避免图像感测区域100在后续加工时有可能受到微粒的侵入而造成污染。然而,本发明所使用的透光元件20及支撑体21不以上述第一实施例所举的例子为限。
然后,配合图1及图3所示,将一可挠性基板30设置在图像感测元件10上,其中,可挠性基板30通过多个导电体31以电性连接于图像感测元件10,可挠性基板30具有至少一用于容置透光元件20的贯穿开口300,并且贯穿开口300位于图像感测元件10的图像感测区域100的正上方,以准确对应于图像感测元件10的图像感测区域100(S104)。举例来说,可挠性基板10可为一可被任意弯折的电路基板,然而本发明不以此为限。
接下来,配合图1及图4所示,将一透镜单元4设置在可挠性基板30上,其中,透镜单元4包括一设置在可挠性基板30上且覆盖透光元件20的不透光框架40及一连接于不透光框架40且设置于透光元件20上方的透镜组件41(S106)。举例来说,透镜组件41可由多个透镜所组成,并且透镜组件41可以固定地设置在不透光框架40内,或者是可活动地设置在不透光框架40内。
综上所述,再次参考图4所示,本发明第一实施例提供一种用于降低整体厚度的图像感测模块M,其包括:一图像感测单元1、一透光单元2、一基板单元3及一透镜单元4。图像感测单元1包括一图像感测元件10,其中,图像感测元件10的顶端具有一图像感测区域100。透光单元2包括一通过多个支撑体21以被支撑在图像感测元件10上方的透光元件20,其中透光元件20对应于图像感测元件10的图像感测区域100,并且透光元件20的上表面及下表面可分别具有一抗红外线(IR)层201及一抗反射(AR)层202。基板单元3包括一通过多个导电体31以设置在图像感测元件10上且电性连接于图像感测元件10的可挠性基板30,其中,可挠性基板30具有至少一用于容置透光元件20的贯穿开口300,并且贯穿开口300对应于图像感测元件10的图像感测区域100。透镜单元4包括一设置在可挠性基板30上且覆盖透光元件20的不透光框架40及一连接于不透光框架40且设置于透光元件20上方的透镜组件41。
藉此,由于透光元件20可直接通过多个支撑体21以设置在图像感测元件10上,并且可以同时被容置于可挠性基板30的贯穿开口300内,所以本发明的图像感测模块M即可有效省去透光元件20的厚度。换言之,不管透光元件20所使用的厚度有多少,都不会影响本发明图像感测模块M的整体厚度。
更进一步来说,每一个导电体31的周围或附近可进一步包括一包围或邻近导电体31的黏着体(图未示),并且每一个包围或邻近导电体31的黏着体(图未示)可以更有效地将可挠性基板30固定在图像感测元件10上。除此之外,每一个包围或邻近导电体31的黏着体(图未示)还可以连接至相对应的支撑体21,以有效避免外界的微粒会从贯穿开口300侵入到图像感测元件10的上表面而造成图像感测元件10被污染的可能性。
〔第二实施例〕
请参阅图5所示,本发明第二实施例提供一种用于降低整体厚度的图像感测模块M,其包括:一图像感测单元1、一透光单元2、一基板单元3及一透镜单元4。图像感测单元1包括一图像感测元件10,其中,图像感测元件10的顶端具有一图像感测区域100。透光单元2包括一通过多个支撑体21以被支撑在图像感测元件10上方的透光元件20,其中,透光元件20对应于图像感测元件10的图像感测区域100。基板单元3包括一电性连接于图像感测元件10的可挠性基板30。透镜单元4包括一设置在可挠性基板30上且覆盖透光元件20的不透光框架40及一连接于不透光框架40且设置于透光元件20上方的透镜组件41。更进一步来说,不透光框架40具有一围绕支撑脚400及至少两个顶抵支撑脚401,围绕支撑脚400通过黏着胶402以设置在可挠性基板30上,并且至少两个顶抵支撑脚401直接接触且向下顶抵透光元件20的上表面。
更进一步来说,图像感测元件10的图像感测区域100可提供一第一对位基准面S1,并且透光元件20可依据图像感测区域100所提供的第一对位基准面S1,以设置在图像感测元件10的图像感测区域100的上方。另外,透光元件20的上表面可提供一第二对位基准面S2,并且不透光框架40可依据透光元件20所提供的第二对位基准面S2,以设置在透光元件20的上表面上且直接接触透光元件20的上表面。因此,本发明可通过图像感测区域100所提供的第一对位基准面S1及透光元件20所提供的第二对位基准面S2的设计,以使得透光元件20及不透光框架40可以依序堆叠在图像感测元件10上,所以本发明可有效降低不透光框架40相对于图像感测元件10的组装倾角。
〔实施例的可能效果〕
综上所述,本发明的有益效果可以在于,本发明实施例所提供的图像感测模块M及其制作方法,其可通过“透光单元2包括一通过多个支撑体21以被支撑在图像感测元件10上方的透光元件20”及“可挠性基板30具有至少一用于容置透光元件20的贯穿开口300”的设计,以使得本发明的图像感测模块M可以有效省去透光元件20的厚度。再者,本发明实施例所提供的图像感测模块M可通过“一通过多个支撑体21以被支撑在图像感测元件10上方的透光元件20”及“不透光框架40具有至少两个直接接触且向下顶抵透光元件20的顶抵支撑脚401”的设计,以使得透光元件20及不透光框架40可以依序堆叠在图像感测元件10上,所以本发明可有效降低不透光框架40相对于图像感测元件10的组装倾角。
以上所述仅为本发明的优选可行实施例,非因此局限本发明的专利范围,故举凡运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化,均包含于本发明的权利要求范围内。

Claims (8)

1.一种图像感测模块,其特征在于,所述图像感测模块包括:
一图像感测单元,所述图像感测单元包括一图像感测元件,其中所述图像感测元件的顶端具有一图像感测区域;
一透光单元,所述透光单元包括一通过多个支撑体以被支撑在所述图像感测元件的上方的透光元件,其中所述透光元件对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;
一基板单元,所述基板单元包括一通过多个导电体以设置在所述图像感测元件上且电性连接于所述图像感测元件的可挠性基板,其中所述可挠性基板具有至少一用于容置所述透光元件的贯穿开口,且所述贯穿开口对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;以及
一透镜单元,所述透镜单元包括一设置在所述可挠性基板上且覆盖所述透光元件的不透光框架及一连接于所述不透光框架且设置于所述透光元件的上方的透镜组件;
其中,所述不透光框架具有一围绕支撑脚及至少两个顶抵支撑脚,所述围绕支撑脚通过黏着胶以设置在所述可挠性基板上,且所述顶抵支撑脚直接接触且向下顶抵所述透光元件的上表面。
2.根据权利要求1所述的图像感测模块,其特征在于,所述支撑体依序相连以形成一围绕所述图像感测区域的单一围绕状支撑体,且所述透光元件设置在所述单一围绕状支撑体上以遮盖并封闭所述图像感测区域,其中所述图像感测元件为一互补式金属氧化物半导体图像感测芯片,所述透光元件为一位于所述图像感测区域的正上方的透明玻璃,且所述透光元件的上表面具有一抗红外线层且所述透光元件的下表面具有一抗反射层。
3.根据权利要求1所述的图像感测模块,其特征在于,所述图像感测元件的所述图像感测区域提供一第一对位基准面,且所述透光元件依据所述图像感测区域所提供的所述第一对位基准面以设置在所述图像感测元件的所述图像感测区域的上方,其中所述透光元件的上表面提供一第二对位基准面,且所述不透光框架依据所述透光元件所提供的所述第二对位基准面以设置在所述透光元件的上表面上且与所述透光元件的上表面直接接触,其中所述透光元件及所述不透光框架依序堆叠在所述图像感测元件上。
4.一种图像感测模块,其特征在于,所述图像感测模块包括:
一图像感测单元,所述图像感测单元包括一图像感测元件,其中所述图像感测元件的顶端具有一图像感测区域;
一透光单元,所述透光单元包括一通过多个支撑体以被支撑在所述图像感测元件的上方的透光元件,其中所述透光元件对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;
一基板单元,所述基板单元包括一电性连接于所述图像感测元件的可挠性基板;以及
一透镜单元,所述透镜单元包括一设置在所述可挠性基板上且覆盖所述透光元件的不透光框架及一连接于所述不透光框架且设置于所述透光元件的上方的透镜组件,其中所述不透光框架具有至少两个直接接触且向下顶抵所述透光元件的顶抵支撑脚。
5.根据权利要求4所述的图像感测模块,其特征在于,所述可挠性基板通过多个导电体以设置在所述图像感测元件上,所述可挠性基板具有至少一用于容置所述透光元件的贯穿开口,所述贯穿开口对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域,且所述不透光框架具有一通过黏着胶以设置在所述可挠性基板上的围绕支撑脚。
6.根据权利要求4所述的图像感测模块,其特征在于,所述图像感测元件的所述图像感测区域提供一第一对位基准面,且所述透光元件依据所述图像感测区域所提供的所述第一对位基准面以设置在所述图像感测元件的所述图像感测区域的上方,其中所述透光元件的上表面提供一第二对位基准面,且所述不透光框架依据所述透光元件所提供的所述第二对位基准面以设置在所述透光元件的上表面上且与所述透光元件的上表面直接接触,其中所述透光元件及所述不透光框架依序堆叠在所述图像感测元件上。
7.一种图像感测模块的制作方法,其特征在于,所述图像感测模块的制作方法包括下列步骤:
提供一图像感测元件,其中所述图像感测元件的顶端具有一图像感测区域;
通过多个支撑体以将一透光元件支撑在所述图像感测元件的上方,其中所述透光元件对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;
将一可挠性基板设置在所述图像感测元件上,其中所述可挠性基板通过多个导电体以电性连接于所述图像感测元件,所述可挠性基板具有至少一用于容置所述透光元件的贯穿开口,且所述贯穿开口对应于所述图像感测元件的所述图像感测区域;以及
将一透镜单元设置在所述可挠性基板上,其中所述透镜单元包括一设置在所述可挠性基板上且覆盖所述透光元件的不透光框架及一连接于所述不透光框架且设置于所述透光元件的上方的透镜组件;
其中,所述不透光框架具有一围绕支撑脚及至少两个顶抵支撑脚,所述围绕支撑脚通过黏着胶以设置在所述可挠性基板上,且所述顶抵支撑脚直接接触且向下顶抵所述透光元件的上表面。
8.根据权利要求7所述的图像感测模块的制作方法,其特征在于,所述图像感测元件的所述图像感测区域提供一第一对位基准面,且所述透光元件依据所述图像感测区域所提供的所述第一对位基准面以设置在所述图像感测元件的所述图像感测区域的上方,其中所述透光元件的上表面提供一第二对位基准面,且所述不透光框架依据所述透光元件所提供的所述第二对位基准面以设置在所述透光元件的上表面上且与所述透光元件的上表面直接接触,其中所述透光元件及所述不透光框架依序堆叠在所述图像感测元件上。
CN201310376353.7A 2013-08-16 2013-08-26 图像感测模块及其制作方法 Active CN104377210B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102129460 2013-08-16
TW102129460A TWI512961B (zh) 2013-08-16 2013-08-16 用於降低整體厚度的影像感測模組及其製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104377210A CN104377210A (zh) 2015-02-25
CN104377210B true CN104377210B (zh) 2017-08-01

Family

ID=49585267

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310376353.7A Active CN104377210B (zh) 2013-08-16 2013-08-26 图像感测模块及其制作方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9349903B2 (zh)
EP (1) EP2838252B1 (zh)
JP (1) JP5721285B2 (zh)
KR (1) KR101570207B1 (zh)
CN (1) CN104377210B (zh)
TW (1) TWI512961B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10718922B2 (en) * 2016-06-01 2020-07-21 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic module including lens barrel comprising flanges and adhesive thereon and resting directly on a cover glass
TWI639048B (zh) * 2017-05-22 2018-10-21 海華科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
TWI681424B (zh) * 2018-06-11 2020-01-01 海華科技股份有限公司 光學元件、光學組件及光學模組
CN110581939B (zh) * 2019-08-20 2021-06-08 苏州佳世达电通有限公司 摄像装置
CN115514864B (zh) * 2021-06-04 2024-01-23 同欣电子工业股份有限公司 无焊接式感测镜头

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200947638A (en) * 2008-05-02 2009-11-16 Azurewave Technologies Inc Image-sensing chip package module with reduced thickness
CN102237387A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 三星电子株式会社 具有图像传感器封装件的图像传感器模块

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0638534Y2 (ja) * 1987-07-30 1994-10-05 ソニー株式会社 撮像装置
JPH11261045A (ja) * 1998-03-13 1999-09-24 Sony Corp 撮像素子のパッケージ構造及びそのパッケージ構造を用いた撮像素子の撮像機器への組み付け構造
US6130448A (en) * 1998-08-21 2000-10-10 Gentex Corporation Optical sensor package and method of making same
JP3821718B2 (ja) * 2002-01-28 2006-09-13 セイコープレシジョン株式会社 固体撮像装置
US20040150740A1 (en) * 2003-01-30 2004-08-05 Hsin Chung Hsien Miniaturized image sensor module
JP2004309954A (ja) * 2003-04-10 2004-11-04 Konica Minolta Opto Inc 撮像装置及びこれを備えた携帯端末
JP4510403B2 (ja) * 2003-05-08 2010-07-21 富士フイルム株式会社 カメラモジュール及びカメラモジュールの製造方法
KR100673950B1 (ko) * 2004-02-20 2007-01-24 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서 모듈과 이를 구비하는 카메라 모듈 패키지
JP2006032886A (ja) * 2004-06-15 2006-02-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法及びカメラモジュール
WO2006093377A1 (en) 2005-03-04 2006-09-08 Hyun-Joo Jung Camera module without focusing adjustment and method of assembling thereof
US7084391B1 (en) 2005-04-05 2006-08-01 Wen Ching Chen Image sensing module
JP5427337B2 (ja) 2005-12-21 2014-02-26 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール
JPWO2007096992A1 (ja) 2006-02-24 2009-07-09 パナソニック株式会社 撮像装置及び携帯端末装置
KR101294419B1 (ko) 2006-03-10 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
TW200739165A (en) * 2006-04-11 2007-10-16 Chicony Electronic Co Ltd Lens module of camera and its fabricating method
KR100790996B1 (ko) * 2006-08-30 2008-01-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이를 포함하는이미지 센서 모듈
US20100103296A1 (en) * 2007-04-13 2010-04-29 Yasushi Nakagiri Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof
US8120128B2 (en) * 2007-10-12 2012-02-21 Panasonic Corporation Optical device
KR101737478B1 (ko) * 2009-12-14 2017-05-19 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
US8308379B2 (en) 2010-12-01 2012-11-13 Digitaloptics Corporation Three-pole tilt control system for camera module

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200947638A (en) * 2008-05-02 2009-11-16 Azurewave Technologies Inc Image-sensing chip package module with reduced thickness
CN102237387A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 三星电子株式会社 具有图像传感器封装件的图像传感器模块

Also Published As

Publication number Publication date
TW201508903A (zh) 2015-03-01
CN104377210A (zh) 2015-02-25
JP5721285B2 (ja) 2015-05-20
KR20150019995A (ko) 2015-02-25
JP2015037309A (ja) 2015-02-23
TWI512961B (zh) 2015-12-11
US9349903B2 (en) 2016-05-24
KR101570207B1 (ko) 2015-11-20
EP2838252B1 (en) 2022-05-04
US20150048386A1 (en) 2015-02-19
EP2838252A1 (en) 2015-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104377210B (zh) 图像感测模块及其制作方法
TWI425597B (zh) 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
EP3235425B1 (en) Packaging structure, electronic equipment, and preparation method for packaging structure
CN101271885B (zh) 影像感测器封装及其应用的影像摄取装置
CN103515371A (zh) 集成型光传感器封装
CN103579216A (zh) 光学元件封装模块
CN110235254A (zh) 感测模块及其制造方法
CN206977392U (zh) 按钮组件及电子设备
KR20150031710A (ko) 가스센서패키지 및 그 제조방법
CN102903722A (zh) 薄型化有源检测模块及其制作方法
CN209517201U (zh) 一种移动终端
US20200326793A1 (en) Touch panel
CN203812541U (zh) 电子设备
TW200744220A (en) A structure of ultra thin CCM package and a method for fabricating the same
CN207558777U (zh) 玻璃封装芯片结构及摄像模组
CN211604129U (zh) 传感器模组及电子设备
CN107360347A (zh) 影像模组结构
CN208316840U (zh) 摄像模组及其影像传感器以及移动终端
JP2022118676A (ja) タッチデバイス及びその製造方法
CN103928481A (zh) 一种图像传感器封装结构及封装方法
CN208589448U (zh) 芯片封装结构和终端设备
US7663693B2 (en) Camera module
CN203617267U (zh) 芯片封装结构
CN216957006U (zh) 一种防水套及其指纹识别装置和终端设备
CN110098180B (zh) 晶圆级感应模块及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant