CN104350618A - Led模块 - Google Patents

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Abstract

LED模块具备透光性的光扩散基板、经由透明的第1接合部与光扩散基板的一表面侧接合的LED芯片、在光扩散基板的上述一表面侧将LED芯片覆盖的颜色变换部和安装基板。颜色变换部由含有被从LED芯片放射的光激励而放射与LED芯片不同颜色的光的荧光体的透明材料形成。安装基板具备对从LED芯片放射的光及从荧光体放射的光进行扩散反射的扩散反射层，扩散反射层配置在光扩散基板的另一表面侧。

Description

LED模块
技术领域
本发明涉及LED模块。
背景技术
以往，作为被要求白色系的发光的发光装置，提出了图27所示的结构的发光装置(日本专利申请公开号2007－109701：专利文献1)。该发光装置具备兼具散热功能和光反射功能的金属板203、具有使光穿过的贯通孔207的配线板201、和将配线板201与金属板203贴合的粘接片202。并且，该发光装置中，由LED芯片构成的发光元件214搭载在处于配线板201的贯通孔207正下方的金属板203上，发光元件214与处于配线板201的上表面的焊接区206用金属线215进行引线接合连接。
在上述发光装置中，记载了作为金属板203而使用铝板等。
在图27所示的结构的发光装置中，推测从发光元件214的发光层放射的光的一部分在发光元件214中透射而被金属板203反射。但是，在该发光装置中，推测因为由金属板203全反射的光在发光元件214内被吸收或被多重反射等而导致光取出效率下降。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做出的，其目的是提供一种能够使光取出效率提高的LED模块。
本发明的LED模块，其特征在于，具备：透光性的光扩散基板；经由透明的第1接合部与上述光扩散基板的一表面侧接合的LED芯片；在上述光扩散基板的上述一表面侧将上述LED芯片覆盖的颜色变换部；以及安装基板，上述颜色变换部由含有被从上述LED芯片放射的光激励而放射与上述LED芯片不同颜色的光的荧光体的透明材料形成，上述安装基板具备对从上述LED芯片放射的光及从上述荧光体放射的光进行扩散反射的扩散反射层，上述扩散反射层配置在上述光扩散基板的另一表面侧。
在该LED模块中，优选的是，上述LED芯片在厚度方向的一面侧设有第1电极和第2电极，上述安装基板具备：经由金属线而与上述LED芯片的上述第1电极及上述第2电极分别电连接的配线图案；以及配置在上述配线图案的背面侧的树脂部，上述配线图案是非透光性的，上述树脂部具有电绝缘性，在上述配线图案的主表面侧形成有上述扩散反射层，在上述扩散反射层上，形成有供一端部分别与上述第1电极及上述第2电极接合的各上述金属线的另一端部穿通的贯通孔。
在该LED模块中，优选的是，上述LED芯片在厚度方向的一面侧设有第1电极和第2电极，上述安装基板具备：经由金属线而与上述LED芯片的上述第1电极及上述第2电极分别电连接的配线图案；以及配置在上述配线图案的背面侧的树脂部，上述配线图案是非透光性的，上述树脂部具有电绝缘性，上述扩散反射层形成在上述光扩散基板的上述另一表面侧，与上述光扩散基板侧相反的一侧经由透明的第2接合部与上述配线图案的主表面侧接合。
在本发明的LED模块中，通过具备透光性的光扩散基板、和对从上述LED芯片放射的光及从上述荧光体放射的光进行扩散反射的扩散反射层，能够使光取出效率提高。
附图说明
图1A是实施方式1的LED模块的概略平面图。图1B是实施方式1的LED模块的概略剖面图。
图2A、图2B是参考例1的结构中的光的行进路径的说明图。
图3A～图3D是参考例1的结构中的结构参数的说明图。
图4是表示参考例1的结构中的LED芯片的发光层中的吸收率与光取出效率的关系的模拟结果的图。
图5是表示参考例1的结构中的LED芯片的发光层中的吸收率与光取出效率之比的关系的图。
图6是表示参考例1的结构中的光取出效率的详细分析的模拟结果的图。
图7是参考例2、3及4各自的光束的测量结果的说明图。
图8是参考例2、3及4各自的光束的测量结果的说明图。
图9是参考例2、3及4各自的光束的测量结果的说明图。
图10是全反射率与波长的关系说明图。
图11A是实施方式2的LED模块的概略平面图。图11B是实施方式2的LED模块的概略剖面图。
图12A是实施方式3的LED模块的概略平面图。图12B是实施方式3的LED模块的概略剖面图。
图13是实施方式3的LED模块的光扩散基板的概略立体图。
图14是氧化铝粒子的粒径与反射率的关系说明图。
图15是实施方式3的LED模块的实施例的光扩散基板及氧化铝基板的反射率－波长特性图。
图16是实施方式3的LED模块的光扩散基板的示意说明图。
图17是实施方式1的LED模块的光扩散基板的玻璃配比与积分球的积分强度的关系说明图。
图18是实施方式3的实施例的光扩散基板及氧化铝基板的反射率－波长特性图。
图19是用来说明关于实施方式3的LED模块的光取出效率的提高的原理的推测机理图。
图20A～图20C是用来说明关于实施方式3的LED模块的光取出效率的提高的原理的推测机理图。
图21是实施方式3的LED模块的第1变形例的概略剖面图。
图22是实施方式3的LED模块的第2变形例的概略立体图。
图23A是将实施方式3的照明器具的一部分剖断的概略立体图。图23B是图23A的主要部放大图。
图24A是实施方式3的直管型LED灯的一部分剖断的概略立体图。图24B是图24A的主要部放大图。
图25是实施方式3的照明器具的第1变形例的概略立体图。
图26是实施方式3的照明器具的第1变形例的一部分剖断的概略立体图。
图27是表示以往例的发光装置的剖面图。
具体实施方式
(实施方式1)
以下，基于图1A、图1B对本实施方式的LED模块1进行说明。
LED模块1具备透光性的光扩散基板2、经由透明的第1接合部3接合在光扩散基板2的一表面2sa侧的LED芯片4、和在光扩散基板2的一表面2sa侧将LED芯片4覆盖的颜色变换部5。颜色变换部5由含有被从LED芯片4放射的光激励而放射与LED芯片4不同颜色的光的荧光体的透明材料形成。此外，LED模块1具备安装基板7。安装基板7具备将从LED芯片4放射的光及将从荧光体放射的光扩散反射的扩散反射层6，扩散反射层6配置在光扩散基板2的另一表面2sb侧。
由此，LED模块1中，由LED芯片4的发光层43(参照图2A、图2B)发出、并穿过LED芯片4内及第1接合部3的光的一部分在光扩散基板2内被扩散，从光扩散基板2的侧面2sc被取出。由此，LED模块1通过具备透光性的光扩散基板2、和配置在光扩散基板2的另一表面2sb侧对从LED芯片4放射的光及从荧光体放射的光进行扩散反射的扩散反射层6，能够使光取出效率提高。
以下，对LED模块1的各构成要素详细地说明。
LED芯片4在该LED芯片4的厚度方向的一面侧具备作为阳极电极的第1电极(未图示)和作为阴极电极的第2电极(未图示)。
LED芯片4如图2A、图2B所示，在基板41的主表面41a侧具备具有n型半导体层42、发光层43及p型半导体层44的LED结构部40。n型半导体层42、发光层43及p型半导体层44的层叠顺序从距基板41较近侧起依次为n型半导体层42、发光层43、p型半导体层44，但并不限定于此，也可以是p型半导体层44、发光层43、n型半导体层42的顺序。LED芯片4更优选的是在LED结构部40与基板41之间设有缓冲层的结构。发光层43优选的是具有单量子阱结构或多量子阱结构，但并不限定于此。例如，LED芯片4也可以由n型半导体层42、发光层43和p型半导体层44构成双异质结构。另外，LED芯片4的结构没有特别限定。作为LED模块1，在作为LED芯片4而采用在内部不具备反射层(例如，布拉格反射器等的反射部)的结构的LED芯片的情况下，与采用在内部具备反射层的LED芯片的情况相比，因具备光扩散基板2和扩散反射层6带来的光取出效率的提高效果较大。
作为LED芯片4，例如可以采用放射蓝色光的GaN类蓝色LED芯片。在此情况下，LED芯片4作为基板41而具备蓝宝石基板。但是，LED芯片4的基板41并不限于蓝宝石基板，例如只要是对由发光层43发光的光透明的基板就可以。
LED芯片4的芯片尺寸没有特别限定。作为LED芯片4，例如可以使用芯片尺寸为0.3mm□(0.3mm×0.3mm)、0.45mm□(0.45mm×0.45mm)或1mm□(1mm×1mm)的芯片等。此外，LED芯片4的平面形状并不限于正方形状，例如也可以是长方形状等。作为平面形状为长方形状的LED芯片4，例如可以使用芯片尺寸为0.5mm×0.24mm的芯片等。
此外，LED芯片4并不特别限定发光层43的材料及发光色。即，作为LED芯片4，并不限于蓝色LED芯片，例如可以使用紫色光LED芯片、紫外光LED芯片、红色LED芯片、绿色LED芯片等。
作为将LED芯片4与光扩散基板2接合的第1接合部3的材料，例如可以采用硅氧烷树脂、环氧树脂、硅氧烷树脂与环氧树脂的混合材料等。
作为光扩散基板2的材质，例如可以采用透光性陶瓷(氧化铝、硫酸钡等)。透光性陶瓷可以通过粘合剂、添加物等的种类及浓度来调整透射率、反射率及热传导率。LED模块1在光扩散基板2的一表面2sa侧的中央部经由透明的第1接合部3接合着LED芯片4。由此，LED模块1容易将从LED芯片4的发光层43向LED芯片4的厚度方向的另一面侧放射的光从LED芯片4的侧面取出，以及在光扩散基板2内扩散并容易地从光扩散基板2的一表面2sa的周部取出。由此，LED模块1能够实现光取出效率的提高。
光扩散基板2形成为矩形板状，但并不限定于此，例如也可以是圆形状、多边形状等。光扩散基板2的平面尺寸设定得比LED芯片4的平面尺寸大。由此，LED模块1能够使光取出效率提高。
光扩散基板2优选的是，通过构成为具有与LED芯片4接近的线膨胀率，具有将起因于LED芯片4与安装基板7的线膨胀率的差而作用在LED芯片4上的应力缓和的应力缓和功能。由此，LED模块1能够将起因于LED芯片4与安装基板7的线膨胀率的差而作用在LED芯片4上的应力缓和。
此外，光扩散基板2优选的是具有使由LED芯片4产生的热向安装基板7侧传热的热传导功能。此外，光扩散基板2优选的是具有使由LED芯片4产生的热向比LED芯片4的芯片尺寸大的范围传热的热传导功能。由此，LED模块1能够使由LED芯片4产生的热经由光扩散基板2及安装基板7效率良好地散热。
颜色变换部5的形状只要基于LED芯片4的平面形状等适当设定就可以。例如在，LED芯片4的平面形状是长方形状的情况下，优选的是将颜色变换部5做成半椭圆球状的形状，使俯视时的颜色变换部5的长轴方向、短轴方向与俯视时的LED芯片4的长边方向、短边方向分别对齐。此外，在LED芯片4的平面形状是正方形状的情况下，优选的是使颜色变换部5的形状为半球状的形状。但是，颜色变换部5的形状没有特别限定，只要基于LED模块1的希望的配光特性适当设定就可以。颜色变换部5不仅将LED芯片4、还将连接在LED芯片4上的各金属线8的各自的一部分覆盖。颜色变换部5接触在LED芯片4的上述一面侧及侧面、和光扩散基板2的一表面2sa的周部上。颜色变换部5例如可以通过成形法形成。
作为是颜色变换部5的材料的透明材料而采用硅氧烷树脂。透明材料并不限于硅氧烷树脂，例如也可以采用环氧树脂、丙烯树脂、玻璃、有机成分与无机成分以nm级别或分子级别混合、结合的有机/无机混合材料等。
作为颜色变换部5的材料的荧光体，作为将从LED芯片4放射的光变换为比该光波长更长的光的波长变换材料发挥功能。由此，LED模块1能够得到从LED芯片4放射的光与从荧光体放射的光的混色光。
LED模块1例如如果作为LED芯片4而采用蓝色LED芯片、作为波长变换材料的荧光体而采用黄色荧光体，则能够得到白色光。即，LED模块1中，从LED芯片4放射的蓝色光和从黄色荧光体放射的光能够穿过颜色变换部5的表面而放射，能够得到白色光。
作为波长变换材料的荧光体，不仅限于黄色荧光体，例如也可以采用黄色荧光体和红色荧光体、或采用红色荧光体和绿色荧光体。此外，作为波长变换材料的荧光体并不限于1种黄色荧光体，也可以采用发光峰值波长不同的两种黄色荧光体。LED模块1通过作为波长变换材料而采用多种荧光体，能够提高显色性。
安装基板7优选的是具备电连接着LED芯片4的非透光性的配线图案71、和配置在配线图案71的背面侧的树脂部72。树脂部72具有电绝缘性。作为配线部的配线图案71是向LED芯片4供电用的导体图案。所谓导体图案，是指图案化的导体部。
安装基板7在配线图案71的主表面侧形成有扩散反射层6。在扩散反射层6上，形成有贯通孔61，该贯通孔61供一端部分别接合在LED芯片4的第1电极及第2电极上的各金属线8的另一端部穿通。
作为配线图案71的材质，例如可以采用铝、铝合金、银、铜、磷青铜、铜合金(例如，42合金等)、镍合金等。配线图案71例如可以使用引线框、金属箔、金属膜等形成。引线框是金属框，由带状的金属箍件(hoop)形成。金属箍件的厚度优选的是例如在100μm～1500μm左右的范围内设定。
引线框也可以在主表面侧适当设置与金属箍件相比对于来自LED芯片4的光的反射率更高的表面处理层(未图示)。作为表面处理层，例如可以采用Ag膜；Ni膜、Pd膜和Au膜的层叠膜；Ni膜和Au膜的层叠膜；Ag膜、Pd膜和AuAg合金膜的层叠膜等。表面处理层从长期的可靠性(例如，耐氧化性、耐腐蚀性、与树脂部72的密接性等)的观点看，相比Ag膜，更优选的是Ni膜、Pd膜和Au膜的层叠膜，Ni膜和Au膜的层叠膜，Ag膜、Pd膜和AuAg合金膜等。表面处理层优选的是由镀层等构成。总之，表面处理层优选的是通过镀层法形成。引线框并不限于主表面侧，也可以在整体上形成表面处理层。此外，引线框的主表面侧的表面处理层也可以通过点镀层法等部分地形成。
另外，作为金属箍件，可以使用在作为母材的铝板的一表面侧层叠比铝板高纯度的铝膜、并在该铝膜上层叠了由折射率不同的两种介电体膜构成的增反射膜的高反射基板。这里，作为两种介电体膜，优选的是采用例如SiO2膜和TiO2膜。作为高反射基板，例如可以使用アラノッド(alanod)公司的MIRO2、MIRO(注册商标)。作为上述铝板，也可以使用将表面阳极氧化处理的结构。在作为金属箍件而使用上述那样的高反射基板的情况下，需要通过镀层法形成用于与各金属线8分别电连接的导电膜，或将增反射膜形成图案。
配线图案71具备将LED芯片4的第1电极和第2电极中的一方经由金属线8电连接的第1导体部(第1图案)71a、和将第1电极和第2电极中的另一方经由金属线8电连接的第2导体部(第2图案)71b。另外，在图1的例子中，第1电极经由金属线8与第1图案71a电连接，第2电极经由金属线8与第2导体部71b电连接。
安装基板7优选的是在配线图案71中在被扩散反射层6覆盖的区域以外的区域的主表面侧形成有最表层由Au膜构成的表面处理层。该表面处理层的材料优选的是耐氧化性及耐腐蚀性比配线图案71的材料高的材料。这里，表面处理层例如在配线图案71利用上述引线框形成、配线图案71的材料是Cu的情况下，优选的是由Ni膜、Pd膜和Au膜的层叠膜，或Ni膜和Au膜的层叠膜构成。由此，表面处理层耐氧化性及耐腐蚀性较高，此外能够提高与构成金属线8的金线的接合强度，此外，能够抑制作为配线图案71的材料的Cu向表面处理层的Au膜中扩散。
作为安装基板7的形成方法的一例，例如只要如以下这样就可以：首先准备具有配线图案71的引线框后，在配线图案71上形成扩散反射层6，然后，通过电解镀层法形成表面处理层，然后，通过嵌块成形法，将埋设有配线图案71的树脂部72成形，然后，将引线框的不需要部分切断。在该安装基板7的形成方法中，由于在通过电解镀层法形成表面处理层之前形成扩散反射层6，所以与在形成表面处理层之前没有扩散反射层6的情况相比，能够减少对配线图案71实施的镀层的量，能够实现低成本化。上述的安装基板7的形成方法是一例，也可以是其他形成方法。
安装基板7的平面形状呈矩形状。相对于此，配线图案71在规定方向(图1A的左右方向)上排列设置有第1导体部71a和第2导体部71b，并且包含第1导体部71a和第2导体部71b两者的假想四边形形成为比树脂部72的外周形状稍小、与该外周形状相似的矩形。这里，配线图案71其外形尺寸设定为，使得由第1导体部71a和第2导体部71b占据上述假想四边形的大部分。具体而言，第1导体部71a其外周形状是矩形状，上述规定方向上的长度尺寸被设定为比上述假想四边形的沿着上述规定方向的边的长度的4分之3稍小的尺寸，与上述规定方向正交的方向上的长度尺寸被设定为与上述假想四边形的沿着与上述规定方向正交的方向的边的长度相同的尺寸。此外，第2导体部71b其上述规定方向上的长度尺寸被设定为比上述假想四边形的沿着上述规定方向的边的长度的4分之1稍小的尺寸，与上述规定方向正交的方向上的长度尺寸被设定为与上述假想四边形的沿着与上述规定方向正交的方向的边的长度相同的尺寸。安装基板7没有特别限定第1导体部71a及第2导体部71b各自的形状及大小，但优选的是设定为，用配线图案71将树脂部72的光扩散基板2侧的表面的大部分覆盖。由此，LED模块1能够提高散热性。配线图案71也可以是第1导体部71a和第2导体部71b的大小相反。此外，配线图案71优选的是设定第1导体部71a及第2导体部71b各自的外形尺寸，以使得光扩散基板2包含在第1导体部71a和第2导体部71b的某一方向配线图案71的厚度方向的投影区域内。总之，配线图案71优选的是设定第1导体部71a及第2导体部71b各自的外形尺寸，以使光扩散基板2包含在第1导体部71a的垂直投影区域内或第2导体部71b的垂直投影区域内的某个内。
安装基板7的平面形状并不限于矩形状，例如也可以是圆形状、椭圆形状、三角形状、矩形以外的多边形状等的形状。
作为扩散反射层6的材料，可以采用白色的抗蚀剂(树脂)等。扩散反射层6的材料优选的是白色系的抗蚀剂，在白色系的抗蚀剂之中，更优选的是白色的抗蚀剂。LED模块1通过扩散反射层6的颜色是白色，能够用扩散反射层6的表面使从LED芯片4放射的光及从荧光体放射的光效率良好地扩散反射。因而，LED模块1虽然是使安装基板7的平面尺寸比光扩散基板2的平面尺寸大的结构，但从LED芯片4放射的光及从荧光体放射的光被扩散反射层6的表面扩散反射，能够抑制被安装基板7吸收，由此，LED模块1能够实现光取出效率的提高。此外，LED模块1通过具备光扩散基板2，光扩散基板2正下方的扩散反射层6不接触到空气，所以扩散反射层6不易老化，能够减轻因老化带来的影响。
扩散反射层6形成为，在俯视时将配线图案71的大部分覆盖。该扩散反射层6在光扩散基板2的附近具有使第1导体部71a、第2导体部71b各自的1个部位露出的贯通孔61，并且在安装基板7的外周部图案化，以具有使第1导体部71a、第2导体部71b各自的1个部位露出的开孔部(未图示)。由此，第1导体部71a、第2导体部71b在光扩散基板2的附近露出的部位构成连接金属线8的连接部，在安装基板7的外周部露出的部位构成外部连接用的端子部。
树脂部72也可以由对树脂混合了热传导率比该树脂高的填料的材料形成。由此，安装基板7与树脂部72由通过没有混合填料的树脂形成的情况相比，能够降低树脂部72的热阻。作为树脂部72的树脂，例如可以采用乙烯酯树脂、不饱和聚酯树脂等。此外，作为填料，优选的是使用例如氧化镁、氮化硼、氢氧化铝、玻璃纤维等。此外，填料的填充率优选的是60体积百分比～75体积百分比左右。由此，安装基板7能够使树脂部72的热传导率成为4W/mK～10W/mK左右。作为一例，安装基板7的树脂部72如果分别作为树脂采用乙烯酯树脂、作为填料的材料采用氧化镁，使填料的填充率为67体积百分比，则能够使热传导率成为5W/mK、使线膨胀率成为18～22ppm/K左右。铝及铜的热传导率分别是23ppm/K左右、17ppm/K左右。
安装基板7的一表面7sa侧配置的LED芯片4的个数并不限于1个，也可以是多个。在LED芯片4的个数是多个的情况下，LED芯片4的个数和光扩散基板2的个数也可以相同，也可以是光扩散基板2的个数比LED芯片4的个数少。总之，LED模块1既可以具备例如LED芯片4的个数的在1个光扩散基板2上经由第1接合部3接合着1个LED芯片4的结构，也可以具备在1个光扩散基板2上经由第1接合部3分别接合着多个LED芯片4的结构。
此外，LED模块1例如也可以是使安装基板7的平面形状为长条状、沿着安装基板7的长边方向排列有多个LED芯片4的结构。在此情况下，配线图案71既可以将多个LED芯片4可串联连接地构成，也可以可并联连接地构成，也可以可串并联连接地构成。
作为金属线8，并不限于金线，例如可以采用铝线等。
贯通孔61使开口形状为圆形状。贯通孔61的内径设定为0.5mm，但该值是一例，没有特别限定。贯通孔61的形状并不限于圆形状，例如也可以是矩形状、椭圆形状等。贯通孔61在俯视时在LED芯片4的两侧形成有各1个。
光扩散基板2和安装基板7经由透明的第2接合部(未图示)接合。作为第2接合部的材料，例如可以采用硅氧烷树脂、环氧树脂等。
LED模块1优选的是在安装基板7的一表面7sa侧具备将颜色变换部5及从颜色变换部5露出的各金属线8覆盖的由透明材料构成的罩部(未图示)。作为罩部的材料，可以采用与作为颜色变换部5的材料的透明材料相同的材料等。即，作为罩部的材料，例如可以采用硅氧烷树脂、环氧树脂、环氧树脂、丙烯树脂、玻璃、有机成分和无机成分以nm级别或分子级别混合、结合的有机/无机混合材料等。另外，罩部的光射出面优选的是沿着颜色变换部5的光射出面的形状。此外，在LED模块1的制造时，在形成颜色变换部5后，例如只要通过分配器等向各贯通孔61填充罩部的材料、使得各金属线8不接触到光扩散基板2，然后形成罩部就可以。
本发明者们为了解决实现光取出效率的提高的课题，特别着眼于搭载LED芯片4的基台(submount)部件20(参照图2A、图2B、图3A～图3D、图7～图9)、配置在基台部件20的与LED芯片4侧相反侧的支承部件170(参照图7～图9)进行了锐意研究。
首先，本发明者们对于通过将LED芯片4经由第1接合部3接合到基台部件20上而将LED芯片4搭载在基台部件20上的结构(参考例1)，对因基台部件20的材质的差异带来的光取出效率的差异进行了研究。作为LED芯片4，准备基板41是蓝宝石基板、从发光层43放射的光是蓝色光的GaN系蓝色LED芯片。此外，作为基台部件20，准备透光性陶瓷基板(透光性氧化铝基板)、反射率比透光性陶瓷基板高的金属板(Ag基板、Al基板)。此外，第1接合部3的材料为硅氧烷树脂。
在图2A中，对于在参考例1的结构中使基台部件20为透光性陶瓷基板的情况，用箭头示意地表示从发光层43的任意的点放射的光的行进路径。此外，在图2B中，对于在参考例1的结构中使基台部件20为Ag基板的情况，用箭头示意地表示从发光层43的任意的点放射的光的行进路径。关于参考例1的结构中的光取出效率，基台部件20为透光性陶瓷基板的情况与基台部件20为Ag基板的情况相比，提高了8％～10％。
关于参考例1的结构，设定了图3A～图3D所示的结构参数。关于LED芯片4，使平面形状为长方形，使长边的长度尺寸H41为0.5mm，使短边的长度尺寸H42为0.24mm。此外，关于LED芯片4，使将基板41与LED结构部40加在一起的厚度尺寸t4为0.14mm，使LED结构部40的厚度尺寸t5为0.0004mm，使从LED芯片4的上述一面到发光层43的厚度尺寸t6为0.0003mm。此外，关于LED芯片4，使基板41的材料为折射率1.77的蓝宝石，使LED结构部40为折射率2.5的GaN。
此外，关于发光层43，假定从发光层43的全部点的任意一个都向全方向各向同性地放射均匀的强度的光。
此外，关于第1接合部3，使厚度尺寸t3为0.005mm，使材料为折射率1.41的硅氧烷树脂。
关于基台部件20，使平面形状为矩形状，使相邻的两个边的长度尺寸H1、H2分别为3.75mm、3.75mm。因而，沿着LED芯片4的长边方向的方向上的LED芯片4与基台部件20的外周线的距离L1为1.625mm，沿着LED芯片4的短边方向的方向上的LED芯片4与基台部件20的外周线的距离L2为1.755mm。
此外，关于基台部件20的光学特性，在透光性陶瓷基板的情况下，假定反射率为92％，假定透射率为8％。并且，本发明者们关于基台部件20是透光性陶瓷基板的情况，考虑了如图3D所示那样在由陶瓷构成的母材中混入与母材折射率不同的球状的粒子的结构模型，假定母材的折射率为1.77、粒子的折射率为1.0、粒子尺寸为3.0μm、粒子浓度为16.5％，以便得到上述反射率、透射率各自的值。
此外，假定从参考例1的结构放射的全部光束被可看作参考例的结构处于无限远的远场(far field)受光器检测。
关于光取出效率的实测值，在参考例1的结构中使基台部件20为透光性陶瓷基板的情况下的光取出效率是72.5％，相对于此，在参考例1的结构中使基台部件20为Al基板的情况下的光取出效率是68.7％。
图4表示模拟在参考例1的结构中发光层43中的吸收率与整体中的光取出效率的关系的结果。图4中的D1表示使基台部件20为透光性陶瓷基板的情况下的模拟结果。图4中的D2表示使基台部件20为Al基板的情况下的模拟结果。另外，在该模拟中，假定在LED芯片4的侧面仅发生菲涅尔损失。此外，该模拟是基于使用蒙特卡洛(Monte Carlo)法的光线跟踪法的几何光学模拟。
根据图4所示的模拟结果，当发光层43中的光吸收率为约0.2％时，D1、D2的光取出效率都为约70％，得到了接近于实测值的值。
图5是将在参考例1的结构中基台部件20为透光性陶瓷基板的光取出效率相对于基台部件20为Al基板的情况下的光取出效率的比定义为光取出效率比，表示发光层43的光吸收率与光取出效率比的关系的图。
根据图5可知，不论发光层43的光吸收率的大小如何，光取出效率比都为比1大的值。即，根据图5可知，发光层43的光吸收率如果是相同的条件，则相比在参考例1的结构中基台部件20为Al基板的情况，基台部件20为透光性陶瓷基板的情况下光取出效率变高。与在参考例1的结构中基台部件20为Al基板的情况相比，基台部件20为透光性陶瓷基板的情况下光取出效率更高的结果与实测值的情况是同样的。
图6是在参考例1的结构中基台部件20为透光性陶瓷基板、Al基板的情况下，各自的光取出效率的详细分析的结果。在图6中，基板材质为陶瓷的情况对应于基台部件20为透光性陶瓷基板的情况，基板材质为铝的情况对应于基台部件20为Al基板的情况。关于光取出效率的详细分析，图6中的I1是从LED芯片4的上述一面的光取出效率。此外，图6中的I2是从LED芯片4的侧面的光取出效率。此外，图6中的I3是从基台部件20的LED芯片4侧的露出表面(上面)的光取出效率。此外，图6中的I4是从基台部件20的侧面和与LED芯片4侧相反侧的露出表面(下面)的光取出效率。
根据图6可知，在参考例1的结构中使基台部件20为Al基板的情况下，I3及I4是0，相对于此，在使基台部件20为透光性陶瓷基板的情况下，I1及I2分别稍稍减少，但将I3和I4合计而得到9.3％的光取出效率，总体上的光取出效率提高。
图7、图8是对于在各自的左下表示的参考例2的结构、在各自的中央下方表示的参考例3的结构、在各自的右下表示的参考例4的结构，分别对使基台部件20的平面尺寸是2mm□(2mm×2mm)为一定、使厚度尺寸进行各种各样变化的情况，汇总了将光束通过积分球测量的结果的图。参考例2的结构是对参考例1的结构追加了配置在基台部件20的与LED芯片4侧相反侧的支承部件170的结构。参考例3的结构是对参考例2的结构追加了将LED芯片4封固的由硅氧烷树脂构成的封固部150的结构。参考例4的结构是对参考例2的结构追加了将LED芯片4覆盖的颜色变换部5的结构。颜色变换部5作为透明材料而采用硅氧烷树脂，作为波长变换材料而采用黄色荧光体。图7与图8的不同点，只是相对于图7的支承部件170是Al基板，图8的支承部件170是Ag基板这一点。另外，Al基板、Ag基板的反射率分别是约78％、约98％。
此外，图7的E1、E2、E3及E4是将基台部件20的厚度尺寸分别设为0.4mm、0.6mm、0.8mm及1.0mm时的光束比。此外，图8的F1、F2、F3及F4是将基台部件20的厚度尺寸分别设为0.4mm、0.6mm、0.8mm及1.0mm时的光束比。光束比是参考例2的结构、参考例3的结构及参考例4的结构各自的光束，与作为基台部件20而采用厚度尺寸为1.0mm的高纯度氧化铝基板去掉了支承部件170的基准结构中的光束的相对值。因而，图7、图8的结果在光束比比1大的情况下意味着光束比基准结构大，在光束比比1小的情况下意味着光束比基准结构小。
根据图7的结果，本发明者们想到，在参考例4的结构中使支承部件170为Al基板的情况下，如果使基台部件20的厚度尺寸为0.8mm以上，则能够使光束比基准结构大。此外，根据图8的结果，本发明者们想到，在参考例4的结构中使支承部件170为Ag基板的情况下，如果使基台部件20的厚度尺寸为0.8mm以上，则能够使光束比基准结构大。反言之，本发明者们想到，在参考例4的结构中使支承部件170为Al基板或Ag基板等的金属板的情况下，从使光取出效率提高的观点看，基台部件20的厚度尺寸的薄型化被限制。
此外，本发明者们为了减少通过使从LED芯片4到达支承部件170的光扩散反射而向LED芯片4返回的光，研究了作为支承部件170使用白色系的扩散反射基板的方案。
图9是对于参考例2的结构、参考例3的结构及参考例4的结构分别对使基台部件20的平面尺寸是2mm□为一定、使厚度尺寸为0.4mm的情况汇总了将光束通过积分球测量的结果的图。
图9的E1是使支承部件170为Al基板的情况下的光束比。图9的F1是使支承部件170为Ag基板的情况下的光束比。图9的G1是使支承部件170为白色系的扩散反射基板(实施了白色涂装的基板)的情况下的光束比。扩散反射基板的反射率是约92％。另外，在图10中，表示本发明者们比较研究的Ag基板、MIRO2及陶瓷基板(上述高纯度氧化铝基板)各自的全反射率的波长依存性。
图9的光束比是参考例2的结构、参考例3的结构及参考例4的结构各自的光束，与作为基台部件20采用厚度尺寸为1.0mm的高纯度氧化铝基板、去掉了支承部件170的基准结构中的光束的相对值。因而，图9的结果在光束比比1大的情况下意味着光束比基准结构大，在光束比比1小的情况下意味着光束比基准结构小。
本发明者们根据图9的结果得到以下认识：通过作为支承部件170采用扩散反射基板，与作为支承部件170采用Al基板或Ag基板等的金属基板的情况相比，能够实现光取出效率的提高。
并且，本发明者们基于该认识，想到了本实施方式的LED模块1。
LED模块1如上述那样，具备透光性的光扩散基板2、经由透明的第1接合部3接合在光扩散基板2的一表面2sa侧的LED芯片4、和在光扩散基板2的一表面2sa侧将LED芯片4覆盖的颜色变换部5。这里，颜色变换部5包含被从LED芯片4放射的光激励而放射与LED芯片4不同颜色的光的荧光体及透明材料。此外，LED模块1具备配置在光扩散基板2的另一表面2sb侧、设有将从LED芯片4放射的光及从荧光体放射的光扩散反射的扩散反射层6的安装基板7。LED模块1通过具备透光性的光扩散基板2、和配置在光扩散基板2的另一表面侧将从LED芯片4放射的光及从荧光体放射的光扩散反射的扩散反射层6，能够使光取出效率提高，能够实现光输出(光束)的高输出化。LED模块1通过由光扩散基板2带来的光的导光效果，能够实现光取出效率的提高，此外，推测通过将从LED芯片4放射、从光扩散基板2的一表面2sa侧透射到另一表面2sb侧的光用扩散反射层6扩散反射，能够使颜色变换部5的荧光体的变换效率提高而使光取出效率提高。
此外，在本实施方式的LED模块1中，由于设定为，用配线图案71将树脂部72的光扩散基板2侧的表面的大部分覆盖，所以能够将由LED芯片4产生、向配线图案71传热的热向配线图案71的厚度方向及横向(面内方向)扩散而向树脂部72传热。由此，LED模块1散热性提高，能够抑制LED芯片4的温度上升，能够实现光输出的更加的高输出化。
安装基板7的配线图案71也可以扩展到树脂部72的俯视时的外周线的位置，但在搭载LED模块1的部件(例如，照明器具的器具主体等)由导电性材料形成那样的情况下，优选的是限制在扩展到比上述外周线靠内侧的位置，能够确保与该部件的希望的沿面距离。
此外，LED模块1由于安装基板7在配线图案71的背面侧具备树脂部72，所以在对金属制的部件(例如，照明器具的金属制的器具主体或散热部件等)设置使用那样的情况下，能够提高耐雷浪涌性。
此外，在本实施方式的LED模块1中，通过安装基板7具备扩散反射层6，能够减少配线图案71中的光损失，能够实现光输出的高输出化。
(实施方式2)
以下，基于图11对本实施方式的LED模块1进行说明。
本实施方式的LED模块1与实施方式1的LED模块1的不同点在于：扩散反射层6形成于光扩散基板2的另一表面2sb侧、扩散反射层6的与光扩散基板2侧相反侧经由透明的第2接合部(未图示)接合在配线图案71的主表面侧等。另外，对于与实施方式1同样的构成要素赋予同样的标号而省略说明。
此外，在安装基板7上没有形成扩散反射层6，树脂部72不仅是将配线图案71的背面侧，也将配线图案71的主表面侧没有接合扩散反射层6的区域的大部分覆盖。
此外，安装基板7在配线图案71的主表面侧，在树脂部72上形成有供一端部分别接合在LED芯片4的第1电极及第2电极上的各金属线8的另一端部穿通的孔73。
本实施方式的LED模块1通过具备透光性的光扩散基板2、和配置在光扩散基板2的另一表面2sb侧将从LED芯片4放射的光及从荧光体放射的光扩散反射的扩散反射层6，能够使光取出效率提高，能够实现光输出(光束)的高输出化。
本实施方式的LED模块1也可以为了提高树脂部72的反射率而对树脂添加适当的填料。作为一例，树脂部72可以作为树脂而采用不饱和聚酯、作为填料而采用二氧化钛。由此，LED模块1能够抑制安装基板7的树脂部72及配线图案71中的光吸收，能够实现光取出效率的进一步的提高。
(实施方式3)
以下，基于图12、图13对本实施方式的LED模块1进行说明。
本实施方式的LED模块1在光扩散基板2由在厚度方向上重叠的两层陶瓷层2a、2b构成这一点与实施方式1的LED模块1不同。另外，对与实施方式1的LED模块1同样的构成要素赋予同样的标号而省略说明。
光扩散基板2中，各陶瓷层2a、2b的光学特性相互不同，距LED芯片4较远的陶瓷层2a对于从LED芯片4放射的光的反射率变高。这里，所谓光学特性，是反射率、透射率、吸收率等。光扩散基板2由在厚度方向上重叠的多个陶瓷层构成，各陶瓷层的光学特性相互不同，只要具有越是远离LED芯片4的陶瓷层对于从LED芯片4放射的光的反射率越高的性质就可以。
由此，LED模块1中，从LED芯片4的发光层43(参照图2A)向LED芯片4的厚度方向的另一面侧放射的光容易被陶瓷层2b和陶瓷层2a的界面扩散反射。由此，LED模块1能够抑制从LED芯片4向光扩散基板2侧射出的光向LED芯片4返回，并且能够抑制向安装基板7入射，容易从光扩散基板2的一表面2sa或侧面2sc取出光。由此，LED模块1能够实现光取出效率的提高，并且能够减少安装基板7的反射率给光取出效率带来的影响，能够抑制光取出效率的随时间变化。
关于光扩散基板2，为了说明的方便，也有将距LED芯片4最近的最上层的陶瓷层2b称作第1陶瓷层2b、将距LED芯片4最远的最下层的陶瓷层2a称作第2陶瓷层2a的情况。
作为第1陶瓷层2b的材料，例如可以采用氧化铝(Al2O3)。这里，第1陶瓷层2b例如可以由氧化铝基板构成。第1陶瓷层2b在由氧化铝基板构成的情况下，氧化铝粒子的粒径优选的是1μm～30μm。第1陶瓷层2b中，氧化铝粒子的粒径较大者能够使反射率变小，氧化铝粒子的粒径较小者能够使散射效果变大。总之，使反射率变小与使散射效果变大处于权衡的关系。
上述粒径是通过个数基准粒度分布曲线得到的值。个数基准粒度分布曲线是通过图像成像法测量粒度分布而得到的，具体而言，通过扫描型电子显微镜(scanning electron microscope：SEM)观察而取得SEM图像，根据将该SEM图像进行图像处理求出的粒子的大小(二轴平均径)和个数得到。在该个数基准粒度分布曲线中，将累积值为50％的时的粒径值称作中位(median)直径(d50)，上述粒径是指中位直径。
另外，在理论上，氧化铝基板的球形的氧化铝粒子的粒径与反射率的关系处于图14所示那样的关系，粒径越小则反射率越高。第1陶瓷层2b的中位直径(d50)与反射率的测量值的关系与图14的理论值大致相同。反射率的测量值是使用分光光度计及积分球测量的值。
作为第2陶瓷层2a的材料，可以采用例如作为成分而包含SiO2、Al2O3、比Al2O3高折射率的材料(例如，ZrO2、TiO2等)、CaO和BaO的复合材料。第2陶瓷层2a中，Al2O3粒子的粒径优选的是0.1μm～1μm。第2陶瓷层2a通过调整复合材料的成分、组成、粒径、厚度等，能够调整光学特性(反射率、透射率、吸收率等)。光扩散基板2在第1陶瓷层2b和第2陶瓷层2a中采用相同材料的情况下，只要使第1陶瓷层2b的粒径比第2陶瓷层2a的粒径大就可以。
LED模块1的实施例中，使光扩散基板2的厚度Hs为0.5mm，使第2陶瓷层2a的厚度Has为0.1mm，使第2陶瓷层2a对于波长450nm的光的反射率为96％，使第1陶瓷层2b的厚度Hsb为0.4mm，使第1陶瓷层2b对于波长450nm的光的反射率为80％，但这些数值是一例，没有特别限定。此外，LED模块1的实施例中，使光扩散基板2的平面尺寸为2mm□(2mm×2mm)，但没有特别限定。
在LED模块1的实施例中使用的光扩散基板2的反射率－波长特性是图15中的A1所示那样的。此外，厚度为0.4mm的单一层的氧化铝基板的反射率－波长特性是图15中的A2所示那样的。另外，图15的反射率－波长特性是使用分光光度计及积分球测量的结果。
第1陶瓷层2b是由在1500℃～1600℃左右的高温下烧制的陶瓷构成的第1致密质层。第1陶瓷层2b通过高温烧制而陶瓷粒子彼此被牢固地结合，具有比第2陶瓷层2a好的刚性。这里，所谓良好的刚性，是指抗折强度相对较高。作为第1陶瓷层2b的材料，优选的是氧化铝。
此外，第2陶瓷层2a是在与第1陶瓷层2b相比较低温的1000℃以下(例如，850℃～1000℃)烧制的陶瓷。构成第2陶瓷层2a的陶瓷例如可以为含有陶瓷填料(陶瓷的微粒子)和玻璃成分的第2致密质层、或含有陶瓷填料(陶瓷的微粒子)和玻璃成分的多孔质层。
第2致密质层是陶瓷填料彼此通过烧结而结合、玻璃成分在陶瓷填料的周围呈矩阵(matrix)配置并成为致密质陶瓷的。在第2致密质层中，主要是陶瓷填料发挥光反射功能。第2致密质层例如可以采用硼硅酸玻璃、含有硼硅酸锌玻璃及氧化铝的玻璃陶瓷、在含有钠钙(soda-lime)玻璃及氧化铝的玻璃陶瓷等中混合了陶瓷填料的材料。玻璃陶瓷中含有的玻璃的含有量优选的是在35～60wt％左右的范围中设定。此外，玻璃陶瓷中含有的陶瓷的含有量优选的是在40～60wt％左右的范围中设定。另外，第2致密质层也可以将硼硅酸锌玻璃的锌成分置换为氧化钛或氧化钽来提高玻璃陶瓷的折射率。作为陶瓷填料的材料，优选的是折射率比玻璃陶瓷高的材料，例如可以采用五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、氧化钡、硫酸钡、氧化镁、氧化钙、氧化锶、氧化锌、氧化锆、硅酸盐氧化物(锆石)等。
在将第2陶瓷层2a用多孔质层构成的情况下(以下，将该情况下的“第2陶瓷层2a”也称作“多孔质层2a”)，如图16所示的示意图那样，优选的是在具有许多气孔20c的多孔质层2a与第1陶瓷层2b之间夹装第1玻璃层20aa，在多孔质层2a的与第1陶瓷层2b侧相反侧层叠有第2玻璃层20ab。多孔质层2a的气孔率被设定为40％左右，但没有特别限定。第1玻璃层20aa及第2玻璃层20ab都是由玻璃成分构成的透明层，使可视光透过。第1玻璃层20aa及第2玻璃层20ab的厚度只要设定为例如10μm左右就可以，但没有特别限定。第1玻璃层20aa及第2玻璃层20ab的各玻璃成分都是约一半由SiO2构成，但没有特别限定。
第1玻璃层20aa夹在多孔质层2a与第1陶瓷层2b之间配设，通过制造时的烧制与多孔质层2a的表面及第1陶瓷层2b的表面密接。
第2玻璃层20ab配设在多孔质层2a的与第1陶瓷层2b侧相反侧，对多孔质层2a进行保护。由此，在多孔质层2a的与第1陶瓷层2b侧相反侧的表面存在的气孔20c被第2玻璃层20ab封孔。
多孔质层2a包括陶瓷填料(陶瓷的微粒子)和玻璃成分。多孔质层2a陶瓷填料彼此通过烧结结合而成为群(cluster)，形成多孔质结构。玻璃成分成为陶瓷填料的粘合剂。在多孔质层2a中，陶瓷填料和许多气孔20c发挥主要的光反射功能。另外，多孔质层2a例如可以依据在国际公开号WO2012/039442A1的段落〔0023〕－〔0026〕及〔图4〕中公开的封装的制造工序形成。
多孔质层2a例如通过改变玻璃成分与陶瓷成分(氧化铝、氧化锆等)的重量比率能够改变反射率。即，多孔质层2a可以通过改变玻璃配比(compounding ratio)来改变反射率。图17中，横轴是玻璃配比，纵轴是关于将光入射到多孔质层2a时的反射光的积分球的积分强度。在积分球中，将波长为380～780nm的反射光积分。根据图17可知，通过使玻璃配比变低，能够提高反射率。
在本实施方式的LED模块1的实施例中，通过将氧化铝在1600℃下烧制而形成第1陶瓷层2b，通过将以20：80的重量比率混合了玻璃成分和陶瓷成分的材料在850℃下烧制而形成多孔质层2a。此外，在实施例中，作为玻璃成分而采用中位直径为约3μm的硼硅酸玻璃，作为氧化铝而采用将中位直径为约0.5μm者和中位直径为约2μm者混合的材料，作为氧化锆而采用中位直径为约0.2μm者。此外，在实施例中，使第1陶瓷层2b的厚度为0.38mm，使多孔质层2a的厚度为0.10mm。实施例中的光扩散基板2的反射率－波长特性是图18中的A3所示那样的。此外，厚度为0.38mm的单一层的氧化铝基板的反射率－波长特性是图18中的A4所示那样的。另外，多孔质层2a中的玻璃成分与陶瓷成分的重量比率及各材料的粒径(中位直径)没有特别限定。
多孔质层2a通过在制造时第1玻璃层20aa、第2玻璃层20ab的各玻璃成分渗入，具有从厚度方向的两面朝向内部玻璃成分的浓度逐渐减小的梯度组分。
具体而言，将厚度为100μm左右的多孔质层2a的沿着厚度方向的截面用显微镜观察的结果是，在距多孔质层2a的厚度方向的两面深度为约20μm以内的各区域中，在每单位面积中玻璃占70％以上的面积，存在玻璃的致密质层。相对于此，在距多孔质层2a的厚度方向的两面深度比20μm深的内部区域中，在每单位面积中玻璃占20％左右的面积，存在玻璃和陶瓷填料相互以某种程度的比例混杂的稀疏的层。
本实施方式的LED模块1中，光扩散基板2由光学特性相互不同的两层陶瓷层2a、2b构成，距LED芯片4远的陶瓷层2a相比距LED芯片4近的陶瓷层2b，对于从LED芯片4放射的光的反射率较高。由此，本实施方式的LED模块1与光扩散基板2仅由单一层的氧化铝基板构成的情况相比，能够使光取出效率提高。在本实施方式的LED模块1中，能够减少由光扩散基板2的一表面2sa反射的光，能够减小LED芯片4中的吸收损失。进而，在本实施方式的LED模块1中，能够使光扩散基板2中的光的吸收率(大致0％)比安装基板7中的光的吸收率(例如2％～8％左右)降低，能够使入射到光扩散基板2的一表面2sa上的光的一部分在第1陶瓷层2b内被散射、或被第1陶瓷层2b与第2陶瓷层2a的界面反射。由此，LED模块1能够减少透过光扩散基板2而达到安装基板7的光，能够降低安装基板7中的吸收损失，能够实现光取出效率的提高。
在本实施方式的LED模块1中，在第1陶瓷层2b和第2陶瓷层2a中，相对地使第1陶瓷层2b的光的透射率较高，使第2陶瓷层2a中的光的散射率较高。由此，LED模块1能够用距LED芯片4较远的第2陶瓷层2a使光扩散，与仅有第1陶瓷层2b的情况相比，推测在到达安装基板7前被扩散的光变多。此外，推测LED模块1在光扩散基板2正下方被安装基板7反射的光不回到LED芯片4而被扩散的可能性也变高。此外，LED模块1如果将光扩散基板2仅由第2陶瓷层2a构成，则从LED芯片4向光扩散基板2侧放射的光在LED芯片4的附近被散射的可能性变高，所以推测在LED芯片4的附近被散射的光回到LED芯片4的可能性变高。由此，推测LED模块1与将光扩散基板2仅由第2陶瓷层2a构成的情况相比，能够使回到LED芯片4的光变少。此外，LED模块1与将光扩散基板2仅由第1陶瓷层2b构成的情况相比，能够使为了作为光扩散基板2得到相同的反射率而需要的光扩散基板2的厚度变薄。
颜色变换部5在光扩散基板2的一表面2sa上形成为将LED芯片4和各金属线8的各自的一部分覆盖的形状(例如半球状等)。因此，在LED模块1中，优选的是设置将各金属线8各自的其余的部分和颜色变换部5覆盖的封固部(未图示)。封固部优选的是由透明材料构成。作为封固部的透明材料，例如可以采用硅氧烷树脂、环氧树脂、丙烯树脂、玻璃、有机成分和无机成分以nm级别或分子级别混合、结合的有机/无机混合材料等。封固部的透明材料优选的是与颜色变换部5的透明材料的线膨胀率差较小的材料，更优选的是线膨胀率相同的材料。由此，LED模块1能够抑制因封固部和颜色变换部5的线膨胀率差而在封固部与颜色变换部5的界面附近应力集中在各金属线8上。由此，LED模块1能够抑制发生各金属线8的断线。进而，LED模块1能够抑制因封固部和颜色变换部5的线膨胀率差而在封固部或颜色变换部5发生裂纹。此外，封固部优选的是形成为例如半球状，但并不限定于此，也可以为例如半椭圆球状或半圆柱状等的形状。
关于LED模块1的光取出效率提高的原理，用图19、图20A、图20B及图20C的推测机理图进行说明。另外，本实施方式的LED模块1即使推测机理不同，也是本发明的范围内。
在图19、图20A、图20B及图20C中表示的箭头是示意地表示从LED芯片4的发光层43(参照图2A)放射的光的行进路径的。图19、图20A及图20B中的实线的箭头示意地表示从发光层43放射、被光扩散基板2的一表面2sa反射的光的行进路径。此外，图19、图20A、图20B及图20C各自中的虚线的箭头示意地表示从发光层43放射、进入到光扩散基板2内的光的行进路径。
本发明者们推测，如图19、图20A及图20B所示，在第1陶瓷层2b中，起因于陶瓷粒子与晶界相(玻璃成分为主成分)的折射率差，在陶瓷粒子与晶界相的界面发生反射及折射。此外，本发明者们推测，如图19、图20C所示，在第2陶瓷层2a中，起因于陶瓷粒子与气孔或晶界相(玻璃成分为主成分)的折射率差，在陶瓷粒子与气孔或晶界相的界面发生反射及折射。此外，本发明者们推测，如图19、图20C所示，在第2陶瓷层2a中，起因于气孔与晶界相的折射率差，在气孔与晶界相的界面发生反射及折射。此外，本发明者们推测，关于陶瓷的板材如果板厚相同，则陶瓷粒子的粒径越大，界面的数量越少，在光行进单位长度的情况下穿过陶瓷粒子与晶界相的界面的概率变小，所以反射率变小，透射率变大。
并且，本发明者们推测，通过使从LED芯片4放射的光在第1陶瓷层2b中尽可能透过、在第2陶瓷层2a中尽可能反射，能够提高LED模块1的光取出效率。因此，光扩散基板2优选的是在第1陶瓷层2b和第2陶瓷层2a中使第1陶瓷层2b中的陶瓷粒子的粒径相对变大，优选的是做成使第2陶瓷层2a中的陶瓷粒子的粒径相对变小并且第2陶瓷层2a包含气孔的结构。
在本实施方式的LED模块1中，通过光扩散基板2由在厚度方向上重叠的两层陶瓷层2a、2b构成，能够实现光取出效率的提高。
在本实施方式的LED模块1中，光扩散基板2中的多个陶瓷层(第1陶瓷层2b、第2陶瓷层2a)构成光学特性相互不同的透光层。
总之，光扩散基板2只要是由在厚度方向上重叠的多个透光层构成、该多个透光层的光学特性相互不同、具有距LED芯片4越远的透光层则对于从LED芯片4放射的光的反射率越高的性质就可以。以下，也有将距LED芯片4最近的最上层的透光层称作第1透光层、将距LED芯片4最远的最下层的透光层称作第2透光层的情况。
第1透光层优选的是从LED芯片4放射的光的透射率较高、折射率与LED芯片4的折射率接近的材料。所谓第1透光层的折射率与LED芯片4的折射率接近，是指第1透光层的折射率与LED芯片4的基板41(参照图2A、图2B)的折射率的差是0.1以下，更优选的是折射率差为0。此外，第1透光层优选的是耐热性较高的材料。
第1透光层的材料并不限于陶瓷，例如可以采用玻璃、SiC、GaN、GaP、蓝宝石、环氧树脂、硅氧烷树脂、不饱和聚酯等。作为陶瓷的材料，并不限于Al2O3，也可以是其他金属氧化物(例如，氧化镁、氧化锆、二氧化钛等)或金属氮化物(例如氮化铝等)等。第1透光层的材料根据使从LED芯片4放射的光向前方散射的观点，与单晶体相比更优选的是陶瓷。
作为透光性陶瓷，可以采用例如作为株式会社村田制作所的产品的ルミセラ(注册商标)、日本ガイシ株式会社的ハイセラム(产品名)等。ルミセラ(注册商标)以Ba(Mg、Ta)O3类的复合钙钛矿结构为主结晶相。ハイセラム是透光性氧化铝陶瓷。
第1透光层的材料在陶瓷的情况下，优选的是粒径为1μm～5μm左右。
第1透光层也可以在单晶体的内部形成空隙或使折射率变化的改性部等。空隙或改性部等例如可以通过将来自飞秒激光器的激光对单晶体的空隙或改性部的预定形成区域聚光照射而形成。飞秒激光器的激光的波长及照射条件等只要根据单晶体的材料及形成对象(空隙、改性部)、形成对象的大小等适当变更就可以。此外，第1透光层也可以使基础树脂(例如，环氧树脂、硅氧烷树脂、不饱和聚酯等)含有折射率与该基础树脂(以下称作“第1基础树脂”)不同的填料(以下称作“第1填料”)。第1填料优选的是与第1基础树脂的折射率差较小。此外，第1填料优选的是热传导率较高。此外，第1透光层在提高热传导性的观点来看，优选的是第1填料的填充密度较高。第1填料的形状从抑制入射的光的全反射的观点看，优选的是球状。第1填料粒径越大则反射、折射越少。第1透光层也可以构成为，在该第1透光层的厚度方向上，在距LED芯片4较近的一侧有粒径相对较大的第1填料，在距LED芯片4较远的一侧有粒径相对较小的第1填料。在此情况下，也可以将第1透光层多层化为第1填料的粒径相互不同的多个层而构成。
在第1透光层的LED芯片4侧的表面(光扩散基板2的一表面2sa)中的LED芯片4的搭载区域的周围，优选的是形成用来对从LED芯片4向光扩散基板2侧放射、在光扩散基板2的内部被反射或折射的光的全反射进行抑制的微细的凹凸结构部。凹凸结构部也可以通过用例如喷砂加工等使第1透光层的表面粗面化而形成。凹凸结构部的表面粗糙度优选的是，例如由JIS B 0601－2001(ISO4287－1997)规定的算术平均粗糙度Ra是0.05μm左右。
此外，光扩散基板2也可以采用在第1透光层的LED芯片4侧的表面中的LED芯片4的搭载区域的周围形成有折射率比第1透光层小的树脂层的结构。作为树脂层的材料，可以采用例如硅氧烷树脂、环氧树脂等。作为树脂层的材料，也可以采用含有荧光体的树脂。
第2透光层与构成为使从LED芯片4放射的光正反射相比，更优选的是构成为使其扩散反射。
第2透光层的材料并不限于陶瓷，例如可以采用玻璃、SiC、GaN、GaP、蓝宝石、环氧树脂、硅氧烷树脂、不饱和聚酯等。作为陶瓷的材料，并不限于Al2O3，也可以是其他金属氧化物(例如，氧化镁、氧化锆、二氧化钛等)或金属氮化物(例如氮化铝等)等。
第2透光层的材料在陶瓷的情况下，粒径优选的是1μm以下，更优选的是0.1μm～0.3μm左右。此外，第2透光层例如可以由上述多孔质层2a构成。第1透光层在通过由纯度99.5％的氧化铝形成的第1陶瓷层2b构成的情况下，体积密度(bulk density)是3.8～3.95g/cm3。此外，第1透光层在通过由纯度96％的氧化铝形成的第1陶瓷层2b构成的情况下，体积密度是3.7～3.8g/cm3。相对于此，第2透光层在由多孔质层2a构成的情况下，体积密度是3.7～3.8g/cm3。另外，上述体积密度是用SEM观察而取得SEM图像、将该SEM图像进行图像处理而推测出的值。
第2透光层也可以在单晶体的内部形成空隙或使折射率变化的改性部等。空隙或改性部等例如可以通过将来自飞秒激光器的激光对单晶体的空隙或改性部的计划形成区域聚光照射而形成。飞秒激光器的激光的波长及照射条件等只要根据单晶体的材料及形成对象(空隙、改性部)、形成对象的大小等适当变更就可以。此外，第2透光层也可以使基础树脂(例如，环氧树脂、硅氧烷树脂、氟树脂等)含有折射率与该基础树脂(以下称作“第2基础树脂”)不同的填料(以下称作“第2填料”)。第2透光层也可以构成为，在该第2透光层的厚度方向上，在距LED芯片4较近的一侧由粒径相对较大的第2填料，在距LED芯片4较远的一侧有粒径相对较小的第2填料。此外，作为第2填料的材料，例如优选的是白色的无机材料，例如可以采用TiO2或ZnO等的金属氧化物。此外，第2填料的粒径例如优选的是0.1μm～0.3μm左右。此外，第2填料的填充率例如优选的是50～75wt％左右。此外，作为第2基础树脂的硅氧烷树脂，例如可以采用甲基硅氧烷(methyl silicone)或苯基硅氧烷(phenyl silicone)等。第2填料在实心粒子的情况下，优选的是与第2基础树脂的折射率差较大。作为使第2基础树脂含有第2填料的材料，例如可以采用信越化学工业株式会社的KER－3200－T1等。
此外，作为第2填料，也可以采用核壳粒子(core－shell particle)或中空粒子(hollow particle)等。关于核壳粒子，可以任意地设定核的折射率，优选的是比第2基础树脂的折射率小。关于中空粒子，优选的是内部为气体(例如，空气、惰性气体等)或真空、折射率比第2基础树脂小。
此外，第2透光层也可以由光扩散片构成。作为光扩散片，例如可以采用带有许多气泡的白色的聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate)片等。
光扩散基板2在第1透光层和第2透光层的两者是陶瓷的情况下，可以通过将用来分别形成它们的陶瓷生片(ceramic green sheet)叠合烧结而形成。另外，光扩散基板2在第2透光层具备气泡的情况下，也可以是第1透光层也具备气泡，但优选的是第1透光层相比第2透光层气泡数较少、体积密度较大。
第1透光层及第2透光层都优选的是对于来自LED芯片4或荧光体的光及热的耐受性较高的材料。
LED模块1也可以在光扩散基板2的另一表面2sb侧具备将来自LED芯片4等的光反射的反射层。作为反射层的材料，可以采用银、铝、银铝合金、除此以外的银合金或铝合金等。反射层例如可以由薄膜、金属箔、钎焊抗蚀剂(焊料：solder)等构成。反射层也可以设在光扩散基板2上，也可以设在安装基板7上。
LED模块1也可以如图21所示的第1变形例那样，是颜色变换部5将LED芯片4、各金属线8及光扩散基板2覆盖的形状。由此，LED模块1能够抑制各金属线8的断线，能够实现可靠性的提高。
颜色变换部5的形状为半球状，但并不限定于此，例如也可以是半椭圆球状或半圆柱状等的形状。
以下，基于图22对本实施方式的LED模块1的第2变形例进行说明。
第2变形例的LED模块1中，安装基板7是长条状的形状，具备多个LED芯片4(参照图21)。另外，对于与第1变形例的LED模块1同样的构成要素赋予同样的标号而省略说明。
LED模块1中，多个LED芯片4在安装基板7的一表面7sa侧在规定方向上排列。此外，LED模块1中，在上述规定方向上排列的各LED芯片4及分别连接在各LED芯片4上的各金属线8(参照图21)被线状的颜色变换部5覆盖。颜色变换部5优选的是在上述规定方向上相邻的LED芯片4彼此之间设有抑制从相邻的LED芯片4放射的光的全反射的凹部5b。
第1导体部71a及第2导体部71b对于在上述规定方向上排列的一组LED芯片4设有各1个。
第1导体部71a及第2导体部71b的各自的平面形状形成为梳状。第1导体部71a和第2导体部71b配置为，在沿着安装基板7的短边方向的方向上相互交错。这里，配线图案71中，第1导体部71a的第1梳骨部71a1与第2导体部71b的第2梳骨部71b1对置。配线图案71在沿着安装基板7的长边方向的方向上，第1导体部71a的第1梳齿部71a2和第2导体部71b的第2梳齿部71b2经由隔着交替地排列。
LED模块1中，在安装基板7的长边方向(上述规定方向)上排列的多个(例如9个)LED芯片4并联连接。LED模块1能够对这些多个LED芯片4并联连接而成的并联电路供电。总之，LED模块1通过对第1导体部71a与第2导体部71b之间供电，能够对全部的LED芯片4供电。此外，在将多个LED模块1排列使用的情况下，只要将相邻的LED模块1彼此例如通过导电性部件、输送配线用的电线(未图示)或连接器(未图示)等电连接就可以。在此情况下，可以从1个电源单元对多个LED模块1供给电力，使各LED模块1的全部的LED芯片4发光。
颜色变换部5如上述那样，优选的是在上述规定方向上相邻的LED芯片4彼此之间设置抑制从相邻的LED芯片4放射的光的全反射的凹部5b。由此，LED模块1能够抑制从LED芯片4放射、向颜色变换部5和空气的边界面入射的光的全反射。由此，LED模块1与颜色变换部5是半圆柱状的情况相比，能够减少起因于全反射而被封入的光，所以能够实现光取出效率的提高。总之，LED模块1能够降低全反射损失，能够实现光取出效率的提高。
颜色变换部5形成为反映了各LED芯片4的上述一面与安装基板7的一表面7sa的阶差的截面形状。由此，颜色变换部5与LED芯片4的排列方向正交的截面形状是凸形状，沿着LED芯片4的排列方向的截面形状为凹凸形状。总之，LED模块1在线状的颜色变换部5上形成有使光取出效率提高的凹凸结构。
该凹凸结构的周期与LED芯片4的排列间距相同。凹凸结构的周期，是将各LED芯片4分别覆盖的凸部5a的排列间距。
颜色变换部5的表面的形状优选的是设计为，使得在颜色变换部5的上述表面中来自LED芯片4的光线交叉的点的法线与上述光线所成的角比临界角小。这里，LED模块1优选的是设计颜色变换部5的上述表面的形状，以使得在颜色变换部5的各凸部5a的表面的大致整面中，来自LED芯片4的上述光线的入射角(光入射角度)比临界角小。
因此，颜色变换部5优选的是，将各LED芯片4分别覆盖的各凸部5a形成为半球状。各凸部5a分别设计为，使在光扩散基板2的厚度方向上重叠的凸部5a的光轴与LED芯片4的光轴一致。由此，LED模块1不仅能够抑制颜色变换部5的上述表面(颜色变换部5与空气的边界面)处的全反射，还能够抑制颜色不匀。所谓颜色不匀，是色度根据光的照射方向变化的状态。LED模块1能够将颜色不匀抑制在不能视觉识别的程度。
LED模块1能够实现不论来自LED芯片4的光的放射方向如何都使从LED芯片4到凸部5a的表面的光路长大致均匀化，能够进一步抑制颜色不匀。颜色变换部5的各凸部5a并不限于半球状，例如也可以是半椭圆球状的形状。另外，各凸部5a分别也可以是半圆柱状或长方体状等的形状。
在LED模块1的制造时，首先，准备安装基板7。然后，在安装基板7上接合与各LED芯片4分别建立了对应的光扩散基板2。然后，通过贴片(die bonding)装置等，将各LED芯片4贴片到对应的光扩散基板2的一表面2sa侧。然后，通过引线接合装置等，将各LED芯片4的第1电极及第2电极分别与配线图案71经由金属线8连接。然后，利用分配器系统(dispenser system)等形成颜色变换部5。
在通过分配器系统形成颜色变换部5时，例如一边使分配器头沿着LED芯片4的排列方向移动，一边从喷嘴将颜色变换部5的材料吐出而涂敷。
这里，在通过分配器系统涂敷颜色变换部5的材料以成为基于颜色变换部5的表面形状的涂敷形状的情况下，例如只要一边使分配器头移动一边使材料吐出而涂敷就可以。作为例子，通过使分配器头的移动速度变化，使涂敷量变化，此外，通过使分配器头上下，使喷嘴与喷嘴正下方的安装基板7的一表面7sa的距离变化。更具体地讲，在对颜色变换部5的用于形成各凸部5a的部位涂敷材料的情况、和对颜色变换部5的用于形成相邻的凸部5a间的部分的部位涂敷材料的情况中，使移动速度相对地不同，在前者的情况下使移动速度变慢，在后者的情况下使移动速度变快。此外，基于颜色变换部5的表面形状使分配器头上下。通过这些，在用分配器系统形成颜色变换部5的方法中，能够使材料成为基于颜色变换部5的表面形状的涂敷形状。涂敷形状只要考虑使材料硬化时的收缩来设定就可以。
分配器系统优选的是具备使分配器头移动的由机器人构成的移动机构、测量安装基板7的一表面7sa及喷嘴各自的距工作台的高度的传感器部、和控制移动机构及从喷嘴的材料的吐出量的控制器。控制器例如可以通过对微型计算机搭载适当的程序来实现。此外，分配器系统通过将搭载在控制器中的程序适当变更，能够对应于LED芯片4的排列间距、LED芯片4的个数、颜色变换部5的线宽等的不同的多种品种。
此外，颜色变换部5的表面形状例如也可以通过调整材料的粘度等来控制。各凸部5a的各自的表面(凸曲面)的曲率可以根据材料的粘度及表面张力、金属线8的高度等设计。为了使曲率变大，可以通过使材料的粘度变高、或使表面张力变大、或使金属线8的高度变高来实现。此外，为了使线状的颜色变换部5的宽度(线宽)变窄，可以通过使材料的粘度变高、或使表面张力变大来实现。材料的粘度优选的是设定在100～2000mPa·s左右的范围中。另外，粘度的值例如可以采用使用圆锥平板型旋转粘度计在常温下测量的值。
此外，分配器系统也可以具备进行加热以使未硬化的材料成为希望的粘度的加热器。由此，分配器系统能够使材料的涂敷形状的再现性提高，能够使颜色变换部5的表面形状的再现性提高。
LED模块1可以作为各种照明装置的光源使用。作为具备LED模块1的照明装置的一例，例如可以适当地举出以LED模块1为光源配置在器具主体上的照明器具、或灯(例如，直管型LED灯、灯泡型灯等)等，但也可以是其以外的照明装置。这里，LED模块1在器具主体是金属制而具有导电性那样的情况下，也通过具备树脂部72，能够确保配线图案71与器具主体之间的希望的沿面距离。在照明器具中，如果使器具主体为金属制，则能够使由LED模块1产生的热效率更好地散热。
作为器具主体的材料，优选的是热传导率较高的材料，更优选的是热传导率比树脂部72高的材料。这里，作为器具主体的材料，优选的是采用铝、铜等的热传导率较高的金属。
作为LED模块1向器具主体的安装手段，例如也可以采用螺钉等的安装工具，也可以使热硬化型的片状粘接剂的环氧树脂层夹在器具主体与LED模块1之间而接合。作为片状粘接剂，可以使用含有由硅石或氧化铝等的填料构成的填充材、并且具有在加热时低粘度化且流动性变高的性质的B阶(B状态：B-stage)的环氧树脂层(热硬化性树脂)和塑料薄膜(PET薄膜)层叠的片状粘接剂。作为这样的片状粘接剂，例如有东レ株式会社制的粘接剂片TSA等。作为填料，只要使用比作为热硬化性树脂的环氧树脂热传导率高的电绝缘性材料就可以。上述的环氧树脂层的厚度设定为100μm，但该值是一例，没有特别限定，例如只要在50μm～150μm左右的范围中适当设定就可以。上述环氧树脂层的热传导率优选的是4W/m·K以上。
上述的片状粘接剂的环氧树脂层具有电绝缘性，并且具有热传导率较高、加热时的流动性较高、向凹凸面的密接性较高的性质。因而，照明器具能够防止在由上述环氧树脂层形成的绝缘层与LED模块1及器具主体之间产生空隙，能够使密接可靠性提高，此外，能够抑制因密接不足造成的热阻的增大或不均匀的发生。绝缘层具有电绝缘性及热传导性，具有将LED模块1与器具主体热耦合的功能。
这样，照明器具在LED模块1与器具主体之间夹着例如サーコン(注册商标)那样的橡胶片状或硅胶状的散热片(热传导片)等的情况相比，能够降低从各LED芯片4到器具主体的热阻，并且能够降低热阻的不均匀。由此，照明器具散热性提高，能够抑制各LED芯片4的结温的温度上升，所以能够使输入功率变大，能够实现光输出的高输出化。上述环氧树脂层的厚度设定为100μm，但该值是一例，没有特别限定，例如只要在50μm～150μm左右的范围中适当设定就可以。另外，上述环氧树脂层的热传导率优选的是4W/m·K以上。
此外，关于直管型LED灯，例如由社团法人日本电球工业会标准化了“L型ピン口金GX16t－5付直管形LEDランプシステム(一般照明用)”(带有L型插针灯头GX16t－5的直管型LED灯系统(一般照明用))(JEL801：2010)。
在构成这样的直管型LED灯的情况下，例如只要做成以下结构就可以：具备由透光性材料(例如，乳白色的玻璃、乳白色的树脂等)形成的直管状的管主体、和分别设在管主体的长边方向的一端部及另一端部的第1灯头、第2灯头；在管主体内安装基板7是长条状、在安装基板7的长边方向上排列有多个LED芯片4的LED模块1。
以下，基于图23A、图23B，对具备第2变形例的LED模块1作为光源的照明器具50进行说明。
照明器具50是LED照明器具，具备器具主体51、和保持在器具主体51上的作为光源的LED模块1。
器具主体51形成为平面尺寸比LED模块1大的长条状(这里是矩形板状)。照明器具50在器具主体51的厚度方向的一表面51b侧配置有LED模块1。照明器具50对于器具主体51配置LED模块1，以使LED模块1的长边方向与器具主体51的长边方向一致。此外，照明器具50在器具主体51的一表面51b侧配置有将LED模块1覆盖的罩52。罩52具有使从LED模块1放射的光透过的功能。
此外，照明器具50具备向LED模块1供给直流电力而使各LED芯片4(参照图21)点灯(发光)的点灯装置53。照明器具50中，点灯装置53和LED模块1经由引线等的电线54电连接。
照明器具50在器具主体51的厚度方向的另一表面51c侧形成有收存点灯装置53的凹处51a。凹处51a沿着器具主体51的长边方向形成。此外，在器具主体51上，形成有将一表面51b与凹处51a的内底面之间的薄壁部贯通而将电线54插通的贯通孔(未图示)。
LED模块1能够在配线图案71的露出的部位连接电线54。配线图案71与电线54的连接部例如可以采用由焊接等的导电性接合材料构成的连接部、或由阳型的连接器和阴型的连接器构成的连接部等。
照明器具50可以从点灯装置53向LED模块1供给直流电力而使LED模块1点灯。另外，点灯装置53既可以是例如被从商用电源那样的交流电源供电的结构，也可以是被从太阳能电池或蓄电池等的直流电源供电的结构。
照明器具50的光源并不限于第2变形例的LED模块1，也可以构成为，在实施方式1～3、实施方式3的第1变形例的某个LED模块1中，与第2变形例同样将安装基板7做成长条状的形状，对于1个安装基板7具备多个LED芯片4。
作为器具主体51的材料，优选的是热传导率较高的材料，更优选的是热传导率比安装基板7高的材料。这里，作为器具主体51的材料，优选的是采用铝、铜等的热传导率较高的金属。照明器具50通过使器具主体51的材料为金属，能够使散热性提高。
作为LED模块1向器具主体51的安装手段，例如也可以采用螺钉等的安装工具，也可以使热硬化型的片状粘接剂的环氧树脂层夹在器具主体51与LED模块1之间而接合。
作为罩52的材料，例如可以采用丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、硅氧烷树脂、玻璃等。
罩52优选的是一体地具备控制从LED模块1放射的光的配光的透镜部(未图示)。由此，照明器具50与在罩52上安装有与罩52分体的透镜的结构相比，能够实现低成本化。
在以上说明的照明器具50中，通过作为光源而具备上述LED模块1，能够实现光取出效率的提高，能够实现低成本化及光输出的高输出化。
以下，基于图24A、图24B，对具备第2变形例的LED模块1作为光源的直管型LED灯60进行说明。
直管型LED灯60具备由透光性材料形成的直管状(圆筒状)的管主体61、和分别设在管主体61的长边方向的一端部、另一端部上的第1灯头62、第2灯头63，在管主体61内收存有第2变形例的LED模块1。LED模块1并不限于第2变形例的LED模块1，也可以是以下这样构成的LED模块：在实施方式1～3、实施方式3的第1变形例的某个LED模块1中，与第2变形例同样将安装基板7做成长条状的形状，对于1个安装基板7具备多个LED芯片4。
作为管主体61的材料，例如可以采用透明的玻璃、乳白色的玻璃、透明的树脂、乳白色的树脂等。
在第1灯头62上，设有电连接在LED模块1上的两条供电端子(以下，称作“第1灯插针”)64、64。这两条第1灯插针64、64构成为，能够与保持在照明器具(未图示)的器具主体上的供电用的灯座的两个供电用触头分别电连接。
在第2灯头63上，设有接地用的1条接地端子(以下，称作“第2灯插针”)65。该1条第2灯插针65构成为，能够与保持在器具主体上的接地用的灯座的接地用触头电连接。
各第1灯插针64分别形成为L字状，由沿着管主体61的长边方向突出的针主体64a、和从针主体64a的前端部沿着管主体61的1各径向延伸设置的钩部64b构成。两个钩部64b在相互离开的方向上延伸设置。另外，各第1灯插针64通过将细长的金属板弯折而形成。
第2灯插针65从第2灯头63的端面(灯头基准面)向与管主体61相反侧突出。此外，第2灯插针65形成为T字状。另外，直管型LED灯60例如优选的是构成为，满足由社团法人日本电球工业会标准化的“带有L型插针灯头GX16t－5的直管型LED灯系统(一般照明用)”(JEL801：2010)的标准等。
在以上说明的直管型LED灯60中，通过在管主体61内具备上述LED模块1，能够实现光取出效率的提高，能够实现低成本化及光输出的高输出化。
具备LED模块1的灯并不限于上述直管型LED灯，例如也可以是在管主体内具备LED模块1和使LED模块1点灯的点灯装置的结构的直管型LED灯。另外，点灯装置被从外部电源经由灯插针供电。
第2变形例的LED模块1中，安装基板7是长条状的形状，具备多个LED芯片4，但根据应用的照明器具的种类等，可以将安装基板7的形状、配线图案71的形状、LED芯片4的个数、配置等适当变更。
以下，基于图25、图26对具备LED模块1的照明器具90的一形态进行说明。另外，对于与第2变形例同样的构成要素赋予相同的标号而适当省略说明。
照明器具90是能够作为下照灯使用的LED照明器具，具备器具主体91a、和保持在器具主体91a上的作为光源的LED模块1。此外，照明器具90具备收存有使LED模块1点灯的点灯装置的矩形箱状的壳体98。点灯装置和LED模块1通过未图示的电线等电连接。
照明器具90中，器具主体91形成为圆板状，在器具主体91a的一面侧配置有LED模块1。此外，照明器具90具备从器具主体91的另一面突出的多个翅片91ab。器具主体91和各翅片91ab形成为一体。
LED模块1中，安装基板7的平面形状是正方形的形状，以2维阵列状排列有多个(例如48个)LED芯片4(参照图21)。此外，LED模块1中，在假想线上排列的一组(例如8个)LED芯片4串联连接。LED模块1设想了规定数的(例如6个)假想线，具备上述规定数的将一组LED芯片4串联连接而成的串联电路，以将上述规定数的串联电路并联连接的方式设计有配线图案71。另外，安装基板7的平面形状并不限于正方形状，例如也可以是正方形以外的多边形状或圆形状等。此外，配置在安装基板7的一表面7sa侧的多个LED芯片4的电的连接关系也没有特别限定。LED模块1也可以具备与LED芯片4相同数量的光扩散基板2(参照图21)，也可以对于一组LED芯片4具备1个光扩散基板2。
此外，照明器具90具备将从LED模块1向侧方放射的光反射的第1反射器93、罩92、和控制从罩92射出的光的配光的第2反射器94。另外，照明器具90由器具主体91和第2反射器94构成收存LED模块1、第1反射器93及罩92的器具外轮廓。
器具主体91在上述一面侧相互对置地设有两个突台部91a。并且，照明器具90在两个突台部91a上架设有将LED模块1固定的板状的固定部件95。固定部件95由金属板形成，通过螺钉97固定在各突台部91a上。第1反射器93固定在器具主体91上。LED模块1也可以被第1反射器93和固定部件95夹持。第1反射器93由白色的合成树脂形成。
固定部件95形成有使LED模块1的安装基板7的一部分露出的开孔部95a。照明器具90在安装基板7与器具主体91之间夹装有热传导部96。热传导部96具有使热从安装基板7向器具主体91传热的功能。热传导部96由热传导性油脂形成，但并不限定于此，例如也可以使用热传导性片。
作为热传导性片，例如可以使用具有电绝缘性及热传导性的硅胶的片。此外，作为热传导性片使用的硅胶的片优选的是软质的片。作为这种硅胶的片，例如可以使用サーコン(注册商标)等。
此外，热传导性片的材料并不限于硅胶，只要具有电绝缘性及热传导性，例如也可以是弹性体。
照明器具90能够使由LED模块1产生的热经由热传导部96向器具主体91效率良好地传热。由此，照明器具90能够使由LED模块1产生的热从器具主体91及翅片91ab效率良好地散热。
作为器具主体91及翅片91ab的材料，优选的是热传导率较高的材料，更优选的是热传导率比安装基板7高的材料。这里，作为器具主体91及翅片91ab的材料，优选的是采用铝、铜等的热传导率较高的金属。
作为罩92的材料，例如可以采用丙烯树脂、聚碳酸酯树脂、硅氧烷树脂、玻璃等。
罩92也可以一体地具备控制从LED模块1放射的光的配光的透镜部(未图示)。
作为第2反射器94的材料，例如可以采用铝、不锈钢、树脂、陶瓷等。
在以上说明的照明器具90中，通过作为光源而具备上述LED模块1，能够实现低成本化及光输出的高输出化。此外，在照明器具90中，器具主体91也可以是兼用为LED模块1的安装基板7的结构。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.(修改)一种LED模块，其特征在于，
具备：
透光性的光扩散基板；
经由透明的第1接合部与上述光扩散基板的一表面侧接合的LED芯片；
在上述光扩散基板的上述一表面侧将上述LED芯片覆盖的颜色变换部；以及
安装基板，
1个上述安装基板的一表面侧配置多个上述LED芯片，
上述颜色变换部由含有被从上述LED芯片放射的光激励而放射与上述LED芯片不同颜色的光的荧光体的透明材料形成，
在上述光扩散基板的另一表面侧，配置有对从上述LED芯片放射的光及从上述荧光体放射的光进行扩散反射的扩散反射层。
2.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于，
上述LED芯片在厚度方向的一面侧设有第1电极和第2电极，
上述安装基板具备：
经由金属线而与上述LED芯片的上述第1电极及上述第2电极分别电连接的配线图案；以及
配置在上述配线图案的背面侧的树脂部，
上述配线图案是非透光性的，
上述树脂部具有电绝缘性，
在上述配线图案的主表面侧形成有上述扩散反射层，
在上述扩散反射层上，形成有供一端部分别与上述第1电极及上述第2电极接合的各上述金属线的另一端部穿通的贯通孔。
3.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于，
上述LED芯片在厚度方向的一面侧设有第1电极和第2电极，
上述安装基板具备：
经由金属线而与上述LED芯片的上述第1电极及上述第2电极分别电连接的配线图案；以及
配置在上述配线图案的背面侧的树脂部，
上述配线图案是非透光性的，
上述树脂部具有电绝缘性，
上述扩散反射层形成在上述光扩散基板的上述另一表面侧，与上述光扩散基板侧相反的一侧经由透明的第2接合部与上述配线图案的主表面侧接合。

Claims (3)

1.一种LED模块，其特征在于，
具备：
透光性的光扩散基板；
经由透明的第1接合部与上述光扩散基板的一表面侧接合的LED芯片；
在上述光扩散基板的上述一表面侧将上述LED芯片覆盖的颜色变换部；以及
安装基板，
上述颜色变换部由含有被从上述LED芯片放射的光激励而放射与上述LED芯片不同颜色的光的荧光体的透明材料形成，
上述安装基板具备对从上述LED芯片放射的光及从上述荧光体放射的光进行扩散反射的扩散反射层，
上述扩散反射层配置在上述光扩散基板的另一表面侧。
2.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于，
上述LED芯片在厚度方向的一面侧设有第1电极和第2电极，
上述安装基板具备：
经由金属线而与上述LED芯片的上述第1电极及上述第2电极分别电连接的配线图案；以及
配置在上述配线图案的背面侧的树脂部，
上述配线图案是非透光性的，
上述树脂部具有电绝缘性，
在上述配线图案的主表面侧形成有上述扩散反射层，
在上述扩散反射层上，形成有供一端部分别与上述第1电极及上述第2电极接合的各上述金属线的另一端部穿通的贯通孔。
3.如权利要求1所述的LED模块，其特征在于，
上述LED芯片在厚度方向的一面侧设有第1电极和第2电极，
上述安装基板具备：
经由金属线而与上述LED芯片的上述第1电极及上述第2电极分别电连接的配线图案；以及
配置在上述配线图案的背面侧的树脂部，
上述配线图案是非透光性的，
上述树脂部具有电绝缘性，
上述扩散反射层形成在上述光扩散基板的上述另一表面侧，与上述光扩散基板侧相反的一侧经由透明的第2接合部与上述配线图案的主表面侧接合。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6004795B2 (ja) * 2012-07-06 2016-10-12 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄ光源装置及び光反射性基板
US10326051B2 (en) * 2012-09-17 2019-06-18 Lumileds Llc Light emitting device including shaped substrate
JP6221403B2 (ja) * 2013-06-26 2017-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN105493301A (zh) * 2013-07-08 2016-04-13 皇家飞利浦有限公司 波长转换的半导体发光器件
KR102235258B1 (ko) * 2014-02-04 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
JP2015169805A (ja) * 2014-03-07 2015-09-28 大日本印刷株式会社 採光具及び採光窓付きパネル
JP6477001B2 (ja) * 2014-03-14 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2016027077A (ja) * 2014-06-30 2016-02-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 表面処理蛍光体の製造方法、この方法で得られた表面処理蛍光体、並びにこれを用いた波長変換部材及び発光装置
DE102015106708B4 (de) * 2015-04-30 2017-12-21 Visteon Global Technologies, Inc. Vorrichtung zur Emission von Licht, insbesondere zur Erzeugung eines Bildes
CN107849303B (zh) 2015-05-20 2020-07-17 岩浆地板有限责任公司 聚(氯乙烯)基材及其制造方法
DE102015109413A1 (de) * 2015-06-12 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips und Verbund von Konversions-Halbleiterchips
JP6881304B2 (ja) * 2015-07-08 2021-06-02 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
TWI651491B (zh) * 2015-07-23 2019-02-21 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6633881B2 (ja) * 2015-09-30 2020-01-22 ローム株式会社 Ｌｅｄ照明器具およびその製造方法
KR20170075966A (ko) * 2015-12-24 2017-07-04 삼성전자주식회사 광추출 효율이 개선된 발광소자 패키지
WO2017115862A1 (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 アイリスオーヤマ株式会社 Ｌｅｄ照明装置
US10403792B2 (en) 2016-03-07 2019-09-03 Rayvio Corporation Package for ultraviolet emitting devices
JP6920859B2 (ja) * 2016-04-04 2021-08-18 スタンレー電気株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102016106494A1 (de) * 2016-04-08 2017-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
US20180006203A1 (en) * 2016-07-01 2018-01-04 Rayvio Corporation Ultraviolet emitting device
DE102016123535A1 (de) * 2016-12-06 2018-06-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem strahlungsemittierenden optoelektronischen Bauelement
CN106764708B (zh) * 2017-02-16 2019-05-24 京东方科技集团股份有限公司 光源组件、背光模组及显示装置
JP2018186165A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
WO2018207396A1 (ja) * 2017-05-11 2018-11-15 住友電気工業株式会社 半導体装置
TWI666792B (zh) * 2017-09-27 2019-07-21 致伸科技股份有限公司 光源模組以及光源模組之製造方法
KR102439341B1 (ko) * 2017-11-09 2022-09-01 엘지이노텍 주식회사 면발광 장치
JP7102843B2 (ja) * 2018-03-27 2022-07-20 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター
US10622524B2 (en) * 2018-08-10 2020-04-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Converter for an optoelectronic component, optoelectronic component, method for forming a converter for an optoelectronic component and material for a reflector of an optoelectronic component
DE102020115565A1 (de) 2020-06-12 2021-12-16 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches bauelement und verfahren
JP7507030B2 (ja) 2020-08-03 2024-06-27 株式会社小糸製作所 車両用灯具

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284656A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Okaya Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP4587675B2 (ja) * 2004-01-23 2010-11-24 京セラ株式会社 発光素子収納パッケージおよび発光装置
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP2007059781A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Toyoda Gosei Co Ltd サブマウント付発光素子および発光装置
JP4877571B2 (ja) 2005-10-11 2012-02-15 日立化成工業株式会社 発光素子搭載用基板
JP5068472B2 (ja) 2006-04-12 2012-11-07 昭和電工株式会社 発光装置の製造方法
JP2008028181A (ja) 2006-07-21 2008-02-07 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP5084324B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-28 シャープ株式会社 発光装置および照明装置
JP2009123908A (ja) * 2007-11-14 2009-06-04 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置
JP5320250B2 (ja) * 2009-10-14 2013-10-23 株式会社日立製作所 透明構造体、光源モジュール並びにこれを用いた照明装置，液晶表示装置及び映像表示装置
KR101543333B1 (ko) * 2010-04-23 2015-08-11 삼성전자주식회사 발광소자 패키지용 리드 프레임, 발광소자 패키지, 및 발광소자 패키지를 채용한 조명장치
JP2013251285A (ja) 2010-09-22 2013-12-12 Sanyo Electric Co Ltd 発光装置用パッケージ及びその製造方法
US8455895B2 (en) * 2010-11-08 2013-06-04 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
CN103403894B (zh) * 2011-03-07 2016-10-26 皇家飞利浦有限公司 发光模块、灯、照明器和显示装置
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