CN104335295A - Ntc热敏电阻元件及其制造方法 - Google Patents

Ntc热敏电阻元件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104335295A
CN104335295A CN201380026452.0A CN201380026452A CN104335295A CN 104335295 A CN104335295 A CN 104335295A CN 201380026452 A CN201380026452 A CN 201380026452A CN 104335295 A CN104335295 A CN 104335295A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mol
thermistor element
ntc thermistor
mole
matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380026452.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104335295B (zh
Inventor
池田广
三浦忠将
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN104335295A publication Critical patent/CN104335295A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104335295B publication Critical patent/CN104335295B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C1/00Details
    • H01C1/14Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/1413Terminals or electrodes formed on resistive elements having negative temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/04Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
    • H01C7/042Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49082Resistor making
    • Y10T29/49085Thermally variable

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

为了提升耐热性,NTC热敏电阻元件(1)具备:包括含有Mn、Ni、Fe以及Ti的陶瓷材料的基体(2);和形成于基体(2)的成对的两个外部电极(4a、4b)。在将基体(2)中的Mn的摩尔量设为a[mol%]、将Ni的摩尔量设为b[mol%]时,a+b=100、44.90≤a≤65.27、且34.73≤b≤55.10。此外,在将Fe的摩尔量设为c[mol%]、将Ti的摩尔量设为d[mol%]时,相对于a+b=100,24.22≤c≤39.57、且5.04≤d≤10.18。

Description

NTC热敏电阻元件及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有负的温度特性的NTC热敏电阻元件及其制造方法。
背景技术
以往,作为NTC热敏电阻元件,例如有下述的专利文献1所记载的NTC热敏电阻元件。该NTC热敏电阻元件大致具备陶瓷坯体和形成在该陶瓷坯体的外部电极。陶瓷坯体包括含有Mn、Ni以及Ti的半导体陶瓷材料,且满足以下的条件(1)以及(2)。此外,也可以在半导体陶瓷材料中添加Fe。
(1)在将半导体陶瓷材料中所含的Mn的摩尔量设为a、以及将Ni的摩尔量设为b时,55/45≤a/b≤90/10。
(2)在将半导体陶瓷材料中的Mn以及Ni的总摩尔量设为100摩尔份时,在0.5摩尔份以上且25摩尔份以下的范围内含有Ti。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2006/085507号
发明内容
发明要解决的课题
近年来,NTC热敏电阻元件不仅使用在家电产品或民用设备中,还使用在车载用途中。通常,对车载用设备施予在耐热性等方面比民生用更严格的可靠性试验。
但是,在专利文献1的NTC热敏电阻元件中,在利用150℃下放置1000个小时这样的试验方法来实施了耐热性试验的情况下,电阻值的变化、B常数的变化较大,在耐热性方面有问题点。
为此,本发明的目的在于提供一种耐热性卓越的NTC热敏电阻元件。
用于解决课题的手段
为了达成上述目的,本发明的第一局面是NTC热敏电阻元件,具备:包括含有Mn、Ni、Fe以及Ti的陶瓷材料的基体、和形成于所述基体的成对的两个外部电极。
在此,在将Mn的摩尔量设为a[mol%]、将Ni的摩尔量设为b[mol%]时,a+b=100、44.90≤a≤65.27、且34.73≤b≤55.10。此外,在将Fe的摩尔量设为c[mol%]、将Ti的摩尔量设为d[mol%]时,相对于a+b=100,24.22≤c≤39.57、且5.04≤d≤10.18。
此外,本发明的第二局面是NTC热敏电阻元件的制造方法,具备:第一工序,根据包含锰化合物、镍化合物、铁化合物以及钛化合物的陶瓷坯体原料来生成基体;和第二工序,在所述第一工序中形成的基体上生成成对的两个外部电极。
在此,在将所述陶瓷坯体原料中的Mn的摩尔量设为a′[mol%]、将该坯体原料中的Ni的摩尔量设为b′[mol%]时,a′+b′=100、45.00≤a′≤65.42、且34.58≤b′≤55.00。
此外,在将所述陶瓷坯体原料中的Fe的摩尔量设为c′[mol%]、将该坯体原料中的Ti的摩尔量设为d′[mol%]时,相对于a′+b′=100,25.48≤c′≤40.00、且5.00≤d′≤10.10。
发明效果
根据上述第一以及第二局面,能提供一种耐热性卓越的NTC热敏电阻元件。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的NTC热敏电阻元件的构成的纵向剖视图。
具体实施方式
(实施方式)
以下,参照图1来详细说明本发明的一实施方式所涉及的NTC热敏电阻元件1。
首先,定义图1所示的X轴、Y轴以及Z轴。X轴、Y轴以及Z轴表示NTC热敏电阻元件1的左右方向、前后方向以及上下方向。
(NTC热敏电阻元件的构成)
在图1中例示了表面安装型的NTC热敏电阻元件1。该NTC热敏电阻元件1具备:基体2、多个内部电极3(图示为内部电极3a~3d)、成对的两个外部电极4a、4b、第一镀膜5a、5b、和第二镀膜6a、6b。
基体2在本实施方式中例如具有在左右方向上长的大致长方体形状。该基体2包括具有负的温度特性的陶瓷材料。更具体而言,基体2含有Mn(锰)以及Ni(镍)作为主成分(基本组成),进而含有Fe(铁)以及Ti(钛)作为添加物。
各内部电极3a~3d包含在空气中难以氧化的贵金属合金(例如银钯合金),形成在基体2的内部。在图1的示例中,内部电极3a、3b构成左侧的梳齿状电极,内部电极3c、3d构成右侧的梳齿状电极。具体而言,内部电极3a、3b分别从基体2的左端朝向右端延伸存在,内部电极3c、3d分别从基体2的右端朝向左端延伸存在。此外,内部电极3a、3b(左侧的梳齿状电极)、和内部电极3c、3d(右侧的梳齿状电极)在上下方向上空开给定间隔而咬合。
外部电极4a、4b包含贵金属(例如银)。外部电极4a按照与内部电极3a、3b电气导通的方式形成在基体2的左端面上,外部电极4b按照与内部电极3c、3d电气导通的方式形成在基体2的右端面上。
此外,第一镀膜5a、5b例如包含Ni,形成在外部电极4a、4b上。第二镀膜6a、6b例如包含Sn(锡),形成在第一镀膜5a、5b上。
(NTC热敏电阻元件的制法的一例)
上述NTC热敏电阻元件1的制造工序大致包括:第一工序,制作内置了内部电极3的基体2;和第二工序,在该第一工序中制作出的基体2上形成外部电极4a、4b等。
第一工序更具体而言包含以下的(A)~(H)的详细工序。
(A)秤量给定量的作为陶瓷坯体原料的Mn3O4、NiO、Fe2O3、TiO2
(B)将在工序(A)中秤量出的陶瓷坯体原料投入到内含氧化锆等粉碎媒介的球磨机,充分进行湿式粉碎。
(C)在工序(B)中被粉碎的陶瓷坯体原料在760℃、2个小时的条件下进行临时煅烧处理,由此制作陶瓷粉末。
(D)在工序(C)中制作出的铁氧体粉末之中加入给定量的有机粘合剂。对铁氧体粉末以及有机粘合剂以湿式进行混合处理,使其成为浆状。
(E)利用刮刀法等对在工序(D)中得到的浆料进行成形加工,由此得到陶瓷生片。
(F)利用以银钯合金为主成分的内部电极用膏,在工序(E)中得到的陶瓷生片上丝网印刷内部电极3的图案。
(G)在工序(F)中印刷了内部电极3的陶瓷生片被层叠多片。在由此得到的层叠体的上下两面上压接未印刷有内部电极3的陶瓷生片。
(H)在将工序(G)中得到的层叠体切断为给定尺寸后,收容到氧化锆制的容器中。然后,对切断的层叠体在350℃、2个小时的条件下进行脱粘合剂处理,然后在给定温度(例如1100℃~1175℃)下进行烧成处理。由此得到内置内部电极3的基体2。
接下来,进行第二工序。该第二工序包含以下的(I)以及(J)的详细工序。
(I)在工序(H)中得到的基体2的左右两端面上涂敷以银为主成分的外部电极用膏,并进行烘烤。由此形成外部电极4a、4b。
(J)在工序(I)中形成的外部电极4a、4b上,通过电场镀敷形成Ni的第一镀膜5a、5b。在该第一镀膜5a、5b上,通过电场镀敷形成Sn的第二镀膜6a、6b。
通过以上的工序(A)~(J)而完成NTC热敏电阻元件1。
(基体的详细组成)
在本实施方式中,为了提升热敏电阻元件1的耐热性,NTC热敏电阻元件1的完成品的基体2中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量为下述(1)以及(2)所记载的数值范围内。
(1)在将基体2中的Mn、Ni的摩尔量设为a[mol%]、b[mol%](其中a+b=100[mol%])时,64.43≤a≤65.27且34.73≤b≤35.57。
(2)在将基体2中的Fe、Ti的摩尔量设为c[mol%]、d[mol%]时,相对于a+b=100,24.22≤c≤25.25,9.28≤d≤10.18。
本申请发明者如以下的表1所示那样使用具有18种的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量的组合的陶瓷坯体原料来制作了18个种类(批号1~18)的NTC热敏电阻元件。在此,在表1中,批号1~17是本实施方式所涉及的NTC热敏电阻元件1的坯体原料中的Mn等的含有比率。此外,批号18是现有的NTC热敏电阻元件的坯体原料中的Mn等的含有比率。
[表1]
表1:陶瓷坯体原料中的配合比率
在表1中,将陶瓷坯体原料中的Mn、Ni的摩尔量设为a′[mol%]、b′[mol%]。此外,将该坯体原料中的Fe、Ti的摩尔量设为c′[mol%]、d′[mol%]。其中,a′+b′=100[mol%]。此外,c′以及d′是相对于a′+b′=100的摩尔量。
在批号1的情况下,a′为65.00[mol%],b′为35.00[mol%],c′为25.00[mol%],d′为9.65[mol%]。关于其他批号2~18,也以与批号1的情况相同的要领记载a′、b′、c′、d′。
本申请发明者进一步通过WDX(Wavelength Dispersive X-raySpectrometer,波长色散X射线光谱仪)对各热敏电阻元件1的基体2中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有比率进行了分析。本申请发明者进一步对各热敏电阻元件1在25℃、50℃的恒温液相中测量了直流电阻值R25、R50。此外,通过以下的式(1)来算出25℃以及50℃间的B常数(B25/50)。
[数式1]
B25/50(K)=log(R25/R50)/(1/(273.15+25)-1/(273.15+50))…(1)
此外,对各批号的NTC热敏电阻元件1实施了可靠性试验A、B。可靠性试验A的条件是125℃下放置1000个小时,可靠性试验B的条件是150℃下放置1000个小时。本申请发明者算出各可靠性试验A、B实施后的电阻变化率ΔR、B常数变化率ΔB25/50。ΔR根据以下的式(2)算出,ΔB25/50根据以下的式(3)算出。
[数式2]
ΔR(%)=(R25(1000hr)-R25(0hr))/R25(0hr)×100…(2)
ΔB(%)=(B25/50(1000hr)-B25/50(0hr))/B25/50(0hr)×100…(3)
在式(2)中,R25(1000hr)是在125℃或150℃下放置1000个小时后在25℃的恒温液相中测量出的直流电阻值。R25(0hr)是在可靠性试验A、B的实施前在25℃的恒温液相中测量出的直流电阻值。
此外,在式(3)中,B25/50(1000hr)是在125℃或150℃下放置1000个小时后算出的25℃以及50℃间的B常数。B25/50(0hr)是在可靠性试验A、B的实施前算出的25℃以及50℃间的B常数。
在以下的表2中示出以上的分析/测量结果以及算出值。
[表2]
表2:热敏电阻元件(实施方式)的完成品中的含有比率
在表2中,将NTC热敏电阻元件的完成品中的Mn、Ni的摩尔量设为a[mol%]、b[mol%]。此外,将该完成品中的Fe、Ti的摩尔量设为c[mol%]、d[mol%]。其中,a+b=100[mol%]。此外,c以及d是相对于a+b=100的摩尔量。
此外,在表2中,按照每个批号来记载a~d、与直流电阻值R25对应的电阻率ρ25、B25/50、可靠性试验A中的ΔR以及ΔB25/50、和可靠性试验B中的ΔR以及ΔB25/50。
例如,批号1的NTC热敏电阻元件是使用表1所示的相同的批号的陶瓷坯体原料来制作的。在批号1的情况下,a为64.85[mol%],b为35.15[mol%],c为24.73[mol%],d为9.73[mol%]。此外,ρ25为52.0[kΩcm],B25/50为4086[K]。可靠性试验A中的ΔR以及ΔB25/50为0.04%以及0.01。此外,可靠性试验B中的ΔR以及ΔB25/50为0.34%以及0.04。
关于其他批号2~18,也以与批号1的情况相同的要领而在表2中记载各数值。另外,在表2中,批号1~17是本实施方式所涉及的NTC热敏电阻元件1中的Mn等的含有比率。此外,批号18是现有的NTC热敏电阻元件中的Mn等的含有比率。
如从表1以及表2可知那样,批号1~17与批号18相同,作为NTC热敏电阻元件而具有充分实用的电气特性(ρ25,B25/50)。此外,关于批号1~17,可靠性试验B的实施后的ΔR为0.39%以下,ΔB25/50为0.05%以下。可知,这些值与批号18的值比较,格外卓越,即使将这些热敏电阻元件1在150℃这样的高温环境下放置1000个小时的期间,电气特性(电阻值和B常数)的变化也极小。
如以上说明的那样,若将基体2中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量设为上述(1)以及(2)所记载的数值范围内,则能使NTC热敏电阻元件1的耐热性得以提升。
此外,在不同的观点中,通过使陶瓷坯体原料中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量处于下述(3)以及(4)所记载的数值范围内,并利用上述制法来制作NTC热敏电阻元件1,从而能使NTC热敏电阻元件1的耐热性得以提升。
(3)在将陶瓷坯体原料中的Mn、Ni的摩尔量设为a′[mol%]、b′[mol%]时,设64.58≤a′≤65.42且34.58≤b′≤35.42。
(4)在将陶瓷坯体原料中的Fe、Ti的摩尔量设为c′[mol%]、d′[mol%]时,设24.48≤c′≤25.52且9.20≤d′≤10.10。
(附记)
在上述实施方式中,说明了表面安装型的NTC热敏电阻元件。但是,NTC热敏电阻元件向印刷基板的安装方法并不限于表面安装型,也可以是BGA(Ball Grid Array,球栅阵列)型。
此外,在上述实施方式中,作为内部电极3a~3d包含贵金属合金、外部电极4a、4b包含贵金属的情况进行了说明。但并不限于此,也可内部电极3a~3d包含贵金属,外部电极4a、4b包含贵金属合金。
此外,在上述实施方式中,考虑与包含银的外部电极4a、4b的兼容,第一镀膜5a、5b为Ni镀膜,第二镀膜6a、6b为Sn镀膜。但并不限于此,第一镀膜5a、5b以及第二镀膜6a、6b的材料可对应于外部电极4a、4b的材料而酌情选择。
此外,在上述实施方式中,作为陶瓷坯体原料而使用了Mn3O4等氧化物。但并不限于此,也可以使用Mn等的碳酸盐或氢氧化物等。关于Ni、Fe、Ti也同样。即,能使用Mn、Ni、Fe、Ti的各种化合物作为陶瓷坯体原料。
此外,在上述实施方式中,在制法的一例中,通过刮刀法来使基体2成为层叠结构。但并不限于此。当不具备内部电极3而在基体2的左右两端面仅形成外部电极4a、4b的情况下,也可以以干式成形来形成基体2。
(附记)栏所记载的各事项在以下的变形例所涉及的NTC热敏电阻元件中也同样适用。
(变形例)
接下来,说明上述实施方式的变形例所涉及的NTC热敏电阻元件。若将变形例所涉及的NTC热敏电阻元件与前述的实施方式所涉及的NTC热敏电阻元件比较,则在基本的构成上没有差异,如下述的表3所示那样,仅基体的组成有差异。故此,在本变形例的说明中,援引图1,并且在变形例中对与实施方式的构成相当的构成标注相同标号,省略各自的说明。
(基体的详细组成)
在本变形例中,为了提升耐热性,NTC热敏电阻元件1的坯体原料中的Mn、Ni、Fe以及Ti的摩尔量为下述(5)以及(6)记载的数值范围内。
(5)在将陶瓷坯体原料中的Mn、Ni的摩尔量设为a′[mol%]、b′[mol%](其中a′+b′=100[mol%])时,设45.00≤a′≤65.00且35.00≤b′≤55.00。
(6)在将陶瓷坯体原料中的Fe、Ti的摩尔量设为c′[mol%]、d′[mol%](其中c′以及d′是相对于a′+b′=100的摩尔量)时,设25.00≤c′≤40.00且5.00≤d′≤9.65。
此外,在本变形例中,为了提升耐热性,使用了上述坯体原料的NTC热敏电阻元件1的完成品的基体2中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量为下述(7)以及(8)记载的数值范围内。
(7)在将基体2中的Mn、Ni的摩尔量设为a[mol%]、b[mol%](其中a+b=100[mol%])时,44.90≤a≤64.85且35.15≤b≤55.10。
(8)在将基体2中的Fe、Ti的摩尔量设为c[mol%]、d[mol%]时,相对于a+b=100,24.73≤c≤39.57,5.04≤d≤9.73。
本申请发明者为了确认使用了上述坯体原料的NTC热敏电阻元件的完成品的耐热性,使用以下的表3所记载的坯体原料来制作了具有表4所记载的组成的13个种类(批号19~31)的NTC热敏电阻元件。另外,表3、表4的参考方式与表1、表2相同。
[表3]
表3:陶瓷坯体原料(变形例)中的配合比率
[表4]
表4:热敏电阻元件(变形例)的完成品中的含有比率
本申请发明者分别对批号19~31使用与上述实施方式相同的手法来算出25℃以及50℃间的B常数(B25/50)。
此外,分别对各批号19~31实施上述实施方式所记载的可靠性试验A、B,并算出可靠性试验A、B实施后的电阻变化率ΔR、B常数变化率ΔB25/50。
在表4按每个批号还记载以上的算出值。
如从表4可知的那样,批号21~23、26、29与批号1~17相同,作为NTC热敏电阻元件具有充分实用的电气特性(ρ25,B25/50)。进而,在批号21~23、26、29中,可靠性试验B实施后的ΔR为0.36%以下,ΔB25/50为0.09%以下。可知,这些值低于现有的NTC热敏电阻元件(即批号18)的值,即使将这些批号21~23、26、29在150℃这样的高温环境下放置1000个小时的期间,电气特性的变化也极小。即,可知耐热性卓越。
如以上说明的那样,如果使基体2中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量处于上述(7)以及(8)所记载的数值范围内,则能使NTC热敏电阻元件1的耐热性得以提升。
(总结)
若对上述实施方式和上述变形例进行总结,则在将NTC热敏电阻元件1的坯体原料中的Mn、Ni、Fe以及Ti的摩尔量设为下述(9)以及(10)所记载的数值范围内时,能使其耐热性得以提升。
(9)45.00≤a’≤65.42且34.58≤b’≤55.00。
(10)25.48≤c’≤40.00且5.00≤d’≤10.10。
此外,关于NTC热敏电阻元件1的完成品,如果将基体2中的Mn、Ni、Fe以及Ti的含有量设为下述(11)以及(12)所记载的数值范围内,则能使其耐热性得以提升。
(11)44.90≤a≤65.27且34.73≤b≤55.10。
(12)24.22≤c≤39.57且5.04≤d≤10.18。
产业上的可利用性
本发明所涉及的热敏电阻元件耐热性卓越,不仅适于家电产品或民用设备,还特别适于车载用途。
标号说明
1  热敏电阻元件
2  基体
3  内部电极
4a、4b  外部电极
5a、5b  第一镀膜
6a、6b  第二镀膜

Claims (2)

1.一种NTC热敏电阻元件,具备:
基体,包括含有Mn、Ni、Fe以及Ti的陶瓷材料;和
成对的两个外部电极,形成于所述基体,
在将Mn的摩尔量设为a、将Ni的摩尔量设为b时,a+b=100、44.90≤a≤65.27、且34.73≤b≤55.10,其中a的单位为mol%,b的单位为mol%,
在将Fe的摩尔量设为c、将Ti的摩尔量设为d时,相对于a+b=100,24.22≤c≤39.57、且5.04≤d≤10.18,其中c的单位为mol%,d的单位为mol%。
2.一种NTC热敏电阻元件的制造方法,具备:
第一工序,根据包含锰化合物、镍化合物、铁化合物以及钛化合物的陶瓷坯体原料来生成基体;和
第二工序,在所述第一工序中形成的基体上生成成对的两个外部电极,
在将所述陶瓷坯体原料中的Mn的摩尔量设为a′、将该坯体原料中的Ni的摩尔量设为b′时,a′+b′=100、45.00≤a′≤65.42、且34.58≤b′≤55.00,其中a′的单位为mol%,b′的单位为mol%,
在将所述陶瓷坯体原料中的Fe的摩尔量设为c′、将该坯体原料中的Ti的摩尔量设为d′时,相对于a′+b′=100,25.48≤c′≤40.00、且5.00≤d′≤10.10,其中c′的单位为mol%,d′的单位为mol%。
CN201380026452.0A 2012-05-28 2013-04-08 Ntc热敏电阻元件及其制造方法 Active CN104335295B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012120731 2012-05-28
JP2012-120731 2012-05-28
PCT/JP2013/060602 WO2013179774A1 (ja) 2012-05-28 2013-04-08 Ntcサーミスタ素子およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104335295A true CN104335295A (zh) 2015-02-04
CN104335295B CN104335295B (zh) 2017-03-29

Family

ID=49672982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380026452.0A Active CN104335295B (zh) 2012-05-28 2013-04-08 Ntc热敏电阻元件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9373431B2 (zh)
JP (1) JP5846305B2 (zh)
CN (1) CN104335295B (zh)
WO (1) WO2013179774A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105283932B (zh) * 2013-06-13 2018-01-09 株式会社村田制作所 陶瓷电子元器件及其制造方法
WO2018138993A1 (ja) * 2017-01-30 2018-08-02 株式会社村田製作所 温度センサ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4029170B2 (ja) * 2002-07-16 2008-01-09 株式会社村田製作所 負特性サーミスタの製造方法
CN102290174A (zh) 2005-02-08 2011-12-21 株式会社村田制作所 表面安装型负特性热敏电阻
JPWO2008041481A1 (ja) 2006-09-29 2010-02-04 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ磁器とそれを用いたntcサーミスタ
CN101127266B (zh) * 2007-09-12 2010-06-02 山东中厦电子科技有限公司 高均匀性负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
WO2011024724A1 (ja) * 2009-08-28 2011-03-03 株式会社村田製作所 サーミスタ及びその製造方法
CN102122552B (zh) * 2010-12-08 2012-11-07 深圳顺络电子股份有限公司 一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻
JP5510479B2 (ja) * 2012-03-03 2014-06-04 株式会社村田製作所 Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张嗣春等: "NiMn1.5Fe0.5-xTixO4系热敏电阻的制备与性能研究", 《武汉理工大学学报》 *

Also Published As

Publication number Publication date
US9373431B2 (en) 2016-06-21
CN104335295B (zh) 2017-03-29
WO2013179774A1 (ja) 2013-12-05
JPWO2013179774A1 (ja) 2016-01-18
US20150070127A1 (en) 2015-03-12
JP5846305B2 (ja) 2016-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103370755B (zh) 层叠陶瓷电容器及层叠陶瓷电容器的制造方法
CN103098150B (zh) 表面安装压敏电阻
CN103693953B (zh) 一种中低压氧化锌压敏电阻及其制备方法
Bashir et al. Structural and complex AC impedance spectroscopic studies of A2CoNbO6 (A= Sr, Ba) ordered double perovskites
CN110033922A (zh) 层叠线圈部件
CN103295709B (zh) Ntc热敏电阻用半导体陶瓷组合物
CN103193474A (zh) 一种新型负温度系数热敏电阻材料及其制备方法
CN105788786A (zh) Ntc热敏电阻元件的制造方法
CN109792081A (zh) 锂离子传导性固体电解质及全固体锂离子二次电池
Neuhaus et al. Assessment of the effect of transition metal oxide addition on the conductivity of commercial Gd-doped ceria
Neuhaus et al. The effect of transition metal oxide addition on the conductivity of commercially available Gd-doped ceria
JPWO2011086850A1 (ja) Ntcサーミスタ用半導体磁器組成物およびntcサーミスタ
CN104335295A (zh) Ntc热敏电阻元件及其制造方法
CN104919548B (zh) 层叠线圈部件
CN103073267B (zh) 一种低电阻率、高b值负温度系数热敏材料及其制备方法
CN105985111B (zh) 介电陶瓷组合物以及电子部件
CN107001145A (zh) 导电性氧化物烧结体、导电用构件、气体传感器、压电元件以及压电元件的制造方法
CN102165543A (zh) 复合电子部件
JP5871017B2 (ja) 磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品
CN101101811A (zh) 一种钛酸锶压敏电阻器及其制备方法
CN102491756A (zh) 一种水热法制备纳米热敏粉体的方法
Amano et al. Synthesis and Crystal Structure of Suboxide Solid Solutions, Ti12− δGa x Bi3–x O10
JPS63315550A (ja) サ−ミスタ磁器組成物
CN203311954U (zh) 层叠型ptc热敏电阻
CN108863350A (zh) 一种钛酸铋基钙钛矿相热敏陶瓷复合材料及其制备方法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant