CN104327275B - 一种含铝聚碳硅烷的合成方法 - Google Patents
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Abstract
一种含铝聚碳硅烷的合成方法,包括以下步骤:(1)将聚碳硅烷置于反应器中,抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,加入有机溶剂溶解,得组分a;(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。按照本发明方法制得的含铝聚碳硅烷氧含量低;采用单官能团的铝源化合物,有利于调控铝含量;残留Si‑H含量较高,无超高分子量部分,有利于纤维制备;工艺简便,适于大规模生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种含铝聚碳硅烷的合成方法,具体涉及一种低氧含量含铝聚碳硅烷的合成方法。
背景技术
航空航天、兵器、能源等高技术领域的发展,对热结构材料复合材料提出了迫切需求。高性能陶瓷纤维是热结构材料复合材料的关键原材料。其中,碳化硅(SiC)纤维由于其优异的耐高温、高强度、高模量、抗氧化性能,受到极大关注。
有机先驱体转化法是制备SiC纤维的主要方法。有机先驱体转化法是以有机聚合物为先驱体,利用其可溶可熔等特性成型后,再经高温热分解使之从有机物转变为无机陶瓷材料的方法。1975年,日本东北大学的Yajima等人合成了聚碳硅烷(PCS)先驱体,经熔融纺丝、不熔化、高温烧成制得了SiC纤维,开启了有机先驱体转化法制备SiC纤维的新纪元。
有机先驱体转化法制备SiC纤维具有如下显著特点:(1)可制备连续、直径较小的纤维(<20 μm),纤维的可编织性好,易于编织成为复杂形状的预制件;(2)较低的制备温度(<1250 ℃);(3)可对先驱体进行分子设计,控制先驱体的组成,如制备含有异元素的功能性陶瓷纤维等;(4)适合于工业化生产,生产效率高,其成本仅为CVD法制备的SiC纤维成本的1/10左右。因此,有机先驱体转化法已成为目前制备连续SiC纤维较为理想的主要方法。
1998年,日本Ishikawa等人以乙酰丙酮铝(Al(AcAc)3)和PCS为原料合成了聚铝碳硅烷(PACS,也叫含铝聚碳硅烷)先驱体。PACS经熔融纺丝、空气不熔化和惰性气氛中1300 ℃高温烧成制备出非晶态的Si-Al-C-O纤维。Si-Al-C-O纤维在氩气中经1800 ℃烧结制备出Al含量约为0.6 wt%的Si-Al-C纤维。
李效东、曹峰、余煜玺等人采用 Al(AcAc)3和液态聚硅烷(PSCS)为原料,反应温度为420℃,反应数小时后,得到PACS先驱体,其Al含量约为0.4 wt%,数均分子量约为1500~2000,重均分子量约为1800~2300,软化点为200 ℃左右。由PACS经熔融纺丝、不熔化、1800 ℃高温烧结制备得到化学组成为SiC1.15O0.026Al0.013的SiC(Al)陶瓷纤维。
PACS先驱体的合成过程中,一般采用Al(AcAc)3为铝源化合物,比如CN101492541B公开了一种聚铝碳硅烷的制备方法,将乙酰丙酮铝与液态聚碳硅烷放入容器中混合,在300~420 ℃进行反应;反应结束后冷却至室温,即得到聚铝碳硅烷。由于在合成过程中Al(AcAc)3容易升华,反应不能按设定计量进行,导致反应物利用率较低,反应不均匀,给PACS的后续处理带来不便。根据反应式,向先驱体中引入1摩尔的Al,要消耗3摩尔的Si-H键,至少引入3摩尔的氧。此外,Al(AcAc)3为铝源化合物时,产物支化度大,分子量急剧增大,甚至出现超高分子量部分,分子量分布宽,对熔融纺丝性能造成不利影响。同时,在先驱体中引入的氧,将在1500 ℃以上分解逸出,在纤维中产生大量缺陷,对纤维性能造成不利影响。为了降低纤维制备过程中的缺陷,必须降低纤维氧含量,而纤维中的氧主要来源于先驱体和不熔化。采用通过非氧的不熔化方法,如电子束辐照、化学气相交联替代空气不熔化处理,不熔化纤维氧含量增量几乎为0。此时,进一步降低PACS先驱体中的氧含量显得尤为重要。
CN1715466A公开了一种含铝连续碳化硅纤维的制备方法,以含有Si-Si为主链的聚硅烷或聚硅烷共聚物和有机铝络合物为反应物,合成了聚铝碳硅烷。其中,有机铝络合物包括乙酰丙酮铝、铝醇盐、羰基铝中的一种或其中两种的混合。上述有机铝络合物,乙酰丙酮铝Al(AcAc)3、铝醇盐、羰基铝等均含大量的氧,将在先驱体中引入氧,且Si-Si为主链的聚硅烷或聚硅烷共聚物即使在420 ℃高温下仍将继续断键重排,因此,300~420 ℃反应得到的产物中仍可能含有 Si-Si键,这对最终纤维性能是不利的。
综上,现有技术中,含铝聚碳硅烷中Al源化合物含氧,常用原料乙酰丙酮铝等易升华,反应不能按设定计量进行,制得的含铝聚碳硅烷含超高分子量部分对熔融纺丝不利,且残余Si-H键含量较低,不利于后续不熔化。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,克服上述现有技术的缺陷,提供一种氧含量低,铝含量易调,残留Si-H含量较高,无超高分子量部分的含铝聚碳硅烷的合成方法。
本发明解决其技术问题采用的技术方案如下:一种含铝聚碳硅烷的合成方法,包括以下步骤:
(1)将聚碳硅烷置于反应器中,反应系统内抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,重复≥2次,加入有机溶剂溶解,得组分a;
(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;
(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。
进一步,步骤(2)中,所述无氧单官能团含铝化合物的分子式为R1R2AlX,其中,R1、R2为不含氧的有机基团,具体为C原子数≤10的饱和烃基、不饱和烃基、烃基或芳香基等,X为无机基团Cl、Br、I或H。
步骤(1)中,所述有机溶剂只是作为聚碳硅烷的溶剂,不参与合成反应,所以只要能溶解即可;所述聚碳硅烷与有机溶剂的优选质量配比为1:1~4。
进一步,步骤(2)中,所述单官能团含铝化合物中铝的量为聚碳硅烷的≥0.5
wt%(优选0.6~5 wt%)。
进一步,步骤(3)中,所述减压蒸馏的温度为350~380 ℃,压力为-0.1
MPa,时间为1~2 h。程序升温过程中,当温度达到130~145 ℃时,溶剂被蒸馏去除;继续升温至350~500 ℃,目的是进行分子结构的稳定化处理;最后减压蒸馏可以除去小分子或未参与反应的聚碳硅烷。
进一步,步骤(1)中,所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷等中的一种或几种。
进一步,步骤(1)和(2)中,所述惰性气体为氮气或氩气。
相对于现有技术,采用单官能团铝源化合物(R1R2AlX)的优点是:通过脱除HX,实现铝元素的引入。根据反应式,本发明合成方法中,向先驱体中引入1摩尔的Al,只要消耗1摩尔的Si-H键,因此,残余Si-H含量较高,这对原纤维的不熔化是非常有利的。在残余Si-H 含量相同的情况下,本发明可引入更多的Al。同时,单官能团Al源化合物反应活性更高,在130~145 ℃下就可以反应。
本发明方法具有如下优点:
(1)铝源化合物不含氧,在引入铝的同时不会引入额外的氧,因此降低了含铝聚碳硅烷的氧含量;
(2)采用单官能团铝源化合物,反应后,不对聚碳硅烷的分子结构产生大的影响;
(3)由于只有一个官能团,所以不会产生交联效果,不会形成超高分子量部分,残留Si-H含量较高,有利于纤维制备;
(4)采用单官能团的铝源化合物,有利于调控铝含量;
(5)本发明方法工艺操作简便,适于大规模生产。
附图说明
图1本发明实施例1的含铝聚碳硅烷的红外谱图(FTIR);
图2 本发明实施例1的含铝聚碳硅烷的凝胶渗透色谱(GPC);
图3 本发明实施例1的含铝聚碳硅烷的热重曲线(TG)。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明。
实施例
1
(1)将100 g聚碳硅烷置于烧瓶中,反应系统内抽真空,再用氮气置换反应系统内气体至常压,重复3次,加入200 mL二甲苯溶解,得组分a;(2)在氮气气氛保护下,室温下将30 mL市售溶有0.9 mol/L二甲基氯化铝的庚烷溶液加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至145 ℃,反应时间8 h,得组分b;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至420 ℃,保温2 h,350 ℃,-0.1 MPa下,减压蒸馏2 h,冷却至室温,即得72.5 g含铝聚碳硅烷。
含铝聚碳硅烷的产率为72.5 %,产物软化点为218.8 ℃;元素组成为:Si:49.01 wt%,C:42.03 wt%,Al:1.10 wt%,O:1.36 wt%,H:6.50 wt%。
图1为本实施例制备的含铝聚碳硅烷的FTIR谱图,可以用图中2100 cm-1处的Si-H吸收峰与1250 cm-1处的Si-CH3吸收峰的吸光度比值(ASi-H/ASi-CH3)来表征含铝聚碳硅烷的Si-H键含量。PCS原料的Si-H键的相对含量为0.9780,由图中可知含铝聚碳硅烷的Si-H键的相对含量为0.8167,则Si-H反应程度为16.5 %。
图2为本实施例制备的含铝聚碳硅烷的GPC谱图,图中未发现超高分子量部分。结果表明,含铝聚碳硅烷的数均分子量Mn为1.859×103,重均分子量Mw为4.895×103,分子量分布系数Mw/Mn为2.632。
图3为本实施例制备的含铝聚碳硅烷的TG曲线,从图中可知,含铝聚碳硅烷在氮气气氛中1000 ℃时陶瓷产率为67.3 %。
实施例
2
(1)将100 g聚碳硅烷置于烧瓶中,反应系统内抽真空,再用氩气置换反应系统内气体至常压,重复3次,加入250 mL三氯甲烷溶解,得组分a;(2)在氩气气氛保护下,室温下将25 mL 市售溶有0.9 mol/L甲基乙基溴化铝的庚烷溶液加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至145 ℃,反应时间12 h,得组分b;(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至400 ℃,保温3 h,360 ℃,-0.1 MPa下,减压蒸馏1.5 h,冷却至室温,即得70.2 g含铝聚碳硅烷。
含铝聚碳硅烷的产率为70.2 %,产物软化点212.3 ℃;元素组成为:Si:49.66 wt%,C:41.33 wt%,Al:0.87 wt%,O:1.32 wt%,H:6.82 wt%。
本实施例制备的含铝聚碳硅烷中Si-H键的相对含量为0.8235,Si-H反应程度为15.8 %;未发现超高分子量部分;数均分子量Mn为1.833×103,重均分子量Mw为4.805×103,分子量分布系数Mw/Mn为2.621;在氮气气氛中1000 ℃时陶瓷产率为67.1 %。
由实施例1、2可知,以单官能团含铝化合物(R1R2AlX)与聚碳硅烷反应,通过脱除HX,可以实现铝元素的引入;由于采用的铝源化合物不含氧,在引入铝的同时不会引入额外的氧,降低了含铝聚碳硅烷的氧含量;同时,采用单官能团的铝源化合物,有利于调控铝含量;无超高分子量部分,残留Si-H含量较高,有利于纤维制备;本发明方法工艺操作简便,适于大规模生产。
Claims (8)
1.一种含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将聚碳硅烷置于反应器中,反应系统内抽真空,再用惰性气体置换反应系统内气体至常压,重复≥2次,加入有机溶剂溶解,得组分a;
(2)在惰性气体气氛保护下,室温下将无氧单官能团含铝化合物加入到步骤(1)所得组分a中,搅拌,程序升温至130~145 ℃,反应6~14 h,得组分b;所述无氧单官能团含铝化合物为二甲基氯化铝或甲基乙基溴化铝;
(3)将步骤(2)所得组分b程序升温至380~450 ℃,保温1~5 h,然后减压蒸馏,冷却至室温,即得含铝聚碳硅烷。
2.根据权利要求1所述的含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(2)中,所述单官能团含铝化合物中铝的量为聚碳硅烷的≥0.5 wt%。
3.根据权利要求2所述的含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(2)中,所述单官能团含铝化合物中铝的量为聚碳硅烷的0.6~5 wt%。
4.根据权利要求2所述含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(3)中,所述减压蒸馏的温度为350~380 ℃,压力为-0.1
MPa,时间为1~2 h。
5.根据权利要求3所述含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(3)中,所述减压蒸馏的温度为350~380
℃,压力为-0.1 MPa,时间为1~2 h。
6.根据权利要求1或2所述含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(1)中,所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷中的一种或几种。
7.根据权利要求4所述含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(1)中,所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷中的一种或几种。
8.根据权利要求5所述含铝聚碳硅烷的合成方法,其特征在于:步骤(1)中,所述有机溶剂为二甲苯、甲苯、一氯甲烷、二氯甲烷、三氯甲烷、四氯甲烷或正己烷中的一种或几种。
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