CN104233195A - 一种蒸镀设备及蒸镀方法 - Google Patents
一种蒸镀设备及蒸镀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104233195A CN104233195A CN201410433251.9A CN201410433251A CN104233195A CN 104233195 A CN104233195 A CN 104233195A CN 201410433251 A CN201410433251 A CN 201410433251A CN 104233195 A CN104233195 A CN 104233195A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- temperature
- evaporation
- thickness
- substrate
- temperature control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 174
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 172
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 127
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/811—Controlling the atmosphere during processing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种蒸镀设备及蒸镀方法,该蒸镀设备包括:用于承载待蒸镀基板的机台,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区;分区温控装置,包括至少两个温控部和温度控制装置,其中,每一所述分区设置一所述温控部,所述温度控制装置用于对所述温控部所提供的温度进行控制,以控制对应的所述蒸镀区上的镀膜的沉积速率。通过本发明,可以在蒸镀一批基板的初期,测量完成蒸镀后的基板的镀膜的厚度,并根据测量的镀膜的厚度,调节不同分区的温控部所提供的温度,以控制下一待蒸镀基板的不同蒸镀区上镀膜的沉积速率,从而保证后续蒸镀的基板的镀膜的厚度的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及蒸镀技术领域,尤其涉及一种蒸镀设备及蒸镀方法。
背景技术
在OLED(有机发光二极管)器件的生产过程中,蒸镀成膜是最关键的工艺之一,镀膜的厚度均匀性的好坏将直接影响OLED器件的显示效果及寿命,因此,镀膜的厚度均匀性一直是生产中控制的重要因素。然而,由于蒸发源和材料本身的限制,在大面积蒸镀沉积薄膜时,镀膜的厚度均匀性很难控制。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种蒸镀设备及蒸镀方法,以解决现有的蒸镀设备形成的镀膜的厚度不均的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种蒸镀设备,包括:
用于承载待蒸镀基板的机台,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区;
分区温控装置,包括至少两个温控部和温度控制装置,其中,每一所述分区设置一所述温控部,所述温度控制装置用于对所述温控部所提供的温度进行控制,以控制对应的所述蒸镀区上的镀膜的沉积速率。
优选地,所述温控部包括:
液体容纳腔,设置于所述机台与所述待蒸镀基板之间,或者设置于所述机台的远离所述待蒸镀基板的一侧,或者设置于所述机台内部;
所述温度控制装置包括:
加热部,与所述液体容纳腔连接,用于对所述液体容纳腔中的液体进行加热;
冷却部,与所述液体容纳腔连接,用于对所述液体容纳腔中的液体进行冷却;
控制部,与所述加热部和所述冷却部连接,用于控制所述加热部或所述冷却部工作,以使得所述液体容纳腔中的液体达到预定温度。
优选地,所述分区温控装置还包括:
温度探测装置,与所述温控部及所述温度控制装置连接,用于测量所述温控部所提供的温度,并将测量得到的温度提供给所述温度控制装置,以供所述温度控制装置对所述温控部所提供的温度进行控制。
优选地,所述蒸镀设备还包括:
膜厚测量装置,与所述温度控制装置连接,用于测量完成蒸镀后的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度,并将测量得到的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度提供给所述温度控制装置;
所述温度控制装置,进一步用于判断所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度是否满足预定厚度,对于镀膜的厚度满足所述预定厚度的蒸镀区,不改变对应的温控部所提供的温度,对于镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区,调节其对应的温控部所提供的温度。
优选地,所述膜厚测量装置为椭偏仪。
优选地,所述蒸镀设备还包括:蒸镀腔室,
所述机台和所述分区控制装置均设置于所述蒸镀设备的蒸镀腔室内,所述膜厚测量装置设置于所述蒸镀腔室外。
优选地,所述温控部所能提供的温度位于5~100度范围内。
本发明还提供一种蒸镀方法,包括:
放置步骤:将待蒸镀基板放置于机台上,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区,所述机台上还设置有分区温控装置,所述分区温控装置包括至少两个温控部,其中,每一所述分区设置一所述温控部;
蒸镀步骤:对所述待蒸镀基板进行蒸镀;
测量步骤:蒸镀形成镀膜后,将所述基板从所述蒸镀腔室内取出,并测量所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度;
判断步骤:判断所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度是否满足预定厚度;
当所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度时,不改变各蒸镀区对应的温控部所提供的温度,其中,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,采用当前各温控部所提供的温度;
当所述基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,调节其对应的温控部所提供的温度,其中,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,采用调节后温控部所提供的温度。
优选地,所述判断步骤之后还包括:
当所述基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,继续执行所述测量步骤和所述判断步骤。
优选地,所述判断步骤之后还包括:
当所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,不再执行所述测量步骤和所述判断步骤。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
通过本发明的蒸镀设备和蒸镀方法,可以在蒸镀一批基板的初期,测量完成蒸镀后的基板的镀膜的厚度,并根据测量的镀膜的厚度,调节不同分区的温控部所提供的温度,以控制下一待蒸镀基板的不同蒸镀区上镀膜的沉积速率,从而保证后续蒸镀的基板的镀膜的厚度的均匀性。
附图说明
图1为本发明实施例的分区温控装置的一结构示意图;
图2为本发明实施例的蒸镀设备的一结构示意图;
图3为本发明实施例的分区温控装置的一结构示意图;
图4为本发明实施例的蒸镀方法的一流程示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
为解决现有的蒸镀设备形成的镀膜的厚度不均的问题,本发明实施例提供一种蒸镀设备,该蒸镀设备包括:
用于承载待蒸镀基板的机台,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区;
分区温控装置,包括至少两个温控部和温度控制装置,其中,每一所述分区设置一所述温控部,所述温度控制装置用于对所述温控部所提供的温度进行控制,以控制对应的所述蒸镀区上的镀膜的沉积速率。
通过上述蒸镀设备,可以在蒸镀一批基板的初期,测量完成蒸镀后的基板的镀膜的厚度,当基板存在镀膜的厚度不满足预定厚度的蒸镀区时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,调节对应的温控部所提供的温度,以控制该下一待蒸镀基板的对应蒸镀区上镀膜的沉积速率,当某一基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足预定厚度时,记录此时各蒸镀区对应的温控部所提供的温度,在后续基板蒸镀时,按照该记录的温度进行蒸镀,以保证后续蒸镀的基板的镀膜的厚度的均匀性。
上述实施例中,可以设置一温度控制装置,与每一所述温控部连接,也可以设置多个温度控制装置,其中,每一所述温控部对应一所述温度控制装置。
优选地,所述分区温控装置还可以包括:
温度探测装置,与所述温控部及所述温度控制装置连接,用于测量所述温控部所提供的温度,并将测量得到的温度提供给所述温度控制装置,以供所述温度控制装置对所述温控部所提供的温度进行控制。
具体实施时,可以设置一温度探测装置,与每一所述温控部连接,也可以设置多个温度探测装置,其中,每一所述温控部对应一所述温度探测装置。
优选地,本发明实施例的蒸镀设备还包括:
膜厚测量装置,与所述温度控制装置连接,用于测量完成蒸镀后的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度,并将测量得到的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度提供给所述温度控制装置;
所述膜厚测量装置可以为椭偏仪,磁感应镀层测厚仪,电涡流镀层测厚仪,荧光X射线镀层测厚仪或其他能够准确测量镀膜厚度的设备。
所述蒸镀设备还包括:蒸镀腔室,所述机台和所述分区控制装置均设置于所述蒸镀设备的蒸镀腔室内,而基于蒸镀腔内的空间考虑以及避免蒸镀气体的影响,优选地,所述膜厚测量装置设置于所述蒸镀腔室外。当然,在条件允许的条件下,所述膜厚测量装置也可以设置于蒸镀腔室内。
所述温度控制装置与所述膜厚测量装置连接,用于判断所述膜厚测量装置测量得到的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度是否满足预定厚度,对于镀膜的厚度满足所述预定厚度的蒸镀区,不改变对应的温控部所提供的温度,对于镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区,调节其对应的温控部所提供的温度。
可以理解的是,当蒸镀气体被蒸镀到温度较低的基板分区时,其热量会比较快速地被温度较低的基板分区吸收,因而在该分区沉积速率较快,相反地,当蒸镀气体被蒸镀到温度较高的基板时,则在该分区沉积速率较慢。
基于上述原理,当测量得到的基板的一蒸镀区的镀膜的厚度大于所需的厚度时,所述温度控制装置可以提高对应的温控部所提供的温度,以降低下一待蒸镀基板的对应的蒸镀区的镀膜的沉积速率。当测量得到的基板的一蒸镀区的镀膜的厚度小于所需的厚度时,所述温度控制装置可以降低对应的温控部所提供的温度,以提高下一待蒸镀基板的对应的蒸镀区的镀膜的沉积速率。当测量得到的基板的一蒸镀区的镀膜的厚度等于所需的厚度时,不改变对应的温控部所提供温度。
请参考图1,图1为本发明实施例的分区温控装置的一结构示意图,该分区温控装置10包括六个温控部11、六个温度控制装置12及六个温度探测装置13,每一所述温控部11与机台的一分区相对应,所述温度控制装置12用于对对应的所述温控部11所提供的温度进行控制,以控制对应的分区对应的待蒸镀基板的蒸镀区上的镀膜的沉积速率。温度探测装置13,与对应的所述温控部11及所述温度控制装置12连接,用于测量对应的温控部11所提供的温度,并将测量得到的温度提供给对应的温度控制装置12。
本实施例中,该分区温控装置10包括六个温控部11,当然,温控部11的个数并不限于此。可以理解的是,温控部11的个数越多(即对基板的蒸镀区划分的越多),镀膜的厚度的均匀性控制的越好。
请参考图2,图2为本发明实施例的蒸镀设备的一结构示意图,该蒸镀设备包括:
用于承载待蒸镀基板40的机台20,所述机台20的承载面包括三个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板40的一蒸镀区,待蒸镀基板40设置于所述机台20的一侧;
分区温控装置10,设置于所述机台20的另一侧,该分区温控装置10包括三个温控部11和一温控控制装置12,其中,每一所述分区设置一所述温控部11,所述温度控制装置12用于对所述温控部11所提供的温度进行控制,以控制对应的所述蒸镀区上的镀膜的沉积速率。
蒸发源30,用于提供有机蒸汽50。
下面对本发明实施例的分区温控装置的具体结构举例进行说明。
请参考图3,所述温控部包括:
液体容纳腔,设置于所述机台与所述待蒸镀基板之间,或者设置于所述机台的远离所述待蒸镀基板的一侧,或者设置于所述机台内部;
所述温度控制装置包括:
加热部,与所述液体容纳腔连接,用于对所述液体容纳腔中的液体进行加热;
冷却部,与所述液体容纳腔连接,用于对所述液体容纳腔中的液体进行冷却;
控制部,与所述加热部和所述冷却部连接,用于控制所述加热部或所述冷却部工作,以使得所述液体容纳腔中的液体达到预定温度。
本发明实施例中,每一液体容纳腔均连接一加热部、一冷却部和一控制部,当然,在本发明的其他实施例中,也可以使用一控制部控制多个加热部和冷却部。
具体实施时,可以通过膜厚测量装置测量完成蒸镀后的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度,并将测量得到的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度提供给所述温度控制装置;
并通过温度探测装置测量所述温控部所提供的温度,并将测量得到的温度提供给所述温度控制装置,以供所述温度控制装置对所述温控部所提供的温度进行控制。
具体的,温度探测装置可以通过测量液体容纳腔表面的温度,或者,测量液体容纳腔内液体的温度等,作为测量得到的温控部所提供的温度。所述温度探测装置可以为电阻式温度计、热敏电阻式温度计和温差电偶式温度计等。
当需要提高一温控部所提供的温度时,可以通过控制部提高加热部的加热温度,以提高液体容纳腔中流动的液体的温度,从而提高温控部所提供的温度;
当需要降低一温控部所提供的温度时,可以通过控制部降低加热部的加热温度或者停止加热部加热,或者,控制冷却部对液体容纳腔中流动的液体进行冷却,以降低液体容纳腔中流动的液体的温度,从而降低温控部所提供的温度。
上述仅是分区温控装置的一具体实施方式,在本发明的其他实施例中,分区温控装置也可以为其他结构。
上述实施例中,所述温控部所能提供的温度位于5~100度范围内,该温度范围可以保证温控部的加热温度处于很低的温度,不会对待蒸镀基板的已蒸镀上的其他镀膜造成影响。
请参考图4,图4为本发明实施例的蒸镀方法的一流程示意图,所述方法包括:
步骤S31:放置步骤:将待蒸镀基板放置于机台上,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区,所述机台上还设置有分区温控装置,所述分区温控装置包括至少两个温控部,其中,每一所述分区设置一所述温控部;
步骤S32:蒸镀步骤:对所述待蒸镀基板进行蒸镀;
步骤S33:测量步骤:蒸镀形成镀膜后,将所述基板从所述蒸镀腔室内取出,并测量所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度;
步骤S34:判断步骤:判断所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度是否满足预定厚度;
当所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度时,不改变各蒸镀区对应的温控部所提供的温度,其中,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,采用当前各温控部所提供的温度;
当所述基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,调节其对应的温控部所提供的温度,其中,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,采用调节后温控部所提供的温度。
通过上述蒸镀方法,可以在蒸镀一批基板的初期,测量完成蒸镀后的基板的镀膜的厚度,并根据测量的镀膜的厚度,调节不同分区的温控部所提供的温度,以控制下一待蒸镀基板的不同蒸镀区上镀膜的沉积速率,从而保证后续蒸镀的基板的镀膜的厚度的均匀性。
上述实施例中,在蒸镀第一块基板时,可以不开启温控部,此时温控部提供的温度与蒸镀腔室内的室温相关,当第一块基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,开启对应的蒸镀区的温控部,并调节该温控部所提供的温度。当然,在蒸镀第一块基板时,也可以根据需要开启温控部,使得温控部提供一初始温度。
上述实施例中,用于测量基板的镀膜的厚度的膜厚测量装置是设置于蒸镀腔室外,因而需要将基板从蒸镀腔室内取出,并测量基板的各蒸镀区的镀膜的厚度。当然,膜厚测量装置也可以设置于蒸镀腔室内,当膜厚测量装置设置于蒸镀腔室内时,在步骤S33中,则不需要将基板从所述蒸镀腔室内取出,可在蒸镀腔室内直接测量所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度。
优选地,所述判断步骤之后还包括:
当所述基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,继续执行所述测量步骤和所述判断步骤,直至后续蒸镀的基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度为止。
优选地,所述判断步骤之后还包括:
当所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,不再执行所述测量步骤和所述判断步骤,即后续蒸镀基板时,维持各温控部提供的温度不变。
具体实施时,当测量得到的基板的一蒸镀区的镀膜的厚度大于所需的厚度时,可以提高对应的温控部所提供的温度,以降低下一待蒸镀基板的对应的蒸镀区的镀膜的沉积速率。当测量得到的基板的一蒸镀区的镀膜的厚度小于所需的厚度时,可以降低对应的温控部所提供的温度,以提高下一待蒸镀基板的对应的蒸镀区的镀膜的沉积速率。当测量得到的基板的一蒸镀区的镀膜的厚度等于所需的厚度时,不改变对应的温控部所提供温度。
举例来说,假设需要蒸镀的镀膜的厚度为d,分区温控装置包括六个温控部,蒸镀形成镀膜后,将基板从蒸镀腔室取出,并测量该基板各蒸镀区的镀膜的厚度,假设测量得到的基板的六个蒸镀区的镀膜的厚度分别为d1、d2、d3、d4、d5和d6,其中,d1>d2>d3>d4>d5>d6>d,则可以根据测量结果,将六个温控部所提供的温度调节为T1>T2>T3>T4>T5>T6>T(T为未加热时基板的温度)。即,镀膜较厚的蒸镀区对应的温控部的温度相对较高,以降低下一待蒸镀基板对应的蒸镀区的镀膜的沉积速率,镀膜较薄的蒸镀区对应的温控部的温度也相对较低,以提高下一待蒸镀基板对应的蒸镀区的镀膜的沉积速率,最终保证各个蒸镀区的镀膜的厚度一致。
另外,当测量得到的基板的六个蒸镀区的镀膜的厚度均小于所需的厚度d时,可以通过延长下一待蒸镀基板蒸镀的时间,来增加镀膜的厚度。
上述实施例中的基板可以为OLED显示器件的基板,当基板上的镀膜的厚度均匀性能够保证后,OLED显示器件的性能也可以得到提升。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种蒸镀设备,其特征在于,包括:
用于承载待蒸镀基板的机台,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区;
分区温控装置,包括至少两个温控部和温度控制装置,其中,每一所述分区设置一所述温控部,所述温度控制装置用于对所述温控部所提供的温度进行控制,以控制对应的所述蒸镀区上的镀膜的沉积速率。
2.根据权利要求1所述的蒸镀设备,其特征在于,
所述温控部包括:
液体容纳腔,设置于所述机台与所述待蒸镀基板之间,或者设置于所述机台的远离所述待蒸镀基板的一侧,或者设置于所述机台内部;
所述温度控制装置包括:
加热部,与所述液体容纳腔连接,用于对所述液体容纳腔中的液体进行加热;
冷却部,与所述液体容纳腔连接,用于对所述液体容纳腔中的液体进行冷却;
控制部,与所述加热部和所述冷却部连接,用于控制所述加热部或所述冷却部工作,以使得所述液体容纳腔中的液体达到预定温度。
3.根据权利要求1所述的蒸镀设备,其特征在于,所述分区温控装置还包括:
温度探测装置,与所述温控部及所述温度控制装置连接,用于测量所述温控部所提供的温度,并将测量得到的温度提供给所述温度控制装置,以供所述温度控制装置对所述温控部所提供的温度进行控制。
4.根据权利要求1所述的蒸镀设备,其特征在于,还包括:
膜厚测量装置,与所述温度控制装置连接,用于测量完成蒸镀后的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度,并将测量得到的所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度提供给所述温度控制装置;
所述温度控制装置,进一步用于判断所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度是否满足预定厚度,对于镀膜的厚度满足所述预定厚度的蒸镀区,不改变对应的温控部所提供的温度,对于镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区,调节其对应的温控部所提供的温度。
5.根据权利要求4所述的蒸镀设备,其特征在于,所述膜厚测量装置为椭偏仪。
6.根据权利要求4所述的蒸镀设备,其特征在于,还包括:蒸镀腔室,
所述机台和所述分区控制装置均设置于所述蒸镀设备的蒸镀腔室内,所述膜厚测量装置设置于所述蒸镀腔室外。
7.根据权利要求1-6任一项所述的蒸镀设备,其特征在于,所述温控部所能提供的温度位于5~100度范围内。
8.一种蒸镀方法,其特征在于,包括:
放置步骤:将待蒸镀基板放置于机台上,所述机台的承载面包括多个分区,每一分区对应所述待蒸镀基板的一蒸镀区,所述机台上还设置有分区温控装置,所述分区温控装置包括至少两个温控部,其中,每一所述分区设置一所述温控部;
蒸镀步骤:对所述待蒸镀基板进行蒸镀;
测量步骤:蒸镀形成镀膜后,将所述基板从所述蒸镀腔室内取出,并测量所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度;
判断步骤:判断所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度是否满足预定厚度;
当所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度时,不改变各蒸镀区对应的温控部所提供的温度,其中,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,采用当前各温控部所提供的温度;
当所述基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,调节其对应的温控部所提供的温度,其中,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,采用调节后温控部所提供的温度。
9.根据权利要求8所述的蒸镀方法,其特征在于,所述判断步骤之后还包括:
当所述基板存在镀膜的厚度不满足所述预定厚度的蒸镀区时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,继续执行所述测量步骤和所述判断步骤。
10.根据权利要求8所述的蒸镀方法,其特征在于,所述判断步骤之后还包括:
当所述基板的各蒸镀区的镀膜的厚度均满足所述预定厚度时,对下一待蒸镀基板进行蒸镀时,不再执行所述测量步骤和所述判断步骤。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410433251.9A CN104233195B (zh) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 |
US14/443,938 US9882132B2 (en) | 2014-08-28 | 2014-10-27 | Evaporation equipment and evaporating method |
PCT/CN2014/089539 WO2016029539A1 (zh) | 2014-08-28 | 2014-10-27 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
EP14861165.0A EP3187620B1 (en) | 2014-08-28 | 2014-10-27 | Evaporation equipment and evaporation method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410433251.9A CN104233195B (zh) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104233195A true CN104233195A (zh) | 2014-12-24 |
CN104233195B CN104233195B (zh) | 2017-02-08 |
Family
ID=52222075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410433251.9A Active CN104233195B (zh) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9882132B2 (zh) |
EP (1) | EP3187620B1 (zh) |
CN (1) | CN104233195B (zh) |
WO (1) | WO2016029539A1 (zh) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105908129A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机材料蒸镀设备和方法 |
CN107142451A (zh) * | 2017-07-03 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及蒸镀设备 |
CN108179383A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却系统及蒸镀机 |
CN109868452A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却板和真空蒸镀装置 |
CN111354869A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-30 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111719130A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-09-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备 |
CN114514336A (zh) * | 2019-09-27 | 2022-05-17 | 慧理示先进技术公司 | 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法 |
WO2022252594A1 (zh) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示器件 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102109436B1 (ko) * | 2018-10-19 | 2020-05-12 | 주식회사 넵시스 | 기판 온도조절 장치 |
CN114975178B (zh) * | 2022-05-18 | 2024-04-05 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 温度控制组件、半导体处理腔室及半导体处理设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04323372A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-12 | Fujitsu Ten Ltd | 成膜された膜温度制御装置 |
JP2008291320A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Sony Corp | 蒸着装置および蒸着方法ならびに表示装置の製造方法 |
CN102312198A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 上方能源技术(杭州)有限公司 | 一种蒸镀源及蒸镀镀膜装置 |
CN103305803A (zh) * | 2013-05-23 | 2013-09-18 | 四川虹视显示技术有限公司 | 基于温度控制系统的oled有机层蒸镀温度控制方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7632434B2 (en) * | 2000-11-17 | 2009-12-15 | Wayne O. Duescher | Abrasive agglomerate coated raised island articles |
US6558735B2 (en) * | 2001-04-20 | 2003-05-06 | Eastman Kodak Company | Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices |
CN100454661C (zh) * | 2001-07-31 | 2009-01-21 | 日立麦克赛尔株式会社 | 平面天线及其制造方法 |
JP5358956B2 (ja) * | 2008-01-19 | 2013-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台装置、処理装置、温度制御方法及び記憶媒体 |
US8637794B2 (en) * | 2009-10-21 | 2014-01-28 | Lam Research Corporation | Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing |
US20110250367A1 (en) * | 2010-04-12 | 2011-10-13 | Neal James W | Deposition apparatus with preheating chamber having thermal hood |
JP2014070240A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 蒸着装置、および、蒸着制御方法 |
CN104004995A (zh) * | 2014-06-05 | 2014-08-27 | 上海和辉光电有限公司 | 蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法 |
-
2014
- 2014-08-28 CN CN201410433251.9A patent/CN104233195B/zh active Active
- 2014-10-27 WO PCT/CN2014/089539 patent/WO2016029539A1/zh active Application Filing
- 2014-10-27 EP EP14861165.0A patent/EP3187620B1/en active Active
- 2014-10-27 US US14/443,938 patent/US9882132B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04323372A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-12 | Fujitsu Ten Ltd | 成膜された膜温度制御装置 |
JP2008291320A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Sony Corp | 蒸着装置および蒸着方法ならびに表示装置の製造方法 |
CN102312198A (zh) * | 2010-06-30 | 2012-01-11 | 上方能源技术(杭州)有限公司 | 一种蒸镀源及蒸镀镀膜装置 |
CN103305803A (zh) * | 2013-05-23 | 2013-09-18 | 四川虹视显示技术有限公司 | 基于温度控制系统的oled有机层蒸镀温度控制方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105908129A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机材料蒸镀设备和方法 |
CN105908129B (zh) * | 2016-06-27 | 2019-08-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机材料蒸镀设备和方法 |
CN107142451B (zh) * | 2017-07-03 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及蒸镀设备 |
CN107142451A (zh) * | 2017-07-03 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及蒸镀设备 |
CN108179383A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却系统及蒸镀机 |
WO2019127675A1 (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却系统及蒸镀机 |
CN109868452A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却板和真空蒸镀装置 |
CN109868452B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-01-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 冷却板和真空蒸镀装置 |
CN114514336A (zh) * | 2019-09-27 | 2022-05-17 | 慧理示先进技术公司 | 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法 |
CN114514336B (zh) * | 2019-09-27 | 2024-03-26 | 慧理示先进技术公司 | 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法 |
CN111354869A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-30 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111354869B (zh) * | 2020-02-25 | 2023-02-07 | 纳晶科技股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111719130A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-09-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备 |
CN111719130B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-10-21 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备 |
WO2022252594A1 (zh) * | 2021-06-03 | 2022-12-08 | Tcl科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制备方法、显示器件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3187620A1 (en) | 2017-07-05 |
US20160301007A1 (en) | 2016-10-13 |
EP3187620B1 (en) | 2020-12-16 |
EP3187620A4 (en) | 2018-03-28 |
WO2016029539A1 (zh) | 2016-03-03 |
CN104233195B (zh) | 2017-02-08 |
US9882132B2 (en) | 2018-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104233195A (zh) | 一种蒸镀设备及蒸镀方法 | |
CN104120399B (zh) | 真空镀膜装置及其真空镀膜方法 | |
CN105088172A (zh) | 膜厚控制系统及膜厚控制方法 | |
CN109468597B (zh) | 一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置 | |
CN101974421A (zh) | 一种带精密温度补偿的变温金属模块及温度补偿方法 | |
CN103305796A (zh) | 蒸发源装置及真空蒸镀装置、以及有机el显示装置的制造方法 | |
CN103849758B (zh) | 淬火冷却监控系统 | |
CN107012086A (zh) | 一种实时荧光pcr热循环装置及pcr仪 | |
CN109161855B (zh) | 一种蒸镀装置及蒸镀方法 | |
WO2020048981A3 (de) | Verfahren zur regelung der deckentemperatur eines cvd-reaktors | |
KR102646510B1 (ko) | 증발원 장치 | |
CN103376274B (zh) | 一种快速测量真空玻璃热阻的方法及装置 | |
CN103518001A (zh) | 真空沉积装置 | |
CN105336637A (zh) | 量测晶圆变形的方法 | |
US10100410B2 (en) | Film thickness monitoring system and method using the same | |
CN105296928A (zh) | 线光源及具备此线光源的薄膜蒸镀装置 | |
CN104328273A (zh) | 一种热处理加热炉温度的控制方法 | |
CN107709604A (zh) | 用于测量沉积速率的方法及沉积速率控制系统 | |
CN104532212A (zh) | Lpcvd初始沉积的炉温的精确控制方法 | |
KR101207234B1 (ko) | 화학기상증착장치 및 이의 온도제어방법 | |
KR20140083847A (ko) | 증착 장치 | |
WO2017050355A1 (en) | Diffusion barrier for oscillation crystals, measurement assembly for measuring a deposition rate and method thereof | |
CN104835766B (zh) | 一种雪花形表面结构的可控温加热盘 | |
JP2015069859A (ja) | 有機el製造装置及び有機el製造方法 | |
KR20140011712A (ko) | 증발장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |