CN111719130A - 半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备，所述方法包括：基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格的晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。通过本方法，可以提高镀膜工艺的工作效率。

Description

半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备

技术领域

本发明涉及光伏设备技术领域，尤其涉及一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备。

背景技术

随着晶体硅的制造技术提升，基体晶片的体载流子寿命不断提高，已经不再是制约电池效率提升的关键因素。在电池的生产过程中，为降低成本以及技术的不断发展，晶片越来越薄。随之产生的问题就是电池表面的复合严重，降低了电池的转化效率，这就为太阳能电池表面镀膜技术提出了新的挑战。

在实际的量产的太阳能电池镀膜工艺中，每当一炉工艺结束后，质检员都会对晶片的膜厚进行检测，当检测到不合格的晶片膜厚时，会将不合格的晶片信息交给具有一定经验的工艺人员；工艺人员根据经验给出需要调整工艺的参数；然后输入到设备的软件中，这样设备的下一炉工艺将按照新的工艺参数进行工艺。

现有的提高镀膜工艺膜厚合格率的方案是建立在两种工种的配合模式下，需要质检员和工艺员的合作才可以对镀膜工艺进行优化，从而提高膜厚合格率。两种工种的配合就增加了人力成本，而且跨部门的合作也降低了工作的效率。

发明内容

本发明实施例的目的是提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备，以解决现有技术中在为提高电池表面的镀膜工艺的合格率时，存在的人力成本较高，工作效率较低的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供的一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，包括：

基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息；

基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；

基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

可选地，所述基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定对应的温度参数调整方案，包括：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

可选地，所述基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案，包括：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

可选地，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述显示热偶进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第一温度参数；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

基于所述温度参数调整方案中的第一温度参数，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶的温度设定值进行调整。

可选地，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值小于0，且所述最大偏差值大于0，则所述温度参数调整方案为在淀积步骤对所述控制热偶的温度下限值进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第二温度参数；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

基于所述温度参数调整方案中的第二温度参数，在淀积步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度下限值进行调整。

可选地，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值和最大偏差值中，任意一个偏差值为0，且另一个偏差值不为0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述控制热偶的温度上限值进行调整的方案；

基于所述最小偏差值和所述最大偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第三温度参数；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

基于所述温度参数调整方案中的第三温度参数，在恒温步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度上限值进行调整。

可选地，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值中存在一个偏差值未处于所述预设可调范围内的情况下，确定温度参数调整方案为设备故障报警方案；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

输出预设报警信息，以使对应的工作人员对所述半导体镀膜设备进行故障检修。

第二方面，本发明实施例提供了一种半导体镀膜设备中的温度调整装置，所述装置包括：

获取模块，用于基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息；

确定模块，用于基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；

调整模块，用于基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

可选地，所述确定模块，用于：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

可选地，所述确定模块，用于：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

可选地，所述确定模块，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述显示热偶进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第一温度参数；

所述调整模块，用于：

基于所述温度参数调整方案中的第一温度参数，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶的温度设定值进行调整。

可选地，所述确定模块，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值小于0，且所述最大偏差值大于0，则所述温度参数调整方案为在淀积步骤对所述控制热偶的温度下限值进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第二温度参数；

所述调整模块，用于：

基于所述温度参数调整方案中的第二温度参数，在淀积步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度下限值进行调整。

可选地，所述确定模块，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值和最大偏差值中，任意一个偏差值为0，且另一个偏差值不为0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述控制热偶的温度上限值进行调整的方案；

基于所述最小偏差值和所述最大偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第三温度参数；

所述调整模块，用于：

基于所述温度参数调整方案中的第三温度参数，在恒温步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度上限值进行调整。

可选地，所述确定模块，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值中存在一个偏差值未处于所述预设可调范围内的情况下，确定温度参数调整方案为设备故障报警方案；

所述调整模块，用于：

输出预设报警信息，以使对应的工作人员对所述半导体镀膜设备进行故障检修。

第三方面，本发明实施例提供一种半导体镀膜设备，包括：上位机、下位机，炉管、显示热偶、控制热偶、工艺腔室，其中，

所述上位机用于基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后,获取膜厚不合格晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新；

所述下位机与所述上位机相连，且所述下位机与炉管对应，所述下位机用于基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

可选地，所述上位机，还用于：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

可选地，所述上位机，还用于：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

由以上本发明实施例提供的技术方案可见，本发明实施例通过基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。这样，仅需要获取膜厚不合格的晶片的信息，就可以为工艺文件进行更新，并基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺，避免了由于工艺员的参与而导致的人力成本较高的问题，即也可以提高对电池进行镀膜工艺的工作效率，另外，也可以避免由于工艺员的人工经验而导致的工艺文件的更新准确性不高的问题，提高镀膜工艺的合格率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一种半导体镀膜设备中的温度调整方法的流程示意图；

图2为一种半导体镀膜设备的工艺腔室的示意图；

图3为本发明另一种半导体镀膜设备中的温度调整方法的流程示意图；

图4为本发明一种半导体镀膜设备中的温度调整装置的结构示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法及半导体镀膜设备。

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

实施例一

如图1所示，本发明实施例提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，该方法的执行主体可以为半导体镀膜设备的控制器，也可以是具备电流调整机制的半导体镀膜设备，还可以是半导体镀膜设备的服务器，该服务器可以是独立的服务器，也可以是由多个服务器组成的服务器集群。该方法具体可以包括以下步骤：

在S102中，基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息。

其中，工艺文件中可以包括用于对工艺腔室内的温度进行调整的显示热偶以及控制热偶的温度设定值等内容，晶片的信息可以包括该晶片所对应的炉管号、舟号、膜厚信息以及对应的工艺文件编号等信息。

优先地，在镀膜工艺结束后，质检员可以对电池中的晶片是否合格进行检测，在检测到存在膜厚不合格的晶片的情况下，可以将膜厚不合格晶片的信息输入到控制器或服务器中，即服务器或控制器可以接收膜厚不合格的晶片的信息。

在S104中，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案。

如图2所示，在工艺腔室内，可以将炉管分为5个温区，可以将运送晶片的舟划分为8个区域，并根据膜厚不合格晶片所在舟的区域，确定对应的待调整的目标温区。例如，如果膜厚不合格晶片1位于舟的区域3，膜厚不合格晶片2也位于舟的区域3，则舟的区域3所对应的温区，即为目标温区(即温度2)。

上述目标温区的确定方法是一种可选地、可实现的确定方法，在实际应用场景中，可以有多种确定方法，可以根据实际应用场景的不同而有所不同，本发明实施例对此不作具体限定。

在确定了目标温度的同时，还可以根据不合格晶片的信息中的膜厚信息，确定对应的温度参数调整方案，其中，温度参数调整方案可以为用于调整显示热偶的温度设定值的调整方案，也可以为用于调整控制热偶的温度设定值的调整方案，也可以为用于调整显示热偶和控制热偶的温度设定值的调整方案。

例如，可以根据不合格晶片的膜厚所处的膜厚范围，确定对应的温度参数调整方案。例如，如下表1所示，可以预设膜厚范围与温度参数调整方案的对应的关系，可以根据表1中的对应关系，确定与膜厚不合格晶片的膜厚所处的膜厚范围，对应的温度参数调整方案，例如，如果膜厚不合格的晶片的膜厚不小于1nm且小于3nm，则对应的温度参数调整方案可以是温度参数调整方案2。

表1

膜厚范围	温度参数调整方案
		小于1nm	温度参数调整方案1
不小于1nm且小于3nm	温度参数调整方案2
		不小于3nm且小于5nm	温度参数调整方案3(1)
不小于5nm	温度参数调整方案3(2)

其中，温度参数调整方案1可以是用于调整显示热偶的温度设定值的方案，温度参数调整方案2可以是用于调整控制热偶的温度设定值中的温度上限值的方案，温度参数调整方案3(1)可以是用于基于预设小幅度调整控制热偶的温度设定值中的温度下限值的方案，温度参数调整方案3(2)可以是用于基于预设大幅度调整控制热偶的温度设定值中的温度下限值的方案。

上述温度参数调整方案的确定方法是一种可选地、可实现的确定方法，在实际应用场景中，还可以根据晶片的镀膜工艺的工艺要求的不同，选取不同的温度参数调整方案的确定方法，本发明实施例对温度参数调整方案的确定方法不作具体限定。

在S106中，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

可以根据温度参数调整方案，对工艺文件中对应的温度参数进行调整，并将更新后的工艺文件下发到镀膜设备，以备再次运行工艺时使用。当再次运行工艺时，半导体镀膜设备可以将按更新后的工艺参数运行工艺，对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

本发明实施例提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，通过基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。这样，仅需要获取膜厚不合格的晶片的信息，就可以为工艺文件进行更新，并基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺，避免了由于工艺员的参与而导致的人力成本较高的问题，即也可以提高对电池进行镀膜工艺的工作效率，另外，也可以避免由于工艺员的人工经验而导致的工艺文件的更新准确性不高的问题，提高镀膜工艺的合格率。

实施例二

如图3所示，本发明实施例提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，该方法具体可以包括以下步骤：

在S302中，基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息。

在S304中，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区。

上述S302～S304的具体处理过程可以参见上述实施例一中S102～S104的相关内容，在此不再赘述。

在S306中，基于膜厚不合格晶片的信息，获取不合格晶片的膜厚数据。

在S308中，根据不合格晶片的膜厚数据，获取目标温区内，不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值。

例如，如图2所示，可以获取目标温区对应的舟的区域内，膜厚不合格晶片的膜厚与基准膜厚之间的偏差值，其中，在与目标温区对应的舟内，可以有多个不同的晶片，可以获取每个膜厚不合格晶片的膜厚与基准膜厚之间的偏差值，即偏差值可以有多个。

在S310中，基于偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

在实际应用中，上述S310的处理方式可以多种多样，以下提供一种可选的实现方式，具体可以参见下述步骤一～步骤二处理：

步骤一，获取偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值。

步骤二，基于最大偏差值和最小偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

例如，可以获取最大偏差值所处的第一偏差等级，以及最小偏差值所处的第二偏差等级。基于偏差等级与调整方案的预设对应关系，获取与第一偏差等级、第二偏差等级相对应的温度参数调整方案。

即，T(p，su，sd)＝fk(ΔTH(ai，min)，ΔTH(ai，max)，n1，n2)

其中，T(p，su，sd)为温度参数调整方案，p为显示热偶的温度设定值，su为在恒温步骤对控制热偶的温度上限值，sd为在淀积步骤对控制热偶的温度下限值，k为第k个温度参数调整方案，ai为第i个目标温区，ΔTH(ai,min)、ΔTH(ai，max)分别为第i个目标温区中最大偏差值和最小偏差值，n1为第一偏差等级，n2为第二偏差等级，其中，不同的温度参数调整方案中包含的p、su、sd的值不同。

或者，在最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围(如小于5nm的范围)内的情况下，若最小偏差值大于0，或最大偏差值小于0，则温度参数调整方案可以为在恒温步骤对显示热偶进行调整的方案。可以基于最大偏差值和最小偏差值，确定温度参数调整方案中的第一温度参数。

或者，在最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若最小偏差值小于0，且最大偏差值大于0，则温度参数调整方案可以为在淀积步骤对控制热偶的温度下限值进行调整的方案，可以基于最大偏差值和最小偏差值，确定温度参数调整方案中的第二温度参数。

或者，在最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若最小偏差值和最大偏差值中，任意一个偏差值为0，且另一个偏差值不为0，则温度参数调整方案为在恒温步骤对控制热偶的温度上限值进行调整的方案。可以基于最小偏差值和最大偏差值，确定温度参数调整方案中的第三温度参数。

又或者，在最大偏差值和最小偏差值中存在一个偏差值未处于预设可调范围内的情况下，可以确定温度参数调整方案为设备故障报警方案。

在S312中，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

例如，如果温度参数调整方案为在恒温步骤对显示热偶进行调整的方案。则可以基于温度参数调整方案中的第一温度参数，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶的温度设定值进行调整。

或者，如果温度参数调整方案为在淀积步骤对控制热偶的温度下限值进行调整的方案，则可以基于温度参数调整方案中的第二温度参数，在淀积步骤对工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度下限值进行调整。

或者，如果温度参数调整方案为在恒温步骤对所述控制热偶的温度上限值进行调整的方案，则可以基于温度参数调整方案中的第三温度参数，在恒温步骤对工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度上限值进行调整。

又或者，如果温度参数调整方案为设备故障报警方案，则可以输出预设报警信息，以使对应的工作人员对半导体镀膜设备进行故障检修。

本发明实施例提供一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，通过基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。这样，仅需要获取膜厚不合格的晶片的信息，就可以为工艺文件进行更新，并基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺，避免了由于工艺员的参与而导致的人力成本较高的问题，即也可以提高对电池进行镀膜工艺的工作效率，另外，也可以避免由于工艺员的人工经验而导致的工艺文件的更新准确性不高的问题，提高镀膜工艺的合格率。

实施例三

以上为本发明实施例提供的半导体镀膜设备中的温度调整方法，基于同样的思路，本发明实施例还提供一种半导体镀膜设备中的温度调整装置，如图4所示。

该半导体镀膜设备中的温度调整装置包括：获取模块401、确定模块402和调整模块403，其中：

获取模块401，用于基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息；

确定模块402，用于基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；

调整模块403，用于基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

在本发明实施例中，所述确定模块402，用于：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

在本发明实施例中，所述确定模块402，用于：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

在本发明实施例中，所述确定模块402，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述显示热偶进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第一温度参数；

所述调整模块403，用于：

基于所述温度参数调整方案中的第一温度参数，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶的温度设定值进行调整。

在本发明实施例中，所述确定模块，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值小于0，且所述最大偏差值大于0，则所述温度参数调整方案为在淀积步骤对所述控制热偶的温度下限值进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第二温度参数；

所述调整模块，用于：

基于所述温度参数调整方案中的第二温度参数，在淀积步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度下限值进行调整。

在本发明实施例中，所述确定模块402，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值和最大偏差值中，任意一个偏差值为0，且另一个偏差值不为0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述控制热偶的温度上限值进行调整的方案；

基于所述最小偏差值和所述最大偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第三温度参数；

所述调整模块403，用于：

基于所述温度参数调整方案中的第三温度参数，在恒温步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度上限值进行调整。

在本发明实施例中，所述确定模块402，用于：

在所述最大偏差值和最小偏差值中存在一个偏差值未处于所述预设可调范围内的情况下，确定温度参数调整方案为设备故障报警方案；

所述调整模块403，用于：

输出预设报警信息，以使对应的工作人员对所述半导体镀膜设备进行故障检修。

本发明实施例提供一种半导体镀膜设备中的温度调整装置，通过基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。这样，仅需要获取膜厚不合格的晶片的信息，就可以为工艺文件进行更新，并基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺，避免了由于工艺员的参与而导致的人力成本较高的问题，即也可以提高对电池进行镀膜工艺的工作效率，另外，也可以避免由于工艺员的人工经验而导致的工艺文件的更新准确性不高的问题，提高镀膜工艺的合格率。

实施例四

本实施例提供一种半导体镀膜设备，该半导体镀膜设备包括：上位机、下位机，炉管、显示热偶、控制热偶、工艺腔室，其中，

上位机可以用于基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新。

下位机可以与上位机相连，且下位机与炉管对应，下位机可以用于基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

工艺腔室可以用于对晶片进行半导体镀膜工艺，如图2所示，在工艺腔室内，可以有炉管，舟可以运送晶片进行工艺腔室，在进行半导体镀膜工艺后，舟可以将已镀膜后的晶片运送出工艺腔室，在炉管内，靠近舟的一侧，可以设置有显示热偶，在炉管内，远离舟的一侧，可以设置有控制热偶，镀膜工艺可以包括进舟步骤、抽真空和捡漏步骤、加热恒温步骤、淀积步骤、抽真空步骤以及充气出舟步骤。

本发明实施例提供一种半导体镀膜设备，通过基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。这样，仅需要获取膜厚不合格的晶片的信息，就可以为工艺文件进行更新，并基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺，避免了由于工艺员的参与而导致的人力成本较高的问题，即也可以提高对电池进行镀膜工艺的工作效率，另外，也可以避免由于工艺员的人工经验而导致的工艺文件的更新准确性不高的问题，提高镀膜工艺的合格率。

实施例五

本发明实施例提供又一种半导体镀膜设备。该半导体镀膜设备包含了上述实施例四的半导体镀膜设备的全部功能单元，并在其基础上，对其进行了改进，改进内容如下：

上位机，还可以用于：基于膜厚不合格晶片的信息，获取不合格晶片的膜厚数据，根据不合格晶片的膜厚数据，获取目标温区内，不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值，基于偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

上位机，还可以用于：获取偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值，基于最大偏差值和最小偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

上位机，还可以用于：在最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若最小偏差值大于0，或最大偏差值小于0，则温度参数调整方案为在恒温步骤对显示热偶进行调整的方案，基于最大偏差值和最小偏差值，确定温度参数调整方案中的第一温度参数。

基于温度参数调整方案中的第一温度参数，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶的温度设定值进行调整。

上位机，还可以用于：在最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若最小偏差值小于0，且最大偏差值大于0，则温度参数调整方案为在淀积步骤对控制热偶的温度下限值进行调整的方案，基于最大偏差值和最小偏差值，确定温度参数调整方案中的第二温度参数。

基于温度参数调整方案中的第二温度参数，在淀积步骤对工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度下限值进行调整。

上位机，还可以用于：在最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若最小偏差值和最大偏差值中，任意一个偏差值为0，且另一个偏差值不为0，则温度参数调整方案为在恒温步骤对控制热偶的温度上限值进行调整的方案，基于最小偏差值和最大偏差值，确定温度参数调整方案中的第三温度参数。

基于温度参数调整方案中的第三温度参数，在恒温步骤对工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度上限值进行调整。

上位机，还可以用于：在最大偏差值和最小偏差值中存在一个偏差值未处于预设可调范围内的情况下，确定温度参数调整方案为设备故障报警方案。

输出预设报警信息，以使对应的工作人员对半导体镀膜设备进行故障检修。

本发明实施例提供一种半导体镀膜设备，通过基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息，基于膜厚不合格晶片的信息，确定工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案，基于温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对工艺文件进行更新，基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。这样，仅需要获取膜厚不合格的晶片的信息，就可以为工艺文件进行更新，并基于更新后的工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺，避免了由于工艺员的参与而导致的人力成本较高的问题，即也可以提高对电池进行镀膜工艺的工作效率，另外，也可以避免由于工艺员的人工经验而导致的工艺文件的更新准确性不高的问题，提高镀膜工艺的合格率。

本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

内存可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)。内存是计算机可读介质的示例。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。

本领域技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种半导体镀膜设备中的温度调整方法，包括：

基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后，获取膜厚不合格晶片的信息；

基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；

基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新，基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定对应的温度参数调整方案，包括：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案，包括：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值大于0，或所述最大偏差值小于0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述显示热偶进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第一温度参数；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

基于所述温度参数调整方案中的第一温度参数，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶的温度设定值进行调整。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值小于0，且所述最大偏差值大于0，则所述温度参数调整方案为在淀积步骤对所述控制热偶的温度下限值进行调整的方案；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第二温度参数；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

基于所述温度参数调整方案中的第二温度参数，在淀积步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度下限值进行调整。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值都处于预设可调范围内的情况下，若所述最小偏差值和最大偏差值中，任意一个偏差值为0，且另一个偏差值不为0，则所述温度参数调整方案为在恒温步骤对所述控制热偶的温度上限值进行调整的方案；

基于所述最小偏差值和所述最大偏差值，确定所述温度参数调整方案中的第三温度参数；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

基于所述温度参数调整方案中的第三温度参数，在恒温步骤对所述工艺腔室内待调整的目标温区的控制热偶的温度上限值进行调整。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案，包括：

在所述最大偏差值和最小偏差值中存在一个偏差值未处于所述预设可调范围内的情况下，确定温度参数调整方案为设备故障报警方案；

所述基于所述温度参数调整方案，对所述工艺腔室内待调整的目标温区的显示热偶或控制热偶的温度设定值进行调整，包括：

输出预设报警信息，以使对应的工作人员对所述半导体镀膜设备进行故障检修。

8.一种半导体镀膜设备，包括：上位机、下位机，炉管、显示热偶、控制热偶、工艺腔室，其中，

所述上位机用于基于工艺文件对电池中的晶片进行镀膜工艺后,获取膜厚不合格晶片的信息；基于所述膜厚不合格晶片的信息，确定所述工艺腔室内待调整的目标温区，并确定对应的温度参数调整方案；基于所述温度参数调整方案，对工艺腔室内待调整的所述目标温区的显示热偶和/或控制热偶的温度设定值进行调整，并通过调整后的温度设定值对所述工艺文件进行更新；

所述下位机与所述上位机相连，且所述下位机与炉管对应，所述下位机用于基于更新后的所述工艺文件对待镀膜晶片进行镀膜工艺。

9.根据权利要求8所述的半导体镀膜设备，其特征在于，所述上位机，还用于：

基于所述膜厚不合格晶片的信息，获取所述不合格晶片的膜厚数据；

根据所述不合格晶片的膜厚数据，获取所述目标温区内，所述不合格晶片的膜厚与基准膜厚的偏差值；

基于所述偏差值，确定对应的温度参数调整方案。

10.根据权利要求8所述的半导体镀膜设备，其特征在于，所述上位机，还用于：

获取所述偏差值中的最大偏差值，以及最小偏差值；

基于所述最大偏差值和所述最小偏差值，确定对应的所述温度参数调整方案。

Images