CN109468597B - 一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置 - Google Patents

一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置,涉及线性蒸镀技术领域,能够解决现有蒸镀的膜层厚度均一性超出规格时,由于采用随机调整喷嘴的孔径以及反射板数量的方式来调整膜层厚度的均一性而导致的调整效率较低,严重影响量产的问题。所述方法包括:获取膜层在多个测量点处的膜厚测量值;根据多个膜厚测量值获取膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况。本发明用于调整线性蒸发源的膜层厚度均一性。

Description

一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置
技术领域
本发明涉及线性蒸镀技术领域,尤其涉及一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置。
背景技术
目前,真空蒸发镀膜工艺在有机电致发光显示装置(Organic Electro-luminescent Display,简称OLED)、液晶显示装置(Liquid Crystal Display,简称LCD)等的制作过程中被广泛使用。真空蒸发镀膜的基本原理是将镀膜材料放置于蒸镀装置的蒸发源中加热蒸发,形成的镀膜材料的气体分子或原子沉积到待镀膜基板上形成膜层。
现有蒸镀装置的蒸发源常使用线性蒸发源,线性蒸发源由坩埚、加热丝、喷嘴和反射板等主要部件组成,喷嘴的主要目的为将有机材料经加热后从喷嘴中喷出蒸镀到玻璃基板上,反射板的目的为将热量返回给坩埚,给坩埚一个热量的补正。在现有生产过程中,线性蒸发源通过加热的方式将材料蒸镀到玻璃基板上,然后需要使用膜厚测量仪在垂直于线性蒸发源的扫描方向的方向上测量蒸镀的膜厚情况,在测试过程中往往会出现膜层厚度均一性超出规格的现象。现有技术中通常采用随机调整喷嘴的孔径以及反射板数量的方式来调整膜层厚度的均一性,然而这样需要调整多次才可能达到规格要求,这会导致调整时间较长,且调整后的均一性变化难以掌握,从而使得调整效率较低,严重影响量产。
发明内容
本发明的实施例提供一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置,能够解决现有蒸镀的膜层厚度均一性超出规格时,由于采用随机调整喷嘴的孔径以及反射板数量的方式来调整膜层厚度的均一性而导致的调整效率较低,严重影响量产的问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种膜层厚度均一性调整方法,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;所述方法包括:获取所述膜层在多个测量点处的膜厚测量值;根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,所述坡度斜率参数用于表征所述线性蒸发源的受热均衡情况,所述水平均一性参数用于表征所述线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况。
可选的,所述方法还包括:若所述坡度斜率参数大于第一预设阈值,则调整所述线性蒸发源的反射板的设置数量;若所述水平均一性参数大于第二预设阈值,则调整所述线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。
可选的,所述多个测量点均位于X轴上,且所述X轴垂直于所述线性蒸发源的扫描方向。
可选的,所述根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的坡度斜率参数具体包括:根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的整体均值、左半均值和右半均值;其中,所述整体均值为多个所述膜厚测量值的均值;按照所述膜层的中线位置,将所述多个测量点分为左半集合和右半集合,所述左半均值为所述左半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值,所述右半均值为所述右半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值;获取所述左半均值和所述右半均值的差值,并获取所述差值的绝对值与2倍的所述整体均值的比值,将所述比值作为所述坡度斜率参数。
可选的,所述根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的水平均一性参数具体包括:将多个测量点在所述X轴上的坐标值与其对应的膜厚测量值组成数据集合,获取所述数据集合的拟合线性回归直线的斜率;获取每个所述测量点在所述X轴上的坐标值和所述拟合线性回归直线的斜率的乘积,并获取该测量点的膜厚测量值与所述乘积的差值,将所述差值作为该测量点的水平膜厚值;获取多个所述水平膜厚值中的最大值和最小值,并获取所述最大值和所述最小值的差值与所述最大值和所述最小值的和值的比值,将所述比值作为所述水平均一性参数。
可选的,所述获取所述数据集合的拟合线性回归直线的斜率具体包括:根据Slope公式获取所述拟合线性回归直线的斜率;所述Slope公式为:
Slope=Sum[(Xi-Xmean)*(Yi-Ymean)]/Sum[(Xi-Xmean)*(Xi-Xmean)]
其中,Slope为拟合线性回归直线的斜率;Xi为第i个测量点的X轴坐标值;Yi为第i个测量点的膜厚测量值;Xmean为所有测量点的X轴坐标值的均值;Ymean为所有测量点的膜厚测量值的均值。
可选的,所述X轴的原点位于所述膜层的中线位置上。
可选的,所述测量点与所述线性蒸发源的蒸镀口一一对应。
另一方面,本发明实施例提供一种膜层厚度均一性调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;所述装置包括:第一获取模块,用于获取所述膜层在多个测量点处的膜厚测量值;第二获取模块,用于根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,所述坡度斜率参数用于表征所述线性蒸发源的受热均衡情况,所述水平均一性参数用于表征所述线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况。
可选的,所述装置还包括:调整模块,用于当所述坡度斜率参数大于第一预设阈值时,调整所述线性蒸发源的反射板的设置数量;当所述水平均一性参数大于第二预设阈值时,调整所述线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。
可选的,所述多个测量点均位于X轴上,且所述X轴垂直于所述线性蒸发源的扫描方向。
可选的,所述第二获取模块具体用于:根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的整体均值、左半均值和右半均值;其中,所述整体均值为多个所述膜厚测量值的均值;按照所述膜层的中线位置,将所述多个测量点分为左半集合和右半集合,所述左半均值为所述左半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值,所述右半均值为所述右半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值;获取所述左半均值和所述右半均值的差值,并获取所述差值的绝对值与2倍的所述整体均值的比值,将所述比值作为所述坡度斜率参数。
可选的,所述第二获取模块具体用于:将多个测量点在所述X轴上的坐标值与其对应的膜厚测量值组成数据集合,获取所述数据集合的拟合线性回归直线的斜率;获取每个所述测量点在所述X轴上的坐标值和所述拟合线性回归直线的斜率的乘积,并获取该测量点的膜厚测量值与所述乘积的差值,将所述差值作为该测量点的水平膜厚值;获取多个所述水平膜厚值中的最大值和最小值,并获取所述最大值和所述最小值的差值与所述最大值和所述最小值的和值的比值,将所述比值作为所述水平均一性参数。
再一方面,本发明实施例提供一种膜层厚度均一性调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;所述装置包括:存储器,用于存储计算机程序;处理器,用于执行所述计算机程序,以实现如上述任意一种所述的膜层厚度均一性调整方法。
本发明实施例提供的膜层厚度均一性调整方法及其调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;所述方法包括:获取膜层在多个测量点处的膜厚测量值;根据多个膜厚测量值获取膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况。相较于现有技术,本发明实施例通过根据多个膜厚测量值来计算膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数,由于坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,即坡度斜率参数跟反射板对线性蒸发源的加热补偿直接相关;而水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况,即水平均一性参数跟线性蒸发源的蒸镀口的开口率直接相关,因而当计算出坡度斜率参数不符合规格时,可以直接调整反射板的设置数量;当水平均一性参数不符合规格时,可以直接调整蒸镀口的口径大小。由于本发明实施例提供的调整方法能够快速的判断是需要调整反射板还是需要调整蒸镀口,因而能够快速地调整膜层厚度均一性以达到均一性规格要求,这样减少了测试次数与测试时间,降低了测试成本,提高设备产能,并且能够有效的确保产品特性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的膜层厚度均一性调整方法流程图;
图2为本发明实施例提供的坡度斜率参数计算方法流程图;
图3为本发明实施例提供的测量点与其对应坐标的示意图;
图4为本发明实施例提供的整体均一性与坡度斜率参数和水平均一性参数关系示意图;
图5为本发明实施例提供的水平均一性参数计算方法流程图;
图6为本发明实施例提供的膜层厚度均一性调整装置框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种膜层厚度均一性调整方法,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;如图1所示,所述方法包括:
步骤101、获取膜层在多个测量点处的膜厚测量值。
本发明实施例对于测量点的具体数量、选取位置等均不做限定,本领域技术人员可以根据实际情况进行设定。为了便于后续的计算,在实际应用中,可以设定多个测量点均位于X轴上,且该X轴垂直于线性蒸发源的扫描方向。
步骤102、根据多个膜厚测量值获取膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况。
一般情况下,膜层厚度的整体均一性为多个膜厚测量值中的最大值和最小值的差值与最大值和最小值的和值的比值。当膜层厚度的整体均一性值大于规定阈值时,认为该膜层的整体均一性较差,此时可以调整线性蒸发源的蒸镀口的口径大小和/或反射板的设置数量来改善膜层厚度的整体均一性。然而,由于线性蒸发源的蒸镀口的口径变化与反射板的设置数量的变化对引起膜层厚度的整体均一性变化的趋势不同,因而可以将膜层厚度的整体均一性变化分解为坡度斜率参数和水平均一性参数两个因子,如图4所示,通过分别计算出坡度斜率参数和水平均一性参数是否符合预设规格,来针对性的调整反射板的设置数量或蒸镀口的口径大小,以求快速调整膜层厚度的整体均一性,使之满足基本规格。
本发明实施例通过根据多个膜厚测量值来计算膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数,由于坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,即坡度斜率参数跟反射板对线性蒸发源的加热补偿直接相关;而水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况,即水平均一性参数跟线性蒸发源的蒸镀口的开口率直接相关,因而当计算出坡度斜率参数不符合规格时,可以直接调整反射板的设置数量;当水平均一性参数不符合规格时,可以直接调整蒸镀口的口径大小。由于本发明实施例提供的调整方法能够快速的判断是需要调整反射板还是需要调整蒸镀口,因而能够快速地调整膜层厚度均一性以达到均一性规格要求,这样减少了测试次数与测试时间,降低了测试成本,提高设备产能,并且能够有效的确保产品特性。
进一步的,所述方法还包括:若坡度斜率参数大于第一预设阈值,则调整线性蒸发源的反射板的设置数量;若水平均一性参数大于第二预设阈值,则调整线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。
其中,第一预设阈值和第二预设阈值均为预先设置的值,本发明实施例对此不做限定,本领域技术人员可以根据实际情况进行设定。示例的,在实际应用中,当膜层厚度整体均一性要求不能超过3%时,一般设置第一预设阈值和第二预设阈值均为1.5%,即若计算出坡度斜率参数大于1.5%,则调整线性蒸发源的反射板的设置数量;若计算出水平均一性参数大于1.5%,则调整线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。需要说明的是,为了便于调整,可以设置测量点与线性蒸发源的蒸镀口一一对应。
在本发明的一些实施例中,如图2所示,坡度斜率参数的计算方法包括:
步骤201、根据多个膜厚测量值获取膜层的整体均值、左半均值和右半均值;其中,整体均值为多个膜厚测量值的均值;按照膜层的中线位置,将多个测量点分为左半集合和右半集合,左半均值为左半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值,右半均值为右半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值。需要说明的是,为了便于计算,可以设置X轴的原点位于膜层的中线位置上。
示例的,如图3所示,在镀膜后的基板01上,沿垂直于线性蒸发源02的扫描方向的方向,选取15个测量点03,15个测量点03的膜厚测量值与对应的坐标值如表1所示。
表1
Figure BDA0001938746220000071
由上可知,根据表1中的数据可以计算出膜层厚度的整体均一性P=(190.72-175.38)/(190.72+175.38)=4.19%,一般设定膜层厚度的整体均一性P不能大于3%,因而可以判断处图1中的膜层厚度整体均一性较差,不符合一般规格,需要对形成该膜层的线性蒸发源进行调整。
然后根据步骤201计算出整体均值=2728.41/15=181.89,左半均值=1297.08/7=185.3,右半均值=1252.08/7=178.87。
步骤202、获取左半均值和右半均值的差值,并获取该差值的绝对值与2倍的整体均值的比值,将该比值作为坡度斜率参数。
以上述例子为例,坡度斜率参数K1=(185.3-178.87)/(2*181.89)=1.77%,由于坡度斜率参数K1大于第一预设阈值1.5%,因而需要调整线性蒸发源的反射板的设置数量来调整坡度斜率参数,以使坡度斜率参数符合规格。
在本发明的另一些实施例中,如图5所示,水平均一性参数的计算方法包括:
步骤501、将多个测量点在X轴上的坐标值与其对应的膜厚测量值组成数据集合,获取数据集合的拟合线性回归直线的斜率。
其中,获取数据集合的拟合线性回归直线的斜率具体包括:根据Slope公式获取该拟合线性回归直线的斜率;所述Slope公式为:
Slope=Sum[(Xi-Xmean)*(Yi-Ymean)]/Sum[(Xi-Xmean)*(Xi-Xmean)]
其中,Slope为拟合线性回归直线的斜率;Xi为第i个测量点的X轴坐标值;Yi为第i个测量点的膜厚测量值;Xmean为所有测量点的X轴坐标值的均值;Ymean为所有测量点的膜厚测量值的均值。
以上述例子为例,拟合线性回归直线的斜率S=-0.02。
步骤502、获取每个测量点在X轴上的坐标值和拟合线性回归直线的斜率的乘积,并获取该测量点的膜厚测量值与乘积的差值,将差值作为该测量点的水平膜厚值。
以上述例子为例,根据步骤502计算的每个测量点的水平膜厚如表2所示。
表2
Figure BDA0001938746220000081
步骤503、获取多个水平膜厚值中的最大值和最小值,并获取该最大值和该最小值的差值与该最大值和该最小值的和值的比值,将该比值作为水平均一性参数。
以上述例子为例,水平均一性参数U1=(185.89-178.32)/(185.89+178.32)=2.08%。由于水平均一性参数U1大于第二预设阈值1.5%,因而需要调整线性蒸发源的蒸镀口的口径大小来调整水平均一性参数,以使水平均一性参数符合规格要求。
示例的,线性蒸发源的蒸镀口的口径大小和不同位置反射板的设置数量如图1所示,调整前和调整后的蒸镀口的口径大小和反射板的设置数量如表3所示。
表3
蒸镀口口径 反射板
调整前 10.2—8—10.2 1—1—1—2—3
调整后 10.4—8—10.4 1—1—1—3—3
调整后进行实验验证,15个测量点的膜厚测量值如表4所示。
表4
Figure BDA0001938746220000091
根据表4中的数据,可计算出整体均一性P=2.63%,坡度斜率参数K1=1.09%,水平均一性参数U1=1.32%;由于调整后的整体均一性小于3%,坡度斜率参数和水平均一性参数均小于1.5%,因而符合规格要求。
本发明另一实施例提供一种膜层厚度均一性调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;如图6所示,所述装置包括:
第一获取模块61,用于获取膜层在多个测量点处的膜厚测量值。
第二获取模块62,用于根据多个膜厚测量值获取膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况。
进一步的,参考图6所示,所述装置还包括:
调整模块63,用于当坡度斜率参数大于第一预设阈值时,调整线性蒸发源的反射板的设置数量;当水平均一性参数大于第二预设阈值时,调整线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。
进一步的,多个测量点均位于X轴上,且X轴垂直于所述线性蒸发源的扫描方向。
进一步的,第二获取模块62具体用于:根据多个膜厚测量值获取膜层的整体均值、左半均值和右半均值;其中,整体均值为多个膜厚测量值的均值;按照膜层的中线位置,将多个测量点分为左半集合和右半集合,左半均值为左半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值,右半均值为右半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值;获取左半均值和右半均值的差值,并获取差值的绝对值与2倍的整体均值的比值,将比值作为坡度斜率参数。
进一步的,第二获取模块62具体用于:将多个测量点在X轴上的坐标值与其对应的膜厚测量值组成数据集合,获取数据集合的拟合线性回归直线的斜率;获取每个测量点在X轴上的坐标值和拟合线性回归直线的斜率的乘积,并获取该测量点的膜厚测量值与乘积的差值,将差值作为该测量点的水平膜厚值;获取多个水平膜厚值中的最大值和最小值,并获取最大值和最小值的差值与最大值和最小值的和值的比值,将比值作为水平均一性参数。
上述膜层厚度均一性调整装置中各模块的介绍可以参考膜层厚度均一性调整方法中各步骤介绍,在此不再赘述。
本发明再一实施例提供一种膜层厚度均一性调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;所述装置包括:存储器,用于存储计算机程序;处理器,用于执行所述计算机程序,以实现如上述任意一种所述的膜层厚度均一性调整方法。
本发明实施例通过根据多个膜厚测量值来计算膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数,由于坡度斜率参数用于表征线性蒸发源的受热均衡情况,即坡度斜率参数跟反射板对线性蒸发源的加热补偿直接相关;而水平均一性参数用于表征线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况,即水平均一性参数跟线性蒸发源的蒸镀口的开口率直接相关,因而当计算出坡度斜率参数不符合规格时,可以直接调整反射板的设置数量;当水平均一性参数不符合规格时,可以直接调整蒸镀口的口径大小。由于本发明实施例提供的调整方法能够快速的判断是需要调整反射板还是需要调整蒸镀口,因而能够快速地调整膜层厚度均一性以达到均一性规格要求,这样减少了测试次数与测试时间,降低了测试成本,提高设备产能,并且能够有效的确保产品特性。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种膜层厚度均一性调整方法,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;其特征在于,所述方法包括:
获取所述膜层在多个测量点处的膜厚测量值;
根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,所述坡度斜率参数用于表征所述线性蒸发源的受热均衡情况,所述水平均一性参数用于表征所述线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况;
所述多个测量点均位于X轴上,且所述X轴垂直于所述线性蒸发源的扫描方向;
所述根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的坡度斜率参数具体包括:
根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的整体均值、左半均值和右半均值;其中,所述整体均值为多个所述膜厚测量值的均值;按照所述膜层的中线位置,将所述多个测量点分为左半集合和右半集合,所述左半均值为所述左半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值,所述右半均值为所述右半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值;
获取所述左半均值和所述右半均值的差值,并获取所述差值的绝对值与2倍的所述整体均值的比值,将所述比值作为所述坡度斜率参数。
2.根据权利要求1所述的膜层厚度均一性调整方法,其特征在于,所述方法还包括:
若所述坡度斜率参数大于第一预设阈值,则调整所述线性蒸发源的反射板的设置数量;
若所述水平均一性参数大于第二预设阈值,则调整所述线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。
3.根据权利要求2所述的膜层厚度均一性调整方法,其特征在于,所述根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的水平均一性参数具体包括:
将多个测量点在所述X轴上的坐标值与其对应的膜厚测量值组成数据集合,获取所述数据集合的拟合线性回归直线的斜率;
获取每个所述测量点在所述X轴上的坐标值和所述拟合线性回归直线的斜率的乘积,并获取该测量点的膜厚测量值与所述乘积的差值,将所述差值作为该测量点的水平膜厚值;
获取多个所述水平膜厚值中的最大值和最小值,并获取所述最大值和所述最小值的差值与所述最大值和所述最小值的和值的比值,将所述比值作为所述水平均一性参数。
4.根据权利要求3所述的膜层厚度均一性调整方法,其特征在于,所述获取所述数据集合的拟合线性回归直线的斜率具体包括:
根据Slope公式获取所述拟合线性回归直线的斜率;所述Slope公式为:
Slope=Sum[(Xi-Xmean)*(Yi-Ymean)]/Sum[(Xi-Xmean)*(Xi-Xmean)]
其中,Slope为拟合线性回归直线的斜率;Xi为第i个测量点的X轴坐标值;Yi为第i个测量点的膜厚测量值;Xmean为所有测量点的X轴坐标值的均值;Ymean为所有测量点的膜厚测量值的均值。
5.根据权利要求1所述的膜层厚度均一性调整方法,其特征在于,所述X轴的原点位于所述膜层的中线位置上。
6.根据权利要求1所述的膜层厚度均一性调整方法,其特征在于,所述测量点与所述线性蒸发源的蒸镀口一一对应。
7.一种膜层厚度均一性调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;其特征在于,所述装置包括:
第一获取模块,用于获取所述膜层在多个测量点处的膜厚测量值;
第二获取模块,用于根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的坡度斜率参数和水平均一性参数;其中,所述坡度斜率参数用于表征所述线性蒸发源的受热均衡情况,所述水平均一性参数用于表征所述线性蒸发源的蒸镀口出料均衡情况;
所述多个测量点均位于X轴上,且所述X轴垂直于所述线性蒸发源的扫描方向;
所述第二获取模块具体用于:
根据多个所述膜厚测量值获取所述膜层的整体均值、左半均值和右半均值;其中,所述整体均值为多个所述膜厚测量值的均值;按照所述膜层的中线位置,将所述多个测量点分为左半集合和右半集合,所述左半均值为所述左半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值,所述右半均值为所述右半集合中所有测量点对应的膜厚测量值的均值;
获取所述左半均值和所述右半均值的差值,并获取所述差值的绝对值与2倍的所述整体均值的比值,将所述比值作为所述坡度斜率参数。
8.根据权利要求7所述的膜层厚度均一性调整装置,其特征在于,所述装置还包括:
调整模块,用于当所述坡度斜率参数大于第一预设阈值时,调整所述线性蒸发源的反射板的设置数量;当所述水平均一性参数大于第二预设阈值时,调整所述线性蒸发源的蒸镀口的口径大小。
9.根据权利要求7所述的膜层厚度均一性调整装置,其特征在于,所述第二获取模块具体用于:
将多个测量点在所述X轴上的坐标值与其对应的膜厚测量值组成数据集合,获取所述数据集合的拟合线性回归直线的斜率;
获取每个所述测量点在所述X轴上的坐标值和所述拟合线性回归直线的斜率的乘积,并获取该测量点的膜厚测量值与所述乘积的差值,将所述差值作为该测量点的水平膜厚值;
获取多个所述水平膜厚值中的最大值和最小值,并获取所述最大值和所述最小值的差值与所述最大值和所述最小值的和值的比值,将所述比值作为所述水平均一性参数。
10.一种膜层厚度均一性调整装置,所述膜层通过线性蒸发源蒸镀形成;其特征在于,所述装置包括:
存储器,用于存储计算机程序;
处理器,用于执行所述计算机程序,以实现如权利要求1至6中任意一项所述的膜层厚度均一性调整方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109468597B (zh) * 2019-01-08 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置
CN113597551A (zh) * 2019-03-29 2021-11-02 日本碍子株式会社 气体传感器的传感器元件
CN111979517B (zh) * 2020-08-24 2022-12-20 京东方科技集团股份有限公司 温度调节方法及装置、蒸镀设备
DE102022118437A1 (de) * 2022-07-22 2024-01-25 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren und Dampfverteilungsvorrichtung

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866239A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 北京汉能创昱科技有限公司 一种线性蒸发源装置
CN105908129A (zh) * 2016-06-27 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机材料蒸镀设备和方法
CN205669063U (zh) * 2016-06-21 2016-11-02 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种膜厚调节装置、薄膜蒸镀设备
CN106987810A (zh) * 2017-05-24 2017-07-28 昆山国显光电有限公司 蒸镀坩埚热场控制装置及蒸镀系统
CN108754448A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 昆山国显光电有限公司 线性蒸发源、蒸发源系统及蒸镀装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
PL1632746T3 (pl) * 2004-09-07 2008-03-31 Applied Mat Gmbh & Co Kg Sposób oznaczania fizycznych właściwości warstwy optycznej lub układu warstw
CN109468597B (zh) * 2019-01-08 2020-11-06 京东方科技集团股份有限公司 一种膜层厚度均一性调整方法及其调整装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866239A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 北京汉能创昱科技有限公司 一种线性蒸发源装置
CN205669063U (zh) * 2016-06-21 2016-11-02 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 一种膜厚调节装置、薄膜蒸镀设备
CN105908129A (zh) * 2016-06-27 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种有机材料蒸镀设备和方法
CN106987810A (zh) * 2017-05-24 2017-07-28 昆山国显光电有限公司 蒸镀坩埚热场控制装置及蒸镀系统
CN108754448A (zh) * 2018-05-31 2018-11-06 昆山国显光电有限公司 线性蒸发源、蒸发源系统及蒸镀装置

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