CN104216555B - 显示设备和用于驱动显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示设备和用于驱动显示设备的方法。在一方面中，该显示设备包括传感器和限定于基板上的多个像素，其中传感器形成在多个像素中的至少一个中，并且与形成在基板上的薄膜晶体管相邻布置在相同的垂直水平，以检测基板的弯曲和施加至基板的压力。

Description

显示设备和用于驱动显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请基于2013年5月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0062727并要求该申请的优先权，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
所描述的技术总体上涉及显示设备和用于驱动显示设备的方法。
背景技术
通常，显示设备被分为发光型和受光型。发光型显示器包括等离子体显示设备或电致发光设备。受光型显示器包括液晶显示器。其中，电致发光设备一般具有视角广、对比度优以及响应速度快的优点，并且已被视为下一代显示器。这种电致发光设备根据形成其发光层的材料而被分为无机发光显示设备和有机发光显示设备。
通常，显示设备包括单独附加到其上以利用通过与用户的手或笔的接触而输入的输入信号来执行屏幕控制功能的传感器。这种传感器可以包括电阻式传感器和电容式传感器，其中电阻式传感器通过在上电极层和下电极层由于利用用户的手指或笔按压而彼此接触时产生的电信号来识别位置，电容式传感器通过用户的手指所产生的感应静电被驱动。
发明内容
一个创造性方面是一种显示设备，该显示设备能够检测基板的弯曲和施加至基板的压力，因此能够降低制造成本并减少制造工艺。
另一方面是一种用于驱动显示设备的方法，该方法能够检测基板的弯曲和施加至基板的压力，因此能够降低制造成本并减少制造工艺。
经研究以下内容，所公开技术的附加优点、主题和特点对于本领域普通技术人员来说将是明显的，或者可以根据所描述技术的实践得以理解。
另一方面是一种显示设备，包括：限定于基板上的多个像素；和传感器，所述传感器形成在所述多个像素中的至少一个中，并且与形成在基板上的薄膜晶体管相邻布置在基本相同的垂直水平，以检测所述基板的弯曲和施加至所述基板的压力。
另一方面是一种显示设备，包括：多个像素，限定在基板上；薄膜晶体管，形成在位于所述基板上的所述多个像素中的每一个中，并且包括具有沟道区、设置在所述沟道区两侧的源区和漏区的有源层、形成在所述有源层的沟道区的上部的栅电极、连接至所述源区的源电极以及连接至所述漏区的漏电极；和传感器，形成在所述多个像素中的至少一个中，用于检测所述基板的弯曲和施加至所述基板的压力，并且包括形成在与所述有源层基本相同的层上的变形层、形成在与所述栅电极基本相同的层上并且连接至所述变形层的一侧的驱动电极、以及形成在与所述源电极或所述漏电极基本相同的层上并且连接至所述变形层的另一侧的检测电极。
另一方面是一种用于驱动显示设备的方法，该方法包括：利用传感器测量检测电压，所述传感器形成在限定于基板上的多个像素中的至少一个中，并且与形成在所述基板上的薄膜晶体管相邻布置在基本相同的垂直水平，以检测所述基板的弯曲和施加至所述基板的压力；确定所述检测电压是否不同于参考电压；并且如果确定所述检测电压不同于所述参考电压，则检测出所述基板的弯曲或施加至所述基板的压力出现。
根据所描述技术的至少一个实施例，能够达到以下效果。
根据所描述技术的一个示例性实施例的显示设备经常包括与像素中的薄膜晶体管（例如驱动晶体管）相邻布置在基本相同的垂直水平的传感器、和布置在基板下部的保护膜，因此通常能够检测基板的弯曲和施加至基板的压力。相应地，根据所描述技术的实施例的显示设备能够关于被视为输入信号的基板的弯曲和施加至基板的压力而执行各种操作。
进一步，由于传感器通常在形成薄膜晶体管（例如驱动晶体管）时一起形成，因此经常不需要增加用于形成传感器的单独工艺，从而能够降低制造成本并减少用于形成传感器的单独工艺的制造工艺。
根据所描述技术的效果并非限于上面举例说明的内容，而是在本描述中包括进一步的各种效果。
附图说明
根据以下结合附图所进行的详细描述，所描述技术的上述和其它目的、特征以及优点将更加明显，附图中：
图1是示出根据所描述技术的示例性实施例的显示设备的像素布置的视图。
图2是示出所图示的能够与图1所示的实施例一起使用的传感器的另一像素布置的示例性视图。
图3是能够与图1所示的实施例一起使用的多个像素中的一个像素的示例性电路图。
图4是显示设备的能够与图3的部分“A”对应的示例性截面图。
图5是当图4的基板弯曲时显示设备的示例性截面图。
图6是当压力被施加至图4的基板时显示设备的示例性截面图。
图7是根据所描述技术的另一示例性实施例的与图4相似的显示设备的截面图。
图8是根据所描述技术的又一示例性实施例的与图7相似的显示设备的截面图。
图9是根据所描述技术的又一示例性实施例的与图4相似的显示设备的示例性截面图。
图10是示出根据所描述技术的实施例的用于驱动显示设备的方法的示例性流程图。
具体实施方式
一般而言，玻璃基板较重，并且在显示设备中使用时可能容易损坏，因此在具有玻璃基板的大屏幕显示器的便携性方面存在限制。因此，近来已开发出一种使用诸如塑料的柔性基板并且具有轻的重量和耐用性的柔性显示设备。
柔性显示设备通常包括能够检测能用作输入信号的、通过用户的手指或笔施加到设备的压力的多个传感器，但对于传感器来说，可能难以检测可以用作另一输入信号的显示设备的弯曲。
进一步，常见的是将传感器单独附接至柔性显示器，而这增加制造成本并且使制造工艺复杂。
通过参照以下优选实施例的详细描述以及附图，所描述技术的优点和特征以及实现所描述技术的方法可更易于理解。然而，所描述技术可以采用多种不同的形式来具体实现，而不应当被解释为限于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将向本领域技术人员传达所描述技术的构思。
还应当理解，当一层被提及在另一层或基板“上”时，其可以直接在另一层或基板上，或者中间层也可以存在。在整个说明书中相同的附图标记表示相同的部件。
应当理解，虽然术语第一、第二、第三等可以在这里用来描述各个元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，在不背离所描述技术的教导的情况下，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。在本公开中，词语“连接”包括“电连接”。
在下文中，将参照附图描述所描述技术的实施例。
图1是示出根据所描述技术的实施例的显示设备的像素布置的示例性视图，并且图2是示出图1所示的传感器的另一像素布置的视图。
参照图1，根据所描述技术的实施例的显示设备100包括布置在基板110上的多个像素P和传感器S。
多个像素P可以通过在基板110上沿第一方向D1布置的多条栅极线GL1至GLn（n是自然数）和沿与第一方向D1相交的第二方向D2布置的多条数据线DL1至DLm（m是自然数）来限定。像素P可以接收从外部供应的电力信号、通过多条栅极线GL1至GLn从栅极驱动单元（未示出）供应的栅极信号以及通过多条数据线DL1至DLm从数据驱动单元（未示出）供应的数据信号，并且显示图像。
传感器S形成在像素P中的至少一个中。传感器S能够检测基板110的弯曲和通过用户的手指或笔施加到基板110的压力。图1示出传感器S分别形成在像素P中。然而，如图2所示，可以针对包括像素P当中的至少两个像素P的每组形成一个传感器。
接下来，将描述像素P当中的形成有传感器的一个像素P的电路。
图3是能够与图1所示的实施例一起使用的像素之一的示例性电路图。
参照图3，一个像素P可以连接至第一栅极线GL1和第一数据线DL1，并且可以包括例如开关晶体管ST、驱动晶体管DT、存储电容器Cst、发光二极管LD以及传感器S。
开关晶体管ST可以通过薄膜晶体管实现，并且可以包括连接至第一栅极线GL1的栅电极、连接至第一数据线DL1的源电极以及连接至驱动晶体管的栅电极的漏电极。开关晶体管ST响应于从第一栅极线GL1接收的栅极信号，向驱动晶体管DT施加与通过第一数据线DL1供应的数据信号相对应的电压。
驱动晶体管DT可以通过薄膜晶体管实现，并且可以包括连接至开关晶体管ST的漏电极的栅电极、连接至第一电源Vdd的源电极以及连接至发光二极管LD的阳电极（像素电极）的漏电极。驱动晶体管DT向发光二极管LD供应与施加至该驱动晶体管DT的栅电极的电压相对应的电流。
存储电容器Cst连接在驱动晶体管DT的栅电极与第一电源Vdd之间。存储电容器Cst充入被施加至驱动晶体管DT的栅电极的电压。
发光二极管LD可以包括连接至驱动晶体管DT的漏电极的阳电极（或像素电极）和连接至第二电源Vss的阴电极（或公共电极）。发光二极管LD发出与从驱动晶体管DT供应的电流相对应的光，从而显示图像。
传感器S可以包括连接至驱动线Tx的驱动电极、连接至检测线Rx的检测电极以及连接在驱动电极与检测电极之间的变形层。传感器S可以通过检测电极的检测电压来检测基板（图1中的110）的弯曲或施加至基板110的压力是否出现，其中检测电极的检测电压根据变形层的电阻变化而不同。随后将描述传感器S的检测操作。
接下来，将详细描述包括驱动晶体管DT、发光二极管LD以及传感器S的显示设备100的截面结构。
图4是显示设备的与图3的部分“A”对应的示例性截面图。图5是当图4的基板弯曲时显示设备的示例性截面图，并且图6是当压力被施加至图4的基板时显示设备的示例性截面图。
参照图4，显示设备100可以具有包括下面当中的一个或多个的截面结构：基板110、缓冲层111、有源层120、变形层130、栅绝缘膜140、栅电极150、驱动电极160、层间绝缘膜170、源电极180、漏电极190、检测电极200、钝化层210、平坦化层220、像素电极230、像素限定膜240、发光层250、公共电极260、封装膜270以及保护膜280。在所描述技术中，例示出显示设备100通过柔性发光显示设备实现。
基板110可以是由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜或聚酰亚胺的塑料形成的柔性基板。
缓冲层111可以形成在基板110上。缓冲层111可以阻止和防止从基板110产生的杂质或从外部流入的湿气传输至上层。缓冲层111可以包括至少一个无机膜、至少一个有机膜或其中无机膜和有机膜组合并堆叠的堆叠膜。
有源层120可以包括沟道区122以及设置在沟道区122两侧的源区124和漏区126。有源层120可以由例如非晶硅或多晶硅形成，并且源区124和漏区126可以掺有p型或n型杂质。
变形层130可以形成在与有源层120相同的层上，包括彼此相对的第一侧和第二侧，并且可以由与源区124或漏区126相同的材料形成。亦即，变形层130可以由硅形成，并且可以包括p型或n型杂质。因此，变形层130可以在形成有源层120时一起形成。由于变形层130由硅形成并且具有柔韧性，因此变形层130的形状可以通过基板110的弯曲或者施加至基板110的压力而改变。随着变形层130的形状改变，变形层130的电阻也可以改变。
栅绝缘膜140形成在基板110上，以覆盖有源层120和变形层130。栅绝缘膜140使栅电极150和有源层120彼此电绝缘。栅绝缘膜140可以由例如硅氧化物（SiOx）、硅氮化物（SiNx）或金属氧化物的绝缘材料形成。
栅电极150可以形成在栅绝缘膜140上。栅电极150可以形成在沟道区122的上部，亦即，形成在栅绝缘膜140上的与沟道区122对应的位置上。栅电极150可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明材料。
驱动电极160可以形成在与栅电极150相同的层上，电连接至变形层130的第一侧，并且可以由与栅电极150相同的材料形成。因此，驱动电极160可以在形成栅电极150时一起形成。驱动电极160可以是被施加来自图3的驱动线Tx的恒定电压以根据变形层130的电阻变化来测量检测电极200的检测电压的电极。
层间绝缘膜170可以形成在栅绝缘膜140上，以覆盖栅电极150和驱动电极160。层间绝缘膜170可以由硅化合物形成。例如，层间绝缘膜170可以包括硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、硅碳氮化物或硅氧碳化物。层间绝缘膜170可以用于使栅电极150与源电极180和漏电极190绝缘。
源电极180和漏电极190可以形成在层间绝缘膜170上。源电极180穿透层间绝缘膜170和栅绝缘膜140，以连接至有源层120的源区124，并且漏电极190穿透层间绝缘膜170和栅绝缘膜140，以连接至漏区126。源电极180和漏电极190可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。例如，源电极180和漏电极190可以由铝、含有铝的合金、铝氮化物、银、含有银的合金、钨、钨氮化物、铜、含有铜的合金、镍、铬、铬氮化物、钼、含有钼的合金、钛、钛氮化物、铂、钽、钽氮化物、钕、钪、锶钌氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物或铟锌氧化物制成。
检测电极200可以形成在与源电极180或漏电极190相同的层上，电连接至变形层130的第二侧，并且可以由与源电极180或漏电极190相同的材料形成。因此，检测电极200可以在形成源电极180或漏电极190时一起形成。检测电极200可以是连接至图3的检测线Rx以根据变形层130的电阻测量检测电压的电极。
钝化层210可以形成在层间绝缘膜170上，以覆盖源电极180、漏电极190和检测电极200。钝化层210可利用有机材料或无机材料形成。例如，钝化层210可包括光刻胶、丙烯酸基聚合物、聚酰亚胺基聚合物、聚酰胺基聚合物、硅氧烷基聚合物、包括光敏丙烯酸羧基的聚合物、酚醛清漆树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、硅氧碳化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物、锆氧化物或钛氧化物。在一些实施例中，钝化层210可以根据平坦化层220的形成材料或厚度而被省略。
平坦化层220可以形成在钝化层210上。平坦化层220的表面可以是基本平坦的。该平坦化层可以使基板110的上部平坦化。平坦化层220可以由绝缘材料制成。进一步，平坦化层220可以由例如聚酰亚胺的有机材料制成。
像素电极230可以形成在平坦化层220上，并且可以连接至漏电极190。像素电极230可以是接收施加至漏电极190的信号并且向发光层250提供空穴的阳电极。在一些实施例中，像素电极230可以是接收施加至漏电极190的信号并且向发光层250提供电子的阴电极。像素电极230可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。例如，像素电极230可以由铝、含有铝的合金、铝氮化物、银、含有银的合金、钨、钨氮化物、铜、含有铜的合金、镍、铬、铬氮化物、钼、含有钼的合金、钛、钛氮化物、铂、钽、钽氮化物、钕、钪、锶钌氧化物、锌氧化物、铟锡氧化物、锡氧化物、铟氧化物、镓氧化物或铟锌氧化物制成。
像素限定膜240可以形成在平坦化层220上，并且可以包括用于暴露像素电极230的开口。像素限定膜240可以包括绝缘材料，例如从包括苯并环丁烯（BCB）、聚酰亚胺（PI）、聚酰胺（PA）、丙烯酸树脂和酚树脂的组中选择的至少一种有机材料。作为另一示例，像素限定膜240可以包括诸如硅氮化物的无机材料。
发光层250形成在通过像素限定膜240的开口被暴露的像素电极230上。发光层250通过从像素电极230提供的空穴和从公共电极260提供的电子的复合而发光。更具体地，如果空穴和电子被提供至发光层250，则空穴和电子复合，以产生激子。当激子从激发态改变至基态时，发光层250发光。针对每个像素，发光层250可以通过发出红光的红光发射层、发出绿光的绿光发射层以及发出蓝光的蓝光发射层实现。发光层250可以由包括Se或Zn的无机材料、或者低分子或高分子有机材料形成。另一方面，根据所公开的实施例中的至少一个实施例，显示设备100包括发光层250并且通过发光显示器件来实现。然而，如果显示设备100包括液晶层而非发光层250，则显示设备100可以通过液晶显示器件来实现。
公共电极260可以形成在发光层250上。公共电极260可以是向发光层250提供电子的阴电极。在一些实施例中，公共电极260可以是向发光层250提供空穴的阳电极。公共电极260可以由诸如像素电极230的形成材料之类的材料形成。
封装膜270可以形成在公共电极260上。封装膜270可以是由例如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜或聚酰亚胺的塑料形成的柔性封装膜。
保护膜280可以布置在基板110的下部。尽管未示出，但保护膜280可以利用粘合剂附接至基板110的下表面。保护膜280可以由例如橡胶或硅材料的弹性材料形成。保护膜280可以具有薄的厚度，可以增强柔性基板110的机械强度，并且如果压力施加至基板110，则可以利用其弹力使变形层130理想地变形，从而有利于传感器S的检测操作。
在如上所述的显示设备100的截面结构中，有源层120、栅电极150、源电极180和漏电极190可以构成驱动晶体管DT。驱动晶体管DT可以驱动发光二极管LD。
进一步，变形层130、驱动电极160和检测电极200可以构成传感器S。传感器S可以形成在显示设备100中，并且可以利用检测电极200的检测电压根据变形层130的电阻变化而不同的电特性的变化来检测基板110的弯曲和施加到基板110的压力。在这里，传感器S可以与薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT，相邻布置在基本相同的垂直水平。传感器S的变形层130、驱动电极160和检测电极200可以分别由与驱动晶体管DT的有源层120、栅电极150和源电极180（或漏电极190）相同的材料形成。因此，不需要用于形成传感器S的单独工艺。
进一步，像素电极230、发光层240以及公共电极260可以构成发光二极管LD。发光二极管LD由驱动晶体管DT驱动以发光，由此图像被显示。
接下来，将更详细地描述传感器S的操作。
图5是当图4的基板弯曲时显示设备的示例性截面图，并且图6是当压力被施加至图4的基板时显示设备的示例性截面图。
参照图5，在基板110通过用户的手指FG而弯曲的情况下，变形层130的形状可从平坦状态改变为弯曲状态。此时，随着变形层130的形状改变，变形层130的电阻可改变，因此检测电极200的检测电压可能不同于参考电压。通过这，可以检测基板110的弯曲出现。在这里，参考电压可以是当基板110未弯曲并且压力未施加至基板110时检测电极200的电压，或者可以通过实验值预先设置。
例如，在基板110未弯曲并且压力未施加至基板110的情况下，变形层130的电阻可为大约100Ω，并且安装在检测线Rx中的电阻器元件（未示出）的电阻为大约100Ω。在此状态下，如果施加至驱动电极160的电压为大约4V，则检测电极200的电压可为大约2V。在这里，在基板110未弯曲并且压力未施加至基板110的情况下，参考电压可以与检测电极200的电压一样为大约2V。
如果基板110在参考电压如上所述被设置的状态下弯曲，则变形层130的形状改变，并且变形层130的电阻变为大约110Ω且安装在检测线Rx中的电阻器元件的电阻为大约100Ω。在此状态下，如果施加至驱动电极160的电压为大约4V，则检测电极200的电压可为大约2.09V。如上所述，如果基板110弯曲，则检测电极200的检测电压变为大约2.09V，该电压不同于作为参考电压的大约2V，因此通过检测电极200的不同于参考电压的检测电压，能够检测出基板110的弯曲出现。
尽管未示出，但检测电极200的检测电压可以通过控制单元（或控制器，未示出）来检测。如果基板110的弯曲出现，并且控制器确定检测电极200的检测电压不同于参考电压，则可以执行诸如调节显示设备100的触摸音量或音乐音量或者翻页之类的操作。亦即，基板110的弯曲可以是例如用于调节显示设备100的触摸音量或音乐音量的操作或者翻页的操作的输入信号。
参照图6，如果压力通过用户的手指FG被施加至基板110，则变形层130的形状可从平坦状态改变为弯曲状态。此时，随着变形层130的形状改变，变形层130的电阻可改变，因此检测电极200的检测电压可不同于参考电压。通过这，能够检测压力被施加至基板110。进一步，由于能够检测在像素部分处出现被施加至基板110的压力，其中在该像素部分中包括具有与参考电压不同的电压的检测电极200，因此也能够检测基板110的压力出现的位置。在这里，参考电压可以是当基板110未弯曲并且压力未施加至基板110时检测电极200的电压，或者可以通过实验值预先设置。
例如，在基板110未弯曲并且压力未施加至基板110的情况下，变形层130的电阻可为大约100Ω，并且安装在检测线Rx中的电阻器元件（未示出）的电阻为大约100Ω。在此状态下，如果施加至驱动电极160的电压为大约4V，则检测电极200的电压可为大约2V。在这里，在基板110未弯曲并且压力未施加至基板110的情况下，参考电压可以与检测电极200的电压一样为大约2V。
如果压力在参考电压如上所述被设置的状态下施加至基板110，则变形层130的形状改变，并且变形层130的电阻变为大约120Ω且安装在检测线Rx中的电阻器元件的电阻为大约100Ω。在此状态下，如果通过驱动线Tx施加至驱动电极160的电压为大约4V，则检测电极200的电压可为大约2.18V。如上所述，如果压力被施加至基板110，则检测电极200的检测电压变为大约2.18V，该电压不同于作为参考电压的大约2V，因此能够通过检测电极200的不同于参考电压的检测电压检测压力被施加至基板110。进一步，由于能够检测在像素部分处出现被施加至基板110的压力，其中在该像素部分中包括具有与参考电压不同的电压的检测电极200，因此也能够检测基板110的压力出现的位置。
尽管未示出，但检测电极200的检测电压可以通过控制器（未示出）来检测。如果压力被施加至基板110，并且控制器确定检测电极200的检测电压不同于参考电压，则可以执行诸如按压显示设备100的键盘或者放大或缩小页面之类的操作。亦即，被施加到基板110的压力可以是例如用于按压基板110或者放大或缩小页面的操作的输入信号。
如上所述，根据所描述技术的实施例的显示设备100包括与像素P中的薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT相邻布置在基本相同的垂直水平的传感器S和布置在基板110下部的保护膜280，因此能够检测基板110的弯曲以及施加到基板110的压力。相应地，根据所描述技术的实施例的显示设备100能够关于被视为输入信号的基板110的弯曲和施加到基板110的压力而执行各种操作。
进一步，依照根据所描述技术的实施例的显示设备100，由于传感器S在形成薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT时一起形成，因此没必要增加用于形成传感器的单独工艺，因此能够降低制造成本并减少用于形成传感器的单独工艺的制造工艺。
接下来，将描述根据所描述技术的另一实施例的显示设备300。
图7是根据所描述技术的另一实施例的与图4对应的显示设备的示例性截面图。在图7中，示出多个像素，每个像素包括驱动晶体管DT、发光二极管LD和传感器S11。
参照图7，除了传感器S11和保护膜380的配置之外，根据所描述技术的另一实施例的显示设备300具有与图4的显示设备100相似的配置。因此，将仅围绕根据所描述技术的另一实施例的显示设备300中的传感器S11和保护膜380进行说明。
传感器S11与图4的传感器S相似。然而，针对一个像素，传感器S11包括两个传感器，即第一传感器S12和第二传感器S13。第一传感器S12和第二传感器S13可以被布置为交替位于一个像素和另一相邻像素中。亦即，包括在一个像素中的第二传感器S13可以与包括在另一像素中的第一传感器S12相邻。
第一传感器S12可以由与图4的传感器S相同的材料形成在基本相同的位置。第二传感器S13可以由与第一传感器S12相同的材料形成在沿水平方向与第一传感器S12相邻的位置。
关于基板110的弯曲，第一传感器S12和第二传感器S13的各自变形层130可以具有基本相同的电阻变化特性，因此如果基板110的弯曲出现，则第一传感器S12的检测电极200的第一检测电压可以基本等于第二传感器S13的检测电极200的第二检测电压。通过这，能够检测基板110的弯曲出现。另一方面，如果关于基板110的弯曲，第一传感器S12和第二传感器S13具有不同的电阻变化特性，则第一传感器S12和第二传感器S13能够通过校正检测基板110的弯曲。
关于施加到基板110的压力，第一传感器S12和第二传感器S13的各自变形层130可具有不同的电阻变化特性，并且如果压力被施加至基板110，则第一传感器S12的检测电极200的第一检测电压可不同于第二传感器S13的检测电极200的第二检测电压。通过这，能够检测压力被施加至基板110。进一步，由于能够检测在像素部分处出现被施加到基板110的压力，其中在该像素部分中第一检测电压和第二检测电压彼此不同，因此也能够检测基板110的压力出现的位置。
保护膜380可以布置在基板110的下部。尽管未示出，但保护膜380可以利用粘合剂附接至基板110的下表面。保护膜380可以由塑料材料形成，并且可以具有与基板110相似的柔韧性。保护膜380可以具有薄的厚度，并增强柔性基板110的机械强度。
保护膜380可以包括形成在与第一传感器S12相对应的区域中的第一部分381和形成在与第二传感器S13相对应的区域中的第二部分382。第一部分381可以由关于被施加到基板110的压力具有第一变形率的塑料材料形成。第二部分382可以由关于被施加到基板110的压力具有比第一变形率高的第二变形率的塑料材料形成。
如果基板110的弯曲出现，则第一部分381和第二部分382可以具有基本相同的变形率。在此情况下，第一传感器S12的变形层130的电阻基本等于第二传感器S13的变形层130的电阻，因此第一传感器S12的检测电极200的第一检测电压变成基本等于第二传感器S13的检测电极200的第二检测电压。
进一步，关于被施加到基板110的压力，第一部分381和第二部分382具有不同的变形率，并且如果压力被施加至基板110，则第一传感器S12和第二传感器S13具有不同的弹力。因此，第一传感器S12的变形层130的电阻和第二传感器S13的变形层130的电阻变成彼此不同，因此第一传感器S12的检测电极200的第一检测电压和第二传感器S13的检测电极200的第二检测电压变成彼此不同。
如上所述，根据所描述技术的另一实施例的显示设备300包括与像素中的薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT相邻布置在基本相同的垂直水平的传感器S11和布置在基板110下部的保护膜380，因此能够检测基板110的弯曲以及施加到基板110的压力。因此，根据所描述技术的另一实施例的显示设备300可以关于被视为输入信号的基板110的弯曲和施加到基板110的压力而执行各种操作。
进一步，根据所描述技术的另一实施例的显示设备300通过包括第一传感器S12和第二传感器S13的传感器S11以及包括第一部分381和第二部分382的保护膜380，能够清楚地在基板110的弯曲与施加至基板110的压力之间进行辨别。
进一步，依照根据所描述技术的另一实施例的显示设备300，由于传感器S11在形成薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT时一起形成，因此没必要增加用于形成该传感器的单独工艺，从而能够降低制造成本并减少用于形成该传感器的单独工艺的制造工艺。
接下来，将描述根据所描述技术的又一实施例的显示设备400。
图8是根据所描述技术的又一示例性实施例的与图7相似的显示设备的截面图。
参照图8，除了保护膜480的配置外，根据所描述技术的又一实施例的显示设备400具有与图7的显示设备300基本相同的配置。因此，将仅围绕根据所描述技术的又一实施例的显示设备400中的保护膜480进行说明。
保护膜480可以布置在基板110的下部。尽管未示出，但保护膜480可以利用粘合剂附接至基板110的下表面。保护膜480可以由塑料材料形成，并且可以具有与基板110相似的柔韧性。保护膜480可以具有薄的厚度，并增强柔性基板110的机械强度。
保护膜480可以包括形成在与第一传感器S12相对应的区域中的第一部分481和形成在与第二传感器S13相对应的区域中的第二部分482。第一部分481可以具有第一厚度。第二部分482可以具有小于第一厚度的第二厚度。在这里，间隙空间可以形成在基板110与第二部分482之间。
如果基板110的弯曲出现，则第一部分481和第二部分482可使第一传感器S12的变形层130的电阻基本等于第二传感器S13的变形层130的电阻，因此第一传感器S12的检测电极200的第一检测电压可变成基本等于第二传感器S13的检测电极200的第二检测电压。
进一步，如果压力通过基板110与第二部分482之间的间隙空间被施加至基板110，则第一部分481和第二部分482可使第一传感器S12和第二传感器S13具有不同的弹力。因此，第一传感器S12的变形层130的电阻与第二传感器S13的变形层130的电阻变得彼此不同，因此第一传感器S12的检测电极200的第一检测电压与第二传感器S13的检测电极200的第二检测电压变得彼此不同。
如上所述，根据所描述技术的又一实施例的显示设备400包括与像素中的薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT相邻布置在基本相同的垂直水平的传感器S11和布置在基板110下部的保护膜480，因此能够检测基板110的弯曲以及施加至基板110的压力。因此，根据所描述技术的又一实施例的显示设备400能够关于被视为输入信号的基板110的弯曲和施加至基板110的压力而执行各种操作。
进一步，根据所描述技术的又一实施例的显示设备400通过包括第一传感器S12和第二传感器S13的传感器S11以及包括第一部分481和第二部分482的保护膜480，能够清楚地在基板110的弯曲与施加至基板110的压力之间进行辨别。
进一步，依照根据所描述技术的又一实施例的显示设备400，由于传感器S11在形成薄膜晶体管，例如驱动晶体管DT时一起形成，因此没必要增加用于形成该传感器的单独工艺，从而能够降低制造成本并减少用于形成该传感器的单独工艺的制造工艺。
接下来，将描述根据所描述技术的又一实施例的显示设备500。
图9是根据所描述技术的又一实施例的与图4相似的显示设备的示例性截面图。
参照图9，仅仅除了进一步包括触摸面板510之外，根据所描述技术的又一实施例的显示设备500具有与图4的显示设备100基本相同的配置。因此，将仅围绕根据所描述技术的又一实施例的显示设备500中的触摸面板510进行说明。
触摸面板510可以形成在公共电极260上。触摸面板510可以检测屏幕上用户所接触的位置，并且利用与所检测的接触位置有关的信息作为输入信息来执行显示设备的屏幕控制功能。触摸面板510可以被形成为包括透明基底材料和形成在透明基底材料上的用于电阻式和电容式检测的透明导电膜。在这里，传感器S能够执行除通过触摸面板510执行的显示设备的屏幕控制功能之外的另一屏幕控制功能，并且如果触摸面板510的检测功能退化，则传感器S可以辅助显示设备的屏幕控制功能。
如上所述，根据所描述技术的又一实施例的显示设备500包括与薄膜晶体管（例如驱动晶体管DT）相邻布置在基本相同的垂直水平的传感器S、布置在基板110下部的保护膜280以及形成在公共电极260上的触摸面板510，因此能够执行诸如显示设备的屏幕控制之类的各种操作，以提高触摸面板510的屏幕控制功能的可靠性。
接下来，将描述用于驱动根据所描述技术的实施例的如图1至图6所示的显示设备100的方法。
图10是示出根据所描述技术的实施例的用于驱动显示设备的方法的流程图。在一个实施例中，图10的步骤以诸如C或C++或另一合适的编程语言的传统编程语言来实现。在一个实施例中，程序存储在显示设备的计算机可存取存储介质，例如显示设备的存储器（未示出）或处理器上。在一个实施例中，存储介质包括随机存取存储器（RAM）、硬盘、软盘、数字视频设备、光盘、影碟和/或其它光学存储介质等等。程序可以存储在处理器中。在各实施例中，处理器可以具有基于例如i）进阶RISC机器（ARM）微控制器和ii）英特尔公司的微处理器（例如奔腾系列微处理器）的配置。在一个实施例中，处理器由各种使用单片或多片微处理器、数字信号处理器、嵌入式微处理器、微控制器等的计算机平台来实现。在另一实施例中，处理器由诸如Unix、Linux、Microsoft DOS、Microsoft Windows7/Vista/2000/9x/ME/XP、Macintosh OS、OS/2、Android、iOS等各式各样的操作系统来实现。在另一实施例中，步骤的至少一部分可以由嵌入式软件来实现。根据实施例，可以在图10中增加额外状态、去掉其它状态或者改变状态顺序。
参照图10，根据所描述技术的实施例的用于驱动显示设备100的方法可以包括：测量检测电压（S10），比较检测电压与参考电压（S20），以及检测弯曲或压力出现（S30）。
在S10中，利用传感器S测量检测电压，其中传感器S形成在由沿第一方向D1布置在基板上的多条栅极线GL1至GLn和沿与第一方向D1相交的第二方向D2布置的多条数据线DL1至DLm限定的多个像素P中的至少一个中，并且与形成在基板110上的薄膜晶体管（例如驱动晶体管DT）相邻布置在基本相同的垂直水平。
检测电压可以通过向传感器S的驱动电极160施加恒定电压并且测量检测电极200的电压而获得。另一方面，如果传感器S11包括第一传感器S12和第二传感器S13，如图7和图8所示，则第一传感器S12的第一检测电压和第二传感器S13的第二检测电压可以被测量作为检测电压。
在S20中，确定检测电压是否不同于参考电压。在这里，参考电压可以是在基板110的弯曲不出现并且压力未施加至基板110的状态下测量的检测电极200的电压，或者可以通过实验值预定。另一方面，如果传感器S11包括第一传感器S12和第二传感器S13，如图7和图8所示，则可以确定第一传感器S12的第一检测电压和第二传感器S13的第二检测电压是否不同于参考电压。
在S30中，如果在S20中确定检测电压不同于参考电压，则检测基板110的弯曲或施加至基板110的压力是否出现。如果基板110的弯曲或施加至基板110的压力出现，则传感器S的变形层130的形状可能改变，并且变形层130的电阻可能根据变形的形状而改变。在这种情况下，检测电极200的检测电压可能不同于参考电压。另一方面，如果传感器S11包括第一传感器S12和第二传感器S13，则当在S20中，第一传感器S12的第一检测电压和第二传感器S13的第二检测电压均不同于参考电压，并且第一检测电压基本等于第二检测电压时，检测出基板110的弯曲出现，并且当第一检测电压与第二检测电压彼此不同时，检测出基板110上出现压力。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解，在基本不脱离所描述技术的原理的情况下，可以对优选实施例做出大量改动和修改。因此，所公开的本发明优选实施例仅仅以通用和描述性意义使用，而不是为了限制的目的。

Claims (10)

1.一种显示设备，包括：
多个像素，形成在基板上方；和
至少一个传感器，形成在所述多个像素中的至少一个中，与形成在所述基板上方的薄膜晶体管相邻布置在相同的垂直水平，并且在形成所述薄膜晶体管时一起形成，其中所述传感器被配置为检测所述基板的弯曲和施加至所述基板的压力。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述传感器包括：
变形层，具有被配置为根据所述基板的弯曲或施加至所述基板的压力中的至少一个而改变的电阻，其中所述变形层包括彼此相对的第一侧和第二侧；
驱动电极，电连接至所述变形层的所述第一侧；和
检测电极，电连接至所述变形层的所述第二侧，
其中所述薄膜晶体管包括：i)有源层，包括沟道区、设置在所述沟道区两侧的源区和漏区，ii)栅电极，形成在所述有源层的所述沟道区的上部，iii)源电极，电连接至所述有源层的所述源区，以及iv)漏电极，电连接至所述有源层的所述漏区，并且
其中所述变形层形成在与所述有源层相同的层上，其中所述驱动电极形成在与所述栅电极相同的层上，并且其中所述检测电极形成在与所述源电极或所述漏电极相同的层上，
其中所述有源层由硅形成，并且其中所述源区和所述漏区包括杂质，并且
其中所述变形层由与所述源区或所述漏区相同的材料形成。
3.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
像素电极，电连接至所述薄膜晶体管；
发光层，形成在所述像素电极上方；
公共电极，形成在所述发光层上方；
触摸面板，形成在所述公共电极上方；以及
保护膜，布置在所述基板的下部并且由弹性材料形成，
其中所述传感器形成在每个像素中或者针对包括所述多个像素中的至少两个像素的每组形成，
其中所述基板由塑料形成。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述传感器包括彼此相邻的第一传感器和第二传感器，并且
其中所述显示设备进一步包括保护膜，所述保护膜包括：i)第一部分，形成在所述基板的下部的与所述第一传感器相对应的区域中，并且关于被施加至所述基板的压力具有第一变形率，和ii)第二部分，形成在所述基板的下部的与所述第二传感器相对应的区域中，并且关于被施加至所述基板的压力具有大于所述第一变形率的第二变形率。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述传感器包括彼此相邻的第一传感器和第二传感器，并且
其中所述显示设备进一步包括保护膜，所述保护膜包括：i)第一部分，形成在所述基板的下部的与所述第一传感器相对应的区域中，并且具有第一厚度，和ii)第二部分，形成在所述基板的下部的与所述第二传感器相对应的区域中，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度，
其中在所述基板与所述第二部分之间形成有间隙空间。
6.一种显示设备，包括：
多个像素，形成在基板上方；
薄膜晶体管，形成在所述多个像素中的每一个中，并且包括：i)有源层，具有沟道区、设置在所述沟道区两侧的源区和漏区，ii)栅电极，形成在所述有源层的所述沟道区的上部上方，iii)源电极，电连接至所述源区，以及iv)漏电极，电连接至所述漏区；和
至少一个传感器，形成在所述多个像素中的至少一个中，被配置为检测所述基板的弯曲或施加至所述基板的压力中的至少一个，并且包括：i)变形层，形成在与所述有源层相同的层上，其中所述变形层包括彼此相对的第一侧和第二侧，ii)驱动电极，形成在与所述栅电极相同的层上，并且电连接至所述变形层的所述第一侧，以及iii)检测电极，形成在与所述源电极或所述漏电极相同的层上，并且电连接至所述变形层的所述第二侧。
7.根据权利要求6所述的显示设备，进一步包括：
像素电极，电连接至所述漏电极；
发光层，形成在所述像素电极上方；
公共电极，形成在所述发光层上方；
触摸面板，形成在所述公共电极上方；以及
保护膜，布置在所述基板的下部并且由弹性材料形成，
其中所述传感器形成在每个像素中或者针对包括所述多个像素中的至少两个像素的每组形成。
8.根据权利要求6所述的显示设备，其中所述传感器包括彼此相邻的第一传感器和第二传感器，并且
其中所述显示设备进一步包括保护膜，所述保护膜包括：i)第一部分，形成在所述基板的下部的与所述第一传感器相对应的区域中，并且关于被施加至所述基板的压力具有第一变形率，和ii)第二部分，形成在所述基板的下部的与所述第二传感器相对应的区域中，并且关于被施加至所述基板的压力具有大于所述第一变形率的第二变形率。
9.根据权利要求6所述的显示设备，其中所述传感器包括彼此相邻的第一传感器和第二传感器，并且
其中所述显示设备进一步包括保护膜，所述保护膜包括：i)第一部分，形成在所述基板的下部的与所述第一传感器相对应的区域中，并且具有第一厚度，和ii)第二部分，形成在所述基板的下部的与所述第二传感器相对应的区域中，并且具有小于所述第一厚度的第二厚度。
10.一种用于驱动显示设备的方法，包括：
基于检测基板的弯曲和施加至所述基板的压力，测量至少一个检测电压；
确定所述检测电压是否不同于参考电压；以及
如果确定所述检测电压不同于所述参考电压，则检测所述基板的弯曲或施加至所述基板的压力出现，
其中所述测量由至少一个传感器执行，其中所述传感器形成在限定于基板上的多个像素中的至少一个中，并且与形成在所述基板上的薄膜晶体管相邻布置在相同的垂直水平，并且其中所述传感器包括：i)变形层，具有被配置为基于所述基板的弯曲或施加至所述基板的压力中的至少一个而改变的电阻，其中所述变形层包括彼此相对的第一侧和第二侧，ii)驱动电极，电连接至所述变形层的所述第一侧，以及iii)检测电极，电连接至所述变形层的所述第二侧，并且
其中所述检测电压通过向所述驱动电极施加恒定电压并且测量所述检测电极的电压来获得，
其中所述传感器包括彼此相邻的第一传感器和第二传感器，
其中所述测量至少一个检测电压包括测量所述第一传感器的第一检测电压和所述第二传感器的第二检测电压，并且
其中所述确定包括确定所述第一传感器的所述第一检测电压和所述第二传感器的所述第二检测电压不同于所述参考电压；并且
其中所述检测包括：如果所述第一检测电压和所述第二检测电压均不同于所述参考电压，并且所述第一检测电压等于所述第二检测电压，则检测出所述基板的弯曲出现，并且如果所述第一检测电压不同于所述第二检测电压，则检测出在所述基板上出现压力。
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