CN104204284A - 溅射靶、溅射靶的制造方法、钛酸钡薄膜的制造方法和薄膜电容器的制造方法 - Google Patents

溅射靶、溅射靶的制造方法、钛酸钡薄膜的制造方法和薄膜电容器的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种溅射靶，其包括导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体(12)的生成密度小于0.2个/cm2。

Description

溅射靶、溅射靶的制造方法、钛酸钡薄膜的制造方法和薄膜电容器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种溅射靶，特别地，涉及一种用于基板上的高介电薄膜的溅射成膜并且具有导电钛酸钡靶材烧结材料的溅射靶。此外，本发明涉及一种溅射靶的制造方法、使用该溅射靶的钛酸钡薄膜的制造方法和使用该溅射靶的薄膜电容器的制造方法。
背景技术
在形成用于薄膜电容器的钙钛矿型高介电薄膜时，膜是通过使用绝缘溅射靶的高频溅射形成的。然而，因为溅射靶具有绝缘特性，所以不利的是，溅射率低且生产率明显受损。此外，因为溅射使用的是高频电源，所以难以增加溅射装置的尺寸，并且不利的是大型基板上的成膜困难。
因此，为了增大溅射率或为了应用于使用低频电源的溅射装置，已经提出了导电溅射靶。
作为这样的导电溅射靶的示例，已经公开了是如下陶瓷材料的溅射靶：该陶瓷材料在烧制时导致缺氧并且施加1.5V的电压时测得的在靶的板厚度方向上的电阻位于100mΩ·cm至10Ω·cm的范围内。例如，可以以使用BaTiO3粉末作为陶瓷材料的方式制造由BaTiO3-X组分形成的溅射靶，该粉末是通过在真空中1300℃的条件下的热压法烧制而成的(参见下面所述的专利文献1)。
此外，作为导电溅射靶的另一个示例，已经公开了这样的溅射烧结靶材：其是由Ba和Ti的复合氧化物形成的，并且该复合氧化物中的氧含量比理论的氧含量下降了4.9～10％。该溅射烧结靶材以下面的方式制造。首先，在真空或还原性氛围中，使BaTiO3粉末在1200至1450℃的温度和预定的时间保持的条件下的经受减氧热处理，以减少粉末中的氧含量。随后，将粉末磨碎并进行干燥，然后在真空中在温度为1250至1350℃、压力为200kgf/cm2以及保持时间为3小时的条件下对粉末进行热压。这样制得了上述溅射烧结靶材(参见下面所述的专利文献2)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利第3464251号
专利文献2：日本专利第3129046号
发明内容
然而，为了如上所述通过缺氧制造导电溅射靶，需要以比绝缘溅射靶的温度更高的温度对靶材进行烧结。因此，一部分靶材在烧结时熔化和再结晶，且因此，在靶材中形成具有大直径的晶粒聚合体。当这样的含有晶粒聚合体的溅射靶用于低频溅射时，因为晶粒聚合体与周围的晶体在介电常数和电阻率方面是不同的，所以在一部分晶粒聚合体处产生局部静电，这不利地造成电弧放电。此外，因为晶粒聚合体与周围的晶体在热膨胀系数方面是不同的，所以产生了热应力，这可能造成靶材损坏等。因此，上述的导电溅射靶无法应用于低频溅射。
因此，期望提供能够在低频溅射中防止电弧放电的发生以及靶材的损坏并且适用于使用低频电源的大型溅射装置的溅射靶。此外，期望提供这样的溅射靶的制造方法、钛酸钡薄膜的制造方法和薄膜电容器的制造方法。
为了实现这样目的，根据本发明的实施形式的溅射靶包括：导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm或以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2。
在具有这样结构的溅射靶中，所述晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2。换言之，造成诸如发生电弧放电和靶材损坏等的晶粒聚合体的数量极少。
此外，根据本发明的实施形式的溅射靶的制造方法也作为上述溅射靶的制造方法，并且所述方法包括：在空气氛围中对钛酸钡(BaTiO3)粉末进行初次烧制，并且在所述初次烧制之后，对烧制过的钛酸钡(BaTiO3)粉末进行热压。
此外，根据本发明的实施形式的钛酸钡薄膜的制造方法也作为使用上述溅射靶的钛酸钡薄膜的制造方法。此外，根据本发明的实施形式的薄膜电容器的制造方法也作为使用上述溅射靶的薄膜电容器的制造方法。
在根据本发明的实施形式的上述溅射靶中，所述钛酸钡烧结材料的解理面上的所述晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2。因此，当将该溅射靶用于低频溅射时，能够防止电弧放电的发生和靶材的损坏等。如上所述，根据本发明的实施形式的溅射靶能够被应用于低频溅射。此外，根据本发明的实施形式的溅射靶可应用于使用低频电源的大型溅射装置，这使得制造使用大型基板的薄膜电容器成为可能。
附图说明
[图1]图1是通过立体显微镜观察到的根据第一实施形式的溅射靶的图像。
[图2A]图2A是通过立体显微镜观察到的作比较的溅射靶的图像。
[图2B]图2B是图2A的图像的放大图像。
[图3]图3是图示了根据第一实施形式的溅射靶的制造方法的流程图。
[图4]图4是图示了根据第三实施形式的薄膜电容器的结构的横截面示意图。
[图5]图5是图示了根据第三实施形式的与薄膜电容器合并的电路基板的横截面示意图。
[图6]图6是图示了在实施例1中制得的第3号和第64号溅射靶样本的厚度方向上的电阻率的变化的曲线图。
[图7]图7是图示了使用在实施例1中制得的第64号溅射靶样本的溅射率的再现性的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图以下面的顺序说明本发明的一些实施形式。
1.第一实施形式：晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2的靶材
2.第二实施形式：钛酸钡薄膜的制造方法
3.第三实施形式：薄膜电容器的制造方法
注意，使用相同的符号来表示各实施形式共有的组件，并且省略重复的说明。
<1.第一实施形式：晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2的靶材>
<1-1.溅射靶的结构>
图1是通过立体显微镜观察到的应用了本发明的溅射靶的钛酸钡烧结材料(以下，被称为靶材)的解理面的图像(50倍的放大率)。图2A是通过立体显微镜观察到的作比较的靶材的解理面的图像(50倍的放大率)，图2B是图2A的图像的放大图(200倍的放大率)。
应用了本发明的第一实施形式的溅射靶包括平板状的导电靶材1。靶材1由作为主要结晶成分的微晶11形成，且少量的晶粒聚合体12可以分散在大量的微晶11中。图1图示了这样的靶材1的解理面的观察图像。此外，在分散有少量的晶粒聚合体12的情况下的靶材1是解理面上的晶粒聚合体12的生成密度小于0.2个/cm2的钛酸钡烧结材料。
(微晶11)
微晶11是主要构造靶材1的结晶成分，且微晶11的成分是钛酸钡。微晶11的平均粒子直径是约0.5至3μm。此外，以这样的方式形成微晶11：在制造溅射靶的热压工艺中，在不使钛酸钡粉末熔化的情况下对钛酸钡粉末进行加压和烧结，并大致维持热压前的粉末的尺寸。
(晶粒聚合体12)
靶材1中可以分散有少量的晶粒聚合体12，且晶粒聚合体12的成分是与周围的微晶11相似的钛酸钡。以这样的方式形成晶粒聚合体12：在溅射靶的制造工艺的热压时使钛酸钡粉末部分熔化并再结晶。晶粒聚合体12的尺寸大于微晶11的尺寸，并且晶粒聚合体12具有10μm或以上的粒径，特别地，具有约10至80μm的粒径。顺便提及地，当确认靶材中具有80μm或以上的粒径的晶粒聚合体时，不论生成密度如何，该靶材不包含在根据本发明的实施形式的靶材1中。
(晶粒聚合体12的生成密度)
然后说明上述晶粒聚合体12的生成密度的计算方法。以随机的方式解理靶材1，通过立体显微镜(以50倍至100倍的放大率)观察解理面并且对晶粒聚合体12的数量进行计数。此时，仅观察通过解理生成的一对解理面中的一个解理面。例如，以随机的方式数次解理靶材1，且通过立体显微镜在总计50cm2的范围观察生成的多对解理面。在这个观察中，当通过50倍至100倍的放大率的立体显微镜观察可辨认的具有10至80μm的粒径的10个晶粒聚合体12得到确认时，靶材1的解理面中的晶粒聚合体12的生成密度是0.2个/cm2。第一实施形式的溅射靶包括这样的靶材1：其中，通过这样的观察而计算出的具有10至80μm的粒径的晶粒聚合体12的生成密度小于0.2个/cm2。顺便地，靶材1可以优选地不含有晶粒聚合体12，即，晶粒聚合体12的生成密度可以优选是0个/cm2。
在构造第一实施形式的溅射靶的靶材1中，晶粒聚合体12的生成密度小于0.2个/cm2，因此，可以说，基本上不存在晶粒聚合体12。在图1所示的靶材1的解理面上，整个表面由微晶11形成，并没有观察到晶粒聚合体12。另一方面，在图2A所示的作比较的靶材1'的解理面上，观察到微晶11以及许多晶粒聚合体12。如上所述，微晶11具有约0.5至3μm的平均粒径，而晶粒聚合体12具有10至80μm的粒径，且因此它们的尺寸是明显不同的。此外，如图2B的放大图所示，当把图像放大到200倍时，微晶11和晶粒聚合体12在结晶度方面彼此不同，且晶粒聚合体12的结晶取向彼此不同。
(添加物)
此外，第一实施形式的溅射靶可以含有锰(Mn)作为添加物。锰(Mn)的含量是相对于构造钛酸钡烧结材料(靶材1)的钡(Ba)和钛(Ti)的总量的0.25原子％以下。在含有添加物的靶材1中，微晶11与晶粒聚合体12的组成是不同的。
作为添加物的其它示例，第一实施形式的溅射靶可以含有从硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、钒(V)、钽(Ta)、铌(Nb)和铬(Cr)中选择的一种或两种及以上的元素。此外，第一实施形式的溅射靶可以同时含有锰和上述元素。
此外，靶材1可以含有任何上述元素的氧化物作为添加物。例如，靶材1可以含有氧化锰(Mn2O3)作为添加物。
(导电性)
此外，靶材1具有0.1至10Ω·cm的厚度方向上的电阻率。该电阻率表明靶材1的缺氧状态是充分的。换言之，构造靶材1的钛酸钡处于缺氧状态，并且钛酸钡的组成是BaTiO3-X。
此外，在靶材1中，厚度方向上的电阻率的变化在±10％以内。换言之，当测量通过在厚度方向上刮削靶材1而形成的暴露表面的电阻率时，各厚度处的表面的电阻率变化在±10％以内。这表明：靶材1的组成在靶材1的表面和内部没有变化并且是均一的，并且在靶材1的厚度方向上，缺氧状态不仅在表面上而且在内部也是充分的。
<1-2.溅射靶的制造方法>
接着，根据图3的流程图说明设置有具有上述结构的靶材1的溅射靶的制造方法。
首先，在步骤101之前，制备成分比为Ba:Ti＝1:1的钛酸钡(BaTiO3)粉末。钛酸钡(BaTiO3)粉末的制造方法没有限制，可以通过诸如固相法、草酸法、水热法和溶胶-凝胶法等典型方法制造钛酸钡(BaTiO3)粉末。例如，以这样的方式形成钛酸钡(BaTiO3)粉末：将碳酸钡(BaCO3)粉末和氧化钛(TiO2)粉末混合，然后以约1000℃的温度对混合物进行煅烧。
顺便提及地，只要能够获得本发明的效果，上述钛酸钡(BaTiO3)粉末的成分比不限于Ba:Ti＝1:1。
(步骤101：BaTiO3粉末的初次烧制)
接着，使制备的钛酸钡(BaTiO3)粉末在含氧氛围中经受初次烧制(步骤101)。例如，可以在空气氛围中，在1000至1200℃的温度和3小时的保持时间的条件下进行初次烧制。此时，特征在于，不是在真空中而是在含氧空气氛围中使钛酸钡粉末积极地氧化。此外，氛围没有限制，只要该氛围含氧即可。
(步骤102：添加物的混合)
其后，将含锰(Mn)的添加物与初次烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末混合(步骤102)。此时，混合添加物以使锰(Mn)的比率是相对于构成钛酸钡(BaTiO3)粉末的钡(Ba)和钛(Ti)的总量的0.25原子％以下。此外，例如，氧化锰(Mn2O3)粉末作为锰的氧化物用于上述含锰(Mn)的添加物。氧化锰(Mn2O3)的制造方法没有限制，例如，可以通过在空气氛围中以600℃对碳酸锰(MnCO3)进行煅烧来制备氧化锰(Mn2O3)。
考虑到热压时的氧解吸特性，要被混合的添加物可以优选含有这样的元素：上述元素的热压温度附近的氧化物生成自由能等于或高于氧化钡或氧化钛的氧化物生成自由能的元素。
作为满足这样条件的添加物，可以优选使用锰的氧化物，尤其Mn2O3是优选的；然而，可以使用下面所述的其它元素的单质或氧化物。例如，作为含锰(Mn)的添加物，可以使用MnO、MnO2或Mn3O4。可替代地，作为含硅(Si)的添加物，可以使用SiO或SiO2。作为含铝(Al)的添加物，可以使用α-Al2O3。作为含镁(Mg)的添加物，可以使用MgO。作为含钒(V)的添加物，可以使用V2O3、V2O4或V2O5。作为含钽(Ta)的添加物，可以使用Ta2O5或TaO2。作为含铌(Nb)的添加物，可以使用NbO、NbO2、Nb2O3或Nb2O5。作为含铬(Cr)的氧化物，可以使用Cr2O3。此外，可以一起使用这些添加物中的多种添加物。
(步骤103：热压)
其后，对初次烧制后的混合有添加物的钛酸钡(BaTiO3)粉末进行热压(步骤103)。此时，例如，在空气氛围中以150kgf/cm2的压力和1270至1340℃的温度进行热压。顺便提及地，不一定在空气氛围中进行热压，可以在真空中或在惰性气体中进行热压。
下面说明热压的详情。
首先，在圆柱形的外模具内设置圆柱形的内模具。此外，在内模具中从下侧依次设置下模冲和平板状的垫片。随后，将钛酸钡粉末放置在垫片上，然后使钛酸钡粉末变平整而没有任何间隙。然后，将垫片和上模冲依次设置在钛酸钡粉末上。此外，在制成多个烧结材料的情况下，在一对上模冲和下模冲之间重复地堆叠垫片和钛酸钡粉末。此时，进行这样的设置以使钛酸钡粉末布置在内模具的轴向的中心。
通过将钛酸钡粉末夹在一对平板状垫片之间将钛酸钡粉末模制成平板状。此外，因为基本消除了垫片与内模具之间以及模冲与内模具之间的间隙，所以将钛酸钡粉末被置于几乎不与外部空气接触的状态。换言之，钛酸钡粉末被置于基本气密的状态。
随后，将如上所述设置有钛酸钡粉末的外模具装载到热压装置上以使外模具处于预定的状态。然后，装置中的挤压杆在外模具的轴向上挤压模冲，并且外模具被加热。以这样的方式，通过挤压和加热对钛酸钡(BaTiO3)粉末进行热压，以制成钛酸钡(BaTiO3-X)烧结材料。
完成热压之后，释放挤压杆，从热压装置中取出钛酸钡烧结材料及外模具并使它们逐渐冷却，并且进一步冷却至接近室温。此时，直至冷却完成才从外模具中取出钛酸钡烧结材料，从而维持钛酸钡烧结材料的基本气密状态。
通过上述的步骤，由钛酸钡(BaTiO3)粉末制成钛酸钡(BaTiO3-X)烧结材料以获得靶材1。因此，靶材1具有这样的特征：解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体12的生成密度小于0.2个/cm2。
注意，可以省略步骤102的添加物的混合。在这种情况下，在步骤101的初次烧制之后，进行步骤103的热压。
<1-3.第一实施形式的效果>
上述的第一实施形式的溅射靶具有这样的导电靶材1：该靶材的解理面上的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2。在上述溅射靶中，在低频溅射中导致电弧放电的发生和靶材的损坏等的晶粒聚合体的数量是极少的，没有几个晶粒聚合体。因此，当上述溅射靶被用于低频溅射时，能够防止电弧放电的发生和靶材的损坏等。以这样的方式，本发明的实施形式的溅射靶可用于低频溅射。
此外，当第一实施形式的溅射靶用于高频溅射时，与绝缘靶材相比，能够提高溅射率。
此外，第一实施形式的溅射靶含有锰(Mn)。如后面将在实施例中所述，在溅射靶的制造过程中添加锰会更加有效地抑制晶粒聚合体的生成。因此，当含锰的溅射靶用于低频溅射时能够防止电弧放电的发生和靶材的损坏等等。此外，锰是有效提高介电质的电学特性的元素。因此，由于使用含锰的溅射靶的溅射，通过溅射而形成的介电膜具有良好的特性。
此外，在第一实施形式的溅射靶中，厚度方向上的电阻率的变化在±10％以内。换言之，靶材1的成分在靶材1的表面和内部没有变化并且是均一的，并且在靶材1的厚度方向上，缺氧状态不仅在表面上而且在内部也是充分的。当在溅射中使用这样的溅射靶时，能够通过溅射形成具有不随时间变化的均一的膜成分的膜。
此外，在第一实施形式的溅射靶的制造方法中，在热压之前在空气氛围中对钛酸钡(BaTiO3)粉末进行初次烧制。通过以这样的方式在含氧的空气氛围中进行初次烧制，钛酸钡粉末的晶体表面被氧化和钝化，从而使晶体的状态稳定化。因此，防止了钛酸钡粉末在热压时部分熔化和再结晶。此外，通过在空气氛围中的初次烧制提高了钛酸钡粉末的结晶度。因此，能够抑制热压时晶粒聚合体的生成，并使得能够将含有极少晶粒聚合体的钛酸钡烧结材料制成靶材。
此外，在第一实施形式的溅射靶的制造方法中，能够在空气氛围中进行热压。因此，如后面将在实施例中所述，与在真空中进行热压的情况相比，不需要抽真空的时间并且缩短了热压步骤的时间。因此，能够提高制造效率。
<2.第二实施形式：钛酸钡薄膜的制造方法>
接着，说明根据第二实施形式的钛酸钡薄膜的制造方法。
在根据第二实施形式的钛酸钡薄膜的制造方法中，借助于第一实施形式所述的溅射靶进行溅射成膜。包含于上述溅射靶中的靶材具有导电性且具有0.2个/cm2的晶粒聚合体生成密度，因而当将上述溅射靶用于低频溅射时能够防止电弧放电的发生和靶材的损坏等。因此，在借助于该溅射靶的溅射成膜中，不限于高频电源而能够使用低频电源，或可以使用低频和高频组合的电源。此外，通过卷对卷式溅射装置的溅射成膜是可能的。此外，能够使用用于制造平板显示器(FPD)的大型溅射装置来制造作为介电膜的钛酸钡薄膜。
(第二实施形式的效果)
在上述的第二实施形式的钛酸钡薄膜的制造方法中，使用第一实施形式所述的溅射靶来进行溅射成膜。因此，能够通过低频溅射稳定地制造钛酸钡薄膜。
<3.第三实施形式：薄膜电容器的制造方法>
接着，说明根据第三实施形式的薄膜电容器的制造方法。图4图示了第三实施形式中制得的薄膜电容器。图5图示了与图4所示的薄膜电容器合并的电路基板。
在根据第三实施形式的薄膜电容器30的制造方法中，首先，通过使用第一实施形式中所述的溅射靶的溅射成膜，将钛酸钡薄膜20形成在第一电极23上，然后，在钛酸钡薄膜20上形成第二电极25。
以这样的方式，如图4所示，制得具有这样结构的薄膜电容器30：其中，钛酸钡薄膜20被夹在彼此相对的第一电极23和第二电极25之间。在这里，图4所示的第一电极23可以是例如由镍形成的金属箔。第二电极25例如可以具有两层结构，并且由设置在钛酸钡薄膜20上的镍层25-1和设置在镍层25-1上的铜层25-2构成。
例如，可以将在上述制造方法中制得的薄膜电容器30并入电路基板并使用。
如图5所示，在作为双面基板的电路基板中，在基板33的第一面上设置层间绝缘膜35，且将薄膜电容器30嵌入在层间绝缘膜35中。此外，在层间绝缘膜35内和层间绝缘膜35上设置电极层34(34a和34b)。各层中的电极层34通过通孔彼此连接，且一部分电极层34(34b)连接到薄膜电容器30的第二电极25。此外，层间绝缘膜35覆盖有保护绝缘膜36。保护绝缘膜36具有与层间绝缘膜35上的电极层34(34a和34b)相对应的孔36a。
另一方面，在基板33的第二面上设置层间绝缘膜35'。此外，在层间绝缘膜35'内和层间绝缘膜35'上设置电极层34'(34'a和34'b)，且各层中的一部分电极层34'通过通孔彼此连接。此外，层间绝缘膜35'覆盖有保护绝缘膜36'。保护绝缘膜36'具有与层间绝缘膜35'上的电极层34(34'a和34'b)相对应的孔36'a。
此外，设置穿透基板33的贯通孔37，贯通孔37将基板33的第一面侧的电极层34与基板33的第二面侧的电极层34'连接。此外，贯通孔37将一部分电极层34(34a)和一部分电极层34'(34'a)与薄膜电容器30的第一电极23连接。此外，薄膜电容器30的第二电极25具有孔25a，孔25a的直径比贯通孔37的直径大，且通孔37通过孔25a。
此外，薄膜电容器30的第一电极23和第二电极25彼此电绝缘，并连接到彼此不同的电极层34(34a和34b)。层间绝缘膜35上的电极层34(34a)通过通孔和贯通孔37连接至第一电极23，且层间绝缘膜35上的电极层34(34a)是第一电极23的取出部。另一方面，层间绝缘膜35上的电极层34(34b)通过通孔连接至第二电极25，且层间绝缘膜35上的电极层34(34b)是第二电极25的取出部。此外，类似地，在层间绝缘膜35'上，电极层34'(34'a)连接到第一电极23且电极层34'(34'b)连接到第二电极23(未图示)，电极层34'(34'a)和电极层34'(34'b)是各自电极的取出部。这些电极层34(34a和34b)和34'(34'a和34'b)作为薄膜电容器30的外部端子，并且连接至外部器件以驱动薄膜电容器30。
<第三实施形式的效果>
在根据如上所述的第三实施形式的薄膜电容器的制造方法中，使用第一实施形式中所述的溅射靶进行溅射成膜。因此，能够通过低频溅射稳定地制造钛酸钡薄膜。因此，能够适用于使用低频电源的大型溅射装置，且使得制造使用大型基板的薄膜电容器成为可能。
实施例1
<靶材的制造>
如将在下面所述，制造靶材样本1至92。每个靶材的尺寸是直径为200mm且厚度为5mm。
在样本1至17中，在不混合添加物的情况下制造靶材。
另一方面，在样本18至92中，通过混合氧化锰(Mn2O3)作为添加物来制造靶材。其中，在样本18至41中，混合氧化锰(Mn2O3)以使锰(Mn)相对于构成钛酸钡(BaTiO3)粉末的钡(Ba)和钛(Ti)的总量的比率是0.05％。在样本42至76中，混合氧化锰(Mn2O3)以使上述的锰的比率是0.15％；在样本77至92中，上述的锰的比率是0.25％。
在下面的表1A至4A中，示出了针对锰(Mn)的每种添加量的各个样本的制造条件。下面，将根据表格说明每个样本的制造工序的详情。
[表1A]
Mn：无
[表2A]
Mn：0.05％
[表3A]
Mn：0.15％
[表4A]
Mn：0.25％
(靶材样本1和2的制造工序)
说明靶材样本1和2的制造工序(参见表1A)。在这种情况下，仅进行用于第一实施形式的在前说明的图3中所示流程中的步骤103的热压。
首先，准备成分比为Ba:Ti＝1:1的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
然后，如第一实施形式所述，将钛酸钡(BaTiO3)粉末置于模具内，并将模具设置在热压装置内。然后，在空气氛围中，以150kgf/cm2的压力和以表1A中所示的各温度(1280℃和1290℃)进行热压。此时，开始加压和加热并且温度达到设定温度之后，停止挤压杆的位移。然后，从此时起经过10分钟之后，释放挤压杆的压力超过30分钟。当完成压力释放时，结束设定温度的保持。
其后，从热压装置中取出钛酸钡烧结材料及模具并使它们逐渐冷却，并进一步冷却至接近室温。完成冷却之后，从模具中取出钛酸钡烧结材料，并对钛酸钡烧结材料进行面加工，以获得具有200mm直径和5mm厚度的靶材。
(靶材样本3至17的制造工序)
靶材样本3至17的制造工序与靶材样本1和2的制造工序的不同之处在于：在热压之前进行初次烧制(参见表1A)。换言之，进行图3中所示流程中的步骤101的初次烧制和步骤103的热压。
首先，准备成分比为Ba:Ti＝1:1的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
随后，将钛酸钡(BaTiO3)粉末置于纯度为99.7％的铝护套中，并且在空气氛围中，在表1A中所示的各温度(950至1200℃)和3小时的保持时间这样的条件下进行初次烧制。
其后，与样本1和2一样，将初次烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末放置在模具内，并将模具设置在热压装置内。然后，在空气氛围中，以150kgf/cm2的压力和以表1A中所示的各温度(1280至1310℃)进行热压。
其后，从热压装置中取出钛酸钡烧结材料及模具并使它们逐渐冷却，并且使它们进一步冷却至接近室温。完成冷却之后，从模具中取出钛酸钡烧结材料，并对钛酸钡烧结材料进行面加工以获得具有200mm直径和5mm厚度的靶材。
(靶材样本18、19和42至46的制造工序)
靶材样本18、19和42至46的制造工序与靶材样本1和2的制造工序的不同之处在于：在热压之前，混合锰(参见表2A和3A)。换言之，进行图3中所示流程中的步骤102的添加物的混合和步骤103的热压。
首先，准备成分比为Ba:Ti＝1:1的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
接着，将钛酸钡(BaTiO3)粉末与氧化锰(Mn2O3)粉末混合。此时，进行称重以使Mn相对于Ba和Ti的总量的比率为预定的比率(0.05原子％和0.15原子％)，并且由湿式球磨机进行8个小时的混合，接着进行干燥。由此，获得了混合有氧化锰的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
其后，如同样本1和2一样，将混合有氧化锰的钛酸钡(BaTiO3)粉末放置在模具内，并将模具设置在热压装置内。然后，在空气氛围中，以150kgf/cm2的压力和表2A或3A中所示的各温度(1280至1330℃)进行热压。
其后，从热压装置中取出含锰的钛酸钡烧结材料及模具并使它们逐渐冷却，并且使它们进一步冷却至接近室温。完成冷却之后，从模具中取出钛酸钡烧结材料，并对钛酸钡烧结材料进行面加工以获得具有200mm直径和5mm厚度的靶材。
(靶材样本20至41和47至92的制造工序)
靶材样本20至41和47至92的制造工序与靶材样本1和2的制造工序的不同之处在于：热压之前进行初次烧制，并混合锰(参见表2A、3A和4A)。换言之，如图3的流程图中所示地进行步骤101的初次烧制、步骤102的添加物的混合和步骤103的热压。
首先，准备成分比为Ba:Ti＝1:1的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
随后，将钛酸钡(BaTiO3)粉末放置在纯度为99.7％的铝护套内，并且在空气氛围中，在表2A、3A或4A中所示的各温度(950至1200℃)和3小时的保持时间这样的条件下进行初次烧制。
其后，将初次烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末与氧化锰(Mn2O3)混合。此时，进行称重以使Mn相对于Ba和Ti的总量的比率为预定的比率(0.05原子％和0.15原子％)，并且由湿式球磨机进行8个小时的混合，接着进行干燥。由此，获得了混合有氧化锰的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
其后，如同样本1和2那样，将初次烧制的混合有氧化锰的钛酸钡(BaTiO3)粉末放置在模具内，并将模具设置在热压装置内。然后，在空气氛围中，以150kgf/cm2的压力和表2A、3A或4A中所示的各温度(1280至1360℃)进行热压。
其后，从热压装置中取出含锰的钛酸钡烧结材料及模具并使它们逐渐冷却，并且使它们进一步冷却至接近室温。完成冷却之后，从模具中取出钛酸钡烧结材料，并对钛酸钡烧结材料进行面加工以获得具有200mm直径和5mm厚度的靶材。
<实施例1的评估>
关于如上制得的靶材样本1至92，如下所述地检查晶粒聚合体的生成密度、电阻率和靶材的密度这三个条件。
(1)晶粒聚合体的生成密度
以随机的方式多次解理靶材的一半，并通过立体显微镜以50倍或100倍的放大率在约50cm2的范围观察多对解理面。此时，仅观察通过解理而生成的一对解理面中的一个面。作为上述的观察结果，将具有10至80μm粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2的样本判定为适合(○)，并将其它的样本判定为不适合(×)。
(2)电阻率
借助于四探针法测量靶材的电阻率。将电阻率在0.1至10Ωcm的范围内并且靶材的厚度方向上的电阻率变化在±10％以内的样本判定为适合(○)，并将其它的样本判定为不适合(×)。
(3)靶材的密度
测量靶材的体积和重量，将由此计算出的密度等于或大于95％的样本判定为适合(○)，并将其它的样本判定为不适合(×)。
下面的表1B至表4B示出了上述三项的评估结果。注意，在表1B至表4B中，列方向表示初次烧制温度，行方向表示热压温度并且在两个方向交叉的框内示出评估结果。表1B至表4B分别示出了与表1A至表4A同样的样本。
[表1B]
〈第1至17号样本〉
注：   (1)晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2
       (2)满足电阻率的条件的范围
      ×    (3)不满足靶材的密度的条件的范围
      ◎    满足(1)至(3)的本发明的适合范围
       第1至17号样本的执行领域
[表2B]
〈第18至41号样本〉
注：   (1)晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2的范围
       (2)满足电阻率的条件的范围
      ×    (3)不满足靶材的密度的条件的范围
      ◎    满足(1)至(3)的本发明的适合范围
       第18至41号样本的执行领域
[表3B]
〈第42至76号样本〉
注：(1)晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2的范围
   (2)满足电阻率的条件的范围
   ×    (3)不满足靶材的密度的条件的范围
   ◎    满足(1)至(3)的本发明的适合范围
   第42至76号样本的执行领域
[表4B]
〈第77至92号样本〉
注：(1)晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2的范围
   (2)满足电阻率的条件的范围
   ×    (3)不满足靶材的密度的条件的范围
   ◎    满足(1)至(3)的本发明的适合范围
   第77至92号样本的执行领域
<实施例1的评估结果>
从表1B至表4B明显可知，在高达1200℃的初次烧制温度的范围内，随着初次烧制温度更高，满足(1)晶粒聚合体的生成密度的热压温度的范围就更宽且满足(2)电阻率的热压温度的范围也更宽。此外，随着初次烧制温度越高，既满足(1)晶粒聚合体的生成密度又满足(2)电阻率的热压温度的范围就越宽。
此外，从表1B至表3B明显可知，在没有初次烧制的条件下或在950℃的初次烧制温度的条件下，不存在既满足(1)晶粒聚合体的生成密度又满足(2)电阻率的热压温度的条件。因此，可以优选地在高于950℃的温度进行初次烧制。
此外，从表1B至表4B明显可知，在表1B(没有添加锰)中，满足(1)晶粒聚合体的生成密度、(2)电阻率和(3)靶材的密度所有这三项条件的热压温度位于1280至1290℃的范围内(初次烧制：1150℃)。在表2B(锰：0.05原子％)中，满足上述(1)至(3)的热压温度位于1290至1310℃的范围内(初次烧制：1150℃)。在表3B(锰：0.15原子％)中，满足上述(1)至(3)的热压温度位于1300至1320℃的范围内(初次烧制：1050至1150℃)。在表4B(锰：0.25原子％)中，满足上述(1)至(3)的热压温度位于1330至1350℃的范围内(初次烧制：1200℃)。因此，在锰含量为0.25原子％以下的确认范围内，通过锰(Mn2O3)的添加扩大了初次烧制后的热压温度的范围，即，恰当温度的范围。在这种情况下，典型地，如下的情况在热压装置中很平常：装置上显示的温度与烧结材料的实际温度之间出现约10℃的误差。因此，当使用这样的难以调整烧结材料的实际温度的热压装置时，添加氧化锰(Mn2O3)扩大了热压温度的范围，这使得易于制造靶材。
此外，从表1B至表4B明显可知，当添加氧化锰(Mn2O3)以使锰(Mn)的含量低于0.25原子％(对应于表2B和3B)时，既满足(1)晶粒聚合体的生成密度又满足(2)电阻率这两项条件的初次烧制温度的范围和热压温度的范围均得到扩大。上述温度范围分别被扩大，这使得易于控制初次烧制温度和热压温度，且因此，靶材的制造变得容易。
此外，从表1B至表3B明显可知，在使位于上述各个步骤的温度范围能够被扩大的锰含量低于0.25原子％的范围内，当初次烧制温度位于1200℃时，存在不满足(3)靶材的密度这一条件的样本。因此，当在低于1200℃的温度进行初次烧制时，能够获得具有宽的热压温度范围、满足上述所有条件(1)至(3)的靶材。
此外，作为示例，关于靶材样本3和64，图6示出了靶材的厚度方向上的电阻率变化。在靶材样本3中，尽管电阻率位于0.1至10Ωcm的范围内，但是电阻率从具有1mm厚度的表面朝着具有5mm厚度的表面变化，并且变化了约±30％。靶材样本3被判定为不适合(×)。另一方面，在靶材样本64中，电阻率位于0.1至10Ωcm的范围内且电阻率从具有1mm厚度的表面朝着具有5mm厚度的表面几乎没有变化。靶材样本64被判定为适合(○)。
注意，在表1B至表4B中的各表中，实验的所有执行领域被虚线围绕。在被虚线围绕的范围之外的范围中，既不满足(1)晶粒聚合体的生成密度又不满足(2)电阻率，且因此，表中未示出它们的结果。此外，当初次烧制温度超过1200℃时，烧制的钛酸钡粉末之间的缩口力增强且后续的分解是困难的，且因此，表中未示出它们的结果。
比较例1
<靶材的制造>
在比较例1中，通过在初次烧制之前混合添加物来制造靶材。以与实施例1类似的方式进行靶材的制造，除了混合添加物的时间与实施例1不同。下面的表5示出了各个样本的制造条件。接着将说明每个样本的制造工序的详情。
(靶材样本93至95的制造工序)
首先，在使钛酸钡(BaTiO3)粉末经受初次烧制之前，将钛酸钡(BaTiO3)粉末与氧化锰(Mn2O3)混合。此时，进行称重以使Mn相对于Ba和Ti的总量的比率是0.15原子％，并且由湿式球磨机进行8个小时的混合，接着进行干燥。
接着，在1100℃进行初次烧制以获得混合有氧化锰的钛酸钡(BaTiO3)粉末。
其后，与实施例1的样本1和2一样，在进行热压之后，从热压装置中取出钛酸钡烧结材料及模具并使它们逐渐冷却，并且使它们进一步冷却至接近室温。完成冷却之后，从模具中取出钛酸钡烧结材料，并对钛酸钡烧结材料进行面加工以获得具有200mm直径和5mm厚度的靶材。
<比较例1的评估>
与实施例1类似地评估以上述方式获得的靶材样本93至95。下面的表5示出了结果。
[表5]
Mn：0.15％
<比较例1的评估结果>
将表5中的样本93至95的实验结果与在实施例1中制得的表3A中的样本63至65的实验结果(它们的混合添加物的时间不同)进行比较。样本93至95和样本63至65在初次烧制和热压的温度条件及靶材的锰含量方面相同。在初次烧制之前混合氧化锰(Mn2O3)的表5中的样本93至95中，仅没有满足(1)晶粒聚合体的生成密度，或者(1)晶粒聚合体的生成密度、(2)电阻率和(3)靶材的密度都没有满足。另一方面，在混合时间不同且都是在初次烧制之后混合氧化锰(Mn2O3)的表3A中的样本63至65中，(1)晶粒聚合体的生成密度、(2)电阻率和(3)靶材的密度都得到满足。因此，可以确认，当不是在初次烧制之前而是初次烧制之后混合氧化锰(Mn2O3)时，能够制造具有小于0.2个/cm2的晶粒聚合体生成密度的根据本发明的实施形式的导电靶材。
比较例2
<靶材的制造>
在比较例2中，混合碳酸锰(MnCO3)作为添加物以制造靶材。除了在实施例1中使用氧化锰(Mn2O3)作为添加物之外，在比较例2中在类似于实施例1的条件下以类似于实施例1的样本63至65的方式制造靶材。下面的表6示出了各个样本的制造条件。接着将说明每个样本的制造工序的详情。
(靶材样本96至98的制造工序)
首先，与实施例1中的在本发明的适用范围内的样本63至65类似，在实施例1中被确认为适合温度的1100℃的温度下进行钛酸钡(BaTiO3)粉末的初次烧制。
随后，将烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末与碳酸锰(MnCO3)混合。此时，进行称重以便使Mn相对于Ba和Ti的总量的比率是0.15原子％，并且由湿式球磨机进行8个小时的混合，接着进行干燥。
其后，与实施例1的样本63至65类似，在实施例1中被确认为适合温度的1300至1320℃的温度下进行热压。其后，从热压装置中取出钛酸钡烧结材料及模具并使它们逐渐冷却，并且使它们进一步冷却至接近室温。完成冷却之后，从模具中取出钛酸钡烧结材料，并对钛酸钡烧结材料进行面加工以获得具有200mm直径和5mm厚度的靶材。
<比较例2的评估>
与实施例1类似地评估以上述的方式获得的靶材样本96至98。下面的表6示出了结果。
[表6]
Mn：0.15％
<比较例2的评估结果>
将表6中的样本96至98的实验结果与表3A中的样本63至65的实验结果(它们在使用的添加物方面彼此不同)进行比较。样本96至98和样本63至65在初次烧制和热压的温度条件及靶材的锰含量方面相同。在使用碳酸锰(MnCO3)作为添加物的表9中的样本96至98中，不满足(1)晶粒聚合体的生成密度、(2)电阻率和(3)靶材的密度中的任两个条件。另一方面，在使用氧化锰(Mn2O3)代替碳酸锰(MnCO3)作为添加物的表3A中的样本63至65中，满足(1)晶粒聚合体的生成密度、(2)电阻率和(3)靶材的密度中的所有条件。因此，可以确认，当使用氧化锰(Mn2O3)代替碳酸锰(MnCO3)作为添加物时，可以制造具有小于0.2个/cm2的晶粒聚合体的生成密度的根据本发明的实施形式的导电靶材。
实施例2
<使用溅射靶的溅射成膜>
如将在下面所述，使用具有靶材样本64的溅射靶进行溅射成膜A和B，靶材样本64是实施例1中制得的且具有小于0.2个/cm2的晶粒聚合体的生成密度的根据本发明的实施形式的导电靶材。
(溅射成膜A)
首先，准备具有在实施例1中制得的靶材样本64的两个溅射靶并且将这两个溅射靶附着于溅射装置。在这两个溅射靶之间连接AC电源(50kHz)，并调整氩和氧以使氧分压变为0.005Pa。以上述的方式准备溅射装置。
然后，使用该溅射装置以在AC电源的功率密度为2W/cm2和成膜时间为30分钟的条件下放电，从而进行溅射成膜。以下面的方式重复上述溅射成膜。首先，第一天，连续5次进行上述条件的溅射成膜，并且第二天连续5次进行类似的溅射成膜。图7示出了结果。
(溅射成膜B)
此外，除了将AC电源的功率密度变化为5.5W/cm2之外，以与上述溅射成膜A类似的方式重复溅射成膜。因此，获得35纳米/分钟的平均溅射率。
<实施例2的评估结果>
在上述的溅射成膜A和B的两个示例中，重复溅射成膜；然而，未出现诸如发生电弧放电和靶材损坏等缺点。因此，可以确认，当使用含有小于0.2个/cm2的晶粒聚合体的生成密度的靶材的溅射靶时，可以在没有诸如电弧放电的发生和靶材的损坏等缺点的情况下使用AC电源进行溅射成膜。
此外，作为图7中所示的溅射成膜A的结果，获得了15纳米/分钟的平均溅射率。此外，作为上述的溅射成膜B的结果，获得了35纳米/分钟的平均溅射率。因此，当使用含有导电靶材的溅射靶时，能够在使用AC电源的溅射成膜中获得高的溅射率。
此外，从图7明显可知，溅射率的变化小于±1％。因此，在使用在靶材的厚度方向上的电阻率变化在±10％以内的溅射靶的溅射成膜中，能够在溅射率不随时间而变化的情况下进行具有高再现性的稳定的溅射成膜。
实施例3
<薄膜电容器的制造>
如将在下面所述，进行使用含有在实施例1中制得的靶材样本64的溅射靶的溅射成膜，并制造图4所示的薄膜电容器30。
首先，制备事先经过热处理且具有50μm厚度的镍(Ni)箔，并对镍箔的一个表面进行研磨以使该表面的粗糙度变为Rz＝0.1μm、Ra＝0.01μm。由此，获得薄膜电容器30的第一电极23。
接着，使用含有在实施例1中制得的靶材样本64的溅射靶，如同实施例2那样地准备溅射装置，并以2W/cm2的AC电源功率密度进行溅射成膜。此时，在镍箔的第一电极23上形成具有约500nm厚度的钛酸钡薄膜20。随后，以900℃进行退火处理。
其后，通过溅射将镍(Ni)膜形成在钛酸钡薄膜20上以形成具有200nm厚度的镍金属箔24。随后，通过溅射和电镀在金属箔24上形成铜(Cu)膜以形成具有5μm厚度的电极层34。由此，在钛酸钡薄膜20上形成了具有金属箔24和电极层34这样的双层结构的第二电极25。
通过上述的步骤，获得图4所示的具有如下结构的薄膜电容器30：其中，钛酸钡薄膜20夹在彼此面对的第一电极23与第二电极25之间。
<示例3的评估结果>
从上述的结果可以确认：当使用根据本发明的实施形式的溅射靶时，能够通过使用AC电源的大型溅射装置对诸如薄膜电容器等大型基板进行薄膜成膜。
注意，可以如下地构造本发明。
(1)
一种溅射靶，其包括：导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2。
(2)
根据(1)所述的溅射靶，其中，含有锰(Mn)。
(3)
根据(1)或(2)所述的溅射靶，其中，含有锰(Mn)的氧化物。
(4)
根据(2)或(3)所述的溅射靶，其中，所述锰(Mn)的含量相对于构成所述钛酸钡烧结材料的钡(Ba)和钛(Ti)的总量等于或小于0.25原子％。
(5)
根据(1)至(4)中任一项所述的溅射靶，其中，含有从硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、钒(V)、钽(Ta)、铌(Nb)和铬(Cr)中选择的一种或两种或更多的元素。
(6)
根据(1)至(5)中任一项所述的溅射靶，其中，含有从硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、钒(V)、钽(Ta)、铌(Nb)和铬(Cr)中选择的一种或两种或更多的元素的氧化物。
(7)
根据(1)至(6)中任一项所述的溅射靶，其中，
在厚度方向上的电阻率为0.1至10Ω·cm，且
在厚度方向上的电阻率的变化在±10％以内。
(8)
一种溅射靶的制造方法，所述方法包括以下步骤：
在含氧氛围中对钛酸钡(BaTiO3)粉末进行初次烧制；并且
在所述初次烧制之后，对烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末进行热压。
(9)
根据(8)所述的溅射靶的制造方法，其中，在所述初次烧制之后并且在将含有锰(Mn)的添加物与烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末进行混合以使锰(Mn)相对于构成钛酸钡(BaTiO3)粉末的钡(Ba)和钛(Ti)的总量的比率等于或低于0.25原子％之后，才进行所述热压。
(10)
根据(9)所述的溅射靶的制造方法，其中，使用氧化锰(Mn2O3)作为所述含有锰(Mn)的添加物。
(11)
根据(8)至(10)中任一项所述的溅射靶的制造方法，其中，在空气氛围中进行所述热压。
(12)
一种钛酸钡薄膜的制造方法，所述方法包括以下步骤：
准备含有导电的钛酸钡烧结材料的溅射靶，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2；并且
使用所述溅射靶进行溅射成膜。
(13)
根据(12)所述的钛酸钡薄膜的制造方法，其中，在进行所述溅射成膜过程中，使用利用低频电源的溅射装置。
(14)
一种薄膜电容器的制造方法，所述方法包括以下步骤：
在第一电极上通过使用溅射靶进行溅射成膜来形成钛酸钡薄膜，所述溅射靶含有导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2；并且
在所述钛酸钡薄膜上形成第二电极。
本申请依据并且主张享有于2012年4月2日向日本专利局提交的日本专利申请第2012-84057号的优先权的权益，并将该申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本领域技术人员应当理解，依据设计要求和其他因素，可以在本发明随附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次组合以及改变。

Claims (14)

1.一种溅射靶，其包括：导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2。
2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，含有锰(Mn)。
3.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，含有锰(Mn)的氧化物。
4.根据权利要求2所述的溅射靶，其中，锰(Mn)的含量相对于构成所述钛酸钡烧结材料的钡(Ba)和钛(Ti)的总量等于或小于0.25原子％。
5.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，含有从硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、钒(V)、钽(Ta)、铌(Nb)和铬(Cr)中选择的一种或两种或更多的元素。
6.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，含有从硅(Si)、铝(Al)、镁(Mg)、钒(V)、钽(Ta)、铌(Nb)和铬(Cr)中选择的一种或两种或更多的元素的氧化物。
7.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，
在厚度方向上的电阻率为0.1至10Ω·cm，且
在厚度方向上的电阻率的变化在±10％以内。
8.一种溅射靶的制造方法，所述方法包括以下步骤：
在含氧氛围中对钛酸钡(BaTiO3)粉末进行初次烧制；并且
在所述初次烧制之后，对烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末进行热压。
9.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其中，在所述初次烧制之后并且在将含有锰(Mn)的添加物与烧制的钛酸钡(BaTiO3)粉末进行混合以使锰(Mn)相对于构成钛酸钡(BaTiO3)粉末的钡(Ba)和钛(Ti)的总量的比率等于或低于0.25原子％之后，才进行所述热压。
10.根据权利要求9所述的溅射靶的制造方法，其中，使用氧化锰(Mn2O3)作为所述含有锰(Mn)的添加物。
11.根据权利要求8所述的溅射靶的制造方法，其中，在空气氛围中进行所述热压。
12.一种钛酸钡薄膜的制造方法，所述方法包括以下步骤：
准备含有导电的钛酸钡烧结材料的溅射靶，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2；并且
使用所述溅射靶进行溅射成膜。
13.根据权利要求12所述的钛酸钡薄膜的制造方法，其中，在进行所述溅射成膜中，使用利用低频电源的溅射装置。
14.一种薄膜电容器的制造方法，所述方法包括以下步骤：
在第一电极上通过使用溅射靶进行溅射成膜来形成钛酸钡薄膜，所述溅射靶含有导电的钛酸钡烧结材料，所述钛酸钡烧结材料在解理面上的具有10μm以上粒径的晶粒聚合体的生成密度小于0.2个/cm2；并且
在所述钛酸钡薄膜上形成第二电极。
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