CN104183675B - 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 - Google Patents
基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104183675B CN104183675B CN201410327316.1A CN201410327316A CN104183675B CN 104183675 B CN104183675 B CN 104183675B CN 201410327316 A CN201410327316 A CN 201410327316A CN 104183675 B CN104183675 B CN 104183675B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gan
- layer
- sapphire
- laser
- laser lift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 2
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 claims 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
本发明公开基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，包括：在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并制作新的支撑基底；在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；将放置有掩膜板的蓝宝石样品进行区域激光剥离；将样品放置于腐蚀溶液中，溶液通过刻槽进入到与蓝宝石基底交界处的GaN层，并对其进行侧向腐蚀，最终完全去除蓝宝石基底，并且对GaN表面进行粗化；在去除基底的GaN表面上制作n型电极、钝化层，形成垂直结构LED芯片。本发明避免了传统激光剥离时由于激光光斑的不均匀性和光斑之间的交叠对GaN外延片的损伤，同时避免了传统的腐蚀技术要求较厚GaN厚度的弊端。
Description
技术领域
本发明涉一种GaN基LED的制备方法，具体涉及一种基于激光剥离和化学腐蚀的LED芯片制备方法。
背景技术
由于蓝宝石基底与GaN材料晶格失配较小，且价格低廉，目前是生长GaN基外延层的主要基底。但由于其导电性差，因此传统GaN基LED为同侧电极结构。而同侧电极不仅增加了电流流经路径和工作电压，还导致了电流拥堵效应，增加了器件产热。而低热导率的蓝宝石基底致使器件内部热量无法及时散出，从而导致LED器件发光功率下降以及寿命减少等问题。因此传统结构LED不适于制作大功率或大电流密度工作的器件。为了解决这个问题，常用的方法是利用键合（或电镀），将GaN基LED外延层结合到另一热导率高，导电性好的基底上，并通过激光剥离的方法去除蓝宝石基底，从而制作出垂直结构LED，改善器件散热特性。然而用于激光剥离蓝宝石基底的准分子激光器的光斑不均匀，特别是中心和边界光强相差较大(CHIN. PHYS. LETT., 27, 127303, 2010)，这就导致了激光剥离过程中GaN材料分解不均匀。为使得GaN材料都实现分解，则需要增加入射激光的能量，然而这样会导致光斑中心附近能量过大而对GaN材料造成损伤，如产生位错或缺陷等。因此激光剥离后的器件通常具有较大的漏电流，这无疑会降低器件的抗静电能力和寿命。然而近几年发展出的化学腐蚀氮化镓层，去除蓝宝石基底方法(RSC Adv., 3, 10934, 2013,)，由于侧向腐蚀长度较长，而侧向腐蚀的同时，也会发生纵向腐蚀，这就要求GaN材料具有较厚的厚度，通常需要10 μm以上，增加了制作成本。
发明内容
为了解决上述GaN基外延薄膜在激光剥离过程中由于激光光斑能量不均匀导致的材料质量下降的问题，以及避免化学腐蚀对GaN材料厚度的要求，以不损伤去除蓝宝石基底后GaN基外延薄膜质量，提高成品率，本发明旨在提出基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，利用区域激光剥离和化学腐蚀的技术，制备垂直结构GaN基LED。
本发明所述的基于区域激光剥离和化学腐蚀的垂直结构GaN基LED制备方法包括以下步骤：
基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）提供蓝宝石为基底的GaN基发光外延片，其外延层依次包括n型GaN层、有源层、AlGaN层、p型GaN层；
（2）在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并利用电镀或键合的方式制作新的支撑基底；
（3）将蓝宝石基底基底减薄抛光至20μm至100μm；
（4）在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；
（5）制作镂空的与芯片形状相同的且横向和纵向尺寸均比芯片小5%~50%的掩模板，将掩模板对准置于蓝宝石上方;
（6）将上述放置有掩膜板的蓝宝石样品进行区域激光剥离，具体为：采用紫外波长的脉冲激光器，将出射激光通过透镜汇聚成与芯片形状相同的光斑；将待剥离样品蓝宝石面向上，置于可控制移动的平移台上方，平移台每次移动距离为两芯片中心的间距；调整入射激光能量、频率和平移台移动速度，使得每次激光能照射到镂空处且镂空处的GaN发生分解；
（7）配质量浓度为5%~40%的KOH腐蚀溶液，并置于60℃~80℃的恒温水浴内，将步骤（6）得到的样品放置于腐蚀溶液中，溶液通过刻槽进入到与蓝宝石基底交界处的GaN层，并对其进行侧向腐蚀，最终完全去除蓝宝石基底，并且对GaN表面进行粗化；
（8）在去除基底的GaN表面上制作n型电极、钝化层，形成垂直结构LED芯片。
进一步地，步骤（1）所述蓝宝石为基底的GaN基发光外延片通过如下步骤获得：在蓝宝石基底上利用金属有机气相化学沉积方法，依次沉积低温缓冲层、未掺杂的GaN层、掺Si的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、掺Mg的AlGaN层和掺Mg的p型GaN层，并在外延生长后进行Mg激活。
进一步地，步骤（2）具体包括：在p型GaN上依次制作0.98 mm*0.98 mm大小的区域状Ni/Ag/Ni/Au欧姆接触层，同时作为金属反射镜层；并在p型GaN一侧上蒸发一整层Ni/Au作为种子层，并在Ni/Au上电镀Cu作为支撑基底。
进一步地，步骤（5）中所述掩膜板对200nm~400nm波长发光透过率低于10%。
与现有技术相比，本发明具有如下优点和技术效果：
本发明结合蓝宝石背部刻槽，区域激光剥离、腐蚀GaN层，最终去除蓝宝石基底，避免了传统激光剥离时由于激光光斑的不均匀性和光斑之间的交叠对GaN外延片的损伤，同时避免了传统的腐蚀技术要求较厚GaN厚度的弊端，可应用于GaN基垂直结构芯片的制备上。
附图说明
图1是在蓝宝石基底上制作制作欧姆接触层、金属层和支撑基底后的结构示意图。
图2是在图1所示结构的基础上进行激光刻槽的示意图。
图3是掩膜板的俯视图。
图4是进行进行区域激光剥离后的样品结构示意图。
图5是为样品放置于腐蚀溶液中的示意图。
图6为具有垂直结构LED芯片截面图。
图中，11：蓝宝石基底；12：GaN基外延层；13：区域状Ni/Ag/Ni/Au；14：Ni/Au种子层；15：Cu基底；21：抛光后的蓝宝石基底；22：槽；31掩膜板；41：激光器光斑；42：平移台；51：KOH腐蚀溶液；52：恒温水浴锅；53：部分激光剥离的样品；61：n型电极；62：SiO2钝化层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图和实施例，对本发明进一步详细说明。在以下的描述中阐述了更多的细节便于充分理解本发明，但是本发明能够以多种不同于此描述的其它方式实施，因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。
1）在蓝宝石基底11上利用金属有机气相化学沉积方法，依次沉积低温缓冲层、未掺杂的GaN层、掺Si的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、掺Mg的AlGaN层和掺Mg的p型GaN层等GaN基外延层12，并在外延生长后进行Mg激活，以提高空穴浓度。
2）在上述p型GaN上依次制作0.98 mm*0.98 mm大小的区域状Ni/Ag/Ni/Au欧姆接触层13，同时作为金属反射镜层，并在500℃氧气氛围内退火1 min，使其形成良好的欧姆接触。
3）在上述退火后的样品p型GaN一侧上蒸发一整层Ni/Au 14作为种子层，并在Ni/Au上电镀100μm厚度的Cu 15作为支撑基底，图1所示为截面图。
4）将蓝宝石基底11减薄抛光至20μm至100μm，形成抛光后的蓝宝石基底21；
5）在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽22深度至Cu基底，图2所示为截面图；
6）制作激光剥离时的不锈钢材质的掩膜板31，其中掩膜板镂空处的尺寸0.95 mm*0.95 mm。将掩膜板置于蓝宝石上方，并与芯片位置对准。图3所示为掩膜板俯视图。
7）将发光波长为248 nm的脉冲激光器光斑聚焦至1 mm*1 mm 41，其中激光能量密度为,600mJ/cm2，然后将上述样品置于可调节移动速度和移动步长的平移台42上，调整样品位置和激光频率，使得每次激光光斑均可辐照到掩膜板镂空处，且GaN发生分解，如图4所示。
8）配质量浓度为10%的KOH腐蚀溶液51，并置于80℃的恒温水浴锅52内，将上述部分激光剥离的样品53放置于腐蚀溶液中20 min，去除蓝宝石基底，如图5所示；
9）在上述去除基底后的样品表面上制作n型电极61、SiO2钝化层62，形成LED芯片，图6所示为截面图。
如上即可较好地实现本发明并取得所述的技术效果。
Claims (4)
1.基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）提供蓝宝石为基底的GaN基发光外延片，其外延层依次包括n型GaN层、有源层、AlGaN层、p型GaN层；
（2）在p型GaN上依次制作欧姆接触层、金属层，并利用电镀或键合的方式制作新的支撑基底；
（3）将蓝宝石基底减薄抛光至20μm至100μm；
（4）在抛光后的蓝宝石表面按LED芯片尺寸进行激光刻槽，槽深度至所述新的支撑基底；
（5）制作镂空的与芯片形状相同的且横向和纵向尺寸均比芯片小5%~50%的掩模板，将掩模板对准置于蓝宝石上方;
（6）将上述放置有掩膜板的蓝宝石样品进行区域激光剥离，具体为：采用紫外波长的脉冲激光器，将出射激光通过透镜汇聚成与芯片形状相同的光斑；将待剥离样品蓝宝石面向上，置于可控制移动的平移台上方，平移台每次移动距离为两芯片中心的间距；调整入射激光能量、频率和平移台移动速度，使得每次激光能照射到镂空处且镂空处的GaN发生分解；
（7）配质量浓度为5%~40%的KOH腐蚀溶液，并置于60℃~80℃的恒温水浴内，将步骤（6）得到的样品放置于腐蚀溶液中，溶液通过刻槽进入到与蓝宝石基底交界处的GaN层，并对其进行侧向腐蚀，最终完全去除蓝宝石基底，并且对GaN表面进行粗化；
（8）在去除基底的GaN表面上制作n型电极、钝化层，形成垂直结构LED芯片。
2.根据权利要求1所述的基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，其特征在于步骤（1）所述蓝宝石为基底的GaN基发光外延片通过如下步骤获得：在蓝宝石基底上利用金属有机气相化学沉积方法，依次沉积低温缓冲层、未掺杂的GaN层、掺Si的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、掺Mg的AlGaN层和掺Mg的p型GaN层，并在外延生长后进行Mg激活。
3.根据权利要求1所述的基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，其特征在于步骤（2）具体包括：在p型GaN上依次制作0.98 mm*0.98 mm大小的区域状Ni/Ag/Ni/Au欧姆接触层，同时作为金属反射镜层；并在p型GaN一侧上蒸发一整层Ni/Au作为种子层，并在Ni/Au上电镀Cu作为支撑基底。
4.根据权利要求1所述的基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法，其特征在于步骤（5）中所述掩膜板对200nm~400nm波长发光透过率低于10%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410327316.1A CN104183675B (zh) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410327316.1A CN104183675B (zh) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104183675A CN104183675A (zh) | 2014-12-03 |
| CN104183675B true CN104183675B (zh) | 2017-02-22 |
Family
ID=51964577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410327316.1A Expired - Fee Related CN104183675B (zh) | 2014-07-10 | 2014-07-10 | 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104183675B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112016000546T5 (de) | 2015-01-30 | 2017-11-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement |
| CN105161589B (zh) * | 2015-08-15 | 2018-06-19 | 华南理工大学 | 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物led及制备方法 |
| CN105206716B (zh) * | 2015-09-18 | 2019-02-05 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种垂直结构发光二极管的制作方法 |
| TWI646680B (zh) | 2017-01-10 | 2019-01-01 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體晶片以及顯示面板 |
| CN108288661B (zh) * | 2017-01-10 | 2021-05-11 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 微型发光二极管晶片以及显示面板 |
| CN107369746B (zh) * | 2017-08-30 | 2023-05-23 | 华南理工大学 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102694093A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-09-26 | 中国科学院半导体研究所 | 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 |
| CN102790138A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种GaN基薄膜芯片的生产方法 |
| CN103311395A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-18 | 北京大学 | 一种激光剥离薄膜led及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5852448B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-02-03 | 太陽ホールディングス株式会社 | サンドブラストレジスト組成物、及びそれを用いた表面加工方法 |
-
2014
- 2014-07-10 CN CN201410327316.1A patent/CN104183675B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102790138A (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-21 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 一种GaN基薄膜芯片的生产方法 |
| CN102694093A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-09-26 | 中国科学院半导体研究所 | 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 |
| CN103311395A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-18 | 北京大学 | 一种激光剥离薄膜led及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104183675A (zh) | 2014-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104183675B (zh) | 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 | |
| Ha et al. | The fabrication of vertical light-emitting diodes using chemical lift-off process | |
| KR100735496B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 | |
| KR100890467B1 (ko) | 박막형 질화갈륨계 발광 다이오드 소자의 제조 방법 | |
| TWI422068B (zh) | 粗化方法及具粗化表面之發光二極體製備方法 | |
| US9269858B2 (en) | Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods | |
| CN105161589B (zh) | 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物led及制备方法 | |
| JP4852755B2 (ja) | 化合物半導体素子の製造方法 | |
| CN101660206B (zh) | 一种完整性GaN基薄膜的制备方法 | |
| JP2008047858A (ja) | 垂直構造窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2008047860A (ja) | 表面凹凸の形成方法及びそれを利用した窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法 | |
| US8338313B2 (en) | Method for nondestructive lift-off of GaN from sapphire substrate utilizing a solid-state laser | |
| US20080315240A1 (en) | III-Nitride Semiconductor light Emitting Device | |
| JP2011187596A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP5237764B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| CN102522318B (zh) | GaN基外延薄膜自分裂转移方法 | |
| CN104393140B (zh) | 一种高反射率的垂直结构发光二级管芯片及其制备方法 | |
| KR20090018451A (ko) | 수직구조 갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 | |
| KR20060118845A (ko) | 나노 로드를 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| KR101516609B1 (ko) | 발광소자의 제조 방법 및 발광소자 | |
| TWI412157B (zh) | 發光元件之製作方法 | |
| JP2016023124A (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
| CN104659174B (zh) | 一种采用激光辐照氮化镓外延片改善以其为基底的led发光性能的方法 | |
| CN101937952A (zh) | 一种薄膜氮化镓基发光二极管的制作方法 | |
| CN101390225B (zh) | Ⅲ族氮化物半导体发光器件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170222 Termination date: 20210710 |