CN107369746B - 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 - Google Patents
一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107369746B CN107369746B CN201710764421.5A CN201710764421A CN107369746B CN 107369746 B CN107369746 B CN 107369746B CN 201710764421 A CN201710764421 A CN 201710764421A CN 107369746 B CN107369746 B CN 107369746B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- gan
- gan layer
- electrode
- epitaxial wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 99
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 227
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 23
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 20
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 18
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 16
- 238000000233 ultraviolet lithography Methods 0.000 claims description 15
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p‑GaN层、量子阱层和n‑GaN层，在p‑GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n‑GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
Description
技术领域
本发明涉及谐振腔LED芯片领域，具体涉及化学腐蚀剥离蓝宝石衬底的微尺寸倒装薄膜结构谐振腔LED芯片及其制备方法。
背景技术
谐振腔LED在量子阱发光层的上、下两端制备反射镜，通过法布里-帕罗腔增强谐振频率的模式密度，提升自发辐射速率，同时提高器件的外量子效率和调制带宽。与普通LED芯片相比，谐振腔LED具有光谱线宽窄、光输出方向性好、温度稳定性好等优点。
谐振腔LED的发光效率与腔长成反比。对于普通商品化蓝宝石衬底GaN基LED外延片，可在蓝宝石衬底下面和p-GaN层上面制备分布布拉格反射镜(DBR)构建谐振腔，但这种谐振腔的腔长较大，约100μm数量级。另一种方案是在外延片生长过程中，在非故意掺杂GaN层上制备AlN/GaN DBR或者Al0.82In0.18N/GaN DBR；前者两种材料存在较大的晶格失配和热失配，而后者在高温生长中很难控制In的组分，使得高质量的氮化物DBR非常困难。采用剥离技术去除蓝宝石衬底，并采用刻蚀技术进一步减薄外延薄膜，再分别在n-GaN和p-GaN两侧制备谐振腔，可使得腔长缩减到μm数量级。
激光剥离是一种去除蓝宝石衬底的常用技术。采用光子能量大于GaN带隙而小于蓝宝石带隙的激光，从蓝宝石衬底向外延薄膜进行高密度照射，蓝宝石衬底和GaN薄膜的分界面吸收能量导致GaN热分解，产生金属Ga液滴和氮气，从而分离蓝宝石衬底和GaN薄膜。但是由于产生热分解的是缓冲层，晶体质量较差，而且辐照激光能量的不均匀性，使得分离后的GaN层的表面较粗糙，降低DBR的反射率。
化学剥离避免了热冲击，可获得较为光滑的表面，并且由于不需要大功率激光器，成本也较低。但是化学腐蚀速率较慢，而且化学腐蚀的牺牲层与其他层之间需要具有较高的腐蚀选择比。为提高腐蚀速率和选择比，有报道采用CrN、ZnO、SiO2等易腐蚀材料作为牺牲层。但是在外延片生长过程中引入新材料，将对外延生长设备的腔室产生污染，而且必须重新研发新的外延生长工艺以免降低GaN薄膜质量。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。该LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p-GaN层、量子阱层和n-GaN层，在p-GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n-GaN层上面是介质分布布拉格反射镜(DBR)，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。
本发明的目的还在于提供所述的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片的制备方法。该方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，缩减谐振腔LED芯片的腔长并提高了芯片的发光率，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。
本发明的目的通过如下技术方案实现。
一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，为倒装薄膜结构，且呈圆盘状或长方体状；由导热基板至光出射方向，依次包括导热基板、第二键合金属层、第一键合金属层、反射电极的金属保护层、反射电极、p-GaN层、量子阱层、n-GaN层以及介质DBR；
所述第一键合金属层、反射电极的金属保护层、反射电极、p-GaN层、量子阱层、n-GaN层以及介质DBR的外部均包围着介质钝化层；
在介质DBR的中心位置开有n-电极区域，分布有n-电极，且n-电极直接与n-GaN层相连通；在第二键合金属层的上部环绕芯片分布有环形的p-电极，p-电极依次通过第一键合金属层、第二键合金属层、反射电极的金属保护层以及反射电极进而与p-GaN层相连通。
进一步地，所述n-电极和p-电极分布在导热基板的同一侧。
进一步地，芯片有源区的面积小于1mm2，谐振腔的腔长为波长数量级。
进一步地，所述介质DBR的反射率为30～60％。
进一步地，所述反射电极为金属反射电极，反射率为93％～100％。
制备所述的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片的方法，包括如下步骤：
(1)使用金属氧化物气相沉淀法(MOCVD)制备GaN基LED外延片，GaN基LED外延片的结构由上至下依次包括蓝宝石衬底、第一层非故意掺杂GaN层、高掺杂n-GaN层、第二层非故意掺杂GaN层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层；
(2)使用电子束蒸发在GaN基LED外延片上沉积金属反射电极层，经快速退火形成欧姆接触，再使用普通紫外光刻和普通湿法腐蚀，形成反射电极；使用磁控溅射在GaN基LED外延片上沉积金属保护层，再使用普通紫外光刻和普通湿法腐蚀，形成反射电极的金属保护层，且反射电极的金属保护层将反射电极包覆在内部；
(3)使用普通紫外光刻和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀隔离沟槽形成微尺寸发光单元阵列，隔离沟槽从p-GaN层延伸至高掺杂n-GaN层的中部；使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备介质保护层，再使用普通紫外光刻和普通湿法腐蚀，将反射电极的金属保护层上面和高掺杂n-GaN层侧面的介质保护层去除；
(4)使用负胶剥离和电子束蒸发，在GaN基LED外延片的反射电极的金属保护层上制备第一键合金属层；使用电子束蒸发在导热基板上制备第二键合金属层；
(5)使用晶片键合机在惰性气氛下加热加压，使得GaN基LED外延片和导热基板以第一键合金属层与第二键合金属层为接触层键合在一起；
(6)在导热基板上压焊金属球，将GaN基LED外延片水平放入光电辅助化学腐蚀装置中进行第一次湿法腐蚀，腐蚀溶液通过发光单元阵列之间的隔离沟槽渗透到高掺杂n-GaN层侧壁，使得高掺杂n-GaN层被腐蚀出大量孔隙形成富含孔隙的高掺杂n-GaN层；
(7)将GaN基LED外延片放入普通湿法腐蚀装置中进行第二次湿法腐蚀，腐蚀溶液通过发光单元阵列之间的隔离沟槽渗透到高掺杂n-GaN层侧壁，并渗透到富含孔隙的高掺杂n-GaN层中，通过腐蚀高掺杂n-GaN层，将蓝宝石衬底和第一层非故意掺杂GaN层去除，并在第二层非故意掺杂GaN层的下表面形成光滑表面；
(8)通过刻蚀将第二层非故意掺杂GaN层去除，并减薄n-GaN层；
(9)采用湿法腐蚀去除介质保护层，然后使用光学镀膜设备在n-GaN层上制备介质DBR；
(10)使用等离子体增强化学气相沉积制备介质钝化层，再采用普通紫外光刻和蚀刻，在介质DBR中心位置暴露n-电极区域，以及在第二键合金属层的上部环绕GaN基LED外延片暴露p-电极区域；
(11)采用负胶剥离和电子束蒸发，分别在n-电极区域和p-电极区域制备n-电极和p-电极；
(12)使用激光切割在隔离沟槽区域对导热基板划片，将单颗微尺寸谐振腔LED芯片分离，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。
进一步地，步骤(3)中，所述微尺寸发光单元为圆盘状或长方体状，且圆盘的直径或长方体的底面边长均小于100μm。
进一步地，步骤(6)中，所述光电辅助化学腐蚀装置包括电压源、透明容器、金属Pt电极、短波长光源和透镜组。
更进一步地，步骤(6)中，所述短波长光源出射的光经由透镜组扩散和准直，从装置底部照射GaN基LED外延片。
更进一步地，步骤(6)中，所述短波长光源的光子能量大于GaN带隙而小于蓝宝石带隙。
进一步地，步骤(6)中，所述第一次湿法腐蚀是采用光电辅助化学腐蚀装置，将GaN基LED外延片水平放入盛有0.1Mol/L～0.5Mol/L的草酸溶液的透明容器中，采用短波长的光垂直照射GaN基LED外延片，并以GaN基LED外延片为正极、以金属Pt电极为负极施加电压，进行光电辅助化学湿法腐蚀。
进一步地，步骤(7)中，所述第二次湿法腐蚀是将GaN基LED外延片水平放入35℃～90℃的1MOL/L～4Mol/L的KOH溶液中进行湿法腐蚀。
进一步地，步骤(10)中，所述蚀刻包括ICP刻蚀和湿法腐蚀。
更进一步地，步骤(10)中，所述湿法腐蚀是使用加热的磷酸或加热的磷酸/硫酸混合溶液进行化学腐蚀。
与现有技术相比，本发明具有如下优点和有益效果：
(1)本发明制备LED芯片的外延片，仅仅是在商品化外延结构的基础上增加一层非故意掺杂GaN层和一层高掺杂n-GaN层，分别作为阻挡层和牺牲层，与现有工艺兼容，不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染；
(2)本发明制备方法通过隔离沟槽将整片外延片分成微尺寸发光单元阵列，再采用两步化学腐蚀方法腐蚀剥离衬底；第一步是光电辅助化学腐蚀，采用的第一种化学腐蚀溶液通过隔离沟槽渗透到微尺寸发光单元侧壁，形成富含孔隙的高掺杂n-GaN层；第二步是普通化学腐蚀，采用的第二种化学腐蚀溶液通过隔离沟槽渗透到微尺寸发光单元侧壁，再渗透至高掺杂n-GaN层的孔隙中，通过化学腐蚀高掺杂n-GaN层去除蓝宝石衬底，具有较高的腐蚀选择比，并能在非故意掺杂GaN层表面获得较为光滑的表面，有利于制备高反射率的反射镜；
(3)本发明的p-电极制备在导热基板的第二键合金属层的上面，并依次通过第一键合金属层、反射电极的金属保护层和反射电极与p-GaN层相连通，而不是制备在导热基板上；由于金属层的电阻小于导热基板的电阻，有利于降低芯片的等效电阻；
(4)本发明采用金属反射电极作为反射镜，不需要额外在p-GaN层上增加电流扩展层，有利于降低谐振腔的长度。
附图说明
图1为具体实施例中化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片的横截面示意图；
图2-1为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程外延片的横截面示意图；
图2-2为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中制备反射电极后的横截面示意图；
图2-3为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中制备介质保护层后的横截面示意图；
图2-4为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中制备键合金属层后外延片和导热基板的横截面示意图；
图2-5为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中导热基板键合后的横截面示意图；
图2-6为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中第一次光电辅助化学腐蚀后的横截面示意图；
图2-7为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中第二次化学腐蚀剥离衬底后的横截面示意图；
图2-8为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中外延片减薄后的横截面示意图；
图2-9为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中制备介质DBR后的横截面示意图；
图2-10为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中制备钝化层后的横截面示意图；
图2-11为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中制备金属电极后的横截面示意图；
图2-12为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中切割后形成单颗芯片的横截面示意图；
图3为实施例1的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片制备过程中光电辅助化学腐蚀装置的示意图。
图中，11—蓝宝石衬底；12—导热基板；21—第一层非故意掺杂GaN层；22—第二层非故意掺杂GaN层；31—高掺杂n-GaN层；311—富含孔隙的高掺杂GaN层；32—n-GaN层；4—量子阱层；5—p-GaN层；61—反射电极；62—反射电极的金属保护层；71—介质保护层；72—介质钝化层；81—第一键合金属层；82—第二键合金属层；9—介质DBR；101—P-电极；102—n-电极；3111—电压源；3112—压焊金属球；3113—透明容器；3114—金属Pt电极；3115—透镜组；3116—短波长光源。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施作进一步说明，但本发明的实施和保护范围不限于此。
如图1所示为本发明具体实施例中的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片的横截面示意图，芯片是直径为100μm的圆盘；由导热基板12至光出射方向，依次包括硅片导热基板12、第二键合Cr/Ti/Au金属层82、第一键合Cr/Ti/Au金属层81、反射电极的金属保护层62、Ni/Ag/Ni反射电极61、p-GaN层5、量子阱层4、n-GaN层32以及SiO2/Ti3O5介质DBR 9；
第一键合Cr/Ti/Au金属层81、反射电极的金属保护层62、Ni/Ag/Ni反射电极61、p-GaN层5、量子阱层4、n-GaN层32以及SiO2/Ti3O5介质DBR9的外部均包围着介质钝化层72；芯片是倒装薄膜结构，LED外延薄膜和硅片导热基板12以第一键合Cr/Ti/Au金属层81与第二键合Cr/Ti/Au金属层82为接触层键合在一起；
芯片有源区的面积为0.005mm2；谐振腔由Ni/Ag/Ni反射电极61、p-GaN层5、量子阱层4、n-GaN层32和SiO2/Ti3O5介质DBR 9构成，腔长约2μm；Ni/Ag/Ni反射电极61是谐振腔的反射镜，反射率约95％，覆盖有TiW金属保护层62避免后续工艺对反射镜的损伤；SiO2/Ti3O5介质DBR 9是谐振腔的出射镜，反射率约55％；
在介质DBR的中心位置开有n-电极区域，分布有Ti/Al/Ti/Au n-电极102，Ti/Al/Ti/Au n-电极102处于芯片中心呈圆盘状分布，且Ti/Al/Ti/Au n-电极102直接与n-GaN层32相连通；在第二键合Cr/Ti/Au金属层82的上部环绕芯片分布有环形的Ti/Al/Ti/Au p-电极101，Ti/Al/Ti/Au p-电极101依次通过第一键合Cr/Ti/Au金属层81、第二键合Cr/Ti/Au金属层82、反射电极的金属保护层62以及Ni/Ag/Ni反射电极61进而与p-GaN层5相连通；Ti/Al/Ti/Au p-电极101和Ti/Al/Ti/Au n-电极102分布在导热基板的同一侧。
制备上述的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，具有方法包括如下步骤：
(1)首先使用MOCVD制备GaN基LED外延片，外延片的结构从下往上依次包含蓝宝石衬底11、第一层非故意掺杂GaN层21、高掺杂n-GaN层31、第二层非故意掺杂GaN层22、n-GaN层32、量子阱层4和p-GaN层5；GaN基LED外延片的横截面示意图如图2-1所示；
(2)将外延片清洗后，使用电子束蒸发沉积Ni/Ag/Ni(0.5/150/2nm)金属反射电极层，并在500℃氧气气氛下快速退火5min，使用普通紫外光刻工艺形成光刻胶掩模，再使用Ag腐蚀液在35℃下湿法腐蚀30sec，形成反射电极圆盘61，直径约90μm，反射率约95％；然后使用磁控溅射沉积TiW(400nm)金属保护层，使用普通紫外光刻工艺形成光刻胶掩模，再使用TiW腐蚀液在35℃下湿法腐蚀4min 30sec，形成金属保护层圆盘62，直径约95μm；制备反射电极后的横截面示意如图2-2所示；
(3)接着，使用普通紫外光刻工艺形成厚度为6μm的光刻胶掩模，使用ICP刻蚀隔离沟槽，发光单元的直径约100μm，隔离沟槽的宽度约100μm，深度约3.3μm，从p-GaN层延伸至高掺杂n-GaN层的中部；然后，使用PECVD制备1μm厚的SiO2介质保护层71，使用普通紫外光刻工艺形成光刻胶掩模，暴露金属保护层62中心区域和隔离沟槽中心区域，再使用BOE溶液(饱和NH4F：49％HF水溶液＝6：1，v/v)在室温下湿法腐蚀3min，将金属保护层62的中心区域和高掺杂n-GaN层侧面的SiO2介质保护层去除；制备介质保护层后的横截面示意图如图2-3所示；
(4)然后，使用负性光刻胶的普通紫外光刻工艺，暴露金属保护层62的中心区域，暴露区域直径约90μm，使用电子束蒸发沉积Cr/Ti/Au(20/100/1000nm)键合金属层，再通过丙酮超声和蓝膜撕金将其它区域的Cr/Ti/Au键合金属层去除，仅保留金属保护层62上面直径约90μm的中心区域，形成第一键合Cr/Ti/Au金属层图案81；使用电子束蒸发在硅片导热基板12上沉积Cr/Ti/Au(20/100/1000nm)第二键合Cr/Ti/Au金属层82；制备键合金属层后外延片和导热基板的横截面示意图如图2-4所示；
(5)再使用晶片键合机在N2气氛下420℃时加压2小时，使得外延片和硅片导热基板12以第一键合Cr/Ti/Au金属层81与第二键合Cr/Ti/Au金属层82为接触层键合在一起；键合后的横截面示意图如图2-5所示；
(6)在上述导热基板上压焊金属Au球3112，将GaN基LED外延片水平放入光电辅助化学腐蚀装置中进行第一次湿法腐蚀，如图3所示，电辅助化学腐蚀装置包括电压源3111、透明容器3113、金属Pt电极3114、半导体激光器3116和透镜组3115；
金属Au球3112通过金属线与电压源3111正极相连，且金属Au球3112连接导热基板12的底部，电压源3111的负极连接金属Pt电极3114；将外延片水平放入盛有0.5Mol/L草酸溶液的透明容器3113中，草酸溶液通过发光单元阵列之间的隔离沟槽渗透到发光单元的侧壁，并通过SiO2介质保护层71的缺口腐蚀高掺杂n-GaN层31的侧壁；在透明容器3113的下方放置有50mW的波长为405nm的半导体激光器3116和透镜组3115；透镜组3115将激光器出射的光扩散并准直，使得能够照射整个外延片；
施加30V的电压进行第一次湿法腐蚀，以外延片为正极，以金属Pt电极3114为负极，通过第一种湿法腐蚀溶液导通；半导体激光器3116出射的短波长光源的光经由透镜组扩散和准直，从装置底部照射外延片，光电辅助化学腐蚀1小时后，高掺杂n-GaN层31被腐蚀出大量孔隙，形成富含孔隙的高掺杂n-GaN层311，横截面如图2-6所示；
(7)将第一次湿法腐蚀后的外延片放入60℃的4Mol/L KOH溶液进行第二次湿法腐蚀；KOH溶液通过发光单元阵列之间的隔离沟槽渗透到发光单元的侧壁，并通过高掺杂n-GaN层311中的大量孔隙快速分布至整个高掺杂n-GaN层；浸泡12小时后，高掺杂n-GaN层被腐蚀完毕，蓝宝石衬底11和第一层非故意掺杂GaN层21去除，并在第二层非故意掺杂GaN层22的下表面形成光滑表面，横截面如图2-7所示；
(8)去除蓝宝石衬底后的外延片进行ICP刻蚀，进一步将第二层非故意掺杂GaN层22去除，并减薄n-GaN层32，使得外延薄膜的厚度约为2μm；外延片减薄后的横截面示意图如图2-8所示；
(9)接着，使用BOE溶液(饱和NH4F：49％HF水溶液＝6：1，v/v)浸泡去除SiO2介质保护层71，再使用光学镀膜设备在n-GaN层上制备SiO2/Ti3O5介质DBR 9，反射率约55％；制备SiO2/Ti3O5介质DBR 9后的横截面示意图如图2-9所示；
(10)然后，使用PECVD制备500nm厚的SiO2介质钝化层72，使用普通紫外光刻工艺形成光刻胶掩模，再使用ICP刻蚀8min，在n-GaN层32的中心去除介质钝化层72和SiO2/Ti3O5介质DBR 9，暴露n-GaN区域用来制作n-电极，横截面如图2-10所示；
(11)此后，使用负性光刻胶的普通紫外光刻工艺，暴露n-GaN层32的上述中心区域，以及导热基板12的金属键合层82上围绕发光单元的环形区域，暴露区域直径约10μm，使用电子束蒸发沉积Ti/Al/Ti/Au(500/800/500/500nm)电极层，再通过丙酮超声和蓝膜撕金将其它区域的Ti/Al/Ti/Au电极层去除，形成p-电极101和n-电极102；制备电极后的横截面示意图如图2-11所示；
(12)最后，使用激光切割在隔离沟槽区域对导热基板12划片，将单颗微尺寸谐振腔LED芯片分离；切割后形成单颗芯片的横截面示意图如图2-12所示，制备得到所述的化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。
Claims (10)
1.一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）使用金属氧化物气相沉淀法制备GaN基LED外延片，GaN基LED外延片的结构由上至下依次包括蓝宝石衬底、第一层非故意掺杂GaN层、高掺杂n-GaN层、第二层非故意掺杂GaN层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层；
（2）使用电子束蒸发在GaN基LED外延片上沉积金属反射电极层，经快速退火形成欧姆接触，再使用普通紫外光刻和普通湿法腐蚀，形成反射电极；使用磁控溅射在GaN基LED外延片上沉积金属保护层，再使用普通紫外光刻和普通湿法腐蚀，形成反射电极的金属保护层，且反射电极的金属保护层将反射电极包覆在内部；
（3）使用普通紫外光刻和感应耦合等离子体刻蚀隔离沟槽形成微尺寸发光单元阵列，隔离沟槽从p-GaN层延伸至高掺杂n-GaN层的中部；使用等离子体增强化学气相沉积制备介质保护层，再使用普通紫外光刻和普通湿法腐蚀，将反射电极的金属保护层上面和高掺杂n-GaN层侧面的介质保护层去除；
（4）使用负胶剥离和电子束蒸发，在GaN基LED外延片的反射电极的金属保护层上制备第一键合金属层；使用电子束蒸发在导热基板上制备第二键合金属层；
（5）使用晶片键合机在惰性气氛下加热加压，使得GaN基LED外延片和导热基板以第一键合金属层与第二键合金属层为接触层键合在一起；
（6）在导热基板上压焊金属球，将GaN基LED外延片水平放入光电辅助化学腐蚀装置中进行第一次湿法腐蚀，腐蚀溶液通过发光单元阵列之间的隔离沟槽渗透到高掺杂n-GaN层侧壁，使得高掺杂n-GaN层被腐蚀出大量孔隙形成富含孔隙的高掺杂n-GaN层；
（7）将GaN基LED外延片放入普通湿法腐蚀装置中进行第二次湿法腐蚀，腐蚀溶液通过发光单元阵列之间的隔离沟槽渗透到高掺杂n-GaN层侧壁，并渗透到富含孔隙的高掺杂n-GaN层中，通过腐蚀高掺杂n-GaN层，将蓝宝石衬底和第一层非故意掺杂GaN层去除，并在第二层非故意掺杂GaN层的下表面形成光滑表面；
（8）通过刻蚀将第二层非故意掺杂GaN层去除，并减薄n-GaN层；
（9）采用湿法腐蚀去除介质保护层，然后使用光学镀膜设备在n-GaN层上制备介质DBR；
（10）使用等离子体增强化学气相沉积制备介质钝化层，再采用普通紫外光刻和蚀刻，在介质DBR中心位置暴露n-电极区域，以及在第二键合金属层的上部环绕GaN基LED外延片暴露p-电极区域；
（11）采用负胶剥离和电子束蒸发，分别在n-电极区域和p-电极区域制备n-电极和p-电极；
（12）使用激光切割在隔离沟槽区域对导热基板划片，将单颗微尺寸谐振腔LED芯片分离，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述微尺寸发光单元为圆盘状或长方体状，且圆盘的直径或长方体的底面边长均小于100μm。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（6）中，所述光电辅助化学腐蚀装置包括电压源、透明容器、金属Pt电极、短波长光源和透镜组；所述第一次湿法腐蚀是采用光电辅助化学腐蚀装置，将GaN基LED外延片水平放入盛有0.1 Mol/L ~ 0.5 Mol/L的草酸溶液的透明容器中，采用短波长的光垂直照射GaN基LED外延片，并以GaN基LED外延片为正极、以金属Pt电极为负极施加电压，进行光电辅助化学湿法腐蚀。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤（6）中，所述短波长光源出射的光经由透镜组扩散和准直，从装置底部照射GaN基LED外延片；所述短波长光源的光子能量大于GaN带隙而小于蓝宝石带隙。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（7）中，所述第二次湿法腐蚀是将GaN基LED外延片水平放入35℃~90℃的1 MOL/L ~ 4 Mol/L的KOH溶液中进行湿法腐蚀。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（10）中，所述蚀刻包括ICP刻蚀和湿法腐蚀，所述湿法腐蚀是使用加热的磷酸或加热的磷酸/硫酸混合溶液进行化学腐蚀。
7.由权利要求1-6任一项所述制备方法制得的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，其特征在于，为倒装薄膜结构，且呈圆盘状或长方体状；由导热基板至光出射方向，依次包括导热基板、第二键合金属层、第一键合金属层、反射电极的金属保护层、反射电极、p-GaN层、量子阱层、n-GaN层以及介质DBR；
所述第一键合金属层、反射电极的金属保护层、反射电极、p-GaN层、量子阱层、n-GaN层以及介质DBR的外部均包围着介质钝化层；
在介质DBR的中心位置开有n-电极区域，分布有n-电极，且n-电极直接与n-GaN层相连通；在第二键合金属层的上部环绕芯片分布有环形的p-电极，p-电极依次通过第一键合金属层、第二键合金属层、反射电极的金属保护层以及反射电极进而与p-GaN层相连通。
8.根据权利要求7所述的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，其特征在于，所述n-电极和p-电极分布在导热基板的同一侧。
9.根据权利要求7所述的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，其特征在于，芯片有源区的面积小于1mm2，谐振腔的腔长为波长数量级。
10.根据权利要求7所述的一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片，其特征在于，所述介质DBR的反射率为30% ~ 60%；所述反射电极为金属反射电极，反射率为93 % ~100 %。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710764421.5A CN107369746B (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710764421.5A CN107369746B (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107369746A CN107369746A (zh) | 2017-11-21 |
| CN107369746B true CN107369746B (zh) | 2023-05-23 |
Family
ID=60311926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710764421.5A Active CN107369746B (zh) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107369746B (zh) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108389952B (zh) * | 2018-02-28 | 2019-11-15 | 华南理工大学 | 一种无漏电mesa切割道3d通孔超结构led芯片及其制备方法 |
| CN108767018B (zh) * | 2018-05-22 | 2022-01-25 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法 |
| CN109037413A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-18 | 华南理工大学 | 金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 |
| CN109244205B (zh) * | 2018-09-12 | 2020-08-07 | 肖和平 | 一种倒装结构AlGaInP红光Micro-LED及其制备方法 |
| CN111081827B (zh) * | 2018-10-19 | 2022-03-01 | 成都辰显光电有限公司 | 一种半导体器件剥离方法 |
| CN111525013A (zh) | 2019-02-01 | 2020-08-11 | 隆达电子股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| US11349052B2 (en) * | 2019-02-05 | 2022-05-31 | Facebook Technologies, Llc | Bonding interface for hybrid TFT-based micro display projector |
| CN110620167B (zh) * | 2019-08-26 | 2021-04-16 | 华南师范大学 | 一种基于大面积衬底剥离的深紫外led及其制备方法 |
| CN110581206A (zh) * | 2019-09-18 | 2019-12-17 | 中南大学 | 一种GaN基Micro-LED及其制备方法 |
| CN110783439A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-11 | 南京亮芯信息科技有限公司 | 集成dbr的垂直结构led及其形成方法 |
| CN112885938B (zh) * | 2019-11-29 | 2022-06-14 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种银基键合的反极性GaAs基AlGaInP红光LED芯片的制备方法 |
| CN111106210A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-05-05 | 晶能光电（江西）有限公司 | Mini LED芯片制备方法 |
| CN111785819B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-09-07 | 厦门大学 | 一种GaN基窄带发射共振腔发光二极管及其制作方法 |
| CN111725368A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-29 | 中南大学 | 一种基于电镀技术的GaN基垂直结构微腔Micro-LED及其制备方法 |
| CN111933765B (zh) * | 2020-07-03 | 2022-04-26 | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 | 微型发光二极管及制作方法，微型led显示模块及制作方法 |
| CN112968082B (zh) * | 2020-10-13 | 2022-04-19 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种发光器件结构制作方法、显示背板及显示装置 |
| CN112310252B (zh) * | 2020-10-16 | 2022-02-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Micro LED晶粒、Micro LED基板及其制备方法 |
| CN113555311A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-10-26 | 华南师范大学 | 一种含绝缘衬底的氮化镓晶片材料及其制备与应用 |
| CN114023861A (zh) * | 2021-11-01 | 2022-02-08 | 镭昱光电科技(苏州)有限公司 | Micro-LED芯片结构及其制作方法 |
| CN114447175B (zh) * | 2022-01-17 | 2023-10-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 倒装微型led芯片、显示面板及其制作方法 |
| CN116936711B (zh) * | 2023-09-19 | 2023-12-15 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种垂直发光二极管及其制备方法、led灯板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103311395A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-18 | 北京大学 | 一种激光剥离薄膜led及其制备方法 |
| CN104183675A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-12-03 | 华南理工大学 | 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 |
| CN105161589A (zh) * | 2015-08-15 | 2015-12-16 | 华南理工大学 | 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物led及制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101673792B (zh) * | 2009-09-25 | 2011-09-21 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种基于无掩模转移光子晶体结构的GaN基薄膜LED的制造方法 |
| JP5792375B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2015-10-14 | 晶能光電（江西）有限公司Ｌａｔｔｉｃｅ Ｐｏｗｅｒ（Ｊｉａｎｇｘｉ）Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | 窒化ガリウムベースフィルムチップの生産方法および製造方法 |
-
2017
- 2017-08-30 CN CN201710764421.5A patent/CN107369746B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103311395A (zh) * | 2013-05-08 | 2013-09-18 | 北京大学 | 一种激光剥离薄膜led及其制备方法 |
| CN104183675A (zh) * | 2014-07-10 | 2014-12-03 | 华南理工大学 | 基于区域激光剥离及化学腐蚀的GaN基LED制备方法 |
| CN105161589A (zh) * | 2015-08-15 | 2015-12-16 | 华南理工大学 | 基于应力调控电镀和衬底转移的氮化物led及制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 王婷 ; 郭霞 ; 方圆 ; 刘斌 ; 沈光地 ; .激光剥离技术制备GaN/metal/Si的结构和光学特性研究.功能材料.2007,(01),全文. * |
| 黎子兰,胡晓东,章蓓,陈科,聂瑞娟,张国义.GaN基外延膜的激光剥离和InGaNLD外延膜的解理.激光技术.2004,(01),全文. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107369746A (zh) | 2017-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107369746B (zh) | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 | |
| EP2860779B1 (en) | Vertical-structure light-emitting device | |
| US8546819B2 (en) | Light emitting device and fabrication method thereof | |
| KR100867541B1 (ko) | 수직형 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR101254539B1 (ko) | 수직 구조 반도체 장치 | |
| KR20150003359A (ko) | ＧａＮ계 반도체 디바이스의 제조방법 | |
| JP6829497B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2007207981A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
| WO2021004181A1 (zh) | 一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法 | |
| KR20060097512A (ko) | 질화물 반도체 수직 전극형 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
| US8003418B2 (en) | Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device | |
| JP2011119656A (ja) | ＩｎＧａＮ層を有する半導体デバイス | |
| KR101008268B1 (ko) | 외부양자효율 개선을 위한 수직구조 발광다이오드 및 그 제조방법 | |
| KR100613273B1 (ko) | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| WO2007094613A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing thereof | |
| US20130341661A1 (en) | Semiconductor light emitting element | |
| JP4360071B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| CN207217575U (zh) | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片 | |
| KR101111748B1 (ko) | 수직구조 질화갈륨계 반도체 발광소자의 제조방법 | |
| JP6321013B2 (ja) | 成形された基板を含む発光デバイス | |
| CN104040735A (zh) | 半导体发光器件的表面处理 | |
| CN209947839U (zh) | 倒装结构微尺寸光子晶体led阵列芯片 | |
| KR102424066B1 (ko) | 웨이퍼로부터 다수 개의 led 구조물을 분리하는 방법 | |
| JP5326643B2 (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| JP7087693B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |