CN109037413A - 金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 - Google Patents
金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109037413A CN109037413A CN201810715401.3A CN201810715401A CN109037413A CN 109037413 A CN109037413 A CN 109037413A CN 201810715401 A CN201810715401 A CN 201810715401A CN 109037413 A CN109037413 A CN 109037413A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal
- gan
- conductive film
- transparent conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 5
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片及其制备方法。本发明的紫外LED芯片为正装结构，通过在传统的ITO透明导电薄膜上生长一层金属薄膜并进行高温退火处理，得到所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片。本发明制备方法不需要复杂化外延结构，因此不会增加工艺难度，同时有利于降低芯片的正向电压和提高芯片的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及正装结构的紫外LED芯片领域的透明导电薄膜及芯片制备领域，具体涉及基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片及其制备方法。
背景技术
随着紫外LED的广泛应用，其在光刻，固化，净化等方面展现独有优势。通过在GaN合金体系中加入氮化铝（AlN），AlGaN基LED发射波长几乎可以在整个UVA（400-320nm），UVB（320- 280nm），UVC（280-200nm）光谱范围内调谐。制备更短波长，更高效高功率的紫外LED势在必行。而紫外LED波长越短，则存在越严重的光谱吸收，常在蓝光和绿光LED芯片制备工艺中作为透明电流扩展层的ITO薄膜因吸收带隙问题在紫外芯片的制备中受到一定的限制。因此，在紫外芯片工艺的研究过程中，许多课题组从石墨烯纳米材料，Ga2O3/金属薄膜等诸多方面进行研究以期在紫外频谱波段提高芯片光电特性。通过在石墨烯里面掺杂Au制备的透明电极薄膜用于制备380nmUV LED，使之在20mA注入电流下正向电压5.85V，输出功率有20%的提升，能够实现90 Ω/sq的方块电阻；且其在200-800nm之间的透过率基本在88%水平。Jae-kwan Kim等人提出了Ga2O3/ITO结构的薄膜，在380nm处的透过率为80.94%，方块电阻为58.6Ω/sq。这些材料和结构的研究在导电率和光学透过之间有折中，W.H.Lin等人研究了ITO-Ti-ITO-Ti-ITO模型，在380nm处波长比纯ITO的透过率提升了22%，但这种多层结构的模型一定程度上增加了工艺的难度。JC Dong 等人提出了F-掺杂ITO模型，利用F原子取代In原子形成F-O键，从而获得更高的透过率，在380nm可达到86.9%。在100mA注入电流下电压为3.76V，而光输出功率为5.99mW。因此，为了制备出光电性能更优的紫外LED，紫外透明导电薄膜仍需要大量的深入研究。
发明内容
有鉴于此，为解决上述现有技术中的问题，本发明提供了基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片制备，可以有效的提高了芯片的光电性能，而基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片具有降低薄膜方块电阻、增大薄膜透光率和工艺简单的优点。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下。
基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、量子陷层、p-AIGaN层、p-GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与n-GaN层接触连接，所述n-GaN层与量子陷层接触连接，所述量子陷层与p-AIGaN层接触连接，所述p-AIGaN层与p-GaN层接触连接，所述p-GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n-GaN层上，所述金属电极包括P电极和N电极，所述所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述N电极穿过钝化保护层与n-GaN层接触连接。
进一步地，所述金属掺杂ITO透明导电薄层中包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜和金属薄膜通过退火处理键合在一起。
进一步地，所述金属掺杂ITO透明导电薄层中掺杂的金属厚度小于等于5nm，所述掺杂金属的轨道能级大于In原子和Sn原子。
进一步地，所述ITO薄膜的厚度为80～140nm。
进一步地，所述基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片为正装结构。
基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
步骤1、使用金属氧化物气相沉淀法制备近紫外LED外延片，结构由下至上包括蓝宝石衬底，GaN缓冲层，n-GaN层，量子阱层，p-AlGaN层，p-GaN层；
步骤2、使用紫外光刻和感应耦合等离子体刻蚀隔离沟槽，使外延片形成单独发光单元阵列，隔离沟槽从p-GaN层延伸至n-GaN层中部；
步骤3、使用电子束蒸发或磁控溅射在近紫外LED外延片上沉积透明导电薄膜层，经热退火炉形成欧姆接触，再使用紫外光刻和湿法腐蚀办法去除非p-GaN表面的透明导电薄膜；
步骤4、使用等离子体增强化学气相沉积制备介质钝化层，采用紫外光刻和湿法腐蚀，暴露n电极和p电极区域；
步骤5、采用负胶剥离和电子束蒸发，制备n电极和p电极；
步骤6、利用干净的丙酮和异丙醇超声，通过切割，形成单颗芯片，制备得到所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片。
进一步地，所述隔离沟槽的深度为1.2μm。
与现有技术相比，本发明的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片及其制备方法，可以有效的提高了芯片的光电性能，而基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片具有降低薄膜方块电阻、增大薄膜透光率和工艺简单的优点。
附图说明
图1为本发明的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片的截面示意图。
图2为本发明的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片的透明导电薄膜未退火前的横截面示意图。
图3为本发明的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片的透明导电薄膜退火后的横截面示意图。
具体实施方式
下面将结合附图和具体的实施例对本发明的具体实施作进一步说明。需要指出的是，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。以下若有未特别详细说明之过程或参数，均是本领域技术人员可参照现有技术理解或实现的。
如图1所示，为本发明的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片的截面示意图，尺寸为14mil×28mil，包括蓝宝石衬底4、GaN缓冲层5、n-GaN层6、量子陷层7、p-AIGaN层8、p-GaN层9、金属掺杂ITO透明导电薄层12、金属电极和钝化保护层10，所述蓝宝石衬底4与GaN缓冲层5接触连接，所述GaN缓冲层5与n-GaN层6接触连接，所述n-GaN层6与量子陷层7接触连接，所述量子陷层7与p-AIGaN层8接触连接，所述p-AIGaN层8与p-GaN层9接触连接，所述p-GaN层9与金属掺杂ITO透明导电薄层12接触连接，所述钝化保护层10接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层12和n-GaN层6上，所述金属电极包括P电极111和N电极112，所述所述P电极穿过钝化保护层10与金属掺杂ITO透明导电薄层12接触连接，所述N电极112穿过钝化保护层10与n-GaN层6接触连接。
优选的，所述金属掺杂ITO透明导电薄膜层中包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜和金属薄膜通过退火处理键合在一起。
优选的，所述金属掺杂ITO透明导电薄层中掺杂的金属厚度小于等于5nm，所述掺杂金属的轨道能级大于In原子和Sn原子。
优选的，所述ITO薄膜的厚度为80～140nm。
优选的，所述基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片为正装结构。
基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片制备，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、使用金属氧化物气相沉淀法（MOCVD）制备近紫外LED外延片，结构由下至上包括蓝宝石衬底4，GaN缓冲层5，n-GaN层6，量子阱层7，p-AlGaN层8，p-GaN层9。
步骤2、将外延片清洗后，使用紫外光刻工艺形成台阶光刻胶掩膜，使用ICP刻蚀隔离沟槽，使外延片形成单独发光单元阵列，隔离沟槽从p-GaN层延伸至n-GaN层中部，深度约1.2μm。
步骤3、使用电子束蒸发在近紫外LED外延片上沉积一层80nm ITO薄膜2（优选80-140nm），接着沉积一层3nm厚掺杂金属Al薄膜（优选Al或Ti，1-3nm），随后在600℃氮氧氛围下快速热退火3分钟，使用紫外光刻工艺形成光刻胶掩膜，再利用ITO腐蚀液在35℃下湿法腐蚀10分钟；形成的新型金属掺杂ITO薄膜12透过率在365nm约90.8%，方块电阻约38Ω/sq；金属掺杂ITO薄膜生长后未退火的横截面示意图如图2所示，金属掺杂ITO薄膜退火完成后横界面示意图如图3所示。
步骤4、使用PECVD制备200nm厚的SiO2介质钝化层10，采用紫外光刻负胶工艺形成光刻胶掩膜，暴露N电极112和P电极111，再使用BOE溶液在室温下湿法腐蚀1min，将N电极112和P电极111区域的SiO2介质钝化层去除。
步骤5、采用电子束蒸发沉积Cr/Al/Ti/Au键合金属层，通过60℃热剥离丙酮浸泡和蓝膜撕金办法将其他区域的Cr/Al/Ti/Au键合金属层去除，仅保留N、P电极区域电极。
步骤6、利用干净的丙酮和异丙醇超声，再通过切割，形成单颗芯片，制备得到所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片。
优选的，所述隔离沟槽的深度为1.2μm。
综上所述，本发明的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片及其制备方法，可以有效的提高了芯片的光电性能，而基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片具有降低薄膜方块电阻、增大薄膜透光率和工艺简单的优点。
Claims (7)
1.金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、量子陷层、p-AIGaN层、p-GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与n-GaN层接触连接，所述n-GaN层与量子陷层接触连接，所述量子陷层与p-AIGaN层接触连接，所述p-AIGaN层与p-GaN层接触连接，所述p-GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n-GaN层上，所述金属电极包括P电极和N电极，所述所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述N电极穿过钝化保护层与n-GaN层接触连接。
2.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述金属掺杂ITO透明导电薄层中包括ITO薄膜和金属薄膜，所述ITO薄膜和金属薄膜通过退火处理键合在一起。
3.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述金属掺杂ITO透明导电薄层中掺杂的金属厚度小于等于5nm，所述掺杂金属的轨道能级大于In原子和Sn原子。
4.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述ITO薄膜的厚度为80～140nm。
5.根据权利要求1所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：所述基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片为正装结构。
6.金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、使用金属氧化物气相沉淀法制备近紫外LED外延片，结构由下至上包括蓝宝石衬底，GaN缓冲层，n-GaN层，量子阱层，p-AlGaN层，p-GaN层；
步骤2、使用紫外光刻和感应耦合等离子体刻蚀隔离沟槽，使外延片形成单独发光单元阵列，隔离沟槽从p-GaN层延伸至n-GaN层中部；
步骤3、使用电子束蒸发或磁控溅射在近紫外LED外延片上沉积透明导电薄膜层，经热退火炉形成欧姆接触，再使用紫外光刻和湿法腐蚀办法去除非p-GaN表面的透明导电薄膜；
步骤4、使用等离子体增强化学气相沉积制备介质钝化层，采用紫外光刻和湿法腐蚀，暴露n电极和p电极区域；
步骤5、采用负胶剥离和电子束蒸发，制备n电极和p电极；
步骤6、利用干净的丙酮和异丙醇超声，通过切割，形成单颗芯片，制备得到所述的基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片。
7.根据权利要求6所述的金属掺杂ITO透明导电薄膜紫外LED芯片的制备方法，其特征在于：所述隔离沟槽的深度为1.2μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810715401.3A CN109037413A (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810715401.3A CN109037413A (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109037413A true CN109037413A (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=65521398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810715401.3A Pending CN109037413A (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109037413A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112701202A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-04-23 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 发光单元、发光模组、显示模组、显示屏及显示器 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000040564A (ko) * | 1998-12-18 | 2000-07-05 | 조장연 | 질화물 청색 발광소자의 도전성 투명 산화막 전극 제작 방법 |
| CN101002337A (zh) * | 2004-07-30 | 2007-07-18 | 株式会社藤仓 | 发光元件及其制造方法 |
| CN102709426A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-10-03 | 华灿光电股份有限公司 | 一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 |
| CN105140368A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-09 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种高性能led芯片及其制备方法 |
| CN107369746A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-21 | 华南理工大学 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 |
| CN208722914U (zh) * | 2018-06-29 | 2019-04-09 | 华南理工大学 | 基于金属掺杂ito透明导电薄膜的紫外led芯片 |
-
2018
- 2018-06-29 CN CN201810715401.3A patent/CN109037413A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000040564A (ko) * | 1998-12-18 | 2000-07-05 | 조장연 | 질화물 청색 발광소자의 도전성 투명 산화막 전극 제작 방법 |
| CN101002337A (zh) * | 2004-07-30 | 2007-07-18 | 株式会社藤仓 | 发光元件及其制造方法 |
| CN102709426A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-10-03 | 华灿光电股份有限公司 | 一种表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 |
| CN105140368A (zh) * | 2015-08-05 | 2015-12-09 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种高性能led芯片及其制备方法 |
| CN107369746A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-11-21 | 华南理工大学 | 一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔led芯片及其制备方法 |
| CN208722914U (zh) * | 2018-06-29 | 2019-04-09 | 华南理工大学 | 基于金属掺杂ito透明导电薄膜的紫外led芯片 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112701202A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-04-23 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 发光单元、发光模组、显示模组、显示屏及显示器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2280426B1 (en) | Light-emitting device | |
| JP5043835B2 (ja) | 光電子応用のための（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）ＮとＺｎＯの直接ウェーハ・ボンディング構造とその作製方法 | |
| CN104617195B (zh) | 一种近红外发光二极管及其生产方法 | |
| US8791480B2 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
| CN108305918B (zh) | 氮化物半导体发光器件及其制作方法 | |
| CN108011002B (zh) | 一种紫外led芯片制作方法 | |
| CN108198926A (zh) | 一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法 | |
| CN104505445B (zh) | 一种复合透明导电电极的led芯片制作方法 | |
| CN104810455A (zh) | 紫外半导体发光器件及其制造方法 | |
| CN105914269A (zh) | 一种具有透明扩展电极结构的发光二极管及其制备方法 | |
| EP1363334A1 (en) | Gallium nitride-based compound semiconductor device with a ZnO electrode | |
| CN108878604A (zh) | 一种垂直结构发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN115064563A (zh) | 一种hemt与蓝光led单片集成芯片及其制备方法 | |
| CN109346564A (zh) | 一种倒装发光二极管芯片的制作方法 | |
| CN108336642A (zh) | 一种电注入激射的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 | |
| CN204857768U (zh) | 紫外半导体发光器件 | |
| CN208722914U (zh) | 基于金属掺杂ito透明导电薄膜的紫外led芯片 | |
| CN106848029B (zh) | 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 | |
| KR20090105462A (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법 | |
| KR101480551B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법 | |
| CN109037413A (zh) | 金属掺杂ito透明导电薄膜紫外led芯片及其制备方法 | |
| KR101239852B1 (ko) | ＧａＮ계 화합물 반도체 발광 소자 | |
| CN108389952A (zh) | 一种无漏电mesa切割道3d通孔超结构led芯片及其制备方法 | |
| CN111029442B (zh) | Iii族氮化物紫外发光二极管及其制作方法 | |
| CN104300048A (zh) | 一种GaN基发光二极管芯片的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |