CN104160327A - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明在于提供一种适于防止端子间短路的具有新型构造的显示面板。本发明的显示面板是具有有源矩阵基板、对置基板和密封件的显示面板，上述有源矩阵基板在显示区域外具有多个端子，多个端子的下部由与栅极配线或源极配线相同的材料形成，多个端子的上部由与像素电极相同的材料形成，具有从显示区域内形成至显示区域外的多个绝缘膜，上述多个绝缘膜包括无机绝缘膜和比上述无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，上述无机绝缘膜和上述有机绝缘膜配置于上述像素电极与上述栅极配线或上述源极配线之间，上述有机绝缘膜的端部位于比配置有上述密封件的区域更靠外侧且与配置有上述端子的区域分离的位置，上述无机绝缘膜的端部位于上述多个配线与上述多个端子的边界。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板。更详细而言，涉及以有源矩阵方式驱动的液晶显示装置所适用的显示面板。
背景技术
作为液晶显示装置等的显示装置的驱动方式，已知有有源矩阵方式。例如，有源矩阵方式的液晶显示装置中，相互正交的栅极配线(也称为“栅极汇流线”)和源极配线(也称为“源极汇流线”)设置为格子状，在通过栅极配线和源极配线划分为矩阵状的各区域配置薄膜晶体管。接着，当对薄膜晶体管的栅极电极通过栅极配线输入扫描信号时，作为开关元件的薄膜晶体管成为导通状态。薄膜晶体管为导通状态时，源极配线中流通的图像信号从薄膜晶体管的源极电极传达到漏极电极，进一步传达到像素电极。输入到各像素电极的图像信号对应于各像素中对应设置的像素电极与在全部像素共用的共用电极之间施加的电压，换而言之，对应于向各像素的液晶施加的电压。这样，根据向液晶施加的电压，使液晶的取向状态发生变化，由此在每个像素控制能够透射液晶的光的量，从而，能够显示高精细的画面。这样的有源矩阵方式，一般在通过多个像素进行显示的电视、监视器等中使用。
在显示装置中，栅极配线、源极配线、薄膜晶体管等多个部件配置于有源矩阵基板上的显示区域。另一方面，在有源矩阵基板上的外周区域配置与栅极配线或源极配线电连接的端子，通过该端子，从外部的电路向有源矩阵基板输入扫描信号、图像信号等显示信号。公开了该端子结构的文献大量已知(例如，参照专利文献1～3)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特开2002-303889号公报
专利文献2：(日本)特开2009-128761号公报
专利文献3：(日本)特开2011-100041号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
有源矩阵基板由于具备多个配线和电极，为了确保配线和电极间的绝缘，一般使用绝缘膜。另外，绝缘膜有时也为了使基板面内的凹凸平坦化而设置，例如，作为像素电极的基底，有时配置由有机材料构成的层间绝缘膜。这样的绝缘膜有时几乎在基板的整个面形成，例如，为了使与栅极配线或源极配线连接的端子露出，有时在基板的外周区域除去绝缘膜。
栅极配线或源极配线中所使用的一般材料，由于容易腐蚀，不适合在基板的外周区域露出。因此，有时利用位于比栅极配线或源极配线更上层的像素电极中使用的材料来覆盖端子的表面。
作为在利用像素电极中使用的材料来覆盖端子的表面的情况下可能产生的问题，可以列举在端子彼此的距离接近时产生端子间短路。这如专利文献1和2中所说明的，是因为在使用光刻印刷将导电膜图案化而形成像素电极和端子的表层时，由于在层间绝缘膜的端部形成的段差而引起端子间的应该除去的导电膜的一部分(以下，称为“残膜”)残留的缘故。
以下，参照附图，详细说明端子间的导电膜不被除去而残留的理由。图1是表示现有的有源矩阵基板的一例的平面示意图。图1的有源矩阵基板中，在基板的下部和右端部，设置配置端子的外周区域60。图2是将图1中的基板的右端部的显示区域50和外周区域60的边界放大得到的平面示意图。图2中所示的栅极配线11中的位于靠近显示区域50的一侧的左半部分被绝缘膜31覆盖，右半部分从绝缘膜31露出。该从绝缘膜31露出的部分是作为端子21发挥功能的部分。图2中，由于端子21间因为导电膜的残膜32d而短路，因此，不能进行所期望的显示。
这里，基于沿图2中的A-B线的剖面图，说明形成导电膜的残膜32d的工序。沿图2中的A-B线的区域是位于端子21间的区域，是本来应该除去导电膜32的区域，但是，如图2所示，在端子21间形成导电膜的残膜32d。
形成导电膜的残膜32d的理由与利用光刻印刷来进行的导电膜32的图案化工序有关。对于导电膜的图案化工序，如图3～图5所示，在以下进行说明。图3是沿图2中的A-B线的剖面图，表示在端子形成用的导电膜32之上，形成有抗蚀剂膜33的状态。图3的端子形成用的导电膜32用于形成像素电极和端子21的表层。图3中，光刻印刷用的抗蚀剂膜33形成于导电膜32上。抗蚀剂膜33由于因导电膜32下的绝缘膜31形成的段差，接近段差的区域的厚度D1厚于其它区域的厚度D2。在光刻印刷中，对图3的抗蚀剂膜33曝光，在此后进行显影。
但是，如图3所示，接近段差的区域中，由于抗蚀剂膜33厚，曝光不充分，在显影之后，如图4所示，抗蚀剂膜的一部分不被除去，作为抗蚀剂膜的残膜33d残留。因此，使用显影后的抗蚀剂膜进行导电膜32的图案化时，如图5所示，在沿图2中的A-B线的区域中，形成导电膜的残膜32d。因此，隔着沿图2中的A-B线的区域相邻的端子21彼此因为该导电膜的残膜32d而短路。
如上所述，现有的结构中，由于形成于绝缘膜31的端部的段差，端子21间的应该除去的导电膜32的一部分容易残留，对该问题存在解决的余地。因此，寻求与专利文献1和2中所公开的防止端子短路的方法不同的新方法。
本发明是鉴于上述现状而作出的，目的在于提供一种适于防止端子间短路的具有新型结构的显示面板。
用于解决问题的技术手段
本发明的发明人对于以有源矩阵方式驱动的显示面板中的适于防止端子间短路的结构进行了各种研究，着眼于形成在端子附近的绝缘膜中的膜厚大的有机绝缘膜。并且，本发明的发明人通过将有机绝缘膜的端部配置于比配置有密封件的区域更靠外侧且与配置有端子的区域分离的位置，并且将无机绝缘膜的端部配置于配线与端子的边界，由此，能够良好地解决上述问题，从而到达本发明。
即，本发明为一种显示面板，其具有：有源矩阵基板；与上述有源矩阵基板相对的对置基板；和设置在上述有源矩阵基板与上述对置基板相对的显示区域的周围，将上述有源矩阵基板与上述对置基板粘接的密封件，其中，上述有源矩阵基板在上述显示区域内具有栅极配线、源极配线和像素电极，在上述显示区域外具有排列配置的多个配线和分别与上述多个配线连接的多个端子，上述多个配线和上述多个端子的下部由与上述栅极配线或上述源极配线相同的材料形成，上述多个端子的上部由与上述像素电极相同的材料形成，具有从上述显示区域内形成到上述显示区域外的多个绝缘膜，上述多个绝缘膜包括无机绝缘膜和比上述无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，上述无机绝缘膜和上述有机绝缘膜配置于上述像素电极与上述栅极配线或上述源极配线之间，上述有机绝缘膜的端部位于比配置有上述密封件的区域更靠外侧且与配置有上述端子的区域分离的位置，上述无机绝缘膜的端部位于上述多个配线与上述多个端子的边界。
这里，上述多个配线和上述多个端子的下部由与上述栅极配线或上述源极配线相同的材料形成。因此，上述多个配线和上述多个端子的下部例如能够使用光刻印刷通过与上述栅极配线或上述源极配线相同的工序形成。另外，上述多个配线和上述多个端子的下部可以与上述栅极配线或上述源极配线连续地形成，也可以不与上述栅极配线或上述源极配线连续地形成。例如，上述多个配线与上述栅极配线或上述源极配线也可以经由其它的配线连接。
上述多个端子的上部由与像素电极相同的材料形成。因此，上述多个端子的上部例如能够使用光刻印刷通过与上述像素电极相同的工序形成。上述栅极配线或上述源极配线的材料容易腐蚀，因此，利用难以腐蚀的像素电极材料来覆盖，从而能够更可靠地维持端子与外部电路的电连接。
上述多个绝缘膜包括无机绝缘膜和比上述无机绝缘膜厚的有机绝缘膜。无机绝缘膜通过溅射法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法形成，相对于此，有机绝缘膜能够通过旋涂法等涂布形成，形成得比无机绝缘膜厚。因此，在绝缘膜表面的平坦化、降低位于绝缘膜的上层的配线或电极与位于该绝缘膜的下层的配线或电极之间的寄生电容的方面，优选使用有机绝缘膜。另一方面，如上所述，在端子附近，由于期望绝缘膜的厚度小，因此，优选上述有机绝缘膜的端部位于比配置端子的区域更靠内侧(基板的中央侧)的位置。另外，在除去比配置有密封件的区域更靠内侧的有机绝缘膜的情况下，考虑与位于其下的层的配置关系和与对置基板的滤色片的贴合，需要确保成为余量(margin)的区域，因此，为了防止开口率降低，优选上述有机绝缘膜的端部位于比配置有密封件的区域更靠外侧的位置。因此，上述有机绝缘膜的端部位于比配置有上述密封件的区域更靠外侧且与配置有上述端子的区域分离的位置。
上述无机绝缘膜的端部位于上述多个配线与上述多个端子的边界。即，上述多个配线被无机绝缘膜覆盖，另一方面上述多个端子不被无机绝缘膜覆盖。因此，在端子的下部之上配置由与像素电极相同的材料形成的层，防止端子腐蚀。此外，在上述像素电极与上述栅极配线或上述源极配线之间配置多个无机绝缘膜的情况下，至少一个无机绝缘膜的端部位于上述多个配线与上述多个端子的边界即可，也可以全部无机绝缘膜的端部位于上述多个配线与上述多个端子的边界。
上述无机绝缘膜和上述有机绝缘膜配置于上述像素电极与上述栅极配线或上述源极配线之间。作为上述无机绝缘膜，例如，可以列举构成配置于栅极配线与半导体层之间的栅极绝缘膜、配置于源极配线与像素电极之间的层间绝缘膜的绝缘膜中的一者。作为上述有机绝缘膜，例如可以列举构成层间绝缘膜的绝缘膜中的一者。
本发明的显示面板例如能够适用于液晶面板。具备这样的液晶面板的液晶显示装置也是本发明的一个实施方式。
发明的效果
根据本发明，能够提供适于防止端子间短路的具有新型结构的显示面板。
附图说明
图1是表示现有的有源矩阵基板的一例的平面示意图。
图2是将图1中的基板的右端部中显示区域50与外周区域60的边界放大得到的平面示意图。
图3是沿图2中的A-B线的剖面图，表示在端子形成用的导电膜上形成抗蚀剂膜时的状态。
图4是沿图2中的A-B线的剖面图，表示将图3的抗蚀剂膜曝光后进行蚀刻时的状态。
图5是沿图2中的A-B线的剖面图，表示使用图4的抗蚀剂膜对导电膜进行蚀刻时的状态。
图6是表示实施方式1的有源矩阵基板的平面示意图。
图7是表示实施方式1的有源矩阵基板的端子附近的平面示意图。
图8是沿图7的C-D线的剖面图。
图9是沿图7的E-F线的剖面图。
图10是将构成实施方式1的端子附近的各部件分解表示的平面示意图。
图11是将构成实施方式1的像素的各部件分解表示的平面示意图。
图12是表示实施方式1的液晶面板和背光源的结构的分解立体示意图。
图13是表示具备图12所示的液晶面板的液晶显示装置的结构的分解立体示意图。
图14是表示实施方式2的有源矩阵基板的端子附近的剖面示意图。
图15是表示实施方式3的有源矩阵基板的端子附近的剖面示意图。
具体实施方式
以下，列举实施方式，参照附图，对本发明更详细地进行说明，本发明不限定于这些实施方式。
实施方式1
图6是表示实施方式1的有源矩阵基板的平面示意图。如图6所示，本实施方式的有源矩阵基板100中设置有：呈矩阵状地配置有多个像素的显示区域；和位于该显示区域外周，配置有多个端子21的外周区域。显示区域中，按每个像素配置有像素电极20。向各像素电极20输入的显示信号由薄膜晶体管控制。在薄膜晶体管的栅极电极连接传达扫描信号的栅极配线21，在薄膜晶体管的源极电极连接传达向像素电极20输入的像素信号的源极配线15。栅极配线11和源极配线15延伸至外周区域，与端子21连接。
另外，上述有源矩阵基板100通过密封件40与对置基板贴合，形成本实施方式的显示面板。显示面板中，密封件40配置于显示区域的周围。固化前的密封件40可以配置于有源矩阵基板100上，也可以配置与对置基板上。
图7是表示实施方式1的有源矩阵基板的端子附近的平面示意图。图8是沿图7中的C-D线的剖面图，表示配置有端子21的区域的剖面。图9是沿图7中的E-F线的剖面图，表示端子21间的区域的剖面。如图9所示，本实施方式中，构成图8所示的端子21的最上层的透明导电膜20e不存在于相邻的端子21之间，相邻的端子21彼此绝缘。
此外，在实施方式1的有源矩阵基板100中，如图6所示，在基板100的右端配置分别与相互平行延伸的多个栅极配线11连接的多个端子21，在基板的上端配置分别与相互平行延伸的多个源极配线15连接的多个端子21，图7和图8表示与栅极配线11连接的端子21。
如图7和8所示，本实施方式的有源矩阵基板100的端子21，层叠栅极金属11e、源极金属15e和透明导电膜20e而形成。上述栅极金属11e是指通过与上述栅极配线11相同的工序形成的部件或其材料。另外，上述源极金属15e是指通过与上述源极配线15相同的工序形成的部件或其材料。构成栅极金属11e的各部件，例如为将单一的导电膜图案化并分离而得到的各部分，或从功能的观点区分的各部件，对构成源极金属15e的各部件也同样。构成栅极金属11e的各部件由与上述栅极配线11相同的材料形成，构成源极金属15e的各部件由与上述源极配线15相同的材料构成。作为上述栅极金属11e，除了端子21的最下层以外，例如，可以列举薄膜晶体管的栅极电极、栅极配线11。作为上述源极金属15e，除了端子的中央层以外，例如，可以列举薄膜晶体管的源极电极和漏极电极、源极配线15。构成端子21的透明导电膜20e通过与像素电极20相同的工序形成，由与上述像素电极20相同的材料形成。这样，端子21能够利用显示区域内的部件的形成工序来形成。
端子21的中央层的源极金属15e和端子21的最上层的透明导电膜20e形成为岛状，端子21的最下层的栅极金属11e是将栅极配线11从显示区域内引出而得到的，在第一绝缘膜12下也延伸。上述栅极金属11e和源极金属15e由容易腐蚀的材料形成。另一方面，上述透明导电膜20e由难以腐蚀的材料形成。作为端子21的最上层，通过配置上述透明导电膜20e，能够防止端子21的腐蚀。其结果，能够更可靠地维持端子21与外部电路的电连接。
此外，与源极配线15连接的端子21具有以下结构：端子21的最下层的栅极金属11e和端子21的最上层的透明导电膜20e形成为岛状，端子21的中央层的源极金属15e是将源极配线15从显示区域内引出而得的。
作为上述栅极金属11e的材料，例如，可以列举以Ta、Ti、W、Mo、Al等元素为主要成分的金属。具体而言，例如，优选使用钨膜和氮化钽的层叠膜(W/TaN)、钼膜(Mo)、钼钨合金膜(MoW)、钛膜和铝膜的层叠膜(Ti/Al)。
作为上述源极金属15e的材料，例如可以列举以Ta、Ti、W、Mo、Al等元素为主要成分的金属。具体而言，例如，优选使用钛膜、铝膜和钛膜的层叠膜(Ti/Al/Ti)、钛膜和铝膜的层叠膜(Ti/Al)、氮化钛、铝膜和氮化钛的层叠膜(TiN/Al/TiN)、钼膜、铝－钕膜和钼膜的层叠膜(Mo/Al－Nd/Mo)、钼膜、铝膜和钼膜的层叠膜(Mo/Al/Mo)。这些膜能够通过溅射法、真空蒸镀法形成。
作为上述透明导电膜20e的材料，可以列举氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
另外，如图8和9所示，实施方式1的有源矩阵基板100层叠多个导电性部件和绝缘性部件而形成。图10是将构成实施方式1的端子21附近的各部件分解表示的平面示意图，图11是将构成实施方式1的像素的各部分分解表示的平面示意图。如图11所示，像素中，在绝缘性基板10上层叠有栅极金属11e、第一绝缘膜(栅极绝缘膜)12、半导体层13、第二绝缘膜14、源极金属15e、第三绝缘膜16、第四绝缘膜17、第一透明导电膜(共用电极)18、第五绝缘膜19和第二透明导电膜(像素电极)20。如图10所示，在端子21附近，在绝缘性基板10上层叠有栅极金属11e、第一绝缘膜(栅极绝缘膜)12、第二绝缘膜14、源极金属15e、第三绝缘膜16、第四绝缘膜17、第五绝缘膜19和第二透明导电膜(像素电极)20，不形成半导体层13和第一透明导电膜(共用电极)18。
第一～第五绝缘膜12、14、16、17和19均从显示区域内形成至比显示区域外的配置有密封件40的区域更靠外侧的位置。但是，第一～第三和第五绝缘膜12、14、16和19形成至端子21与栅极配线11或源极配线15的边界，与此不同地，第四绝缘膜17在与配置有端子21的区域分离的位置截止。这是由于第一、第二、第三和第五绝缘膜12、14、16和19为由无机材料形成的无机绝缘膜，与此不同地，第四绝缘膜17为由有机材料形成的有机绝缘膜，具有比无机绝缘膜大的厚度，因此，通过将第四绝缘膜17从端子21的附近除去，来降低端子21附近的段差。如上所述，如果端子21附近的段差变大，则导致端子21的最上层使用的第二透明导电膜20e在端子21间残留，因此，有可能发生端子21间短路。但是，本实施方式中，在端子21附近没有有机绝缘膜，因此，可以防止在进行由像素电极20的材料构成的透明导电膜的形成、由感光性树脂构成的抗蚀剂膜的形成、向抗蚀剂膜的曝光和抗蚀剂膜的蚀刻(显影)之后在端子21间发生抗蚀剂膜的残留。因此，在抗蚀剂膜的蚀刻之后对透明导电膜进行蚀刻时，透明导电膜20e在端子21间也不残留。
作为上述无机绝缘膜的材料，例如，可以列举氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNO)。作为上述有机绝缘膜的材料，例如可以列举丙烯酸树脂，优选感光性丙烯酸树脂。
作为上述导体层13的材料，例如，可以列举不定型硅(非晶质硅)、单晶硅、多晶硅、连续晶界结晶硅、氧化物半导体。作为氧化物半导体，例如，可以列举铟、镓、锌复合氧化物(IGZO)、ISZO(In-Si-Zn-O)、IAZO(In-Al-Zn-O)、INiZO(In-Ni-Zn-O)、ICuZO(In-Cu-Zn-O)、IHfZO(In-Hf-Zn-O)、IZO(In-Zn-O)。
本实施方式的显示面板是组装于液晶显示装置中的液晶面板，在通过密封件40贴合的有源矩阵基板110与对置基板之间封入液晶材料。
如图11所示，本实施方式的有源矩阵基板100中，在同一基板上设置像素电极20和共用电极18，根据在像素电极20与共用电极18之间施加的电压，能够在与基板平行的面内控制液晶分子的取向。另外，在像素电极20与共用电极18之间设置有第五绝缘层19。具有这样的结构的液晶面板为作为水平电场模式的一种的边缘场开关(FFS)模式的液晶面板。
图12是表示实施方式1的液晶面板和背光源的结构的分解立体图。如图12所示，有源矩阵基板100和对置基板72夹持液晶层73。另外，有源矩阵基本100和对置基板72由一对偏振板71和74夹持。在液晶面板200的背面配置背光源单元75。另外，根据需要，在背光源单元75与液晶面板200之间，例如配置各种光学膜，在液晶面板200的前面侧(显示画面侧)，例如配置各种光学膜、触摸面板。
从背光源单元75发出的光通过偏振板74、有源矩阵基板100、液晶层73、对置基板72和偏振板71之后，到达显示画面。通过控制液晶层73中的液晶分子的取向来控制透射液晶面板200的光量。
本实施方式涉及透射型的液晶显示装置，但本发明的显示面板也可以适用于透射型、反射型和半透射型(透射反射两用型)中的任一种的液晶显示装置。透射型的液晶显示装置中，在液晶面板的背面侧设置背光源，在液晶面板的显示侧和背面侧的面分别设置偏振板，相对于此，反射型的液晶显示装置在比液晶面板的液晶层更靠背面侧的位置设置反射膜，在液晶面板的显示侧的面设置圆偏振板。上述反射膜可以是在液晶层侧具备反射面的像素电极(反射电极)，在像素电极为透射电极时，像素电极可以单独设置。作为反射型的液晶显示装置，可以列举作为显示光除了使用外光以外，在比液晶层更靠显示面侧设置前光源的液晶显示装置。半透射型的液晶显示装置具有在像素内设置进行透射显示的透射区域和进行反射显示的反射区域方式、和在像素内设置半透射膜的方式。透射区域设置透射电极，反射区域设置反射电极或者透射电极和反射膜的层叠体。另外，半透射型的液晶显示装置，为了进行透射显示，与透射型的液晶显示装置同样地，在液晶面板的背面侧设置背光源，在液晶面板的显示侧和背面侧的面分别设置偏振板。另外，为了进行反射显示，至少在显示侧的偏振板添设λ/4相位差板，构成圆偏振板。
本实施方式涉及FFS模式的液晶面板，但是本发明的显示面板能够适用于各种显示模式，例如，能够适用于面内开关(IPS)模式、垂直取向(VA)模式、扭转向列(TN)模式、OCB模式。此外，FFS模式是水平取向模式的一种，包括于广义的IPS模式中。
图13是表示具备图12所示的液晶面板的液晶显示装置的结构的分解立体图。如图13所示，液晶面板200固定于固定面板400上，由前部壳体300和后部壳体500封住。接着，后部壳体500和上部支架700经由五金件600固定。此外上部支架700和下部支架800嵌合。另外，在液晶面板200的端子连接驱动用的外部电路。
实施方式2和3
实施方式1中，形成于栅极金属11e与第二透明导电膜20e之间的全部无机绝缘膜(第一～第三和第五绝缘膜)12、14、16、17和19形成至端子21与栅极配线11或源极配线15的边界，但是第一～第三和第五绝缘膜12、14、16和19中的任一个形成至栅极配线11或源极配线15和端子21的边界即可。作为无机绝缘膜的配置方式，例如，可以列举图14所示的方式(实施方式2)、图15所示的方式(实施方式3)。实施方式2中比有机绝缘膜(第四绝缘膜)17更靠下层的无机绝缘膜(第一～第三绝缘膜)12、14和16形成至端子21与栅极配线11或源极配线15的边界，比有机绝缘膜(第四绝缘膜)17更靠上层的无机绝缘膜(第五绝缘膜)19不形成至端子21与栅极配线11或源极配线15的边界。另外，实施方式3中比有机绝缘膜(第四绝缘膜)17更靠下层的无机绝缘膜(第一～第三绝缘膜)12、14和16不形成至端子21与栅极配线11或源极配线15的边界，比有机绝缘膜(第四绝缘膜)17更靠上层的无机绝缘膜(第五绝缘膜)19覆盖有机绝缘膜17，形成至端子21与栅极配线11或源极配线15的边界。
上述个实施方式可以在不超出本发明的技术思想的范围实施各种变更，例如，可以将特定实施方式中记载的结构的一部分用其它实施方式中记载的结构的一部分来替换，也可以组合各实施方式彼此。另外，上述实施方式涉及液晶显示装置，但是本发明的显示面板例如也能够适用于EL显示装置。上述EL显示装置可以是有机EL显示装置，也可以是无机EL显示装置。
符号说明
10    绝缘性基板
11    栅极配线
11e   栅极金属
12    第一绝缘膜(栅极绝缘膜)
13    半导体层
14    第二绝缘膜
15    源极配线
15e   源极金属
16    第三绝缘膜
17    第四绝缘膜
18    共用电极
19    第五绝缘膜
20    像素电极
20e   透明导电膜
21    端子
31    绝缘膜
32    导电膜
32d   导电膜的残膜
33    抗蚀剂膜
33d   抗蚀剂膜的残膜
40    密封件
50    显示区域
60    外周区域
71    偏振板
72    对置电极
73    液晶层
74    偏振板
75    背光源单元
100   有源矩阵基板
200   液晶面板
300   前部壳体
400   固定面板
500   后部壳体
600   五金件
700   上部支架
800   下部支架
900   液晶显示装置

Claims (1)

1.一种显示面板，其具有：有源矩阵基板；与所述有源矩阵基板相对的对置基板；和设置在所述有源矩阵基板与所述对置基板相对的显示区域的周围，将所述有源矩阵基板与所述对置基板粘接的密封件，该显示面板的特征在于：
所述有源矩阵基板在所述显示区域内具有栅极配线、源极配线和像素电极，在所述显示区域外具有排列配置的多个配线和分别与所述多个配线连接的多个端子，
所述多个配线和所述多个端子的下部由与所述栅极配线或所述源极配线相同的材料形成，所述多个端子的上部由与所述像素电极相同的材料形成，
具有从所述显示区域内形成到所述显示区域外的多个绝缘膜，
所述多个绝缘膜包括无机绝缘膜和比所述无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，
所述无机绝缘膜和所述有机绝缘膜配置于所述像素电极与所述栅极配线或所述源极配线之间，
所述有机绝缘膜的端部位于比配置有所述密封件的区域更靠外侧且与配置有所述端子的区域分离的位置，
所述无机绝缘膜的端部位于所述多个配线与所述多个端子的边界。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107895727A (zh) * 2017-12-01 2018-04-10 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 显示基板及其制造方法
CN108701719A (zh) * 2016-02-22 2018-10-23 夏普株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
CN112042269A (zh) * 2018-04-20 2020-12-04 堺显示器制品株式会社 有机el器件及其制造方法
CN112385313A (zh) * 2018-07-12 2021-02-19 夏普株式会社 显示设备

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104007571B (zh) * 2014-06-04 2017-01-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法
TWI577032B (zh) * 2015-04-24 2017-04-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
TWI727041B (zh) * 2016-05-20 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
JP6706999B2 (ja) * 2016-08-30 2020-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731856A (en) * 1995-12-30 1998-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for forming liquid crystal displays including thin film transistors and gate pads having a particular structure
JP2002196363A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
CN101140390A (zh) * 2006-09-08 2008-03-12 株式会社日立显示器 液晶显示装置
CN102339812A (zh) * 1999-07-22 2012-02-01 株式会社半导体能源研究所 接触结构及半导体器件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3377003B2 (ja) 2001-12-10 2003-02-17 松下電器産業株式会社 アクティブ素子アレイ基板の製造方法
JP2009128761A (ja) 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 基板装置及びその製造方法並びに表示装置
JP5280988B2 (ja) 2009-11-09 2013-09-04 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置の製造方法
JP5668917B2 (ja) * 2010-11-05 2015-02-12 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5731856A (en) * 1995-12-30 1998-03-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods for forming liquid crystal displays including thin film transistors and gate pads having a particular structure
CN102339812A (zh) * 1999-07-22 2012-02-01 株式会社半导体能源研究所 接触结构及半导体器件
JP2002196363A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
CN101140390A (zh) * 2006-09-08 2008-03-12 株式会社日立显示器 液晶显示装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108701719A (zh) * 2016-02-22 2018-10-23 夏普株式会社 半导体装置和半导体装置的制造方法
CN107895727A (zh) * 2017-12-01 2018-04-10 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 显示基板及其制造方法
CN107895727B (zh) * 2017-12-01 2020-01-21 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 显示基板及其制造方法
CN112042269A (zh) * 2018-04-20 2020-12-04 堺显示器制品株式会社 有机el器件及其制造方法
CN112385313A (zh) * 2018-07-12 2021-02-19 夏普株式会社 显示设备
CN112385313B (zh) * 2018-07-12 2024-04-30 夏普株式会社 显示设备

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