CN104121935B - 物理量传感器、电子设备以及移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种物理量传感器、电子设备以及移动体，其能够提高相对于来自外部装置的噪声的耐性、或降低与外部装置之间的阻抗的失配。物理量传感器(1)包括：传感器元件(20)；集成电路(10)，其与传感器元件(20)电连接；陶瓷封装件(30)(基体)，其搭载有集成电路(10)。在陶瓷封装件(30)的一个面上设置有用于实施与外部的电连接的第一导体图案(配线图案(61))。并且设置有与配线图案(61)电连接的第二导体图案。第二导体图案具有穿过陶瓷封装件(30)的内部的配线图案(63)、和露出于陶瓷封装件(30)的另一个面的金属化区域(70)，配线图案(63)长于陶瓷封装件(30)的一个面与另一个面之间的距离。

Description

物理量传感器、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及一种物理量传感器、电子设备以及移动体。
背景技术
目前，在各种系统或电子设备中，对加速度进行检测的加速度传感器或对角速度进行检测的陀螺仪传感器等、可对各种物理量进行检测的物理量传感器被广泛利用。特别是，近年来在智能手机等移动设备中内置有角速度传感器或加速度传感器，从而传感器封装件的小型化、薄型化变得较为重要。
作为现有的传感器封装件的一个示例，在专利文献1中记载有一种半导体气密封装件，所述半导体气密封装件具备另一端侧露出于IC基板的外表面并与外部电连接的外部电极部。此外，在专利文献2中记载有一种如下结构的封装件，所述结构为，传感器元件以及IC的电极部通过引线接合而与陶瓷封装件内部电极连接，并且经由陶瓷封装件内的配线而与外部电极连接的结构。在任一示例中，封装件的作用均发挥如下作用，即，在确对内部设备的保护与气密的同时，确保内部与外部的电导通。因此，在一般的封装件内配线中，希望极力降低了配线电阻的电配线，从而在电压降较少的状态下实施信号的输入输出。如此，在极力降低了配线电阻的配线结构以及配线材料的情况下，对于电源线或通信线的配线而言，电压降较少从而是有利的。
但是，在将现有的传感器封装件与微型电子计算机或放大电路等外部电路相连接的情况下，不具有对于电源噪声或通信噪声的耐性。因此，在电源线的情况下，存在在传感器内部混入有噪声从而发生误动作或功能异常的可能性。此外，在通信线的情况下，存在如下问题，即，由于因与外部电路的配线而产生的寄生成分或阻抗的失配，从而在信号波形中产生过冲或下冲，由此导致通信不良的问题。
专利文献1：日本特开2009-59941号公报
专利文献2：日本特开2009-41962号公报
发明内容
本发明为鉴于以上的这种问题点而完成的发明，并能够提供一种具有可提高相对于来自外部装置的噪声的耐性、或者降低与外部装置之间的阻抗的失配的封装件结构的物理量传感器、及使用了该物理量传感器的电子设备以及移动体。
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而完成的发明，并可以作为以下的方式或应用例来实现。
应用例1
本应用例所涉及的物理量传感器包括：传感器元件；集成电路，其与所述传感器元件电连接；基体，其搭载有所述集成电路，在所述基体的一个面上，配置有用于实施与外部的电连接的第一导体图案，并且配置有与所述第一导体图案电连接的第二导体图案，所述第二导体图案具有被配置于所述基体的内部的第一配线图案、和被配置于所述基体的另一个面上的第二配线图案，所述第一配线图案长于所述一个面与所述另一个面之间的距离。
本应用例所涉及的物理量传感器例如既可以为加速度传感器、陀螺仪传感器(角速度传感器)、速度传感器等惯性传感器，也可以为根据重力而对倾斜角进行测量的倾斜仪。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，由于与用于实施与外部的电连接的第一导体图案电连接的第二导体图案长于采用现有方式从外部起以最短路径(向上侧呈直线状)被形成的导体图案，因此第二导体图案的电阻值与现有的导体图案相比较高，从而提高了噪声耐性。
应用例2
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，在俯视观察所述基体时，所述第一配线图案至少从所述集成电路的一端侧向另一端侧延伸。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，由于即使不增大基体的宽度也能够将第一配线图案设置得较长，因此能够高效地形成电阻值较高的配线图案。因此，能够提高噪声耐性和阻抗匹配。
应用例3
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，所述第一配线图案包含直线形状。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，能够利用基体的内层配线而高效地形成电阻值较高的配线图案。因此，能够提高噪声耐性和阻抗匹配。
应用例4
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，所述第一配线图案的至少一部分包含蜿蜒形状。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，能够利用基体的内层配线从而高效地形成与直线形状的配线图案相比电阻值更高的配线图案。因此，能够进一步提高噪声耐性与阻抗匹配。
应用例5
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，所述基体包括第一层和第二层，所述第一配线图案具有：多个第三配线图案，其被设置于所述第一层与所述第二层之间；多个第四配线图案，其被配置在所述第一层上，且被设置在所述第一层中与所述多个第三配线图案相反的一侧；多个导通孔，其对所述多个第三配线图案与所述多个第四配线图案进行电连接，在侧视观察所述基体时，所述第一配线图案包含蜿蜒形状。
第一层既可以为第二层的上侧的层，也可以为第二层的下侧的层。
根据本应用例的物理量传感器，能够利用基体的两个层而高效地形成与在一个层上所形成的直线形状的配线图案相比电阻值较高的配线图案。因此，能够进一步提高噪声耐性和阻抗匹配。
应用例6
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，所述基体包括第一层和第二层，所述第一配线图案具有：多个第三配线图案，其被设置于所述第一层与所述第二层之间；多个第四配线图案，其被配置在所述第一层上，且被设置在所述第一层中与所述多个第三配线图案的相反的一侧；多个导通孔，其对所述多个第三配线图案与所述多个第四配线图案进行电连接，在俯视观察所述基体时，所述第一配线图案包含蜿蜒形状。
第一层既可以为第二层的上侧的层，也可以为第二层的下侧的层。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，能够利用基体的两个层而高效地形成与在一个层上所形成的直线形状的配线图案相比电阻值较高的配线图案。因此，能够进一步提高噪声耐性和阻抗匹配。
应用例7
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，所述第二导体图案的一部分由薄层电阻值高于所述第一导体图案的材料构成。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，能够在不增加安装面积的条件下容易地形成电阻值较高的配线图案。因此，能够进一步提高噪声耐性和阻抗匹配。
应用例8
在上述应用例所涉及的物理量传感器中，可以采用如下方式，即，在所述基体的内部设置有固定电位的第三导体图案，所述第三导体图案被设置于所述第一配线图案的至少两侧。
根据本应用例所涉及的物理量传感器，由于能够将构成第二导体图案的第一配线图案的周围设为低阻抗，因此能够使噪声不易重叠在第二导体图案中。
应用例9
本应用例所涉及的电子设备包括上述任一物理量传感器。
应用例10
本应用例所涉及的移动体包括上述任一物理量传感器。
附图说明
图1为表示本实施方式的物理量传感器功能框图的一个示例的图。
图2为本实施方式的物理量传感器1的外观(传感器封装件)的立体图。
图3为传感器封装件的分解立体图。
图4为表示第一实施方式中的陶瓷封装件的纵向结构的图。
图5为表示第一实施方式中的配线图案的一个示例的图。
图6为表示在现有的内部导体图案与第一实施方式的内部导体图案中有矩形波信号传播时的两个波形的一个示例的图。
图7为表示第二实施方式中的配线图案的一个示例的图。
图8为表示在现有的内部导体图案、第一实施方式的内部导体图案以及第二实施方式的内部导体图案中有矩形波信号传播时的两个波形的一个示例的图。
图9为表示第三实施方式中的陶瓷封装件的纵向结构的图。
图10为表示第三实施方式中的配线图案的一个示例的图。
图11为表示第四实施方式中的陶瓷封装件的纵向结构的图。
图12为表示第四实施方式中的配线图案的一个示例的图。
图13为在图12(A)之上重叠了图12(B)的图。
图14为表示第五实施方式中的陶瓷封装件的纵向结构的图。
图15为表示第五实施方式中的配线图案的一个示例的图。
图16为本实施方式的电子设备的功能框图。
图17为表示本实施方式的电子设备的外观的一个示例的图。
图18为表示本实施方式的移动体的一个示例的图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的优选的实施方式进行详细说明。另外，在下文中进行说明的实施方式，并非对被记载于权利要求书中的本发明的内容进行不当限定。此外，在下文中所说明的结构的全部内容并不一定都是本发明的必需构成要件。
1.物理量传感器
1-1.第一实施方式
图1为本实施方式的物理量传感器的功能框图的一个示例。如图1所示，本实施方式的物理量传感器1包括集成电路(IC)10以及传感器元件20。
在图1中，传感器元件20为如下的振动式的压电型的角速度检测元件，即，在具有两根T型的驱动振动臂并且在其间具有一根检测振动臂的所谓双T型的水晶振动片上，形成有两个驱动电极和两个检测电极。
在传感器元件20的两根驱动振动臂中，当作为驱动信号而被施加交流电压信号时，通过反压电效应，从而进行彼此的顶端反复接近与远离的弯曲振动(激励振动)。如果这两根驱动振动臂的弯曲振动的振幅相等，则两根驱动振动臂将相对于检测振动臂而始终以线对称的关系进行弯曲振动，因此不会引起检测振动臂的振动。
如果在该状态下，施加有将与传感器元件20的激励振动面垂直的轴作为旋转轴的角速度，则两根驱动振动臂将在与弯曲振动的方向和旋转轴双方垂直的方向上获得科里奥利力。其结果为，两根驱动振动臂的弯曲振动的对称性遭到破坏，从而检测振动臂将进行弯曲振动以保持平衡。伴随于该科里奥利力而产生的检测振动臂的弯曲振动、与驱动振动臂的弯曲振动(激励振动)的相位偏移90°。而且，通过压电效应从而在两个检测电极上将产生基于这些弯曲振动的反相位(相相位差180°)的交流电荷。该交流电荷根据科里奥利力的大小(换而言之，施加于传感元件20上的角速度的大小)而变化。
另外，传感器元件20的振动片也可以不是双T型，例如，既可以是音叉型或齿型，也可以是三棱柱、四棱柱、圆柱状等形状的音片型。此外，作为传感器元件20的振动片的材料，代替水晶(SiO2)，例如既可以使用钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等压电单结晶或锆钛酸铅(PZT)等压电陶瓷等的压电性材料，也可以使用硅半导体。此外，例如也可以采用如下结构，即，在硅半导体的表面的一部分上，配置了被驱动电极夹持的氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)等的压电薄膜的结构。
此外，传感器元件20并不限定于压电型的传感器元件，也可以为电动型、静电电容型、涡电流型、光学型、应变计型等振动式的传感器元件。或者，传感器元件20的方式并不限定于振动式，例如也可以为光学式、旋转式、流体式。此外，传感器元件20所检测的物理量并不限定于角速度，也可以为角加速度、加速度、速度、压力、力等。
如图1所示，在本实施方式中，传感器元件20的两个驱动电极分别与集成电路(IC)10的DS端子和DG端子连接。此外，传感器20的两个检测电极分别与集成电路(IC)10的S1端子和S2端子连接。
集成电路(IC)10被构成为，包括驱动电路11、检测电路12、温度传感器13、电源电压传感器14、基准电压电路15、串行接口电路16、非易失性存储器17、切换控制电路18、端子功能切换电路19。另外，本实施方式的集成电路(IC)10也可以采用将图1所示的要素的一部分省略或变更、或者追加了其他要素的结构。
基准电压电路15根据从VDD端子被供给的电源电压来生成基准电位(模拟接地电压)等的恒定电压或恒定电流，并向驱动电路11、检测电路12、温度传感器13进行供给。
驱动电路11生成用于使振传感器元件20激励振动的驱动信号，并经由DS端子而向传感器元件20的一个驱动电极进行供给。此外，通过传感器元件20的激励振动而在另一个驱动电极上产生的驱动电流(水晶电流)经由DG端子而输入至驱动电路11，并且驱动电路11对驱动信号的振幅电平进行反馈控制，以使该驱动电流的振幅被保持为固定。此外，驱动电路11生成相位与驱动信号错开了90°的信号，并向检测电路12进行供给。
传感器元件20的两个检测电极各自产生的交流电荷(检测电流)分别经由S1端子和S2端子而被输入至检测电路12，并且检测电路12只对这些交流电荷(检测电流)中所包含的角速度成分进行检测，并生成与角速度的大小相对应的电压电平的信号(角速度信号)。在本实施方式中，检测电路12将通过S1、S2端子而被输入的检测电流转换为电压，并以从驱动电路11被供给的信号(相位与驱动信号错开了90°的信号)为采样时钟而进一步进行了A/D转换之后，通过数字处理而生成检测信号(角速度信号)。
温度传感器13生成电压相对于温度变化而大致线性地变化的信号，并将该信号进行A/D转换并输出。温度传感器13例如能够利用带隙基准(band-gap reference)电路来实现。
电源电压传感器14对从VDD端子被供给的电源电压值进行A/D转换并输出。
非易失性存储器17对针对驱动电路11、检测电路12、温度传感器13的各种的调节数据与补正数据进行保持。非易失性存储器17例如能够通过MONOS(Metal Oxide NitrideOxide Silicon：金属氧化氮氧化硅)型存储器来实现。
检测电路12在角速度信号的生成处理中，使用来自温度传感器13以及电源电压传感器14的数字输出信号和非易失性存储器17中所存储的补正数据，来实施角速度信号的零点电源电压补正、零点温度补正以及灵敏度温度补正。
检测电路12所生成的角速度信号(数字信号)被供给至串行接口电路16。
端子功能切换电路19对IO1、IO2、IO3、IO4四个端子的接入点进行切换。例如，端子功能切换电路19能够在切换控制电路18的控制之下，选择驱动电路11、检测电路12、基准电压电路15的输出信号或内部信号，并从IO1、IO2、IO3、IO4中的某一个向外部输出，或者，将从IO1、IO2、IO3、IO4中的某一个而被外部输入的信号向驱动电路11、检测电路12、基准电压电路15进行供给。
切换控制电路18根据从串行接口电路16接收到的设定值，来对IO1、IO2、IO3、IO4这四个端子的接入点的切换进行控制。
本实施方式的物理量传感器1被构成为，将集成电路(IC)10和陀螺传感器元件20密封于封装件中。图2为表示本实施方式的物理量传感器1的外观(传感器封装件)的立体图，图3为传感器封装件的分解立体图。
如图2以及图3所示，物理量传感器1作为如下结构的传感器封装件而被安装，即，在层叠有多个层的陶瓷封装件30(基体的一个示例)的开口部中配置有集成电路(IC)10，并在陶瓷封装件30的上表面上配置有传感器元件保持部件40，并且在该传感器元件保持部件40上以可振动的方式保持有传感器元件20，而且在被设置于陶瓷封装件30的上表面的密封环上粘接有盖部(盖)50。陶瓷封装件30发挥集成电路(IC)10以及传感器元件20的箱体的作用，并且负责集成电路(IC)10以及传感器元件20与外部的电连接。
图4为表示陶瓷封装件30的纵向结构的图。如图4所示，陶瓷封装件30例如层叠有五个陶瓷基板31A、31B、31C、31D、31E。例如，陶瓷封装件30的厚度(陶瓷基板31A、31B、31C、31D、31E的各自的厚度之和)为，例如1mm左右，陶瓷基板31E的表面的一条边的长度为，例如5mm左右。
在各个陶瓷基板的表面(虽然在本实施方式中为上表面，但也可以为下表面)上形成有导电性的配线图案。分别被形成在相邻的两个陶瓷基板的表面上的配线图案的一部分，经由被形成为通孔(孔)的导通孔而被电连接。“导通孔”例如既可以在通孔(孔)的内壁上设置导电膜从而将基板的表面侧与背面侧电连接，也可以在通孔(孔)的内部填充导电性材料从而将基板的表面侧与背面侧电连接。在最下层的陶瓷基板31E的下表面(陶瓷封装件30的底面)上，形成有作为外部端子而发挥功能的配线图案(外部导体图案)。外部导体图案(外部端子)被焊接在印刷基板上(未图示)，并与外部装置电连接。
在陶瓷基板31A、31B、31C中，在中央处设有开口部，并且在该开口部中配置有集成电路(IC)10。在陶瓷基板31B的上表面上，于配线图案的至少一部分上形成有通过金或镍等的材料而被金属化了的金属化区域，金属化区域通过引线而与集成电路(IC)10的端子(电极)接合。
如此，外部导体图案经由如下的导体图案(内部导体图案)而与集成电路(IC)10电连接，所述导体图案由被形成于陶瓷基板31A、31B、31C、31D、31E的表面上的多个配线图案、和对该多个配线图案进行电连接的多个导通孔构成。
各个陶瓷基板的表面上所形成的配线图案或导通孔使用钨材料或薄层电阻值较低的银或铜等材料。另外，在图4中，对配线图案划有斜线，对导通孔划有纵线。
在本实施方式中，在陶瓷基板31E的下表面(陶瓷封装件30的底面(一个面))上形成有配线图案61，并经由导通孔62，而与在陶瓷基板31E的上表面上至少从集成电路(IC)10的一端侧向另一端侧延伸的配线图案63电连接。配线图案63经由导通孔64而与在陶瓷基板31D的上表面上所形成的配线图案65电连接。配线图案65经由导通孔66而与在陶瓷基板31C的上表面上所形成的配线图案67电连接。配线图案67经由导通孔68而与在陶瓷基板31B的上表面上所形成的配线图案69电连接。而且，以露出于陶瓷封装件30的上表面(另一个面)的方式，在配线图案69的上表面的一部分上设置有金属化区域70，并且金属化区域70与集成电路(IC)10的端子(电极)引线接合。
即，作为外部导体图案的配线图案61(第一导体图案)，经由由导通孔62、配线图案63(第一配线图案的一个示例)、导通孔64、配线图案65、导通孔66、配线图案67、导通孔68、配线图案69以及金属化区域70(第二配线图案的一个示例)构成的内部导体图案(第二导体图案)，而与集成电路(IC)10电连接。另外，配线图案61例如与图1所示的集成电路(IC)10的VDD端子、VSS端子、串行通信用的端子(SS、SCLK、SI、SO)、IO端子(IO1、IO2、IO3、IO4)中的任意一个连接。
图5为表示被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63的一个示例的图。如图5所示，本实施方式中的配线图案63以直线形状(大致直线状)被形成在陶瓷基板31E的上表面上，并且与陶瓷封装件30的底面(一个面)和上表面(另一个面)之间的距离、即陶瓷封装件30的厚度(例如1mm左右)相比较长。因此，包括配线图案63在内的第二导体图案与采用现有方式从外部导体图案起以最短路径(向上侧呈直线状)被形成的内部导体图案(其长度约为陶瓷基板的厚度)相比较长，并且至少为约两倍以上的长度。因此，第二导体图案的电阻值将成为现有的内部导体图案的约两倍以上。另外，为了提高第二导体图案的电阻值，优选为，配线图案63至少长于陶瓷基板31E的表面的一条边的长度(例如5mm左右)的一半。
另外，陶瓷封装件30例如与VSS端子或VDD端子连接，并且形成有固定电位的内部导体图案(第三导体图案)，配线图案63被夹在作为第三导体图案的一部分的配线图案71和配线图案72之间。在此，固定电位例如既可以为电源，也可以为接地。因此，配线图案63的周围为低阻抗，从而噪声不易重叠在配线图案63中。
图6(A)为表示将以现有方式实施最短配线的内部导体图案和本实施方式的内部导体图案(第二导体图案)使用于通信线，并分别有矩形波信号(时钟信号)传播时的两个波形的一个示例的图，图6(B)为图6(A)的由虚线所包围的部分的放大图。G1为在实施最短配线的内部导体图案中有矩形波信号传播时的波形，G2为在本实施方式的内部导体图案(第二导体图案)中有矩形波信号传播时的波形。
如本实施方式这样，通过在一个层中形成比陶瓷封装件30的厚度长的直线形状(大致直线状)的配线图案从而使内部导体图案加长的情况，与采用现有的方式对内部导体图案进行最短配线的情况相比，在矩形波的上升沿与下降沿中所产生的振铃振荡的振幅变小，而且振铃振荡的衰减也变大(变快)。
通常，这种振铃振荡是由于电信号往返于对传感器封装件与外部电路(微型电子计算机等)进行连接的传输线路中而产生的。而且，过冲或下冲的振幅通过传感器封装件的阻抗、传输线路的特性阻抗、以及外部电路的阻抗而被决定。因此，使这三个阻抗相一致将成为抑制振铃振荡的产生的有效的方法。
由于采用本实施方式的方式，通过将内部导体图案(第二导体图案)的一部分在一个层中配置形成为直线形状(大致直线状)，从而与进行最短配线的情况相比电阻值变大，因此可以使传感器封装件30的阻抗接近于传输线路的特性阻抗以及外部电路的阻抗。此外，该配线电阻成分能够抑制传输线路的阻抗Q的增大。即，虽然通过由传输线路来连接传感器封装件与外部电路，而建立了由传输线路的等效电感成分和等效电容成分构成的LC谐振电路，但通过增大内部导体图案的电阻值从而抑制了LC谐振电路的Q，由此能够使振铃振荡的振动快速衰减。即，通过将内部导体图案的一部分在一个层中形成为直线形状(大致直线状)，从而可获得与形成阻尼电阻等效的效果。
此外，例如通过将本实施方式的内部导体图案(第二导体图案)使用于电源线，从而能够提高电源线的噪声耐性。
如上所述，根据第一实施方式的物理量传感器，由于与外部端子连接的至少一个内部导体图案(第二导体图案)的一部分，在陶瓷封装件30的一个层中被配线为直线形状(大致直线状)，因此能够提高噪声耐性，而且，即使在连接了外部电路的情况下也能够抑制振铃振荡的产生，从而减少通信不良或误动作，由此能够实现较高的可靠性。此外，从电磁兼容性(EMC)的观点出发，由于能够使噪声辐射变小，因此能够减小对其他设备或该设备本身等的影响。此外，能够得到即使面对来自外部的较强的电磁波噪声也不会发生误动作的耐受量。
而且，根据第一实施方式的物理量传感器，由于利用了陶瓷封装件30的内层配线，因此能够在不使用外置部件的条件下以低成本实现，并且不必增加安装面积。
1-2.第二实施方式
在第二实施方式的物理量传感器中，在陶瓷基板31E的上表面上至少从集成电路(IC)10的一端侧向另一端侧延伸的配线图案63的形状与第一实施方式有所不同。图7为表示第二实施方式中的配线图案63的一个示例的图。如图7所示，第二实施方式中的配线图案63(第一配线图案的一个示例)以其一部分为蜿蜒形状(蛇曲状)的方式而被形成在陶瓷基板31E的上表面上，从而与第一实施方式的配线图案63相比较长。因此，包括配线图案63在内的第二导体图案，与采用现有方式从外部导体图案起以最短路径(向上侧呈直线状)被形成的内部导体图案(其长度约为陶瓷基板的厚度)相比较长，并且至少成为约两倍以上的长度。因此，第二导体图案的电阻值将成为现有的内部导体图案的约两倍以上。另外，为了提高第二导体图案的电阻值，优选为，配线图案63至少长于陶瓷基板31E的表面的一条边的长度(例如5mm左右)的一半。
此外，第二实施方式中的配线图案63与第一实施方式相同地，也被夹在作为固定电位的第三导体图案的一部分的配线图案71和配线图案72之间。因此，配线图案63的周围为低阻抗，并且在配线图案63中噪声不易重叠。
另外，由于第二实施方式的物理量传感器1的其他的结构与第一实施方式相同，因此省略其说明。
图8(A)为表示将以现有方式实施最短配线的内部导体图案、第一实施方式中的内部导体图案(第二导体图案)以及第二实施方式中的内部导体图案(第二导体图案)使用于通信线，并分别有矩形波信号(时钟信号)传播时的两个波形的一个示例的图，图8(B)为由图8(A)的虚线所包围的部分的放大图。G1为在实施最短配线的内部导体图案中有矩形波信号时的波形，G2为在第一实施方式的内部导体图案(第二导体图案)中有矩形波信号传播时的波形，G3为在表示第二实施方式的内部导体图案(第二导体图案)中有矩形波信号传播时的波形。
如第二实施方式这样，通过在一个层中形成与陶瓷封装件30的厚度相比较长且一部分为蜿蜒形状(蛇曲状)的配线图案从而使内部导体图案加长的情况，与采用现有的方式对内部导体图案进行最短配线的情况、或采用第一实施方式将内部导体图案的一部分在一个层中形成为直线形状(大致直线状)的情况相比，在矩形波的上升沿与下降沿中所产生的振铃振荡的振幅变小，而且振铃振荡的衰减也变大(变快)。
由于采用第二实施方式，通过将内部导体图案(第二导体图案)的一部分在一个层中配置形成为蜿蜒形状(蛇曲状)，从而与进行最短配线的情况相比电阻值进一步变大，因此能够使传感器封装件30的阻抗更接近于传输线路的特性阻抗以及外部电路的阻抗。此外，由于该配线电阻成分能够抑制传输线路的阻抗Q的增大，因此能够使振铃振荡的振动迅速地衰减。
此外，例如通过将第二实施方式的内部导体图案(第二导体图案)使用于电源线，从而能够进一步提高电源线的噪声耐性。
如上所述，根据第二实施方式的物理量传感器，由于与外部端子连接的至少一个内部导体图案(第二导体图案)的一部分，在陶瓷封装件30的一个层中被配线为蜿蜒形状(蛇曲状)，因此能够提高噪声耐性，而且，即使在连接了外部电路的情况下也可抑制振铃振荡的发生，从而减少通信不良或误动作，由此能够实现较高的可靠性。此外，从电磁兼容性(EMC)的观点出发，由于能够使噪声辐射变小，因此能够减小对其他设备或该设备自身等的影响。此外，能够得到即使面对来自外部的较强的电磁波噪声也不会发生误动作的耐受量。
而且，根据第二实施方式的物理量传感器，由于利用了陶瓷封装件30的内层配线，因此能够在不使用外置部件的条件下以低成本实现，并且不必增加安装面积。
1-3.第三实施方式
第三实施方式的物理量传感器在以下这一点上与第一实施方式有所不同，即，第二导体图案具有被形成于多个层的表面上的多个配线图案和对该多个配线图案进行电连接的多个导通孔，以代替配线图案63。
图9为表示第三实施方式中的陶瓷封装件30的纵向结构的图。如图9所示，在第三实施方式中，被形成于陶瓷基板31E的下表面(陶瓷封装件30的底面)上的配线图案61，经由导通孔62而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63A电连接。配线图案63A经由导通孔64A而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65A电连接。配线图案65A经由导通孔64B而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63B电连接。配线图案63B经由导通孔64C而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65B电连接。配线图案65B经由导通孔64D而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63C电连接。配线图案63C经由导通孔64E而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65C电连接。配线图案65C经由导通孔64F而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63D电连接。配线图案63D经由导通孔64G而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65D电连接。配线图形65D经由导通孔66而与被形成于陶瓷基板31C的上表面上的配线图案67电连接。配线图案67经由导通孔68而与被形成于陶瓷基板31B的上表面上的配线图案69电连接。在配线图案69的上表面的一部分上设置有金属化区域70，并且金属化区域70与集成电路(IC)10的端子(电极)引线接合。
即，作为外部导体图案的配线图案61(第一导体图案)经由如下的内部导体图案(第二导体图案)而与集成电路(IC)10电连接，所述内部导体图案由导通孔62、配线图案63A～63D、导通孔64A～64G、配线图案65A～65D、导通孔66、配线图案67、导通孔68、配线图案69以及金属化区域70构成。而且，如图9所示，第二导体图案的至少一部分在侧面观察陶瓷封装件30时(从与底面平行的方向观察时)呈蜿蜒形状。
图10(A)为，表示在陶瓷基板31E(第二层的一个示例)的上表面上(陶瓷基板31E与陶瓷基板31D之间)所形成的配线图案63A～63D(第三配线图案的一个示例)的一个示例的图，图10(B)为，表示在陶瓷基板31D(第一层的一个示例)的上表面上(陶瓷基板31D中与配线图案63A～63D相反的一侧)所形成的配线图案65A～65D(第四配线图案的一个示例)的一个示例的图。如图10(A)以及图10(B)所示，第三实施方式中的配线图案63A～63D以及65A～65D均被形成为直线形状，由配线图案63A～63D、导通孔64A～64G以及配线图案65A～65D构成的配线图案(第一配线图案的一个示例)的长度长于陶瓷封装件30的底面(一个面)与上表面(另一个面)之间的距离、即陶瓷封装件30的厚度(例如1mm左右)。因此，包括由配线图案63A～63D、导通孔64A～64G以及配线图案65A～65D构成的配线图案在内的第二导体图案，与采用现有方式从外部导体图案起以最短路径(向上侧呈直线状)被形成的内部导体图案(其长度约为陶瓷基板的厚度)相比较长，并且至少为约两倍以上的长度。因此，第二导体图案的电阻值将为现有的内部导体图案的约两倍以上。另外，为了提高第二导体图案的电阻值，优选为，配线图案63A～63D以及65A～65D的长度之和至少长于陶瓷基板31E的表面的一条边的长度(例如5mm左右)的一半。
此外，第三实施方式中的配线图案63A～63D与第一实施方式相同地，也被夹在作为固定电位的第三导体图案的一部分的配线图案71和配线图案72之间。此外，第三实施方式中的配线图案65A～65D被夹在作为该第三导体图案的一部分的配线图案73和配线图案74之间。因此，配线图案63A～63D以及65A～65D的周围为低阻抗，从而噪声不易重叠在配线图案63A～63D以及65A～65D中。
另外，由于第三实施方式的物理量传感器1的其他结构与第一实施方式相同，因此省略其说明。
如上所述，根据第三实施方式的物理量传感器，由于与外部端子连接的至少一个内部导体图案(第二导体图案)的一部分为，通过在陶瓷封装件30的多个层中被实施配线的多个配线图案、和对该多个配线图案进行连接的多个导通孔，而在从与陶瓷封装件30的底面平行的方向观察时成为蜿蜒形状(蛇曲状)的导体图案，因此能够提高噪声耐性，而且，即使在连接了外部电路的情况下也能够抑制振铃振荡的产生，从而减少通信不良或误动作，由此能够实现较高的可靠性。此外，从电磁兼容性(EMC)的观点出发，由于能够使噪声辐射变小，因此能够减小对其他设备或该设备本身等的影响。此外，能够得到即使面对来自外部的较强的电磁波噪声也不会发生误动作的耐受量。
而且，根据第三实施方式的物理量传感器，由于能够使第二导体图案的长度长于第一实施方式，因此第二导体图案的电阻值变得更高，从而对于上述的各个效果，能够期待比第一实施方式更好的效果。
而且，根据第三实施方式的物理量传感器，由于利用了陶瓷封装件30的内层配线，因此能够在不使用外置部件的条件下以低成本实现，并且不必增加安装面积。
1-4.第四实施方式
第四实施方式的物理量传感器在以下这一点上与第二实施方式有所不同，即，第二导体图案具有被形成于多个层的表面上的多个配线图案和对该多个配线图案进行电连接的多个导通孔，以代替配线图案63。
图11为表示第四实施方式中的陶瓷封装件30的纵向结构的图。如图11所示，在第四实施方式中，被形成于陶瓷基板31E的下表面(陶瓷封装件30的底面)上的配线图案61，经由导通孔62而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63A电连接。配线图案63A经由导通孔64A而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65A电连接。配线图案65A经由导通孔64B而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63B电连接。配线图案63B经由导通孔64C而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65B电连接。配线图案65B经由导通孔64D而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63C电连接。配线图案63C经由导通孔64E而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65C电连接。配线图案65C经由导通孔64F而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63D电连接。配线图案63D经由导通孔64G而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65D电连接。配线图案65D经由导通孔64H而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63E电连接。配线图案63E经由导通孔64I而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65E电连接。配线图案65E经由导通孔64J而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63F电连接。配线图案63F经由导通孔64K而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65F电连接。配线图案65F经由导通孔64L而与被形成于陶瓷基板31E的上表面上的配线图案63G电连接。配线图案63G经由导通孔64M而与被形成于陶瓷基板31D的上表面上的配线图案65G电连接。配线图案65G经由导通孔66而与被形成于陶瓷基板31C的上表面上的配线图案67电连接。配线图案67经由导通孔68而与被形成于陶瓷基板31B的上表面上的配线图案69电连接。在配线图案69的上表面的一部分上，设置有金属化区域70，并且金属化区域70与集成电路(IC)10的端子(电极)引线接合。
即，作为外部导体图案的配线图案61(第一导体图案)经由由导通孔62、配线图案63A～63G、导通孔64A～64M、配线图案65A～65G、导通孔66、配线图案67、导通孔68、配线图案69以及金属化区域70构成的内部导体图案(第二导体图案)，而与集成电路(IC)10电连接。
图12(A)为表示被形成于陶瓷基板31E(第二层的一个示例)的上表面上(陶瓷基板31E与陶瓷基板31D之间)的配线图案63A～63G(第三配线图案的一个示例)的一个示例的图，图12(B)为表示被形成于陶瓷基板31D(第一层的一个示例)的上表面上(陶瓷基板31D中与配线图案63A～63D相反的一侧)的配线图案65A～65G(第四配线图案的一个示例)的一个示例的图。如图12(A)以及图12(B)所示，第四实施方式中的配线图案63A～63G以及65A～65G均被形成为直线形状，并且由配线图案63A～63G、导通孔64A～64M以及配线图案65A～65G构成的配线图案(第一配线图案的一个示例)的长度，与陶瓷封装件30的底面(一个面)与上表面(另一个面)之间的距离、即陶瓷封装件30的厚度(例如1mm左右)相比较长。因此，包括由配线图案63A～63G、导通孔64A～64M以及配线图案65A～65G构成的配线图案在内的第二导体图案，与采用现有方式从外部导体图案起以最短路径(向上侧呈直线状)被形成的内部导体图案(其长度约为陶瓷基板的厚度)相比较长，并且至少为约两倍以上的长度。因此，第二导体图案的电阻值为现有的内部导体图案的约两倍以上。另外，为了提高第二导体图案的电阻值，优选为，配线图案63A～63G以及65A～65G的长度之和至少长于陶瓷基板31E的表面的一条边的长度(例如5mm左右)的一半。
此外，第四实施方式中的配线图案63A～63G与第二实施方式相同地，均被夹在作为固定电位的第三导体图案的一部分的配线图案71和配线图案72之间。此外，第四实施方式中的配线图案65A～65G被夹在作为该第三导体图案的一部分的配线图案73和配线图案74之间。因此，配线图案63A～63G以及65A～65G的周围为低阻抗，从而噪声不易重叠在配线图案63A～63G以及65A～65G中。
而且，如在图12(A)上重叠了图12(B)的图、即图13所示，在第三实施方式中，第二导体图案的至少一部分在俯视观察陶瓷封装件30时(从与底面垂直的方向观察时)呈蜿蜒形状。
另外，由于第四实施方式的物理量传感器1的其他结构与第二实施方式相同，因此省略其说明。
如上所述，根据第四实施方式的物理量传感器，由于与外部端子连接的至少一个内部导体图案(第二导体图案)的一部分为，通过在陶瓷封装件30的多个层中被实施配线的多个配线图案和对该多个配线图案进行连接的多个导通孔，而在从与陶瓷封装件30的底面垂直的方向观察时成为蜿蜒形状(蛇曲状)的导体图案，因此能够提高噪声耐性，而且，即使在连接了外部电路的情况下也能够抑制振铃振荡的产生，从而减少通信不良或误动作，由此能够实现较高的可靠性。此外，从电磁兼容性(EMC)的观点出发，由于能够使噪声辐射变小，因此能够减小对其他设备或该设备本身等的影响。此外，能够得到即使面对来自外部的较强的电磁波噪声也不会发生误动作的耐受量。
而且，根据第四实施方式的物理量传感器，由于能够使第二导体图案的长度长于第二实施方式，因此第二导体图案的电阻值将变得更高，从而对于上述的各个效果，能够期待比第二实施方式更好的效果。
此外，在第四实施方式的物理量传感器中，在将第二导体图案使用于通信线的情况下，通信频率越变高，配线图案63A～63G、65A～65G越作为电感而工作。而且，通过该电感、在配线图案63A～63G与固定电位的配线图案71、72之间所形成的静电电容、以及在配线图案65A～65G与固定电位的配线图案73、74之间所形成的静电电容，从而结构性地形成了L与C的低通滤波器的等效电路结构，由此将产生能够去除高频噪声的效果。如果通信频率变高，则能够更加显著地发挥低通滤波器的效果。
而且，根据第四实施方式的物理量传感器，由于利用了陶瓷封装件30的内层配线，因此能够在不使用外置部件的条件下以低成本实现，并且不必增加安装面积。
1-5.第五实施方式
第五实施方式的物理量传感器在如下这一点上与第一实施方式至第四实施方式有所不同，即，第二导体图案的一部分由薄层电阻值高于第一导体图案的材料构成。在此，薄层电阻值R＇＝ρ/d[Ω/□]。ρ为导体图案的电阻率，d为导体图案的厚度。虽然在下文中，作为第五实施方式的物理量传感器的具体示例而列举了对第一实施方式进行了改变的示例，但也可以对其他实施方式进行改变。
图14为表示第五实施方式中的陶瓷封装件30的纵向结构的图。此外，图15为表示被形成于陶瓷基板31B的上表面上的配线图案的一个示例的图。如图14所示，在第五实施方式中，配线图案61、63、65、67、69、导通孔62、64、66、68以及金属化区域70的结构与第一实施方式相同。而且，在第五实施方式中，如图14和图15所示，在金属化区域70的一部分上涂覆有薄层电阻值高于配线图案61(第一导体图案)的高电阻材料80。作为高电阻材料80，例如可以使用由作为钌(Ru)类氧化物的二氧化钌(RuO2)等的电阻体膏形成的高电阻材料。
即，作为外部导体图案的配线图案61(第一导体图案)，经由由导通孔62、配线图案63A～63D、导通孔64A～64G、配线图案65A～65D、导通孔66、配线图案67、导通孔68、配线图案69、金属化区域70以及高电阻材料80构成的内部导体图案(第二导体图案)，而与集成电路(IC)10电连接。
此外，如图15所示，在陶瓷基板31B的上表面的大半部分上，形成有作为固定电位(接地电位)的导体图案的一部分的低阻抗的配线图案75，从而噪声不易重叠在配线图案69中。
另外，由于第五实施方式的物理量传感器1的其他结构与第一实施方式相同，因此省略其说明。
如上所述，根据第五实施方式的物理量传感器，由于与外部端子连接的至少一个内部导体图案(第二导体图案)具有被形成于陶瓷封装件30的至少一个层的表面上、且比陶瓷封装件30的厚度长的配线图案，并且第二导体图案的一部分由薄层电阻值高于第一导体图案的材料构成，因此能够提高噪声耐性，而且，即使在连接了外部电路的情况下也能够抑制振铃振荡的产生，从而减少通信不良或误动作，由此能够实现较高的可靠性。此外，从电磁兼容性(EMC)的观点出发，由于能够使噪声辐射变小，因此能够减小对其他设备或该设备本身等的影响。此外，能够得到即使面对来自外部的较强的电磁波噪声也不会发生误动作的耐受量。
而且，根据第五实施方式的物理量传感器，由于通过添加高电阻材料80从而能够使第二导体图案的电阻值高于第一实施方式，因此对于上述的各个效果，能够期待比第一实施方式更好的效果。
而且，根据第五实施方式的物理量传感器，由于使用了陶瓷封装件30的内层配线，因此能够在不使用外置部件的条件下以低成本实现，并且不必增加安装面积。
2.电子设备
图16为本实施方式的电子设备的功能框图。此外，图17为表示作为本实施方式的电子设备的一个示例的、智能手机的外观的一个示例的图。
本实施方式的电子设备300被构成为，包括物理量传感器310、CPU(CentralProcessing Unit：中央处理器)320、操作部330、ROM(Read Only Memory：只读存储器)340、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)350、通信部360、显示部370、声音输出部380。另外，本实施方式的电子设备也可以采用对图16的构成要素(各个部)的一部分进行省略或变更，或者是添加了其他要素的结构。
物理量传感器310为，对物理量进行检测并将与所检测出的物理量相对应的电平信号(物理量信号)输出的装置，并且例如既可以为对加速度、角速度、速度等的物理量中的至少一部分进行检测的惯性传感器，也可以为对倾斜角进行测量的倾斜仪。作为物理量传感器310，例如可应用上述的各个实施方式的物理量传感器1。
CPU320根据被存储于ROM340等中的程序，并使用物理量传感器310所输出的物理量信号来实施各种的计算处理与控制处理。此外，CPU320还实施如下处理，即，与来自操作部330的操作信号相对应的各种处理、为了实施与外部的数据通信而对通信部360进行控制的处理、发送用于使显示部370显示各种信息的显示信号的处理、使声音输出部380输出各种声音的处理等。
操作部330为，由操作键或按钮开关等构成的输入装置，并且将与由用户实施的操作相对应的操作信号输出至CPU320。
ROM340对供CPU320实施各种的计算处理与控制处理的程序或数据等进行存储。
RAM350作为CPU320的工作区而被使用，并且临时存储从ROM340中读取出的程序或数据、从操作部330被输入的数据、CPU320按照各种程执行所得到的运算结果等。
通信部360实施用于使CPU320与外部装置之间的数据通信成立的各种控制。
显示部370为，由LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)、或有机EL显示器等构成的显示装置，并且根据从CPU320被输入的显示信号来显示各种信息。也可以在显示部370中设置作为操作部330而发挥功能的触摸面板。
声音输出部380为，扬声器等输出声音的装置。
通过组装上文所述的本实施方式的物理量传感器1以作为物理量传感器310，从而能够实现可靠性更高的电子设备。
作为这种电子设备300，可考虑到各种电子设备，例如可列举出：个人计算机(例如，便携式个人计算机、膝上型个人计算机、笔记本型个人计算机、平板型个人计算机)、移动电话等移动体终端、数码照相机、喷墨式喷出装置(例如，喷墨打印机)、路由器或接线器等存储区域网络设备、局域网络设备、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、电子记事本(也包括附带通信功能的产品)、电子词典、台式电子计算机、电子游戏设备、游戏用控制器、文字处理器、工作站、可视电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、POS终端、医疗设备(例如，电子体温计、血压计、血糖仪、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如，车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴式显示器、运动轨迹、运动追踪、运动控制器、PDR(行人位置方位测量)等。
3.移动体
图18为表示本实施方式的移动体的一个示例的图(俯视图)。图18所表示的移动体400被构成为，包括物理量传感器410、420、430、控制器440、450、460、蓄电池470。另外，本实施方式的移动体既可以对图18的构成要素(各个部)的一部分进行省略或变更，也可以采用附加其他构成要素的结构。
物理量传感器410、420、430、控制器440、450、460通过从蓄电池470被供给的电源电压而进行工作。
物理量传感器410、420、430为，对物理量进行检测并将与所检测出的物理量相对应的电平的信号(物理量信号)输出的装置，分别为例如，角速度传感器、加速度传感器、速度传感器、倾斜仪等。
控制器440、450、460分别使用物理量传感器410、420、430所输出的物理量信号的一部分或全部，而实施对姿势控制系统、防侧翻系统、制动系统等的各种控制。
作为物理量传感器410、420、430，可以应用上述的各个实施方式的物理量传感器1，由此能够确保较高的可靠性。
作为这种移动体400可考虑到各种移动体，例如可列举出：汽车(也包括电动汽车)、喷气式飞机或直升机等飞机、船舶、火箭、人造卫星等。
4.改变例
本发明并不限定于本实施方式，在本发明的主旨的范围内可实施各种改变。
例如，虽然在上述实施方式中，从与陶瓷封装件30的底面垂直或平行的方向观察时，第二导体图案的一部分均为直线形状(大致直线状)或蜿蜒形状，但也可以为L字形状或阶梯形状等、直线形状(大致直线状)或蜿蜒形状以外的形状。
上文所述的各个实施方式以及改变例仅是一个示例，并不限定于此。例如，也可以对各个实施方式以及改变例进行适当组合。
本发明包括与在实施方式中所说明的结构实质相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构，或者目的以及效果相同的结构)。此外，本发明包括置换了在实施方式中所说明的结构的非本质部分的结构。此外，本发明包括能够起到与在实施方式中所说明的结构相同的作用效果的结构、或能够实现相同的目的的结构。此外，本发明包括在实施方式中所说明的结构中添加了公知技术的结构。
符号说明
1物理量传感器；10集成电路(IC)；11驱动电路；12检测电路；13温度传感器；14电源电压传感器；15基准电压电路；16串行接口电路；17非易失性存储器；18切换控制电路；19端子功能切换电路；20传感器元件；30陶瓷封装件；40传感器元件保持部件；50盖部(盖)；31A～31E陶瓷基板；61、63、63A～63G、65、65A～65G、67、69、71～75配线图案；62、64、64A～64M、66、68导通孔；70金属化区域；80高电阻材料；300电子设备；310物理量传感器；320CPU；330操作部；340ROM；350RAM；360通信部；370显示部；380声音输出部；400移动体；410、420、430物理量传感器；440、450、460控制器；470蓄电池。

Claims (9)

1.一种物理量传感器，包括：
传感器元件；
集成电路，其与所述传感器元件电连接；
基体，其搭载有所述集成电路，
在所述基体的一个面上，配置有用于实施与外部的电连接的第一导体图案，
并且配置有与所述第一导体图案电连接的第二导体图案，
所述第二导体图案具有被配置于所述基体的内部的第一配线图案、和被配置于所述基体的另一个面上的第二配线图案，
所述第一配线图案长于所述一个面与所述另一个面之间的距离，
所述第二导体图案的一部分由薄层电阻值高于所述第一导体图案的材料构成。
2.如权利要求1所述的物理量传感器，其中，
在俯视观察所述基体时，所述第一配线图案至少从所述集成电路的一端侧向另一端侧延伸。
3.如权利要求1或2所述的物理量传感器，其中，
所述第一配线图案包含直线形状。
4.如权利要求1或2所述的物理量传感器，其中，
所述第一配线图案的至少一部分包含蜿蜒形状。
5.如权利要求1或2所述的物理量传感器，其中，
所述基体包括第一层和第二层，
所述第一配线图案具有：
多个第三配线图案，其被设置于所述第一层与所述第二层之间；
多个第四配线图案，其被配置在所述第一层上，且被设置在所述第一层中与所述多个第三配线图案相反的一侧；
多个导通孔，其对所述多个第三配线图案与所述多个第四配线图案进行电连接，
在侧视观察所述基体时，所述第一配线图案包含蜿蜒形状。
6.如权利要求1或2所述的物理量传感器，其中，
所述基体包括第一层和第二层，
所述第一配线图案具有：
多个第三配线图案，其被设置于所述第一层与所述第二层之间；
多个第四配线图案，其被配置在所述第一层上，且被设置在所述第一层中与所述多个第三配线图案相反的一侧；
多个导通孔，其对所述多个第三配线图案与所述多个第四配线图案进行电连接，
在俯视观察所述基体时，所述第一配线图案包含蜿蜒形状。
7.如权利要求1或2所述物理量传感器，其中，
在所述基体的内部设置有固定电位的第三导体图案，
所述第三导体图案被设置于所述第一配线图案的至少两侧。
8.一种电子设备，其包括权利要求1或2所述的物理量传感器。
9.一种移动体，其包括权利要求1或2所述的物理量传感器。
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