CN104103719B - 发光器件及发光器件封装件 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种包括提高了光提取效率并且单独驱动的多个发光结构的发光器件、发光器件封装件和光单元。该发光器件可以包括第一发光结构和第二发光结构。第一发光结构可以包括第一导电性第一半导体层、在第一导电性第一半导体层之下的第一有源层、和在第一有源层之下的第二导电性第二半导体层。第二发光结构可以包括第一导电性第三半导体层、在第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、和在第二有源层之下的第二导电性第四半导体层。

Description

发光器件及发光器件封装件
技术领域
实施方案涉及一种发光器件、发光器件封装件和光单元。
背景技术
发光二极管（LED）已经被广泛地用作发光器件之一。LED通过利用化合物半导体的特性将电信号转换成例如红外光、紫外光和可见光的光的形式。
随着发光器件的光效率增加，发光器件已经被用于例如显示设备和照明装置的各个领域中。
发明内容
实施方案提供了一种具有提高的光提取效率并且包括单独驱动的多个发光结构的发光器件、发光器件封装件和光单元。
根据实施方案，提供了一种发光器件。该发光器件可以包括第一发光结构和第二发光结构。第一发光结构可以包括第一导电性第一半导体层、在第一导电性第一半导体层之下的第一有源层和在第一有源层之下的第二导电性第二半导体层。第二发光结构可以包括第一导电性第三半导体层、在第一导电性第三半导体层之下的第二有源层、和在第二有源层之下的第二导电性第四半导体层。
根据实施方案，该发光器件可以包括：第一发光结构；设置在第一发光结构之下并且电连接到第一发光结构的第一电极；第二发光结构；设置在第二发光结构之下并且电连接到第二发光结构的第二电极；以及设置在第一发光结构之下并且电连接到第一发光结构和第二发光结构的第三电极。
根据实施方案，提供了一种发光器件封装件。该发光器件封装件可以包括：本体；设置在本体上的发光器件；以及电连接到发光器件的第一引线电极和第二引线电极。
根据实施方案，提供了一种光单元，该光单元包括：衬底、设置在衬底上的发光器件、和使从发光器件产生的光穿过的光学构件。
如上所述，根据实施方案的发光器件、发光器件封装件和光单元能够提高光提取效率并且能够单独驱动多个发光结构。
附图说明
图1是示出了根据实施方案的发光器件的图。
图2是沿着图1中示出的发光器件的线A-A’截取的截面图。
图3是沿着图1中示出的发光器件的线B-B’截取的截面图。
图4至图8是示出了根据实施方案的制造发光器件的方法的截面图。
图9至图12是示出了根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。
图13是示出了根据实施方案的发光器件封装件的截面图。
图14是示出了根据实施方案的光单元的分解图。
具体实施方式
下文中，将参照附图描述发光器件、发光器件封装件和光单元。
在实施方案的描述中，应当理解，当层（或薄膜）被称作在另一层或衬底“上”时，其可以直接在另一层或衬底上，或者也可以存在插入层。此外，应当理解，当层被称作在另一层“之下”时，它可以直接在另一层之下，也可以存在一个或更多个插入层。此外，还应当理解，当层被称作在两层“之间”时，其可以是两层之间唯一的层，或者也可以存在一个或多个插入层。
下文中，将参照附图描述根据实施方案的发光器件、发光器件封装件、光单元和制造该发光器件的方法。
图1是示出了根据实施方案的发光器件的图，图2是沿着图1中示出的发光器件的线A-A’截取的截面图，图3是沿着图1中示出的发光器件的线B-B’截取的截面图。
如图1至图3所示，根据实施方案，发光器件可以包括第一发光结构10、第二发光结构20、第一电极81、第二电极82、第三电极83、第一焊盘91和第二焊盘92。
第一发光结构10可以包括第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。第一有源层12可以设置在第一导电性第一半导体层11与第二导电性第二半导体层13之间。第一有源层12可以设置在第一导电性第一半导体层11之下，第二导电性第二半导体层13可以设置在第一有源层12之下。
第一导电性第一半导体层11可以包括掺杂有用作第一导电性掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电性第二半导体层13可以包括掺杂有用作第二导电性掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。此外，第一导电性第一半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电性第二半导体层13可以包括N型半导体层。
例如，第一导电性第一半导体层11可以包括N型半导体层。第一导电性第一半导体层11可以通过使用化合物半导体来形成。第一导电性第一半导体层11可以通过使用第II-VI族化合物半导体或者第III-V族化合物半导体来形成。
例如，第一导电性第一半导体层11可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来形成。例如，第一导电性第一半导体层11可以包括选自掺杂有N型掺杂剂例如Si、Ge、Sn、Se和Te的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的一种。
第一有源层12可通过穿过第一导电性第一半导体层11注入的电子（或空穴）以及穿过第二导电性第二半导体层13注入的空穴（或电子）的复合由于根据构成第一有源层12的材料的能带隙差而发光。第一有源层12可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱结构（MQW）、量子点结构或量子线结构中的一种，但实施方案不限于此。
第一有源层12可以通过使用化合物半导体来形成。例如，第一有源层12可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体来形成。例如，第一有源层12可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来形成。当第一有源层12具有MQW结构时，第一有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，第一有源层12可以以InGaN阱层/GaN势垒层的循环来形成。
例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用P型半导体层来形成。第二导电性第二半导体层13可以通过使用化合物半导体来形成。例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用第II-VI族化合物半导体或第III-V族化合物半导体来形成。
例如，第二导电性第二半导体层13可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来形成。例如，第二导电性第二半导体层13可以包括选自掺杂有P型掺杂剂（如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba）的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP或AlGaInP中的一种。
同时，第一导电性第一半导体层11可以包括P型半导体层，第二导电性第二半导体层13可以包括N型半导体层。此外，包括N型或P型半导体层的半导体层可以另外地设置在第二导电性第二半导体层13之下。因此，第一发光结构10可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构和PNP结结构中的至少一种。此外，杂质可以以均匀或非均匀的掺杂浓度掺入第一导电性第一半导体层11和第二导电性第二半导体层13中。换句话说，第一发光结构10可以具有多种结构，并且实施方案不限于此。
此外，第一导电性InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构可以设置在第一导电性第一半导体层11与第一有源层12之间。此外，第二导电性AlGaN层可以设置在第二导电性第二半导体层13与第一有源层12之间。
第二发光结构20可以包括第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半导体层23。第二有源层22可以设置在第一导电性第三半导体层21与第二导电性第四半导体层23之间。第二有源层22可以设置在第一导电性第三半导体层21之下，并且第二导电性第四半导体层23可以设置在第二有源层22之下。
例如，第一导电性第三半导体层21可以包括掺杂有用作第一导电性掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电性第四半导体层23可以包括掺杂有用作第二导电性掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。此外，第一导电性第三半导体层21可以包括P型半导体层，第二导电性第四半导体层23可以包括N型半导体层。
第二发光结构20的结构和材料可以与第一发光结构10的结构和材料类似，所以将省略其详细描述。
根据实施方案的发光器件可以包括第一反射层17。第一反射层17可以电连接到第二导电性第二半导体层13。第一反射层17可以设置在第一发光结构10之下。第一反射层17可以设置在第二导电性第二半导体层13之下。第一反射层17可以反射从第一发光结构10入射到其上的光以增加提取到外界的光的量。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一反射层17与第二导电性第二半导体层13之间的第一欧姆接触层15。第一欧姆接触层15可以与第二导电性第二半导体层13接触。第一欧姆接触层15可以与第一发光结构10欧姆接触。第一欧姆接触层15可以包括与第一发光结构10欧姆接触的区域。第一欧姆接触层15可以包括与第二导电性第二半导体层13欧姆接触的区域。
例如，第一欧姆接触层15可以包括透明导电氧化物层。例如，第一欧姆接触层15可以包括选自以下中的至少一种：ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、AZO（铝锌氧化物）、AGZO（铝镓锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、ATO（锑锡氧化物）、GZO（镓锌氧化物）、IZON（IZO氮化物）、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag或Ti。
第一反射层17可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射层17可以包括包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种或其合金的金属。另外，第一反射层17可以形成为金属或其合金和透射导电材料的多层，所述透射导电材料为例如ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、AZO（铝锌氧化物）或ATO（锑锡氧化物）。例如，根据实施方案，第一反射层17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或Ag-Cu合金中的至少一种。
例如，第一反射层17可以具有Ag层和Ni层交替设置的结构，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti层，和Pt层。另外，第一欧姆接触层15可以设置在第一反射层17之下，并且第一欧姆接触层15的至少一部分可以通过第一反射层17与第一发光结构10欧姆接触。
根据实施方案的发光器件可以包括第二反射层27。第二反射层27可以电连接到第二导电性第四半导体层23。第二反射层27可以设置在第二发光结构20之下。第二反射层27可以设置在第二导电性第四半导体层23之下。第二反射层27可以反射从第二发光结构20入射到其上的光以增加提取到外界的光的量。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第二反射层27与第二导电性第四半导体层23之间的第二欧姆接触层25。第二欧姆接触层25可以与第二导电性第四半导体层23接触。第二欧姆接触层25可以与第二发光结构20欧姆接触。第二欧姆接触层25可以包括与第二发光结构20欧姆接触的区域。第二欧姆接触层25可以包括与第二导电性第四半导体层23欧姆接触的区域。
例如，第二欧姆接触层25可以包括与第一欧姆接触层15的材料和结构类似的材料和结构。另外，第二反射层27可以包括与第一反射层17的材料和结构类似的材料和结构。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一反射层17之下的第一金属层35。第一金属层35可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第二反射层27之下的第二金属层45。第二金属层45可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo中的至少一种。
第一金属层35和第二金属层45可以通过使用相同材料或相互不同的材料来形成。
根据实施方案，第一电极81可以包括第一反射层17、第一欧姆接触层15或第一金属层35中的至少一种。例如，第一电极81可以包括第一反射层17、第一金属层35或第一欧姆接触层15的全部，或者可以包括选自第一反射层17、第一金属层35或第一欧姆接触层15中的一种或两种。
根据实施方案的第一电极81可以设置在第一发光结构10之下。第一电极81可以电连接到第二导电性第二半导体层13。
根据实施方案，第二电极82可以包括第二反射层27、第二欧姆接触层25或第二金属层45中的至少一种。例如，第二电极82可以包括第二反射层27、第二金属层45和第二欧姆接触层25的全部，或者可以包括选自第二反射层27、第二金属层45或第二欧姆接触层25中的一种或两种。
根据实施方案的第二电极82可以设置在第二发光结构20之下。第二电极82可以电连接到第二导电性第四半导体层23。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一发光结构10的下部周围的沟道层30。沟道层30可以设置在第二发光结构20的下部周围。沟道层30的第一区域可以设置在第二导电性第二半导体层13之下。
沟道层30的第一区域可以与第二导电性第二半导体层13的底表面接触。沟道层30的第二区域可以设置在第二导电性第四半导体层23之下。沟道层30的第二区域可以与第二导电性第四半导体层23的底表面接触。
沟道层30的第一区域可以设置在第二导电性第二半导体层13与第一反射层17之间。沟道层30的第二区域可以设置在第二导电性第四半导体层23与第二反射层27之间。沟道层30的第一区域可以设置在第二导电性第二半导体层13与第一欧姆接触层15之间。沟道层30的第二区域可以设置在第二导电性第四半导体层23与第二欧姆接触层25之间。
沟道层30可以设置在第一发光结构10的下部周围部分处。沟道层30可以从第一发光结构10的侧壁向外延伸。沟道层30的一侧可以与第一电极81的一侧接触。沟道层30的该侧可以与第一欧姆接触层15的一侧接触。沟道层30的一些区域可以设置在第一电极81的顶表面上。沟道层30的一些区域可以与第一金属层35的顶表面接触。
沟道层30可以设置在第二发光结构20的下部周围部分处。沟道层30可以从第二发光结构20的侧壁向外延伸。沟道层30的一侧可以与第二电极82的一侧接触。沟道层30的该侧可以与第二欧姆接触层25的一侧接触。沟道层30的一些区域可以设置在第二电极82的顶表面上。沟道层30的一些区域可以与第二金属层45的顶表面接触。
沟道层30可以称作隔离层。沟道层30可以在稍后进行关于第一发光结构10和第二发光结构20的隔离工艺时用作蚀刻阻挡物。另外，沟道层30可以防止由隔离工艺引起的发光器件的电特性劣化。
沟道层30可以包括绝缘材料。例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，沟道层30可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2和AlN中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包括第一绝缘层41以使第一电极81电绝缘于第二电极82。第一绝缘层41可以设置在第一电极81与第二电极82之间。第一绝缘层41可以设置在第一电极81之下。第一绝缘层41可以设置在第二电极82之下。第一绝缘层41的顶表面可以与沟道层30接触。
第一绝缘层41可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第一绝缘层41可以包括选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。
第一绝缘层41可以以100nm至2000nm的厚度形成。如果第一绝缘层41的厚度小于100nm，则第一绝缘层41的绝缘特性可能劣化。如果第一绝缘层41的厚度超过2000nm，则第一绝缘层41可能在后续过程中破裂。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一发光结构10之下的第三电极83，并且将第一导电性第一半导体层11与第一导电性第三半导体层21电连接。第三电极83可以设置在第二发光结构20之下。第三电极83可以设置在第一绝缘层41之下。
第三电极83可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的至少一种。第三电极83可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70的全部。此外，第三电极83可以包括选自第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的一种或两种。
第三金属层50可以包含选自Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。第三金属层50可以用作扩散阻挡层。在第三金属层50之下可以设置接合层60和导电支承构件70。
第三金属层50可以在设置接合层60的过程中防止包含在接合层60中的材料扩散到第一反射层17和第二反射层27。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料（例如Sn）对第一反射层17和第二反射层27施加影响。
接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd或Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的第一发光结构10和第二发光结构20。接合层60可以以籽晶层的形式实现。
例如，导电支承构件70可以包括被注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底（例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底和SiGe衬底）中的至少一种。
根据实施方案的发光器件还可以包括设置在第三电极83与第一绝缘层41之间的第二绝缘层42。第二绝缘层42可以设置在第一电极81与第三电极83之间。第二绝缘层42可以设置在第二电极82与第三电极83之间。
例如，第二绝缘层42可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第二绝缘层42可以包括选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。
第二绝缘层42可以以100nm至2000nm的厚度形成。如果第二绝缘层42的厚度小于100nm，则第二绝缘层42的绝缘特性可能劣化。如果第二绝缘层42的厚度超过2000nm，则第二绝缘层42可能在后续过程中破裂。
根据实施方案的发光器件可以包括设置在第一导电性第一半导体层11的下部区域处的第一接触部分33。第一接触部分33可以电连接到第三电极83。第一接触部分33可以设置为穿过第一有源层12。第一接触部分33可以插入设置在第一导电性第一半导体层11中的凹槽。第一接触部分33包括多个接触部分。第一接触部分33的顶表面可以与第一导电性第一半导体层11接触。
第一接触部分33可以通过第三连接线51电连接到第三电极83。第三连接线51可以设置成穿过第二绝缘层42。第三连接线51可以设置成穿过第一绝缘层41。第三连接线51可以电绝缘于第一电极81。
第一接触部分33可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au或Mo中的至少一种。例如，第三连接线51可以包含选自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd或Ta中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以设置在第一发光结构10中，并且可以包含设置在第一接触部分33的周围部分的第三绝缘层43。第三绝缘层43可以使第一接触部分33电绝缘于第一有源层12电绝缘。第三绝缘层43可以使第一接触部分33电绝缘于第二导电性第二半导体层13。
例如，第三绝缘层43可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第三绝缘层43可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包含设置在第一导电性第三半导体层21的下部区域的第二接触部分34。第二接触部分34可以电连接到第三电极83。第二接触部分34可以设置成穿过第二有源层22。第二接触部分34可以插入设置在第一导电性第三半导体层21中的凹槽。可以形成多个第二接触部分34。第二接触部分34的顶表面可以与第一导电性第三半导体层21接触。
第二接触部分34可以通过第四连接线52电连接到第三电极83。第四连接线52可以设置成穿过第二绝缘层42。第四连接线52可以设置成穿过第一绝缘层41。第四连接线52可以电绝缘于第二电极82。
第二接触部分34可以包含选自Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au或Mo中的至少一种。例如，第四连接线52可以包含选自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd或Ta中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以设置在第二发光结构20中，并且可以包含设置在第二接触部分34的周围部分的第四绝缘层44。第四绝缘层44可以使第二接触部分34电绝缘于第二有源层22。第四绝缘层44可以使第二接触部分34电绝缘于第二导电性第四半导体层23。
例如，第四绝缘层44可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第四绝缘层44可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。
根据实施方案的发光器件可以包含电连接到第一电极81的第一焊盘91。第一焊盘91可以在发光结构10的周围部分露出。根据实施方案的发光器件可以包含电连接到第二电极82的第二焊盘92。第二焊盘92可以在第一发光结构10的周围部分露出。第一焊盘91可以与第二焊盘92隔开。
第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的下部周围部分。根据实施方案，第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的一个侧面处。第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的同一侧面处。因此，外部电源可以沿着第一发光结构10的一个方向容易地连接到第一焊盘91和第二焊盘92。
第一电极81和第一焊盘91可以通过第一连接线31相互电连接。第二电极82和第二焊盘92可以通过第二连接线32相互电连接。第二连接线32可以设置在第一电极81之下。第一电极81可以设置在第一发光结构10的下部区域处。第二电极82可以设置在第二发光结构20的下部区域处。第一连接线31可以通过第一绝缘层41电绝缘于第二连接线32。
第一焊盘91和第二焊盘92可以包含选自Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo中的至少一种。此外，第一连接线31和第二连接线32可以包含选自Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。
根据实施方案，可以在第一导电性第一半导体层11的顶表面上设置粗糙结构。可以在第一导电性第三半导体层21的顶表面上设置粗糙结构。因此，从粗糙结构区域向上提取的光的量可以增加。可以在第一导电性第一半导体层11的顶表面上设置第一突出部分16，并且可以在第一导电性第三半导体层21的顶表面设置第二突出部分26。第一突出部分16可以设置为与第一接触部分33对应，第二突出部分26可以设置为与第二接触部分34对应。
同时，根据实施方案的发光器件还可以包含设置在第一发光结构10和第二发光结构20的周围部分处的保护层95。保护层95可以保护第一发光结构10和第二发光结构20。保护层95可以使第一焊盘91隔离于第一发光结构10。保护层95可以使第二焊盘92隔离于第一发光结构10。
例如，保护层95可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，保护层95可以包含SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。同时，保护层95可以根据设计省略。
根据实施方案，第一发光结构10通过第一电极81和第三电极83驱动，第二发光结构20可以通过第二电极82和第三电极83驱动。因而，第一光结构10和第二发光结构20可以单独驱动。
换句话说，根据实施方案的发光器件可以包含能够在一个器件中单独驱动的多个发光结构。虽然实施方案已经描述了在一个发光器件中布置两个发光结构，但是可以在一个发光器件中布置至少三个或四个发光结构，并且以发光结构可以单独驱动的方式来形成。
如果发光结构以上述方式来形成，那么与多个发光器件平行布置且单独驱动的情况相比，能够将单独驱动的发光结构布置在更小的尺寸中。换句话说，当常规的数个发光器件连接到封装件端部时，缩小器件之间的间隔存在限制。然而，根据实施方案的发光器件，由于多个发光区域分开设置在一个器件中，所以发光区域之间的间隔可以显著缩小。
根据实施方案，第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的一个侧面处，并且外部电源可以沿着一个方向连接到第一焊盘91和第二焊盘92。根据实施方案，第一发光结构10和第二发光结构20可以单独驱动。此外，分别通过设置在发光器件的下部区域处的第三电极83将功率以相同的极性供应到第一发光结构10和第二发光结构20，并且通过第一焊盘91和第二焊盘92将功率以不同的极性供应到第一电极81和第二电极82。提供上述结构的发光器件用于说明目的，并且可以有效地应用于车辆的照明设备，例如车辆的前灯或尾灯。
下文中，将参照附图4至图8描述根据实施方案制造发光器件的方法。
根据实施方案制造发光器件的方法，如图4所示，可以在衬底5上设置第一导电性半导体层11a、有源层12a和第二导电性半导体层13a。第一导电性半导体层11a、有源层12a和第二导电性半导体层13a可以限定发光结构10a。
例如，衬底5可以包含蓝宝石衬底（Al2O3）、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP或Ge中的至少一种，但实施方案不限于此。可以在第一导电性半导体层11a与衬底5之间附加地设置缓冲层。
例如，第一导电性半导体层11a可以包括掺杂有用作第一导电性掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，第二导电性半导体层13a可以包括掺杂有用作第二导电性掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电性半导体层11a可以包括P型半导体层，第二导电性半导体层13a可以包括N型半导体层。
例如，第一导电性半导体层11a可以包括N型半导体层。第一导电性半导体层11a可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来形成。例如，第一导电性半导体层11a可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN和InN中的一种，并且可以掺杂有例如Si、Ge、Sn、Se和Te的N型掺杂剂。
有源层12a通过穿过第一导电性半导体层11a注入的电子（或空穴）以及穿过第二导电性半导体层13a注入的空穴（或电子）的复合由于根据构成有源层12a的材料的能带隙差而发光。有源层12a可以具有单量子阱（SQW）结构、多量子阱结构（MQW）、量子点结构和量子线结构中的一种，但实施方案不限于此。
有源层12a可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来形成。当有源层12a具有MQW结构时，有源层12a可以通过堆叠多个阱层和多个势垒层来形成。例如，有源层12a可以以InGaN阱层/GaN势垒层的循环来形成。
例如，第二导电性半导体层13a可以通过使用P型半导体层来形成。第二导电性半导体层13a可以通过使用具有InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1）的组成式的半导体材料来形成。例如，第二导电性半导体层13a可以包含InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN或InN中的一种，并且可以掺杂有例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的P型掺杂剂。
同时，第一导电性半导体层11a可以包括P型半导体层，并且第二导电性半导体层13a可以包括N型半导体层。另外，可以在第二导电性半导体层13a上附加地设置包括N型半导体层或P型半导体层的半导体层。因此，发光结构10a可以具有NP结结构、PN结结构、NPN结结构和PNP结结构中的至少一种结构。另外，可以将杂质以均匀或非均匀的掺杂浓度掺杂到第一导电性半导体层11a和第二导电性半导体层13a中。换句话说，发光结构10a可以具有多种结构，并且实施方案不限于此。
另外，可以在第一导电性半导体层11a与有源层12a之间设置第一导电性InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电性半导体层13a与有源层12a之间形成第二导电性AlGaN层。
接下来，如图5所示，可以在发光结构10a中设置多个凹槽33R和34R。凹槽33R和34R可以设置为穿过第二导电性半导体层13a和有源层12a。
然后,如图6所示,发光结构10可以在其上设置有沟道层30、第三绝缘层43、第四绝缘层44、第一欧姆接触层15、第二欧姆接触层25、第一反射层17和第二反射层27。第三绝缘层43和第四绝缘层44可以设置在凹槽33R和凹槽34R中。
沟道层30可以通过使用绝缘材料来形成。例如，沟道层30可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，沟道层30可以包含SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN的至少一种。
第三绝缘层43和第四绝缘层44可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第三绝缘层43和第四绝缘层44可以包含SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN的至少一种。第三绝缘层43和第四绝缘层44可以包含与沟道层30相同的材料或者与沟道层30不同的材料。
例如，第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25可以包含透明导电氧化物层。例如，第一欧姆接触层15和第二欧姆接触层25可以包含ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、AZO（铝锌氧化物）、AGZO（铝镓锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、ATO（锑锡氧化物）、GZO（镓锌氧化物）、IZON（IZO氮化物）、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag或Ti中的至少一种。
第一反射层17和第二反射层27可以包括具有高反射率的材料。例如，第一反射层17和第二反射层27可以包括包含Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au或Hf中的至少一种和其合金的金属。另外，第一反射层17和第二反射层27可以设置在金属或其合金和透明导电材料的多层中，所述透明导电材料为例如ITO（铟锡氧化物）、IZO（铟锌氧化物）、IZTO（铟锌锡氧化物）、IAZO（铟铝锌氧化物）、IGZO（铟镓锌氧化物）、IGTO（铟镓锡氧化物）、AZO（铝锌氧化物）或ATO（锑锡氧化物）。例如，根据实施方案，第一反射层17和第二反射层27可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或Ag-Cu合金中至少一种。
另外，如图7所示，可以在第三绝缘层43和第四绝缘层44中设置凹槽，并且可以在凹槽中设置第一接触部分33和第二接触部分34。例如，第一接触部分33和第二接触部分34可以包含Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au或Mo中的至少一种。第一接触部分33和第二接触部分34可以与第一导电性第一半导体层11和第一导电性第三半导体层21接触。
此后，如图7所示，可以设置第一金属层35、第二金属层45、第一连接线31、第一绝缘层41、第二连接线32和第二绝缘层42。
例如，第一金属层35和第二金属层45可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo中的至少一种。例如，第一连接线31和第二连接线32可以包含Au、Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo中的至少一种。例如第一绝缘层41和第二绝缘层42可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，第一绝缘层41和第二绝缘层42可以包含SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。
此后，如图7所示，可以设置第三连接线51、第四连接线52和第三金属层50。第三金属层50可以包含Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe或Mo中的至少一种。第三金属层50可以用作扩散阻挡层。第三金属层50可以在其上设置有接合层60和导电支承构件70。
第三金属层50可以防止在设置接合层60的过程中包含在接合层60中的材料扩散到第一反射层17和第二反射层27。第三金属层50可以防止包含在接合层60中的材料（例如Sn）对第一反射层17和第二反射层27施加影响。
接合层60包括阻挡金属或接合金属。例如，接合层60可以包含Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd或Ta中的至少一种。导电支承构件70可以在执行散热功能的同时支承根据实施方案的发光结构10。接合层60可以以籽晶层的形式来形成。
例如，导电支承构件70可以包括注入有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的半导体衬底（例如，Si衬底、Ge衬底、GaN衬底、GaAs衬底、ZnO衬底、SiC衬底或SiGe衬底）中的至少一种。
根据实施方案，第三电极83可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的至少之一。第三电极83可以包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70的全部。另外，第三电极83可以选择性地包括第三金属层50、接合层60和导电支承构件70中的一种或二种。
接下来，衬底5可以从第一导电性半导体层11a移除。作为一个实施例，可以通过激光剥离（LLO）工艺移除衬底5。根据LLO工艺，向衬底5的底表面辐照激光，使衬底5从第一导电性半导体层11a剥离。
另外，如图8所示，通过隔离蚀刻工艺对发光结构10a的侧面进行蚀刻，并使沟道层30的一部分露出。可以通过干法蚀刻方法例如电感耦合等离子体（ICP）方法来进行隔离蚀刻工艺，但实施方案不限于此。第一发光结构10和第二发光结构20可以通过隔离蚀刻工艺形成。
第一发光结构10可以包括第一导电性第一半导体层11、第一有源层12和第二导电性第二半导体层13。第二发光结构20可以包括第一导电性第三半导体层21、第二有源层22和第二导电性第四半体层24。
根据实施方案，可以在第一发光结构10和第二发光结构20的顶表面上设置粗糙结构。另外，可以在第一发光结构10的顶表面上设置第一突出部分16，而且可以在第二发光结构20的顶表面上设置第二突出部分26。提供设置在第一发光结构10和第二发光结构20中的光提取图案用于说明目的，并且可以通过光电化学（PEC）蚀刻工艺来形成。因此，根据实施方案，可以增加光提取效果。
另外，如图8和图3所示，在第一发光结构10的一个侧面处设置第一焊盘91和第二焊盘92。第一焊盘91可以通过连接线31电连接到第一电极81，并且第二焊盘92可以通过第二连接线32电连接到第二电极82。
同时，根据实施方案的发光器件还可以包含设置在第一发光结构10和第二发光结构20的周围部分处的保护层95。保护层95可以保护第一发光结构10和第二发光结构20。保护层95可以使第一焊盘91隔离于第一发光结构10。保护层95可以使第二焊盘92隔离于第一发光结构10。
例如，所述保护层95可以通过使用氧化物或氮化物来形成。例如，所述保护层95可以包含选自SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2或AlN中的至少一种。同时，该保护层95可以根据设计忽略。
提供上述制造工艺用于说明目的，并且可以根据设计或用途进行各种修改。
根据实施方案，第一发光结构10通过第一电极81和第三电极83来驱动，第二发光结构20可以通过第二电极82和第三电极83来驱动。因此，第一发光结构10和第二发光结构20可以单独驱动。
换句话说，根据实施方案的发光器件可以包含在一个器件中能够单独驱动的多个发光结构。虽然实施方案已经描述了在一个发光器件中布置两个发光结构，但是可以在一个发光器件中布置至少三个或四个发光结构，并且以发光结构可以单独驱动的方式来形成。
如果发光结构以上述方式来形成，那么与多个发光器件平行布置且单独驱动的情况相比，能够将单独驱动的发光结构布置在更小的尺寸中。换句话说，当常规的数个发光器件连接到封装件端部时，缩小器件之间的间隔存在限制。然而，根据实施方案的发光器件，由于多个发光区域分开设置在一个器件中，所以发光区域之间的间隔可以显著缩小。
根据实施方案，第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的一个侧面处，并且外部电源可以沿着一个方向连接到第一焊盘91和第二焊盘92。根据实施方案，第一发光结构10和第二发光结构20可以单独驱动。另外，分别通过设置在发光器件的下部区域处的第三电极83将功率以相同的极性供应到第一发光结构10和第二发光结构20，并且通过第一焊盘91和第二焊盘92将功率以不同的极性供应到第一电极81和第二电极82。提供上述结构的发光器件用于说明目的，并且可以有效地应用于车辆的照明设备，例如车辆的前灯或尾灯。
图9和图10是示出了根据实施方案的发光器件的另一实施例的截面图。图9是沿着图1中示出的发光器件的线A-A’截取的截面图，图10是沿着图1中示出的发光器件的线B-B’截取的截面图。在参照图9和图10的下述描述中，与参照图2和图3所描述的相同结构和部件将不再描述。
根据实施方案的发光器件，可以在第一发光结构10之下设置第一欧姆反射层19。第一欧姆反射层19可以形成为既具有第一反射层17的功能又具有第一欧姆接触层15的功能。因此，第一欧姆反射层19可以与第二导电性第二半导体层13欧姆接触，以反射从第一发光结构10入射的光。
在该情况下，第一欧姆反射层19可以设置为多个层。例如，第一欧姆反射层19可以通过交替设置Ag层和Ni层而设置，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的发光器件，设置在第一欧姆反射层19之下的导电支承构件70可以电连接到设置在第一欧姆反射层19之上的第一导电性第一半导体层11。
根据实施方案的第一电极81可以包括第一欧姆反射层19和第一金属层35中的至少一种。根据实施方案的发光器件，设置在第一电极81之下的导电支承构件70可以通过第一接触部分33和第三连接线51电连接到设置在第一电极81之上的第一导电性第一半导体层11。
根据实施方案的发光器件，可以在第二发光结构20之下设置第二欧姆反射层29。第二欧姆反射层29可以形成为既具有第二反射层27的功能又具有第二欧姆接触层25的功能。因此，第二欧姆反射层29可以与第二导电性第四半导体层23欧姆接触以反射从第二发光结构20入射的光。
在该情况下，第二欧姆反射层29可以设置为多个层。例如，第二欧姆反射层29可以通过交替设置Ag层和Ni层而设置，或者可以包括Ni/Ag/Ni层、Ti层或Pt层。
根据实施方案的第二电极82可以包括第二欧姆反射层29和第二金属层45中的至少一种。根据实施方案的发光器件，设置在第二电极82之下的导电支承构件70可以通过第二接触部分34和第四连接线52电连接到设置在第二电极82之上的第一导电性第三半导体层21。
根据实施方案，第一发光结构10通过第一电极81和第三电极83驱动的，并且第二发光结构20可通过第二电极82和第三电极83驱动。因而，第一发光结构10和第二发光结构20可以单独驱动。
换句话说，根据实施方案的发光器件可以包含在一个器件中能够单独驱动的多个发光结构。虽然实施方案已经描述了在一个发光器件中布置两个发光结构，但是可以在一个发光器件中布置至少三个或四个发光结构，并且以发光结构可以单独驱动的方式来形成。
如果发光结构以上述方式来形成，那么与多个发光器件平行布置且单独驱动的情况相比，能够将单独驱动的发光结构布置在更小的尺寸中。换句话说，当常规的数个发光器件连接到封装件端部时，缩小器件之间的间隔存在限制。然而，根据实施方案的发光器件，由于多个发光区域分开设置在一个器件中，所以发光区域之间的间隔可以显著缩小。
根据实施方案，第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的一个侧面处，并且外部电源可以沿着一个方向连接到第一焊盘91和第二焊盘92。根据实施方案，第一发光结构10和第二发光结构20可以单独驱动。此外，分别通过设置在发光器件的下部区域处的第三电极83将功率以相同的极性供应到第一发光结构10和第二发光结构20，并且通过第一焊盘91和第二焊盘92将功率以不同的极性供应给第一电极81和第二电极82。提供上述结构的发光器件用于说明目的，并且可以有效地应用于车辆的照明设备，例如车辆的前灯或尾灯。
图11和图12是示出了根据实施方案的发光器件的另一实施例的图。图11和图12所示的发光器件与图1所示的发光器件的不同在于：在第一焊盘91和第二焊盘92的布置位置。
根据实施方案，如图11所示，第一焊盘91设置在第一发光结构10的第一侧面的一个边缘上，并且第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的第一侧面的另一边缘上。
根据实施方案，如图12所示，第一焊盘91和第二焊盘92可以设置在第一发光结构10的一个侧面上。第一焊盘91和第二焊盘92两者均可以设置在侧面区域而不是边缘区域。
如上所述，根据实施方案的发光器件，与第一电极81电连接的第一焊盘91以及与第二电极82电连接的第二焊盘92的布置结构可以根据用途进行各种修改。
图13是示出了应用根据实施方案的发光器件的发光器件封装件的截面图。
参照图13，根据实施方案的发光器件封装件可以包含本体120、设置在本体120中的第一引线电极131和第二引线电极132、设置在本体120中且与第一引线电极131和第二引线电极132电连接的发光器件100，以及包围发光器件100的模制构件140。
本体120可以包括硅、合成树脂或金属材料，并且在发光器件100附近可以设置为倾斜表面。
第一引线电极131和第二引线电极132可以彼此电绝缘以将功率供应到发光器件100。第一引线电极131和第二引线电极132可以通过反射从发光器件100发射的光来提高光效率。此外，第一引线电极131和第二引线电极132可以使从发光器件100生成的热耗散到外界。
可以将发光器件100设置在本体120或者第一引线电极131或第二引线电极132上。
可以通过引线方案、倒装芯片方案和芯片接合方案中的一种方案将发光器件100电连接到第一引线电极131和第二引线电极132。
模制构件140可以包围发光器件100以保护发光器件100。另外，模制构件140可以包括磷光体以改变从发光器件100发射的光的波长。
可以将根据实施方案的多个发光器件或发光器件封装件排列在衬底上，并且可以将包括透镜、导光板、棱镜片、或扩散片的光学构件设置在从发光器件封装件发射的光的光路上。发光器件封装件、衬底和光学构件可以用作光单元。光单元以顶视型或侧视型形成并且不同地设置在便携终端和膝上型计算机的显示装置或者照明设备和指示设备中。
另外，根据另一实施方案的照明设备可以包括根据实施方案的发光器件或发光器件封装件。例如，照明设备可以包括灯、信号灯、电子显示板和车辆的前灯。另外，照明设备可以用于车辆的尾灯以及车辆的前灯。
可以将根据实施方案的发光器件应用到光单元。光单元具有排列有多个发光器件的结构。光单元可以包括显示装置和照明设备。
图14是示出了根据实施方案的照明设备的分解透视图。
参照图14，根据实施方案的照明设备可以包含盖2100、光源模块2200、散热器2400、电源部分2600、内壳2700和插座2800。根据实施方案的照明设备还可以包括构件2300和保持器2500中至少之一。光源模块2200可以包括根据实施方案的发光器件封装件。
例如，盖2100可以具有灯泡状或半球形形状。盖2100可以具有部分打开的中空结构。盖2100可以与光源模块2200光学耦合。例如，盖2100可以对从光源2200提供的光进行漫射、散射或激发。盖2100可以为一种光学构件。盖2100可以与散热器2400耦接。盖2100可以包括与散热器2400耦接的耦接部分。
盖2100可以包括涂覆有乳白色颜料的内表面。乳白色颜料可以包括漫射材料以使光漫射。盖2100的内表面的表面粗糙度可以大于盖2100的外表面的粗糙度。设置表面粗糙度以便使来自光源模块2200的光充分散射和漫射以使光放射到外部。
盖2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）或聚碳酸酯（PC）。在以上材料中，聚碳酸酯（PC）具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以为透明的，使得使用者可以从外界观察光源模块2200，或者可以为不透明的。盖2100可以通过吹塑方案来设置。
光源模块2200可以设置在散热器2400的一个表面处。因此，来自光源模块2200的热被传递到散热器2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230和连接器2250。
构件2300设置在散热器2400的顶表面上，并且包括使多个光源2210和连接器2250插入的引导槽2310。引导槽2310对应于光源2210和连接器2250的衬底。
构件2300的表面可以涂覆有光反射材料。例如，构件2300的表面可以涂覆有白色颜料。构件2300将由盖2100的内表面反射并且返回到光源模块2200的方向的光再次向盖2100的方向反射。因此，可以提高根据实施方案的照明设备的光效率。
例如，构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热器2400可以电连接到连接板2230。构件2300可以通过绝缘材料形成，由此防止连接板2230与散热器2400电短路。散热器2400接收来自光源模块2200和电源部分2600的热并且将热耗散。
保持器2500覆盖内壳2700的绝缘部分2710的容纳槽2719。因此，将容纳在内壳2700的绝缘部分2710中的电源部分2600密封。保持器2500包括引导凸起2510。引导凸起2510具有孔并且电源部分2600的凸起通过穿过该孔而延伸。
电源部分2600对从外界接收的电信号进行处理或转换并且将经处理或经转换的电信号提供到光源模块2200。电源部分2600容纳在内壳2700的容纳槽2719中，并且通过保持器2500被密封在内壳2700的内部。电源部分2600可以包括凸起2610、引导部分2630、基底2650和延伸部分2670。
引导部分2630具有从基底2650的一侧向外侧凸出的形状。可以将引导部分2630插入到保持器2500中。在基底2650的一个表面上可以设置多个部件。例如，这些部件可以包括：将从外部电源提供的AC电力转化为DC电力的DC转化器；控制光源模块2200的驱动的驱动芯片；和保护光源模块2200的静电放电（ESD）保护装置，但实施方案不限于此。
延伸部分2670具有从基底2650的相反侧向外突出的形状。延伸部分2670插入到内壳2700的连接部分2750的内部，并且接收来自外界的电信号。例如，延伸部分2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部分2750的宽度。将“+电线”和“-电线”的第一端子电连接到延伸部分2670并且可以将“+电线”和“-电线”的第二端子电连接到插座2800。
内壳2700可以包括在其中的模制部分和电源部分2600。模制部分通过使模制液体凝固来制备，并且可以通过模制部分将电源部分2600固定在内壳2700的内部。
在该说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“示例性实施方案”等的任意参考是指结合实施方案所描述的具体的特征、结构或特性被包括在本发明中的至少一个实施方案中。在说明书中的各个位置中的这样的短语的出现未必都指代相同的实施方案。此外，当结合任意实施方案描述具体的特征、结构或特性时，认为结合实施方案中的其他实施方案实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的视野范围之内。
尽管已经参照大量说明性实施方案对实施方案进行了描述，应该理解的是，本领域技术人员可以做出落在本公开内容的原则的精神和范围之内的大量其他修改和实施方案。更具体地，可以在公开内容、附图和所附的权利要求的范围之内对主题组合布置的部件部分和/或布置方面进行各种变型和修改。除部件部分和/或布置方面的变型和修改之外，替代性用途对本领域技术人员也是明显的。

Claims (23)

1.一种发光器件，包括：
第一发光结构，所述第一发光结构包括第一导电性第一半导体层、在所述第一导电性第一半导体层之下的第一有源层和在所述第一有源层之下的第二导电性第二半导体层；
第二发光结构，所述第二发光结构包括第一导电性第三半导体层、在所述第一导电性第三半导体层之下的第二有源层和在所述第二有源层之下的第二导电性第四半导体层；
第一电极，所述第一电极在所述第一发光结构之下电连接到所述第二导电性第二半导体层；
第二电极，所述第二电极在所述第二发光结构之下电连接到所述第二导电性第四半导体层；
第三电极，所述第三电极电连接到所述第一导电性第一半导体层和所述第一导电性第三半导体层；
第一焊盘，所述第一焊盘电连接到所述第一电极；
第二焊盘，所述第二焊盘电连接到所述第二电极；
在所述第一导电性第一半导体层的下部区域处的第一接触部分；以及
在所述第一导电性第三半导体层的下部区域处的第二接触部分，
其中所述第一导电性第一半导体层在其顶表面上包括第一突出部分，以及其中所述第一突出部分设置为对应于所述第一接触部分，
其中所述第一导电性第三半导体层在其顶表面上包括第二突出部分，以及其中所述第二突出部分设置为对应于所述第二接触部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一发光结构通过所述第一电极和所述第三电极驱动，并且所述第二发光结构通过所述第二电极和所述第三电极驱动，使得所述第一发光结构和所述第二发光结构单独驱动。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一焊盘在所述第一发光结构的周围部分露出，并且所述第二焊盘在所述第一发光结构的周围部分露出。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极包括设置在所述第一发光结构之下的第一欧姆接触层、第一反射层或第一金属层中的至少一种，并且所述第二电极包括设置在所述第二发光结构之下的第二欧姆接触层、第二反射层或第二金属层中的至少一种。
5.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，还包括使所述第一电极电绝缘于所述第二电极的第一绝缘层。
6.根据权利要求5所述的发光器件，还包括在所述第一绝缘层下的第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第一电极与所述第三电极之间以及在所述第二电极与所述第三电极之间。
7.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，其中所述第一接触部分电连接到所述第三电极。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一接触部分设置为穿过所述第一有源层。
9.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第一接触部分包括多个接触部分。
10.根据权利要求7所述的发光器件，还包括设置在所述第一发光结构中并且设置在所述第一接触部分的周围部分处的第三绝缘层。
11.根据权利要求7所述的发光器件，还包括将所述第一接触部分电连接至所述第三电极的导线连接。
12.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第二接触部分电连接所述第三电极。
13.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件，其中所述第一突出部的材料与所述第一导电性第一半导体层相同，
其中所述第二突出部的材料与所述第一导电性第三半导体层相同。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第一突出部和所述第二突出部在其侧表面和顶表面上包括多个粗糙结构。
15.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，还包括：
第一连接线，所述第一连接线将所述第一电极电连接至所述第一焊盘；以及
第二连接线，所述第二连接线将所述第二电极电连接至所述第二焊盘，其中所述第二连接线设置在所述第一电极之下。
16.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，还包括设置在所述第一发光结构的下部周围部分和所述第二发光结构的下部周围部分处的沟道层。
17.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，其中所述第一焊盘和所述第二焊盘设置在所述第一发光结构的下部周围部分处。
18.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，其中所述第一焊盘和所述第二焊盘设置在所述第一发光结构的一个侧面处。
19.根据权利要求1至4中的一项所述的发光器件，其中所述第一焊盘设置在所述第一发光结构的第一侧面的一个边缘处，并且所述第二焊盘设置在所述第一发光结构的所述第一侧面的另一边缘处。
20.一种发光器件，包括：
第一发光结构；
第一电极，所述第一电极设置在所述第一发光结构之下并且电连接所述第一发光结构；
第二发光结构；
第二电极，所述第二电极设置在所述第二发光结构之下并且电连接到所述第二发光结构；
第三电极，所述第三电极设置在所述第一发光结构之下并且电连接到所述第一发光结构和所述第二发光结构；
第一焊盘，所述第一焊盘电连接到所述第一电极；以及
第二焊盘，所述第二焊盘电连接到所述第二电极，
在所述第一发光结构的下部区域处的第一接触部分；以及
在所述第二发光结构的下部区域处的第二接触部分，
其中所述第一发光结构包括第一导电性第一半导体层，所述第一导电性第一半导体层在其顶表面上包括第一突出部分，以及其中所述第一突出部分设置为对应于所述第一接触部分，
其中所述第二发光结构包括所述第一导电性第三半导体层，所述第一导电性第三半导体层在其顶表面上包括第二突出部分，以及其中所述第二突出部分设置为对应于所述第二接触部分，
其中所述第一发光结构通过所述第一电极和所述第三电极驱动，并且所述第二发光结构通过所述第二电极和所述第三电极驱动，使得所述第一发光结构和所述第二发光结构单独驱动。
21.根据权利要求20所述的发光器件，其中所述第一发光结构包括在所述第一导电性第一半导体层之下的第一有源层，和在所述第一有源层之下的第二导电性第二半导体层，以及
所述第二发光结构包括在所述第一导电性第三半导体层之下的第二有源层，和在所述第二有源层之下的第二导电性第四半导体层。
22.根据权利要求20或21所述的发光器件，还包括：设置在所述第一发光结构的周围部分和所述第二发光结构的周围部分处的保护层。
23.一种发光器件封装件，包括：
本体；
设置在所述本体上的根据权利要求1至4中的一项的发光器件；以及
电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极。
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