CN104094426A - 半导体发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种即使对半导体发光元件进行倒装芯片式安装也容易制造的两面发光型的半导体发光装置及其制造方法。半导体发光装置具有：多个引线框架；多个半导体发光元件，其与多个引线框架连接；覆盖构件，其覆盖多个半导体发光元件，多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙，多个半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在一个引线框架及其他的引线框架的表面和背面上。

Description

半导体发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种在引线框架的两面上倒装芯片式安装有半导体发光元件的两面发光型的半导体发光装置及其制造方法。
背景技术
将从晶圆切出的半导体发光元件(以后，在没有特别说明的情况下称为LED芯片)安装于引线框架或电路板，用树脂或玻璃等覆盖来进行封装的半导体发光装置(以后，在没有特别说明的情况下称为LED装置)得到了普及。这样的LED装置根据用途采用各种形态，但有时为了补偿LED芯片具有的强指向性并扩大LED装置的发射角，同时使发光量增加，会在引线框架和电路板的两面上安装LED芯片。
引线框架的两面上安装有LED芯片的LED装置从过去就被知晓(例如，参照专利文献1)。图25是示出专利文献1的图2的图。此外，为方便起见，改变表示构件的编号的一部分。
在图25中，两个发光元件421(LED芯片)被安装于引线框架422a的顶端部处左右的面。又，各发光元件421通过电线与引线框架422b电连接。引线框架422a、422b分别是共同的正接头、负接头。用环氧树脂423密封发光元件421，在环氧树脂423的左右形成聚光部404。图25所示的半导体发光装置具有图中表示为404a、404b的那样的指向性。
用电线连接LED芯片的话，由于电线的影响，LED装置的发光效率会降低。又，由于需要用于伸展电线的区域，所以LED装置会大型化。对此，有时将仅在一个面(今后称为底面)上具备阳极和阴极的LED芯片与引线框架和电路板上的电极直接连接(下面称为倒装芯片式安装)。已知倒装芯片式安装的发光效率良好、安装面积较小。其主要的理由是因为LED芯片的阳极和阴极与引线框架和电路板的电极层积，并不需要上述的电线。
像这样在电路板的两面上倒装芯片式安装有LED芯片的LED装置被知晓(例如，参照专利文献2)。图26是示出专利文献2的图2的图。此外，为方便起见，改变表示构件的编号的一部分。
在图26中，在电路板502的大致中央部形成有收纳LED芯片504c的反射杯505，反射杯505的表面侧与背面侧对称。又，反射杯505包含底面505a及斜面部505b，在电路板502的表面或背面上形成的电极图案507a、507b与反射杯505的底面505a有间隙地相对。又，在反射杯505的底面505a上，以跨过电极图案507a、507b的间隙的方式倒装芯片式安装有LED芯片504c。反射杯505中填充有透光性树脂508。
作为使LED装置的亮度提高的其他的方法，有时增加LED芯片的数量。在此，已知在电路板的两面上安装四个以上的LED芯片(例如，参照专利文献3的图1)。图27是示出专利文献3的图1的图。此外，为方便起见，改变表示构件的编号的一部分。
图27是具备发光元件(LED芯片)安装用搪瓷基板601a的光源装置605A(LED装置)的截面图。光源装置605A将发光元件606分别安装到被设置于发光元件安装用搪瓷基板601a的两面J、K的反射凹部604d上，并将透明树脂609填充到各反射凹部604d，密封发光元件606。发光元件安装用搪瓷基板601a是用搪瓷层603覆盖核心金属602的搪瓷基板，其两面J、K上设有安装了发光元件606的六个反射凹部604d。进一步地，搪瓷层603上设有发光元件606的供电用的电极607c。电极607c的一部分被延伸设置于反射凹部604d的底面，在其上通过芯片键合及引线键合安装有发光元件606。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利实开昭56-149477号公报(2图)
专利文献2：日本专利公开2003-229603号公报(图2)
专利文献3：日本专利公开2006-310584号公报(图1)
发明内容
如前所述，图25示出的LED装置(半导体发光装置)因为使用电线，所以与倒装芯片式安装相比发光效率较差。
图26所示的LED装置虽然变为倒装芯片式安装，但因为将LED芯片(LED芯片504c)倒装芯片式安装到电路板502的凹部中，所以制造并不容易。此外，由于专利文献2中LED芯片的安装工序所涉及的记载较少，所以详细部分不清楚。作为假定的制造方法考虑到：例如，拾取一个LED芯片并在电路板上配置后，就对LED芯片加压并加热，使其与电路板连接。然而，这种简单的手法的话，因为每次搭载LED芯片时都要进行加压和加热，所以生产量不佳。
作为其他的方法，在量产中屡次被采用的集合工法也可适用。首先，准备切断的话就能制得各个的电路板502的集合基板。然后，将焊膏涂抹到LED芯片504c的电极或集合基板的电极上，用焊膏临时连接LED芯片504c的电极和集合基板的电极，在回流焊炉中溶化焊膏并使大量LED芯片504c总括地连接。然后，填充透明树脂509并密封发光元件506。最后，切断集合基板得到LED装置。上述的总括连接工序中，首先执行表面侧的LED芯片504c的连接，随后执行背面侧的LED芯片504的连接。即，该制造方法不仅通过回流焊炉两次，制造工序变长，而且制造条件也复杂化。进一步地，图26的LED装置1因为只安装两个LED芯片504c，所以亮度不足的可能性较高。
图27的LED装置(光源装置605A)因为安装有六个LED芯片(发光元件606)，所以可增大亮度。然而，该LED装置因为与图26所示的LED装置同样地将LED芯片606安装到电路板(发光元件安装用搪瓷基板601a)的反射凹部604d中，所以制造并不容易。进一步地，因为用电线连接LED芯片606和电路板601a的电极607c，所以发光效率降低。
本发明的目的在于，提供一种即使倒装芯片式安装半导体发光元件也容易制造的两面发光型的半导体发光装置及其制造方法。
又，本发明的目的在于，提供一种为了增大亮度，即使倒装芯片式安装四个以上的半导体发光元件也容易制造的两面发光型的半导体发光装置。
一种半导体发光装置，具有：多个引线框架；多个半导体发光元件，多个半导体发光元件与多个引线框架连接；以及覆盖构件，覆盖构件覆盖多个半导体发光元件，多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙，多个半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在一个引线框架及其他的引线框架的表面和背面上。
优选地，半导体发光装置中，多个引线框架包含第一引线框架及第二引线框架，多个半导体发光元件包含第一半导体发光元件及第二半导体发光元件,第一引线框架及第二引线框架的端部接近并形成间隙，第一半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在第一引线框架及第二引线框架的一个面上，第二半导体发光元件以跨过间隙的方式被倒装芯片式安装在第一引线框架及第二引线框架的另一个面上，第一半导体发光元件的一部分与第二半导体发光元件的一部分被相对地配置。
优选地，半导体发光装置中，多个引线框架包含三个引线框架，多个半导体发光元件构成串并联电路。
优选地，半导体发光装置中，所述多个半导体发光元件包含四个半导体发光元件，四个半导体发光元件构成并联电路。
优选地，半导体发光装置中，覆盖构件包含：包含反射性微粒的反射构件；以及
包含荧光体的荧光构件。
优选地，半导体发光装置中，反射构件被配置在多个引线框架的外周部并覆盖荧光构件的侧面，荧光构件覆盖多个半导体发光元件的上表面，荧光树脂被填充到反射构件与多个半导体发光元件之间，以及被安装在多个引线框架的表面与背面上且相对的多个半导体发光元件之间。
优选地，半导体发光装置中，荧光构件覆盖多个半导体发光元件的上表面，反射构件被配置于多个半导体发光元件的侧部，以及被安装在多个引线框架的表面与背面上且相对的多个半导体发光元件之间。
优选地，半导体发光装置中，多个引线框架的一部分从覆盖构件突出。
一种半导体发光装置的制造方法，具有以下工序：大张引线框架准备工序，准备大张引线框架，如果切断大张引线框架，就可制得被包含在单个半导体发光装置中的引线框架；第一排列工序，在第一粘着片材上排列多个半导体发光元件；第二排列工序，在第二粘着片材上排列多个半导体发光元件；第一位置对齐工序，将排列了多个半导体发光元件的第一粘着片材与大张引线框架进行位置对齐；第二位置对齐工序，将排列了多个半导体发光元件的第二粘着片材与大张引线框架进行位置对齐；连接工序，连同第一粘着片材及第二粘着片材一起，对大张引线框架进行加压及加热，并将多个半导体发光元件与大张引线框架连接；覆盖工序，用覆盖构件来覆盖与大张引线框架连接了的多个半导体发光元件；以及切断工序，切断大张引线框架。
优选地，半导体发光装置的制造方法中，覆盖构件包括：包含反射性部粒子的反射构件和包含荧光体的荧光构件，在覆盖工序中，利用反射构件来覆盖多个半导体发光元件的侧面，利用荧光构件来覆盖多个半导体发光元件的上表面。
优选地，半导体发光装置的制造方法中，通过橡皮刮板将反射构件配置到半导体发光元件的侧面部。
优选地，半导体发光装置的制造方法中，荧光构件是荧光体片材，将荧光体片材粘贴到多个半导体发光元件的上表面上。
半导体发光装置能够利用集合工法来制造，该集合工法根据两张粘着片材和大张引线框架，总括地进行连接及覆盖，并通过切断来进行单片化。集合工法中，因为用于连接的加热工序一次就解决，所以制造条件没有复杂化，工序也缩短。其结果，能够提供容易制造的两面发光型的半导体发光装置。
半导体发光装置能够通过简单的制造方法来制造。即是说，能够通过准备两张粘着片材和大张引线框架的、包含总括连接工序的集合工程方式来制造。与使用为了在电路板的两面上安装半导体发光元件而需要两次加热工序的焊料回流焊工序的制造方法相比，因为该集合工法的加压及加热一次就解决，所以工序缩短化，制造条件也简单化。又，大张引线框架能够将因具备开口的板状金属板而进行准备所涉及的工序大幅地简单化。同时，在半导体发光装置中，通过安装四个以上的半导体发光元件以及各半导体发光元件被倒装芯片式安装，能够更加明亮。
在使用粘着片材和大张引线框架，进行总括地连接及覆盖，并通过单片化来得到所希望的产品的集合工法中，半导体发光装置的制造方法以使用两张粘着片材并在大张引线框架的两面上配置半导体发光元件的方式来进行改良。根据该集合工法，用于连接的加热工序一次就解决，制造条件没有复杂化，工序也缩短。其结果，两面发光型的半导体发光装置的制造方法变得简单。
附图说明
图1是LED装置10的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
图2是图1的(b)的AA'的截面图。
图3是将LED装置10安装到母板35的安装图。
图4的(a)～(f)是用于说明LED装置10的制造方法的说明图(1)。
图5的(g)～(i)是用于说明LED装置10的制造方法的说明图(2)。
图6是示出大张引线框架与LED芯片的位置关系的俯视图。
图7是LED装置70的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
图8是图7的(b)的BB'截面图。
图9是用于说明LED装置70的制造方法的说明图。
图10是LED装置100的外形图，(a)是立体图、(b)是(a)的CC'截面图。
图11是示出在平面照明装置110中利用了LED装置(半导体发光装置)100的应用例的图，(a)是俯视图，(b)是(a)的DD'截面图。
图12是LED装置120的截面图。
图13是LED装置200的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
图14是图13的(b)的EE'截面图。
图15是LED装置200的电路图。
图16是将LED装置200安装到母板245的安装图。
图17是用于说明LED装置200的制造方法的说明图。
图18是用于说明大张引线框架251与LED芯片215、216的位置关系的图。
图19是LED装置270的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
图20的(a)是图19的(b)的HH'截面图，图20的(b)是在图19的(b)中去除了引线框架271、272的表面侧的覆盖构件273的状态的主视图。
图21是LED装置270的电路图。
图22是LED装置300的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
图23是图22的(b)的II'截面图。
图24是用于说明LED装置300的制造方法的说明图。
图25是示出现有的LED装置(1)的图。
图26是示出现有的LED装置(2)的图。
图27是示出现有的LED装置(3)的图。
具体实施方式
下面，参照附图对半导体发光装置及半导体发光装置的制造方法进行说明。但是，值得注意的是，本发明的技术范围并不被这些实施方式所限定，还涉及权利要求的范围中所记载的发明及其等价物。此外，在附图的说明中，对相同或相当要素标注相同的符号，并省略重复的说明。又，为了进行说明，对构件的比例尺进行适当变更。
(第一实施方式)
图1是LED装置(半导体发光装置)10的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
如果从上部观察LED装置10的话，能看见在长方形的覆盖构件13之中向水平方向延伸的引线框架11(第一引线框架)和引线框架12(第二引线框架)(参照图1的(a))。引线框架11与引线框架12的端部接近。引线框架11与引线框架12的相反侧的端部与覆盖构件13的侧端部一致。如果从正面观察LED装置10的话，只能看到覆盖构件13(参照图1的(b))。如果从右侧面观察LED装置10的话，能看到以分割覆盖构件13的方式向垂直方向延伸的引线框架12(参照图1的(c))。此外，虽然未图示，但LED装置10的底视图与图1的(a)的俯视图一致。又，LED装置10的左侧面图与图1的(c)的右侧面图等同，引线框架12被置换为引线框架11。
图2是图1的(b)的AA'的截面图。
LED装置10除引线框架11、12及覆盖构件13以外，还包含LED芯片14(第一半导体发光元件)与LED芯片15(第二半导体发光元件)。LED芯片14及15由蓝宝石基板16、半导体层17、突起电极18等构成。此外，在LED芯片14、15中，将不具备半导体层17的面称为上表面，将形成有半导体层17及突起电极18的面称为底面，将连接上表面与底面的面称为侧面。
LED芯片14、15在蓝宝石基板16的下表面形成有半导体层17，在半导体层17上附着有突起电极18。蓝宝石基板16是透明绝缘基板，其厚度为80～120μm。半导体层17包含n型半导体层、p型半导体层、层间绝缘膜及金属配线，其厚度为10μm不到。发光层位于n型半导体层和p型半导体层的边界部，平面形状与p型半导体层大致相等。n型半导体层的一部分和p型半导体层被层间绝缘膜覆盖，在层间绝缘膜上形成有金属配线，金属配线和突起电极18连接。金属配线将阳极及阴极分别集中为一个，在LED芯片14、15的左右的端部作为突起电极18再配置，以使倒装芯片式安装变得容易。突起电极18是将10～30μm左右的Cu或Au作为核心的突起，在下表面具备AuSn共晶。
引线框架11、12是镀覆了Ni、Ag、Au等的铜板，其厚度为100～400μm。引线框架11、12的间隙19的宽度为200～400μm。在引线框架11、12的上侧的面(一个面)上，LED芯片14以跨过间隙19的方式被倒装芯片式安装，在引线框架11、12的下侧的面(另一个面)上，LED芯片15以跨过间隙19的方式被倒装芯片式安装。此外，在LED芯片14、15的底面上以符合间距的方式进行上述的突起电极18的再配置。根据上述的结构，LED芯片14、15的一部分被互相相对地配置。
引线框架11、12之中暴露于外界大气的部分(截断面)用焊料等进行镀覆即可。在对引线框架11、12的表面进行Ag镀覆的情况下，为了防止氧化或硫化，除安装部以外，在引线框架11、12的表面上形成SiO2等无机透明绝缘膜即可。因为引线框架11、12与突起电极18的连接部在将LED装置10安装到母板时的回流焊温度下不可溶化，所以通过AuSn共晶或高熔点焊料来连接即可。此外，覆盖构件13是含有荧光体的硅树脂。
图3是将LED装置10安装到母板35的安装图。
图3示出从正面观察LED装置10的状态。在母板35上形成有母板电极33、34。母板电极33通过焊料31与引线框架11(参照图1、2)连接。同样地，母板电极34通过焊料32与引线框架12(参照图1、2)连接。为了提高连接强度，焊料31、32也可以存在于LED装置10的底部和侧部。为了避免由于异物等造成的短路，母板电极33、34的间隙与LED装置10的间隙19(参照图2)相比宽度更宽。
图4及图5是用于说明LED装置10的制造方法的说明图。
首先，准备大张引线框架41(大张引线框架准备工序)(参照图4的(a))，如果切断大张引线框架41的话，会制得被包含在单个LED装置10中的引线框架11、12(参照图1、2)。大张引线框架41为板状，虽然能够安装大量的LED芯片14、15，但在图4及图5中为了说明，以分别仅能安装三个LED芯片14、15的方式进行描绘(以下相同)。大张引线框架41是蚀刻铜版并形成了所希望的的开口部的部件，蚀刻后镀覆表面。
然后，在第一粘着片材42上排列多个LED芯片14(第一排列工序)(参照图4的(b))。第一粘着片材42是在聚酰亚胺板的上表面上形成了粘着层的片材。通过拣选机拾起LED芯片14，将LED芯片14一个一个地配置在第一粘着片材42上。将LED芯片14的上表面(图中是成为下侧的面)粘贴在第一粘着片材42上。使LED芯片14的排列间距与大张引线框架41的安装部的间距一致。又，以LED芯片14的阳极与阴极成为规定的位置的方式来确定方向。
然后，在第二粘着片材43上排列多个LED芯片15(第二排列工序)(参照图4的(c))。与图1的(b)所示的第一排列工序同样地，在第二排列工序中也在第二粘着片材上排列多个LED芯片15。此外，相对于层积第一粘着片材42的大张引线框架41的面，层积第二粘着片材43的大张引线框架41的面是相反侧。大张引线框架准备工序、第一排列工序及第二排列工序的顺序也可以不按上述。
然后，对排列了多个LED芯片14的第一粘着片材42与大张引线框架41进行位置对齐(第一位置对齐工序)(参照图4的(d))。上下反转第一粘着片材42，隔着透光性的第一粘着片材42一边观察大张引线框架41一边对齐位置。位置对齐完成后，就在大张引线框架41的周边部临时固定第一粘着片材42。
然后，对排列了多个LED芯片15的第二粘着片材43与大张引线框架41进行位置对齐(第二位置对齐工序)(参照图4的(e))。上下反转临时固定有第一粘着片材42的大张引线框架41。这时，第一粘着片材42与大张引线框架41接触。与第一位置对齐工序同样地，反转第二粘着片材43，隔着第二粘着片材43一边观察大张引线框架41一边对齐位置。位置对齐完成后，就在大张引线框架41的周边部临时固定第二粘着片材43。
然后，连同第一及第二粘着片材42、43一起，对大张引线框架41进行加压及加热，将LED芯片14、15与大张引线框架41连接(连接工序)(参照图4的(f))。此外，相对于图4的(e)，图4的(f)是上下反转的描绘。将临时固定了第一及第二粘着片材42、43的大张引线框架41载置到台(未图示)上，通过加压头(未图示)，连同第一及第二粘着片材42、43一起，对大张引线框架41进行加压。进一步地，在保持住压力的状态下将加压头设为300～350℃左右。在该温度下，因为AuSn共晶融化，所以经过规定时间后就降低加压头的温度，其后，将加压头从大张引线框架41等分离。
然后，从LED芯片14、15连接的大张引线框架41剥下第一和第二粘着片材42、43，将引线框架41纳入金属模具44、45(覆盖工序)(参照图5的(g))。虽然没有进行图示，但金属模具44、45支承着大张引线框架41的周边部。在支承量不足的情况下，也可以使金属模具44、45内具有支承结构。将大张引线框架41纳入金属模具后，通过注塑成型形成覆盖构件46。
然后，从金属模具44、45中取出大张引线框架41(参照图5的(h))。
最后，切断大张引线框架41获得单片化了的LED装置10(切断工序)(参照图5的(i))。将覆盖了的大张引线框架41粘贴到切割薄片上(未图示)，用切块机将引线框架41切断，单片化为LED装置10。
图6是示出大张引线框架与LED芯片的位置关系的俯视图。
图6中，示出了在从图5的(h)的状态去除了掉覆盖构件46的状态下，从上部观察大张引线框架41的一部分的情况。在大张引线框架41上，LED芯片14呈格子状地排列。又，大张引线框架41在图中看上去是向纵方向延伸的长方形的铜板在排列。此外，虽然板状的铜板在上端部或下端部连接，但是没有进行图示。又，在图中用虚线示出隔着蓝宝石基板16而存在的突起电极18。
(第二实施方式)
LED装置10中，也在与引线框架11、12平行的方向上发射光。根据LED装置10的使用方法，该发射光不但难以利用，而且也有害。例如，在LED装置10中，在与引线框架11、12垂直的方向发射的光通过覆盖构件13的距离与在水平方向发射的光通过覆盖构件13的距离不同的情况下，基于荧光体而进行波长变换的程度不同。因而，LED装置10中，有可能发光颜色因发射方向而不同。因此，下面，对在与引线框架11、12平行的方向上不发射光，在与引线框架11、12垂直的方向上发射光的LED装置(半导体发光装置)70进行说明。此外，在LED装置70中，对于与LED装置10相同的构件，使用相同编号。
图7是LED装置70的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
从上部观察LED装置70的话，能看到荧光体片材71、73、被荧光体片材71、73夹持的反射构件72、在反射构件72之中向水平方向延伸的引线框架11(第一引线框架)及引线框架12(第二引线框架)(参照图7的(a))。引线框架11和引线框架12的端部接近。又，引线框架11与引线框架12的相反侧的端部与荧光体片材71、73及反射构件72的左右的侧端部一致。从正面观察LED装置70的话，只能看见反射构件72(参照图7的(b))。从右侧面观察LED装置70的话，能看见荧光体片材71、73、被荧光体片材71、73夹持的反射构件72、被反射构件72夹持的引线框架12(参照图7的(c))。此外，虽然没有进行图示，但LED装置70的底视图与图7的(a)的俯视图一致。又，LED装置70的左侧面图与图7的(c)的右侧面图等同，引线框架12被置换为引线框架11。
图8是图7的(b)的BB'截面图。
LED装置70包含：引线框架11、12及反射构件72、荧光体片材71、73及LED芯片14(第一半导体发光元件)和LED芯片15(第二半导体发光元件)。与LED装置10同样地(参照图2)，在引线框架11、12的上侧的面(一个面)上，LED芯片14以跨过间隙19的方式被倒装芯片式安装。又，在引线框架11、12的下侧的面(另一个面)上，LED芯片15以跨过间隙19的方式被倒装芯片式安装。此外，引线框架11、12及LED芯片14、15在LED装置70中和在LED装置10中是相同的器件。LED装置70中的引线框架11、12的表面处理及引线框架11、12与LED芯片14、15的连接结构也与LED装置10等同。
LED芯片14、15的底面及侧面被反射构件72覆盖，LED芯片14、15的上表面被荧光体片材71、73覆盖。即，LED装置70中，覆盖构件由反射构件72和荧光体片材71、73构成。反射构件72是使二氧化钛或氧化铝等反射性微粒在硅树脂或聚有机硅氧烷那样的透明粘结剂中混揉硬化后的构件。荧光体片材71、73是使荧光体在硅树脂中混揉硬化后的片材。荧光体片材71、73通过透明粘着剂(未图示)与LED芯片14、15的上表面及反射构件72粘合。
图9是用于说明LED装置70的制造方法的说明图。
在LED70的制造方法中，与LED装置10中的大张引线框架准备工序(参照图4的(a))、第一排列工序(参照图4的(b))、第二排列工序(参照图4的(c))、第一位置对齐工序(参照图4的(d))、第二位置对齐工序(参照图4的(e))及连接工序(参照图4的(f))是相同的，因此省略。
图9的(a)是与图4的(f)中示出的图相同的图，其是在LED装置70的制造方法中作为特征性工序的开始(初期状态)而示出的。
然后，从图9的(a)的状态仅剥下第一粘着片材42(第一部分工序)(参照图9的(b))。此外，图9的(b)、图9的(c)及图9的(d)是构成用反射构件92和荧光体片材91、93覆盖LED芯片14、15的覆盖工序的三个部分工序。
然后，为了覆盖LED芯片14、15的侧面和底面，将硬化前的反射构件92填充到LED芯片14、15间(第二部分工序)(参照图9的(c))。填充后，在150℃左右的温度下使反射构件92硬化。填充用橡皮刮板即可，硬化后，通过研磨LED芯片14的上表面上残留的反射构件92来将其去除。此外，也可以使用分配器来填充被准确计量了的反射构件92。在那种情况下，LED芯片14的上表面的研磨是不需要的。
然后，用荧光体片材91、93覆盖LED芯片14、15的上表面(第三部分工序)(参照图9的(d))。在LED芯片14及反射构件92的上表面上涂布透明粘着剂，并粘贴荧光体片材91。与此同时剥下第二粘着片材43，在LED芯片15的上表面及反射构件92(图中下方的面)上涂布透明粘着剂，并粘贴荧光体片材93。此外，也可以用使荧光体在硅酮等透明粘结剂中混揉硬化后的荧光树脂代替荧光体片材91、93涂布到LED芯片14、15的上表面及反射构件92上，使其硬化并形成荧光体层，作为覆盖LED芯片14、15的上表面的荧光构件。然而，在荧光构件是荧光体片材91、93的情况下，因为能够同时进行反射构件92的覆盖和荧光片材91、93的准备，所以具有能够在短时间处理覆盖工序的优点。
最后，将覆盖完成了的大张引线框架41切断，得到单片化了的LED装置70(切断工序)(参照图9的(e))。图9的(e)除了覆盖构件的差异，与图5的(i)的切断工序相同。
LED装置10及LED装置70中，2个LED芯片14、15并联连接。在这种情况下，必须要使LED芯片14与LED芯片15的正向电压下降量相等。例如，在生产现场，需要使正向电压下降量的差异收于0.1V以内。即是说，从LED芯片密集的切割后的晶圆中，根据正向电压下降量对LED芯片进行分级。这时，在分级的同时，实施完第一及第二排列工序的话，就能够使拾取作业共同化，并能够缩短制造工序。
LED装置70中，用反射构件72覆盖LED芯片14、15的侧面，在LED芯片14、15的上表面，以及反射构件72的上下的面(参照图8)上粘贴荧光体片材71、73，使光仅在对于引线框架11、12垂直的方向上发射。在要使光仅在对于引线框架11、12垂直的方向上发射的情况下，也可以将反射构件也设置在荧光构件层积了的LED芯片的侧面，以及层积于LED芯片的上部的荧光构件的侧面部上。像这样的LED装置，预先以晶圆状态在蓝宝石基板上形成荧光体层，切割该晶圆并利用在上部具有荧光体层的LED芯片。接着，像LED装置10的制造方法所示出的那样，使用两片粘着片材，将像那样的LED芯片安装于大张引线框架。然后，将反射构件填充到LED芯片的周围。最后，通过切断大张引线框架来制造LED装置。此外，优选地，从玻璃等透明无机材料中选择荧光体层的粘结剂，以能够耐受LED芯片和大张引线框架的接合温度。
(第三实施方式)
LED装置10及LED装置70中，引线框架11、12的截断面与覆盖构件13(在LED装置70中是反射构件72)的截断面一致。将LED装置10及LED装置70安装到母板时，在强度不足的情况下，也可以使引线框架11、12的端部从覆盖构件13(在第二实施方式中是反射构件72)的截断面超出。因此，下面，对将引线框架11、12从覆盖构件向水平方向延伸(突出)了的LED装置(半导体发光装置)100进行说明。此外，在LED装置100中，对于与LED装置10相同的构件，使用相同的编号。
图10是LED装置100的外形图，(a)是立体图、(b)是(a)的CC'截面图。
除引线框架11、12的左右的端部从覆盖构件101突出以外，LED装置100与LED装置10等同。即，LED装置100为以下结构：两张平板状的引线框架11、12被埋入覆盖构件101，其左右的端部从覆盖构件101突出。这时，覆盖部101的上表面及引线框架11、12的上端面的高度一致，同样地，覆盖构件101的下表面及引线框架11、12的下端面的高度也一致。LED芯片14、15以跨过引线框架11、12的间隙的方式被分别地倒装芯片式安装在引线框架的一个面与另一个面上。覆盖构件101是使荧光体在硅树脂中混揉硬化后的荧光树脂。此外，引线框架11、12及LED芯片14、15在LED装置100与LED装置10中是相同的器件。LED装置100中的引线框架11、12的表面处理及引线框架11、12与LED芯片14、15的连接结构也与LED装置10等同。
LED装置100的制造方法与LED装置10关联，在如图5的(h)所示地、用覆盖构件16覆盖了的大张引线框架41完成后，就通过切削等去除覆盖构件46，以使大张引线框架的一部分露出，作为覆盖构件101。其后，使突出的部分残留，并对大张引线框架41进行单片化，完成LED装置100。
此外，在LED装置100中，也可以将突出的引线框架11、12沿LED装置100的侧面弯曲。又，LED装置10中，用AgSn共晶来连接引线框架11、12与LED芯片14、15，但也可以使用接合用高熔点焊料。该高熔点焊料是比在母板上安装LED装置时使用的焊料熔点更高的合金。
图11是示出在平面照明装置110中利用LED装置100的应用例的图，(a)是俯视图，(b)是(a)的DD'截面图。
如图11的(a)示出的那样，平面照明装置110包含具有开口部112的导光板111，开口部112中配置有LED装置100。LED装置100与导光板111的下侧处配置的安装基板113电连接及机械连接。又，从开口部112露出安装基板113的表面。
在平面照明装置110中，从LED装置100向图的左右方向出射的光入射到导光板111。该入射光在导光板111中传播时，根据导光板111包含的扩散粒子而改变前进方向，从导光板111的上方出射。此外，前进方向被改变为安装基板113的下表面侧的光被安装基板113的上表面或导光板112的下表面上设置的反射层反射并朝向上方。此外，虽然平面照明装置110在导光板111具备一个开口部112，但也可以在导光板111具备多个开口部，在各开口部配置LED装置100。
(第四实施方式)
因为LED装置100的覆盖构件101仅由荧光树脂组成，所以光从LED装置100的所有的面出射。在这种情况下，有时从正面出射的光与从侧面出射的光在构成覆盖构件101的荧光树脂中传播的光程不同，基于荧光树脂而进行波长变换的程度存在差异。这时，在LED装置100的正面与侧面，产生发光颜色不同的不良情况。因此，下面，对限制光的出射面、光仅从正面及背面出射的LED装置(半导体发光装置)120进行说明。此外，在LED装置120中，对于与LED装置10相同的构件，使用相同的编号。
图12是LED装置120的截面图。
因为LED装置120的外形与图10的(a)所示的LED装置100相同，所以图12相当于LED装置120中的、图10的(a)的CC'截面图。LED装置120与LED装置100的差别在于LED装置120中覆盖构件由多个构件组成。LED装置120的覆盖构件由以下构件构成：在安装于2张平板状的引线框架11、12的LED芯片14、15的侧部以及底部填充的荧光树脂122、覆盖LED芯片14、15的上表面以及荧光树脂的上部的荧光体片材121、和围绕荧光树脂122以及荧光体片材121的周围的框状的反射构件123。此外，将LED芯片14、15的上表面作为蓝宝石基板16侧。
LED装置120的制造方法是，首先，在如图4的(f)所示地那样在大张引线框架41的两面上安装了LED芯片14、15之后，就用金属模具或橡皮刮板等在LED装置间(截面图中左右及上下方向)填充荧光构件122并使其硬化。然后，将荧光体片材121粘贴到上下的LED芯片14、15的蓝宝石基板16及荧光树脂122的上部。然后，以大张引线框架41残留的方式在LED芯片间形成槽，将白色反射构件填充到该槽中并使其硬化。这样，在被覆盖的大张引线框架完成后，就通过切削等去除白色反射构件的一部分，以使大张引线框架的一部分露出，其后，以突出的部分残留的方式，将大张引线框架41单片化，完成LED装置120。此外，在进行单片化时，白色反射构件成为LED装置120的反射构件123。
LED装置120中，荧光树脂122被填充到反射构件123与LED芯片14、15的侧面之间，以及LED芯片14、15的底面间。因而，从LED芯片14、15的侧面或底面出射的光一边在荧光树脂122内进行反射一边从LED装置120的正面或背面出射，那时，光的一部分被波长变换。
在图7所示的LED装置70中，由于白色反射构件72直接地覆盖LED装置70的侧面和底面，因此要从该侧面及底面出射的光被返回到LED芯片70中。因此，被发光层再吸收或成为杂散光，产生发光损失。与此相对，LED装置120因为从侧面及底面出射的光的大量的部分不返回到LED芯片14、15中，所以发光效率提高。又，受到了波长转换的光即使返回到LED芯片14、15中也不会被发光层再吸收。这也有益于发光效率的提高。此外，作为覆盖构件使用的荧光树脂122在该部分不以波长变换功能为必要时，也可以置换为透明构件。但是，在这种情况下，一些发光效率会降低。
在LED装置120中，也可以使用荧光树脂来代替覆盖LED芯片14、15的上表面的荧光体片材121。在这种情况下，可省略粘贴荧光体片材的工序。上述的LED装置120的制造方法中，优选地，在荧光体片材121的粘贴前荧光树脂122附着到LED芯片14、15的上表面时，通过LED芯片14、15的上表面的研磨等来去除荧光树脂。用荧光树脂122代替荧光体片材121覆盖LED芯片14、15的上表面的话，该工序也不需要。另一方面，因为荧光体片材121便宜，所以可以预先准备具有多种波长转换特性的荧光体片材组，从这之中选择与LED芯片14、15的发光特性(峰值波长等)相匹配地粘贴的荧光体片材。像这样使用荧光体片材的话，LED装置的发光颜色的管理就变得容易。
在LED装置120中，呈框状地形成白色反射构件。然而，限制光的出射面的方法并不仅限于设置框状的反射构件。例如，也可以仅在LED装置120的上部与底部(截面图中与纸面垂直的方向)用白色反射构件形成反射构件，使得能从侧面(截面图中与纸面平行的方向)发射光。
(第五实施方式)
图13是LED装置200的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
从上部观察LED装置(半导体发光装置)200的话，能看到在长方形的覆盖构件214之中向水平方向延伸的引线框架211、212、213(参照图13的(a))。引线框架211与引线框架212、以及引线框架212与引线框架213的端部接近。又，引线框架211的左侧的端部及引线框架213的右侧的端部与覆盖构件214的侧端部一致。从正面观察LED装置200的话，仅能看到覆盖构件214(参照图13的(b))。从右侧面观察LED装置200的话，能看到以分割覆盖构件214的方式在垂直方向延伸的引线框架213(参照图13的(c))。此外，虽然没有进行图示，但LED装置200的底视图与图13的(a)的俯视图一致。又，LED装置200的左侧面图与图13的(c)的右侧面图等同，引线框架213被置换为引线框架211。
图14是图13的(b)的EE’截面图。
LED装置200除引线框架211、212、213及覆盖构件214以外，还包含LED芯片215、216、217、218。LED芯片215～218由蓝宝石基板231、半导体层232、突起电极233构成。此外，在LED芯片215～218中，将不具备半导体层232的面称为上表面，将形成有半导体层232及突起电极233的面称为底面，将连接上表面与底面的面称为侧面。
LED芯片215～218在蓝宝石基板231的下表面形成有半导体层232，在半导体层232上附着有突起电极233。蓝宝石基板231是透明绝缘基板，其厚度为80～120μm。半导体层232包含n型半导体层、p型半导体层、层间绝缘膜及金属配线，其厚度为10μm不到。发光层位于n型半导体层和p型半导体层的边界部，平面形状与p型半导体层大致相等。n型半导体层的一部分和p型半导体层被层间绝缘膜覆盖，在层间绝缘膜上形成有金属配线。该金属配线和突起电极233连接。又，金属配线将阳极及阴极分别集中为一个，在LED芯片215～218的左右的端部作为突起电极233再配置，以使倒装芯片式安装变得容易。突起电极233是将10～30μm左右的Cu或Au作为核心的突起，在下表面具备AuSn共晶。
引线框架211～213是镀覆了Ni、Ag、Au等的铜板，其厚度为100～400μm。引线框架211～213的间隙219的宽度为200～400μm。在引线框架211、212的上侧的面(以后称为表面)上，LED芯片215以跨过间隙219的方式被倒装芯片式安装。又，在引线框架212、213的表面上，LED芯片216以跨过间隙219的方式被倒装芯片式安装。同样地，在引线框架211、212的下侧的面(以后称为背面)上，LED芯片217以跨过间隙219的方式被倒装芯片式安装。又，在引线框架212、213的背面上，LED芯片218以跨过间隙219的方式被倒装芯片式安装。此外，在LED芯片215～218的底面上进行了上述的突起电极233的再配置，使得能够无碍地跨过间隙219。
优选地，引线框架211～213之中暴露于外界大气的部分(截断面)用焊料等进行镀覆。优选地，在对引线框架211～213的表面进行Ag镀覆的情况下，为了防止氧化或硫化，除安装部以外，在引线框架211～213的表面上形成SiO2等无机透明绝缘膜。因为引线框架211～213与突起电极233的连接部在将LED装置200安装到母板时的回流焊温度下不可熔化，所以通过本实施方式那样的AuSn共晶或高熔点焊料来连接即可。此外，覆盖构件214是含有荧光体的硅树脂。
图15是LED装置200的电路图。
在LED装置200中，LED芯片215与LED芯片217并联，LED芯片216与LED芯片218也并联，两个并联电路串联。即，LED芯片215～218构成串并联电路，串并联电路的阳极和阴极分别相当于引线框架211、213。此外，中间部的配线相当于引线框架212。
图16是将LED装置200安装于母板245的安装图。
图16示出从正面观察LED装置200的状态。在母板245上形成有母板电极243、244。母板电极243通过焊料241与引线框架211(参照图13)连接。母板电极244通过焊料242与引线框架213(参照图13)连接。为了提高连接强度，优选地，焊料241、242存在于LED装置200的底部和侧部。为了避免由于异物等造成的短路，母板电极243、244的间隙与LED装置200的底部的引线框架211、213的露出部的间隙(参照图13)相比宽度更宽。
图17是用于说明LED装置200的制造方法的说明图。
首先，准备大张引线框架251(参照图17的(a))，如果切断大张引线框架251的话，可以制得被包含在单个LED装置200中的引线框架211～213(参照图13)。大张引线框架251为板状，虽然能够安装大量的LED芯片215～218，但在图17中为了说明，以LED芯片215～218仅能分别安装两个的方式进行描绘(以下相同)。大张引线框架251是蚀刻铜版并形成了所希望的开口部后的器件，蚀刻后镀覆表面。
然后，在粘着片材252上排列多个LED芯片215、216(参照图17的(b))。粘着片材252是在聚酰亚胺板的上表面上形成了粘着层后的片材。通过拣选机拾起LED芯片215、216，将LED芯片215、216一个一个地配置在粘着片材252上。将LED芯片215、216的上表面(图中是成为下侧的面)粘贴在粘着片材252上。LED芯片215、216的排列间距与大张引线框架251的表面的安装部的间距一致。又，以LED芯片215、216的阳极与阴极成为规定的位置的方式来确定方向。
然后，在第二粘着片材253上排列多个LED芯片217、218(参照图17的(c))。与图17的(b)所示的工序同样地，在粘着片材253上排列多个LED芯片217、218。此外，LED芯片217、218的排列间距及方向与大张引线框架251的背面的安装部一致。图17的(a)～图17的(c)所示的工序的顺序也可以不按上述。
然后，对排列了多个LED芯片215、216的粘着片材252和排列了多个LED芯片217、218的粘着片材253与大张引线框架251进行位置对齐，连同粘着片材252、253一起，对大张引线框架251进行加压及加热(参照图17的(d))。即，该工序是连接LED芯片215～218与大张引线框架251的工序。上下反转粘着片材252，隔着透光性的粘着片材252一边观察大张引线框架251一边对齐位置。位置对齐完成后，就在大张引线框架251的周边部临时固定粘着片材252。然后，上下反转临时固定了粘着片材252的大张引线框架251。与上述的位置对齐同样地，反转粘着片材253，隔着粘着片材253一边观察大张引线框架251一边对齐位置。位置对齐完成后，就在大张引线框架251的周边部临时固定粘着片材253。最后，将临时固定了粘着片材252、253的大张引线框架251载置到台上，通过加压头，连同粘着片材252、253一起，对大张引线框架251进行加压，在保持住压力的状态下将加压头加热到300～350℃左右。在该温度下，因为AuSn共晶融化，所以经过规定时间后就降低加压头的温度，其后，将加压头从大张引线框架251等分离。此外，图17的(d)中，以粘着片材252成为上侧的情况作为连接后的状态的方式来描绘。
然后，用覆盖构件54覆盖LED芯片215～218(参照图17的(e))。从LED芯片215～218连接的大张引线框架251剥下粘着片材252、253，用覆盖构件254覆盖LED芯片215～218。对于覆盖，也可以使用金属模具。在这种情况下，将大张引线框架251纳入金属模具后，通过注塑成型形成覆盖构件254。图17的(e)示出覆盖后的大张引线框架251。
最后，切断大张引线框架251，获得单片化了的LED装置200(参照图17的(f))。将覆盖的大张引线框架251粘贴到切割薄片上，用切块机将大张引线框架251切断，单片化为LED装置200。
图18是用于对大张引线框架251与LED芯片215、216的位置关系进行说明的图。
图18中，示出了在从图17的(d)的状态去除了粘着片材252的状态下，从上部观察大张引线框架251的一部分的情况。在大张引线框架251上，LED芯片215、216呈格子状地排列。大张引线框架251在图中看上去是向纵方向延伸的长方形的铜板在排列。此外，虽然没有进行图示，但是板状的铜板在上端部或下端部连接。又，在图18中，用虚线示出隔着蓝宝石基板231存在的突起电极233。覆盖后，如果在大张引线框架251中切取用F表示的部分的话，就得到LED装置200。此外，在图18中记载了后述的第6实施方式的说明用中使用的符号284、286及G。
(第六实施方式)
在LED装置200中，LED芯片215～218串并联连接。在要增加LED芯片的个数并使LED装置明亮的情况下，LED芯片的连接结构并不被限定为串并联连接，也可以是并联连接。因此，下面，对LED芯片并联连接了的LED装置(半导体发光装置)270进行说明。
图19是LED装置270的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
从上部观察LED装置270的话，能看到在长方形的覆盖构件273之中向水平方向延伸的引线框架271、272(参照图19的(a))。引线框架271与引线框架272的端部接近。又，引线框架271的左侧的端部及引线框架272的右侧的端部与覆盖构件273的侧端部一致。从正面观察LED装置270的话，仅能看到覆盖构件273(参照图19的(b))。从右侧面观察LED装置270的话，能看到以分割覆盖构件273的方式在垂直方向延伸的引线框架272(参照图19的(c))。此外，虽然没有进行图示，但LED装置270的底视图与图19的(a)的俯视图一致。又，LED装置270的左侧面图与图19的(c)的右侧面图等同，引线框架272被置换为引线框架271。
图20的(a)是图19的(b)的HH'截面图，图20的(b)是在图19的(b)中去除了引线框架271、272的表面侧的覆盖构件273的状态的主视图。
如图20(a)的所示地那样，LED装置270除引线框架271、272及覆盖构件273以外，还包含LED芯片284、285、286、287。此外，在图20的(a)中，因为LED芯片286、287隐藏于LED芯片284、285，所以没有进行图示。LED芯片284～287和被包含在LED装置200中的LED芯片215～218相同，引线框架271、272及覆盖构件273的材质也和被包含在LED装置200中的引线框架211～213及覆盖构件214相同。
如图20的(b)所示地那样，从上下延伸的引线框架271、272的间隙279能看到覆盖构件273。LED芯片284、286以跨过间隙279的方式与引线框架271、272连接。此外，虽然没有进行图示，但是LED芯片287以与LED芯片286相对的方式在引线框架271、272的背面侧被连接。此外，LED装置270以图20的(b)的下部为底部，与图16所示的LED装置200同样地连接到母板(注意：请确认表达)。
图21是LED装置270的电路图。
LED芯片284、285、286、287并联连接。图27所示的并联电路的阳极和阴极分别相当于引线框架271、272。
利用图18对大张引线框架251和LED芯片284、286的位置关系进行说明。和对LED装置200的说明一样，图18是在从图17的(d)的状态去除了粘着片材252的状态下，从上部观察大张引线框架251的一部分的情况的俯视图。LED芯片284、286以跨过板状的铜板的间隙的方式呈格子状地排列。覆盖后，通过从大张引线框架251切出用G表示的区域来制得LED装置270。即，LED装置200和LED装置270直到用覆盖构件进行覆盖的工序为止是共同化的，从覆盖后的大张引线框架251进行切出的方法不同。
(第七实施方式)
LED装置200、270也向与引线框架211～213及引线框架271、272平行的方向发射光。根据LED装置200、270的使用方法，该发射光不但难以利用，而且还可能产生问题。例如，在LED装置200中，有可能向与引线框架211～213垂直的方向发射的光通过覆盖构件214的距离与向水平方向发射的光通过覆盖构件214的距离不同。在这种情况下，基于荧光体而进行波长变换的程度不同，因而发光颜色根据发射方向而不同。因此，下面，对在与引线框架平行的方向上不发射光，仅在与引线框架垂直的方向上发射光的LED装置(半导体发光装置)300进行说明。此外，在LED装置300中，对于与LED装置200相同的构件，使用相同编号。
图22是LED装置300的外形图，(a)是俯视图，(b)是主视图，(c)是右侧面图。
从上部观察LED装置300的话，能看到荧光体片材301、303、被荧光体片材301、303中夹持的反射构件302、在反射构件302之中向水平方向延伸的引线框架211、212、213(参照图22的(a))。引线框架211和引线框架212，以及引线框架212和引线框架213的端部接近。又，引线框架211的左端与引线框架213的右端与荧光体片材301、303及反射构件302的左右的侧端部一致。从正面观察LED装置300的话，只能看见荧光体片材303(参照图22的(b))。从右侧面观察LED装置300的话，能看见荧光体片材301、303、被荧光体片材301、303夹持的反射构件302、被反射构件302夹持的引线框架213(参照图22的(c))。此外，虽然没有进行图示，但LED装置300的底视图与图22的(a)的俯视图一致。又，LED装置300的左侧面图与图22的(c)的右侧面图等同，引线框架213被置换为引线框架211。
图23是图22的(b)的II'截面图。
LED装置300包含：引线框架211、212、213、反射构件302、荧光体片材301、303及LED芯片215～218。LED装置300中，与LED装置200相同地(参照图14)，在引线框架211～213的表面，LED芯片215、216以跨过间隙219的方式被倒装芯片式安装。同样地，在引线框架211、212的背面，LED芯片217、218以跨过间隙219的方式被进行倒装芯片式安装。此外，引线框架211～213及LED芯片215～218在LED装置300中和LED装置200中是相同的器件。又，在LED装置300中，引线框架211～213的表面处理及引线框架211～213和LED芯片215～218的连接结构也与LED装置200等同。
在LED装置300中，LED芯片215～218的底面及侧面被反射构件302覆盖，LED芯片215～218的上表面被荧光体片材301、303覆盖。即是说，在LED300中，覆盖构件由反射构件302与荧光体片材301、303构成。反射构件302是使二氧化钛或氧化铝等反射性微粒在硅树脂或聚有机硅氧烷那样的透明粘结剂中混揉硬化后的构件。荧光体片材301、303是使荧光体在硅树脂中混揉硬化后的片材。荧光体片材301、303通过透明粘着剂(未图示)与LED芯片215～218的上表面及反射构件302粘合。
图24是用于说明LED装置300的制造方法的说明图。
在LED300的制造方法中，与LED装置200的制造方法中的、准备大张引线框架的工序(参照图17的(a))、将LED芯片排列于粘着片材的工序(参照图17的(b)及(c))、将LED芯片连接到大张引线框架的工序(参照图17的(d))是相同的，因此省略。
图24的(a)是与图17的(d)中示出的图相同的图，其是在LED装置300所对应的制造方法中作为特征性工序的开始(初期状态)而示出的。
然后，从图24的(a)的状态仅剥下粘着片材252(参照图24的(b))。此外，图24的(b)、(c)及(d)是用反射构件222和荧光体片材221、223覆盖LED芯片215～218的工序。
然后，为了覆盖LED芯片215～218的侧面和底面，将硬化前的反射构件222填充到LED芯片215～218间(参照图24的(c))。填充后，在150℃左右的温度下使反射构件222硬化。填充用橡皮刮板即可，硬化后，通过研磨LED芯片215、216的上表面上残留的反射构件222来将其去除。此外，也可以使用分配器来填充被准确计量了的反射构件222。在那种情况下，LED芯片215、216的上表面的研磨是不需要的。
然后，用荧光体片材221、223覆盖LED芯片215～218的上表面(参照图24的(d))。在LED芯片215、216及反射构件222的上表面上涂布透明粘着剂，并粘贴荧光体片材221。与此同时剥下粘着片材253，在LED芯片217、218的上表面(图中下方的面)及反射构件222上涂布透明粘着剂，并粘贴荧光体片材223。此外，也可以用使荧光体在硅酮等透明粘结剂中混揉后的荧光树脂代替荧光体片材221、223涂布到LED芯片215～218的上表面及反射构件222上，使其硬化并形成荧光体层。在这种情况下，荧光体层成为LED芯片215～218上表面的覆盖用荧光构件。然而，在如LED装置300那样、荧光构件是荧光体片材221、223的情况下，因为能够同时进行反射构件222的覆盖和荧光片材221、223的准备，所以具有能够在短时间处理覆盖工序的优点。
最后，将覆盖完成了的大张引线框架251切断，得到单片化了的LED装置300(参照图24的(e))。图24的(e)除了覆盖构件的差异，与图17的(f)的工序相同。
LED装置200、270、300中，必须要使4个LED芯片215～218或LED芯片284～287的正向电压下降量相等。例如，在生产现场，需要使正向电压下降量的差异收于0.1V以内。即是说，在生产现场，从LED芯片密集的切割后的晶圆中，根据正向电压下降量对LED芯片进行分级。这时，在分级的同时，使LED芯片以规定的间距和方向在粘着片材252、253上排列完的话，就能够使拾取作业共同化，并能够缩短制造工序。
LED装置200、270、300中，引线框架211、213或引线框架271、272的截断面与覆盖构件214、273(LED装置300中是反射构件302)的截断面一致。然而，在LED装置200、270、300中，在母板上进行安装时，在连接强度不足的情况下，也可以使引线框架211、213或引线框架271、272的端部从覆盖构件214、273(LED装置300中是反射构件302)的截断面超出。例如，在图13的(a)中，也可以对引线框架211、213进行水平方向的延伸。这时，也可以将向外部延伸出的引线框架211、213或引线框架271、272沿着LED装置200、270、300的侧面弯曲。
LED装置300中，用反射构件302覆盖LED芯片215～218侧面，在LED芯片215～218的上表面，以及反射构件72的上下的面(参照图20)上粘贴荧光体片材271、273。然而，要使光仅在对于引线框架211～213垂直的方向上发射的情况下，也可以是在荧光构件层积了的LED芯片的侧面，以及层积于LED芯片的上部的荧光构件的侧面部上也具有反射构件的构造。像这样的LED装置适用于以下的集合工法：预先以晶圆状态在蓝宝石基板上形成荧光体层，切割该晶圆得到在上部具有层荧光体的LED芯片后，就像LED装置200对应的制造方法所示出的那样使用两片粘着片材和大张引线框架。即是说，将LED芯片安装于大张引线框架的两面后，就将反射构件填充到LED芯片的周围，并切断大张引线框架。此外，优选地，从玻璃等透明无机材料中选择荧光体层的粘结剂，以能够耐受LED芯片和大张引线框架的接合温度。

Claims (12)

1.一种半导体发光装置，其特征在于，在所述半导体发光装置中，具有：
多个引线框架；
多个半导体发光元件，所述多个半导体发光元件与所述多个引线框架连接；以及
覆盖构件，所述覆盖构件覆盖所述多个半导体发光元件，
所述多个引线框架之中的一个引线框架的端部与其他的引线框架的端部接近并形成间隙，
所述多个半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述一个引线框架及所述其他的引线框架的表面和背面上。
2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述多个引线框架包含第一引线框架及第二引线框架，
所述多个半导体发光元件包含第一半导体发光元件及第二半导体发光元件,
所述第一引线框架及所述第二引线框架的端部接近并形成间隙，
所述第一半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述第一引线框架及所述第二引线框架的一个面上，
所述第二半导体发光元件以跨过所述间隙的方式被倒装芯片式安装在所述第一引线框架及所述第二引线框架的另一个面上，
所述第一半导体发光元件的一部分与所述第二半导体发光元件的一部分被相对地配置。
3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述多个引线框架包含三个引线框架，
所述多个半导体发光元件构成串并联电路。
4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述多个半导体发光元件包含四个半导体发光元件，所述四个半导体发光元件构成并联电路。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述覆盖构件包含：
包含反射性微粒的反射构件；以及
包含荧光体的荧光构件。
6.如权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述反射构件被配置在所述多个引线框架的外周部并覆盖所述荧光构件的侧面，
所述荧光构件覆盖所述多个半导体发光元件的上表面，
荧光树脂被填充到所述反射构件与所述多个半导体发光元件之间，以及被安装在所述多个引线框架的表面与背面上且相对的所述多个半导体发光元件之间。
7.如权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述荧光构件覆盖所述多个半导体发光元件的上表面，
所述反射构件被配置于所述多个半导体发光元件的侧部，以及被安装在所述多个引线框架的表面与背面上且相对的所述多个半导体发光元件之间。
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，
所述多个引线框架的一部分从所述覆盖构件突出。
9.一种半导体发光装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
大张引线框架准备工序，准备大张引线框架，如果切断所述大张引线框架，就可制得被包含在单个半导体发光装置中的引线框架；
第一排列工序，在第一粘着片材上排列多个半导体发光元件；
第二排列工序，在第二粘着片材上排列多个半导体发光元件；
第一位置对齐工序，将排列了所述多个半导体发光元件的第一粘着片材与所述大张引线框架进行位置对齐；
第二位置对齐工序，将排列了所述多个半导体发光元件的第二粘着片材与所述大张引线框架进行位置对齐；
连接工序，连同所述第一粘着片材及所述第二粘着片材一起，对所述大张引线框架进行加压及加热，并将所述多个半导体发光元件与所述大张引线框架连接；
覆盖工序，用覆盖构件来覆盖与所述大张引线框架连接了的所述多个半导体发光元件；以及
切断工序，切断所述大张引线框架。
10.如权利要求8所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
所述覆盖构件包括：包含反射性部粒子的反射构件和包含荧光体的荧光构件，
在所述覆盖工序中，利用所述反射构件来覆盖所述多个半导体发光元件的侧面，利用所述荧光构件来覆盖所述多个半导体发光元件的上表面。
11.如权利要求10所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
通过橡皮刮板将所述反射构件配置到所述多个半导体发光元件的侧面部。
12.如权利要求9～11中任一项所述的半导体发光装置的制造方法，其特征在于，
所述荧光构件是荧光体片材，
将所述荧光体片材粘贴到所述多个半导体发光元件的上表面上。
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