CN104040429A - 用于光刻法应用的近红外线吸收膜组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及用于在集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线(NIR)膜组合物及使用该组合物的图案形成方法。该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物和交联剂。该图案形成方法包括通过感测从含有光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的、由所述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层的基材反射的近红外线发射来对准和聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置。该NIR吸收膜组合物和图案形成方法特别可用于在具有复杂的隐埋形貌的半导体基材上形成材料图案。

Description

用于光刻法应用的近红外线吸收膜组合物
技术领域
本发明一般地涉及光刻法，更特别地涉及用于集成半导体晶片的图案化中的垂直对准和校正的近红外线吸收膜组合物。
背景技术
光刻法是使用光将几何图案从光掩膜转移到基材如半导体晶片上的过程。在光刻方法中，首先在基材上形成光致抗蚀剂层。烘烤该基材以除去任何残留在光致抗蚀剂层中的溶剂。然后使所述光致抗蚀剂通过具有所需图案的光掩模暴露于光化辐射源。所述辐射暴露引起所述光致抗蚀剂的曝光区域中的化学反应并在所述光致抗蚀剂层中产生与掩模图案对应的潜像。接下来在显影剂溶液，通常碱水溶液中将所述光致抗蚀剂显影，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述图案化的光致抗蚀剂然后可以作为掩模用于在基材上的后续制造方法，例如沉积、蚀刻或离子注入方法。
在上述光刻方法中，在其上形成光致抗蚀剂的基材经常具有复杂的隐埋的形貌。这样的隐埋的形貌通常包括多层堆叠物，该多层堆叠物含有被图案化并提供芯片垂直和平面内功能性的金属、介电质、绝缘体或陶瓷材料及它们的组合。将在这样的多层堆叠物上的光致抗蚀剂图案化要求晶片预对准，使得在光致抗蚀剂层内形成正确聚焦和记录的潜像。
为了提供这样的预对准，现有技术的曝光系统具有自动对焦调平传感器系统以在垂直方向(与光致抗蚀剂表面垂直)调整晶片。该调平传感器系统使用入射垂直对准光束(其通常来自于宽带NIR光源)。所述入射垂直对准光束撞击在该基材上并被从基材反射。该反射的垂直对准光束被垂直对准光束检测器接收，以检测介于光致抗蚀剂表面和曝光透镜之间的距离并调整晶片的垂直高度(Z高度)以得到最佳曝光焦点。
在其中基材具有复杂的隐埋的形貌的情况中，所述垂直对准光束亦从所述多层堆叠物反射，导致第二和/或第三反射光。这些第二和第三反射光可能会干扰常规反射的垂直对准光束信号并造成Z高度调整方面的误差。不当的Z高度调整导致聚焦误差，使光刻法窗口降级，并降低最终产品的收率。因此，需要用于在将集成半导体晶片图案化中正确的垂直对准和校正的材料和方法。
发明内容
本发明提供了含有一种或多种染料的近红外线(NIR)吸收膜组合物，所述染料具有部分或完全覆盖NIR区中的自动聚焦调平传感器信号的吸收范围。这样的组合物可以被用于形成介于光致抗蚀剂层和在该光致抗蚀剂层下方的半导体基材之间的NIR吸收层。该NIR吸收层在入射垂直对准光束通过光致抗蚀剂层后阻断该入射垂直对准光束，并通过吸收防止来自基材中的多层堆叠物的第二和/或第三反射光，因此使得在将集成半导体晶片图案化中能够正确垂直对准及校正。
在一个方面，本发明涉及用于光刻法的NIR吸收膜组合物，其包括具有聚甲炔(polymethine)阳离子及可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物及交联剂。在一个实施方案中，所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团。在另一个实施方案中，所述可交联阴离子还包括芳族基团。所述NIR吸收膜组合物可以进一步包括酸产生剂及浇注(casting)溶剂。
在另一个方面，本发明涉及在基材上形成图案化的特征的方法。该方法包括以下步骤：在基材上提供材料层；在该材料层上由NIR吸收膜组合物形成NIR吸收层，其中该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物及交联剂；在所述NIR吸收层上形成光致抗蚀剂层；通过感测从含有NIR吸收层和光致抗蚀剂层的所述基材反射的近红外线发射来对准和聚焦所述光致抗蚀剂层的焦点平面位置；使所述光致抗蚀剂层图案化地暴露于辐射；和选择性地除去所述光致抗蚀剂层的一部分，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的特征。在一个实施方案中，所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团。在另一个实施方案中，所述可交联阴离子还包括芳族基团。所述NIR吸收膜组合物可以进一步包括酸产生剂和浇注溶剂。所述方法可以进一步包括通过蚀刻或离子注入所述材料层的暴露的部分来将所述图案化的特征转移至该材料层的步骤。
实施方案的详细描述
应当理解，当一个元件如一个层被提及为“在另一元件上”或“在另一元件上方”时，它可以直接地在所述另一元件上，或者也可以存在介于其间的元件。相反，当一个元件被提及为“直接地在另一元件上”或“直接地在另一元件上方”时，不存在介于其间的元件。
如上文讨论的，当半导体基材具有复杂的隐埋的形貌(例如多层堆叠物)时，用于预对准的垂直对准光束不仅被从光致抗蚀剂层反射，亦被从下方的多层堆叠物反射，导致第二和/或第三反射光。这些第二和第三反射光可以干扰来自光致抗蚀剂层的常规反射的垂直对准光束信号并导致基材的垂直对准不正确。为了解决这个问题，本发明提供了用于形成在所述光致抗蚀剂层与半导体基材之间的NIR吸收层的NIR吸收膜组合物。特别地，本发明的NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物及交联剂。该含有聚甲炔的染料提供有效的NIR阻断能力。此外，一个NIR吸收染料分子的阴离子部分可与交联剂反应，以与所述可交联聚合物和/或其他NIR吸收染料分子交联而形成交联的网络。NIR吸收染料分子的阴离子部分与聚合物和/或其他NIR吸收染料分子的交联提高了NIR吸收膜的可处理性(例如对润湿溶剂和/或光致抗蚀剂浇注溶剂的耐溶剂性)。
在一个优选的实施方案中，所述NIR吸收染料的可交联阴离子为单价有机酸阴离子。最优选地，所述可交联阴离子基于磺酸根(SO3-)官能度。此外，所述NIR吸收染料的可交联阴离子优选含有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基。前述基团能够以被酸和/或被加热催化的方式与交联剂反应并使得所述阴离子可交联。而且，优选所述NIR吸收染料的阴离子含有芳族基团。该芳族基团提高所述NIR吸收膜对等离子体如含氧等离子体的耐蚀刻性，并使得在光致抗蚀剂层中形成的图案在随后的蚀刻转移过程中能够成功转移至下方的材料层。此外，该芳族基团亦增加所述NIR吸收膜在上方光致抗蚀剂的成像波长的吸收。该可交联阴离子可以具有以下通式结构：
其中S1至S5相同或不同，且各自独立地代表氢原子、直链或支链烷基、直链或支链烷氧基或羟基，先决条件是S1至S5中至少一个为羟基。
适合用于根据本发明的NIR吸收染料的可交联阴离子的一些具有实例包括：
所述NIR吸收染料的聚甲炔阳离子优选具有以下通式结构：
其中m和n相同或不同，且各自独立地代表0至2的整数；Z代表氢原子，卤原子，含有1至25个碳原子的直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团，其中该直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团任选包括一或多个选自氮、氧、硫和卤原子的杂原子；X1和X2相同或不同，且各自独立地代表氢原子，卤原子，或含有1至6个碳原子的直链、支链或环状基团，其中当X1和X2为含有1至6个碳原子的直链和支链基团时，它们可相互连接以形成五或六员环；R1和R2相同或不同，且各自独立地代表含有1至6个碳原子的直链或支链烷基基团、含有1至6个碳原子的直链或支链烷氧烷基基团或含有1至6个碳原子的直链或支链羟烷基基团；D1和D2相同或不同，且各自独立地代表-O-、-S-、-Se-、-CH＝CH-、-C(CH3)2-或-C-；且Z1和Z2相同或不同，且各自独立地代表一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，其中当D1为-C-时，D1与Z1相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，和当D2为-C-时，D2与Z2相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环。
适合用于根据本发明的NIR吸收染料的聚甲炔阳离子的一些具体实例包括：
所述NIR吸收染料吸收电磁辐射的NIR波长。NIR波长在此被认为广泛地包含500纳米与5000纳米之间的任何波长。优选地，所述NIR吸收染料在500纳米与1200纳米之间具有至少一个吸收峰。所述NIR吸收膜组合物可以含有超过一种NIR吸收染料。
本发明的NIR吸收膜组合物进一步包括可交联聚合物。该可交联聚合物可以为任何可通过本领域中已知的任何方式(例如通过化学、热或辐射固化方法)交联的聚合物。该可交联聚合物可以为单一单体单元的均聚物，或为二种或更多种不同单体单元的共聚物、三元共聚物或更高阶聚合物。该可交联聚合物的单体单元衍生自具有可聚合结构部分的单体。可聚合结构部分的实例可包括：
其中R3代表氢、具有1至20个碳原子的直链或支链烷基基团、半氟化或全氟化的具有1至20个碳原子的直链或支链烷基基团或CN；及
其中t为0至3的整数。
优选地，所述可交联聚合物包括具有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基基团的单体单元。前述基团可以以被酸和/或被加热催化的方式与交联剂反应，并使得所述聚合物可交联。更优选地，所述可交联聚合物包括含有羟基或反应性醚基团的单体单元。
适合用于根据本发明的可交联聚合物的单体单元的一些具体实例包括：
所述可交联聚合物可以为上文列出的单体单元之一的均聚物。它可以为上文列出的单体单元中二种或更多种的共聚物、三元共聚物或更高阶聚合物。此外，所述可交联聚合物可以为上文列出的单体单元中任一种与其它单体单元的共聚物、三元共聚物或更高阶聚合物。所述NIR吸收膜组合物可以包括超过一种可交联聚合物。
所述NIR吸收膜组合物还包括交联剂。该交联剂可以与NIR吸收染料和/或可交联聚合物以被酸和/或被加热催化的方式反应，以与所述NIR吸收染料分子和/或可交联聚合物链互联。一般而言，本发明的NIR吸收膜组合物的交联剂为与该组合物的其它选定的组分相容的、负型光致抗蚀剂技术中已知的任何合适的交联剂。所述交联剂通常用于在产生的酸存在下交联NIR吸收染料和/或可交联聚合物。典型的交联剂为甘脲化合物，例如可从Cytec Industries以商品名获得的四甲氧甲基甘脲、甲基丙基四甲氧甲基甘脲及甲基苯基四甲氧甲基甘脲。其他可能的交联剂包括：2,6-双(羟甲基)-对-甲酚化合物，例如日本特许公开专利申请(Kokai)第1-293339号中公开的那些；醚化的氨基树脂，例如甲基化或丁基化的三聚氰胺树脂(分别为N-甲氧甲基-或N-丁氧甲基三聚氰胺)；及甲基化/丁基化的甘脲，例如加拿大专利第1204547号中公开的。也可以使用其它交联剂，例如双-环氧化物或双酚类(例如双酚-A)。在一些实施方案中，二种或更多种交联剂的组合可以是优选的。
适合用于本发明的NIR吸收膜组合物的交联剂的一些具体实例包括：
任选地，所述NIR吸收膜组合物可以还包括酸产生剂以促进所述交联过程。所述酸产生剂通常为在热处理时释放酸的热酸产生剂。在加热时产生磺酸基团的酸产生剂一般是合适的。热酸产生剂的一些实例包括：2,4,4,6-四溴环己二烯酮、苯偶姻甲苯磺酸酯、甲苯磺酸2-硝基苯酯及其他有机磺酸烷基酯。其它合适的热活化的酸产生剂被描述在美国专利第5,886,102和5,939,236号中。如果需要，可以使用光致酸产生剂(PAG)作为热活化的酸产生剂的替代物，或者可以与热活化的酸产生剂组合使用光致酸产生剂(PAG)。合适的PAG的实例也被描述在美国专利第5,886,102和5,939,236号中。也可以使用抗蚀剂技术中已知的其他PAG，只要它们与NIR吸收膜组合物的其它组分相容。当使用PAG时，通过施加适当的辐射以诱导酸产生，可以降低NIR吸收膜组合物的交联温度。即使使用PAG，热处理所述组合物以加速交联过程可以是优选的。在一些实施方案中，可以使用酸产生剂的混合物。
适合用于本发明的NIR吸收膜组合物的酸产生剂的一些具体实例包括：
本发明的NIR吸收膜组合物可以进一步包括浇注溶剂及其他性能提高添加剂，例如猝灭剂及表面活性剂。本领域技术人员所熟知的溶剂可以被用在本发明的各种示范性实施方案的NIR吸收膜组合物中。这样的溶剂可以被用来溶解所述NIR吸收染料和可交联聚合物以及所述NIR吸收膜组合物的其它组分。这样的溶剂的示例性实例可以包括但不限于：3-戊酮、甲基异丁基酮(MIBK)、丙二醇甲醚(1-甲氧基-2-丙醇)、甲基溶纤剂(2-甲氧基乙醇)、乙酸丁酯、2-乙氧基乙醇、丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇丙醚(1-丙氧基-2-丙醇，DowanolPnP)、4-庚酮、3-庚酮、2-庚酮、N，N-二甲基甲酰胺、茴香醚、乳酸乙酯、环己酮、乙酸溶纤剂(乙二醇乙醚乙酸酯)、N，N-二甲基乙酰胺、二甘醇二甲醚(2-甲氧基乙醚)、3-乙氧基丙酸乙酯、二甲亚砜、二(丙二醇)甲基醚(DOWANOL)，二(乙二醇)甲基醚、丙二酸二乙酯、2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇(DEGBE)和γ-丁内酯。
通常选择所述NIR吸收膜组合物中溶剂的量，使得固体含量为约1-20重量％。较高固体含量的复配物通常会产生较厚的涂覆层。在一些实施方案中，可使用溶剂的混合物。
可以被用在本发明的NIR吸收膜组合物中的猝灭剂可以包含弱碱，其清除微量酸，同时不具有对所述NIR吸收膜组合物的性能的过多影响。可以被用在本发明中的猝灭剂的示例性实例包括但不限于：脂族胺，芳族胺、羧酸盐，氢氧化物，或它们的组合等。
可以被用在所述NIR吸收膜组合物中的任选的表面活性剂包括任何能够改善本发明NIR吸收膜组合物的涂层均匀性的表面活性剂。示例性实例包括：含氟表面活性剂，例如3M公司的；和含硅氧烷的表面活性剂，例如Union Carbide公司的系列。
本发明还包括使用上述NIR吸收膜组合物在基材上形成图案化的特征的方法。在一个实施方案中，这样的方法包括以下步骤：在基材上提供材料层；在该材料层上由NIR吸收膜组合物形成NIR吸收层，其中该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物及交联剂；在所述NIR吸收层上形成光致抗蚀剂层；通过感测从含有NIR吸收层和光致抗蚀剂层的所述基材反射的近红外线发射来对准和聚焦所述光致抗蚀剂层的焦点平面位置；使所述光致抗蚀剂层图案化地暴露于辐射；和选择性地除去所述光致抗蚀剂层的一部分，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的特征。
在本发明的各种示例性实施方案中，所述基材适合为在涉及光致抗蚀剂的方法中惯用的任何基材。例如，所述基材可以为硅、二氧化硅、铝-氧化铝、砷化镓、陶瓷、石英、铜或它们的任何组合，包括多层。所述基材可以包括一个或多个半导体层或结构体，并且可以包括半导体器件的活动或可操作部分。
根据制造方法的阶段和为最终产品设定的所需材料，所述材料层可以为金属导体层、陶瓷绝缘层、半导体层或其他材料。本发明的NIR吸收膜组合物对于在半导体基材上制造集成电路中所使用的光刻方法特别有用。本发明的NIR吸收膜组合物可以被用在光刻方法中，以产生图案化的材料层结构，例如金属布线、触点孔或通孔、绝缘部分(例如波纹沟或浅沟隔离部分)、用于电容器结构的沟、用于晶体管的离子植入半导体结构等，它们可以被用在集成电路设备中。
然后，以由上述NIR吸收膜组合物形成的NIR吸收层覆盖所述材料层。所述NIR吸收层可以通过本领域中已知的任何技术(包括旋涂法)形成。在形成后，可烘烤该NIR吸收层以从该NIR吸收层除去任何剩余溶剂并固化该NIR吸收层(即，交联所述NIR吸收膜组合物的各种组分)。该NIR吸收层的烘烤温度的优选范围为约110℃至约270℃，更优选为约180℃至约250℃。该NIR吸收层的厚度的优选范围为约25纳米至约500纳米，更优选为约50纳米至约200纳米。该NIR吸收层优选在其介于500纳米和1200纳米之间的吸收最大值处具有大于0.15的k值，更优选在其介于500纳米和1200纳米之间的吸收最大值处具有大于0.5的k值。
然后在所述NIR吸收层上形成光致抗蚀剂层。该光致抗蚀剂层可以由本领域中已知的任何正型或负型光致抗蚀剂形成。所述光致抗蚀剂层可以通过包括旋涂在内的几乎任何标准手段形成。可以烘烤(施涂后烘烤(PAB))所述光致抗蚀剂层，以从所述光致抗蚀剂除去任何溶剂和改进光致抗蚀剂层的内聚力。用于所述光致抗蚀剂层的PAB温度的优选范围为约70℃-约150℃，更优选为约90℃-约130℃。第一层的厚度的优选范围为约20nm-约400nm，更优选约30nm-约300nm。
本发明中的NIR吸收层典型地用作抗反射层，例如底部抗反射涂料(BARC)层、平面化底层(UL)或额外的中间层。在一个实施方案中，所述光致抗蚀剂层直接覆盖所述NIR吸收层。在另一个实施方案中，通过在所述光致抗蚀剂层和所述NIR吸收层之间设置一个或多个中间层，所述光致抗蚀剂层不直接覆盖所述NIR吸收层。此外，中间层亦可以存在于所述材料层和所述NIR吸收层之间。在另一个实施方案中，上述的NIR吸收层包括可光成像的组分，使得所述NIR吸收层也是所述光致抗蚀剂层(即，所述NIR吸收层和所述光致抗蚀剂层成为一层)。
此外，一个或多个其它薄膜可以覆盖所述光致抗蚀剂层。这样的用于覆盖光致抗蚀剂层的薄膜的一个实例为浸没顶涂层膜。浸没顶涂层膜通常用于防止光致抗蚀剂层的组分浸提入浸没介质如水中。
为了正确地对准并聚焦光致抗蚀剂层的焦点平面位置，从宽带NIR源发射焦点调平传感器光。该焦点调平传感器光照射到基材上，并被从基材反射。然后通过调平光传感器检测该反射光，再通过自动调焦机制调整z高度以将所述光致抗蚀剂层放置在成像焦点平面内。任何从在基材中的多层堆叠物结构反射的NIR光都将干扰表面反射的光，并导致错误的z高度调整。所述NIR吸收层的引入有利地将从下方基材的隐埋的形貌发出的反射或衍射的红外线波长充分地减至最少或除去。因此，精确得多的顶晶片表面感测变得可能。所述改进的顶表面感测允许表面特征或表面操作(例如光致抗蚀剂层的图案化)的更精确设置。
然后将光致抗蚀剂层图案式地暴露于所需的辐射。本发明中所采用的辐射可以为可见光、紫外线(UV)、远紫外线(EUV)及电子束(E-束)。优选所述辐射的成像波长为约248纳米、193纳米或13纳米。更优选所述辐射的成像波长为约193纳米(ArF激光)。经过置于光致抗蚀剂层上方的掩模进行所述图案式曝光。
在所需的图案式曝光后，通常烘烤(曝光后烘烤(PEB))所述光致抗蚀剂层，以进一步完成所述酸催化的反应并提高暴露的图案的对比度。PEB温度的优选范围为约70℃至约150℃，更优选为约90℃至约130℃。在一些情况中，避免PEB步骤是可能的，因为对于某些化学物质，例如缩醛及缩酮化学物质，抗蚀剂聚合物的去保护在室温下进行。所述曝光后烘烤优选进行约30秒至5分钟。
如果有PEB的话在PEB之后，通过使光致抗蚀剂层与显影剂接触以选择性地除去光致抗蚀剂层的一部分，来获得具有所需图案的光致抗蚀剂结构。本领域中已知的任何显影剂均可用于本发明，包括水性碱显影剂及有机溶剂显影剂。
然后可以通过使用本领域中已知的技术用合适的蚀刻剂蚀刻将来自光致抗蚀剂结构的图案转移至下面的基材的材料层上；优选地，所述转移通过反应性离子蚀刻或湿蚀刻进行。一旦所需的图案转移已经发生，就可以使用常规剥离技术将任何残留的光致抗蚀剂除去。或者，可以通过离子注入转移图案，以形成离子注入材料的图案。
本发明的组合物可以用于其中的通用光刻法的实例被公开在美国专利4,855,017；5,362,663；5,429,710；5,562,801；5,618,751；5,744,376；5,801,094；5,821,469和5,948,570中。图案转移方法的其它实例被描述在Wayne Moreau的“Semiconductor Lithography,Principles,Practices,and Materials”，Plenum Press(1988)的第12和13章中。应当理解，本发明不限于任何具体的光刻技术或器件结构。
下面通过实施例进一步描述本发明。本发明不限于这些实施例的具体细节。
实施例1：本发明的NIR吸收染料的合成：具有4-羟基苯磺酸根阴离子的IR-780(E)
将6.25克(0.0359摩尔)4-羟基苯磺酸(A)溶解在15克去离子水中。将该溶液加入碳酸银(B)(5克，0.363摩尔当量的Ag+阳离子)中。将所得到的悬浮液搅拌2小时，并通过尼龙膜(孔径0.2微米)过滤以除去未反应的碳酸银。使用旋转蒸发器从过滤后的溶液除去溶剂。将剩余的固体在真空烤箱中干燥过夜，产生10.0克4-羟基苯磺酸银(C)(收率：99％)。
通过搅拌将0.5克(7.5x10-4摩尔)NIR染料IR-780碘化物(D)(购自化学)溶解在乙腈(20克)中。将4-羟基苯磺酸银(C)(0.225克，8×10-4摩尔)在20克乙腈中的溶液滴加入此溶液中，并剧烈搅拌1小时。通过PTFE膜(孔径0.2微米)过滤出沉淀的碘化银。使用旋转蒸发器从过滤的溶液除去溶剂。将剩余的固体在真空烤箱中干燥过夜，产生0.4克具有4-羟基苯磺酸根阴离子的IR-780(E)(收率：75％)。通过在硅晶片上浇注所述带有4-羟基苯磺酸根离子的NIR染料的膜并进行TXRF(全反射X射线萤光)分析，确认最终产物中无碘阴离子存在。
TXRF结果(1010原子/厘米2)
元素 IR-7804-羟基苯磺酸根离子
S 13300
I 12700
Cl ND
Ag ND
实施例2：本发明的NIR吸收膜组合物的复配
将总共4.8重量份的NIR吸收染料IR-7804-羟基苯磺酸盐(如实施例1中所描述的那样制备)和聚(4-羟基苯乙烯)聚合物(Mw＝15k)以可变的质量比溶解在环己酮中。所述可变的质量比为10：90、20：80、30：70、40：60及50：50。将由九氟丁烷磺酸三乙铵盐组成的热酸产生剂添加到该溶液中，浓度为5重量份，相对于先前描述的固体。类似地，将由四甲氧甲基甘脲(Powderlink1174)组成的交联剂添加在该溶液中，浓度为10重量份，相对于先前描述的固体。将所产生的溶液通过PTFE膜(0.2微米孔径)过滤。
实施例3：膜形成
将如实施例2中所描述的那样制备的复配物在1500rpm下旋涂在1英寸石英载片上60秒。将所述旋涂浇注膜在190℃固化60秒，之后允许所述石英载片在冷却板上冷却至室温。所述膜的厚度为约1000埃。
实施例4：本发明的NIR吸收层的耐有机溶剂性
使用双光束分光光度计测量如实施例3中所描述的那样形成的NIR吸收层在400纳米至1200纳米的辐射波长范围内的光透射。
对于实施例3中描述的NIR吸收层重复上述程序，但是这次在浇注和烘烤后用由乙酸丁酯和γ-丁内酯(70：30混合物比)组成的溶剂混合物漂洗10秒并旋转干燥。
直到NIR染料与聚合物基质的质量比等于40:60，对应于浇注的NIR吸收层和漂洗过的NIR吸收层的光谱完美重叠，指示了由所述可交联阴离子和聚合物基质所提供的良好的NIR染料保持性。
实施例5：通过使用本发明的NIR吸收层实现的聚焦控制改善
用193纳米BARC及193纳米光致抗蚀剂层涂覆对照晶片，所述对照晶片由在各芯片上含有可变密度的隐埋金属层的产品晶片构成。通过193纳米光学扫描器的NIR调平系统检测横过芯片的金属密度变化(为表观高度变化)，尽管事实上实际的表面形貌大致是平坦的。
用实施例2的NIR吸收层和193纳米光致抗蚀剂层涂覆具有相同隐埋形貌的第二晶片。在此情况中，所述NIR调平系统检测到平坦得多的表面，该表面更接近于实际的晶片表面，这是由于NIR吸收层的阻断作用，起防止了NIR辐射到达下方的反射性金属层。
虽然已经结合优选的实施方案具体显示和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以在形式和细节方面做出上述及其它改变。因此希望本发明不限于所描述和举例说明的精确形式和细节，而是落在所附权利要求书的范围内。
工业应用性
本发明在使用光刻法、光致抗蚀剂和近红外线吸收膜(其中所述吸收膜可用在光刻法中)以设计、制造和制作高性能半导体器件方面具有工业应用性，所述高性能半导体器件又可以被用于制造或可以被结合到应用于各种电子和电气设备的集成电路芯片中。

Claims (26)

1.一种用于光刻法的近红外线(NIR)吸收膜组合物，其包含：
具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料：
可交联聚合物：及
交联剂。
2.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子为单价有机酸阴离子。
3.权利要求2的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团。
4.权利要求3的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子包括芳族基团。
5.权利要求4的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子具有以下结构：
其中S1至S5相同或不同，且各自独立地代表氢原子、直链或支链烷基、直链或支链烷氧基或羟基，先决条件是S1至S5中至少一个为羟基。
6.权利要求5的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联阴离子选自下组：
7.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述聚甲炔阳离子具有以下结构：
其中m和n相同或不同，且各自独立地代表0至2的整数；Z代表氢原子，卤原子，含有1至25个碳原子的直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团，其中该直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团任选包括一或多个选自氮、氧、硫和卤原子的杂原子；X1和X2相同或不同，且各自独立地代表氢原子，卤原子，或含有1至6个碳原子的直链、支链或环状基团，其中当X1和X2为含有1至6个碳原子的直链和支链基团时，它们可相互连接以形成五或六员环；R1和R2相同或不同，且各自独立地代表含有1至6个碳原子的直链或支链烷基基团、含有1至6个碳原子的直链或支链烷氧烷基基团或含有1至6个碳原子的直链或支链羟烷基基团；D1和D2相同或不同，且各自独立地代表-O-、-S-、-Se-、-CH＝CH-、-C(CH3)2-或-C-；且Z1和Z2相同或不同，且各自独立地代表一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，其中当D1为-C-时，D1与Z1相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，和当D2为-C-时，D2与Z2相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环。
8.权利要求7的NIR吸收膜组合物，其中所述聚甲炔阳离子选自下组：
9.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述NIR吸收染料在500纳米和1200纳米之间具有至少一个吸收峰。
10.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述可交联聚合物包括具有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团的单体单元。
11.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其进一步包含酸产生剂。
12.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其进一步包含浇注溶剂。
13.权利要求1的NIR吸收膜组合物，其中所述NIR吸收膜组合物为抗反射层组合物。
14.一种在基材上形成图案化的特征的方法，所述方法包括：
在基材上提供材料层；
在该材料层上由NIR吸收膜组合物形成NIR吸收层，其中该NIR吸收膜组合物包括具有聚甲炔阳离子和可交联阴离子的NIR吸收染料、可交联聚合物及交联剂；
在所述NIR吸收层上形成光致抗蚀剂层；
通过感测从含有NIR吸收层和光致抗蚀剂层的所述基材反射的近红外线发射来对准和聚焦所述光致抗蚀剂层的焦点平面位置；
使所述光致抗蚀剂层图案化地暴露于辐射；和
选择性地除去所述光致抗蚀剂层的一部分，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的特征。
15.权利要求14的方法，其中所述可交联阴离子为单价有机酸阴离子。
16.权利要求15的方法，其中所述可交联阴离子包括羟基、羧基、反应性醚，氨基或亚胺基基团。
17.权利要求16的方法，其中所述可交联阴离子包括芳族基团。
18.权利要求17的方法，其中所述可交联阴离子具有以下结构：
其中S1至S5相同或不同，且各自独立地代表氢原子、直链或支链烷基、直链或支链烷氧基或羟基，先决条件是S1至S5中至少一个为羟基。
19.权利要求18的方法，其中所述可交联阴离子选自下组：
20.权利要求14的方法，其中所述聚甲炔阳离子具有以下结构：
其中m和n相同或不同，且各自独立地代表0至2的整数；Z代表氢原子，卤原子，含有1至25个碳原子的直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团，其中该直链、支链、环状或多环的饱和或不饱和基团任选包括一或多个选自氮、氧、硫和卤原子的杂原子；X1和X2相同或不同，且各自独立地代表氢原子，卤原子，或含有1至6个碳原子的直链、支链或环状基团，其中当X1和X2为含有1至6个碳原子的直链和支链基团时，它们可相互连接以形成五或六员环；R1和R2相同或不同，且各自独立地代表含有1至6个碳原子的直链或支链烷基基团、含有1至6个碳原子的直链或支链烷氧烷基基团或含有1至6个碳原子的直链或支链羟烷基基团；D1和D2相同或不同，且各自独立地代表-O-、-S-、-Se-、-CH＝CH-、-C(CH3)2-或-C-；且Z1和Z2相同或不同，且各自独立地代表一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，其中当D1为-C-时，D1与Z1相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环，和当D2为-C-时，D2与Z2相互连接以形成一或多个稠合的取代或未取代的芳香环。
21.权利要求20的方法，其中所述聚甲炔阳离子系选自下组：
22.权利要求14的方法，其中所述NIR吸收染料在500纳米和1200纳米之间具有至少一个吸收峰。
23.权利要求14的方法，其中所述可交联聚合物包括具有羟基、羧基、反应性醚、氨基或亚胺基团的单体单元。
24.权利要求14的方法，其中所述NIR吸收膜组合物进一步包含酸产生剂。
25.权利要求14的方法，其中所述NIR吸收层为抗反射层。
26.权利要求14的方法，其进一步包括通过蚀刻或离子注入所述材料层的暴露的部分来将所述图案化的特征转移至该材料层。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106397300A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 Jsr株式会社 花青化合物、滤光片、使用滤光片的装置及树脂组合物
CN110498897A (zh) * 2019-07-17 2019-11-26 北京服装学院 一种近红外吸收隔热膜材料及其制备方法
CN112940522A (zh) * 2021-02-01 2021-06-11 西北工业大学 一种近红外光热染料及其制备方法和应用

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105027005B (zh) * 2013-02-25 2020-02-07 日产化学工业株式会社 含有具有羟基的芳基磺酸盐的抗蚀剂下层膜形成用组合物
CN103337465B (zh) * 2013-06-13 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种检测刻蚀残留的方法
ES2715665T3 (es) * 2014-12-01 2019-06-05 Dow Global Technologies Llc Películas retráctiles que comprenden un revestimiento absorbedor de NIR, y métodos de preparación de las mismas
JP6987966B2 (ja) * 2018-03-16 2022-01-05 富士フイルム株式会社 構造体、近赤外線カットフィルタ用組成物、ドライフィルム、構造体の製造方法、光センサおよび画像表示装置
JP7114724B2 (ja) * 2018-09-20 2022-08-08 富士フイルム株式会社 硬化性組成物、硬化膜、赤外線透過フィルタ、積層体、固体撮像素子、センサ、及び、パターン形成方法
MX2021004429A (es) * 2018-10-18 2021-07-07 Basf Se Composicion de microparticulas que comprende un pigmento organico absorbente de ir.
CN114989068B (zh) * 2022-07-04 2023-12-05 曲阜师范大学 一种可调控电子密度的硫化氢响应荧光探针及其制备工艺与应用

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030170559A1 (en) * 2001-09-21 2003-09-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Planographic printing plate precursor provided with an image forming layer containing a fluorine macromolecular compound
US20050079439A1 (en) * 2001-08-21 2005-04-14 Kodak Polychrome Graphics Llc Imageable composition containing an infrared absorber with counter anion derived from a non-volatile acid
CN1759149A (zh) * 2003-03-10 2006-04-12 柯达彩色绘图有限责任公司 红外吸收化合物和它们在光成象元件中的应用
CN1771299A (zh) * 2003-01-27 2006-05-10 柯达彩色绘图有限责任公司 红外吸收化合物和它们在成象元件中的应用
CN1956122A (zh) * 2005-10-26 2007-05-02 第一毛织株式会社 用于电子装置的近红外线吸收及色彩补偿薄膜组合物
US20070238802A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Fujifilm Corporation Near infrared-absorbing dye-containing curable composition
US20110042771A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 International Business Machines Corporation Near-Infrared Absorbing Film Compositions

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001014931A1 (en) * 1999-08-23 2001-03-01 Mitsubishi Chemical Corporation Photopolymerizable composition and photopolymerizable lithographic plate
JP2003241399A (ja) * 2002-02-20 2003-08-27 Fuji Photo Film Co Ltd 平版印刷版の製版方法
DE10257188B3 (de) * 2002-12-06 2004-04-15 Kodak Polychrome Graphics Gmbh Verfahren zur Herstellung von meso-substituierten Cyanin-Farbstoffen
JP5768410B2 (ja) * 2010-04-22 2015-08-26 信越化学工業株式会社 近赤外光吸収膜形成材料及び積層膜
JP5728822B2 (ja) * 2010-04-22 2015-06-03 信越化学工業株式会社 近赤外光吸収膜形成材料及び積層膜
JP5782797B2 (ja) * 2010-11-12 2015-09-24 信越化学工業株式会社 近赤外光吸収色素化合物、近赤外光吸収膜形成材料、及びこれにより形成される近赤外光吸収膜
US8722307B2 (en) * 2011-05-27 2014-05-13 International Business Machines Corporation Near-infrared absorptive layer-forming composition and multilayer film comprising near-infrared absorptive layer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050079439A1 (en) * 2001-08-21 2005-04-14 Kodak Polychrome Graphics Llc Imageable composition containing an infrared absorber with counter anion derived from a non-volatile acid
US20030170559A1 (en) * 2001-09-21 2003-09-11 Fuji Photo Film Co., Ltd. Planographic printing plate precursor provided with an image forming layer containing a fluorine macromolecular compound
CN1771299A (zh) * 2003-01-27 2006-05-10 柯达彩色绘图有限责任公司 红外吸收化合物和它们在成象元件中的应用
CN1759149A (zh) * 2003-03-10 2006-04-12 柯达彩色绘图有限责任公司 红外吸收化合物和它们在光成象元件中的应用
CN1956122A (zh) * 2005-10-26 2007-05-02 第一毛织株式会社 用于电子装置的近红外线吸收及色彩补偿薄膜组合物
US20070238802A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Fujifilm Corporation Near infrared-absorbing dye-containing curable composition
US20110042771A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 International Business Machines Corporation Near-Infrared Absorbing Film Compositions

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106397300A (zh) * 2015-07-28 2017-02-15 Jsr株式会社 花青化合物、滤光片、使用滤光片的装置及树脂组合物
CN106397300B (zh) * 2015-07-28 2022-01-11 Jsr株式会社 花青化合物、滤光片、使用滤光片的装置及树脂组合物
CN110498897A (zh) * 2019-07-17 2019-11-26 北京服装学院 一种近红外吸收隔热膜材料及其制备方法
CN112940522A (zh) * 2021-02-01 2021-06-11 西北工业大学 一种近红外光热染料及其制备方法和应用
CN112940522B (zh) * 2021-02-01 2022-04-08 西北工业大学 一种近红外光热染料及其制备方法和应用

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Publication number Publication date
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