KR101838923B1 - 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101838923B1
KR101838923B1 KR1020150096615A KR20150096615A KR101838923B1 KR 101838923 B1 KR101838923 B1 KR 101838923B1 KR 1020150096615 A KR1020150096615 A KR 1020150096615A KR 20150096615 A KR20150096615 A KR 20150096615A KR 101838923 B1 KR101838923 B1 KR 101838923B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
substituted
unsubstituted
photosensitive resin
repeating unit
Prior art date
Application number
KR1020150096615A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170006131A (ko
Inventor
김상수
강진희
강희경
김찬우
이범진
조성서
홍충범
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020150096615A priority Critical patent/KR101838923B1/ko
Publication of KR20170006131A publication Critical patent/KR20170006131A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101838923B1 publication Critical patent/KR101838923B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하고, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 공중합 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제 또는 이들의 조합; 및 (C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물, 이를 사용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015065791648-pat00065

[화학식 2]
Figure 112015065791648-pat00066

[화학식 3]
Figure 112015065791648-pat00067

(상기 화학식 1 내지 화학식 3에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)

Description

감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자 {PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN FILM AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME}
본 기재는 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 표시 소자에 관한 것이다.
반도체 소자의 보호막, 층간 절연막, 또는 디스플레이 절연층 등으로 사용되는 유기 절연막은 패턴 형성성을 가지게 하여 공정 수를 줄일 수 있다. 그리고, 상기 유기 절연막을 구성하는 포지티브형 감광성 재료의 경우 UV 노광을 통해 빛을 받은 부분에서 화학변화를 하여 알칼리 용액에 현상이 된다. 그 후 막을 견고하게 위해 경화를 한다.
그러나, 유기 절연막으로 알려진 종래 폴리벤조옥사졸, 폴리이미드, 또는 실리콘 기반의 고분자 물질들의 경우 콘트라스트(contrast)가 떨어져 패턴 형성 시 해상도(resolution)가 저하되거나, aspect ratio를 향상시키는 데 한계가 있다.
이에, 해상도, 내열성 등이 우수한 절연막용 감광성 수지 조성물을 개발하려는 노력이 계속되고 있다.
일 구현예는 감도, 내화학성, 해상도 등이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하고, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 공중합 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제 또는 이들의 조합; 및 (C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015065791648-pat00001
[화학식 2]
Figure 112015065791648-pat00002
[화학식 3]
Figure 112015065791648-pat00003
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
상기 R5 내지 R7은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위는 50:50 내지 80:20의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위는 50:50 내지 80:20의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다.
상기 공중합 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위, 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다.
상기 "화학식 1로 표시되는 반복단위" 및 상기 "화학식 2로 표시되는 반복단위와 화학식 3으로 표시되는 반복단위"는 50:50 내지 80:20의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다.
상기 공중합 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가질 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 열산 발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 열산 발생제는 120℃ 내지 250℃에서 분해될 수 있다.
상기 열산 발생제는 상기 공중합 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있다.
상기 가교제는 하기 화학식 7 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112015065791648-pat00004
[화학식 8]
Figure 112015065791648-pat00005
[화학식 9]
Figure 112015065791648-pat00006
상기 화학식 7 내지 화학식 9에서,
R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이다.
상기 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 공중합 수지 100 중량부에 대해, 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제 또는 이들의 조합 5 중량부 내지 100 중량부; 및 상기 (C) 용매 200 중량부 내지 2,000 중량부를 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 포지티브형일 수 있다.
다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.
상기 감광성 수지막은 유기발광장치용 절연막일 수 있다.
또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다.
기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하고, 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위 및/또는 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 공중합 수지를 포함하고, 상기 공중합 수지가 감광성 디아조퀴논 화합물 및/또는 광산발생제와 강한 상호작용을 하거나 de-protection 반응을 빠르게 진행하여, 레지스트의 해상도를 향상시킬 수 있다. 나아가, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물을 경화 시, 이미드화가 가능하여 내열성 또한 향상시킬 수 있다.
도 1은 contrast curve(γ)를 계산하는 방법을 나타낸 그래프이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.　
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를　의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를　의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를　의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를　의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고,　"알킬아릴렌기"란 C6 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기(예컨대, *-O(C=O)CH3 등), 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S, 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미하며, "(메타)아크릴산"은 "아크릴산"과 "메타크릴산" 둘 다 가능함을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하고, 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위 또는 하기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 공중합 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제, 또는 이들의 조합; 및 (C) 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112015065791648-pat00007
[화학식 2]
Figure 112015065791648-pat00008
[화학식 3]
Figure 112015065791648-pat00009
상기 화학식 1 내지 화학식 3에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
상기 R5 내지 R7은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있다.
이하, 일 구현예에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대해 자세히 설명한다.
(A) 공중합 수지
상기 공중합 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함한다. 나아가, 상기 공중합 수지는 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함한다.
예컨대, 상기 공중합 수지는 하기 화학식 4 또는 하기 화학식 5로 표시될 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112015065791648-pat00010
[화학식 5]
Figure 112015065791648-pat00011
상기 화학식 4 및 화학식 5에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
상기 R5 내지 R7은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있고,
l, m, 및 n은 각각 독립적으로 1 이상, 예컨대 1 이상 1000 이하, 예컨대 1 이상 500 이하, 예컨대 1 이상 100 이하의 정수이다.
상기 공중합 수지는 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위 또는 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함함으로써, 내화학성이 우수해지게 된다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위는 50:50 내지 80:20의 몰비, 예컨대 50:50 내지 70:30의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다. 즉, 상기 화학식 4에서, l:m은 50:50 내지 80:20, 예컨대 50:50 내지 70:30 일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위는 50:50 내지 80:20의 몰비, 예컨대 50:50 내지 70:30의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다. 즉, 상기 화학식 5에서, l:n은 50:50 내지 80:20, 예컨대 50:50 내지 70:30 일 수 있다.
또한, 상기 공중합 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위, 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 공중합 수지는 하기 화학식 6으로 표시될 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112015065791648-pat00012
상기 화학식 6에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
상기 R5 내지 R7은 각각 독립적으로 존재하거나 서로 결합하여 고리를 이룰 수 있고,
l, m 및 n은 각각 독립적으로 1 이상, 예컨대 1 이상 1000 이하, 예컨대 1 이상 500 이하, 예컨대 1 이상 100 이하의 정수이다.
이 경우, 상기 "화학식 1로 표시되는 반복단위" 및 상기 "화학식 2로 표시되는 반복단위와 화학식 3으로 표시되는 반복단위"는 50:50 내지 80:20의 몰비, 예컨대 50:50 내지 70:30의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다. 즉, 상기 화학식 6에서, l:(m+n)은 50:50 내지 80:20, 예컨대 50:50 내지 70:30 일 수 있다.
상기 화학식 1 내지 화학식 3의 반복단위가 상기 범위의 몰수를 가질 경우, 즉 상기 l, m, n이 상기 범위에 해당할 경우, 감광성 수지 조성물의 해상도, 내화학성, 및 감도 등이 우수해진다.
상기 공중합 수지는 후술하는 감광성 디아조퀴논 화합물과의 강한 상호작용을 하거나, 후술하는 광산발생제의 de-protection 반응을 빠르게 진행시켜, 해상도를 향상시키게 된다. 또한, 상기 공중합 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물의 경화 시, 이미드화가 가능하여, 내열성도 함께 향상시킬 수 있다.
상기 공중합 수지는 말단의 어느 한쪽 또는 양쪽에, 반응성 말단봉쇄 단량체로부터 유도된 열중합성 관능기를 가질 수 있다. 상기 반응성 말단봉쇄 단량체는 탄소-탄소 이중결합을 갖는 모노아민류, 모노언하이드라이드류, 또는 이들의 조합인 것이 바람직하다. 상기 모노아민류는 톨루이딘, 디메틸아닐린, 에틸아닐린, 아미노페놀, 아미노벤질알콜, 아미노인단(aminoindan), 아미노아세톤페논, 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 공중합 수지는 중량평균 분자량(Mw)이 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol, 예컨대 5,000 g/mol 내지 30,000 g/mol의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균 분자량(Mw)을 가질 경우 알칼리 수용액으로 현상시 비노광부에서 충분한 잔막율을 얻을 수 있고, 효율적으로 패터닝을 할 수 있다.
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물 및/또는 광산발생제
상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 16 및 하기 화학식 18 내지 화학식 20으로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 16]
Figure 112015065791648-pat00013
상기 화학식 16에서,
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,
D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 17a로 표시되는 작용기, 또는 하기 화학식 17b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,
n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.
[화학식 17a]
Figure 112015065791648-pat00014
[화학식 17b]
Figure 112015065791648-pat00015
[화학식 18]
Figure 112015065791648-pat00016
상기 화학식 18에서,
R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 16에서 정의된 것과 동일하고,
n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.
[화학식 19]
Figure 112015065791648-pat00017
상기 화학식 19에서,
A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 16에서 정의된 것과 동일하고,
n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,
n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,
단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.
[화학식 20]
Figure 112015065791648-pat00018
상기 화학식 20에서,
R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,
n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,
Q는 상기 화학식 16에서 정의된 것과 동일하다.
상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 공중합 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 100 중량부, 예컨대 10 중량부 내지 50 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 상기 감광성 디아조퀴논 화합물 대신 광산발생제(PAG: Photo Acid Generator)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 감광성 수지 조성물은 상기 감광성 디아조퀴논 화합물과 함께 광산발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 광산발생제는 하기 화학식 10 또는 화학식 11로 표시될 수 있다
[화학식 10]
Figure 112015065791648-pat00019
[화학식 11]
Figure 112015065791648-pat00020
상기 화학식 10 및 화학식 11에서,
R23, R24 및 R26 내지 R28은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 유기기이고,
R25는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 이들의 조합이고,
Z-는 유기산의 음이온이다.
예컨대, 상기 R22 및 R23은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
예컨대, 상기 R26 및 R27은 서로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
예컨대, 상기 Z-는 불소기(-F)를 가질 수 있다.
예컨대, 상기 Z-는 질소, 탄소 및 술포닐기로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 가질 수 있다.
상기 화학식 10은 하기 화학식 10-1 내지 화학식 10-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 10-1]
Figure 112015065791648-pat00021
[화학식 10-2]
Figure 112015065791648-pat00022
[화학식 10-3]
Figure 112015065791648-pat00023
상기 화학식 11은 하기 화학식 11-1 내지 화학식 11-7 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 11-1]
Figure 112015065791648-pat00024
[화학식 11-2]
Figure 112015065791648-pat00025
[화학식 11-3]
Figure 112015065791648-pat00026
[화학식 11-4]
Figure 112015065791648-pat00027
[화학식 11-5]
Figure 112015065791648-pat00028
[화학식 11-6]
Figure 112015065791648-pat00029
[화학식 11-7]
Figure 112015065791648-pat00030
상기 광산발생제는 공중합 수지 100 중량부에 대하여 0.1 중량부 내지 20 중량부, 예컨대 0.5 중량부 내지 15 중량부, 예컨대 3 중량부 내지 8 중량부로 사용될 수 있다. 상기 광산발생제가 상기 함량 범위 내로 포함될 경우, 노광부에서의 감광성 수지 조성물의 현상이 쉬워진다.
(D) 열산발생제
상기 감광성 수지 조성물은 열산발생제를 더 포함할 수 있다.
상기 열산발생제는 열에 의해 분해되어 산을 발생하는 물질로서, 통상의 열산발생제를 사용할 수 있으며, 열에 의해 분해되는 온도(열분해 온도)는 120℃ 내지 250℃의 범위를 갖는 것을 사용할 수 있다.
열산발생제의 열분해 온도가 상기 범위 내일 경우, 스컴(scum)이 발생하지 않고, 열 경화시 패턴 형상이 흘러내리지 않으며, 아웃가스 발생량을 줄일 수 있다. 또한, 공중합 수지의 폐환반응이 원활하게 일어나도록 함으로써, 내열성, 절연성 등 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
상기 열산발생제는 후술하는 가교제와 공중합 수지 간의 가교 반응의 촉매 역할을 할 뿐만 아니라, 저온에서도 공중합 수지의 폐환 반응이 원활하게 일어나도록 하는 역할을 한다. 이에 따라, 저온 소성에 의하더라도 아웃 가스 발생량이 적고, 내열성 및 내화학성이 우수한 감광성 수지막을 얻을 수 있다.
상기 열산발생제는, 예컨대, 하기 화학식 36, 화학식 37, 또는 이들의 조합으로 표시될 수 있다.
[화학식 36]
Figure 112015065791648-pat00031
[화학식 37]
Figure 112015065791648-pat00032
상기 화학식 36 및 화학식 37에서,
R51은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이고,
R52는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기 또는 이들의 조합이고,
R53은 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기 또는 이들의 조합이고,
R54는 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 이들의 조합이고,
R55는 수소 원자, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 36은 하기 화학식 36a 내지 화학식 36c로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 36a]
Figure 112015065791648-pat00033
[화학식 36b]
Figure 112015065791648-pat00034
[화학식 36c]
Figure 112015065791648-pat00035
상기 화학식 36a 내지 화학식 36c에서,
m1 내지 m4는 각각 독립적으로 0 내지 10, 예컨대 0 내지 6의 정수이고,
Z1 내지 Z4는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 36 및 화학식 37은 하기 화학식 38 내지 화학식 44 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 38]
Figure 112015065791648-pat00036
[화학식 39]
Figure 112015065791648-pat00037
[화학식 40]
Figure 112015065791648-pat00038
[화학식 41]
Figure 112015065791648-pat00039
[화학식 42]
Figure 112015065791648-pat00040
[화학식 43]
Figure 112015065791648-pat00041
[화학식 44]
Figure 112015065791648-pat00042
또한, 하기 화학식 45 내지 화학식 48로 표시되는 화합물도 열산발생제로 사용될 수 있다.
[화학식 45]
Figure 112015065791648-pat00043
[화학식 46]
Figure 112015065791648-pat00044
[화학식 47]
Figure 112015065791648-pat00045
[화학식 48]
Figure 112015065791648-pat00046
상기 열산발생제는, 상기 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 30 중량부, 예컨대 5 중량부 내지 20 중량부의 함량으로 사용될 수 있다. 열산발생제의 함량이 상기 범위 내인 경우, 공중합 수지의 폐환이 충분히 일어나 수지의 열적, 기계적 특성이 우수해지며, 보관안정성과 감도 또한 우수해진다.
상기 열산발생제는 경화 온도 조건에 따라 선택될 수 있으며, 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 열산발생제 이외에도 p-톨루엔 술폰산, 벤젠술폰산과 같은 알릴술폰산, 트리플루오르메탄술폰산, 플루오르부탄술폰산과 같은 퍼플루오르알킬 술폰산, 메탄 술폰산, 에탄 술폰산, 부탄 술폰산과 같은 알킬 술폰산 등을 사용할 수도 있다.
(E) 가교제
상기 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있다.
상기 가교제는 하기 화학식 7 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112015065791648-pat00047
[화학식 8]
Figure 112015065791648-pat00048
[화학식 9]
Figure 112015065791648-pat00049
상기 화학식 7 내지 화학식 9에서,
R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이다.
상기 가교제는 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 경화 후 테이퍼 각도가 낮아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 나아가, 상기 감광성 수지 조성물은, 패턴 형성 후 감광성 수지막의 소성 시 가교제가 상기 공중합 수지와 반응하여 가교 구조를 형성하며, 이 때 전술한 열산발생제를 함께 포함함으로써, 상기 열산발생제가 상기 가교제의 가교 구조 형성을 촉매하게 된다. 따라서, 250℃ 이하의 저온에서도 감광성 수지 조성물의 경화가 가능하고, 가교가 더욱 활발하게 일어나며, 소성된 감광성 수지막의 내열성 및 내화학성이 증가하게 된다. 또한, 가열 소성 후 막으로부터의 아웃가스(out gas)가 줄어들고, 이로써 감광성 수지막에 다크 스팟이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 경화 후 막의 수축율도 크게 줄어들게 된다.
예컨대, 상기 화학식 7 내지 화학식 9에서,
R8 내지 R10 및 R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 히드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이고,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 히드록시기로 치환된 C1 내지 C10 알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이다.
상기 가교제는 상기 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 50 중량부의 함량으로 사용될 수 있다. 상기 가교제를 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 이상 사용하는 경우, 공중합 수지의 내알칼리성이 증가하여 비노광부의 잔막률을 증가시킬 수 있고, 50 중량부 이하로 사용함으로써 현상 공정이 용이해진다. 상기 가교제의 함량이 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 미만일 경우에는 포토 스피드가 저하되고, 소성 시 패턴 형상이 유지되기 어려우며, 아웃 가스 발생량도 증가하게 된다. 또한 50 중량부를 초과할 경우는 저장 안정성이 저하되며, 미반응 가교제로 인해 아웃가스 발생량이 증가할 수 있다.
(C) 용매
상기 감광성 수지 조성물은 공중합 수지, 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제, 열산발생제, 가교제 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 200 중량부 내지 2,000 중량부로, 예컨대 200 중량부 내지 1,000 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 좋다.
(F) 기타 첨가제
일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산이나 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 　이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.
상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.
상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 　상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성 및 경제적으로 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 감광성 수지 조성물은 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 적당한 불소계 계면활성제 또는 레벨링제를 첨가제로 더욱 사용할 수도 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.
상기 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 공정은 포지티브형 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 건조하여 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 형성하는 공정; 상기 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 포지티브형 감광성 수지 조성물 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 절연막을 제조하는 공정; 및 상기 절연막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다른 일 구현예에 따르면 상기 감광성 수지 조성물, 예컨대 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.
상기 감광성 수지막은 OLED 등의 유기발광장치용 절연막일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또 다른 일 구현예에 따르면 상기 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자를 제공한다. 상기 표시 소자는 액정 디스플레이, 발광다이오드, 플라즈마디스플레이 또는 유기발광장치(예컨대 OLED)일 수 있다.
상기 감광성 수지 조성물은 표시 소자에서 절연막, 패시베이션층 또는 버퍼　코팅층을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다. 즉, 상기 감광성 수지 조성물은 굴절률이 높아 표시 장치의 표면 보호막 및 층간 절연막을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
( 실시예 )
(공중합 수지 제조)
제조예 1
질소 분위기로 한 플라스크에, 하기 화학식 A로 표시되는 모노머 및 하기 화학식 B로 표시되는 모노머의 몰비가 50:50이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조하였다.
개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 모노머 총량의 10 중량%가 되게하여 100 g의 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(2)을 제조하였다.
질소분위기로 한 별도의 플라스크에, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 50 g을 넣고 80℃로 가열한 후, 상기 모노머 용액(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1))과 개시제 용액(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(2))을 동시에 4시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후 2시간 동안 교반을 계속하고 이어서 실온까지 냉각하였다. 얻어진 중합액을 격하게 교반한 메탄올에 적하하고, 석출된 공중합체를 여과 분별하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 8,500g/mol)를 제조하였다.
[화학식 A]
Figure 112015065791648-pat00050
[화학식 B]
Figure 112015065791648-pat00051
제조예 2
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 A로 표시되는 모노머, 상기 화학식 B로 표시되는 모노머, 및 하기 화학식 C로 표시되는 모노머의 몰비가 50:30:20이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 1과 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 9,000 g/mol)를 제조하였다.
[화학식 C]
Figure 112015065791648-pat00052
제조예 3
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 A로 표시되는 모노머, 상기 화학식 B로 표시되는 모노머, 및 상기 화학식 C로 표시되는 모노머의 몰비가 50:20:30이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 1과 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 7,700 g/mol)를 제조하였다.
제조예 4
질소 분위기로 한 플라스크에, 하기 화학식 D로 표시되는 모노머 및 상기 화학식 B로 표시되는 모노머의 몰비가 50:50이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조하였다.
개시제로 2,2'-아조비스이소부티로니트릴을 모노머 총량의 10 중량%가 되게하여 100 g의 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(2)을 제조하였다.
질소분위기로 한 별도의 플라스크에, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 50 g을 넣고 80℃로 가열한 후, 상기 모노머 용액(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1))과 개시제 용액(프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(2))을 동시에 4시간에 걸쳐 적하하였다. 적하 종료 후 2시간 동안 교반을 계속하고 이어서 실온까지 냉각하였다. 얻어진 중합액을 메탄올(상기 중합액 함량의 5배)에 녹인 후, NH4OH 30% 수용액 100 mL를 추가로 첨가 및 교반하고, 용매 내 고분자가 완전히 용해된 것을 확인한 후, 30분을 더 추가로 교반하였다. 상기 용액을 5L의 물에 첨가하고 진공건조하여, 하기 화학식 D의 아세틸기(-O(C=O)CH3)가 하이드록시기(-OH)로 치환된 화합물의 반복단위를 갖는 공중합체를 석출하고, 이를 여과 분별하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 8,800 g/mol)를 제조하였다.
[화학식 D]
Figure 112015065791648-pat00053
제조예 5
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 D로 표시되는 모노머, 상기 화학식 B로 표시되는 모노머, 및 상기 화학식 C로 표시되는 모노머의 몰비가 50:30:20이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 4와 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 7,100 g/mol)를 제조하였다.
제조예 6
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 D로 표시되는 모노머, 상기 화학식 B로 표시되는 모노머, 및 상기 화학식 C로 표시되는 모노머의 몰비가 50:20:30이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 4와 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 9,200 g/mol)를 제조하였다.
제조예 7
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 D로 표시되는 모노머 및 상기 화학식 C로 표시되는 모노머의 몰비가 50:50이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 4와 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 6,800 g/mol)를 제조하였다.
제조예 8
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 D로 표시되는 모노머, 상기 화학식 C로 표시되는 모노머, 및 하기 화학식 E로 표시되는 모노머의 몰비가 50:30:20이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 4와 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 7,600 g/mol)를 제조하였다.
[화학식 E]
Figure 112015065791648-pat00054
제조예 9
질소 분위기로 한 플라스크에, 상기 화학식 D로 표시되는 모노머, 하기 화학식 F로 표시되는 모노머, 및 하기 화학식 E로 표시되는 모노머의 몰비가 50:30:20이 되게끔 투입하여, 모노머 총량이 100 g이 되는 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 용액(1) 200 g을 제조한 것을 제외하고는, 제조예 4와 동일하게 하여, 공중합 수지(중량평균 분자량: 9,200 g/mol)를 제조하였다.
[화학식 F]
Figure 112015065791648-pat00055
비교제조예 1
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치, 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 12.4 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125g을 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-옥시디벤조일클로라이드 9.4 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.
여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 1.1g 을 투입하고 70℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 종료하였다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24 시간 이상 건조하여 폴리벤조옥사졸 전구체(중량평균 분자량: 8,300 g/mol)를 얻었다.
비교제조예 2
교반기, 온도조절 장치, 질소가스주입 장치, 및 냉각기가 장착 된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 비스(4-아미노페닐 에테르) 10.0 g 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 125g을 넣어 용해시켰다.
고체가 완전 용해되면 촉매로서 피리딘을 4.2 g 투입하고 온도를 0℃ 내지 5℃로 유지하면서 4,4'-(헥사플루오로아이소프로필리덴)다이프탈릭 언하이드라이드 21.1 g을 NMP 100g에 넣어 용해시킨 용액을 장착 된 4구 플라스크에 30분간 천천히 적하시켰다. 적하가 완료 된 후 1시간 동안 0℃ 내지 5℃에서 반응을 수행하고, 상온으로 온도를 올려 1시간 동안 반응을 시켰다.
여기에 5-노보렌-2,3-디카르복시언하이드라이드를 0.8g 을 투입하고 70 ℃에서 24시간 동안 교반한 후, 반응을 상온으로 유지하고 N,N-다이메틸포름아마이드 다이에틸 아세탈 21 g을 NMP 50 g에 녹여 적가하여 50℃에서 2시간 반응시킨 후, 반응을 종료하였다. 반응혼합물은 물/메탄올 = 10/1(용적비)의 용액에 투입하여 침전물을 생성시키고, 침전물을 여과하여 물로 충분히 세정한 후, 80℃ 온도의 진공 하에서 24시간 이상 건조하여 폴리이미드 전구체(중량평균 분자량: 8,000 g/mol)를 얻었다.
( 포지티브형 감광성 수지 조성물 제조)
실시예 1
제조예 1에 따른 공중합 수지 10 g을 γ-부티로락톤(GBL) 35 g에 혼합하여 용해시킨 후, 산 발생제로서 하기 화학식 X의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 화합물 3.0 g을 넣고 용해한 후 0.45 ㎛의 플루오르수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
[화학식 X]
Figure 112015065791648-pat00056
(상기 화학식 X에서, Q1, Q2 및 Q3 중에서, 둘은
Figure 112015065791648-pat00057
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소 원자이다.)
실시예 2
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 2에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 3
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 3에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 4
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 4에 따른 공중합 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 5
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 5에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 6
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 6에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 7
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 7에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 8
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 8에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 9
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 제조예 9에 따른 공중합 수지를 사용하고, 열산발생제(2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate) 1.0 g을 더 첨가한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
비교예 1
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 비교제조예 1에 따른 공중합 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
비교예 2
제조예 1에 따른 공중합 수지 대신 비교제조예 2에 따른 공중합 수지를 사용한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일하게 하여, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.
실시예 1 내지 실시예 9, 비교예 1 및 비교예 2의 조성은 하기 표 1과 같다.
(A) (B) (C) 기타
실시예 1 제조예 1에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g -
실시예 2 제조예 2에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
실시예 3 제조예 3에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
실시예 4 제조예 4에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g -
실시예 5 제조예 5에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
실시예 6 제조예 6에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
실시예 7 제조예 7에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
실시예 8 제조예 8에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
실시예 9 제조예 9에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g 2-methoxyethyl-p-toluenesulfonate 1.0 g
비교예 1 비교제조예 1에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g -
비교예 2 비교제조예 2에 따른 공중합 수지 10g 감광성 디아조퀴논 화합물 3g γ-부티로락톤(GBL) 35 g -
(평가)
평가 1: 감도 측정
상기 실시예 1 내지 실시예 9, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 8 인치 웨이퍼에 　SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 120℃의 핫플레이트에서, 3분간 가열하여 막을 형성하였다.
코팅된 웨이퍼를 i-line stepper i10C로 7㎛ isolated square 패턴이 구현되게 에너지양을 변화시키며 노광하였다. 노광된 웨이퍼는 SEMES社의 K-SPINNER에서 TMAH 2.38 wt% 용액으로 80초간 현상하였다. 현상된 웨이퍼를 Hitachi社 S-9260 CD-SEM 장비를 사용하여 7㎛ isolated square 패턴이 구현되는 에너지를 확인하였다.
감도 측정 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
평가 2: 해상도 측정
상기 평가 1에서, 7㎛ isolated square 패턴이 구현되는 에너지에서의 CD 패턴이 구현되는 최소 크기를 측정하였다.
해상도 측정 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
평가 3: Contrast curve(γ) 측정
상기 실시예 1 내지 실시예 9, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 포지티브형 감광성 수지 조성물을 8 인치 웨이퍼에 　SEMES社의 스핀 코터인 K-SPINNER를 이용해 코팅한 후, 120℃의 핫플레이트에서, 3분간 가열하여 막을 형성하였다.
코팅된 웨이퍼를 i-line stepper i10C로 mask 없이 에너지를 증가시키며 노광을 하고 현상을 한다. 에너지에 따른 두께 변화를 측정하여 γ를 계산하였다. (하기 도 1 및 수학식 1 참조)
Contrast curve(γ) 측정 결과는 하기 표 2에 나타내었다.
[수학식 1]
Figure 112015065791648-pat00058
감도 (mJ/cm2) 해상도 (resolution) γ
실시예 1 70 3 ㎛ 6.1
실시예 2 80 3 ㎛ 6.0
실시예 3 82 3 ㎛ 6.0
실시예 4 72 3 ㎛ 5.8
실시예 5 75 3 ㎛ 5.7
실시예 6 77 3 ㎛ 5.9
실시예 7 80 3 ㎛ 6.1
실시예 8 75 3 ㎛ 5.8
실시예 9 75 3 ㎛ 5.9
비교예 1 130 5 ㎛ 4.0
비교예 2 140 5 ㎛ 3.7
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 실시예 1 내지 실시예 9의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하고, 상기 화학식 2로 표시되는 반복단위 및/또는 상기 화학식 3으로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 공중합 수지를 포함하여, 상기 공중합 수지를 포함하지 않는 비교예 1 및 비교예 2의 포지티브형 감광성 수지 조성물에 비해, 우수한 감도 및 해상도를 가지는 감광성 수지막을 제공할 수 있음을 확인할 수 있다. (contrast curve(γ)가 90에 가까운 값을 가질수록 보다 작은 CD 구현이 가능하므로, 이를 통해 해상도가 우수해짐을 확인할 수 있다.)
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　　그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (17)

  1. (A) 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위 및 하기 화학식 3-1로 표시되는 반복단위를 포함하는 공중합 수지;
    (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제 또는 이들의 조합; 및
    (C) 용매
    를 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112018003104449-pat00059

    [화학식 3-1]
    Figure 112018003104449-pat00061

    상기 화학식 1 및 화학식 3-1에서,
    R1 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
    R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
    상기 R6 및 R7은 서로 결합하여 고리를 이룬다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공중합 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112017073907143-pat00069

    상기 화학식 2에서,
    R2는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공중합 수지는 하기 화학식 3-2로 표시되는 반복단위를 더 포함하고,
    "상기 화학식 1로 표시되는 반복단위" 및 "상기 화학식 3-1로 표시되는 반복단위 및 상기 화학식 3-2로 표시되는 반복단위"는 50:50 내지 80:20의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함되는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 3-2]
    Figure 112017073907143-pat00070

    상기 화학식 3-2에서,
    R3은 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
    R5 내지 R7은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로아릴기이고,
    상기 R5 내지 R7은 각각 독립적으로 존재한다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 공중합 수지는 하기 화학식 2로 표시되는 반복단위를 더 포함하는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112017073907143-pat00071

    상기 화학식 2에서,
    R2는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이다.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 "화학식 1로 표시되는 반복단위" 및 상기 "화학식 2로 표시되는 반복단위, 화학식 3-1로 표시되는 반복단위 및 화학식 3-2로 표시되는 반복단위"는 50:50 내지 80:20의 몰비로 상기 공중합 수지에 포함되는 감광성 수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 공중합 수지는 3,000 g/mol 내지 300,000 g/mol의 중량평균 분자량을 가지는 감광성 수지 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 열산 발생제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 열산 발생제는 120℃ 내지 250℃에서 분해되는 감광성 수지 조성물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 열산 발생제는 상기 공중합 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 감광성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 가교제는 하기 화학식 7 내지 화학식 9 중 어느 하나로 표시되는 감광성 수지 조성물:
    [화학식 7]
    Figure 112015065791648-pat00062

    [화학식 8]
    Figure 112015065791648-pat00063

    [화학식 9]
    Figure 112015065791648-pat00064

    상기 화학식 7 내지 화학식 9에서,
    R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이고,
    R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
    R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이다.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은
    상기 (A) 공중합 수지 100 중량부에 대해,
    상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물, 광산발생제 또는 이들의 조합 5 중량부 내지 100 중량부; 및
    상기 (C) 용매 200 중량부 내지 2,000 중량부
    를 포함하는 감광성 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 말론산, 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 감광성 수지 조성물은 포지티브형인 감광성 수지 조성물.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 사용하여 제조된 감광성 수지막.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 감광성 수지막은 유기발광장치용 절연막인 감광성 수지막.
  17. 제15항의 감광성 수지막을 포함하는 표시 소자.
KR1020150096615A 2015-07-07 2015-07-07 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자 KR101838923B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150096615A KR101838923B1 (ko) 2015-07-07 2015-07-07 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150096615A KR101838923B1 (ko) 2015-07-07 2015-07-07 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170006131A KR20170006131A (ko) 2017-01-17
KR101838923B1 true KR101838923B1 (ko) 2018-03-15

Family

ID=57990582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150096615A KR101838923B1 (ko) 2015-07-07 2015-07-07 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101838923B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102105048B1 (ko) * 2017-06-28 2020-04-27 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 흑색 감광성 수지막 및 컬러필터
KR102244474B1 (ko) * 2017-12-04 2021-04-23 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 이를 포함하는 반도체 소자
KR102554076B1 (ko) * 2021-04-26 2023-07-12 주식회사 켐폴 감광성 고분자 및 포토레지스트 조성물

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012226044A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Hitachi Chem Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、半導体装置及び電子デバイス

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012226044A (ja) * 2011-04-18 2012-11-15 Hitachi Chem Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、レジストパターンの製造方法、半導体装置及び電子デバイス

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170006131A (ko) 2017-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101705755B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
JP5109471B2 (ja) ネガ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品
KR101838923B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR101067090B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막, 보호막, 절연막 및 그것을 이용한 반도체 장치, 표시체 장치
KR101812580B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자
KR102287214B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR101812578B1 (ko) 신규한 중합체를 포함하는 수지 조성물 및 이를 이용한 유기막
KR101692758B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 표시 소자
KR101881943B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR20160104380A (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 이를 이용한 표시 소자
KR102193440B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR101688014B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막, 및 이를 이용한 표시 소자
KR102149966B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102670213B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 포지티브형 감광성 드라이 필름, 포지티브형 감광성 드라이 필름의 제조 방법, 패턴 형성 방법, 경화 피막 형성 방법, 층간 절연막, 표면 보호막, 및 전자 부품
KR101751911B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 표시 소자
KR102149967B1 (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 감광성 수지막
KR102288385B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102244474B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 이를 포함하는 반도체 소자
CN110874015B (zh) 感光性树脂组合物、使用其的感光性树脂层和电子装置
KR102275345B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102302050B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102252997B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102302049B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102319968B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 감광성 수지막 및 전자 소자
KR102106396B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 전자 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant