CN104028258B - 一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法 - Google Patents
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- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 15
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 claims description 3
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 8
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 8
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 6
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004087 circulation Effects 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法，步骤如下：1）在清洁的衬底上制备ZnO籽晶层；2）将步骤1）的具有籽晶层的衬底置于管式炉内，以ZnO粉末及C粉的混合粉末为反应源，加热使反应源温度为900~1000℃，衬底温度为600~650℃，生长，得到ZnO纳米线阵列；3）采用原子层沉积的方法以四双(乙基甲基氨)铪为铪源，以去离子水为氧源，在步骤2）制得的ZnO纳米线阵列外包覆一层HfO2。本发明的光催化剂采用HfO2作为壳层可以显著提高表面光催化底物的密度，同时消除大量的ZnO表面缺陷态，化学性质稳定且易于回收。本发明的方法简单，易于操作，可应用于大面积光催化剂的制备中。
Description
技术领域
本发明涉及一种光催化剂的制备方法，特别涉及一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法。
背景技术
ZnO是一种新型的半导体光催化材料。与传统的TiO2光催化材料相比，ZnO作为一种直接带隙材料，光生载流子迁移率高，电子平均自由程长，有更高的光催化量子效率。研究表明在水相环境中，ZnO比类似结构的TiO2等材料有更好的光催化性能。但ZnO材料较其他光催化材料来说仍存在一些问题：1）在酸碱条件下稳定性较差，表面容易溶解产生Zn2+；2）通常，制备出的ZnO纳米结构存在大量表面缺陷态，是光生载流子的有效复合中心，使绝大部分光生载流子在材料表面就已复合，影响光催化剂表面产生强氧化基团的效率；3）染料吸附系数低，ZnO表面Zn原子与染料中基团作用力较弱，吸附染料密度偏低，限制了表面氧化还原反应的速率；4）回收与再生难，目前ZnO材料作为光催化剂时，为了增加比表面积，减小载流子扩散长度同时增加染料吸附量，大多采用ZnO的纳米颗粒，由此带来的光催化降解染料后纳米颗粒的回收成为一个问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种稳定、高效、易回收的具有核壳纳米结构光催化剂的制备方法。
本发明的具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法，步骤如下：
1）采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法或喷雾热解法在清洁的衬底表面生长一层ZnO籽晶层；
2）将ZnO粉末与C粉按质量比2:1混合均匀作为反应源放入一端封口的石英管底部，将步骤1）中具有ZnO籽晶层的衬底放入石英管内，将石英管水平置于水平管式炉的炉管内，抽真空至真空度高于1Pa，通入O2与Ar，O2:Ar的流量比为1:99，控制压强为300Pa，并加热保持反应源温度为900~1000℃，衬底温度为600~650℃，进行生长，得到ZnO纳米线阵列；
3）将步骤2）制备的ZnO纳米线阵列放入原子层沉积反应室中，调节衬底温度为150~200℃，以四双(乙基甲基氨)铪为铪源，去离子水为氧源，铪源的脉冲时间和清洗时间分别为30ms和20000ms，氧源脉冲时间与清洗时间分别为11ms和20000ms，循环生长，在ZnO纳米线阵列外包覆厚度为5nm以下的壳层HfO2，得到具有核壳纳米结构的光催化剂。
上述的衬底可以为硅、石英或者蓝宝石。
本发明具有的有益效果是：HfO2具有良好的化学稳定性，采用HfO2作为壳层可以有效避免ZnO在酸性溶液中被腐蚀。此外，Hf原子对染料分子有强烈的吸附作用，因此这种核壳纳米结构的光催化剂可以显著提高表面光催化底物的密度，同时采用5nm以下厚度的HfO2包覆在ZnO纳米结构表面既消除了大量的ZnO表面缺陷态，使光生载流子表面复合得到抑制，又可以满足光生载流子迁移到光催化剂表面，参与到氧化还原反应中，有利于提高光催化剂的效率。且该结构生长于衬底上，易于回收。本发明的方法简单，易于操作，可应用于大面积光催化剂的制备中。
附图说明：
图1是实施例1中步骤2）制得的ZnO纳米线阵列的SEM照片；
图2是实施例1制得的HfO2/ZnO核壳纳米线阵列的SEM照片；
图3是实施例1中步骤2）制得的ZnO纳米线阵列光催化降解Rh-B的反应曲线；
图4是实施例1制得的HfO2/ZnO核壳纳米线阵列光催化降解Rh-B的反应曲线；
图5是实施例2制得的HfO2/ZnO核壳纳米线阵列光催化降解Rh-B的反应曲线。
具体实施方式：
下面结合附图和实施例进一步说明本发明。本发明不限于这里的实施例，本领域技术人员根据本发明的提示，对于本发明做出的改进和修改都在本发明权利保护范围内。
实施例1
1）将Si片依次用酒精、去离子水超声清洗25分钟；然后用氮气吹干，在清洁的Si片上采用磁控溅射法制备ZnO籽晶层，厚度为100nm；
2)将ZnO粉末与C粉按质量比2:1混合均匀作为反应源放入一端封口的石英管底部，将步骤1）的具有ZnO籽晶层的Si片放入石英管内，将石英管水平置于水平管式炉的炉管内，抽真空至真空度高于1Pa，通入O2与Ar，O2:Ar的流量比为1:99，控制压强为300Pa，并加热保持反应源温度为900℃，衬底温度为600℃，生长1h，在硅片上得到垂直的ZnO纳米线阵列；
3)将步骤2）制得的Si片上垂直的ZnO纳米线阵列放入原子层沉积反应室中，调节衬底温度为150℃，以四双(乙基甲基氨)铪为铪源，去离子水为氧源，铪源的脉冲时间和清洗时间分别为30ms和20000ms，氧源脉冲时间与清洗时间分别为11ms和20000ms，生长15个循环，得到核壳结构的HfO2/ZnO纳米线阵列，HfO2厚度为1nm。
本例步骤2）制得的ZnO纳米线阵列及最终制得的核壳结构HfO2/ZnO纳米线阵列的SEM如图1和图2所示，可以看出，ZnO纳米线排布紧密，直径约50~150nm，在经过HfO2修饰后ZnO纳米结构形貌无明显改变。
将本例步骤2）制得的ZnO纳米线阵列及最终制得的核壳结构HfO2/ZnO纳米线阵列在500W氙灯照射下对罗丹明B（Rh-B）进行光催化，光催化效果分别如图3和图4所示，可以看出，采用HfO2对ZnO纳米线阵列进行包覆后，光催化性能得到明显提高。
实施例2
1）将石英片依次用酒精、去离子水超声清洗25分钟；然后用氮气吹干，在清洁的石英片上采用脉冲激光沉积法制备ZnO籽晶层，厚度为300nm；
2)将ZnO粉末与C粉按质量比2:1混合均匀作为反应源放入一端封口的石英管底部，将步骤1）中具有ZnO籽晶层的石英片放入石英管内，将石英管水平置于水平管式炉的炉管内，抽真空至真空度高于1Pa，通入O2与Ar，O2:Ar的流量比为1:99，控制压强为300Pa，并加热保持反应源温度为1000℃，衬底温度为650℃，生长0.5h，在石英片上得到垂直的ZnO纳米线阵列；
3）将步骤2）中的石英片上垂直的ZnO纳米线阵列放入原子层沉积反应室中，调节衬底温度为200℃，以四双(乙基甲基氨)铪为铪源，去离子水为氧源，铪源的脉冲时间和清洗时间分别为30ms和20000ms，氧源脉冲时间与清洗时间分别为11ms和20000ms，生长30个循环，得到核壳结构的HfO2/ZnO纳米线阵列，HfO2厚度为3nm。
将本例制得的核壳结构HfO2/ZnO纳米线阵列在500W氙灯照射下对罗丹明B（Rh-B）进行光催化，光催化效果如图5所示，可以看出，经过5小时光照后，Rh-B被大量降解。
实施例3
1）将蓝宝石片依次用酒精、去离子水超声清洗25分钟；然后用氮气吹干，在清洁的蓝宝石上采用喷雾热解法制备ZnO籽晶层，厚度为50nm；
2)将ZnO粉末与C粉按质量比2:1混合均匀作为反应源放入一端封口的石英管底部，将步骤1）中具有ZnO籽晶层的蓝宝石片放入石英管内，将石英管水平置于水平管式炉的炉管内，抽真空至真空度高于1Pa，通入O2与Ar，O2:Ar的流量比为1:99，控制压强为300Pa，并加热保持反应源温度为950℃，衬底温度为625℃，生长1h，在蓝宝石上得到垂直的ZnO纳米线阵列；
3）将步骤2）中的蓝宝石上垂直的ZnO纳米线阵列放入原子层沉积反应室中，调节衬底温度为180℃，以四双(乙基甲基氨)铪为铪源，去离子水为氧源，铪源的脉冲时间和清洗时间分别为30ms和20000ms，氧源脉冲时间与清洗时间分别为11ms和20000ms，生长45个循环，得到核壳结构的HfO2/ZnO纳米线阵列，HfO2厚度为5nm。
Claims (2)
1.一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法，其特征在于步骤如下：
1）采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法或喷雾热解法在清洁的衬底表面生长一层ZnO籽晶层；
2）将ZnO粉末与C粉按质量比2:1混合均匀作为反应源放入一端封口的石英管底部，将步骤1）的具有ZnO籽晶层的衬底放入石英管内，将石英管水平置于水平管式炉的炉管内，抽真空至真空度高于1Pa，通入O2与Ar，O2:Ar的流量比为1:99，控制压强为300Pa，并加热保持反应源温度为900~1000℃，衬底温度为600~650℃，进行生长，得到ZnO纳米线阵列；
3）将步骤2）制得的ZnO纳米线阵列放入原子层沉积反应室中，调节衬底温度为150~200℃，以四双(乙基甲基氨)铪为铪源，去离子水为氧源，铪源的脉冲时间和清洗时间分别为30ms和20000ms，氧源脉冲时间与清洗时间分别为11ms和20000ms，循环生长，在ZnO纳米线阵列外包覆厚度为5nm以下的壳层HfO2，得到具有核壳纳米结构的光催化剂。
2.根据权利要求1所述的具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法，其特征在于所述的衬底为硅、石英或者蓝宝石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410223521.3A CN104028258B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410223521.3A CN104028258B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104028258A CN104028258A (zh) | 2014-09-10 |
| CN104028258B true CN104028258B (zh) | 2016-05-04 |
Family
ID=51459392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410223521.3A Active CN104028258B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种具有核壳纳米结构的高效光催化剂的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104028258B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020054931A (ja) * | 2017-01-27 | 2020-04-09 | 国立研究開発法人科学技術振興機構 | 構造物及びその製造方法 |
| CN109289875B (zh) * | 2018-09-11 | 2021-08-24 | 东南大学 | 高效产氢的ZnO核壳纳米棒阵列光催化剂、制备方法及应用 |
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| CN102040187A (zh) * | 2010-11-12 | 2011-05-04 | 浙江大学 | 一种核壳结构ZnO纳米线阵列的生长方法 |
| KR20130086859A (ko) * | 2012-01-26 | 2013-08-05 | 인하대학교 산학협력단 | 코어-쉘 구조의 산화갈륨-산화아연 나노로드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7485488B2 (en) * | 2004-04-15 | 2009-02-03 | Agency For Science, Technology And Research | Biomimetic approach to low-cost fabrication of complex nanostructures of metal oxides by natural oxidation at low-temperature |
| CN1333117C (zh) * | 2004-11-02 | 2007-08-22 | 清华大学 | 一种在硅基底上生长定向准直氧化锌纳米棒阵列的方法 |
-
2014
- 2014-05-26 CN CN201410223521.3A patent/CN104028258B/zh active Active
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| Title |
|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104028258A (zh) | 2014-09-10 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |