CN104020587A - 一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置，用于提供一种包括供电部件的阵列基板。本发明实施例的阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，还包括：用于将光信号转换成电信号的光电转换部件，与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘，且其在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

Description

一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置。

背景技术

显示装置的阵列基板一般包括衬底基板，位于衬底基板上的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)和与所述TFT电性连接的像素电极；其中，所述衬底基板为电性绝缘部件，所述栅线、数据线、TFT和像素电极为耗电部件。

综上所述，目前还没有一种包括供电部件的阵列基板。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置，用于提供一种包括供电部件的阵列基板。

第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，还包括：

用于将光信号转换成电信号的光电转换部件，与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘，且其在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

在本发明实施例中，所述阵列基板还包括：与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘的光电转换部件，且所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠；

由于光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现提供一种包括供电部件的阵列基板。

较佳地，所述光电转换部件位于所述栅线所在膜层和衬底基板之间；所述阵列基板还包括：

绝缘层，位于所述栅线所在膜层和所述光电转换部件之间、且全面覆盖所述光电转换部件。

在本发明实施例中，提供了第一种具体的所述光电转换部件的连接关系的实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述第一种具体的光电转换部件连接关系的实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。

较佳地，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影内；或者

至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影在所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影内。

在本发明实施例中，提供了第一种具体的所述光电转换部件的位置的实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述第一种具体的光电转换部件位置的实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。

较佳地，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；

所述光电转换部件包括距离所述衬底基板由近到远的底电极、光电转换层和顶电极，且所述顶电极的材料为不透光材料；将所述光电转换部件作为黑矩阵使用。

在本发明实施例中，无需再另外制作一层黑矩阵，从而简化了显示装置的制作工艺，以及简化了制作出的显示装置的结构。

较佳地，所述光电转换部件位于所述数据线所在膜层和栅线所在膜层之间。

在本发明实施例中，提供了第二种具体的所述光电转换部件的连接关系的实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述第二种具体的光电转换部件连接关系的实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。

较佳地，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影内；或者

至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影在所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影内。

在本发明实施例中，提供了第二种具体的所述光电转换部件的位置的实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述第二种具体的光电转换部件位置的实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括背光源和直流变换器，其中，还包括：所述的阵列基板，所述阵列基板包括的光电转换部件与所述直流变换器电性连接；

所述光电转换部件吸收所述背光源发出的光信号，且将所述光信号转换成电信号并传输给所述直流变换器。

在本发明实施例中，由于光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现提供一种包括供电部件的阵列基板；

由于光电转换部件可以吸收背光源发出的光信号，并将其转换为电信号，从而可以提高背光源的利用率；

另外，由于光电转换部件将由光信号转换成的所述电信号传输给所述直流变换器，以实现给所述直流变换器供电，避免所述直流变换器外接输入电源，从而降低了显示装置的功耗。

第三方面，本发明实施例提供了阵列基板的第一种制作方法，包括：

在衬底基板上形成用于将光信号转换成电信号的光电转换部件；

在所述光电转换部件上形成全面覆盖所述光电转换部件的绝缘层；

在所述绝缘层上依次形成层叠设置的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

在本发明实施例中，光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现在阵列基板上形成供电部件，以提供一种包括供电部件的阵列基板。

较佳地，所述在衬底基板上形成光电转换部件，包括：

在衬底基板上依次沉积透明导电薄膜、光电转换材料和导电层；

对透明导电薄膜、光电转换材料和导电层进行刻蚀处理，形成包括距离所述衬底基板由近到远的透明底电极、光电转换层和顶电极的光电转换部件。

在本发明实施例中，提供了一种具体的制作光电转换部件的实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述具体的制作光电转换部件的实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。

第四方面，本发明实施例提供了阵列基板的第二种制作方法，包括：

在衬底基板上形成多条栅线；

在所述栅线所在的膜层上形成与所述栅线电性绝缘、且用于将光信号转换成电信号的光电转换部件；

在形成所述光电转换部件的基板上形成与所述光电转换部件电性绝缘、且与所述栅线相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的多条数据线；

在所述数据线所在的膜层上形成位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

在本发明实施例中，光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现在阵列基板上形成供电部件，以提供一种包括供电部件的阵列基板。

较佳地，所述在衬底基板上形成光电转换部件，包括：

在衬底基板上依次沉积透明导电薄膜、光电转换材料和导电层；

对透明导电薄膜、光电转换材料和导电层进行刻蚀处理，形成包括距离所述衬底基板由近到远的透明底电极、光电转换层和顶电极的光电转换部件。

在本发明实施例中，提供了一种具体的制作光电转换部件的实施方式，以便本领域技术人员可以很容易地实现本发明的技术方案。需要说明的是，本发明实施例中的所述具体的制作光电转换部件的实施方式只用于解释本发明，而并不用于限制本发明，其它可以用于实现本发明技术方案的实施方式也在本发明的保护范围之内。

与现有技术相比，在本发明实施例中，所述阵列基板还包括：与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘的光电转换部件，且所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠；其中，由于光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例实现了提供一种包括供电部件的阵列基板。

附图说明

图1a为本发明实施例中阵列基板的AB向(AB方向参见图2o)截面图；

图1b和图1c为本发明实施例中阵列基板的EF向(EF方向参见图3f)截面图；

图1d为本发明实施例中阵列基板的CD向(CD方向参见图2o)截面图；

图2a～图2o为本发明实施例中实施方式一中采用的阵列基板的俯视图；

图3a～图3j为本发明实施例中实施方式二中采用的阵列基板的俯视图；

图4为本发明实施例中制作第一种阵列基板的方法流程示意图；

图5为本发明实施例中制作第二种阵列基板的方法流程示意图；

图6a～图6d为本发明实施例中制作光电转换部件的方法流程示意图。

具体实施方式

为了使本领域技术人员更好的理解本发明的技术方案，下面结合说明书附图对本发明实施例进行详细的描述。

需要说明的是，本发明所提到的方向用语，如表示方向的“上”、“下”，仅是参考附图的方向以说明及理解本发明，而不用于限制本发明实施例。

较佳地，本发明实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，还包括：

用于将光信号转换成电信号的光电转换部件，与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘，且所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

实施中，与现有技术相比，所述阵列基板还包括：与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘的光电转换部件，且所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠；

由于光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现提供一种包括供电部件的阵列基板；

由于所述光电转换部件与各栅线、数据线和像素电极电性绝缘，使得无需改变栅线、数据线和像素电极各自目前固有的电性连接关系，从而避免对现有的已成熟的阵列基板结构做出较大变动；

由于所述光电转换部件在衬底基板上的正投影与各像素电极在衬底基板上的正投影无交叠，从而避免所述光电转换部件对显示效果产生消极影响。

较佳地，在本发明实施例中，光电转换部件吸收的光信号可以为任何发光源发出的光信号；

比如，在包含本发明实施例中的阵列基板的显示装置同时包含背光源时，光电转换部件吸收的光信号可以为背光源发出的光信号。

实施中，在光电转换部件将吸收的背光源发出的光信号转换为电信号时，可以提高背光源的利用率。

较佳地，在本发明实施例中，光电转换部件可以为任何能够将吸收的光信号转换为电信号的部件。

较佳地，光电转换部件包含距离所述衬底基板由近到远的底电极、光电转换层和顶电极。

较佳地，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号时，所述底电极的材料为透光材料。

较佳地，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号时，所述底电极的材料为透明导电薄膜。

实施中，在所述底电极的材料为透明导电薄膜时，可以提高光电转换层吸收到的背光源发出的光信号的强度，从而提高转换成的电信号的强度。

较佳地，光电转换层的结构包括PN结、金属-半导体肖特基接触结构和金属-绝缘层-半导体结构中的一种。

较佳地，PN结包括同质结和异质结中的一种。

较佳地，光电转换层的材料包括非晶硅、多晶硅、单晶硅、微晶硅和化合物半导体中的一种。

较佳地，光电转换层的材料包括Ⅱ-Ⅵ族的化合物半导体，比如硫化镉；

或者，

光电转换层的材料包括Ⅲ-Ⅴ族的化合物半导体，比如砷化镓，或者铜铟镓硒。

较佳地，在本发明实施例中，在光电转换部件将吸收的光信号转换为电信号后，可以将所述电信号传输给需要外部供电的部件；

比如，在包含本发明实施例中的阵列基板的显示装置同时包含需要外部供电的直流变换器时，可以将光电转换部件与直流变换器电性连接，并将光电转换部件转换成的电信号传输给直流变换器。

实施中，将光电转换部件转换成的电信号传输给直流变换器，可以避免所述直流变换器外接输入电源，从而降低了显示装置的功耗。

较佳地，本发明实施例中的光电转换部件可以位于阵列基板包含的任意一个膜层上，只要其位置连接关系满足如下条件即可：与各栅线、数据线和像素电极电性绝缘，且在衬底基板上的正投影与各像素电极在衬底基板上的正投影无交叠。

下面将对光电转换部件的几种较佳的位置连接关系的实施方式进行介绍。

实施方式一、光电转换部件位于栅线所在膜层和衬底基板之间，即，光电转换部件位于衬底基板之上、且位于栅线所在膜层之下。

较佳地，所述光电转换部件位于栅线所在膜层和衬底基板之间；

所述阵列基板还包括：绝缘层，位于所述栅线所在膜层和所述光电转换部件之间、且全面覆盖所述光电转换部件。

比如，如图1a所示，阵列基板包括：衬底基板00、位于衬底基板00上的光电转换部件10、位于光电转换部件10上的绝缘层50、以及位于绝缘层50上的栅线20所在膜层。

实施中，通过设置绝缘层，可以保证光电转换部件与各栅线、数据线和像素电极电性绝缘。

实施中，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号时，与其他实施方式相比，本实施方式一中的光电转换部件距离背光源最近，因此，光电转换部件吸收到的光强最强，在光电转换部件相同的情况下，本实施方式一中的光电转换部件由吸收的光信号转换成的电信号最强。

下面将以光电转换部件的位置与栅线和/或数据线的位置之间的关系为分类依据，对本发明实施例的光电转换部件的位置的实施方式进行分类介绍。

1、光电转换部件的位置与至少一条栅线和/或数据线的位置对应。

实施中，在光电转换部件的位置与至少一条栅线和/或数据线的位置对应时，可以依据栅线和数据线的位置设置绝缘部件，因此与将光电转换部件制作于其他位置的工艺难度相比，将光电转换部件制作于栅线和/或数据线的对应位置在工艺上相对比较容易实现。

需要说明的是，光电转换部件位于至少一条所述栅线和/或数据线的对应位置的任意一种实施方式均适用于本发明实施例，下面将对几种比较典型的情况进行介绍，需要说明的是，下面几种典型的情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。

1.1、光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

较佳地，光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠分为如下两种情况：

a、光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影的形状和面积完全相同、且部分交叠；

比如，如图2a所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影与两条栅线20在衬底基板上的正投影的形状和面积完全相同、且部分交叠。

实施中，在光电转换部件在衬底基板上的正投影与各所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影的形状和面积完全相同、且部分交叠时，可以采用制作栅线和/或数据线的掩模板制作光电转换部件，从而可以降低制作光电转换部件的成本。

b、光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影的形状和面积不完全相同、且部分交叠；

比如，如图2b所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影与一条数据线30在衬底基板上的正投影的面积相同、形状不同、且部分交叠；

如图2c所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影与一条栅线20和一条数据线30在衬底基板上的正投影的形状相同、面积不同、且部分交叠；

如图2d所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影与一条栅线20和两条数据线30在衬底基板上的正投影的形状和面积均不相同、且部分交叠。

较佳地，光电转换部件在衬底基板上的正投影可以仅与至少一条栅线在所述衬底基板上的正投影部分交叠，可以仅与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠，也可以与至少一条栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影均部分交叠；

比如，如图2a所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影仅与两条栅线20在衬底基板上的正投影部分交叠；

如图2b所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影仅与一条数据线30在衬底基板上的正投影部分交叠；

如图2c和图2d所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与栅线20和数据线30在所述衬底基板上的正投影均部分交叠；以及，如图2c所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与一条栅线20和一条数据线30在衬底基板上的正投影部分交叠；如图2d所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与一条栅线20和两条数据线30在衬底基板上的正投影部分交叠。

1.2、光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合。

较佳地，光电转换部件在衬底基板上的正投影可以仅与至少一条栅线在所述衬底基板上的正投影完全重合，可以仅与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合，也可以与至少一条栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影均完全重合；

比如，如图2e所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影仅与两条栅线20在衬底基板上的正投影完全重合；

如图2f所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影仅与一条数据线30在衬底基板上的正投影完全重合；

如图2g和图2h所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影与栅线20和数据线30在所述衬底基板上的正投影均完全重合；以及，如图2g所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与一条栅线20和一条数据线30在衬底基板上的正投影完全重合；如图2h所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与一条栅线20和两条数据线30在衬底基板上的正投影完全重合。

实施中，在光电转换部件在衬底基板上的正投影与各所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合时，可以采用制作栅线和/或数据线的掩模板制作光电转换部件，从而可以降低制作光电转换部件的成本。

较佳地，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；

所述光电转换部件的顶电极的材料为不透光材料；将所述光电转换部件作为黑矩阵使用。

实施中，将所述光电转换部件作为黑矩阵使用，可以保证其具有很好的遮光效果和保护作用；

可以将所述光电转换部件作为黑矩阵使用，因此无需额外的工艺步骤形成黑矩阵，可以减少工艺步骤和节省成本；并且，

无需在彩膜基板上制作黑矩阵，可以降低彩膜基板的复杂度。

1.3、光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影内。

较佳地，光电转换部件在衬底基板上的正投影仅在至少一条栅线在所述衬底基板上的正投影内的实施方式，与光电转换部件在衬底基板上的正投影可以仅与至少一条栅线在所述衬底基板上的正投影完全重合的实施方式类似；

光电转换部件在衬底基板上的正投影仅在至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影内的实施方式，与光电转换部件在衬底基板上的正投影仅与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合的实施方式类似；

光电转换部件在衬底基板上的正投影在至少一条栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影内的实施方式，与光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影均完全重合的实施方式类似，重复之处不再赘述。

较佳地，光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影内的实施方式有多种，下面将以光电转换部件在衬底基板上的正投影在一个栅线在衬底基板上的正投影内的实施方式为例进行介绍，其他实施方式与其类似，在此不再赘述。

A、光电转换部件在衬底基板上的正投影在栅线在衬底基板上的正投影内，且光电转换部件在衬底基板上的正投影不连续；

比如，如图2i所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影包括1和2两个分开的子段，1和2均匀位于一个栅线20在衬底基板上的正投影内。

B、光电转换部件在衬底基板上的正投影在栅线在衬底基板上的正投影内，且光电转换部件在衬底基板上的正投影连续；

比如，如图2j所示，光电转换部件10在衬底基板(图中未示出)上的正投影为3，3位于一个栅线20在衬底基板上的正投影内。

较佳地，光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在各所述栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影内；

所述光电转换部件的顶电极的材料为不透光材料；将所述光电转换部件作为黑矩阵使用。

实施中，将所述光电转换部件作为黑矩阵使用，可以保证其具有更好的遮光效果和保护作用。

1.4、至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影在所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影内。

较佳地，仅至少一条栅线在所述衬底基板上的正投影在光电转换部件在衬底基板上的正投影内的实施方式，与光电转换部件在衬底基板上的正投影可以仅与至少一条栅线在所述衬底基板上的正投影完全重合的实施方式类似；

仅至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影在光电转换部件在衬底基板上的正投影内的实施方式，与光电转换部件在衬底基板上的正投影仅与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合的实施方式类似；

至少一条栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影在光电转换部件在衬底基板上的正投影内的实施方式，与光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影均完全重合的实施方式类似，重复之处不再赘述。

2、光电转换部件在衬底基板上的正投影与各栅线和数据线在衬底基板上的正投影无交叠，即位于像素单元内。

需要说明的是，光电转换部件位于像素单元内的任意一种实施方式均适用于本发明实施例，下面将以一个像素单元内的光电转换部件的实施方式为例，对几种比较典型的情况进行介绍，需要说明的是，下面几种典型的情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。

2.1、光电转换部件位于像素单元内、且位于像素电极的周围。

比如，如图2k所示，像素电极40和光电转换部件10位于像素单元内，光电转换部件10包括第一部分Z1、第二部分Z2、第二部分Z3和第二部分Z4，Z1、Z2、Z3和Z4位于像素电极40的周围。

2.2、光电转换部件位于像素单元内、且位于像素电极的三侧。

比如，如图2l所示，像素电极40光电转换部件10和位于单元内，光电转换部件10包括第一部分Z1、第二部分Z2和第二部分Z3，Z1、Z2和Z3位于像素电极的三侧。

2.3、光电转换部件位于像素单元内、位于像素电极的两侧、且位于像素电极两侧的光电转换部件相互垂直。

比如，如图2m所示，像素电极40光电转换部件10和位于单元内，光电转换部件10包括第一部分Z1和第二部分Z2，Z1和Z2位于像素电极的两侧且相互垂直。

2.4、光电转换部件位于像素单元内、且位于像素电极的一侧。

比如，如图2n所示，像素电极40光电转换部件10和位于单元内，光电转换部件10位于像素电极的一侧。

较佳地，对于相互独立的光电转换部件，可以采用电极引线将其电性连接起来。

实施方式二、光电转换部件位于所述数据线所在膜层和栅线所在膜层之间，即，光电转换部件位于栅线所在膜层之上，数据线所在膜层之下。

比如，如图1b所示，阵列基板包括：衬底基板00、位于衬底基板00上的栅线20所在膜层、位于栅线20所在膜层上的栅绝缘层60、位于栅绝缘层60上的光电转换部件10、位于光电转换部件10上的绝缘层50、以及位于绝缘层50上的数据线30所在膜层。

实施中，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号时，与除实施方式一之外的其他实施方式相比，本实施方式二中的光电转换部件距离背光源最近，因此，光电转换部件吸收到的光强最强，在光电转换部件相同的情况下，光电转换部件由吸收的光信号转换成的电信号最强。

较佳地，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号、且栅线的材料为不透光材料时，光电转换部件在衬底基板上的正投影与各栅线在衬底基板上的正投影部分交叠或者不交叠。

下面将以光电转换部件的位置与数据线的位置之间的关系为分类依据，对本发明实施例的光电转换部件的位置的实施方式进行分类介绍。

1、光电转换部件的位置与至少一条数据线的位置对应。

实施中，在光电转换部件的位置与至少一条数据线的位置对应时，可以依据数据线的位置设置绝缘部件，因此与将光电转换部件制作于其他位置的工艺难度相比，将光电转换部件制作于数据线的对应位置在工艺上相对比较容易实现。

需要说明的是，光电转换部件位于至少一条数据线的对应位置的任意一种实施方式均适用于本发明实施例，下面将对几种比较典型的情况进行介绍，需要说明的是，下面几种典型的情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。

1.1、光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

较佳地，光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠分为如下两种情况：

a、光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影的形状和面积完全相同、且部分交叠；

比如，如图3a所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与两条数据线30在衬底基板上的正投影的形状和面积完全相同、且部分交叠。

实施中，在光电转换部件在衬底基板上的正投影与各数据线在所述衬底基板上的正投影的形状和面积完全相同、且部分交叠时，可以采用制作数据线的掩模板制作光电转换部件，从而可以降低制作光电转换部件的成本。

b、光电转换部件在衬底基板上的正投影与至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影的形状和面积不完全相同、且部分交叠；

比如，如图3b所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与各数据线30在衬底基板上的正投影的面积相同、形状不同、且部分交叠；

如图3c所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与一条数据线30在衬底基板上的正投影的形状相同、面积不同、且部分交叠；

如图3d所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与两条数据线30在衬底基板上的正投影的形状和面积均不相同、且部分交叠。

1.2、光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合。

比如，如图3e所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与一条数据线30在衬底基板上的正投影完全重合；

如图3f所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与各数据线30在衬底基板上的正投影完全重合。

实施中，在光电转换部件在衬底基板上的正投影与各数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合时，可以采用制作数据线的掩模板制作光电转换部件，从而可以降低制作光电转换部件的成本。

1.3、光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影内。

较佳地，光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在数据线在所述衬底基板上的正投影内的实施方式有多种，下面将以光电转换部件在衬底基板上的正投影在一个数据线在衬底基板上的正投影内的实施方式为例进行介绍，其他实施方式与其类似，在此不再赘述。

A、光电转换部件在衬底基板上的正投影在数据线在衬底基板上的正投影内，且光电转换部件在衬底基板上的正投影不连续；

比如，如图3g所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影包括1和2两个分开的子段，1和2均匀位于一个数据线30在衬底基板上的正投影内。

B、光电转换部件在衬底基板上的正投影在数据线在衬底基板上的正投影内，且光电转换部件在衬底基板上的正投影连续；

比如，如图3h所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影为3，3位于一个数据线30在衬底基板上的正投影内。

1.4、至少一条数据线在所述衬底基板上的正投影在光电转换部件在所述衬底基板上的正投影内。

比如，如图3i所示，一条数据线30在衬底基板上的正投影在光电转换部件10在衬底基板上的正投影内；

如图3j所示，各数据线30在衬底基板上的正投影在光电转换部件10在衬底基板上的正投影内。

2、光电转换部件在衬底基板上的正投影与各栅线和数据线在衬底基板上的正投影无交叠，即位于像素单元内。

需要说明的是，光电转换部件位于像素单元内的任意一种实施方式均适用于本发明实施例，下面将以一个像素单元内的光电转换部件的实施方式为例，对几种比较典型的情况进行介绍，需要说明的是，下面几种典型的情况只是用于说明本发明实施例，而不用于限制本发明实施例。

2.1、光电转换部件位于像素单元内、且位于像素电极的周围。

比如，如图2k所示，像素电极40和光电转换部件10位于像素单元内，光电转换部件10包括第一部分Z1、第二部分Z2、第二部分Z3和第二部分Z4，Z1、Z2、Z3和Z4位于像素电极40的周围。

2.2、光电转换部件位于像素单元内、且位于像素电极的三侧。

比如，如图2l所示，像素电极40光电转换部件10和位于单元内，光电转换部件10包括第一部分Z1、第二部分Z2和第二部分Z3，Z1、Z2和Z3位于像素电极的三侧。

2.3、光电转换部件位于像素单元内、位于像素电极的两侧、且位于像素电极两侧的光电转换部件相互垂直。

比如，如图2m所示，像素电极40光电转换部件10和位于单元内，光电转换部件10包括第一部分Z1和第二部分Z2，Z1和Z2位于像素电极的两侧且相互垂直。

2.4、光电转换部件位于像素单元内、且位于像素电极的一侧。

比如，如图2n所示，像素电极40光电转换部件10和位于单元内，光电转换部件10位于像素电极的一侧。

较佳地，对于相互独立的光电转换部件，可以采用电极引线将其电性连接起来。

实施方式三、光电转换部件位于所述数据线所在膜层之上。

比如，如图1c所示，阵列基板包括：衬底基板00、位于衬底基板00上的栅线20所在膜层、位于栅线20所在膜层上的栅绝缘层60、位于栅绝缘层60上的数据线30所在膜层、位于数据线30所在膜层上的绝缘层50、位于绝缘层50上的光电转换部件10、以及位于光电转换部件10上的钝化层70。

实施中，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号时，本实施方式三中的光电转换部件仍然能够吸收到背光源发出的光信号，并将吸收的光信号转换成电信号。

较佳地，在光电转换部件吸收的光信号为背光源发出的光信号、且栅线和数据线的材料为不透光材料时，光电转换部件在衬底基板上的正投影与各栅线和/或数据线在衬底基板上的正投影部分交叠，或者，光电转换部件在衬底基板上的正投影与各栅线和数据线在衬底基板上的正投影不交叠。

较佳地，本发明实施方式三中的“光电转换部件在衬底基板上的正投影与各栅线和数据线在衬底基板上的正投影不交叠，即位于像素单元内”的具体实施方式与本发明实施方式一和实施方式二中的具体实施方式类似，重复之处不再赘述。

较佳地，对于相互独立的光电转换部件，可以采用电极引线将其电性连接起来。

较佳地，基于同一发明构思，本发明实施例同时还提供了一种显示装置，包括背光源和直流变换器；其中，还包括：上述技术方案所提的阵列基板，所述阵列基板包括的光电转换部件与所述直流变换器电性连接；

所述光电转换部件吸收所述背光源发出的光信号，且将所述光信号转换成电信号并传输给所述直流变换器。

该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述实施例，重复之处不再赘述。

实施中，光电转换部件吸收所述背光源发出的光信号并将其转换为电信号，可以提高背光源的利用率，并达到节能环保的目的。

实施中，将光电转换部件转换成的电信号传输给直流变换器，可以避免所述直流变换器外接输入电源，从而降低了显示装置的功耗。

较佳地，所述光电转换部件包括含距离所述衬底基板由近到远的底电极、光电转换层和顶电极，所述光电转换部件与所述直流变换器电性连接，包括：

所述顶电极与所述直流变换器的正极输入端电性连接，所述底电极与所述直流变换器的负极输入端电性连接。

所述直流变换器在收到由所述光信号转换成的电信号之后，还包括：

将所述电信号变换成数据驱动IC、栅极驱动IC、信号控制器和彩膜基板包含的公共电极工作所需要的各种直流电压，并将变换成的各种直流电压传输给对应的模块。

较佳地，如图4所示，基于同一发明构思，本发明实施例同时还提供了第一种制作阵列基板的方法，包括：

步骤401、在衬底基板上形成用于将光信号转换成电信号的光电转换部件；

步骤402、在所述光电转换部件上形成全面覆盖所述光电转换部件的绝缘层；

步骤403、在所述绝缘层上依次形成层叠设置的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

实施中，光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现在阵列基板上形成供电部件，以提供一种包括供电部件的阵列基板。

较佳地，在步骤401中，在衬底基板上形成光电转换部件，包括：

在衬底基板上依次沉积透明导电薄膜、光电转换材料和导电层；

对透明导电薄膜、光电转换材料和导电层进行刻蚀处理，形成包括距离所述衬底基板由近到远的透明底电极、光电转换层和顶电极的光电转换部件。

较佳地，可以采用溅射的方法，在衬底基板上沉积透明导电薄膜，以及，在光电转换材料上沉积导电层。

较佳地，光电转换材料为非晶硅PN结结构，在透明导电薄膜上沉积光电转换材料，具体包括：

采用等离子增强型化学气相沉积方法，分别在透明导电薄膜上沉积p型非晶硅和n型非晶硅，以形成非晶硅PN结结构。

较佳地，步骤403的实施方式与现有技术中形成栅线、数据线和像素电极的实施方式类似，在此不再赘述。

较佳地，如图5所示，基于同一发明构思，本发明实施例同时还提供了第二种制作阵列基板的方法，包括：

步骤501、在衬底基板上形成多条栅线；

步骤502、在所述栅线所在的膜层上形成与所述栅线电性绝缘、且用于将光信号转换成电信号的光电转换部件；

步骤503、在形成所述光电转换部件的基板上形成与所述光电转换部件电性绝缘、且与所述栅线相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的多条数据线；

步骤504、在所述数据线所在的膜层上形成位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

在本发明实施例中，光电转换部件是能够将吸收的光信号转换为电信号的供电部件，从而本发明实施例能够实现在阵列基板上形成供电部件，以提供一种包括供电部件的阵列基板。

较佳地，在步骤502中，所述在栅线所在的膜层上形成光电转换部件，包括：

在栅线所在的膜层上依次沉积透明导电薄膜、光电转换材料和导电层；

对透明导电薄膜、光电转换材料和导电层进行刻蚀处理，形成包括距离所述衬底基板由近到远的透明底电极、光电转换层和顶电极的光电转换部件。

较佳地，可以采用溅射的方法，在栅线所在的膜层上沉积透明导电薄膜，以及，在光电转换材料上沉积导电层。

较佳地，光电转换材料为非晶硅PN结结构，在透明导电薄膜上沉积光电转换材料，具体包括：

采用等离子增强型化学气相沉积方法，分别在透明导电薄膜上沉积p型非晶硅和n型非晶硅，以形成非晶硅PN结结构。

较佳地，步骤501、步骤503和步骤504的实施方式与现有技术中形成栅线、数据线和像素电极的实施方式类似，在此不再赘述。

为了对本发明实施例的阵列基板及其制作方法进行详细地说明，下面以两个具体的实施例对本发明实施例的阵列基板及其制作方法分别进行介绍。

实施例一

在本发明实施例一中，将结合图2o、图1a和图1d，对包含光电转换部件的阵列基板的结构进行详细介绍。

如图2o所示，阵列基板包括：衬底基板(图中未示出)，位于衬底基板上的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线20和数据线30，位于每个所述像素单元内的TFT80，全面覆盖栅线20、数据线30和TFT80，且包含过孔90的钝化层(图中未示出)，以及位于所述钝化层上且位于每个所述像素单元内的像素电极40；其中，像素电极40通过钝化层的过孔90与TFT80电性连接；

TFT80包括：栅极81，位于栅极81上且全面覆盖栅极81的栅绝缘层(图中未示出)，位于栅绝缘层上的有源层82，位于有源层82上且分别位于有源层82两侧的源极83和漏极84；

其中，栅极81与栅线20电性连接，源极83与数据线30电性连接，漏极84通过钝化层的过孔90与像素电极40电性连接。

另外，如图2o所示，所述阵列基板还包括：位于衬底基板之上、且位于栅线20所在膜层之下的光电转换部件10和绝缘层(图中未示出)，绝缘层位于光电转换部件10之上(即，光电转换部件10所在膜层为距离衬底基板最近的膜层)；

光电转换部件10在衬底基板上的正投影与各栅线20和数据线30在衬底基板上的正投影完全重合。

图1a为图2o在AB向的剖面图，如图1a所示，所述阵列基板包括：衬底基板00，位于衬底基板00上的光电转换部件10，位于光电转换部件10上的绝缘层50，位于绝缘层50上的栅线20所在膜层，位于栅线20所在膜层上的栅绝缘层60，位于栅绝缘层60上的钝化层70，以及位于钝化层70上的像素电极40；其中，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与栅线20在衬底基板上的正投影完全重合，且光电转换部件10在衬底基板上的正投影与像素电极40在衬底基板上的正投影不交叠。

图1d为图2o在CD向的剖面图，如图1d所示，所述阵列基板包括：衬底基板00，位于衬底基板00上的光电转换部件10，位于光电转换部件10上的绝缘层50，位于绝缘层50上的栅极81所在膜层，位于栅极81所在膜层上的栅绝缘层60，位于栅绝缘层60上的有源层82，位于有源层82上的源极83、漏极84和与源极83电性连接的数据线30，全面覆盖源极83、漏极84和数据线30、且包含过孔90的钝化层70，以及位于钝化层70上且通过钝化层70的过孔90与漏极84电性连接的像素电极40；其中，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与数据线30在衬底基板上的正投影完全重合，且光电转换部件10在衬底基板上的正投影与像素电极40在衬底基板上的正投影不交叠。

实施例二

在本发明实施例二中，将对制作如图2o所示的阵列基板的方法进行详细介绍。

较佳地，本发明实施例的阵列基板的制作方法，包括：

步骤A1、如图6a所示，在衬底基板00上沉积透明导电薄膜100；

步骤A2、如图6b所示，在透明导电薄膜100上沉积光电转换材料200；

步骤A3、如图6c所示，在光电转换材料200上沉积导电层300；

步骤A4、如图6d所示，对透明导电薄膜100、光电转换材料200和导电层300进行刻蚀处理，形成包括距离衬底基板00由近到远的透明底电极10a、光电转换层10b和顶电极10c的光电转换部件10；

步骤A5、在光电转换部件上形成全面覆盖所述光电转换部件的绝缘层；

如图1a和图1d所示，绝缘层50位于光电转换部件10上。

步骤A6、在绝缘层上形成电性连接的栅线和栅极；

如图2o所示，栅线20和栅极81位于绝缘层(图中未示出)上。

步骤A7、在栅极上形成栅绝缘层；

如图1d所示，栅绝缘层60位于栅极81上。

步骤A8、在栅绝缘层上形成有源层，以及位于有源层上的源极、漏极和与源极电性连接的数据线；其中，TFT包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；

如图1d和图2o所示，有源层82位于栅绝缘层(图2o中未示出栅绝缘层)上，源极83、漏极84和数据线30位于有源层82上；其中，数据线30与源极83电性连接。

步骤A9、形成全面覆盖栅线、数据线和TFT的钝化层；

步骤A10、对钝化层进行刻蚀处理，形成露出漏极的过孔；

如图2o所示，包含过孔90的钝化层(图中未示出)全面覆盖栅线20、数据线30和TFT80。

步骤A11、在包含过孔的钝化层上形成通过过孔与漏极电性连接的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

如图1d和图2o所示，像素电极40位于钝化层70上(图2o中未示出钝化层)上，且通过钝化层70包含的过孔90与漏极84电性连接；

如图2o所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与各栅线20和数据线30在衬底基板上的正投影完全重合；

如图1d和图2o所示，光电转换部件10在衬底基板上的正投影与像素电极40在衬底基板上的正投影不交叠。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极，其特征在于，还包括：

用于将光信号转换成电信号的光电转换部件，与各所述栅线、数据线和像素电极电性绝缘，且其在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换部件位于所述栅线所在膜层和衬底基板之间；所述阵列基板还包括：

绝缘层，位于所述栅线所在膜层和所述光电转换部件之间、且全面覆盖所述光电转换部件。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影内；或者

至少一条所述栅线和/或数据线在所述衬底基板上的正投影在所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影内。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述栅线和数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；

所述光电转换部件包括距离所述衬底基板由近到远的底电极、光电转换层和顶电极，且所述顶电极的材料为不透光材料；将所述光电转换部件作为黑矩阵使用。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换部件位于所述数据线所在膜层和栅线所在膜层之间。

6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影部分交叠；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影完全重合；或者

所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影在至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影内；或者

至少一条所述数据线在所述衬底基板上的正投影在所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影内。

7.一种显示装置，包括背光源和直流变换器，其特征在于，还包括：如权利要求1～6任一所述的阵列基板，所述阵列基板包括的光电转换部件与所述直流变换器电性连接；

所述光电转换部件吸收所述背光源发出的光信号，且将所述光信号转换成电信号并传输给所述直流变换器。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成用于将光信号转换成电信号的光电转换部件；

在所述光电转换部件上形成全面覆盖所述光电转换部件的绝缘层；

在所述绝缘层上依次形成层叠设置的多条相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的栅线和数据线，以及位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成光电转换部件，包括：

在衬底基板上依次沉积透明导电薄膜、光电转换材料和导电层；

对透明导电薄膜、光电转换材料和导电层进行刻蚀处理，形成包括距离所述衬底基板由近到远的透明底电极、光电转换层和顶电极的光电转换部件。

10.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成多条栅线；

在所述栅线所在的膜层上形成与所述栅线电性绝缘、且用于将光信号转换成电信号的光电转换部件；

在形成所述光电转换部件的基板上形成与所述光电转换部件电性绝缘、且与所述栅线相互交叉以界定呈矩阵排列的像素单元的多条数据线；

在所述数据线所在的膜层上形成位于每个所述像素单元内的像素电极；其中，所述光电转换部件在所述衬底基板上的正投影与各所述像素电极在所述衬底基板上的正投影无交叠。