CN103135282A - 一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法，用以解决现有技术中电子设备续航能力无法大幅提高，同时不能随时补充电力，以及光电转换件充满电后设备内没有存储多余电能的功能。该显示基板包括：位于所述显示基板上的光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极连接，所述光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件转换的电能以及将电能供给显示面板外部光电转换件实现充电功能，以及外部光电转换件充电充满时存储外部电源多余电能的功能，能提高设备续航能力。

Description

一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法。
背景技术
目前，高性能的移动终端越来越多，而高性能的移动终端的耗电量也相对增大。而且高性能的移动终端中大量采用触控屏幕，这也大大增加了移动终端的耗电量。现在通常采用的办法是降低显示面板自身的功耗水平，比如，采用有机树脂材料等新的低功耗材料，或者采用更高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗，但是器件结构本身造成的功耗降低存在极限，导致手机等设备续航能力无法大幅提高，同时不能随时补充电力，以及光电转换件充满电后设备内没有存储多余电能的功能。
综上所述，现有技术中在采用低功耗材料或者高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗时，不能充分满足提高设备续航能力的要求。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板、显示面板和制造显示基板方法，用以解决现有技术中采用低功耗材料或者高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗时。
基于上述问题，本发明实施例提供的一种显示基板，包括：
位于所述显示基板上的光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极连接，所述光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件转换的电能。
本发明实施例提供的一种显示面板，包括本发明实施例提供的显示基板。
本发明实施例还提供一种制造本发明实施例提供的显示基板的方法，包括：
在显示基板上形成所述光电转换件和所述电容；
将所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，并将所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极相连。
本发明实施例的有益效果包括：
本发明实施例提供的显示基板、显示面板和制造显示基板的方法，通过在显示基板上形成光电转换件和电容，从而在光电转换件将吸收到的光线的能量转换为电能后，可以将电能存储在电容中，采用设有电容和光电转换件的显示基板来来制造显示面板时，显示基板上的光电转换件和电容可以为该显示面板供电和/或为设有该显示面板的设备供电，降低了显示面板以及设有该显示面板的设备的功耗，从而不必采用低功耗材料或者高性能的薄膜晶体管来降低显示面板的功耗。
附图说明
图1a-图1d是本发明实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上光电转换件位于电容之上的区域中彩膜基板的结构的剖视图；
图2a-图2d是本发明实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上电容位于光电转换件之上的区域中彩膜基板的结构的剖视图；
图3a和图3b是本发明实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上仅存在光电转换件的区域中彩膜基板的结构的剖视图；
图4a和图4b是本发明实施例提供的显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上仅存在电容的区域中彩膜基板的结构的剖视图；
图5为本发明实施例提供的显示基板为彩膜基板时，彩膜基板的结构的俯视图；
图6为本发明实施例提供的显示基板为彩膜基板时，彩膜基板上的光电转换件与外接电源连接的示意图；
图7为在本发明实施例提供的阵列基板上形成数据线、栅极线和TFT之后，阵列基板的结构的俯视图；
图8a-图8h为本发明实施例提供的显示基板为阵列基板时，包含数据线、栅极线和TFT的阵列基板的结构的剖视图；
图9为本发明实施例提供的显示基板的制造流程图。
具体实施方式
本发明实施例提供的显示基板、显示面板和制造显示基板的方法，通过在基板上形成电容和能将吸收到的光能转化为电能的光电转换件，从而为采用该显示基板的显示面板和/或设有该显示面板的设备供电，降低了采用该显示基板的显示面板和/或采用该显示面板的设备的功耗。
下面结合说明书附图，对本发明实施例提供的一种显示基板、显示面板和制造显示基板的方法的具体实施方式进行说明。
本发明实施例提供的一种显示基板，包括：位于该显示基板上的光电转换件和位于该显示基板上的电容，电容的一端与光电转换件的一个电极相连，电容的另一端与光电转换件的另一个电极连接，其中，光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，电容用于存储所述光电转换件转换的电能。
为了使电容的一端与光电转换件的一个电极相连，电容的另一端与光电转换件的另一个电极连接，可以在形成电容和光电转换件的同时，在电容的两端引出线来，并在光电转换件的两极引出线来，在显示基板的边缘处设置两个接线点，将电容一端的引线与光电转换件的一个电极的引线都连接在一个接线点上，将电容另一端的引线与光电转换件的另一个电极的引线都连接在另一个接线点上。
该显示基板可以是彩膜基板，光电转换件位于彩膜基板上色阻外区域，电容位于彩膜基板上色阻外区域。其中，色阻包括红色色阻、蓝色色阻和绿色色阻，即红绿蓝滤光层。该色阻并不限于红绿蓝三色，还可以是红绿蓝白四色色阻。
因此，电容及光电转换件覆盖的区域均超过彩膜基板上色阻外区域的一半，则彩膜基板上的部分区域中的光电转换件和电容就会层叠，未层叠彩膜基板区中的一部分区域中形成有光电转换件，另一部分未层叠的彩膜基板区中的一部分区域中形成有电容。较佳地，可以在彩膜基板上色阻外区域全部形成光电转换件，并在彩膜基板上色阻外区域全部形成电容。
在彩膜基板上光电转换件位于电容之上的区域中，彩膜基板的剖视图是如图1a所示是一实施例，如图1b所示是另一实施例。在电容中的介电层为透光材质时，彩膜基板的剖视图如图1c所示是一实施例，如图1d所示是另一实施例。在图1a和图1c中，电容包括位于玻璃基板17上的电极层1、位于作为电容一端的电极层1上的介电层2、位于介电层2上的共用电极层3；光电转换件包括共用电极层3、位于共用电极层3上的P型硅层4、位于P型硅层4上的I型硅层5、位于I型硅层5上的N型硅层6、位于N型硅层6上的作为光电转换件的一个电极的电极层7。在图1b和图1d中，电容包括位于玻璃基板17上的、位于作为电容一端的电极层1上的介电层2、位于介电层2上的共用电极层3；光电转换件包括共用电极层3、位于共用电极层3上的N型硅层6、位于N型硅层6上的I型硅层5、位于I型硅层5上的P型硅层4、位于P型硅层4上的作为光电转换件的一个电极的电极层7。其中，N型硅层6、I型硅层5和P型硅层4构成光电转换件中的PN结。图1a和图1b的区别在于，在图1a中N型硅层6位于I型硅层5之上，P型硅层4位于I型硅层5之下；而在图1b中P型硅层4位于I型硅层5之上，N型硅层6位于I型硅层5之下。图1c和图1d的区别在于，在图1c中N型硅层6位于I型硅层5之上，P型硅层4位于I型硅层5之下；而在图1d中P型硅层4位于I型硅层5之上，N型硅层6位于I型硅层5之下。在图1a、图1b、图1c和图1d中还包括色阻16，在图1a和图1b中色阻16设置于玻璃基板17上；在图1c和图1d中色阻16设置于介电层2上，介电层2形成于玻璃基板17上，该介电层2由透光材质形成。图1a和图1b中的介电层2可以由透光或者非透光材质形成。
在图1a、图1b、图1c和图1d所示的结构中，共用电极层3作为光电转换件的另一个电极，并且作为电容的另一端。其中，光电转换件中作为光电转换件的一个电极的电极层7透光，从而使背光源的光线照射到光电转换件中的PN结上，而电容中作为电容的一端的电极层1和共用电极层3中至少有一层不透光，该电极层1和共用电极层3与相邻色阻16呈间隔设置，从而可以用层叠的电容和光电转换件替代彩膜基板上的黑矩阵。
在上述图1a-图1d所示图档中，该彩膜基板与阵列基板对合后形成液晶面板，该电容与光电转换件位于液晶面板的外表面，光电转换件可以吸收除背光源之外的环境光线，如自然光，从而将环境光转换成电能；即，该电容与光电转换件位于玻璃基板17的外侧。另，图1a-图1d所示图档中，该彩膜基板与阵列基板对合后形成液晶面板，该电容与光电转换件位于液晶面板的内侧，光电转换件可以吸收背光源中的光线，从而将其转化为电能。
在彩膜基板上电容位于光电转换件之上的区域中，彩膜基板的剖视图如图2a所示是一实施例，如图2b所示是另一实施例。当电容中的介电层透光时，彩膜基板的剖视图如图2c所示是一实施例，如图2d所示是另一实施例。在图2a和图2c中，光电转换件包括位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极的电极层7、位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上的N型硅层6、位于N型硅层6上的I型硅层5、位于I型硅层5上的P型硅层4和位于P型硅层4上的共用电极层3；电容包括共用电极层3、位于共用电极层3上的介电层2、位于介电层2上的作为电容一端的电极层1。在图2b和图2d中，光电转换件包括位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极的电极层7、位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上的P型硅层4、位于P型硅层4上的I型硅层5、位于I型硅层5上的N型硅层6和位于N型硅层6上的共用电极层3；电容包括共用电极层3、位于共用电极层3上的介电层2、位于介电层2上的作为电容一端的电极层1。其中，N型硅层6、I型硅层5和P型硅层4构成光电转换件中的PN结。图2a和图2b的区别在于，在图2a中N型硅层6位于I型硅层5之下，P型硅层4位于I型硅层5之上；而在图2b中P型硅层4位于I型硅层5之下，N型硅层6位于I型硅层5之上。图2c和图2d的区别在于，在图2c中N型硅层6位于I型硅层5之下，P型硅层4位于I型硅层5之上；而在图2d中P型硅层4位于I型硅层5之下，N型硅层6位于I型硅层5之上。在图2a、图2b、图2c、图2d中还包括色阻16，在图2a和图2b中，色阻16设置于玻璃基板17上；在图2c和图2d中，色阻16设置于介电层2上，介电层2形成于玻璃基板17上，该介电层2由透光材质形成。图2a和图2b中的介电层2可以由透光或者非透光材质形成。
在图2a、图2b、图2c和图2d所示的结构中，共用电极层3为光电转换件的另一个电极，并且为电容的另一端。其中，光电转换件中作为光电转换件的一个电极的电极层7透光，从而使外界光源的光线照射到光电转换件中的PN结上，而电容中作为电容的一端的电极层1和共用电极层3中至少有一层不透光，该电极层1和共用电极层3与相邻色阻16呈间隔设置，从而可以用层叠的电容和光电转换件替代彩膜基板上的黑矩阵。
在上述图2a-图2d所示图档中，彩膜基板与阵列基板对合后形成液晶面板，该电容与光电转换件位于液晶面板的内侧，光电转换件可以吸收除背光源之外的环境光线，如自然光，从而将环境光转换成电能；即，该电容与光电转换件位于玻璃基板17的内侧。另，图2a-图2d所示图档中，该彩膜基板与阵列基板对合后形成液晶面板，该电容与光电转换件位于液晶面板的外表面，光电转换件可以吸收背光源中的光线，从而将其转化为电能。
在彩膜基板上仅存在光电转换件的区域，彩膜基板的剖视图可以采用如图3a所示的结构为一实施例，采用如图3b所示的结构为另一实施例。在图3a中，电极层7位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极，N型硅层6位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上，I型硅层5位于N型硅层6上，P型硅层4位于I型硅层5上，电极层19位于P型硅层4上的作为光电转换件的另一个电极。在图3b中，电极层7位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极，P型硅层4位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上，I型硅层5位于P型硅层4上，N型硅层6位于I型硅层5上，电极层19位于N型硅层6上的作为光电转换件的另一个电极。其中，N型硅层6、I型硅层5和P型硅层4构成光电转换件中的PN结。图3a和图3b中还包括色阻16，色阻16覆盖于玻璃基板17上。
在彩膜基板上仅存在光电转换件的区域，即在此区域无电容存在，光电转换件中作为该光电转换件的一个电极的电极层和作为该光电转换件的另一个电极的电极层中仅有一层不透光，该光电转换件可以替代彩膜基板上的黑矩阵。当作为光电转换件的一个电极的电极层7不透光，而作为光电转换件的另一个电极的电极层19透光时，光电转换件可以吸收背光源中的光线，从而将其转化为电能。当作为光电转换件的一个电极的电极层7透光，而作为光电转换件的另一个电极的电极层19不透光时，光电转换件可以吸收外界光源中的光线，从而将其转化为电能。如图3a-图3b中，彩膜基板与阵列基板对合后形成液晶面板，该电容与光电转换件位于液晶面板的内侧，或者该电容与光电转换件位于液晶面板的外表面。
在彩膜基板上仅存在电容的区域中，该电容中作为该电容的一端的电极层和作为该电容的另一端的电极层中至少一层不透光，该电容可以替代彩膜基板上的黑矩阵。
在彩膜基板上仅存在电容的区域中，彩膜基板的剖视图为如图4a所示的结构；当电容中的介电层透光时，彩膜基板的剖视图为如图4b所示的结构。如图4a和图4b所示，电极层1位于玻璃基板17上的作为电容的一端的电极，介电层2位于电机层1上，电极层20位于介电层2上的作为电容的另一端的电极。图4a和图4b还包括色阻16，在图4a中，色阻16覆盖于玻璃基板17上，在图4b中，色阻16覆盖于介电层2上。图4a中的介电层2可以透光，也可以不透光。其中，作为电容的一端的电极层1和作为电容的另一端的电极层20中的任意一个电极层不透光，也可以这两个电极层都不透光。
当光电转换件位于彩膜基板上色阻外区域，且电容位于彩膜基板上色阻外区域时，本发明实施例提供的基板的俯视图可以如图5所示，就是将显示基板上形成色阻的区域中的光电转换件的材料和电容的材料刻蚀掉，露出光电转换件和电容之下的玻璃基板，并在玻璃基板上形成色阻的区域中形成色阻。图5中包括电容和/或光电转换件21、色阻16。刻蚀之后的彩膜基板上光电转换件和电容可以替代黑矩阵，并且在使用该显示基板制作的显示面板中，显示基板上的光电转换件还可以吸收像素两侧散射的光线。
如图6所示结构，彩膜基板上的光电转换件的正极通过电源电路23连接到外接电源24的正极，彩膜基板上的光电转换件的负极通过电源电路23连接到外接电源24的负极，形成彩膜基板上的光电转换件与外接电源并联的结构，从而与外接电源一起为包含该彩膜基板的设备供电。图6中还包括光电转换件和/或电容21、色阻16。
显示基板为阵列基板，光电转换件位于阵列基板上像素电极层外区域，电容位于阵列基板上像素电极层外区域。
因此，当电容覆盖的区域超过阵列基板上像素电极层外区域的一半，且光电转换件覆盖的区域也超过阵列基板上像素电极层外区域的一半，那么阵列基板上的部分区域中的光电转换件和电容就会层叠，阵列基板中的一部分区域中仅存在光电转换件，一部分区域中仅存在电容。较佳地，可以在阵列基板上像素电极层外区域全部形成光电转换件，并在阵列基板上像素电极层外区域全部形成电容。
由于阵列基板上的光电转换件位于栅极线和数据线下，而栅极线和数据线通常是不透光的，因此，阵列基板上的光电转换件只能吸收背光源中的光线。
因此，在阵列基板上电容和光电转换件层叠的区域，电容要位于光电转换件之上，因此，阵列基板的剖视图与图2a、图2b所示的结构类似，而在电容中的介电层透光时，与图2c或图2d所示的结构类似，即将图2a、图2b、图2c和图2d中的色阻16替换为保护层，该保护层的材料为树脂。相同之处在此不再赘述。但此时，光电转换件中作为光电转换件的一个电极的电极层7透光，从而使背光源的光线照射到光电转换件中的PN结上，而电容中作为电容的一端的电极层1可以透光，也可以不透光；共用电极层3可以透光，也可以不透光。
在阵列基板上仅存在光电转换件的区域中，阵列基板的剖视图可以采用图3a或者图3b所示的结构，而只需要将图3a和图3b中的色阻16替换为保护层，该保护层的材料为树脂，相同之处在此不再赘述。但此时，紧贴玻璃基板17的作为光电转换件的一个电极的电极层7透光，从而使光电转换件可以吸收背光源中的光线；而作为光电转换件的另一个电极的电极层19可以透光，也可以不透光。
在阵列基板上仅存在电容的区域中，阵列基板可以采用图4a所示的结构，在电容中的介电层透光时，阵列基板可以如图4b所示的结构，将图4a和图4b中的色阻16替换为保护层，该保护层的材料为树脂，相同之处在此不再赘述。但此时，作为电容的一端的电极层1可以透光，也可以不透光；作为电容的另一端的电极层20可以透光，也可以不透光。
图7为在本发明实施例提供的阵列基板上形成数据线、栅极线、薄膜晶体管（TFT，Thin Film Transistor）和像素电极之后的俯视图。图7中包括数据线13、栅极线9和像素电极15，在沿着图7中A-A剖视线处将阵列基板剖开之后，阵列基板的剖视图为图8a-图8h中任意一个。
在图8a和图8c中，光电转换件包括位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极的电极层7、位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上的N型硅层6、位于N型硅层6上的I型硅层5、位于I型硅层5上的P型硅层4和位于P型硅层4上的共用电极层3；电容包括共用电极层3、位于共用电极层3上的介电层2、位于介电层2上的作为电容一端的电极层1。在图8b和图8d中，光电转换件包括位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极的电极层7、位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上的P型硅层4、位于P型硅层4上的I型硅层5、位于I型硅层5上的N型硅层6和位于N型硅层6上的共用电极层3；电容包括共用电极层3、位于共用电极层3上的介电层2、位于介电层2上的作为电容一端的电极层1。其中，N型硅层6、I型硅层5和P型硅层4构成光电转换件中的PN结。图8a和图8b的区别在于，在图8a中N型硅层6位于I型硅层5之下，P型硅层4位于I型硅层5之上；而在图8b中P型硅层4位于I型硅层5之下，N型硅层6位于I型硅层5之上。图8c和图8d的区别在于，在图8c中N型硅层6位于I型硅层5之下，P型硅层4位于I型硅层5之上；而在图8d中P型硅层4位于I型硅层5之下，N型硅层6位于I型硅层5之上。在图8a、图8b、图8c、图8d中还包括保护层8，在图8a和图8b中，保护层8覆盖于玻璃基板17上和作为电容一端的电极层1上；在图8c和图8d中，保护层8覆盖于介电层2上和作为电容一端的电极层1上。图8a和图8b中的介电层2可以透光，也可以不透光。图8c和图8d中的介电层2透光。
在图8e中，光电转换件包括：位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极的电极层7、位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上的N型硅层6、位于N型硅层6上的I型硅层5、位于I型硅层5上的P型硅层4、位于P型硅层4上的作为光电转换件的另一个电极的电极层19。在图8f中，光电转换件包括：位于玻璃基板17上的作为光电转换件的一个电极的电极层7、位于作为光电转换件的一个电极的电极层7上的P型硅层4、位于P型硅层4上的I型硅层5、位于I型硅层5上的N型硅层6、位于N型硅层6上的作为光电转换件的另一个电极的电极层19。其中，N型硅层6、I型硅层5和P型硅层4构成光电转换件中的PN结。图8e和图8f中还包括保护层8，保护层8覆盖于玻璃基板17上和作为光电转换件的另一个电极的电极层19上。
在图8g和图8h中，电容包括：位于玻璃基板17上的作为电容的一端的电极层20、位于作为电容的一端的电极层20上的介电层2、位于介电层2上的作为电容的另一端的电极层1。在图8g中，电容中的介电层2可以透光，也可以不透光，而在图8h中，电容中的介电层2透光。图8g和图8h中还包括保护层8，保护层8覆盖于玻璃基板17上和作为电容的另一端的电极层1上。
图8a-图8h中还包括：栅极9、栅绝缘层10、a-Si层11、N型非晶硅层12、源漏电极层13、钝化层14和像素电极15。
当光电转换件位于阵列基板上像素电极层外区域全部区域中，且电容位于阵列基板上像素电极层外区域全部区域中时，本发明实施例提供的显示基板的俯视图与图5所示的结构相同，只是图5中的色阻16的位置不再形成色阻，而要填充树脂材料，从而使包含电容和/或光电转换件的阵列基板的表面平整，以便于进行后续工艺流程。
在实际应用中，也可以采用图6所示结构相同的结构，将阵列基板上的光电转换件的正极通过电源电路连接到外接电源的正极，阵列基板上的光电转换件的负极通过电源电路连接到外接电源的负极，形成阵列基板上的光电转换件与外接电源并联的结构，从而与外接电源一起为包含该彩膜基板的设备供电。只是图6中的色阻16的位置不再形成色阻，而要填充树脂材料，从而使包含电容和/或光电转换件的阵列基板的表面平整，以便于进行后续工艺流程。
上述透光的电极层的材料可以为铟锡化合物（ITO）、铟锌化合物（IZO）等；上述不透光的电极层的材料可以为钼（Mo）、铝（Al）、铬（Cr）等；上述介电层的材料可以为SiN3或其它储电材料；上述N型硅层的材料可以为掺入硼等三价元素离子的a-Si，上述I型硅层的材料可以为未掺杂的a-Si，上述P型硅材料可以为掺入磷等五价元素离子的a-Si。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述如图1a-图1d、图2a-图2d、图3a-图3b、图4a-图4b、图5-图7、图8a-图8h所示发明实施例提供的显示基板。
本发明实施例还提供一种制造本发明实施例提供的显示基板的方法，如图9所示，包括：
S901、在显示基板上形成电容和光电转换件；
S902、将电容的一端与光电转换件的一个电极相连，并将电容的另一端与光电转换件的另一个电极相连。
当显示基板为彩膜基板时，在彩膜基板上色阻外区域的部分区域形成光电转换件，并在彩膜基板上色阻外区域的部分或者全部区域形成电容；当显示基板为阵列基板时，在阵列基板上像素电极层外区域的部分或者全部区域形成光电转换件，并在阵列基板上像素电极层外区域的部分或者全部区域形成电容。
在显示基板上形成光电转换件时，既可以采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程，也可以采用沉积多层、刻蚀一次、一次刻蚀多层的工艺流程。
当显示基板上形成光电转换件的区域已经形成电容时，可以根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在电容上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将N型硅层中与电容中的窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，在刻蚀之后的N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与电容中的窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将P型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积第一电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层。
或者，根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在电容上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将P型硅层中与电容中的窗口相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将所述N型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积第一电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层。
在上述两种形成光电转换件的方法中，第一种方法先形成N型硅层，后形成P型硅层；第二种方法先形成P型硅层，后形成N型硅层。这两种方法都是采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程。
由于光电转换件位于电容上，因此，显示基板只能为彩膜基板，此时电容中的窗口的位置是为色阻预留的，第一电极材料形成的电极层透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线。
当显示基板上已经形成光电转换件的区域中未形成电容时，可以根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在显示基板上形成光电转换件的区域沉积第二电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层，并在作为光电转换件的一个电极的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口中的第二电极材料被刻蚀掉；在刻蚀之后的作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在所述N型硅层中刻蚀出窗口，直至所述窗口中的掺入N型离子的硅材料被刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积第三电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层。
或者，根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在显示基板上形成光电转换件的区域沉积第二电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层，并在作为光电转换件的一个电极的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口中的第二电极材料被刻蚀掉；在刻蚀之后的作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层中刻蚀出窗口，直至所述窗口中的掺入P型离子的硅材料被刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将N型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积第三电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层。
在上述两种形成光电转换件的方法中，第一种方法先形成N型硅层，后形成P型硅层；第二种方法先形成P型硅层，后形成N型硅层。这两种方法都是采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程。
当显示基板为彩膜基板时，光电转换件中的窗口的位置是为色阻预留的；若不需要再在光电转换件上形成电容，则第二电极材料形成的电极层和第三电极材料形成的电极层中的一层不透光，即若第二电极材料形成的电极层透光，则第三电极材料形成的电极层不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线，若第二电极材料形成的电极层不透光，则第三电极材料形成的电极层透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线；若还需要在光电转换件上形成电容，则第二电极材料形成的电极层透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线。当显示基板为阵列基板时，光电转换件中的窗口的位置是为保护层预留的，用于通过后续工艺在保护层上形成像素电极，第二电极材料形成的电极层透光，第三电极材料形成的电极层可以透光，也可以不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线。
当显示基板上形成光电转换件的区域已经形成电容时，还可以根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在电容上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积第四电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；将与所述窗口对应的位置的掺入N型离子的硅材料、未掺杂的硅材料、掺入P型离子的硅材料和第四电极材料刻蚀掉。
或者，根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在电容上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在所述N型硅层上沉积第四电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；将与所述窗口对应的位置的掺入N型离子的硅材料、未掺杂的硅材料、掺入P型离子的硅材料和第四电极材料刻蚀掉。
在上述两种形成光电转换件的方法中，第一种方法先形成N型硅层，后形成P型硅层；第二种方法先形成P型硅层，后形成N型硅层。这两种方法都是采用沉积多层、刻蚀一次、一次刻蚀多层的工艺流程。
由于光电转换件位于电容之上，因此，显示基板只能为彩膜基板，而电容中的窗口的位置是为色阻预留的，第四电极材料形成的电极层透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线。
当显示基板上已经形成光电转换件的区域中未形成电容时，还可以根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在显示基板上形成光电转换件的区域沉积第五电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；在作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入N离子的硅材料，形成N型硅层；在N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积第六电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层；在作为光电转换件的另一个电极的电极层中刻蚀出窗口，并将所述窗口对应的位置的第六电极材料、掺入P型离子的硅材料、未掺杂的硅材料、掺入N型离子的硅材料和第五电极材料刻蚀掉。
或者，根据下列步骤在显示基板上形成光电转换件，包括：在显示基板上形成光电转换件的区域沉积第五电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；在作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入P离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在N型硅层上沉积第六电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层；在作为光电转换件的另一个电极的电极层中刻蚀出窗口，并将所述窗口对应的位置的第六电极材料、掺入P型离子的硅材料、未掺杂的硅材料、掺入N型离子的硅材料和第五电极材料刻蚀掉。
在上述两种形成光电转换件的方法中，第一种方法先形成N型硅层，后形成P型硅层；第二种方法先形成P型硅层，后形成N型硅层。这两种方法都是沉积工序完成之后，刻蚀一次。
当显示基板为彩膜基板时，光电转换件中的窗口的位置是为色阻预留的；当不需要在光电转换件上形成电容，则第五电极材料形成的电极层和第六电极材料形成的电极层中的一层不透光，即若第五电极材料形成的电极层透光，则第六电极材料形成的电极层不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线；若第五电极材料形成的电极层不透光，则第六电极材料形成的电极层透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线；当需要在光电转换件上形成电容，则第二电极材料形成的电极层透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线。当显示基板为阵列基板时，光电转换件中的窗口的位置是为保护层预留的，用于通过后续工艺在保护层上形成像素电极，第五电极材料形成的电极层透光，第六电极材料形成的电极层可以透光，也可以不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线。
在显示基板上形成电容时，既可以采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程，也可以采用沉积多层、刻蚀一次、一次刻蚀多层的工艺流程。
当显示基板上形成电容的区域中已经形成光电转换件时，可以根据下列步骤在显示基板上形成电容，包括：在光电转换件上沉积储电材料，形成介电层，若介电层透光，则在介电层上沉积第七电极材料，形成作为所述电容一端的电极层；将作为电容一端的电极层中与光电转换件中的窗口相对应的位置的第七电极材料刻蚀掉；若所述介电层不透光，则将介电层中与所述光电转换件中的窗口相对应的位置的储电材料刻蚀掉，然后，在刻蚀之后的介电层上沉积第八电极材料，形成作为电容一端的电极层；将作为电容一端的电极层中与所述光电转换件中的窗口相对应的位置的第八电极材料刻蚀掉。
在这种情况下，电容中的介电层透光时可以直接在介电层上沉积电极层，也可以在介电层中与光电转换件中的窗口相对应的位置刻蚀出窗口；而电容中的介电层不透光时，就必须在介电层中与光电转换件中的窗口相对应的位置刻蚀出窗口。
当显示基板为彩膜基板时，光电转换件中的窗口的位置是为色阻预留的；当光电转换件中的共用电极层不透光时，第七电极材料形成的电极层和第八电极材料形成的电极层可以透光，也可以不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线；当光电转换件中的共用电极层透光时，第七电极材料形成的电极层和第八电极材料形成的电极层中至少一层不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线；当显示基板为阵列基板时，光电转换件中的窗口的位置是为保护层预留的，用于通过后续工艺在保护层上形成像素电极；第七电极材料形成的电极层和第八电极材料形成的电极层可以透光，也可以不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线。
当显示基板上形成电容的区域中未形成光电转换件时，可以根据下列步骤在显示基板上形成电容，包括：在显示基板上形成电容的区域中沉积第九电极材料，形成作为电容的一端的电极层；在作为电容的一端的电极层上刻蚀出窗口，直至窗口中的第九电极材料被刻蚀掉；在刻蚀之后的作为电容的一端的电极层上沉积储电材料，形成介电层；若介电层透光，则在介电层上沉积第十电极材料，并将作为电容的另一端的电极层中与窗口对应的位置的第十电极材料刻蚀掉；若介电层不透光，则将介电层中与窗口对应的位置的储电材料刻蚀掉；在刻蚀之后的介电层上沉积第十一电极材料，并将作为电容的另一端的电极层中与窗口对应的位置的第十一电极材料刻蚀掉。
电容中的介电层透光时可以直接在介电层上沉积电极层，也可以将介电层中与第九电极材料形成的电极层中的窗口相对应的位置的储电材料刻蚀掉，然后在刻蚀之后的介电层上沉积第十电极材料；当电容中的介电层不透光时，就必须将介电层中与第九电极材料形成的电极层中的窗口相对应的位置的储电材料刻蚀掉，然后在刻蚀之后的介电层上沉积第十一电极材料。
当显示基板为彩膜基板时，窗口的位置是为色阻预留的；第九电极材料形成的电极层和第十电极材料形成的电极层中的至少一层不透光；当显示基板为阵列基板时，窗口的位置是为保护层预留的，用于通过后续工艺在保护层上形成像素电极；第九电极材料形成的电极层和第十电极材料形成的电极层可以透光，可以不透光。
上述两种方法是采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程。
当显示基板上形成电容的区域中已经形成光电转换件时，还可以根据下列步骤在显示基板上形成电容，包括：在光电转换件上沉积储电材料，形成介电层；在介电层上沉积第十二电极材料，形成作为电容的一端的电极层；在作为电容的一端的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口对应位置的第十二电极材料和储电材料被刻蚀掉。
介电层可以是透明的，也可以是不透明的。但是，当介电层透明时，也可以不必在介电层中刻蚀出窗口，此时，也就相当于采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程。
当显示基板为彩膜基板时，光电转换件中的窗口的位置是为色阻预留的；当光电转换件中的共用电极层不透光时，第十二电极材料形成的电极层可以透光，也可以不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线；当光电转换件中的共用电极层透光时，第十二电极材料形成的电极层不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收外界光源中的光线；当显示基板为阵列基板时，光电转换件中的窗口的位置是为保护层预留的，用于通过后续工艺在保护层上形成像素电极；第十二电极材料形成的电极层可以透光，也可以不透光，在这种情况下，位于显示面板中的光电转换件吸收背光源中的光线。
当显示基板上形成电容的区域中未形成光电转换件时，还可以根据下列步骤在显示基板上形成电容，包括：
在显示基板上形成电容的区域中沉积第十三电极材料，形成作为电容的一端的电极层；在作为电容的一端的电极层上沉积储电材料，形成介电层；在介电层上沉积第十四电极材料，形成作为电容的另一端的电极层；在作为电容的另一端的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口对应位置的第十四电极材料、储电材料和第十三电极材料被刻蚀掉。
电容中的介电层透光时也可以直接在介电层上沉积电极层，而不必将介电层中与窗口相对应的位置的储电材料刻蚀掉，此时，也就相当于采用沉积一层、刻蚀一层的工艺流程。
当显示基板为彩膜基板时，窗口的位置是为色阻预留的；第十三电极材料形成的电极层和第十四电极材料形成的电极层中的至少一层不透光；当显示基板为阵列基板时，窗口的位置是为保护层预留的，用于通过后续工艺在保护层上形成像素电极；第十三电极材料形成的电极层和第十四电极材料形成的电极层可以透光，可以不透光。
在实际制作过程中，可以将显示基板分为需要形成光电转换件的区域、需要形成电容的区域、需要形成光电转换件和电容的区域，然后，分别在这三个区域中形成光电转换件、电容、光电转换件与电容层叠。或者，也可以首先在显示基板上需要形成光电转换件的区域形成光电转换件，然后在需要形成电容的区域按照上述方法形成电容。或者，首先在显示基板上需要形成电容的区域形成电容，然后在需要形成光电转换件的区域按照上述方法形成光电转换件。
在沉积用于形成透光的电极层的材料，如ITO、IZO等时，可以采用磁控溅射（Sputter）的方法沉积，在刻蚀透光的电极层时，可以采用湿刻工艺进行刻蚀；在沉积用于形成不透光的电极层的材料，如Mo、Al、Cr等时，可以采用磁控溅射的方法沉积，在刻蚀不透光的电极层时，可以采用湿刻工艺进行刻蚀；在沉积用于形成介电层的储电材料，如SiN3时，可以采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）的方法沉积，在刻蚀介电层时，可以采用干刻的工艺进行刻蚀；在沉积用于形成光电转换件中的PN结的硅材料时，可以采用PECVD的方法沉积，在刻蚀PN结中的各层时，可以采用干刻的工艺进行刻蚀，在沉积用于形成介电层的储电材料时，也可以采用旋涂方式形成有机材料并采用曝光或干刻等工艺进行刻蚀。
在彩膜基板上形成电容和光电转换件之后，可以在电容和光电转换件中的窗口中形成色阻。在阵列基板上形成电容和光电转换件之后，可以在基板上涂覆一层树脂，从而形成平坦的表面，然后，再在该平坦的表面上形成薄膜晶体管阵列。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (17)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：位于所述显示基板上的光电转换件光电转换件和位于所述显示基板上的电容，所述电容的一端与所述光电转换件光电转换件的一个电极相连，所述电容的另一端与所述光电转换件光电转换件的另一个电极连接，所述光电转换件光电转换件用于将所述光电转换件吸收的光线的能量转换为电能，所述电容用于存储所述光电转换件光电转换件转换的电能。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板，所述光电转换件光电转换件位于所述彩膜基板上色阻外区域；所述电容位于所述彩膜基板上色阻外区域。
3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光电转换件位于所述电容上，在所述光电转换件中的PN结下、所述电容中的介电层上设有共用电极层，所述共用电极层为所述光电转换件的一个电极，且为所述电容的一端；
所述光电转换件中作为所述光电转换件的另一个电极的电极层透光，所述电容中作为所述电容另一端的电极层和所述共用电极层中至少有一层不透光。
4.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述电容位于所述光电转换件上，在所述电容中的介电层下、所述光电转换件中的PN结上设有共用电极层，所述共用电极层为所述光电转换件的一个电极，且为所述电容的一端；
所述光电转换件中作为所述光电转换件的另一个电极的电极层透光，所述电容中作为所述电容另一端的电极层和所述共用电极层中至少有一层不透光。
5.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述光电转换件中作为所述光电转换件的一个电极的电极层和作为所述光电转换件的另一个电极的电极层中仅有一层不透光。
6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述电容中作为所述电容的一端的电极层和作为所述电容的另一端的电极层中的至少一层不透光。
7.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为阵列基板，所述光电转换件位于所述阵列基板上像素电极层外区域；所述电容位于所述阵列基板上像素电极层外区域。
8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述电容位于所述光电转换件上，在所述电容中的介电层下、所述光电转换件中的PN结上设有共用电极层，所述共用电极层为所述光电转换件的一个电极，且为所述电容的一端；
所述光电转换件中作为所述光电转换件的另一个电极的电极层透光。
9.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述光电转换件中作为所述光电转换件的一个电极的电极层透光，该透光的电极层设置于所述阵列基板上。
10.如权利要求1~9任一所述的显示基板，其特征在于，还包括电源电路及外接电源，该显示基板上的光电转换件通过电源电路连接到外接电源，该光电转换件能给外接电源充电。
11.一种显示面板，其特征在于，包含如权利要求1~10任一所述的显示基板。
12.一种制造如权利要求1~9任一所述的显示基板的方法，其特征在于，包括：
在显示基板上形成所述光电转换件和所述电容；
将所述电容的一端与所述光电转换件的一个电极相连，并将所述电容的另一端与所述光电转换件的另一个电极相连。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述显示基板为彩膜基板，在所述彩膜基板上色阻外区域形成光电转换件，并在所述彩膜基板上色阻外区域形成电容；或者
所述显示基板为阵列基板，在所述阵列基板上像素电极层外区域形成光电转换件，并在所述阵列基板上像素电极层外区域。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，根据下列步骤形成所述光电转换件；
显示基板上形成光电转换件的区域与形成电容的区域重叠；则在所述电容上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将所述N型硅层中与所述电容中的窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积第一电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；或者，在所述电容上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述电容中的窗口相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将所述N型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积第一电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；或者
显示基板上形成光电转换件的区域中未形成电容，则在显示基板上需要形成光电转换件的区域沉积第二电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层，并在所述作为光电转换件的一个电极的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口中的第二电极材料被刻蚀掉；
在刻蚀之后的作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在所述N型硅层中刻蚀有窗口，直至所述窗口中的掺入N型离子的硅材料被刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；将所述P型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入P型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积第三电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层；或者，在刻蚀之后的作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在所述P型硅层中刻蚀有窗口，直至所述窗口中的掺入P型离子的硅材料被刻蚀掉，并在刻蚀之后的P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；将所述I型硅层中与所述窗口相对应的位置的未掺杂的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；将所述N型硅层中与所述窗口相对应的位置的掺入N型离子的硅材料刻蚀掉，并在刻蚀之后的N型硅层上沉积第三电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层；
其中，所述显示基板为彩膜基板，所述窗口的位置用于形成色阻；所述显示基板为阵列基板，所述窗口的位置用于形成像素电极。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，根据下列步骤形成光电转换件：
显示基板上形成光电转换件的区域与形成电容的区域重叠；
在所述电容上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在所述P型硅层上沉积第四电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；或者在所述电容上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在所述N型硅层上沉积第四电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；
将与所述窗口对应的位置的掺入N型离子的硅材料、未掺杂的硅材料、掺入P型离子的硅材料和第四电极材料刻蚀掉；
或者，
显示基板上形成光电转换件的区域中未形成电容，则在所述显示基板上需要形成光电转换件的区域沉积第五电极材料，形成作为光电转换件的一个电极的电极层；
在所述作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入N离子的硅材料，形成N型硅层；在N型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入P型离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积第六电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层；或者，在作为光电转换件的一个电极的电极层上沉积掺入P离子的硅材料，形成P型硅层；在P型硅层上沉积未掺杂的硅材料，形成I型硅层；在I型硅层上沉积掺入N型离子的硅材料，形成N型硅层；在N型硅层上沉积第六电极材料，形成作为光电转换件的另一个电极的电极层；
在作为光电转换件的另一个电极的电极层中刻蚀有窗口，并将所述窗口对应的位置的第六电极材料、掺入P型离子的硅材料、未掺杂的硅材料、掺入N型离子的硅材料和第五电极材料刻蚀掉；
其中，所述显示基板为彩膜基板，则所述窗口的位置用于形成色阻；所述显示基板为阵列基板，则所述窗口的位置用于形成像素电极。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，根据下列步骤形成所述电容：
显示基板上形成电容的区域与形成光电转换件的区域重叠；
在所述光电转换件上沉积储电材料，形成介电层，所述介电层透光，则在所述介电层上沉积第七电极材料，形成作为所述电容一端的电极层；将作为电容一端的电极层中与所述光电转换件中的窗口相对应的位置的第七电极材料刻蚀掉；或者所述介电层不透光，则将所述介电层中与所述光电转换件中的窗口相对应的位置的储电材料刻蚀掉，然后，在刻蚀之后的介电层上沉积第八电极材料，形成作为电容一端的电极层；将作为电容一端的电极层中与所述光电转换件中的窗口相对应的位置的第八电极材料刻蚀掉；
或者，
显示基板上形成电容的区域中未形成光电转换件；
则在显示基板上形成电容的区域中沉积第九电极材料，形成作为电容的一端的电极层；在作为电容的一端的电极层上刻蚀出窗口，直至窗口中的第九电极材料被刻蚀掉；在刻蚀之后的作为电容的一端的电极层上沉积储电材料，形成介电层；介电层透光，则在介电层上沉积第十电极材料，并将所述作为电容的另一端的电极层中与所述窗口对应的位置的第十电极材料刻蚀掉；或者，介电层不透光，则将所述介电层中与所述窗口对应的位置的储电材料刻蚀掉；在刻蚀之后的介电层上沉积第十一电极材料，并将所述作为电容的另一端的电极层中与所述窗口对应的位置的第十一电极材料刻蚀掉；
其中，所述显示基板为彩膜基板，则所述窗口的位置用于形成色阻；所述显示基板为阵列基板，则所述窗口的位置用于形成像素电极。
17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，根据下列步骤形成所述电容：
显示基板上形成电容的区域中形成光电转换件；
则在所述光电转换件上沉积储电材料，形成介电层；在介电层上沉积第十二电极材料，形成作为电容的一端的电极层；在作为电容的一端的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口对应位置的第十二电极材料和储电材料被刻蚀掉；
或者，
显示基板上形成电容的区域中未形成光电转换件；
则在显示基板上形成电容的区域中沉积第十三电极材料，形成作为电容的一端的电极层；在作为电容的一端的电极层上沉积储电材料，形成介电层；在介电层上沉积第十四电极材料，形成作为电容的另一端的电极层；在作为电容的另一端的电极层中刻蚀出窗口，直至窗口对应位置的第十四电极材料、储电材料和第十三电极材料被刻蚀掉；
其中，所述显示基板为彩膜基板，则所述窗口的位置用于形成色阻；所述显示基板为阵列基板，则所述窗口的位置用于形成像素电极。
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